JP2013207007A - Solar cell and solar cell module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell from which more power can be extracted, by reducing loss due to the resistance of an electrode on the periphery of the back side of a solar cell.SOLUTION: The solar cell has an aluminum electrode 61 for collecting a current generated on the back side of a silicon substrate, and a back silver electrode 71 for extracting the current collected by the aluminum electrode 61. The extraction electrode 71 consists of a back silver electrode body 71A and a protrusion 71B, the aluminum electrode 61 and the back silver electrode 71 have an overlap part at the protrusion 71B, and the area of the overlap part is increased toward the periphery of the solar cell.

Description

本発明は、太陽電池セル、特に銀ペースト焼成電極を備える太陽電池セルに関する。   The present invention relates to a solar battery cell, particularly a solar battery cell provided with a silver paste fired electrode.

太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急速に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類があるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。   In recent years, solar cells that directly convert solar energy into electric energy have been rapidly expected as next-generation energy sources, particularly from the viewpoint of global environmental problems. There are various types of solar cells, such as those using compound semiconductors or organic materials, but the mainstream is currently using silicon crystals.

図10は、引用文献1に記載の、従来の太陽電池セル200の構造を示した断面図である。P型半導体基板201の表面近傍全面に、一定の深さまでN型不純物を拡散させてN型を呈する拡散層202を設け、半導体基板201の表面に窒化シリコン膜などから成る反射防止膜203を設け、表面に表面電極204を設ける。裏面にはアルミニウムなどから成る集電部205と銀などから成る出力取出部206とで構成される裏面電極を設けている。また半導体基板201の裏面には高濃度のP型拡散層207が形成される。このように、裏面電極の出力取り出し部206は、集電部205と一部重なるように形成されている。集電部205と出力取り出し部206は、その重なり部分で電気的に接続されている。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional solar battery cell 200 described in the cited document 1. An N-type diffusion layer 202 is formed by diffusing N-type impurities to a certain depth over the entire surface of the P-type semiconductor substrate 201, and an antireflection film 203 made of a silicon nitride film or the like is provided on the surface of the semiconductor substrate 201. The surface electrode 204 is provided on the surface. On the back surface, a back electrode composed of a current collector 205 made of aluminum or the like and an output extraction portion 206 made of silver or the like is provided. A high concentration P-type diffusion layer 207 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 201. As described above, the output extraction portion 206 of the back electrode is formed so as to partially overlap the current collection portion 205. The current collector 205 and the output take-out unit 206 are electrically connected at the overlapping portion.

図11は、太陽電池セル200の表面電極の構造を示した図である。表面電極204は、縦方向に延在するメイン電極208と、横方向に延在するサブグリッド電極209が交差して形成されている。   FIG. 11 is a diagram showing the structure of the surface electrode of the solar battery cell 200. The surface electrode 204 is formed by intersecting a main electrode 208 extending in the vertical direction and a subgrid electrode 209 extending in the horizontal direction.

図12は、太陽電池セル200の裏面電極の構造を示した図である。裏面の全体に集電部205が形成されている。また、集電部205には開口部があり、出力取出部206が露出している。   FIG. 12 is a view showing the structure of the back electrode of the solar battery cell 200. A current collector 205 is formed on the entire back surface. Further, the current collector 205 has an opening, and the output extraction unit 206 is exposed.

図10に示すように、裏面電極の出力取り出し部206は、P型半導体基板201と集電部205に挟まれる構造である。集電部205と出力取り出し部206は、その重なり部分で電気的に接続されている。   As shown in FIG. 10, the output extraction portion 206 of the back electrode has a structure sandwiched between the P-type semiconductor substrate 201 and the current collector 205. The current collector 205 and the output take-out unit 206 are electrically connected at the overlapping portion.

特開2004−179336号公報JP 2004-179336 A

近年、太陽電池のより一層の高効率化が求められている。高効率化には、変換効率を上げることのみならず、太陽電池の各部の、抵抗による損失を低減させることも有効である。   In recent years, higher efficiency of solar cells has been demanded. In order to increase the efficiency, it is effective not only to increase the conversion efficiency but also to reduce the loss due to resistance in each part of the solar cell.

そこで、特許文献1に記載の太陽電池セルにおける、裏面の電極部の抵抗値に関して詳細な検討を行ったところ、太陽電池セルの周辺部の電極部の方が中央部の電極部より抵抗値が高いことがわかった。従って、太陽電池セルの周辺部の方が、電極部の抵抗による損失が大きいという問題があることが明らかになった。   Then, when the detailed examination was carried out regarding the resistance value of the electrode part of the back surface in the photovoltaic cell of patent document 1, the direction of the electrode part of the peripheral part of a photovoltaic cell has resistance value rather than the electrode part of the center part. I found it expensive. Therefore, it has been clarified that there is a problem that the peripheral portion of the solar battery cell has a larger loss due to the resistance of the electrode portion.

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、太陽電池セルの裏面の周辺部における電極部の抵抗による損失を減らし、太陽電池セルからより多くの電力を取り出せるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to reduce the loss due to the resistance of the electrode portion in the peripheral portion of the back surface of the solar battery cell and to extract more power from the solar battery cell. And

本発明の一態様によれば、本発明にかかる太陽電池セルは、シリコン基板の裏面に、電流を集電する集電極と、集電極で集めた電流を取り出す取り出し電極を有する太陽電池セルであって、集電極と取り出し電極は、重複部分を有し、太陽電池セルの周辺部ほど、重複部分の面積が大きいことを特徴とする。   According to one aspect of the present invention, a solar cell according to the present invention is a solar cell having a collector electrode for collecting current and a takeout electrode for collecting current collected by the collector electrode on the back surface of the silicon substrate. Thus, the collector electrode and the extraction electrode have an overlapping portion, and the area of the overlapping portion is larger toward the periphery of the solar battery cell.

本発明の別の一態様によれば、取り出し電極は、略長方形の形状の電極本体部と、電極本体部より小さい略長方形の形状の突出部からなり、電極本体部は、その長辺において複数の突出部の短辺と接し、突出部は、太陽電池セルの周辺部ほど、短辺が長くても良い。   According to another aspect of the present invention, the extraction electrode includes a substantially rectangular electrode main body portion and a substantially rectangular shaped protrusion smaller than the electrode main body portion. The short side of the protruding portion may be longer toward the periphery of the solar battery cell.

本発明の別の一態様によれば、前記集電極が、アルミニウムを主成分としても良い。   According to another aspect of the present invention, the collector electrode may contain aluminum as a main component.

本発明の別の一態様によれば、取り出し電極が、銀を主成分としても良い。   According to another aspect of the present invention, the extraction electrode may contain silver as a main component.

本発明の別の一態様によれば、本発明にかかる太陽電池モジュールは、上記のいずれかの太陽電池セルを複数個用いて構成されたものであることを特徴とする。   According to another aspect of the present invention, a solar cell module according to the present invention is configured by using a plurality of any of the solar cells described above.

本発明によれば、太陽電池セルの裏面の周辺部における電極部の抵抗による損失を減らし、太陽電池セルからより多くの電力を取り出すことが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to reduce the loss by the resistance of the electrode part in the peripheral part of the back surface of a photovoltaic cell, and to take out more electric power from a photovoltaic cell.

本発明の実施形態1にかかる太陽電池セルの製造方法および断面構造を示した図である。It is the figure which showed the manufacturing method and sectional structure of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1にかかる太陽電池セルの裏面のアルミニウム電極と裏面銀電極を模式的に示したものである。The aluminum electrode and back surface silver electrode of the back surface of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention are shown typically. 本発明の実施形態1にかかる太陽電池セルの裏面銀電極の形状とアルミニウム電極との重なりを模式的に示したものである。The overlap of the shape of the back surface silver electrode of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention and an aluminum electrode is shown typically. 本発明の実施形態1にかかる太陽電池セルの受光面銀電極の形状の一例を模式的に示したものである。1 schematically shows an example of the shape of a light-receiving surface silver electrode of a solar battery cell according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態1にかかる太陽電池セルを用いた太陽電池モジュールの模式的な断面図を示したものである。The typical sectional view of the solar cell module using the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of the present invention is shown. 本発明の実施形態1における裏面銀電極の形状を模式的に示したものである。The shape of the back surface silver electrode in Embodiment 1 of this invention is shown typically. 本発明の実施形態2にかかる太陽電池セルの裏面のアルミニウム電極と裏面銀電極を模式的に示したものである。The aluminum electrode and back surface silver electrode of the back surface of the photovoltaic cell concerning Embodiment 2 of this invention are shown typically. 本発明の実施形態2における裏面銀電極の形状とアルミニウム電極との重なりを模式的に示したものである。The overlap of the shape of the back surface silver electrode in Embodiment 2 of this invention and an aluminum electrode is shown typically. 本発明の実施形態2における各実施例および比較例の裏面銀電極の形状を模式的に示したものである。The shape of the back surface silver electrode of each Example and comparative example in Embodiment 2 of this invention is shown typically. 従来の太陽電池セルの構造を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the conventional photovoltaic cell. 従来の太陽電池セルの表面電極の構造を示した図である。It is the figure which showed the structure of the surface electrode of the conventional photovoltaic cell. 従来の太陽電池セルの裏面電極の構造を示した図である。It is the figure which showed the structure of the back surface electrode of the conventional photovoltaic cell.

以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

<実施形態1>
図1は、本発明の実施形態1にかかる太陽電池セルの製造方法および断面構造を示したものである。
<Embodiment 1>
FIG. 1 shows a manufacturing method and a cross-sectional structure of a solar battery cell according to Embodiment 1 of the present invention.

まず、図1(a)に示すように、単結晶または多結晶のp型のシリコンインゴットを、たとえばワイヤソーなどでスライスすることによってp型シリコン基板1を得る。ここで、p型シリコン基板1の表面全面には上記のシリコンインゴットのスライス時に生じたダメージ層1aが形成される。   First, as shown in FIG. 1A, a p-type silicon substrate 1 is obtained by slicing a monocrystalline or polycrystalline p-type silicon ingot with, for example, a wire saw. Here, a damage layer 1 a generated during slicing of the silicon ingot is formed on the entire surface of the p-type silicon substrate 1.

次に、図1(b)に示すように、p型シリコン基板1の表面全面をエッチングすることによって、p型シリコン基板1の表面全面に形成されたダメージ層1aを除去する。本実施形態では、1辺が156mmの正方形状で厚さ180μmの多結晶のp型シリコン基板をエッチングし、厚さ170μmのp型シリコン基板を作製した。ここで、エッチング条件を調整することによって、p型シリコン基板1の表面にたとえばテクスチャ構造などの微小な凹凸を形成することもできる。このように、p型シリコン基板1の表面に微小な凹凸を形成した場合には、p型シリコン基板1の微小な凹凸を有する表面に入射する太陽光の反射を低減することができるため、太陽電池セルの変換効率を高めることができる。   Next, as shown in FIG. 1B, the entire surface of the p-type silicon substrate 1 is etched to remove the damage layer 1 a formed on the entire surface of the p-type silicon substrate 1. In this embodiment, a polycrystalline p-type silicon substrate having a square shape of 156 mm on one side and a thickness of 180 μm was etched to produce a p-type silicon substrate having a thickness of 170 μm. Here, by adjusting the etching conditions, minute irregularities such as a texture structure can be formed on the surface of the p-type silicon substrate 1. Thus, when minute irregularities are formed on the surface of the p-type silicon substrate 1, the reflection of sunlight incident on the surface of the p-type silicon substrate 1 having the minute irregularities can be reduced. The conversion efficiency of the battery cell can be increased.

次に、図1(c)に示すように、p型シリコン基板1の表面のうち最も大きな面積を有する2つの主面のうち一方の主面にn型ドーパント拡散層2を形成する。この面に太陽光を入射させるので、以下、この面を受光面という。ここで、n型ドーパント拡散層2は、たとえばPOC1などのn型ドーパントであるリンを含むガスを用いた気相拡散またはリンの化合物を含むドーパント液を用いた塗布拡散などの方法により形成することができる。なお、リンの拡散によってp型シリコン基板1の受光面にリンシリケートガラス層が形成された場合には、リンシリケートガラス層はたとえば酸処理などによって除去する。本実施形態では、p型多結晶シリコン基板の一方の面にリンシリケートガラス液(PSG液)を塗布した後にp型多結晶シリコン基板を約900℃の温度雰囲気中に設置することによって、p型多結晶シリコン基板の一方の面にリンの拡散によるn型ドーパント拡散層を形成した。ここで、n型ドーパント拡散層の面抵抗は約50Ω/□であった。 Next, as shown in FIG. 1C, the n-type dopant diffusion layer 2 is formed on one main surface of the two main surfaces having the largest area among the surfaces of the p-type silicon substrate 1. Since sunlight is incident on this surface, this surface is hereinafter referred to as a light receiving surface. Here, n-type dopant diffusion layer 2 is formed by a method such as coating diffusion using a dopant solution containing vapor phase diffusion or phosphorus compounds, for example using a gas containing phosphorus which is an n-type dopant such as POC1 3 be able to. When a phosphorus silicate glass layer is formed on the light receiving surface of the p-type silicon substrate 1 by diffusion of phosphorus, the phosphorus silicate glass layer is removed by acid treatment, for example. In the present embodiment, the p-type polycrystalline silicon substrate is placed in a temperature atmosphere of about 900 ° C. after applying a phosphorous silicate glass liquid (PSG liquid) to one surface of the p-type polycrystalline silicon substrate, thereby forming the p-type polycrystalline silicon substrate. An n-type dopant diffusion layer by phosphorus diffusion was formed on one surface of the polycrystalline silicon substrate. Here, the sheet resistance of the n-type dopant diffusion layer was about 50Ω / □.

次に、図1(d)に示すように、p型シリコン基板1の受光面のn型ドーパント拡散層2上に反射防止膜3を形成する。ここで、反射防止膜3は、たとえば、プラズマCVD法を用いて窒化シリコン膜を形成する方法または常圧CVD法を用いて酸化チタン膜を形成する方法などによって形成することができる。本実施形態では、プラズマCVD法によって厚さ80nmの窒化シリコン膜を形成した。   Next, as shown in FIG. 1D, an antireflection film 3 is formed on the n-type dopant diffusion layer 2 on the light-receiving surface of the p-type silicon substrate 1. Here, the antireflection film 3 can be formed by, for example, a method of forming a silicon nitride film using a plasma CVD method or a method of forming a titanium oxide film using an atmospheric pressure CVD method. In this embodiment, a silicon nitride film having a thickness of 80 nm is formed by plasma CVD.

次に、図1(e)に示すように、p型シリコン基板1の受光面とは反対側の面(以下この面を、裏面という)に銀ペースト7を塗布し、その後乾燥させる。ここで、銀ペースト7としては、たとえば銀粉末、ガラスフリット、樹脂、添加剤および有機溶剤などを含む従来から公知のものを用いることができる。また、銀ペースト7の塗布方法としては、たとえばスクリーン印刷法を用いることができる。本実施形態では、スクリーン印刷法を用いて銀ペースト7を印刷し、200℃程度で乾燥させた。   Next, as shown in FIG. 1E, a silver paste 7 is applied to the surface opposite to the light receiving surface of the p-type silicon substrate 1 (hereinafter, this surface is referred to as the back surface), and then dried. Here, as the silver paste 7, conventionally known ones including, for example, silver powder, glass frit, resin, additives, organic solvents and the like can be used. Moreover, as a coating method of the silver paste 7, for example, a screen printing method can be used. In this embodiment, the silver paste 7 was printed using a screen printing method and dried at about 200 ° C.

次に、図1(f)に示すように、p型シリコン基板1の裏面にアルミニウムペースト6を塗布し、その後乾燥させる。この時、アルミニウムペースト6は、銀ペースト7の一部と重なるように、かつ銀ペースト7の中央部分は露出するように塗布する。アルミニウムペースト6としては、たとえば、アルミニウム粉末、ガラスフリット、樹脂、添加剤および有機溶剤などを含む従来から公知のものを用いることができる。また、アルミニウムペースト6の塗布方法としては、たとえばスクリーン印刷法を用いることができる。本実施形態では、スクリーン印刷法を用いてアルミニウムペースト6を印刷し、200℃程度で乾燥させた。   Next, as shown in FIG.1 (f), the aluminum paste 6 is apply | coated to the back surface of the p-type silicon substrate 1, and it is made to dry after that. At this time, the aluminum paste 6 is applied so as to overlap a part of the silver paste 7 and the central part of the silver paste 7 is exposed. As the aluminum paste 6, conventionally known ones including, for example, aluminum powder, glass frit, resin, additives, organic solvents and the like can be used. Moreover, as a coating method of the aluminum paste 6, for example, a screen printing method can be used. In the present embodiment, the aluminum paste 6 is printed using a screen printing method and dried at about 200 ° C.

次に、図1(g)に示すように、p型シリコン基板1の受光面上の反射防止膜3上に銀ペースト8を塗布し、その後乾燥させる。ここで、銀ペースト8としては、上記銀ペースト7と同様、たとえば銀粉末、ガラスフリット、樹脂、添加剤および有機溶剤などを含む従来から公知のものを用いることができる。また、銀ペースト8の塗布方法としては、たとえばスクリーン印刷法などを用いることができる。本実施形態では、スクリーン印刷法を用いて銀ペースト8を印刷し、200℃程度で乾燥させた。   Next, as shown in FIG. 1G, a silver paste 8 is applied on the antireflection film 3 on the light receiving surface of the p-type silicon substrate 1, and then dried. Here, as the silver paste 8, conventionally known ones including, for example, silver powder, glass frit, resin, additives, organic solvents, and the like can be used as in the case of the silver paste 7. Moreover, as a coating method of the silver paste 8, for example, a screen printing method or the like can be used. In this embodiment, the silver paste 8 was printed using a screen printing method and dried at about 200 ° C.

その後、アルミニウムペースト6、銀ペースト7および銀ペースト8を、800℃程度の酸化性雰囲気中で焼成することによって、図1(h)に示すように、p型シリコン基板1の裏面上にアルミニウム電極61(引用文献1の集電部205に相当)および裏面銀電極71(引用文献1の出力取出部206に相当)を形成するとともに、p型シリコン基板1の受光面上に受光面銀電極81を形成する。本実施形態では、p型シリコン基板1を、赤外線加熱方式の焼成炉中を移動手段によりゆっくりと通過させることにより焼成を行った。ここで、アルミニウム電極61は、太陽電池セルで発生した電流を集電するものであり、裏面銀電極71は、インターコネクタと接続し、アルミニウム電極61が集電した電流を太陽電池セルから取り出すものである。   Thereafter, the aluminum paste 6, the silver paste 7 and the silver paste 8 are baked in an oxidizing atmosphere of about 800 ° C., so that an aluminum electrode is formed on the back surface of the p-type silicon substrate 1 as shown in FIG. 61 (corresponding to the current collecting part 205 of the cited document 1) and the back surface silver electrode 71 (corresponding to the output extracting part 206 of the cited document 1) are formed, and the light receiving surface silver electrode 81 is formed on the light receiving surface of the p-type silicon substrate 1. Form. In this embodiment, the p-type silicon substrate 1 was baked by passing it slowly through an infrared heating-type baking furnace by a moving means. Here, the aluminum electrode 61 collects the current generated in the solar battery cell, and the back surface silver electrode 71 is connected to the interconnector and takes out the current collected by the aluminum electrode 61 from the solar battery cell. It is.

なお、上記の焼成の際に銀ペースト8が焼成貫通することによって、反射防止膜3を貫通してn型ドーパント拡散層2に電気的に接続する受光面銀電極81が形成される。また、上記の焼成の際にアルミニウムペースト6中のアルミニウムがp型シリコン基板1の裏面に拡散することによって、p型シリコン基板1の裏面にp型ドーパント拡散層4が形成される。これはいわゆるBSF(Back Surface Field)層として働く。   In addition, when the silver paste 8 is fired and penetrated during the firing, a light-receiving surface silver electrode 81 that penetrates the antireflection film 3 and is electrically connected to the n-type dopant diffusion layer 2 is formed. In addition, the aluminum in the aluminum paste 6 diffuses to the back surface of the p-type silicon substrate 1 during the firing, whereby the p-type dopant diffusion layer 4 is formed on the back surface of the p-type silicon substrate 1. This functions as a so-called BSF (Back Surface Field) layer.

以上のようにして、本発明に係る太陽電池セル10を製造することができる。   As described above, the solar battery cell 10 according to the present invention can be manufactured.

ここで、アルミニウム電極61は、太陽電池セル10の裏面全体に形成されており、各部分で発生した電流を集める役割を果たす。一方、アルミニウム電極61は半田濡れ性が悪く、インターコネクタを半田付けするのが困難である。このため、半田濡れ性の良い裏面銀電極71を設け、ここにインターコネクタを半田付けする。   Here, the aluminum electrode 61 is formed in the whole back surface of the photovoltaic cell 10, and plays the role which collects the electric current which generate | occur | produced in each part. On the other hand, the aluminum electrode 61 has poor solder wettability, and it is difficult to solder the interconnector. For this reason, the back surface silver electrode 71 with good solder wettability is provided, and the interconnector is soldered thereto.

図2は、太陽電池セル10の裏面のアルミニウム電極61と裏面銀電極71を模式的に示したものである。裏面銀電極71は縦長形状で、横方向に(1)、(2)、(3)の3列、縦方向に(I)、(II)、(III)の3行の、合計9か所に形成されている。アルミニウム電極61は、裏面銀電極71と一部重なって、裏面銀電極71形成領域以外の裏面全体に形成されている。以下では、(1)〜(3)の各列をそれぞれ領域(1)〜(3)、(I)〜(III)の各行をそれぞれ領域(I)〜(III)と呼ぶ。ここで、領域(I)、(II)より、領域(III)の方が、裏面銀電極71の抵抗値が高いことが明らかになった。これは、以下の理由によるものと思われる。   FIG. 2 schematically shows the aluminum electrode 61 and the back surface silver electrode 71 on the back surface of the solar battery cell 10. The back surface silver electrode 71 has a vertically long shape, a total of nine locations, three columns of (1), (2), and (3) in the horizontal direction and three rows of (I), (II), and (III) in the vertical direction. Is formed. The aluminum electrode 61 partially overlaps the back surface silver electrode 71 and is formed on the entire back surface other than the back surface silver electrode 71 formation region. Hereinafter, each column of (1) to (3) will be referred to as regions (1) to (3), and each row of (I) to (III) will be referred to as regions (I) to (III), respectively. Here, it became clear that the resistance value of the back surface silver electrode 71 was higher in the region (III) than in the regions (I) and (II). This seems to be due to the following reasons.

図2の右側の矢印D1は、上記の電極の焼成工程における、p型シリコン基板1の焼成炉中の移動方向を示したものである。裏面銀電極71は、領域(3)、領域(2)、領域(1)の順に加熱される。すなわち、移動方向D1と水平な方向においては、裏面銀電極71は均一に加熱される。一方、移動方向D1と垂直な方向における中央部分である領域(I)および(II)と、周辺部分である領域(III)とでは、焼成炉内の環境の影響を受け、焼成中の熱の加わり方が異なる場合がある。このような加熱の不均一さが、抵抗値の違いを引き起こしているものと思われる。   The arrow D1 on the right side of FIG. 2 indicates the moving direction of the p-type silicon substrate 1 in the firing furnace in the above-described electrode firing step. The back surface silver electrode 71 is heated in the order of the region (3), the region (2), and the region (1). That is, the back surface silver electrode 71 is uniformly heated in the direction parallel to the moving direction D1. On the other hand, the regions (I) and (II) that are the central portion in the direction perpendicular to the moving direction D1 and the region (III) that is the peripheral portion are affected by the environment in the firing furnace, The way of joining may be different. Such non-uniform heating seems to cause a difference in resistance value.

図3は、裏面銀電極71の形状とアルミニウム電極61との重なりを模式的に示したものである。裏面銀電極71は、縦長形状の裏面銀電極本体部71Aから突出部71Bが左右に6本ずつ突き出した形状を有している。図3に示すように、突出部71Bの幅をW1、長さをL1とする。突出部71Bは、アルミニウム電極61の下側に形成されており、表面からは見えないので、図では点線で示している。61Hは、アルミニウム電極61における開口部である。開口部61Hの内側には裏面銀電極本体部71Aが露出している。開口部61Hの外側では、突出部71Bがアルミニウム電極61と重なり、電気的に接続されている。裏面銀電極本体部71Aにインターコネクタを取り付けた際には、主にこの突出部71Bを通って電流が取り出される。   FIG. 3 schematically shows the overlap of the shape of the back surface silver electrode 71 and the aluminum electrode 61. The back silver electrode 71 has a shape in which six protruding portions 71B protrude from the vertically long back surface silver electrode main body 71A to the left and right. As shown in FIG. 3, the width of the protrusion 71B is W1, and the length is L1. The protruding portion 71B is formed on the lower side of the aluminum electrode 61 and cannot be seen from the surface, and is shown by a dotted line in the drawing. 61H is an opening in the aluminum electrode 61. The back surface silver electrode main body 71A is exposed inside the opening 61H. Outside the opening 61H, the protrusion 71B overlaps the aluminum electrode 61 and is electrically connected. When the interconnector is attached to the back surface silver electrode main body 71A, the current is mainly taken out through the protrusion 71B.

図4は、受光面銀電極81の形状の一例を模式的に示したものである。受光面銀電極81は、メイン電極82とサブグリッド電極83からなる。サブグリッド電極83は、太陽電池セルで発生したキャリアを収集する電極であり、図4に示すように、太陽電池の受光面側の全体に張り巡らされている。サブグリッド電極83は、できるだけ太陽電池への入射光を遮らないように、細く形成される。一方、メイン電極82は、サブグリッド電極83で収集したキャリアをさらに集め、それを外部に取り出すためのインターコネクタ(図示せず)を接続するための電極である。メイン電極82にはサブグリッド電極83より多くの電流が流れるため、より太く形成される。   FIG. 4 schematically shows an example of the shape of the light-receiving surface silver electrode 81. The light receiving surface silver electrode 81 includes a main electrode 82 and a subgrid electrode 83. The subgrid electrode 83 is an electrode that collects carriers generated in the solar battery cell, and is stretched around the entire light receiving surface side of the solar battery as shown in FIG. The subgrid electrode 83 is formed to be as thin as possible so as not to block the incident light to the solar cell. On the other hand, the main electrode 82 is an electrode for further collecting carriers collected by the subgrid electrode 83 and connecting an interconnector (not shown) for taking it out to the outside. Since more current flows through the main electrode 82 than the sub grid electrode 83, the main electrode 82 is formed thicker.

図5に、太陽電池セル10を用いた太陽電池モジュール30の模式的な断面図を示す。太陽電池モジュール30においては、透明基板31と裏面保護シート32との間の封止材33中に太陽電池セル10が封止されている。太陽電池セル10の受光面銀電極81にインターコネクタ34の一端が電気的に接続され、太陽電池セル10の裏面の裏面電極71にインターコネクタ34の他端が電気的に接続されている。   In FIG. 5, the typical sectional drawing of the solar cell module 30 using the photovoltaic cell 10 is shown. In the solar cell module 30, the solar cells 10 are sealed in a sealing material 33 between the transparent substrate 31 and the back surface protection sheet 32. One end of the interconnector 34 is electrically connected to the light receiving surface silver electrode 81 of the solar battery cell 10, and the other end of the interconnector 34 is electrically connected to the back electrode 71 on the back surface of the solar battery cell 10.

本実施形態では、図2、図3に示した形状の裏面銀電極71を有する太陽電池セルにおいて、セルの周辺部の裏面銀電極71の突出部71Bの面積や本数を増やし、裏面銀電極71とアルミニウム電極61の接触抵抗を低減させる検討を行った。ここで、裏面銀電極71の面積を増やすと、それだけ銀ペーストの使用量が増える。銀ペーストの増加はコスト増加を招く。従って、裏面銀電極71の面積をあまり増加させること無しに、効果的に裏面銀電極71とアルミニウム電極61の接触抵抗を低減させる条件を見出す必要がある。   In the present embodiment, in the solar battery cell having the back surface silver electrode 71 having the shape shown in FIGS. 2 and 3, the area and number of protrusions 71 </ b> B of the back surface silver electrode 71 at the periphery of the cell are increased, and the back surface silver electrode 71. And a study on reducing the contact resistance between the aluminum electrode 61. Here, when the area of the back surface silver electrode 71 is increased, the amount of silver paste used is increased accordingly. An increase in silver paste causes an increase in cost. Therefore, it is necessary to find a condition for effectively reducing the contact resistance between the back surface silver electrode 71 and the aluminum electrode 61 without significantly increasing the area of the back surface silver electrode 71.

以上のような観点から、実施例1〜4と、比較例1を作製し、その効果を検証した。以下、実施例1〜4および比較例1にかかる太陽電池セル10に関して説明する。   From the above viewpoints, Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 were produced and the effects were verified. Hereinafter, the solar cell 10 according to Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 will be described.

実施例1〜4および比較例1として、裏面銀電極71の突出部71Bの幅W1や長さL1、あるいは突出部71Bの本数を変更して、裏面銀電極71とアルミニウム電極61の重なりを変えた太陽電池セル10を作製した。   As Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, the width W1 and length L1 of the protrusion 71B of the back surface silver electrode 71 or the number of the protrusions 71B are changed to change the overlap of the back surface silver electrode 71 and the aluminum electrode 61. A solar battery cell 10 was produced.

図6は、本実施形態における裏面銀電極71の形状を模式的に示したものである。突出部の本数の違いにより2種類の裏面銀電極の形状があるため、(a)と(b)に分けて示している。図6における裏面銀電極は、アルミニウム電極61の下側に形成されて通常は見えない部分も含めて図示している。   FIG. 6 schematically shows the shape of the back surface silver electrode 71 in the present embodiment. Since there are two types of back surface silver electrodes depending on the number of protrusions, they are shown separately in (a) and (b). The back surface silver electrode in FIG. 6 is shown including the part which is formed under the aluminum electrode 61 and is not normally visible.

図6(a)の裏面銀電極72は、図3で示した電極形状と同一であり、裏面銀電極本体部72Aと突出部72Bからなる。突出部72Bは、左右に6本ずつ、合計12本ある。図6(b)の裏面銀電極73は、裏面銀電極本体部73Aと突出部73Bからなる。突出部73Bは、左右に12本ずつ、合計24本ある。実施例1〜4および比較例1の裏面銀電極71は、このいずれかの形状を有する。以下では、図6(a)または(b)の形状に限らず裏面銀電極を指す場合には、裏面銀電極71等の符号を用い、特に図6(a)または(b)の裏面銀電極を区別して指す必要がある場合には、裏面銀電極72、裏面銀電極73等の符号を用いる。   The back surface silver electrode 72 of FIG. 6A is the same as the electrode shape shown in FIG. 3, and includes a back surface silver electrode main body 72A and a protruding portion 72B. There are a total of 12 protrusions 72B, 6 on each side. The back surface silver electrode 73 in FIG. 6B includes a back surface silver electrode main body 73A and a protrusion 73B. There are 24 protrusions 73B in total, 12 on each side. The back surface silver electrodes 71 of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 have any one of these shapes. In the following, when the back surface silver electrode is not limited to the shape of FIG. 6 (a) or (b), the back surface silver electrode 71 is used, and in particular, the back surface silver electrode of FIG. 6 (a) or (b). If it is necessary to distinguish between them, symbols such as the back surface silver electrode 72 and the back surface silver electrode 73 are used.

表1は、実施例1〜4および比較例1における、裏面銀電極71の条件を示したものである。   Table 1 shows the conditions of the back surface silver electrode 71 in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1.

まず、各欄の内容に関して説明する。 First, the contents of each column will be described.

電極個数の欄は、太陽電池セル1枚当たりの裏面銀電極71の個数である。実施例1〜4および比較例1のいずれも、電極個数は図2のように9個である。   The column of the number of electrodes is the number of back surface silver electrodes 71 per solar battery cell. In each of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, the number of electrodes is nine as shown in FIG.

本体部の欄は、裏面銀電極本体部71Aの寸法および本体部総面積を示している。本体部総面積は、電極個数分の合計である。   The column of the main body indicates the size of the back silver electrode main body 71A and the total area of the main body. The total body area is the sum of the number of electrodes.

突出部の欄は、まず領域ごとに、突出部71Bの寸法である長さL1および幅W1、1個の裏面銀電極71当たりの突出部71Bの本数n、突出部71Bの面積を示している。突出部71Bの面積は、1個の裏面銀電極71当たりの面積である。実施例1〜4および比較例1のいずれも、領域(I)および(II)と、領域(III)で、L1、W1、nを異ならしめているため、分けて記載している。さらに、全ての領域の裏面銀電極71の突出部の面積を合計した値である、突出部総面積を示している。この突出部71Bの面積はすなわち、裏面銀電極71とアルミニウム電極61の重なりの面積である。   The column of the protruding portion shows, for each region, the length L1 and the width W1, which are the dimensions of the protruding portion 71B, the number n of the protruding portions 71B per one back surface silver electrode 71, and the area of the protruding portion 71B. . The area of the protrusion 71 </ b> B is an area per one back surface silver electrode 71. In each of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, since L1, W1, and n are different in the regions (I) and (II) and the region (III), they are described separately. Furthermore, the total area of the protrusions, which is a value obtained by summing the areas of the protrusions of the back surface silver electrode 71 in all regions, is shown. That is, the area of the protruding portion 71B is an area where the back surface silver electrode 71 and the aluminum electrode 61 overlap.

全面積の欄は、本体部総面積と突出部総面積の合計を記載している。全面積増加率の欄は、比較例1の全面積を基準とした、各実施例の全面積の増加率を、パーセント表示している。   The column of the total area describes the total of the main body part total area and the protruding part total area. The column of the total area increase rate indicates the increase rate of the total area of each example based on the total area of Comparative Example 1 as a percentage.

次に、実施例1〜4および比較例1に関する裏面銀電極71の条件について具体的に説明する。   Next, the conditions of the back surface silver electrode 71 regarding Examples 1-4 and the comparative example 1 are demonstrated concretely.

裏面銀電極本体部71Aの寸法は、実施例1〜4および比較例1のいずれも同一であり、本体部総面積も同一である。また、突出部71Bの領域(I)および(II)も、実施例1〜4および比較例1のいずれも同一である。   The backside silver electrode main body 71A has the same dimensions in all of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, and the total area of the main body is also the same. In addition, the regions (I) and (II) of the protruding portion 71B are the same in each of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1.

一方、突出部71Bの領域(III)の条件は、以下のように、実施例1〜4および比較例1の間で異なる。   On the other hand, the conditions of the region (III) of the protrusion 71B differ between Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 as follows.

実施例1の条件では、領域(III)は、領域(I)および(II)より、L1が1.0mm長い。電極形状は、領域(I)および(II)と、領域(III)のいずれにおいても、図6(a)である。   Under the conditions of Example 1, in the region (III), L1 is 1.0 mm longer than the regions (I) and (II). The electrode shape is as shown in FIG. 6A in any of the regions (I) and (II) and the region (III).

実施例2の条件では、領域(III)は、領域(I)および(II)より、W1が0.2mm大きい。電極形状は、領域(I)および(II)と、領域(III)のいずれにおいても、図6(a)である。   Under the conditions of Example 2, W1 is 0.2 mm larger in the region (III) than in the regions (I) and (II). The electrode shape is as shown in FIG. 6A in any of the regions (I) and (II) and the region (III).

実施例3の条件では、領域(III)は、領域(I)および(II)より、L1が1.0mm長く、W1が0.2mm大きい。電極形状は、領域(I)および(II)と、領域(III)のいずれにおいても、図6(a)である。   Under the conditions of Example 3, in region (III), L1 is 1.0 mm longer and W1 is 0.2 mm larger than regions (I) and (II). The electrode shape is as shown in FIG. 6A in any of the regions (I) and (II) and the region (III).

実施例4の条件では、領域(III)は、領域(I)および(II)より、L1が1.0mm長く、W1が0.2mm大きく、nは12本増加している。電極形状は、領域(I)および(II)においては、図6(a)、領域(III)においては、図6(b)である。   Under the conditions of Example 4, in region (III), L1 is 1.0 mm longer, W1 is 0.2 mm larger than regions (I) and (II), and n is increased by 12. The electrode shapes are as shown in FIG. 6A for the regions (I) and (II) and as shown in FIG. 6B for the region (III).

比較例1の条件では、領域(I)および(II)と、領域(III)は、突出部71の寸法が同一である。電極形状は、領域(I)および(II)と、領域(III)のいずれにおいても、図6(a)である。すなわち、全ての裏面銀電極71が、同一形状、同一寸法を有する。   Under the conditions of Comparative Example 1, the dimensions of the protrusions 71 are the same in the regions (I) and (II) and the region (III). The electrode shape is as shown in FIG. 6A in any of the regions (I) and (II) and the region (III). That is, all the back surface silver electrodes 71 have the same shape and the same dimensions.

上記の結果、突出部71Bの面積は、比較例1に対し、実施例1は2倍、実施例2は1.67倍、実施例3は3.33倍、実施例4は6.67倍になっている。また、裏面銀電極71の全面積は、比較例に対し、実施例1は2.1%増、実施例2は1.4%増、実施例3は4.9%増、実施例4は11.8%増となった。   As a result, the area of the protruding portion 71B is twice that of Comparative Example 1, Example 1 is twice, Example 2 is 1.67 times, Example 3 is 3.33 times, and Example 4 is 6.67 times. It has become. The total area of the backside silver electrode 71 is 2.1% higher for Example 1, 1.4% higher for Example 2, 4.9% higher for Example 3 and 4.9% higher for Example 4. It increased by 11.8%.

表2は、実施例1〜4および比較例1の結果を示したものである。   Table 2 shows the results of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1.

まず、各欄の内容に関して説明する。 First, the contents of each column will be described.

電極間平均抵抗値の欄は、領域(I)〜(III)ごとの、電極間の抵抗値の平均を示している。抵抗は、図2における領域(I)〜(III)のそれぞれにおいて、(1)部分と(2)部分の電極間の抵抗および(2)部分と(3)部分の電極間の抵抗を、HIOKI製ミリオームテスタを使用して測定した。また、実施例1〜4および比較例1について、それぞれ複数枚のセルを作製し、それら全てについて上記抵抗を測定し、平均した。   The column of the average resistance value between electrodes shows the average of the resistance values between the electrodes for each of the regions (I) to (III). In each of the regions (I) to (III) in FIG. 2, the resistance is the resistance between the electrodes in the (1) portion and the (2) portion and the resistance between the electrodes in the (2) portion and the (3) portion. Measurement was performed using a milliohm tester. For Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, a plurality of cells were prepared, and the resistance was measured and averaged for all of them.

モジュールFFの欄は、実施例1〜4および比較例1の太陽電池セルをそれぞれ用いて、図5の構造により42枚の直列配線を行って太陽電池モジュールを作製し、標準条件にてソーラーシミュレータにより曲線因子(FF:Fill Factor)の測定を行った結果を示している。   In the column of module FF, solar cell modules of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 are respectively used, 42 solar cells are connected in series according to the structure of FIG. The result of having measured the fill factor (FF: Fill Factor) is shown.

モジュールFF改善率の欄は、比較例1を基準とした、モジュールFFの改善率を示している。   The module FF improvement rate column shows the improvement rate of the module FF based on the comparative example 1.

次に、実施例1〜4および比較例1に関する結果について具体的に説明する。   Next, the results regarding Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 will be specifically described.

表2によれば、領域(I)と領域(II)の電極間平均抵抗値は、実施例1〜4および比較例1のいずれも、14.4mΩ〜14.6mΩの間であり、大きな差は無い。一方、領域(III)の電極間平均抵抗値は、実施例1〜4および比較例1の間で差が生じている。そこで、領域(III)の電極間平均抵抗値に着目して説明する。   According to Table 2, the average resistance value between the electrodes in the region (I) and the region (II) is between 14.4 mΩ and 14.6 mΩ in each of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, and there is a large difference. There is no. On the other hand, the average resistance value between the electrodes in the region (III) is different between Examples 1 to 4 and Comparative Example 1. Therefore, the description will be made by paying attention to the average resistance value between the electrodes in the region (III).

比較例1では、領域(III)の電極間平均抵抗値は15.3mΩと、領域(I)や領域(II)の電極間平均抵抗値より0.8mΩ高い。すなわち、太陽電池セル10の周辺部分の電極間平均抵抗値が高いことがわかる。モジュールFFは、0.729であった。   In Comparative Example 1, the average resistance value between the electrodes in the region (III) is 15.3 mΩ, which is 0.8 mΩ higher than the average resistance value between the electrodes in the region (I) and the region (II). That is, it turns out that the average resistance value between electrodes of the peripheral part of the photovoltaic cell 10 is high. Module FF was 0.729.

実施例1は、領域(III)の電極間平均抵抗値は14.7mΩと、比較例1より0.6mΩ下がり、領域(I)や領域(II)の電極間平均抵抗値との差は0.2〜0.3mΩへと縮小している。モジュールFFは0.731となり、0.27%改善された。すなわち、2.1%というわずかな裏面銀電極の面積の増加のみで、特性を改善することができた。   In Example 1, the average resistance value between the electrodes in the region (III) was 14.7 mΩ, which is 0.6 mΩ lower than that of Comparative Example 1, and the difference between the average resistance values between the electrodes in the region (I) and the region (II) was 0. Reduced to 2 to 0.3 mΩ. Module FF was 0.731, an improvement of 0.27%. That is, the characteristics could be improved with only a slight increase in the area of the backside silver electrode of 2.1%.

実施例2は、領域(III)の電極間平均抵抗値は14.5mΩと、比較例1より0.8mΩ下がり、領域(I)や領域(II)の電極間平均抵抗値との差はほぼ0である。モジュールFFは0.732となり、0.41%改善された。すなわち、1.4%というわずかな裏面銀電極の面積の増加のみで、特性を改善することができた。ここで、実施例2は実施例1より裏面銀電極の面積の増加が少ないにもかかわらず、モジュールFFの改善量はより大きい。これは、領域(III)の突出部71Bの形状の違いによるものとも考えられる。上記の通り、領域(III)の突出部71Bの面積を増加させる手段として、実施例1は突出部71Bの長さL1を大きくしたのに対し、実施例2は突出部71Bの幅W1を大きくした。このことから、突出部71Bの長さL1を長くするより幅W1を大きくするほうが、裏面銀電極71の抵抗値の低減に効果があるものと思われる。   In Example 2, the average resistance value between the electrodes in the region (III) was 14.5 mΩ, which is 0.8 mΩ lower than that in Comparative Example 1, and the difference between the average resistance values between the electrodes in the region (I) and the region (II) was almost the same. 0. Module FF was 0.732, an improvement of 0.41%. That is, the characteristics could be improved with only a slight increase in the area of the backside silver electrode of 1.4%. Here, in Example 2, although the increase in the area of the back surface silver electrode is smaller than that in Example 1, the improvement amount of the module FF is larger. This is also considered to be due to the difference in the shape of the protrusion 71B in the region (III). As described above, as a means for increasing the area of the protrusion 71B in the region (III), the length L1 of the protrusion 71B is increased in the first embodiment, whereas the width W1 of the protrusion 71B is increased in the second embodiment. did. From this, it seems that increasing the width W1 is more effective in reducing the resistance value of the back surface silver electrode 71 than increasing the length L1 of the protrusion 71B.

実施例3は、領域(III)の電極間平均抵抗値は13.9mΩと、比較例1より1.3mΩ下がり、領域(I)や領域(II)の電極間平均抵抗値よりむしろ0.6〜0.7mΩ低い値となった。モジュールFFは0.732となり、0.41%改善された。すなわち、4.9%というわずかな裏面銀電極の面積の増加のみで、特性を改善することができた。   In Example 3, the average resistance value between the electrodes in the region (III) was 13.9 mΩ, which is 1.3 mΩ lower than that of Comparative Example 1, and is 0.6 rather than the average resistance value between the electrodes in the regions (I) and (II). The value was reduced by ˜0.7 mΩ. Module FF was 0.732, an improvement of 0.41%. That is, the characteristics could be improved with only a slight increase in the area of the backside silver electrode of 4.9%.

実施例4は、領域(III)の電極間平均抵抗値は13.5mΩと、比較例1より1.8mΩ下がり、領域(I)や領域(II)の電極間平均抵抗値よりむしろ0.9〜1.0mΩ低い値となった。モジュールFFは0.733となり、0.55%改善された。すなわち、11.8%という裏面銀電極の面積の増加で、特性を改善することができた。   In Example 4, the average resistance value between the electrodes in the region (III) was 13.5 mΩ, which is 1.8 mΩ lower than that of Comparative Example 1, and is 0.9 rather than the average resistance value between the electrodes in the regions (I) and (II). The value was lower by ˜1.0 mΩ. Module FF was 0.733, an improvement of 0.55%. That is, the characteristics could be improved with an increase in the area of the backside silver electrode of 11.8%.

以上のように、太陽電池セルの周辺部である領域(III)に位置する裏面銀電極71において、突出部71Bの面積をわずかに大きくしてアルミニウム電極61との接触面積を増やすことで、太陽電池セルの周辺部に位置する裏面銀電極71の抵抗値を低下させ、他の部分の裏面銀電極71の抵抗値と同等あるいはそれ以下にすることができた。すなわち、裏面銀電極71の面積をあまり増加させること無しに、効果的に裏面銀電極71とアルミニウム電極61の接触抵抗を低減させることができた。これにより、太陽電池セルの特性を向上させ、より多くの電力を取り出すことが可能となった。特に実施例2においては、領域(III)の突出部71Bの幅W1を大きくして面積を増加させることにより、わずかな裏面銀電極の面積の増加のみで、特性を改善することができた。   As described above, by increasing the contact area with the aluminum electrode 61 by slightly increasing the area of the protrusion 71B in the back surface silver electrode 71 located in the region (III) that is the peripheral part of the solar battery cell, The resistance value of the back surface silver electrode 71 located in the peripheral part of the battery cell was lowered, and the resistance value of the back surface silver electrode 71 in other portions could be made equal to or less than that. That is, the contact resistance between the back surface silver electrode 71 and the aluminum electrode 61 could be effectively reduced without significantly increasing the area of the back surface silver electrode 71. Thereby, the characteristic of the photovoltaic cell was improved and it became possible to take out more electric power. In particular, in Example 2, by increasing the width W1 of the protruding portion 71B of the region (III) to increase the area, the characteristics could be improved with only a slight increase in the area of the back surface silver electrode.

<実施形態2>
本発明の実施形態2では、前記の実施形態1とは裏面銀電極の形状が異なる太陽電池セルにおいて、同様の検討を行った。本実施形態の太陽電池セルを太陽電池セル110とする。太陽電池セル110の製造方法および断面構造は、前記の実施形態1と同様であるため、説明を省略する。
<Embodiment 2>
In the second embodiment of the present invention, the same investigation was performed on a solar battery cell having a different shape of the back surface silver electrode from the first embodiment. The solar battery cell of this embodiment is referred to as a solar battery cell 110. Since the manufacturing method and cross-sectional structure of the solar battery cell 110 are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

図7は、太陽電池セル110の裏面のアルミニウム電極161と裏面銀電極171を模式的に示したものである。裏面銀電極171は、太陽電池セル110の上部から下部に渡る長い縦長形状で、横方向に(1)、(2)、(3)の3か所に形成されている。アルミニウム電極161は、裏面銀電極171と一部重なって、裏面銀電極171形成領域以外の裏面全体に形成されている。ここで便宜上、裏面銀電極171を縦方向に(I)〜(IV)の4つの部分に分割して考える。以下では、(1)〜(3)の各列をそれぞれ領域(1)〜(3)、(I)〜(IV)の各行をそれぞれ領域(I)〜(IV)と呼ぶ。なお、図7においては、裏面銀電極171における領域(I)〜(IV)の境界部分を点線で示しているが、実際には裏面銀電極171に切れ目は無く、連続している。ここで、領域(II)、(III)より、領域(I)、(IV)の方が、裏面銀電極171の抵抗値が高いことが明らかになった。これは、前記の実施形態1と同様、電極の焼成工程における、加熱の不均一さが原因と思われる。なお、図7の右側の矢印D2は、電極の焼成工程における、p型シリコン基板1の焼成炉中の移動方向を示したものである。移動方向D2と垂直な方向における中央部分である領域(II)および(III)と、周辺部分である領域(I)および(IV)とでは、焼成炉内の環境の影響を受け、焼成中の熱の加わり方が異なる場合があり、このような加熱の不均一さが、抵抗値の違いを引き起こしているものと思われる。   FIG. 7 schematically shows the aluminum electrode 161 and the back surface silver electrode 171 on the back surface of the solar battery cell 110. The back surface silver electrode 171 has a long vertically long shape extending from the upper part to the lower part of the solar battery cell 110, and is formed at three locations (1), (2), and (3) in the horizontal direction. The aluminum electrode 161 partially overlaps with the back surface silver electrode 171 and is formed on the entire back surface other than the back surface silver electrode 171 formation region. Here, for the sake of convenience, the back surface silver electrode 171 is considered divided into four portions (I) to (IV) in the vertical direction. Hereinafter, the columns (1) to (3) are referred to as regions (1) to (3), and the rows (I) to (IV) are referred to as regions (I) to (IV), respectively. In FIG. 7, boundary portions of the regions (I) to (IV) in the back surface silver electrode 171 are indicated by dotted lines, but the back surface silver electrode 171 is actually continuous and continuous. Here, it became clear that the resistance value of the back surface silver electrode 171 was higher in the regions (I) and (IV) than in the regions (II) and (III). This seems to be caused by non-uniform heating in the electrode firing step, as in the first embodiment. 7 indicates the moving direction of the p-type silicon substrate 1 in the firing furnace in the electrode firing step. The regions (II) and (III) that are the central portion in the direction perpendicular to the moving direction D2 and the regions (I) and (IV) that are the peripheral portions are affected by the environment in the firing furnace and are being fired. The method of applying heat may be different, and such nonuniformity of heating seems to cause a difference in resistance value.

図8は、裏面銀電極171の形状とアルミニウム電極との重なりを模式的に示したものである。裏面銀電極171は、縦長形状の裏面銀電極中央部171Aと、その両側の裏面銀電極端部171Bからなる。裏面銀電極端部171Bは、アルミニウム電極161の下側に形成されており、表面からは見えないので、図では点線で示している。161Hは、アルミニウム電極161における開口部である。開口部161Hの内側には裏面銀電極中央部171Aが露出している。開口部161Hの外側では、裏面銀電極端部171Bがアルミニウム電極161と重なり、電気的に接続されている。裏面銀電極中央部171Aにインターコネクタを取り付けた際には、主にこの裏面銀電極端部171Bを通って電流が取り出される。裏面銀電極端部171Bの幅は、裏面銀電極中央部171Aの右側も左側も同一である。この幅をそれぞれW2とする。   FIG. 8 schematically shows an overlap between the shape of the back surface silver electrode 171 and the aluminum electrode. The back surface silver electrode 171 includes a vertically long back surface silver electrode central portion 171A and back surface silver electrode end portions 171B on both sides thereof. The back surface silver electrode end portion 171B is formed on the lower side of the aluminum electrode 161 and is not visible from the front surface. 161H is an opening in the aluminum electrode 161. The back surface silver electrode central portion 171A is exposed inside the opening 161H. Outside the opening 161H, the back surface silver electrode end 171B overlaps the aluminum electrode 161 and is electrically connected thereto. When the interconnector is attached to the back surface silver electrode central portion 171A, the current is taken out mainly through the back surface silver electrode end portion 171B. The width of the back surface silver electrode end 171B is the same on the right side and the left side of the back surface silver electrode central portion 171A. These widths are each W2.

本実施形態においても、前記の実施形態1と同様に、太陽電池セルの周辺部に該当する領域(I)や領域(IV)の部分において、裏面銀電極171とアルミニウム電極161との重なり面積を大きくして、接触抵抗を低減させる検討を行った。ここで、裏面銀電極171の面積を増やすと、それだけ銀ペーストの使用量が増える。銀ペーストの増加はコスト増加を招く。従って、裏面銀電極171の面積をあまり増加させること無しに、効果的に接触抵抗を低減させる条件を見出す必要がある。   Also in this embodiment, similarly to the first embodiment, in the region (I) or region (IV) corresponding to the peripheral portion of the solar battery cell, the overlapping area of the back surface silver electrode 171 and the aluminum electrode 161 is set. A study was conducted to increase the contact resistance. Here, if the area of the back surface silver electrode 171 is increased, the amount of silver paste used increases accordingly. An increase in silver paste causes an increase in cost. Therefore, it is necessary to find a condition for effectively reducing the contact resistance without greatly increasing the area of the back surface silver electrode 171.

以上のような観点から、実施例5〜7と、比較例2を作製し、その効果を検証した。以下、実施例5〜7および比較例2にかかる太陽電池セル110に関して説明する。   From the above viewpoints, Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 were produced, and the effects were verified. Hereinafter, the solar cells 110 according to Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 will be described.

実施例5〜7および比較例2として、裏面銀電極端部171Bの幅W2を部分的に変更して、裏面銀電極171とアルミニウム電極161の重なりを変えた太陽電池セル110を作製した。   As Examples 5 to 7 and Comparative Example 2, a solar battery cell 110 in which the overlap between the back surface silver electrode 171 and the aluminum electrode 161 was changed by partially changing the width W2 of the back surface silver electrode end 171B.

図9は、本実施形態の実施例5〜7および比較例2における裏面銀電極171の形状を模式的に示したものである。横幅を誇張して広く描いてある。4種類の形状があるため、それぞれ(a)〜(d)に分けて示している。図9における裏面銀電極は、アルミニウム電極161の下側に形成されて通常は見えない部分も含めて図示している。また、図9においては、裏面銀電極171を縦方向に(I)〜(IV)の4つの領域にわけ、各領域の境界部分を点線で示しているが、実際には裏面銀電極171に切れ目は無く、連続している。   FIG. 9 schematically shows the shape of the back surface silver electrode 171 in Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 of the present embodiment. Wide and exaggerated in width. Since there are four types of shapes, they are shown separately in (a) to (d). The back surface silver electrode in FIG. 9 is shown including the part which is formed below the aluminum electrode 161 and is not normally visible. Further, in FIG. 9, the back surface silver electrode 171 is divided into four regions (I) to (IV) in the vertical direction, and the boundary portion of each region is indicated by a dotted line. There is no break and it is continuous.

図9(a)の裏面銀電極172は、領域(I)の部分の電極の幅が、他の部分より広い。図9(b)の裏面銀電極173は、領域(IV)の部分の電極の幅が、他の部分より広い。図9(c)の裏面銀電極174は、領域(I)および領域(IV)の部分の電極の幅が、他の部分より広い。図9(d)の裏面銀電極175は、図7で示した電極形状と同一であり、単純な縦長長方形形状である。裏面銀電極172〜175はそれぞれ、裏面銀電極中央部172A〜175Aと、裏面銀電極端部172B〜175Bからなる。裏面銀電極中央部172A〜175Aは、全て同じ形状であり、裏面銀電極端部172B〜175Bはそれぞれ形状が異なる。電極の幅を広くした領域では、その分アルミニウム電極161との接触面積が増加する。裏面銀電極172〜174において、電極の幅を広くしたのは、領域(I)および/または領域(IV)であり、これらはいずれも、太陽電池セルの周辺部に位置する領域である。実施例5〜7および比較例2の裏面銀電極171は、図9(a)〜(d)のいずれかの形状を有する。以下では、図9(a)〜(d)の形状に限らず裏面銀電極を指す場合には、裏面銀電極171等の符合を用い、特に図9(a)〜(d)の裏面銀電極を区別して指す必要がある場合には、裏面銀電極172、裏面銀電極173等の符号を用いる。   In the back surface silver electrode 172 of FIG. 9A, the width of the electrode in the region (I) is wider than the other portions. In the back surface silver electrode 173 in FIG. 9B, the width of the electrode in the region (IV) is wider than that in the other portions. In the back surface silver electrode 174 of FIG. 9C, the width of the electrode in the region (I) and the region (IV) is wider than the other portions. The back surface silver electrode 175 of FIG. 9D is the same as the electrode shape shown in FIG. 7, and is a simple vertically long rectangular shape. The back surface silver electrodes 172 to 175 include back surface silver electrode central portions 172A to 175A and back surface silver electrode end portions 172B to 175B, respectively. The back surface silver electrode central portions 172A to 175A all have the same shape, and the back surface silver electrode end portions 172B to 175B have different shapes. In the region where the width of the electrode is widened, the contact area with the aluminum electrode 161 increases accordingly. In the back surface silver electrodes 172 to 174, the width of the electrode is widened in the region (I) and / or the region (IV), and these are regions located in the periphery of the solar battery cell. The back surface silver electrode 171 of Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 has any one of the shapes shown in FIGS. In the following, not only the shapes of FIGS. 9A to 9D but also the back surface silver electrode 171 or the like is used when referring to the back surface silver electrode, in particular, the back surface silver electrode of FIGS. 9A to 9D. If it is necessary to distinguish between them, symbols such as the back surface silver electrode 172 and the back surface silver electrode 173 are used.

表3は、実施例5〜7および比較例2における、裏面銀電極171の条件を示したものである。   Table 3 shows the conditions of the back surface silver electrode 171 in Examples 5 to 7 and Comparative Example 2.

まず、各欄の内容に関して説明する。 First, the contents of each column will be described.

電極本数の欄は、太陽電池セル1枚当たりの裏面銀電極171の本数である。実施例5〜7および比較例2のいずれも、電極本数は3本である。   The column of the number of electrodes is the number of back surface silver electrodes 171 per solar battery cell. In all of Examples 5 to 7 and Comparative Example 2, the number of electrodes is three.

中央部の欄は、裏面銀電極中央部171Aの寸法および中央部総面積を示している。中央部総面積は、電極本数分の合計である。   The column of the central part shows the size and central part total area of the back surface silver electrode central part 171A. The total central area is the total of the number of electrodes.

端部の欄は、裏面銀電極端部171Bの領域(I)〜(IV)ごとの幅W2と、裏面銀電極端部171Bの合計面積である端部総面積を示している。端部総面積は、電極本数分の合計である。この裏面銀電極端部171Bの面積はすなわち、裏面銀電極171とアルミニウム電極161の重なりの面積である。   The end column indicates the width W2 for each of the regions (I) to (IV) of the back surface silver electrode end portion 171B and the end total area that is the total area of the back surface silver electrode end portion 171B. The total end area is the sum of the number of electrodes. The area of the back surface silver electrode end portion 171B is an area where the back surface silver electrode 171 and the aluminum electrode 161 overlap.

全面積の欄は、中央部総面積と端部総面積の合計を記載している。全面積増加率の欄は、比較例2の全面積を基準とした、各実施例の全面積の増加率を、パーセント表示している。 次に、実施例5〜7および比較例2に関する裏面銀電極171の条件について具体的に説明する。   The total area column describes the total of the central area and the total area of the edges. The total area increase rate column displays the increase rate of the total area of each example based on the total area of Comparative Example 2 as a percentage. Next, the conditions of the back surface silver electrode 171 regarding Examples 5-7 and the comparative example 2 are demonstrated concretely.

裏面銀電極中央部171Aの寸法は、実施例5〜7および比較例2のいずれも同一であり、中央部総面積も同一である。   The dimensions of the back surface silver electrode central portion 171A are the same in all of Examples 5 to 7 and Comparative Example 2, and the total area of the central portion is also the same.

裏面銀電極端部171Bの条件は以下のように、実施例5〜7および比較例2の間で異なる。なお、領域(II)および領域(III)の裏面銀電極端部171Bは、実施例5〜7及び比較例2のいずれも同じ幅である。   The conditions of the back surface silver electrode end portion 171B differ between Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 as follows. In addition, as for the back surface silver electrode edge part 171B of area | region (II) and area | region (III), all of Examples 5-7 and the comparative example 2 are the same width | variety.

実施例5の条件では、領域(I)のW2が、領域(II)〜(IV)の倍の幅である。すなわち実施例5は、太陽電池セル110の上端部分の裏面銀電極端部171Bの面積を、他の領域の2倍としたものである。全面積は8.0%増加した。電極形状は、図9(a)である。   Under the conditions of Example 5, W2 in the region (I) is twice as wide as the regions (II) to (IV). That is, in Example 5, the area of the back surface silver electrode end portion 171B at the upper end portion of the solar battery cell 110 is twice that of the other regions. Total area increased by 8.0%. The electrode shape is shown in FIG.

実施例6の条件では、領域(IV)のW2が、領域(I)〜(III)の倍の幅である。すなわち実施例6は、太陽電池セル110の下端部分の裏面銀電極端部171Bの面積を、他の領域の2倍としたものである。全面積は8.0%増加した。電極形状は、図9(b)である。   Under the conditions of Example 6, W2 of region (IV) is twice as wide as regions (I) to (III). That is, in Example 6, the area of the back surface silver electrode end portion 171B at the lower end portion of the solar battery cell 110 is twice that of the other regions. Total area increased by 8.0%. The electrode shape is shown in FIG.

実施例7の条件では、領域(I)および(IV)のW2が、領域(II)および領域(III)の倍の幅である。すなわち実施例7は、太陽電池セル110の上端部分と下端部分の両方の裏面銀電極端部171Bの面積を、他の領域の2倍としたものである。全面積は16.0%増加した。電極形状は、図9(c)である。   Under the conditions of Example 7, W2 in regions (I) and (IV) is twice as wide as regions (II) and (III). That is, in Example 7, the area of the back surface silver electrode end portion 171B of both the upper end portion and the lower end portion of the solar battery cell 110 is twice that of the other regions. Total area increased by 16.0%. The electrode shape is shown in FIG.

比較例2の条件では、領域(I)〜(IV)の全てでW2は同一である。電極形状は、図9(d)である。   Under the conditions of Comparative Example 2, W2 is the same in all of the regions (I) to (IV). The electrode shape is shown in FIG.

表4は、実施例5〜7および比較例2の結果を示したものである。   Table 4 shows the results of Examples 5 to 7 and Comparative Example 2.

まず、各欄の内容に関して説明する。 First, the contents of each column will be described.

電極間平均抵抗値の欄は、領域(I)〜(IV)ごとの、電極間の抵抗値の平均を示している。抵抗は、領域(I)〜(IV)のそれぞれにおいて、(1)部分と(2)部分の電極間の抵抗および(2)部分と(3)部分の電極間の抵抗を、HIOKI製ミリオームテスタを使用して測定した。ここで、「領域(I)〜(IV)ごとの」とは、長さ153mmの裏面銀電極171を4等分(38.25mmずつ)し、それぞれの領域の中央(19.125mm)の部分にテスタを当てて抵抗を計測したものである。また、実施例5〜7および比較例2について、それぞれ複数枚のセルを作製し、それら全てについて上記抵抗を測定し、平均した。   The column of the average resistance value between electrodes shows the average of the resistance values between the electrodes for each of the regions (I) to (IV). In each of the regions (I) to (IV), the resistance between the electrodes in the (1) portion and the (2) portion and the resistance between the electrodes in the (2) portion and the (3) portion is measured using a HIoki milliohm tester. Was measured using. Here, “for each of the regions (I) to (IV)” means that the back surface silver electrode 171 having a length of 153 mm is divided into four equal parts (each 38.25 mm), and the center (19.125 mm) of each area. The resistance was measured using a tester. For Examples 5 to 7 and Comparative Example 2, a plurality of cells were prepared, and the resistance was measured and averaged for all of them.

モジュールFFの欄は、実施例5〜7および比較例2の太陽電池セルをそれぞれ用いて、図5の構造により42枚の直列配線を行って太陽電池モジュールを作製し、標準条件にてソーラーシミュレータによりFFの測定を行った結果を示している。   In the column of module FF, solar cell modules of Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 are respectively used, 42 solar cells are connected in series according to the structure of FIG. The result of having performed the measurement of FF is shown.

モジュールFF改善率の欄は、比較例2を基準とした、モジュールFFの改善率を示している。   The module FF improvement rate column shows the improvement rate of the module FF based on the comparative example 2.

次に、実施例5〜7および比較例2に関する結果について具体的に説明する。   Next, the results regarding Examples 5 to 7 and Comparative Example 2 will be specifically described.

比較例2では、領域(II)および領域(III)に比べて、領域(I)および領域(IV)の電極間平均抵抗値が高い。すなわち、太陽電池セル110の上端部分と下端部分の電極間平均抵抗値が高いことがわかる。モジュールFFは、0.731であった。   In Comparative Example 2, the average resistance value between the electrodes in the region (I) and the region (IV) is higher than that in the region (II) and the region (III). That is, it turns out that the average resistance value between electrodes of the upper end part and lower end part of the photovoltaic cell 110 is high. The module FF was 0.731.

実施例5は、比較例2と比較して、領域(I)の電極間平均抵抗値が領域(II)および領域(III)と同程度にまで下がっている。すなわち、領域(I)のW2を比較例2の倍の幅とした効果が現れている。領域(IV)の電極間平均抵抗値は、比較例2と同程度のままである。モジュールFFは0.733となり、0.27%改善された。すなわち、8.0%というわずかな裏面銀電極の面積の増加のみで、特性を改善することができた。   In Example 5, compared with Comparative Example 2, the inter-electrode average resistance value in the region (I) is reduced to the same level as in the region (II) and the region (III). That is, the effect of setting W2 in the region (I) to a width twice that of Comparative Example 2 appears. The average resistance value between the electrodes in the region (IV) remains about the same as in Comparative Example 2. Module FF was 0.733, an improvement of 0.27%. That is, the characteristics could be improved with only a slight increase in the area of the backside silver electrode of 8.0%.

実施例6は、比較例2と比較して、領域(IV)の電極間平均抵抗値が領域(II)および領域(III)と同程度にまで下がっている。すなわち、領域(IV)のW2を比較例2の倍の幅とした効果が現れている。領域(I)の電極間平均抵抗値は、比較例2と同程度のままである。モジュールFFは0.733となり、0.27%改善された。すなわち、8.0%というわずかな裏面銀電極の面積の増加のみで、特性を改善することができた。   In Example 6, compared with Comparative Example 2, the inter-electrode average resistance value in the region (IV) is lowered to the same level as in the region (II) and the region (III). That is, the effect of setting W2 in the region (IV) to a width twice that of Comparative Example 2 appears. The average resistance value between the electrodes in the region (I) remains at the same level as in Comparative Example 2. Module FF was 0.733, an improvement of 0.27%. That is, the characteristics could be improved with only a slight increase in the area of the backside silver electrode of 8.0%.

実施例7は、比較例2と比較して、領域(I)および(IV)の電極間平均抵抗値が領域(II)および領域(III)と同程度にまで下がり、全領域で電極間平均抵抗値がほぼ同程度になった。すなわち、領域(I)および領域(IV)のW2を比較例2の倍の幅とした効果が現れている。モジュールFFは0.734となり、0.41%改善された。すなわち、16.0%という裏面銀電極の面積の増加で、特性を改善することができた。   In Example 7, as compared with Comparative Example 2, the average resistance value between the electrodes in the regions (I) and (IV) was lowered to the same level as that in the region (II) and the region (III). The resistance value was almost the same. That is, the effect of setting W2 of the region (I) and the region (IV) to be twice as wide as that of the comparative example 2 appears. Module FF was 0.734, an improvement of 0.41%. That is, the characteristics could be improved by increasing the area of the backside silver electrode by 16.0%.

以上のように、太陽電池セルの周辺部である領域(I)や領域(IV)において、裏面銀電極端部171Bの面積をわずかに大きくしてアルミニウム電極161との接触面積を増やすことで、太陽電池セルの周辺部における裏面銀電極171の抵抗値を低下させ、他の部分の裏面銀電極171の抵抗値と同等にすることができた。すなわち、裏面銀電極171の面積をあまり増加させること無しに、効果的に裏面銀電極171とアルミニウム電極161の接触抵抗を低減させることができた。これにより、太陽電池セルの特性を向上させ、より多くの電力を取り出すことが可能となった。   As described above, in the region (I) or region (IV) that is the peripheral part of the solar battery cell, by slightly increasing the area of the back surface silver electrode end 171B and increasing the contact area with the aluminum electrode 161, The resistance value of the back surface silver electrode 171 in the peripheral part of the solar battery cell was decreased, and the resistance value of the back surface silver electrode 171 in other portions could be made equal. That is, the contact resistance between the back surface silver electrode 171 and the aluminum electrode 161 can be effectively reduced without increasing the area of the back surface silver electrode 171 so much. Thereby, the characteristic of the photovoltaic cell was improved and it became possible to take out more electric power.

上記の実施形態1および2では、多結晶のシリコン基板を用いて太陽電池セルを作製した。しかし本発明は、単結晶のシリコン基板を用いた太陽電池セルにも適用可能である。   In Embodiments 1 and 2 described above, solar cells were produced using a polycrystalline silicon substrate. However, the present invention can also be applied to a solar battery cell using a single crystal silicon substrate.

上記の実施形態1および2では、図2および図7に示したように、電極の焼成工程においてD1あるいはD2の方向にp型シリコン基板1を移動させている。これにより、実施形態1では領域(III)が、実施形態2では領域(I)と(IV)が、焼成工程における周辺部分であった。しかし、電極の焼成工程における移動方向を90°変更した場合、実施形態1および2共に、領域(1)と(3)が、焼成工程における周辺部分となる。この場合は、領域(1)と(3)における裏面銀電極とアルミニウム電極との重なり面積を増やすことが有効と考えられる。   In the first and second embodiments, as shown in FIGS. 2 and 7, the p-type silicon substrate 1 is moved in the direction D1 or D2 in the electrode firing step. Thereby, area | region (III) in Embodiment 1 and area | region (I) and (IV) in Embodiment 2 were the peripheral parts in a baking process. However, when the moving direction in the electrode firing step is changed by 90 °, the regions (1) and (3) are the peripheral portions in the firing step in both the first and second embodiments. In this case, it is considered effective to increase the overlapping area of the back surface silver electrode and the aluminum electrode in the regions (1) and (3).

上記の実施形態2においては、図9(a)〜(c)のように、裏面銀電極の幅が階段状に変化する形状とした。しかし、より滑らかに幅が変化する形状であっても良い。例えば、図9(c)の裏面銀電極の形状の代わりに、裏面銀電極の中央から上端および下端に向かって徐々に幅が広くなる形状としても良い。   In said Embodiment 2, it was set as the shape from which the width | variety of a back surface silver electrode changes to step shape like FIG.9 (a)-(c). However, it may be a shape whose width changes more smoothly. For example, instead of the shape of the back surface silver electrode in FIG. 9C, the shape may be such that the width gradually increases from the center of the back surface silver electrode toward the upper end and the lower end.

上記の実施形態1および2にかかる太陽電池セルは、裏面銀電極の上に重なるようにアルミニウム電極を形成していた。しかしこれとは逆に、アルミニウム電極の上に重なるように裏面銀電極を形成した太陽電池セルに対しても、本発明を適用可能である。   In the solar cells according to Embodiments 1 and 2 described above, the aluminum electrode was formed so as to overlap the back surface silver electrode. However, on the contrary, the present invention can also be applied to a solar battery cell in which the back surface silver electrode is formed so as to overlap the aluminum electrode.

上記の実施形態1および2における裏面銀電極の形状や、裏面銀電極とアルミニウム電極との重なり面積を増やす手段は、組み合わせて用いることも可能である。例えば、実施形態2のように太陽電池セルの上部から下部に渡る長い縦長形状の裏面銀電極に、実施形態1のような突出部を設け、太陽電池セルの周辺部において突出部の面積を大きくしても良い。   The shape of the back surface silver electrode and the means for increasing the overlapping area of the back surface silver electrode and the aluminum electrode in the first and second embodiments can be used in combination. For example, as in the second embodiment, a long vertical elongated back surface silver electrode extending from the upper part to the lower part of the solar battery cell is provided with a protrusion as in the first embodiment, and the area of the protrusion is increased in the peripheral part of the solar battery cell. You may do it.

さらに本発明は、上記の実施形態1および実施形態2で述べた裏面銀電極の形状に限らず、それ以外の形状の裏面銀電極に対しても適用可能である。また、上記の実施形態1および実施形態2で述べた裏面銀電極とアルミニウム電極との重なり面積を増やす手段以外の手段を用いても良い。   Further, the present invention is not limited to the shape of the back surface silver electrode described in the first embodiment and the second embodiment, but can be applied to the back surface silver electrode of other shapes. In addition, means other than the means for increasing the overlapping area between the back surface silver electrode and the aluminum electrode described in the first and second embodiments may be used.

1 p型シリコン基板
2 n型ドーパント拡散層
3 反射防止膜
4 p型ドーパント拡散層
6 アルミニウムペースト
7、8 銀ペースト
10 太陽電池セル
30 太陽電池モジュール
31 透明基板
32 裏面保護シート
33 封止材
34 インターコネクタ
61 アルミニウム電極
61H 開口部
71、72、73 裏面銀電極
71A、72A、73A 裏面銀電極本体部
71B、72B、73B 突出部
81 受光面銀電極
82 メイン電極
83 サブグリッド電極
110 太陽電池セル
161 アルミニウム電極
161H 開口部
171、172、173,174、175 裏面銀電極
171A、172A、173A,174A、175A 裏面銀電極中央部
171B、172B、173B,174B、175B 裏面銀電極端部
1 p-type silicon substrate 2 n-type dopant diffusion layer 3 antireflection film 4 p-type dopant diffusion layer 6 aluminum paste 7, 8 silver paste 10 solar cell 30 solar cell module 31 transparent substrate 32 back surface protection sheet 33 sealing material 34 inter Connector 61 Aluminum electrode 61H Opening 71, 72, 73 Back surface silver electrode 71A, 72A, 73A Back surface silver electrode body 71B, 72B, 73B Protrusion 81 Light receiving surface silver electrode 82 Main electrode 83 Subgrid electrode 110 Solar cell 161 Aluminum Electrode 161H Opening portion 171, 172, 173, 174, 175 Back surface silver electrode 171A, 172A, 173A, 174A, 175A Back surface silver electrode central portion 171B, 172B, 173B, 174B, 175B Back surface silver electrode end

Claims (5)

シリコン基板の裏面に、電流を集電する集電極と、該集電極で集めた電流を取り出す取り出し電極を有する太陽電池セルであって、
前記集電極と前記取り出し電極は、重複部分を有し、
前記太陽電池セルの周辺部ほど、前記重複部分の面積が大きい
太陽電池セル。
On the back surface of the silicon substrate is a solar cell having a collecting electrode for collecting current and a take-out electrode for taking out the current collected by the collecting electrode,
The collector electrode and the extraction electrode have overlapping portions,
The solar battery cell has a larger area of the overlapping portion as the periphery of the solar battery cell.
前記取り出し電極は、略長方形の形状の電極本体部と、該電極本体部より小さい略長方形の形状の突出部からなり、
前記電極本体部は、その長辺において複数の前記突出部の短辺と接し、
前記突出部は、前記太陽電池セルの周辺部ほど、短辺が長い
請求項1に記載の太陽電池セル。
The extraction electrode is composed of a substantially rectangular electrode main body part and a substantially rectangular protruding part smaller than the electrode main body part,
The electrode main body is in contact with the short sides of the plurality of protrusions on the long side,
The solar cell according to claim 1, wherein the projecting portion has a shorter short side as a peripheral portion of the solar cell.
前記集電極は、アルミニウムを主成分とする請求項1に記載の太陽電池セル。   The solar cell according to claim 1, wherein the collector electrode contains aluminum as a main component. 前記取り出し電極は、銀を主成分とする請求項1に記載の太陽電池セル。   The solar cell according to claim 1, wherein the extraction electrode has silver as a main component. 請求項1〜4のいずれかに記載の太陽電池セルを複数個用いて構成された太陽電池モジュール。   The solar cell module comprised using the photovoltaic cell in any one of Claims 1-4.
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