JP2013206892A - High frequency substrate material - Google Patents

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公照 田川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate material for use in high frequency communication and two-dimensional communication sheets, which exhibits excellent high frequency characteristics, high degree of freedom of wiring, and excellent flexibility and adhesive force, by composing the substrate material of a conductor layer, a resin layer and a resin foam layer and bonding them via sealant.SOLUTION: A high frequency substrate material having excellent high frequency characteristics of relative permittivity of 3 or less and a dielectric loss tangent of 0.01 or less, and exhibiting excellent flexibility, high degree of freedom of wiring, and excellent adhesive force is obtained by composing the high frequency substrate material at least of a conductor layer and a resin foam layer, and bonding them via sealant.

Description

本発明は、高周波通信、高周波ワイヤレス給電、ICタグ等に使用される基板の材料を提供する。特に軽量、フレキシブル性を必要とする材料を提供することを目的とする。 The present invention provides a material for a substrate used for high-frequency communication, high-frequency wireless power feeding, an IC tag, and the like. In particular, an object is to provide a material that requires light weight and flexibility.

近年、インターネットに代表される通信技術の発達により、高周波帯域の通信が盛んに行われるようになった。それに伴って、パソコン、サーバー、ルーター等のコンピュータ周辺機器、携帯電話等の無線通信機器、ICタグに代表されるユビキタス通信機器、次世代の電力供給手段としてのワイヤレス給電技術等の技術の進歩がある。これらの機器に使用される材料として、高周波の基本特性に優れた基板材料が求められている。 In recent years, communication in the high frequency band has been actively performed due to the development of communication technology represented by the Internet. Along with this, technological advances such as computer peripherals such as personal computers, servers and routers, wireless communication devices such as mobile phones, ubiquitous communication devices represented by IC tags, and wireless power supply technology as next-generation power supply means, etc. is there. As a material used in these devices, a substrate material excellent in high-frequency basic characteristics is required.

高周波に代表されるプリント配線板としては、比誘電率5.0以下好ましくは3.0以下、誘電正接0.01以下の材料が提供される。例えば特開2003−17821に提示されるガラス基材樹脂プリプレグがプリント配線板材料として提案される。本材料は、低誘電率、低誘電正接に優れており、高速ネットワークの回路形成が可能であるが、ガラスを代表とするリジッドな基材であり配線基板の配線の自由度、基板の柔軟性がない。   As a printed wiring board represented by a high frequency, a material having a relative dielectric constant of 5.0 or less, preferably 3.0 or less, and a dielectric loss tangent of 0.01 or less is provided. For example, a glass base resin prepreg presented in JP2003-17821 is proposed as a printed wiring board material. This material is excellent in low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and can form high-speed network circuits. However, it is a rigid base material such as glass. There is no.

また、配線基板の柔軟性や配線の自由度から、フレキシブル基材が提供される。代表的なものとして、例えば特開2007−302003に提示されるポリイミド金属箔積層板が提供される。配線の自由度と柔軟性優れるものの、ポリイミド樹脂の誘電率は、3.3であり、また誘電正接は、0.03と高く、高周波基材としては不十分な誘電率特性であった。また、インターネットの通信形態として、2次元で行う通信形態が提案されている。本通信シートの構造と使用基材として、例えば、特開2008−160616に提示される内容として、上層が導電体層、中層が誘電正接が、0.01以下の誘電体層、下層が導電体層の3層構造である。   Moreover, a flexible base material is provided from the flexibility of a wiring board and the freedom degree of wiring. As a representative one, for example, a polyimide metal foil laminate presented in JP-A-2007-302003 is provided. Although the flexibility and flexibility of the wiring are excellent, the dielectric constant of the polyimide resin is 3.3 and the dielectric loss tangent is as high as 0.03, which is an insufficient dielectric constant characteristic as a high-frequency substrate. Further, a two-dimensional communication mode has been proposed as a communication mode of the Internet. As the structure of the communication sheet and the base material used, for example, as disclosed in JP-A-2008-160616, the upper layer is a conductor layer, the middle layer is a dielectric tangent of 0.01 or less, and the lower layer is a conductor layer It has a three-layer structure.

また材料としては、上層の導電体層に銅、銀、アルミニウム、ニッケルなどの金属層とし、中層は、ポリエチレン、ポリカーボネート、PET、PEN、PBT、PTT等発泡体、不織布が利用される誘電正接、0.01以下の誘電体層であり、また、下層の材料としては、銅、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料が利用されている。本材料を利用することにより、高速通信に使用できる高周波特性が優れた材料であり、配線の自由度とシートとしての柔軟性の両方を兼ね備えた材料として提案されている。しかしながら、上層と中層を接着する接着剤が、エステル系ホットメルト樹脂やナイロン系ホットメルト樹脂、SBR系ホットメルト樹脂が必要であり、発泡体と接着樹脂層の接着力が低く、はがれ易いことが課題であった。   As the material, the upper conductor layer is a metal layer such as copper, silver, aluminum, nickel, and the middle layer is polyethylene, polycarbonate, PET, PEN, PBT, PTT, etc. A dielectric layer of 0.01 or less, and a metal material such as copper, silver, aluminum, or nickel is used as a lower layer material. By using this material, it is a material excellent in high-frequency characteristics that can be used for high-speed communication, and has been proposed as a material that has both flexibility of wiring and flexibility as a sheet. However, the adhesive that bonds the upper layer and the middle layer requires an ester hot melt resin, nylon hot melt resin, or SBR hot melt resin, and the adhesive strength between the foam and the adhesive resin layer is low and may be easily peeled off. It was an issue.

特開2003−17821JP 2003-17821 A 特開2007−302003JP2007-302003 特開2008−160616JP2008-160616

本発明が解決しようとする課題は、インターネットに代表するネットワーク通信機器やコンピュータ通信機器として利用される誘電率3以下の誘電正接0.01以下の誘電特性を
有する基材であり、また配線の自由度、柔軟性を有するフレキシブルな基材として使用可能であり、また導電体層と誘電体層とくに発泡体層が安定的に十分な接着強度有する高周波基材を提供することにある。
The problem to be solved by the present invention is a base material having a dielectric property of a dielectric loss tangent of 0.01 or less having a dielectric constant of 3 or less, which is used as a network communication device or computer communication device represented by the Internet, and free wiring. Another object of the present invention is to provide a high-frequency base material that can be used as a flexible base material having a sufficient degree of flexibility, and in which a conductor layer and a dielectric layer, particularly a foam layer, have a sufficient and sufficient adhesive strength.

本発明は、導電体層と樹脂発泡体層から構成され、樹脂発泡体層の12GHzにおける比誘電率が3.0以下、誘電正接が0.01以下の特性を有し、導電体層と樹脂発泡体層がシーラントA層を介して接着することを特徴とする。   The present invention is composed of a conductor layer and a resin foam layer, and the resin foam layer has characteristics such that the relative dielectric constant at 12 GHz is 3.0 or less and the dielectric loss tangent is 0.01 or less. The foam layer adheres via the sealant A layer.

(樹脂発泡体層)
樹脂発泡体層の比誘電率が3.0を超えれば、高速通信に不適であり、誘電正接が0.01を超えれば、電力の損失が大きい。このような樹脂発泡体層として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−4−メチル−ペンテン−1から選ばれる樹脂発泡体を用いると前記した比誘電率と誘電正接を有するため好ましい。発泡体層の発泡倍率に制限はないが、好ましくは1.1倍〜5倍、更に好ましくは、1.5倍〜3倍の範囲である。発泡の方法には制限はないが、公知の炭酸ガス発泡、化学発泡剤法が好ましい。
(Resin foam layer)
If the relative dielectric constant of the resin foam layer exceeds 3.0, it is unsuitable for high-speed communication, and if the dielectric loss tangent exceeds 0.01, power loss is large. As such a resin foam layer, a resin foam selected from polyethylene, polypropylene, and poly-4-methyl-pentene-1 is preferably used because it has the above-described relative dielectric constant and dielectric loss tangent. Although there is no restriction | limiting in the expansion ratio of a foam layer, Preferably it is 1.1 to 5 times, More preferably, it is the range of 1.5 to 3 times. Although there is no restriction | limiting in the method of foaming, The well-known carbon dioxide gas foaming and the chemical foaming agent method are preferable.

(導電体層)
導電体層が金属層とシーラントB層からなり、金属層はアルミニウム箔ないし銅箔であることが好ましい。であり、導電体層の厚みが、5〜35μmの範囲であることが好ましい。アルミニウム箔ないし銅箔は工業的に生産される箔であり、電気導電率に優れている。また5μm未満では、ロール状で取り扱う場合、切断し易く、35μm超える厚みでは、柔軟性が失われる。
(Conductor layer)
The conductor layer is preferably composed of a metal layer and a sealant B layer, and the metal layer is preferably an aluminum foil or a copper foil. It is preferable that the thickness of the conductor layer is in the range of 5 to 35 μm. Aluminum foil or copper foil is an industrially produced foil and has excellent electrical conductivity. If it is less than 5 μm, it is easy to cut when handled in a roll shape, and if it exceeds 35 μm, flexibility is lost.

(シーラントB)
シーラントB層は、ポリエチレン、エチレン系アイオノマー、エチレン系エラストマーから選ばれる少なくとも一つの樹脂層であることが好ましい。ポリエチレンとしては線状低密度ポリエチレン、高圧法低密度ポリエチレン、があげられる。エチレン系エラストマーとしてはエチレンにα−オレフィンを8〜20mol%程度共重合した密度0.89g/cm3以下の物を用いる事ができる。エチレン系アイオノマーは金属層との接着性に優れているが、単体では比誘電率と誘電正接が高いため、ポリエチレンないしエチレン系エラストマーとブレンドして用いる事が好ましい。また、シーラントB層の比誘電率が3.0以下、誘電正接が0.01以下であることが好ましい。導電体層は金属層とシーラントB層を定法でラミネートして得る事ができる。また、導電体層が、片面または両面であることを特徴とする。
(Sealant B)
The sealant B layer is preferably at least one resin layer selected from polyethylene, ethylene ionomer, and ethylene elastomer. Examples of polyethylene include linear low density polyethylene and high pressure method low density polyethylene. As the ethylene-based elastomer, those having a density of 0.89 g / cm 3 or less obtained by copolymerizing ethylene with α-olefin of about 8 to 20 mol% can be used. Ethylene ionomers are excellent in adhesion to metal layers, but since they have a high relative dielectric constant and dielectric loss tangent, they are preferably blended with polyethylene or ethylene elastomers. The relative permittivity of the sealant B layer is preferably 3.0 or less and the dielectric loss tangent is 0.01 or less. The conductor layer can be obtained by laminating a metal layer and a sealant B layer by a conventional method. Further, the conductor layer is characterized in that it is single-sided or double-sided.

(シーラントA)
シーラントA層は、ポリエチレン、エチレン系エラストマーから選ばれる少なくとも一つの樹脂層であることが好ましい。ポリエチレンとしては線状低密度ポリエチレン、高圧法低密度ポリエチレン、があげられる。エチレン系エラストマーとしてはエチレンにα−オレフィンを8〜20mol%程度共重合した密度0.89g/cm3以下の物を用いる事ができる。シーラントA層は、前記導電体層と前記樹脂発泡体層を接着する役割を有する。すなわち導電体層/シーラントA/樹脂発泡体層、好ましくは金属層/シーラントB/シーラントA/樹脂発泡体層という構成が得られる。
(Sealant A)
The sealant A layer is preferably at least one resin layer selected from polyethylene and ethylene-based elastomer. Examples of polyethylene include linear low density polyethylene and high pressure method low density polyethylene. As the ethylene-based elastomer, those having a density of 0.89 g / cm 3 or less obtained by copolymerizing ethylene with α-olefin of about 8 to 20 mol% can be used. The sealant A layer has a role of bonding the conductor layer and the resin foam layer. That is, the structure of conductor layer / sealant A / resin foam layer, preferably metal layer / sealant B / sealant A / resin foam layer is obtained.

(接着強度)
導電体層と発泡体層間の接着強度は0.05kN/m以上であり、さらには0.1kN/m以上であることが好ましい。導電体層と樹脂発泡体層をラミネートするに際し、シーラントA層を溶融押出して導電体層と樹脂発泡体層の間に挿入し、貼り合せる方法を用いる事で接着が強固となり、接着強度が0.05kN/m以上である積層体を得ることができる。
(Adhesive strength)
The adhesive strength between the conductor layer and the foam layer is 0.05 kN / m or more, and more preferably 0.1 kN / m or more. When laminating the conductor layer and the resin foam layer, the adhesion is strengthened by using a method in which the sealant A layer is melt-extruded, inserted between the conductor layer and the resin foam layer, and bonded, and the adhesive strength is 0.05. A laminate having kN / m or more can be obtained.

(樹脂層)
また金属層とシーラントB層の間には、更にシーラントB層と樹脂層を設けることが出来る。すなわち金属層/シーラントB/樹脂層/シーラントB/シーラントA/樹脂発泡体層という構成になる。この樹脂層はポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−4−メチル−ペンテン−1のいずれかであることが、比誘電率と誘電正接の点で好ましい。金属層と樹脂層の間に位置するシーラントBの材料としては、前述のごとくポリエチレン、オレフィン系アイオノマー、エチレン系エラストマーから選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。また樹脂層の厚みが、5〜200μm、樹脂発泡層の厚みが、100〜3000μmであることが好ましい。またシーラントの厚みが1〜500μmであることが好ましい。
(Resin layer)
Further, a sealant B layer and a resin layer can be further provided between the metal layer and the sealant B layer. That is, the structure is metal layer / sealant B / resin layer / sealant B / sealant A / resin foam layer. The resin layer is preferably polyethylene, polypropylene, or poly-4-methyl-pentene-1 from the viewpoint of relative dielectric constant and dielectric loss tangent. As described above, the material of the sealant B positioned between the metal layer and the resin layer is preferably at least one selected from polyethylene, olefin ionomer, and ethylene elastomer. Moreover, it is preferable that the thickness of a resin layer is 5-200 micrometers, and the thickness of a resin foam layer is 100-3000 micrometers. Moreover, it is preferable that the thickness of a sealant is 1-500 micrometers.

(保護樹脂層)
また導電層の表面に保護の樹脂層を有しても良い。保護層はポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−4−メチル−ペンテン−1、ポリエステル、ポリアクリロニトリル、エチレン−ビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂のいずれかを含むフィルムを用いる事ができる。ポリエステルとしてはポリエチレンテレフタレートが好ましく、フッ素樹脂としてはポリテトラフロロエチレンが好ましい。保護層の厚みが1〜500μmの範囲であり、シーラントを介して接合することが好ましい。シーラントの材料としては、前述のシーラントBを用いる事ができる。
(Protective resin layer)
Further, a protective resin layer may be provided on the surface of the conductive layer. For the protective layer, a film containing any of polyethylene, polypropylene, poly-4-methyl-pentene-1, polyester, polyacrylonitrile, ethylene-vinyl alcohol copolymer, and fluororesin can be used. Polyester is preferably polyethylene terephthalate, and the fluororesin is preferably polytetrafluoroethylene. The thickness of the protective layer is in the range of 1 to 500 μm, and it is preferable to join via a sealant. The sealant B can be used as the sealant material.

(積層体)
本発明の詳細な内容の一例を図によって説明する。図1は本発明の高周波基材の両面が導電体の一例の断面図である。01は樹脂発泡層である。02はシーラントである。また03は、シーラントまたは樹脂層である。04は、金属箔層である。05はシーラントであり、06は保護用の樹脂層である。
(Laminate)
An example of detailed contents of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of a conductor on which both surfaces of the high-frequency substrate of the present invention are provided. 01 is a resin foam layer. 02 is a sealant. Reference numeral 03 denotes a sealant or a resin layer. 04 is a metal foil layer. 05 is a sealant, and 06 is a protective resin layer.

図1は両面導電体であり、両面シールド基材として好適に使用できる。また、加工して、片面を回路形成すれば、高周波回路として好適に利用できる。また図2は、本発明の高周波基材の片面が導電体の一例の断面図である。01は樹脂発泡層、02はシーラント、03は樹脂層またはシーラント、04が金属箔層、05がシーラント、06が保護用の樹脂層、07がシーラント、08がシーラントまたは樹脂層、08が樹脂層である。   FIG. 1 shows a double-sided conductor, which can be suitably used as a double-sided shield base material. Moreover, if it processes and forms the circuit of one side, it can utilize suitably as a high frequency circuit. FIG. 2 is a cross-sectional view in which one side of the high-frequency substrate of the present invention is an example of a conductor. 01 is a resin foam layer, 02 is a sealant, 03 is a resin layer or sealant, 04 is a metal foil layer, 05 is a sealant, 06 is a protective resin layer, 07 is a sealant, 08 is a sealant or resin layer, and 08 is a resin layer It is.

図2は片面シールド基材であり、樹脂層の片面にマイクロスプリットラインや2次元通信に利用されるメッシュパターン回路が形成すれば好適に利用できる。回路の形成方法には制限はないが、銀ペースト、銅ペーストを使用し、スクリーン印刷により回路形成する方法も好ましい。   FIG. 2 shows a single-sided shield base material, which can be suitably used if a micro-split line or a mesh pattern circuit used for two-dimensional communication is formed on one side of the resin layer. Although there is no restriction | limiting in the formation method of a circuit, The method of forming a circuit by screen printing using a silver paste and a copper paste is also preferable.

図3は、両面に導電体層を有し、片面の導電体層には保護層、もう一方の片面には保護層のない導電体層を有する高周波基材の一例である。01は発泡体層、02はシーラント、03はシーラント、04は金属箔層、05はシーラント、06は、保護用の樹脂層である。保護層のない導電体層をエッチングまたは機械加工して回路形成すれば、高周波基板として好適に利用できる。回路形成の方法に制限はないが、導電体層にドライフィルムを貼り合せ、光照射により配線パターン形成し、エッチング処理により配線パターンの回路形成すること高周波基板として好適に利用できる。   FIG. 3 is an example of a high-frequency substrate having a conductor layer on both sides, a conductor layer on one side having a protective layer, and a conductor layer having no protective layer on the other side. 01 is a foam layer, 02 is a sealant, 03 is a sealant, 04 is a metal foil layer, 05 is a sealant, and 06 is a protective resin layer. If a circuit is formed by etching or machining a conductor layer without a protective layer, it can be suitably used as a high-frequency substrate. There is no limitation on the method of forming the circuit, but a dry film can be bonded to the conductor layer, a wiring pattern can be formed by light irradiation, and a circuit of the wiring pattern can be formed by etching treatment.

本発明の高周波基材を使用することにより、高周波に適した誘電特性を有し、配線の自由度と柔軟性を有し、更に折り曲げ等に対して、各層の接着強度が十分大きい基材を提供することができる。   By using the high frequency substrate of the present invention, a substrate having dielectric properties suitable for high frequency, flexibility and flexibility of wiring, and sufficiently high adhesion strength of each layer against bending and the like. Can be provided.

以下、本発明の詳細な内容を実施例により説明する。
誘電率 および誘電正接: 空洞共振器法により測定した。周波数は代表例として12GHzを使用した。
接着強度 : 導電体層と樹脂発泡体層の剥離強度は巾1cm、長さ5cmの短冊を作成し、テンシロンにより測定した。測定はJISK6854(1999)に準じて行った。
(実施例1)
Hereinafter, the details of the present invention will be described with reference to examples.
Dielectric constant and dielectric loss tangent: Measured by the cavity resonator method. A typical frequency is 12 GHz.
Adhesive strength: The peel strength between the conductor layer and the resin foam layer was measured with Tensilon by preparing a strip having a width of 1 cm and a length of 5 cm. The measurement was performed according to JISK6854 (1999).
Example 1

(発泡シートの形成)
プライムポリマー製の低密度ポリエチレンを使用した。単軸の押出機により樹脂を溶解し、炭酸ガスを注入し、サーキュレーションダイによる樹脂発泡体を形成した。発泡倍率は、2倍で発泡層の厚みは1mmであった。
(Formation of foam sheet)
Low density polyethylene made from prime polymer was used. The resin was dissolved by a single screw extruder, carbon dioxide gas was injected, and a resin foam was formed by a circulation die. The expansion ratio was 2 times, and the thickness of the foam layer was 1 mm.

(導電層の形成)
3層繰り出しの加熱ラミネーターを使用した。保護層としてPET/PEシーラントの2層構成で、それぞれの厚みが12μmと15μmのフィルムをロールより繰り出し、また2軸目は、アルミニウム7μmのロール状の箔をロールより繰り出して、3軸目は厚み20μmエチレンアイオノマーフィルムを繰り出した。3層のフィルムを150℃に加熱したシリコン製のゴムロールにてラミネートし、保護層PET/PEシーラント/Al/アイオノマー樹脂シーラントB層の付いた、導電体層を形成した。
(Formation of conductive layer)
A heating laminator with three-layer feeding was used. Two layers of PET / PE sealant as protective layers, each having a thickness of 12 μm and 15 μm are fed out of the roll, and the second axis is a roll of aluminum 7 μm rolled out of the roll. A 20 μm thick ethylene ionomer film was fed out. The three-layer film was laminated with a silicon rubber roll heated to 150 ° C. to form a conductor layer with a protective layer PET / PE sealant / Al / ionomer resin sealant B layer.

(発泡体層と導電層の貼合による基材の作成)
2軸繰出貼合機を使用した。1軸に発泡シートロール、2軸目にシーラント等の樹脂層を貼合わせた前記導電体フィルムをロールにセットした。貼り合せ用のシーラントA層は低密度ポリエチレンを使用した。低密度ポリエチレンを単軸の押出機でTダイから押し出し、発泡シートと導電体フィルムとの間にシーラントを挿入し、ラミネーターにより接着し、片面が導電体である発泡シート:PET/PEシーラントB/Al/エチレンアイオノマーシーラントB/PEシーラントA/発泡シートを形成した。各シーラントの厚みは、35μmであった。
(Creation of base material by bonding of foam layer and conductive layer)
A biaxial paying pasting machine was used. The conductive film having a foam sheet roll on one axis and a resin layer such as a sealant bonded on the second axis was set on a roll. Low density polyethylene was used for the sealant A layer for bonding. Low-density polyethylene is extruded from a T-die with a single screw extruder, a sealant is inserted between the foam sheet and the conductor film, bonded with a laminator, and a foam sheet with a conductor on one side: PET / PE sealant B / An Al / ethylene ionomer sealant B / PE sealant A / foamed sheet was formed. The thickness of each sealant was 35 μm.

出来たシートを再び1軸にセットし、2軸目に導電体フィルムをセットし、ポリエチレンのシーラントを単軸の押出機から押し出し、片面導電体の発泡シートと導電体フィルムの間にシーラントを挿入し、ラミネータにより接着し、両面が導電体である発泡シート:PET/PEシーラントB/Al/エチレンアイオノマーシーラントB/PEシーラントA/発泡シート/PEシーラントA/Alを形成した。シーラントの厚みは、35μmであった。出来たシートを加工し、空洞共振法で12GHzで比誘電率と誘電正接を測定した結果、比誘電率は、1.7であり、誘電正接が0.0007であった。また、短冊状の試験片を作成し、導電体層と発泡体層の剥離強度を測定した結果、いずれも材料破壊であった。その結果、高周波基材として優れた特性を有する基材であった。
(実施例2)
Set the resulting sheet again on one axis, set the conductor film on the second axis, extrude the polyethylene sealant from the single-axis extruder, and insert the sealant between the foam sheet of the single-sided conductor and the conductor film Then, it was bonded by a laminator to form a foam sheet: PET / PE sealant B / Al / ethylene ionomer sealant B / PE sealant A / foam sheet / PE sealant A / Al. The thickness of the sealant was 35 μm. The resulting sheet was processed, and the dielectric constant and dielectric loss tangent were measured at 12 GHz by the cavity resonance method. As a result, the dielectric constant was 1.7 and the dielectric loss tangent was 0.0007. Moreover, as a result of creating strip-shaped test pieces and measuring the peel strength between the conductor layer and the foam layer, all of them were material destruction. As a result, the substrate has excellent characteristics as a high-frequency substrate.
(Example 2)

片面導電体の発泡シート作成まで実施例1と同様に行った。
(表面樹脂フィルムの形成)
2軸繰出熱ラミネータを使用した。1軸目にポリ−4−メチル−ペンテン−1フィルム(三井化学東セロ株式会社製、オピュランフィルム)50μmをセットし、2軸目にシーラントのPEフィルム30μmをセットし、150℃の温度でシリコン製ゴムロールでラミネートした。出来たフィルムをシーラント付き表面樹脂フィルムとした。
It carried out similarly to Example 1 until preparation of the foam sheet of a single-sided conductor.
(Formation of surface resin film)
A biaxial feed heat laminator was used. A poly-4-methyl-pentene-1 film (Mitsui Chemicals Tosero Co., Ltd., Opulan film) 50 μm is set on the first axis, and a sealant PE film 30 μm is set on the second axis, at a temperature of 150 ° C. Lamination was performed with a silicone rubber roll. The resulting film was a surface resin film with a sealant.

(片面導電体の形成による基材の作成)
2軸の繰出貼合機を使用した。1軸に片面導電体発泡シート、2軸目にシーラントを貼
りあわせたポリ−4−メチル−ペンテン−1フィルムをセットした。貼り合せ用シーラントは低密度ポリエチレンを使用した。ポリエチレンを単軸の押出機でT−ダイから押し出し、発泡シートとシーラント付きポリ−4−メチル−ペンテン−1フィルムとの間にシーラントを挿入し、ロールラミネーターにより接合した。シーラントの厚みは35μmであった。片面が導電体である発泡シートの基材を形成した。出来たシートを加工し、空洞共振器法により、周波数12GHzで測定した結果、比誘電率が1.7、誘電正接が0.0007であった。また、短冊状の試験片を作り、導電体層と発泡体層の剥離強度を測定した結果、いずれも材料破壊であった。この結果、高周波基材として優れた特性を有する基材であった。
(実施例3)
(Creation of base material by forming single-sided conductor)
A biaxial feeding and pasting machine was used. A poly-4-methyl-pentene-1 film having a single-sided conductor foam sheet on one axis and a sealant bonded on the second axis was set. Low density polyethylene was used as the sealant for bonding. Polyethylene was extruded from a T-die with a single screw extruder, a sealant was inserted between the foamed sheet and the poly-4-methyl-pentene-1 film with sealant, and joined by a roll laminator. The thickness of the sealant was 35 μm. The base material of the foam sheet which one side is a conductor was formed. The resulting sheet was processed and measured by the cavity resonator method at a frequency of 12 GHz. As a result, the relative dielectric constant was 1.7 and the dielectric loss tangent was 0.0007. Moreover, as a result of making strip-shaped test pieces and measuring the peel strength between the conductor layer and the foam layer, all of them were material destruction. As a result, it was a substrate having excellent characteristics as a high-frequency substrate.
(Example 3)

(片面導電層の形成)
実施例1と同様に実施した。
(保護層なしの導電層の形成)
2軸繰り出しの熱ラミネータ設備で実施した。1軸目に厚み7μmのアルミニウム箔、2軸目に厚み20μmのエチレンアイオノマーフィルムを繰り出した。2層のフィルムを150℃に加熱したシリコン製ゴムロールにてラミネートし、エチレンアイオノマー付きの導電体フィルムを形成した。
(Formation of single-sided conductive layer)
The same operation as in Example 1 was performed.
(Formation of conductive layer without protective layer)
This was carried out with a two-axis pay-out thermal laminator facility. An aluminum foil having a thickness of 7 μm was drawn on the first axis, and an ethylene ionomer film having a thickness of 20 μm was drawn on the second axis. The two-layer film was laminated with a silicon rubber roll heated to 150 ° C. to form a conductor film with an ethylene ionomer.

(両面導電層の形成による基材の作成)
2軸の繰出貼合機を使用した。1軸に実施例1の片面導電体発泡シートロール。2軸目に上記の導電体層のフィルムを使用した。貼りあわせ用シーラントは低密度ポリエチレンを使用した。ポリエチレンを単軸の押出機を用いてT−ダイより押し出し、発泡シートと導電体フィルムとの間にシーラントを挿入し、ラミネーターにより接合し、両面が導電体である基材を作成した。シーラントの厚みは35μmであった。出来たシートを加工し、空洞共振器法で周波数12GHzで測定した結果、比誘電率1.7、誘電正接0.0007であった。また、短冊状に切り出し、導電体層と樹脂層および樹脂層と発泡体層の剥離試験を行った結果、いずれも材料破壊であった。以上の結果から、高周波基材として優れて特性を有する基材であった。
(比較例1)
(Creation of a base material by forming a double-sided conductive layer)
A biaxial feeding and pasting machine was used. Single-sided conductive foam sheet roll of Example 1 on one axis. The film of the above conductor layer was used on the second axis. Low density polyethylene was used as the sealant for bonding. Polyethylene was extruded from a T-die using a single-screw extruder, a sealant was inserted between the foamed sheet and the conductor film, and joined by a laminator to prepare a base material having both conductors. The thickness of the sealant was 35 μm. The resulting sheet was processed and measured by the cavity resonator method at a frequency of 12 GHz. As a result, the relative dielectric constant was 1.7 and the dielectric loss tangent was 0.0007. Moreover, as a result of cutting out into strip shape and performing the peeling test of a conductor layer and a resin layer, and a resin layer and a foam layer, all were material destruction. From the above result, it was the base material which has the characteristic excellent as a high frequency base material.
(Comparative Example 1)

実施例1と同様に発泡体層と導電体フィルムを作成した。
(導電体層と発泡体層の接合による基材の作成)
3軸のラミネーターを使用した。1軸目に導電体層、2軸目にエステル系ホットメルト樹脂(東レファインケミカル社製ケミットフィルム)、3層目に発泡体シートをセットし、繰り出し130℃の温度でシリコン製ゴムロールラミネーターで貼り合わせした。貼りあわせの結果、片面が導電体のロール状基材を得た。出来たシートを再び1軸にセットし、2軸目にエステル系ホットメルト樹脂、3軸目に導電体フィルムをセットし、130℃でシリコン製ゴムロールラミネーターで熱ラミネートし両面が導電体である発泡シートを形成した。出来たシートを加工し、空洞共振器法により周波数12GHzで測定した結果、比誘電率1.7、誘電正接0.01であった。短冊状に切り出し、導電体層と発泡体層の引き剥がし強度を測定した結果、導電体層と発泡体層の剥離強度は0.001kN/mであり、簡単に剥がれる特性であった。
(実施例4)
In the same manner as in Example 1, a foam layer and a conductor film were prepared.
(Creation of a base material by joining a conductor layer and a foam layer)
A 3-axis laminator was used. Conductor layer on the 1st axis, ester-based hot melt resin (chemit film made by Toray Fine Chemicals Co., Ltd.) on the 2nd axis, foam sheet is set on the 3rd layer, and a silicon rubber roll laminator is applied at a temperature of 130 ° C. Combined. As a result of bonding, a roll-shaped base material having a conductor on one side was obtained. The resulting sheet is set on one axis again, ester hot melt resin is set on the second axis, a conductor film is set on the third axis, and heat-laminated with a silicon rubber roll laminator at 130 ° C, and both sides are conductive foam A sheet was formed. The resulting sheet was processed and measured by the cavity resonator method at a frequency of 12 GHz. As a result, the relative dielectric constant was 1.7 and the dielectric loss tangent was 0.01. The strip was cut into strips and the peel strength between the conductor layer and the foam layer was measured. As a result, the peel strength between the conductor layer and the foam layer was 0.001 kN / m.
Example 4

(片面導電体層の形成)
実施例1と同様に実施した。
(導電層の形成)
実施例1と同様の設備で行った。1軸目にPET/PEシーラント、2軸目に厚み6μmの銅箔、3軸目にアイオノマーフィルムを使用し、150℃の温度で加熱したシリコン製ゴ
ムロールにてラミネートした。
(両面導電層の形成による基材の作成)
銅箔をラミネートした導電層を使用した以外は、実施例2と同様に実施した。出来たシートを加工し、空洞共振器法で12GHzで測定した結果、比誘電率は、1.7.誘電正接は、0.0007であった。
(実施例)5〜8
(Formation of single-sided conductor layer)
The same operation as in Example 1 was performed.
(Formation of conductive layer)
The same equipment as in Example 1 was used. A PET / PE sealant was used on the first axis, a 6 μm thick copper foil was used on the second axis, and an ionomer film was used on the third axis, and was laminated with a silicon rubber roll heated at a temperature of 150 ° C.
(Creation of a base material by forming a double-sided conductive layer)
It implemented like Example 2 except having used the conductive layer which laminated copper foil. The resulting sheet was processed and measured at 12 GHz by the cavity resonator method. As a result, the relative dielectric constant was 1.7. The dielectric loss tangent was 0.0007.
(Example) 5-8

発泡体層の樹脂をポリプロピレン、ポリ−4−メチル−ペンテン−1として以外は、実施例1、実施例2と同様に行った。得られた結果を表1に記載した。 Example 1 and Example 2 were performed except that the resin of the foam layer was polypropylene or poly-4-methyl-pentene-1. The results obtained are listed in Table 1.

Figure 2013206892

接着強度1:導電体層と発泡体層の剥離強度
Figure 2013206892

Adhesive strength 1: peel strength between conductor layer and foam layer

本発明の高周波基板材料は、高周波基板配線のマイクロストリップラインやメッシュ状の回路を形成し、高周波機器の配線基板として有効に利用される。   The high-frequency board material of the present invention forms a microstrip line or mesh-like circuit for high-frequency board wiring, and is effectively used as a wiring board for high-frequency equipment.

本発明の高周波基材の両面が導電体層の一例の断面図であるBoth surfaces of the high-frequency substrate of the present invention are cross-sectional views of an example of a conductor layer. 本発明の高周波基材の片面が導電体層の一例の断面図であるOne side of the high-frequency substrate of the present invention is a cross-sectional view of an example of a conductor layer 本発明の高周波基材の両面が導電体層の一例の断面図であるBoth surfaces of the high-frequency substrate of the present invention are cross-sectional views of an example of a conductor layer.

01 樹脂発泡体層
02 シーラント
03 シーラント
04 金属箔層
05 シーラント
06 樹脂層
07 シーラント
08 シーラント
09 樹脂層
01 Resin foam layer 02 Sealant 03 Sealant 04 Metal foil layer 05 Sealant 06 Resin layer 07 Sealant 08 Sealant 09 Resin layer

Claims (10)

少なくとも導電体層と樹脂発泡体層から構成され、樹脂発泡体層が12GHzにおける比誘電率が3以下、誘電正接0.01以下の特性を有し、前記導電体層と前記樹脂発泡体層がシーラントA層を介して接合され、かつ前記導電体層と前記樹脂発泡体層の接着強度が0.05kN/m以上であることを特徴とする高周波基板材料。 It is composed of at least a conductor layer and a resin foam layer, and the resin foam layer has a characteristic in which a relative dielectric constant at 12 GHz is 3 or less and a dielectric loss tangent is 0.01 or less. The conductor layer and the resin foam layer are A high-frequency substrate material which is bonded through a sealant A layer and has an adhesive strength of 0.05 kN / m or more between the conductor layer and the resin foam layer. 前記導電体層は導電体とシーラントB層からなり、導電体がアルミニウム箔ないし銅箔であり、導電体の厚みが5〜35μmの範囲にあり、シーラントB層がポリエチレン、エチレン系アイオノマー、エチレン系エラストマーから選ばれる少なくとも一つの樹脂層からなる請求項1に記載の高周波基板材料。 The conductor layer is composed of a conductor and a sealant B layer, the conductor is an aluminum foil or a copper foil, the conductor thickness is in the range of 5 to 35 μm, and the sealant B layer is polyethylene, ethylene ionomer, ethylene The high-frequency substrate material according to claim 1, comprising at least one resin layer selected from elastomers. シーラントB層の比誘電率が3以下、誘電正接が0.01以下である請求項2に記載の高周波基板材料。 The high-frequency substrate material according to claim 2, wherein the sealant B layer has a relative dielectric constant of 3 or less and a dielectric loss tangent of 0.01 or less. 前記樹脂発泡体層に、さらにシーラントB層と導電体層を積層してなる請求項2または請求項3に記載の高周波基板材料。 The high-frequency substrate material according to claim 2 or 3, wherein a sealant B layer and a conductor layer are further laminated on the resin foam layer. 前記導電体層とシーラントB層の間に、さらに、ポリエチレン、オレフィン系アイオノマー、ポリプロピレン、ポリ−4−メチル−ペンテン−1から選ばれる少なくとも一つの樹脂層を積層した請求項2乃至4のいずれかに記載の高周波基板材料。 5. The method according to claim 2, wherein at least one resin layer selected from polyethylene, olefinic ionomer, polypropylene, and poly-4-methyl-pentene-1 is further laminated between the conductor layer and the sealant B layer. The high frequency substrate material described in 1. シーラントA層が、ポリエチレン、ポリエチレン系アイオノマー、エチレン系エラストマーから選ばれる少なくとも一つの樹脂層である請求項1乃至5のいずれかに記載の高周波基板材料。 The high-frequency substrate material according to any one of claims 1 to 5, wherein the sealant A layer is at least one resin layer selected from polyethylene, polyethylene ionomer, and ethylene elastomer. 樹脂発泡体層の厚みが100〜3000μmである請求項1乃至6のいずれかに記載の高周波基板材料。 The high-frequency substrate material according to claim 1, wherein the resin foam layer has a thickness of 100 to 3000 μm. 各シーラントのそれぞれの厚みが、1〜500μmである請求項1乃至7のいずれかに記載の高周波基板材料。 The high frequency substrate material according to claim 1, wherein each sealant has a thickness of 1 to 500 μm. 導電層の表面に樹脂からなる保護層を有し、該保護層の厚みが、1〜500μmである請求項1乃至8のいずれかに記載の高周波基板材料。 The high-frequency substrate material according to claim 1, further comprising a protective layer made of a resin on a surface of the conductive layer, wherein the protective layer has a thickness of 1 to 500 μm. 前記保護層が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−4−メチル−ペンテン−1、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル、エチレン−ビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂のいずれかを含むフィルムである請求項9に記載の高周波基板材料。 The high frequency according to claim 9, wherein the protective layer is a film containing any one of polyethylene, polypropylene, poly-4-methyl-pentene-1, polyethylene terephthalate, polyacrylonitrile, ethylene-vinyl alcohol copolymer, and fluororesin. Board material.
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