JP2013225690A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device which is suitable for thinning the device.SOLUTION: A semiconductor light emitting device A1 comprises: a substrate 1; electrodes 2A and 2B formed on the substrate 1; and an LED chip 3 die-bonded to a die bonding pad 2Aa formed on the electrode 2A by using silver paste 6. In the die bonding pad 2Aa, its outer edge is located inside an outer edge of the LED chip 3 when viewed along a thickness direction of the substrate 1, and the electrode 2A further comprises an extension portion 21 extending from the die bonding pad 2Aa to outside the LED chip 3.

Description

本発明は、たとえば携帯電話機の光源装置として用いられる半導体発光装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device used as a light source device of a mobile phone, for example, and a method for manufacturing the same.

図５は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示された半導体発光装置Ｘは、１対の電極９２Ａ，９２Ｂが形成された基板９１にＬＥＤチップ９３がボンディングされた構成とされている。ＬＥＤチップ９３およびボンディングワイヤ９４は、樹脂パッケージ９５によって覆われている。同図においては、理解の便宜上、樹脂パッケージ９５を想像線で示している。電極９２Ａには、ダイボンディングパッド９２Ａａが形成されている。ＬＥＤチップ９３は、銀ペースト９６を用いてダイボンディングパッド９２Ａａにダイボンディングされている。電極９２Ｂには、ボンディングワイヤ９４をボンディングするためのボンディングパッド９２Ｂａが形成されている。   FIG. 5 shows an example of a conventional semiconductor light emitting device (see, for example, Patent Document 1). The semiconductor light emitting device X shown in the figure has a configuration in which an LED chip 93 is bonded to a substrate 91 on which a pair of electrodes 92A and 92B is formed. The LED chip 93 and the bonding wire 94 are covered with a resin package 95. In the figure, the resin package 95 is indicated by an imaginary line for convenience of understanding. A die bonding pad 92Aa is formed on the electrode 92A. The LED chip 93 is die bonded to the die bonding pad 92Aa using a silver paste 96. A bonding pad 92Ba for bonding the bonding wire 94 is formed on the electrode 92B.

しかしながら、近年、たとえば携帯電話機の小型化、薄型化が強く指向されている。このため、半導体発光装置Ｘに対して、薄型化の要請が強い。その一方策として、ＬＥＤチップ９３を薄くすることが考えられる。この薄くされたＬＥＤチップ９３をダイボンディングパッド９２Ａａにダイボンディングしようとすると、銀ペースト９６がＬＥＤチップ９３の上面まで這い上がってくるおそれがある。このようなことでは、電極９２Ａとボンディングワイヤ９４とが不当にショートしてしまうという問題があった。   However, in recent years, for example, downsizing and thinning of cellular phones are strongly directed. For this reason, the semiconductor light emitting device X is strongly demanded to be thin. One possible measure is to make the LED chip 93 thinner. If the thinned LED chip 93 is die-bonded to the die bonding pad 92 </ b> Aa, the silver paste 96 may crawl up to the upper surface of the LED chip 93. In such a case, there is a problem that the electrode 92A and the bonding wire 94 are unduly short-circuited.

特開２００１−１９６６４１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-196641

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化を図るのに適した半導体発光装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object thereof is to provide a semiconductor light emitting device suitable for reducing the thickness.

本発明によって提供される半導体発光装置は、基板と、上記基板に形成された電極と、上記電極に形成されたダイボンディングパッドに導電性ペーストを用いてダイボンディングされた半導体発光素子と、を備える、半導体発光装置であって、上記ダイボンディングパッドは、上記基板の厚さ方向視においてその外縁が上記半導体発光素子の外縁よりも内方に位置しており、上記電極は、上記ダイボンディングパッドから上記半導体発光素子の外方に延出する延出部をさらに備えているとともに、上記半導体発光素子は、矩形状であり、かつ上記基板の厚さ方向において互いに反対側に位置する面に形成されたアノード電極およびカソード電極を有しており、上記延出部は、上記半導体発光素子の対角線方向に延びており、上記アノード電極およびカソード電極のうち上記ダイボンディングパッドに対面するものが、上記導電性ペーストを介して上記ダイボンディングパッドに導通しているとともに、上記基板に形成され、かつ上記電極と絶縁された追加の電極をさらに備えており、上記アノード電極およびカソード電極のうち上記基板とは反対側に位置する面に形成されたものは、上記基板の厚さ方向視においてその外縁が上記半導体発光素子の外縁よりも内方に位置しており、かつボンディングワイヤを介して上記追加の電極と導通しており、上記電極は、上記ダイボンディングパッドから上記追加の電極とは反対側の上記基板の端縁側に延びる上記延出部と、この延出部と上記追加の電極とは反対側の上記基板の端縁とを繋ぐ部分とをさらに備えていることを特徴としている。   A semiconductor light emitting device provided by the present invention includes a substrate, an electrode formed on the substrate, and a semiconductor light emitting element die-bonded to the die bonding pad formed on the electrode using a conductive paste. In the semiconductor light emitting device, the outer edge of the die bonding pad is located inward of the outer edge of the semiconductor light emitting element in the thickness direction of the substrate, and the electrode extends from the die bonding pad. The semiconductor light emitting device further includes an extending portion extending outward from the semiconductor light emitting device, and the semiconductor light emitting device has a rectangular shape and is formed on surfaces opposite to each other in the thickness direction of the substrate. An anode electrode and a cathode electrode, and the extending portion extends in a diagonal direction of the semiconductor light emitting element, and the anode electrode And the cathode electrode facing the die bonding pad is electrically connected to the die bonding pad through the conductive paste, and an additional electrode formed on the substrate and insulated from the electrode The anode electrode and the cathode electrode formed on the surface on the opposite side of the substrate are arranged such that the outer edge of the anode electrode and the cathode electrode is inner than the outer edge of the semiconductor light emitting element when viewed in the thickness direction of the substrate. And is connected to the additional electrode via a bonding wire, and the electrode extends from the die bonding pad to the edge side of the substrate opposite to the additional electrode. It further has a protruding portion and a portion connecting the extending portion and the edge of the substrate on the side opposite to the additional electrode.

このような構成によれば、上記導電性ペーストの大部分は、上記ダイボンディングパッドと上記半導体発光素子とに挟まれた空間に存在することとなる。上記ダイボンディングパッドが上記半導体発光素子からはみ出る部分を有さないため、上記導電性ペーストが上記半導体発光素子からはみ出ることを抑制することが可能である。また、上記導電性ペーストの量が多い場合であっても、余分な上記導電性ペーストは、上記延出部に沿って広がっていく。したがって、上記導電性ペーストが上記半導体発光素子の上面にまで這い上がってしまうことを防止することができる。これによって、上記半導体発光素子として比較的薄いものを用いることが可能となり、上記半導体発光装置の薄型化を図ることができる。また、このような構成によれば、上記半導体発光素子から上記導電性ペーストがはみ出るとしても、この上記導電性ペーストは、上記半導体発光素子の角から上記延出部に向かってはみ出すこととなる。このため、上記導電性ペーストが、上記半導体発光素子の側面に沿って這い上がることを防止するのに適している。   According to such a configuration, most of the conductive paste is present in a space between the die bonding pad and the semiconductor light emitting element. Since the die bonding pad does not have a portion protruding from the semiconductor light emitting element, it is possible to suppress the conductive paste from protruding from the semiconductor light emitting element. Even when the amount of the conductive paste is large, the excess conductive paste spreads along the extending portion. Therefore, it is possible to prevent the conductive paste from creeping up to the upper surface of the semiconductor light emitting element. As a result, a relatively thin semiconductor light emitting element can be used, and the semiconductor light emitting device can be thinned. According to such a configuration, even if the conductive paste protrudes from the semiconductor light emitting element, the conductive paste protrudes from the corner of the semiconductor light emitting element toward the extending portion. Therefore, the conductive paste is suitable for preventing the conductive paste from creeping along the side surface of the semiconductor light emitting element.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記延出部は、帯状部と広幅部とを有しており、上記帯状部は、上記ダイボンディングパッドよりも狭幅とされ、かつ上記ダイボンディングパッドに繋がっており、上記広幅部は、上記帯状部よりも先端側に位置し、上記帯状部よりも広幅である。このような構成によれば、上記延出部に沿ってはみ出した上記導電性ペーストを上記広幅部に滞留させることができる。これは、はみ出した上記導電性ペーストが上記基板に沿ってさらに広がってしまうことによりショートなどが引き起こされることを回避するのに有利である。   In a preferred embodiment of the present invention, the extending portion has a band-shaped portion and a wide-width portion, and the band-shaped portion is narrower than the die bonding pad, and is formed on the die bonding pad. It is connected and the said wide part is located in the front end side rather than the said strip | belt-shaped part, and is wider than the said strip | belt-shaped part. According to such a structure, the said electrically conductive paste which protruded along the said extension part can be made to stay in the said wide part. This is advantageous in avoiding a short circuit or the like caused by the protruding conductive paste further spreading along the substrate.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記導電性ペーストの厚さと、上記半導体発光素子の厚さとの比が、１：５〜１：１５とされている。このような構成によれば、上記導電性ペーストの這い上がりを抑制しつつ、上記半導体発光素子として上記半導体発光装置の薄型化を図るのに十分に薄いものを採用可能である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極は、複数の上記延出部を備えている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記ダイボンディングパッドの中心は、上記基板の厚さ方向視において、上記半導体発光素子の中心と一致している。本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板の厚さは、０．０８〜０．１ｍｍである。本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体発光素子の厚さは、４０〜７５μｍである。   In a preferred embodiment of the present invention, the ratio of the thickness of the conductive paste to the thickness of the semiconductor light emitting element is 1: 5 to 1:15. According to such a configuration, it is possible to adopt a semiconductor light emitting element that is thin enough to reduce the thickness of the semiconductor light emitting device while suppressing creeping of the conductive paste. In a preferred embodiment of the present invention, the electrode includes a plurality of the extending portions. In a preferred embodiment of the present invention, the center of the die bonding pad coincides with the center of the semiconductor light emitting element when viewed in the thickness direction of the substrate. In a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the substrate is 0.08 to 0.1 mm. In preferable embodiment of this invention, the thickness of the said semiconductor light-emitting device is 40-75 micrometers.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示す平面図である。1 is a plan view showing a first embodiment of a semiconductor light emitting device according to the present invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line | wire of FIG. 本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows 1st Embodiment of the semiconductor light-emitting device concerning this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 2nd Embodiment of the semiconductor light-emitting device based on this invention. 従来の半導体発光装置の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the conventional semiconductor light-emitting device.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１〜図３は、本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、基板１、１対の電極２Ａ，２Ｂ、ＬＥＤチップ３、ボンディングワイヤ４、および樹脂パッケージ５を具備して構成されている。なお、図１においては、理解の便宜上、樹脂パッケージ５を想像線で示している。半導体発光装置Ａ１は、幅が０．６ｍｍ、長さが１．０ｍｍ、厚さが０．２ｍｍ程度とされており、小型でありかつ非常に薄型の半導体発光装置として構成されている。   1 to 3 show a first embodiment of a semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device A1 according to this embodiment includes a substrate 1, a pair of electrodes 2A and 2B, an LED chip 3, a bonding wire 4, and a resin package 5. In FIG. 1, the resin package 5 is indicated by an imaginary line for convenience of understanding. The semiconductor light emitting device A1 has a width of 0.6 mm, a length of 1.0 mm, and a thickness of about 0.2 mm, and is configured as a small and very thin semiconductor light emitting device.

基板１は、平面視略矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基板である。基板１の表面には、ＬＥＤチップ３が搭載されている。基板１の裏面は、回路基板などに半導体発光装置Ａ１を面実装するときに実装面として扱われる面である。基板１の四隅には、厚さ方向に延びる凹溝が形成されている。本実施形態においては、基板１の厚さは、０．０８〜０．１ｍｍ程度とされている。   The substrate 1 has a substantially rectangular shape in plan view, and is an insulating substrate made of, for example, glass epoxy resin. The LED chip 3 is mounted on the surface of the substrate 1. The back surface of the substrate 1 is a surface treated as a mounting surface when the semiconductor light emitting device A1 is surface-mounted on a circuit board or the like. Concave grooves extending in the thickness direction are formed at the four corners of the substrate 1. In the present embodiment, the thickness of the substrate 1 is about 0.08 to 0.1 mm.

１対の電極２Ａ，２Ｂは、基板１の中央部分を挟んで基板１の両端縁にそれぞれ離間配置されている。電極２Ａ，２Ｂは、それぞれが基板１の表面から上記凹溝を経て裏面にわたる領域を覆っている。電極２Ａ，２Ｂのうち基板１の裏面を覆う部分は、半導体発光装置Ａ１を面実装するための実装端子として用いられる。１対の電極２Ａ，２Ｂは、たとえばＣｕ／Ｎｉ／Ａｕからなるメッキ層が積層された構造とされている。   The pair of electrodes 2 </ b> A and 2 </ b> B are spaced from each other at both end edges of the substrate 1 with the central portion of the substrate 1 interposed therebetween. The electrodes 2A and 2B each cover a region extending from the front surface of the substrate 1 to the back surface through the concave groove. A portion of the electrodes 2A and 2B that covers the back surface of the substrate 1 is used as a mounting terminal for surface mounting the semiconductor light emitting device A1. The pair of electrodes 2A and 2B has a structure in which plating layers made of, for example, Cu / Ni / Au are laminated.

電極２Ａには、ダイボンディングパッド２Ａａおよび４つの延出部２１が形成されている。ダイボンディングパッド２Ａａは、ＬＥＤチップ３をたとえば銀ペースト６を用いてダイボンディングするための部分であり、略正方形状とされている。ダイボンディングパッド２Ａａは、中心がＬＥＤチップ３の中心と略一致しており、そのサイズがＬＥＤチップ３のサイズよりも小とされている。これにより、基板１の厚さ方向視において、ダイボンディングパッド２Ａａの外縁は、ＬＥＤチップ３の外縁よりも内方に位置している。   A die bonding pad 2Aa and four extending portions 21 are formed on the electrode 2A. The die bonding pad 2Aa is a portion for die-bonding the LED chip 3 using, for example, a silver paste 6, and has a substantially square shape. The center of the die bonding pad 2 </ b> Aa substantially coincides with the center of the LED chip 3, and the size thereof is smaller than the size of the LED chip 3. Thereby, the outer edge of the die bonding pad 2 </ b> Aa is located inward of the outer edge of the LED chip 3 in the thickness direction of the substrate 1.

延出部２１は、ボンディングパッド２ＡａからＬＥＤチップ３の対角線方向に延びており、帯状部２１ａおよび広幅部２１ｂを有している。帯状部２１ａは、ボンディングパッド２Ａａに繋がっており、幅が略一定とされている。広幅部２１ｂは、延出部２１の先端に形成されており、その幅が帯状部２１ａよりも広幅とされている。本実施形態においては、広幅部２１ｂは、菱形状とされている。   The extending portion 21 extends from the bonding pad 2Aa in the diagonal direction of the LED chip 3, and has a strip-shaped portion 21a and a wide portion 21b. The strip portion 21a is connected to the bonding pad 2Aa and has a substantially constant width. The wide portion 21b is formed at the tip of the extending portion 21, and the width thereof is wider than that of the belt-like portion 21a. In the present embodiment, the wide portion 21b has a rhombus shape.

電極２Ｂには、ボンディングパッド２Ｂａが形成されている。ボンディングパッド２Ｂａは、ボンディングワイヤ４をファーストボンディングするための部分である。   A bonding pad 2Ba is formed on the electrode 2B. The bonding pad 2Ba is a portion for first bonding the bonding wire 4.

ＬＥＤチップ３は、半導体発光装置Ａ１の光源であり、たとえば可視光を発光可能とされている。具体的には、ＬＥＤチップ３は、たとえばｐｎ型の半導体発光素子であり、底面に形成されたｎ側電極（図示略）が銀ペースト６を介して電極２Ａに導通している。また、ＬＥＤチップ３の上面に形成されたｐ側電極（図示略）は、ボンディングワイヤ４を介して電極２Ｂに導通している。ＬＥＤチップ３は、矩形状とされている。   The LED chip 3 is a light source of the semiconductor light emitting device A1, and can emit visible light, for example. Specifically, the LED chip 3 is, for example, a pn-type semiconductor light emitting element, and an n-side electrode (not shown) formed on the bottom surface is electrically connected to the electrode 2 </ b> A through the silver paste 6. Further, a p-side electrode (not shown) formed on the upper surface of the LED chip 3 is electrically connected to the electrode 2 </ b> B through the bonding wire 4. The LED chip 3 has a rectangular shape.

図３に示すように、ダイボンディングパッド２ＡａとＬＥＤチップ３とは、たとえば銀ペースト６によって接合されている。銀ペースト６の厚さｔ１とＬＥＤチップ３の厚さｔ２とは、１：５〜１：１５とされている。具体的には、厚さｔ１が５〜７μｍ程度であるのに対し、厚さｔ２が４０〜７５μｍ程度とされている。   As shown in FIG. 3, the die bonding pad 2 </ b> Aa and the LED chip 3 are bonded by, for example, a silver paste 6. The thickness t1 of the silver paste 6 and the thickness t2 of the LED chip 3 are set to 1: 5 to 1:15. Specifically, the thickness t1 is about 5 to 7 μm, while the thickness t2 is about 40 to 75 μm.

樹脂パッケージ５は、ＬＥＤチップ３およびボンディングワイヤ４を保護するためのものである。樹脂パッケージ５は、ＬＥＤチップ３からの光に対して透光性を有するたとえばエポキシ樹脂を用いてモールド成形されている。なお、樹脂パッケージ５としては、全体が透光性を有する材質からなるものに限定されず、たとえば、ＬＥＤチップ３から側方に発せられた光を反射して基板１の厚さ方向に向かわせるリフレクタを有する構成であってもよい。   The resin package 5 is for protecting the LED chip 3 and the bonding wire 4. The resin package 5 is molded by using, for example, an epoxy resin having translucency with respect to the light from the LED chip 3. The resin package 5 is not limited to a material made of a light-transmitting material as a whole. For example, the light emitted from the LED chip 3 to the side is reflected and directed in the thickness direction of the substrate 1. The structure which has a reflector may be sufficient.

次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device A1 will be described.

本実施形態によれば、図３に示すように、銀ペースト６の大部分は、ダイボンディングパッド２ＡａとＬＥＤチップ３とに挟まれた空間に存在することとなる。ダイボンディングパッド２ＡａがＬＥＤチップ３からはみ出る部分を有さないため、銀ペースト６がＬＥＤチップ３からはみ出ることを抑制することが可能である。また、銀ペースト６の量が多い場合であっても、余分な銀ペースト６は、図１に示すように延出部２１に沿って広がっていく。したがって、銀ペースト６がＬＥＤチップ３の側面を這い上がり、上面に接続されたボンディングワイヤ４に付着してしまうことを防止することができる。これによって、ＬＥＤチップ３として比較的薄いものを用いることが可能となり、半導体発光装置Ａ１の薄型化を図ることができる。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 3, most of the silver paste 6 exists in a space sandwiched between the die bonding pad 2 </ b> Aa and the LED chip 3. Since the die bonding pad 2 </ b> Aa does not have a portion protruding from the LED chip 3, it is possible to suppress the silver paste 6 from protruding from the LED chip 3. Further, even if the amount of the silver paste 6 is large, the excess silver paste 6 spreads along the extending portion 21 as shown in FIG. Therefore, it is possible to prevent the silver paste 6 from scooping up the side surface of the LED chip 3 and adhering to the bonding wire 4 connected to the upper surface. As a result, a relatively thin LED chip 3 can be used, and the semiconductor light emitting device A1 can be thinned.

ＬＥＤチップ３から銀ペースト６がはみ出るとしても、この銀ペースト６は、ＬＥＤチップ３の角から延出部２１に向かってはみ出すこととなる。このため、銀ペースト６が、ＬＥＤチップ３の側面に沿って這い上がることを防止するのに適している。また、延出部２１に沿ってはみ出した銀ペースト６を広幅部２１ｂに滞留させることができる。これは、はみ出した銀ペースト６が基板１を伝って電極２Ｂに到達してしまうことを防止するのに適している。   Even if the silver paste 6 protrudes from the LED chip 3, the silver paste 6 protrudes from the corner of the LED chip 3 toward the extending portion 21. For this reason, it is suitable for preventing the silver paste 6 from creeping along the side surface of the LED chip 3. Further, the silver paste 6 that protrudes along the extending portion 21 can be retained in the wide width portion 21b. This is suitable for preventing the protruding silver paste 6 from reaching the electrode 2B through the substrate 1.

さらに、銀ペースト６の厚さｔ１とＬＥＤチップ３の厚さｔ２との比を１：５〜１：１５とすることにより、銀ペースト６の這い上がりを抑制しつつ、ＬＥＤチップ３として半導体発光装置Ａ１の薄型化を図るのに十分に薄いものを採用可能である。すなわち、厚さｔ１，ｔ２の比が１：５より小さいと、銀ペースト６がＬＥＤチップ３の上面にまで這い上がってしまうおそれが大きい。一方、厚さｔ１，ｔ２の比が１：１５より大きいと、銀ペースト６の厚さが、ＬＥＤチップ３を適切にダイボンディングするには不足してしまうか、あるいはＬＥＤチップ３の厚さが相対的に厚くなってしまい、本実施形態のような半導体発光装置Ａ１の薄型化を図れない。   Furthermore, the ratio of the thickness t1 of the silver paste 6 and the thickness t2 of the LED chip 3 is set to 1: 5 to 1:15, so that the LED chip 3 is controlled to emit light while suppressing the creeping of the silver paste 6. A device that is thin enough to reduce the thickness of the device A1 can be used. That is, if the ratio between the thicknesses t1 and t2 is smaller than 1: 5, the silver paste 6 is likely to crawl up to the upper surface of the LED chip 3. On the other hand, if the ratio of the thicknesses t1 and t2 is larger than 1:15, the thickness of the silver paste 6 is insufficient to appropriately die-bond the LED chip 3, or the thickness of the LED chip 3 is too small. Since the thickness of the semiconductor light emitting device A1 is relatively large, the semiconductor light emitting device A1 as in the present embodiment cannot be thinned.

図４は、本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態を示している。なお、本図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。   FIG. 4 shows a second embodiment of the semiconductor light emitting device according to the present invention. In this figure, the same or similar elements as those in the above embodiment are given the same reference numerals as those in the above embodiment.

本実施形態の半導体発光装置Ａ２は、電極２Ａに２つの延出部２１が設けられている点が上述した実施形態と異なっている。これらの延出部２１は、ＬＥＤチップ３の一方の対角線方向に沿って延びている。このような実施形態によっても、銀ペースト６の這い上がりを適切に防止可能であり、半導体発光装置Ａ２の薄型化を図ることができる。   The semiconductor light emitting device A2 of this embodiment is different from the above-described embodiment in that two extending portions 21 are provided on the electrode 2A. These extending portions 21 extend along one diagonal direction of the LED chip 3. Also according to such an embodiment, it is possible to appropriately prevent the silver paste 6 from creeping up, and it is possible to reduce the thickness of the semiconductor light emitting device A2.

本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The semiconductor light emitting device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of the semiconductor light emitting device according to the present invention can be varied in design in various ways.

本発明で言う導電性ペーストは、上述した銀ペーストに限定されず、半導体発光素子をダイボンディングパッドに対して適切に接合し、かつ導通させることが可能なものであればよい。延出部に形成される広幅部の形状は、菱形状に限定されず、たとえば円形状など、帯状部より広幅の部分とされていればよい。   The conductive paste referred to in the present invention is not limited to the above-described silver paste, and any conductive paste may be used as long as the semiconductor light emitting element can be appropriately bonded to the die bonding pad and made conductive. The shape of the wide part formed in the extension part is not limited to the rhombus shape, and may be a part wider than the belt-like part such as a circular shape.

Ａ１，Ａ２ 半導体発光装置
１ 基板
２Ａ，２Ｂ １対の電極
２Ａａ ダイボンディングパッド
２Ｂａ ボンディングパッド
３ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
４ ボンディングワイヤ
５ 樹脂パッケージ
６ 銀ペースト
２１ 延出部
２１ａ 帯状部
２１ｂ 広幅部
A1, A2 Semiconductor light emitting device 1 Substrate 2A, 2B A pair of electrodes 2Aa Die bonding pad 2Ba Bonding pad 3 LED chip (semiconductor light emitting element)
4 Bonding wire 5 Resin package 6 Silver paste 21 Extension part 21a Strip part 21b Wide part

Claims (7)

基板と、
上記基板に形成された電極と、
上記電極に形成されたダイボンディングパッドに導電性ペーストを用いてダイボンディングされた半導体発光素子と、
を備える、半導体発光装置であって、
上記ダイボンディングパッドは、上記基板の厚さ方向視においてその外縁が上記半導体発光素子の外縁よりも内方に位置しており、
上記電極は、上記ダイボンディングパッドから上記半導体発光素子の外方に延出する延出部をさらに備えているとともに、
上記半導体発光素子は、矩形状であり、かつ上記基板の厚さ方向において互いに反対側に位置する面に形成されたアノード電極およびカソード電極を有しており、
上記延出部は、上記半導体発光素子の対角線方向に延びており、
上記アノード電極およびカソード電極のうち上記ダイボンディングパッドに対面するものが、上記導電性ペーストを介して上記ダイボンディングパッドに導通しているとともに、
上記基板に形成され、かつ上記電極と絶縁された追加の電極をさらに備えており、
上記アノード電極およびカソード電極のうち上記基板とは反対側に位置する面に形成されたものは、上記基板の厚さ方向視においてその外縁が上記半導体発光素子の外縁よりも内方に位置しており、かつボンディングワイヤを介して上記追加の電極と導通しており、
上記電極は、上記ダイボンディングパッドから上記追加の電極とは反対側の上記基板の端縁側に延びる上記延出部と、この延出部と上記追加の電極とは反対側の上記基板の端縁とを繋ぐ部分とをさらに備えていることを特徴とする、半導体発光装置。 A substrate,
An electrode formed on the substrate;
A semiconductor light emitting device die bonded using a conductive paste to a die bonding pad formed on the electrode;
A semiconductor light emitting device comprising:
The die bonding pad has an outer edge located inward of the outer edge of the semiconductor light emitting element in the thickness direction of the substrate.
The electrode further includes an extending portion extending outward from the semiconductor light emitting element from the die bonding pad,
The semiconductor light emitting element has a rectangular shape and an anode electrode and a cathode electrode formed on surfaces opposite to each other in the thickness direction of the substrate,
The extending portion extends in a diagonal direction of the semiconductor light emitting element,
Among the anode electrode and the cathode electrode, the one facing the die bonding pad is electrically connected to the die bonding pad through the conductive paste,
An additional electrode formed on the substrate and insulated from the electrode;
Of the anode electrode and the cathode electrode, those formed on the surface opposite to the substrate are such that the outer edge of the substrate is positioned more inward than the outer edge of the semiconductor light emitting device in the thickness direction of the substrate. And is connected to the additional electrode via a bonding wire,
The electrode includes an extending portion extending from the die bonding pad to an edge side of the substrate opposite to the additional electrode, and an edge of the substrate opposite to the extending portion and the additional electrode. A semiconductor light emitting device, further comprising a portion connecting the two. 上記延出部は、帯状部と広幅部とを有しており、
上記帯状部は、上記ダイボンディングパッドよりも狭幅とされ、かつ上記ダイボンディングパッドに繋がっており、
上記広幅部は、上記帯状部よりも先端側に位置し、上記帯状部よりも広幅である、請求項１に記載の半導体発光装置。 The extension part has a belt-like part and a wide part,
The strip portion is narrower than the die bonding pad and is connected to the die bonding pad,
2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the wide portion is located on a distal end side with respect to the strip-shaped portion and is wider than the strip-shaped portion. 上記導電性ペーストの厚さと、上記半導体発光素子の厚さとの比が、１：５〜１：１５とされている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。   3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a ratio of a thickness of the conductive paste to a thickness of the semiconductor light emitting element is 1: 5 to 1:15. 上記電極は、複数の上記延出部を備えている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the electrode includes a plurality of the extending portions. 上記ダイボンディングパッドの中心は、上記基板の厚さ方向視において、上記半導体発光素子の中心と一致している、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。   5. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a center of the die bonding pad coincides with a center of the semiconductor light emitting element when viewed in a thickness direction of the substrate. 上記基板の厚さは、０．０８〜０．１ｍｍである、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the substrate has a thickness of 0.08 to 0.1 mm. 上記半導体発光素子の厚さは、４０〜７５μｍである、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor light-emitting element has a thickness of 40 to 75 μm.
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