JP2013207203A - Capacitor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitor capable of preventing interlayer peeling.SOLUTION: A capacitor 1 includes: a stack 2 in which a plurality of dielectric layers 6 are stacked; internal electrodes 3 provided between the dielectric layers 6 so as to face to one another via the dielectric layers 6; external electrodes 4 to which the internal electrodes 3 are electrically connected and provided so as to cover end portions of the stack 2; and a solder layer 5 provided outside the external electrodes 4. The solder layer 5 includes a first layer 51 located at the most external electrodes 4 side, a second layer 52 provided so as to partially cover an outer surface of the first layer 51, and a third layer 53 provided on an outer surface of the second layer 52 and an exposed surface that is not covered by the second layer 52 of the outer surface of the first layer 51. The first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are composed of different metals from one another, and are each composed of single metal.

Description

本発明は、コンデンサに関するものである。   The present invention relates to a capacitor.

特許文献1のコンデンサでは、外部電極の外側に、めっきによってはんだ層が設けられている。このように外部電極に予めはんだ層を設けることにより、改めて別体のはんだを付与することなく、コンデンサを外部基板の電極パッドに実装することができる。このはんだ層は2層構造のものが開示されており、内側の第1層がSnから成る層であり、外側の第2層がSn−Pbから成る層である。   In the capacitor of Patent Document 1, a solder layer is provided by plating on the outside of the external electrode. Thus, by providing the solder layer in advance on the external electrode, the capacitor can be mounted on the electrode pad of the external substrate without applying another solder again. This solder layer has a two-layer structure, and the inner first layer is a layer made of Sn and the outer second layer is a layer made of Sn-Pb.

近年は、Pbフリーはんだが主に使用されている。このPbフリーはんだは、例えば、Sn、Ag、Cu等の3種類以上の金属から成る。このような3種類の金属から成るはんだ層をめっきによって外部電極の外側に設けるには、例えば、Snから成る第1層の外表面に、Ag−Cuから成る第2層を設けることが考えられる。   In recent years, Pb-free solder is mainly used. This Pb-free solder is made of, for example, three or more kinds of metals such as Sn, Ag, and Cu. In order to provide such a solder layer made of three kinds of metals on the outside of the external electrode by plating, for example, it is conceivable to provide a second layer made of Ag—Cu on the outer surface of the first layer made of Sn. .

特開平3−179713号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-179713

しかしながら、Ag、Cuのような複数種の金属を、1つの合金層としてめっき形成する場合、Ag及びCuの比率の精密な制御が困難である、という問題点があった。一般的に、金属の種類が異なれば、めっき時の条件も異なるので、正確な比率で1つの合金層とすることは困難だからである。   However, when a plurality of types of metals such as Ag and Cu are formed by plating as one alloy layer, there is a problem that precise control of the ratio of Ag and Cu is difficult. In general, if the type of metal is different, the conditions at the time of plating are also different, so it is difficult to form one alloy layer with an accurate ratio.

また、Sn、Ag及びCuを1層ずつめっきすることによってはんだ層を形成しようとすると、3種類のめっき層の接触点が存在しなくなり、はんだ層の溶融点が存在しないこととなってしまう。   In addition, when an attempt is made to form a solder layer by plating Sn, Ag, and Cu one layer at a time, the contact points of the three types of plating layers do not exist, and the melting point of the solder layer does not exist.

本発明のコンデンサは、複数の誘電体層が積層された積層体と、前記誘電体層を介して互いに対向するように前記誘電体層間に設けられた内部電極と、該内部電極が電気的に接続されており、前記積層体の端部を覆うように設けられた外部電極と、該外部電極の外側に設けられたはんだ層とを備え、該はんだ層は、最も前記外部電極側に位置している第1層と、該第1層の外表面を部分的に覆うように設けられている第2層と、該第2層の外表面、及び、前記第1層の前記外表面のうち前記第2層に覆われていない露出表面に設けられている第3層と、を備えており、前記第1層、前記第2層および前記第3層は、互いに異なる金属から成り、かつ、それぞれ単一の金属から成ることを特徴とするものである。   The capacitor of the present invention includes a laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated, an internal electrode provided between the dielectric layers so as to face each other with the dielectric layer interposed therebetween, and the internal electrode is electrically An external electrode provided so as to cover an end of the laminate, and a solder layer provided outside the external electrode, the solder layer being located closest to the external electrode. Of the first layer, the second layer provided to partially cover the outer surface of the first layer, the outer surface of the second layer, and the outer surface of the first layer A third layer provided on an exposed surface not covered with the second layer, and the first layer, the second layer, and the third layer are made of different metals, and Each is made of a single metal.

本発明のコンデンサによれば、複数の誘電体層が積層された積層体と、誘電体層を介して互いに対向するように誘電体層間に設けられた内部電極と、内部電極が電気的に接続されており、積層体の端部を覆うように設けられた外部電極と、外部電極の外側に設けられたはんだ層とを備え、はんだ層は、最も外部電極側に位置している第1層と、第1層の外表面を部分的に覆うように設けられている第2層と、第2層の外表面、及び、第1層の外表面のうち第2層に覆われていない露出表面に設けられている第3層と、を備えており、
第1層、第2層および第3層は、互いに異なる金属から成り、かつ、それぞれ単一の金属から成ることから、1種類の金属のみで1つのめっき層を形成することができる。従って、はんだ層中の複数種の金属の割合を精密に制御することが容易となる。また、はんだ層において、第1層、第2層、及び第3層が互いに接触する点が存在することとなるので、はんだ層の溶融点を形成することができる。
According to the capacitor of the present invention, the laminated body in which a plurality of dielectric layers are laminated, the internal electrode provided between the dielectric layers so as to face each other through the dielectric layer, and the internal electrode are electrically connected. A first layer located on the outermost electrode side, the outer electrode provided so as to cover the end of the laminate, and a solder layer provided on the outer side of the outer electrode. A second layer provided so as to partially cover the outer surface of the first layer, an outer surface of the second layer, and an exposure that is not covered by the second layer among the outer surfaces of the first layer A third layer provided on the surface,
Since the first layer, the second layer, and the third layer are made of different metals and are each made of a single metal, one plating layer can be formed with only one kind of metal. Therefore, it becomes easy to precisely control the ratio of the plurality of kinds of metals in the solder layer. Further, since there are points where the first layer, the second layer, and the third layer are in contact with each other in the solder layer, the melting point of the solder layer can be formed.

本発明のコンデンサの実施の形態の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of embodiment of the capacitor | condenser of this invention. 図1に示すコンデンサのA−A線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of the capacitor | condenser shown in FIG. (a)は、本発明のコンデンサの一例における端部の拡大断面図であり、(b)は、(a)に示すはんだ層の、第3層を除去した場合の端面図である。(A) is an expanded sectional view of the edge part in an example of the capacitor | condenser of this invention, (b) is an end elevation at the time of removing the 3rd layer of the solder layer shown to (a). 本発明のコンデンサの他の例における端部を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the edge part in the other example of the capacitor | condenser of this invention. 本発明のコンデンサのはんだ層の他の例における、第3層を除去した場合の端面図である。It is an end elevation at the time of removing the 3rd layer in other examples of the solder layer of the capacitor of the present invention. 本発明のコンデンサのはんだ層の他の例における、第3層を除去した場合の端面図である。It is an end elevation at the time of removing the 3rd layer in other examples of the solder layer of the capacitor of the present invention. 本発明のコンデンサのはんだ層の他の例における、第3層を除去した場合の端面図である。It is an end elevation at the time of removing the 3rd layer in other examples of the solder layer of the capacitor of the present invention. 本発明のコンデンサの他の例における端部を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the edge part in the other example of the capacitor | condenser of this invention. 本発明のコンデンサのはんだ層の他の例の端面図である。It is an end view of the other example of the solder layer of the capacitor of the present invention. 本発明のコンデンサの他の例における端部を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the edge part in the other example of the capacitor | condenser of this invention. 本発明のコンデンサのはんだ層の他の例の端面図である。It is an end view of the other example of the solder layer of the capacitor of the present invention. 本発明のコンデンサの他の例における端部を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the edge part in the other example of the capacitor | condenser of this invention. 本発明のコンデンサのはんだ層の他の例の端面図である。It is an end view of the other example of the solder layer of the capacitor of the present invention.

以下に、本発明のコンデンサの実施の形態の一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。図1及び図2に示すコンデンサ1は、基本的な構成として、積層体2と、内部電極3と、外部電極4と、はんだ層5とを具備している。   Hereinafter, an example of an embodiment of a capacitor of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. A capacitor 1 shown in FIGS. 1 and 2 includes a laminated body 2, an internal electrode 3, an external electrode 4, and a solder layer 5 as a basic configuration.

積層体2は、複数の誘電体層6が積層されて成る。この積層体2は、1層当たり例えば1〜5μmの厚みに形成された矩形状の複数の誘電体層6を、例えば20〜2000層積層して成る直方体状の誘電体ブロックである。   The laminate 2 is formed by laminating a plurality of dielectric layers 6. This laminated body 2 is a rectangular parallelepiped dielectric block formed by laminating, for example, 20 to 2000 layers of a plurality of rectangular dielectric layers 6 each having a thickness of, for example, 1 to 5 μm.

また、積層体2の寸法は、積層体2の長辺の長さを、例えば0.4〜3.2mmとし、積層体2の短辺の長さを、例えば0.2〜1.6mmとする。誘電体層6の材料としては、例えば、BaTiO、CaTiO、SrTiOまたはCaZrO等が挙げられる。なお、他の例としては、BaTiO、CaTiO、SrTiOまたはCaZrOなどを主成分とし、Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等が添加されたものであってもよい。 Moreover, the dimension of the laminated body 2 makes the length of the long side of the laminated body 2 into 0.4-3.2 mm, for example, and makes the length of the short side of the laminated body 2 into 0.2-1.6 mm, for example. Examples of the material for the dielectric layer 6 include BaTiO 3 , CaTiO 3 , SrTiO 3, and CaZrO 3 . As another example, BaTiO 3, CaTiO 3, and SrTiO 3 or CaZrO 3 as a main component, Mn compound, Fe compound, Cr compounds, Co compounds, or may be Ni compound or the like is added .

積層体2は、図1、図2に示すように、互いに対向する第1の主面2a(上面)及び第2の主面(下面)2bと、互いに対向する第1の側面2c及び第2の側面2dと、互いに対向する第1の端面2e及び第2の端面2fとを有する略直方体状に形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the laminate 2 includes a first main surface 2a (upper surface) and a second main surface (lower surface) 2b that face each other, and a first side surface 2c and a second surface that face each other. Are formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a first end surface 2e and a second end surface 2f facing each other.

第1外部電極4aおよび第2外部電極4bは、図2に示すように、第1内部電極3aおよび第2内部電極3bにそれぞれ接続される。この第1外部電極4aおよび第2外部電極4bは、積層体2の表面に設けられる。以下の説明では、単に「外部電極4」と表記した場合には、第1外部電極4aおよび第2外部電極4bの双方を意味するものとする。   As shown in FIG. 2, the first external electrode 4a and the second external electrode 4b are connected to the first internal electrode 3a and the second internal electrode 3b, respectively. The first external electrode 4 a and the second external electrode 4 b are provided on the surface of the multilayer body 2. In the following description, when the term “external electrode 4” is simply used, it means both the first external electrode 4a and the second external electrode 4b.

図2に示す例では、第1外部電極4aおよび第2外部電極4bは、積層体2の端部に設けられている。また、この外部電極4は、厚みが5〜50μmで形成されている。外部電極4は、配線基板上の電極パッドに電気的に接続されて、配線基板との電気的な導通を確保する役割を果たす。   In the example shown in FIG. 2, the first external electrode 4 a and the second external electrode 4 b are provided at the end of the multilayer body 2. The external electrode 4 has a thickness of 5 to 50 μm. The external electrode 4 is electrically connected to an electrode pad on the wiring board and plays a role of ensuring electrical continuity with the wiring board.

図2に示すように、第1外部電極4aは、第2の端面2f上に形成されている。図1に示すように、第1外部電極4aの端部は、第1及び第2の主面2a、2b並びに第1及び第2の側面2c、2dにまで至っている。図2に示すように、第1外部電極4aは、第2の端面2fに引き出される複数の第1内部電極3aのそれぞれに電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2, the first external electrode 4a is formed on the second end face 2f. As shown in FIG. 1, the end of the first external electrode 4a reaches the first and second main surfaces 2a and 2b and the first and second side surfaces 2c and 2d. As shown in FIG. 2, the first external electrode 4a is electrically connected to each of the plurality of first internal electrodes 3a drawn to the second end face 2f.

図2に示すように、第2外部電極4bは、第1の端面2e上に形成されている。図1に示すように、第2外部電極4bの端部は、第1及び第2の主面2a、2b並びに第1及び第2の側面2c、2dにまで至っている。図2に示すように、第2外部電極4bは、第1の端面2eに引き出される複数の第2内部電極3bのそれぞれに電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2, the second external electrode 4b is formed on the first end face 2e. As shown in FIG. 1, the end of the second external electrode 4b reaches the first and second main surfaces 2a and 2b and the first and second side surfaces 2c and 2d. As shown in FIG. 2, the second external electrode 4b is electrically connected to each of the plurality of second internal electrodes 3b drawn to the first end face 2e.

第1内部電極3aおよび第2内部電極3bは、誘電体層6を介して対向するように誘電体層6間に設けられている。以下の説明では、単に「内部電極3」と表記した場合には、第1内部電極3aおよび第2内部電極3bの双方を意味するものとする。   The first internal electrode 3a and the second internal electrode 3b are provided between the dielectric layers 6 so as to face each other with the dielectric layer 6 therebetween. In the following description, the expression “internal electrode 3” simply means both the first internal electrode 3a and the second internal electrode 3b.

図2に示す例では、積層体2内には、複数の第1内部電極3aと、複数の第2内部電極3bとが、積層方向に沿って交互に間隔をおいて配置されている。これにより、複数の第1内部電極3aと、複数の第2内部電極3bとが、相互に絶縁されている。   In the example illustrated in FIG. 2, a plurality of first internal electrodes 3 a and a plurality of second internal electrodes 3 b are alternately arranged in the stacked body 2 at intervals in the stacking direction. Thereby, the plurality of first internal electrodes 3a and the plurality of second internal electrodes 3b are insulated from each other.

図2に示すように、複数の第1内部電極3aの一方の端部は、第2の端面2fに引き出され、第1外部電極4aに接続されている。第1内部電極3aは、第1及び第2の側面2c、2dには至っていない。   As shown in FIG. 2, one end of the plurality of first internal electrodes 3a is drawn out to the second end face 2f and connected to the first external electrode 4a. The first internal electrode 3a does not reach the first and second side surfaces 2c and 2d.

図2に示すように、複数の第2内部電極3bの一方の端部は、第1の端面2eに引き出され、第2外部電極4bに接続されている。第2内部電極3bは、第1及び第2の側面2c、2dには至っていない。   As shown in FIG. 2, one end of the plurality of second internal electrodes 3b is drawn out to the first end face 2e and connected to the second external electrode 4b. The second internal electrode 3b does not reach the first and second side surfaces 2c and 2d.

内部電極3は、積層体2の誘電体層6間に20〜2000層形成されている。この内部電極3の材料としては、例えばNi、Cu、Ag、Pd、Au等の金属、またはこれらの金属の一種以上を含む、Ag−Pd合金等の合金などが挙げられる。全ての内部電極3は、同一の金属または合金により形成されていることが好ましい。   The internal electrode 3 is formed between 20 and 2000 layers between the dielectric layers 6 of the laminate 2. Examples of the material of the internal electrode 3 include metals such as Ni, Cu, Ag, Pd, and Au, or alloys such as an Ag—Pd alloy containing one or more of these metals. All the internal electrodes 3 are preferably formed of the same metal or alloy.

内部電極3の全体の寸法は、図1における積層体2の長辺方向に例えば0.39〜3.1mm
であり、積層体2の短辺方向に例えば0.19〜1.5mmである。内部電極3の厚さは、特に
限定されない。内部電極3の厚さは、0.3〜2μm程度である。
The overall dimensions of the internal electrode 3 are, for example, 0.39 to 3.1 mm in the long side direction of the multilayer body 2 in FIG.
For example, 0.19 to 1.5 mm in the short side direction of the laminate 2. The thickness of the internal electrode 3 is not particularly limited. The thickness of the internal electrode 3 is about 0.3 to 2 μm.

図2に示す例においては、第1はんだ層5a及び第2はんだ層5bは、はんだ喰われ防止層7a、7bを介して外部電極4に設けられている。なお、以下の説明では、単に「はんだ層5」と表記した場合には、第1はんだ層5aおよび第2はんだ層5bの双方を意味するものとする。   In the example shown in FIG. 2, the first solder layer 5a and the second solder layer 5b are provided on the external electrode 4 via the solder erosion prevention layers 7a and 7b. In the following description, the simple expression “solder layer 5” means both the first solder layer 5a and the second solder layer 5b.

このはんだ層5は、外部電極4の外側に設けられている限り、はんだ喰われ防止層7a、7bを介さずに外部電極4に直接設けられていてもよい。しかし、図2に示す例のように、はんだ層5がはんだ喰われ防止層7a、7bを介して外部電極4に設けられている構
成が好ましい。このような構成であれば、はんだ層5が溶融した場合であっても、それと同時に外部電極4が溶け出すのを抑制できる。このはんだ喰われ防止層7a、7bは、Ni等の材料から成る金属めっき膜である。その厚みは、2〜8μm程度である。
As long as the solder layer 5 is provided outside the external electrode 4, the solder layer 5 may be provided directly on the external electrode 4 without using the solder erosion preventing layers 7 a and 7 b. However, as in the example shown in FIG. 2, a configuration in which the solder layer 5 is provided on the external electrode 4 via the solder erosion prevention layers 7a and 7b is preferable. With such a configuration, even when the solder layer 5 is melted, the external electrode 4 can be prevented from melting simultaneously. The solder erosion preventing layers 7a and 7b are metal plating films made of a material such as Ni. Its thickness is about 2 to 8 μm.

図3に示す例においては、はんだ層5bは、第1層51、第2層52および第3層53を備えている。   In the example shown in FIG. 3, the solder layer 5 b includes a first layer 51, a second layer 52, and a third layer 53.

第1層51は、最も外部電極側に位置している。この第1層51は、図3に示す例において
は、はんだ喰われ防止層7bの外表面に設けられている。この第1層51の厚みは、5〜60
μm程度である。
The first layer 51 is located closest to the external electrode. In the example shown in FIG. 3, the first layer 51 is provided on the outer surface of the solder erosion preventing layer 7b. The thickness of the first layer 51 is 5-60.
It is about μm.

第2層52は、第1層51の外表面を部分的に覆うように設けられている。図3に示す例において、第2層52は、複数の部分金属層521から構成されている。なお、図3に示す例に
おいては、第1層51の1つの面に、1つの部分金属層521が設けられている。図3(b)
に示す例において、この部分金属層521は円形状であり、直径は0.15〜1mm程度であり
、厚みは、0.1〜50μm程度である。なお、図3に示す例以外にも、この部分金属層521は楕円形状、矩形状等であってよい。また、第1層51の1つの面に、複数の部分金属層521
が設けられていてもよい。
The second layer 52 is provided so as to partially cover the outer surface of the first layer 51. In the example shown in FIG. 3, the second layer 52 is composed of a plurality of partial metal layers 521. In the example shown in FIG. 3, one partial metal layer 521 is provided on one surface of the first layer 51. FIG. 3 (b)
In this example, the partial metal layer 521 has a circular shape, a diameter of about 0.15 to 1 mm, and a thickness of about 0.1 to 50 μm. In addition to the example shown in FIG. 3, the partial metal layer 521 may have an elliptical shape, a rectangular shape, or the like. Further, a plurality of partial metal layers 521 are formed on one surface of the first layer 51.
May be provided.

第2層52の形状、又は大きさ等の具体的な観察方法としては、まず、コンデンサ1の外部電極4表面に設けられたはんだ層5を、第2層52が露出するように、公知の研磨手段を用いて研磨する。この研磨手段は、研磨機KEMET−V−300を用いたダイヤモンドペーストによる研磨が適用され得る。この研磨処理により露出した表面を、100倍の倍率
に調節した金属顕微鏡で観察して表面画像を得、この表面画像に対して目視、又はSEMを使用した成分分析等を行い、第2層52の形状、又は大きさ等を観察すればよい。なお、後述する第2層52の他の例についても、形状、又は大きさ等は、同様の手段で観察すればよい。
As a specific method for observing the shape or size of the second layer 52, first, the solder layer 5 provided on the surface of the external electrode 4 of the capacitor 1 is known so that the second layer 52 is exposed. Polishing is performed using a polishing means. As this polishing means, polishing with diamond paste using a polishing machine KEMET-V-300 can be applied. The surface exposed by this polishing treatment is observed with a metal microscope adjusted to a magnification of 100 times to obtain a surface image. The surface image is visually observed or component analysis using SEM is performed, and the second layer 52 What is necessary is just to observe the shape of this, or a magnitude | size. Note that the shape, size, etc. of other examples of the second layer 52 to be described later may be observed by the same means.

第3層53は、第2層52の外表面、及び、第1層51の外表面のうち第2層52に覆われていない露出表面に設けられる。図3に示す例においては、第3層53は、第1層51および第2層52を完全に覆うように設けられている。この第3層53の厚みは、0.1〜50μm程度であ
る。
The third layer 53 is provided on the outer surface of the second layer 52 and the exposed surface of the outer surface of the first layer 51 that is not covered by the second layer 52. In the example shown in FIG. 3, the third layer 53 is provided so as to completely cover the first layer 51 and the second layer 52. The thickness of the third layer 53 is about 0.1 to 50 μm.

第1層51、第2層52および第3層53は、互いに異なる金属から成り、かつ、それぞれ単一の金属から成る。第1層51は、例えばSnから成る。第2層52は、例えばAg又はCu
から成る。第3層53は、例えば、第2層52がAgである場合にはCuであり、第2層52がCuである場合にはAgである。
The first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are made of different metals and are each made of a single metal. The first layer 51 is made of, for example, Sn. The second layer 52 is made of, for example, Ag or Cu
Consists of. The third layer 53 is, for example, Cu when the second layer 52 is Ag, and Ag when the second layer 52 is Cu.

このような第1層51、第2層52および第3層53を有するはんだ層5を、外部電極4に予めめっきで設けておくことによって、コンデンサ1の外部電極4を外部の実装基板に実装する際、別体のはんだを付与する必要がなくなる。   By mounting the solder layer 5 having the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 on the external electrode 4 in advance by plating, the external electrode 4 of the capacitor 1 is mounted on an external mounting substrate. When doing so, it is not necessary to apply a separate solder.

また、第1層51、第2層52および第3層53は、互いに異なる金属から成り、かつ、それぞれ単一の金属から成ることから、1種類の金属のみで1つのめっき層を形成することができる。従って、はんだ層中の複数種の金属の割合を精密に制御することが容易となる。よって、はんだ層5の融点、耐久信頼性、強度等の特性が変動しにくくなるので、良好な接合材として機能しやすくなる。   In addition, the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are made of different metals and are each made of a single metal, so that one plating layer is formed with only one kind of metal. Can do. Therefore, it becomes easy to precisely control the ratio of the plurality of kinds of metals in the solder layer. Therefore, characteristics such as the melting point, durability reliability, strength and the like of the solder layer 5 are less likely to fluctuate, so that the solder layer 5 can easily function as a good bonding material.

また、このように1種類のみから成るめっき層を3層形成する場合であっても、第2層52が第1層51の外表面を部分的に覆う構成であり、かつ、第3層53が、第2層52の外表面
、及び、第1層51の外表面のうち第2層52に覆われていない露出表面に設けられているので、はんだ層5において、第1層51、第2層52、及び第3層53が互いに接触する点が存在することとなり、はんだ層の溶融点を形成することができる。
Further, even when three plating layers composed of only one kind are formed as described above, the second layer 52 is configured to partially cover the outer surface of the first layer 51, and the third layer 53 Are provided on the outer surface of the second layer 52 and the exposed surface of the outer surface of the first layer 51 that is not covered by the second layer 52. Therefore, in the solder layer 5, the first layer 51, There will be a point where the second layer 52 and the third layer 53 contact each other, and a melting point of the solder layer can be formed.

以上のような構成のコンデンサ1は、以下に示すようなセラミックグリーンシート積層法によって作製される。   The capacitor 1 having the above configuration is manufactured by a ceramic green sheet lamination method as described below.

具体的には、誘電体層6となる複数のグリーンシートを用意する。この工程において、セラミックグリーンシートは、セラミック原料粉末および有機バインダに適当な有機溶剤等を添加し混合することによって泥漿状のセラミックスラリーを作製し、これをドクターブレード法等によって成形することによって得られる。   Specifically, a plurality of green sheets to be the dielectric layer 6 are prepared. In this step, the ceramic green sheet is obtained by preparing a slurry-like ceramic slurry by adding and mixing a suitable organic solvent or the like to the ceramic raw material powder and the organic binder, and molding the slurry by a doctor blade method or the like. .

次に、グリーンシート上に、内部電極3を形成する。この工程においては、得られたセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等によって、内部電極3のパターンとなる導体材料を形成する。なお、1枚のグリーンシートから多数個のコンデンサが得られるように、この1枚のグリーンシートに複数の内部電極3のパターンを印刷する。   Next, the internal electrode 3 is formed on the green sheet. In this step, a conductive material to be a pattern of the internal electrode 3 is formed on the obtained ceramic green sheet by screen printing or the like. In addition, the pattern of the several internal electrode 3 is printed on this one green sheet so that many capacitors can be obtained from one green sheet.

次に、複数のセラミックグリーンシートを積層しかつプレスした後に、多数個分が一体となった生の積層体を作製する。この積層体をカットして、単体分の積層体として、コンデンサ1本体の生の状態のものを得る。   Next, after laminating and pressing a plurality of ceramic green sheets, a raw laminated body in which many pieces are integrated is produced. This laminated body is cut to obtain a raw body of the capacitor 1 as a single laminated body.

次に、生の状態のコンデンサ1本体を焼成して積層体2を得る。この工程においては、例えば1100〜1200℃で焼成することによって積層体2を得る。この工程によって、グリーンシートは誘電体層6となり、導体材料は、内部電極3となる。   Next, the capacitor body 1 in a raw state is fired to obtain a laminate 2. In this step, for example, the laminate 2 is obtained by firing at 1100 to 1200 ° C. By this step, the green sheet becomes the dielectric layer 6 and the conductive material becomes the internal electrode 3.

次に、導電ペーストを積層体2の両端部に塗布し、焼き付けることにより外部電極4を形成する。また、外部電極4は、蒸着、メッキ、スパッタリング等の薄膜形成法によって形成してもよい。   Next, the external electrode 4 is formed by applying a conductive paste to both ends of the laminate 2 and baking it. The external electrode 4 may be formed by a thin film forming method such as vapor deposition, plating, or sputtering.

このようにして得られる外部電極4の材料は、銅以外に銀,ニッケル,パラジウムまたはこれらの合金等の金属材料であってもよい。   The material of the external electrode 4 thus obtained may be a metal material such as silver, nickel, palladium, or an alloy thereof other than copper.

次に、得られた外部電極4の表面に、必要に応じて、はんだ喰われ防止層7a、7bとなるニッケル(Ni)めっき層を形成する。ニッケル(Ni)めっきを行う際は、例えば、めっき液としてワット浴を使用し、温度を60℃に保ち、電流を0.2Aとし、60分間めっ
きを行えばよい。
Next, a nickel (Ni) plating layer to be the solder erosion preventing layers 7a and 7b is formed on the surface of the obtained external electrode 4 as necessary. When performing nickel (Ni) plating, for example, a watt bath is used as a plating solution, the temperature is kept at 60 ° C., the current is 0.2 A, and plating may be performed for 60 minutes.

次に、ニッケル(Ni)めっき層の表面に、第1層51、第2層52および第3層53を、順番にめっきしていき、その結果、コンデンサ1を得る。   Next, the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are sequentially plated on the surface of the nickel (Ni) plating layer, and as a result, the capacitor 1 is obtained.

なお、第1層51、第2層52および第3層53は、前述したように、Sn、Ag、Cuのいずれかが使用される。ここで、Snをめっきする際には、例えば、めっき液としてSn−23(デュプソール社製)を使用し、温度を33℃に保ち、電流を0.1〜1Aとし、60〜80
分間めっきを行えばよい。また、Agをめっきする際には、例えば、めっき液としてシアン化銀水溶液を使用し、温度を40〜50℃に保ち、電流を0.05〜0.1Aとし、6〜30分間め
っきを行えばよい。また、Cuをめっきする際には、例えば、めっき液としてピロリン酸銅水溶液を使用し、温度を25℃に保ち、電流を0.15Aとし、6〜8分間めっきを行えばよい。
As described above, any one of Sn, Ag, and Cu is used for the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53. Here, when Sn is plated, for example, Sn-23 (manufactured by Dupsall) is used as a plating solution, the temperature is kept at 33 ° C., the current is 0.1-1 A, and 60-80
What is necessary is just to perform plating for a minute. Further, when Ag is plated, for example, an aqueous silver cyanide solution is used as a plating solution, the temperature is kept at 40 to 50 ° C., the current is set to 0.05 to 0.1 A, and plating may be performed for 6 to 30 minutes. Further, when Cu is plated, for example, a copper pyrophosphate aqueous solution is used as a plating solution, the temperature is kept at 25 ° C., the current is 0.15 A, and plating may be performed for 6 to 8 minutes.

なお、図3に示す例のように、複数の部分金属層521から成る第2層52を形成するため
には、部分金属層521の形状の開口を有するマスクを、第1層51の表面に印刷する。その
後、マスク開口部に選択的にめっきを施すことによって、複数の部分金属層521を形成す
ることができる。また、第3層53をめっきする前に、そのマスクは除去しておく。
In order to form the second layer 52 composed of a plurality of partial metal layers 521 as in the example shown in FIG. 3, a mask having an opening in the shape of the partial metal layer 521 is formed on the surface of the first layer 51. Print. Thereafter, a plurality of partial metal layers 521 can be formed by selectively plating the mask openings. Further, the mask is removed before the third layer 53 is plated.

また、例えば、図4、図5に示す例のように、第2層52は、複数の金属付着物522で構
成されることが好ましい。この場合には、第1層51、第2層52および第3層53の接触点が多数形成されるので、はんだ層5が溶融しやすくなる。さらに、図5に示す例のように、複数の金属付着物522が第1層51上に均等に分散していることが好ましい。この場合には
、はんだ層5が全体としてほぼ同時に溶融し始めるようになるため、溶融が早くなる。
For example, as in the example shown in FIGS. 4 and 5, the second layer 52 is preferably composed of a plurality of metal deposits 522. In this case, since many contact points of the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are formed, the solder layer 5 is easily melted. Furthermore, it is preferable that the plurality of metal deposits 522 are evenly dispersed on the first layer 51 as in the example shown in FIG. In this case, since the solder layer 5 starts to melt almost simultaneously as a whole, the melting is accelerated.

図5に示す例においては、金属付着物522は平面視で円形状であり、その直径は0.1〜1μm程度である。なお、金属付着物522の形状は、円形状以外にも、楕円形状、又は矩形
状等であってもよい。この金属付着物522は、第1層51上の1mm四方の領域において、250000個以上あることが好ましい。この場合には、第1層51、第2層52および第3層53の
接触点が多数形成される。このように金属付着物522を複数形成するためには、後述する
図6のように、金属付着物522同士が連結する前に、めっきを止めればよい。
In the example shown in FIG. 5, the metal deposit 522 has a circular shape in plan view and has a diameter of about 0.1 to 1 μm. The metal deposit 522 may have an elliptical shape or a rectangular shape in addition to the circular shape. It is preferable that there are 250,000 or more metal deposits 522 in a 1 mm square region on the first layer 51. In this case, many contact points of the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are formed. In order to form a plurality of metal deposits 522 in this manner, plating may be stopped before the metal deposits 522 are connected to each other as shown in FIG.

また、例えば、図6に示す例のように、第2層52は、複数の金属塊体523で構成されて
いてもよい。この場合にも、第1層51、第2層52および第3層53の接触点が多数形成されるので、はんだ層5が溶融しやすくなる。この金属塊体523は、図5に示した金属付着物522が複数連結した形状となっている。この金属塊体523は、第1層51上の1mm四方の領
域において、60000個以上あることが好ましい。この場合には、第1層51、第2層52およ
び第3層53の接触点が多数形成される。このように金属塊体523を複数形成するためには
、後述する図7のように、第2層52がほぼ完全な膜として形成される前に、めっきを止めればよい。
Further, for example, as in the example shown in FIG. 6, the second layer 52 may be composed of a plurality of metal masses 523. Also in this case, since many contact points of the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are formed, the solder layer 5 is easily melted. The metal block 523 has a shape in which a plurality of metal deposits 522 shown in FIG. 5 are connected. In the 1 mm square region on the first layer 51, it is preferable that there are 60000 or more metal masses 523. In this case, many contact points of the first layer 51, the second layer 52, and the third layer 53 are formed. In order to form a plurality of metal lumps 523 in this way, plating may be stopped before the second layer 52 is formed as a substantially complete film as shown in FIG.

また、例えば、図7に示す例のように、第2層52は、空孔524を有するめっき層であっ
てもよい。この空孔524は、第2層52を貫通するものであり、空孔524内部で第1層51と第3層53とが接触している。この空孔524の直径は0.1〜1μm程度であって、第2層52の1mm四方の領域において、10000個以上あることが好ましい。この場合には、第1層51、
第2層52および第3層53の接触点が多数形成される。このように空孔524を有するめっき
層を形成するためには、前述した図6のように、金属付着物522同士が連結した後、さら
にめっきを続け、完全に膜が形成される前に止めればよい。
Further, for example, as in the example shown in FIG. 7, the second layer 52 may be a plating layer having holes 524. The hole 524 penetrates the second layer 52, and the first layer 51 and the third layer 53 are in contact with each other inside the hole 524. The diameter of the holes 524 is about 0.1 to 1 μm, and it is preferable that there are 10,000 or more in the 1 mm square region of the second layer 52. In this case, the first layer 51,
Many contact points of the second layer 52 and the third layer 53 are formed. In order to form the plating layer having the holes 524 in this way, as shown in FIG. 6 described above, after the metal deposits 522 are connected to each other, the plating is continued and stopped before the film is completely formed. That's fine.

また、例えば第3層53は、第2層52の外表面、及び、第1層51の露出表面に設けられている限り、図8〜図13に示す例のように、第1層51および第2層52に部分的に設けられていてもよい。   Further, for example, as long as the third layer 53 is provided on the outer surface of the second layer 52 and the exposed surface of the first layer 51, the first layer 51 and The second layer 52 may be partially provided.

図8及び図9に示す例においては、第2層52だけでなく、第3層53もまた、複数の金属付着物531から構成されている。このような構成とするためには、第2層52および第3層53ともに、第1層51よりもめっき量を少なくすればよい。   In the example shown in FIGS. 8 and 9, not only the second layer 52 but also the third layer 53 is composed of a plurality of metal deposits 531. In order to achieve such a configuration, the amount of plating may be less than that of the first layer 51 in both the second layer 52 and the third layer 53.

また、図8及び図9に示す例のように、第3層53の金属付着物531の面積を、第2層52
の金属付着物522の面積より大きくすることが好ましい。この場合には、第3層53が、第
1層51および第2層52の接触点に接触する確率が高くなる。このような構成とするためには、例えば、第1層51としてSnを99.0wt%とし、第2層52としてAgを0.3wt%とし、第
3層53としてCuを0.7wt%とすればよい。このような重量比率を設定すれば、はんだ層5がいかなる膜厚であっても、第3層53が第2層52よりめっき量が多くなり、第3層53の金属付着物531の面積が、第2層52の金属付着物522の面積より大きくなる。
Further, as in the example shown in FIGS. 8 and 9, the area of the metal deposit 531 of the third layer 53 is set to the second layer 52
The area of the metal deposit 522 is preferably larger. In this case, the probability that the third layer 53 contacts the contact point of the first layer 51 and the second layer 52 is increased. In order to achieve such a configuration, for example, Sn may be 99.0 wt% for the first layer 51, Ag may be 0.3 wt% for the second layer 52, and Cu may be 0.7 wt% for the third layer 53. . If such a weight ratio is set, the amount of plating of the third layer 53 is larger than that of the second layer 52 regardless of the film thickness of the solder layer 5, and the area of the metal deposit 531 of the third layer 53 is increased. The area of the metal deposit 522 of the second layer 52 becomes larger.

なお、図8及び図9に示す例の他に、第3層53の金属付着物531の面積を、第2層52の
金属付着物522の面積より小さくしてもよい。このような構成とするためには、例えば、
第1層51としてSnを99.0wt%とし、第2層52としてCuを0.7wt%とし、第3層53として
Agを0.3wt%とすればよい。
In addition to the examples shown in FIGS. 8 and 9, the area of the metal deposit 531 of the third layer 53 may be smaller than the area of the metal deposit 522 of the second layer 52. In order to achieve such a configuration, for example,
The first layer 51 may be Sn at 99.0 wt%, the second layer 52 may be Cu at 0.7 wt%, and the third layer 53 may be Ag at 0.3 wt%.

また、図10及び図11に示す例においては、第3層53が、金属付着物531同士が連結した
、複数の金属塊体532から構成されており、第2層52が、複数の金属付着物522から構成されている。この場合には、図8及び図9に示した構成と比較し、第3層53の一部である金属塊体532と第2層52の一部である金属付着物522との面積差が大きくなるので、第3層53が、第1層51および第2層52の接触点に接触する確率が高くなる。このような構成とするためには、例えば、第1層51としてSnを98.3wt%とし、第2層52としてCuを0.7wt%と
し、第3層53としてAgを1.0wt%とすればよい。この場合、第3層53は、第2層52よりめっき量が大きいので、必然的に金属塊体532を構成しやすくなる。
In the example shown in FIGS. 10 and 11, the third layer 53 is composed of a plurality of metal masses 532 in which metal deposits 531 are connected to each other, and the second layer 52 is composed of a plurality of metal attachments. It is composed of a kimono 522. In this case, compared to the configuration shown in FIGS. 8 and 9, there is an area difference between the metal mass 532 that is a part of the third layer 53 and the metal deposit 522 that is a part of the second layer 52. Since it becomes large, the probability that the 3rd layer 53 will contact the contact point of the 1st layer 51 and the 2nd layer 52 becomes high. In order to achieve such a configuration, for example, Sn may be 98.3 wt% for the first layer 51, Cu may be 0.7 wt% for the second layer 52, and Ag may be 1.0 wt% for the third layer 53. . In this case, since the third layer 53 has a larger plating amount than the second layer 52, the metal mass 532 is inevitably easily formed.

なお、第2層52が、金属付着物522同士が連結した、複数の金属塊体523から構成されており、第3層53が、複数の金属付着物531から構成されているものであってもよい。この
ような構成とするためには、例えば、第1層51としてSnを98.3wt%とし、第2層52とし
てAgを1.0wt%とし、第3層53としてCuを0.7wt%とすればよい。
The second layer 52 is composed of a plurality of metal masses 523 in which the metal deposits 522 are connected to each other, and the third layer 53 is composed of a plurality of metal deposits 531. Also good. In order to obtain such a configuration, for example, Sn may be 98.3 wt% for the first layer 51, Ag may be 1.0 wt% for the second layer 52, and Cu may be 0.7 wt% for the third layer 53. .

また、図12及び図13に示す例においては、第3層53が、空孔533を有するめっき層であ
り、第2層52が、複数の金属付着物522から構成されている。この場合には、図10及び図11に示した構成と比較し、第3層53と第2層52の一部である金属付着物522との面積差が大きくなるので、第3層53が、第1層51および第2層52の接触点に接触する確率が高くなる。このような構成とするためには、例えば、第1層51としてSnを96.5wt%とし、第2層52としてCuを0.5wt%とし、第3層53としてAgを3.0wt%とすればよい。この場合、第3
層53は、第2層52よりめっき量が大きいので、必然的に、空孔533を有する、ほぼ完全な
めっき層となりやすくなる。
In the example shown in FIGS. 12 and 13, the third layer 53 is a plating layer having pores 533, and the second layer 52 is composed of a plurality of metal deposits 522. In this case, compared with the configuration shown in FIGS. 10 and 11, the area difference between the third layer 53 and the metal deposit 522 which is a part of the second layer 52 becomes larger. The probability of contact with the contact point between the first layer 51 and the second layer 52 increases. In order to obtain such a configuration, for example, Sn may be 96.5 wt% for the first layer 51, Cu may be 0.5 wt% for the second layer 52, and Ag may be 3.0 wt% for the third layer 53. . In this case, the third
Since the amount of plating of the layer 53 is larger than that of the second layer 52, the layer 53 inevitably becomes an almost complete plating layer having pores 533.

なお、第2層52が、空孔524を有するめっき層であり、第3層53が、複数の金属付着物531から成る構成であってもよい。このような構成とするためには、例えば、第1層51としてSnを96.5wt%とし、第2層52としてAgを3.0wt%とし、第3層53としてCuを0.5wt%
とすればよい。
The second layer 52 may be a plating layer having pores 524, and the third layer 53 may be composed of a plurality of metal deposits 531. In order to obtain such a configuration, for example, Sn is 96.5 wt% for the first layer 51, Ag is 3.0 wt% for the second layer 52, and Cu is 0.5 wt% for the third layer 53.
And it is sufficient.

また、以上の例では、はんだ層5として3層構造しか開示されていなかったが、最外表面に、Snから成る第4層が設けられていてもよい。この場合には、Agから成る層、及びCuから成る層が外部に露出することを防ぐことができるので、Agのマイグレーション、およびCuの腐食を防止することができる。なお、この第4層を設ける場合には、Snから成るめっき層が2層となるので、それら2層のSn層を合わせた状態で、はんだ層5が所望の金属比率になるように調整することが必要である。   In the above example, only the three-layer structure is disclosed as the solder layer 5, but a fourth layer made of Sn may be provided on the outermost surface. In this case, the Ag layer and the Cu layer can be prevented from being exposed to the outside, so that Ag migration and Cu corrosion can be prevented. When the fourth layer is provided, the number of Sn plating layers is two. Therefore, the solder layer 5 is adjusted to have a desired metal ratio in a state where the two Sn layers are combined. It is necessary.

1:コンデンサ
2:積層体
3:内部電極
4:外部電極
5:はんだ層
6:誘電体層
7:はんだ喰われ防止層
1: Capacitor 2: Laminate 3: Internal electrode 4: External electrode 5: Solder layer 6: Dielectric layer 7: Solder erosion prevention layer

Claims (1)

複数の誘電体層が積層された積層体と、
前記誘電体層を介して互いに対向するように前記誘電体層間に設けられた内部電極と、
該内部電極が電気的に接続されており、前記積層体の端部を覆うように設けられた外部電極と、
該外部電極の外側に設けられたはんだ層とを備え、
該はんだ層は、
最も前記外部電極側に位置している第1層と、
該第1層の外表面を部分的に覆うように設けられている第2層と、
該第2層の外表面、及び、前記第1層の前記外表面のうち前記第2層に覆われていない露出表面に設けられている第3層と、を備えており、
前記第1層、前記第2層および前記第3層は、互いに異なる金属から成り、かつ、それぞれ単一の金属から成ることを特徴とするコンデンサ。
A laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated;
Internal electrodes provided between the dielectric layers so as to face each other through the dielectric layers;
The internal electrode is electrically connected, and an external electrode provided to cover an end of the laminate;
A solder layer provided on the outside of the external electrode,
The solder layer is
A first layer located closest to the external electrode;
A second layer provided to partially cover the outer surface of the first layer;
An outer surface of the second layer, and a third layer provided on an exposed surface of the outer surface of the first layer that is not covered by the second layer,
The capacitor, wherein the first layer, the second layer, and the third layer are made of different metals and are each made of a single metal.
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