JP2013206486A - Substrate for suspension, suspension, element equipping suspension, hard disc drive, and manufacturing method of substrate for suspension - Google Patents

Substrate for suspension, suspension, element equipping suspension, hard disc drive, and manufacturing method of substrate for suspension Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a suspension capable of surely insulating a via part connected to a wiring layer from a metal support substrate and being downsized.SOLUTION: A substrate for a suspension includes a metal support substrate 1, an isolation layer 2, and a wiring layer 3. The wiring layer 3 is connected to a via part 6 formed in an opening of the isolation layer 2. The via part 6 is insulated from the metal support substrate 1. A bottom face 61 of the via part is located inside of a bottom face 21 of the isolation layer 2 in a thickness direction.

Description

本発明は、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができるサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension substrate that can reliably insulate a via portion connected to a wiring layer and a metal support substrate and can be downsized.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed. Increasing information transmission speed is required.

HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャ)は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板、絶縁層および配線層がこの順に積層された基本構造を有する。   A suspension substrate (flexure) used in an HDD is usually formed at one end portion, formed at a recording / reproducing element mounting area for mounting a recording / reproducing element such as a magnetic head slider, and at the other end portion. It has an external circuit board connection area for connecting to the external circuit board, and a wiring layer for connecting the recording / reproducing element mounting area and the external circuit board connection area. The suspension substrate usually has a basic structure in which a metal support substrate, an insulating layer, and a wiring layer are laminated in this order.

例えば配線層の端子部の表面には、劣化防止や接続信頼性向上を目的として、めっき部を設けることが知られている。従来、めっき部を形成するために、配線層の一部をめっき線として用いることが知られている。(例えば後述する図3)。これに対して、配線層および金属支持基板を、絶縁層を貫通するビア部により接続した部材(後述する中間部材)を作製し、次に、金属支持基板からの給電により配線層の表面にめっき部を形成し、その後、金属支持基板をエッチングし、配線層(およびビア部)を金属支持基板から独立化する技術が知られている。例えば特許文献1には、電解めっき後、金属薄膜が露出するように、金属支持層に第1開口部を設け、導体層を独立化することが開示されている。また、特許文献2には、金属薄膜が露出することを防ぐために、被覆部(絶縁された金属支持層)を設けることが開示されている。   For example, it is known that a plated portion is provided on the surface of the terminal portion of the wiring layer for the purpose of preventing deterioration and improving connection reliability. Conventionally, it is known to use a part of a wiring layer as a plating wire in order to form a plating portion. (For example, FIG. 3 described later). On the other hand, a member (intermediate member described later) in which the wiring layer and the metal supporting board are connected by a via portion penetrating the insulating layer is manufactured, and then the surface of the wiring layer is plated by feeding from the metal supporting board. A technique is known in which a portion is formed, and then the metal support substrate is etched to make the wiring layer (and via portion) independent from the metal support substrate. For example, Patent Document 1 discloses that after the electroplating, a first opening is provided in the metal support layer so that the metal thin film is exposed, and the conductor layer is made independent. Patent Document 2 discloses that a covering portion (insulated metal support layer) is provided to prevent the metal thin film from being exposed.

なお、無電解めっきを用いる技術ではあるものの、特許文献3には、第1の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上に形成された配線パターンを有し、第1の接地部を金属支持基板の分離部に設けた配線回路基板が開示され、無電解めっき後に、分離部を本体部から分離(切断)することにより、配線パターンを独立化することが開示されている。   Although it is a technique using electroless plating, Patent Document 3 has a wiring pattern formed on the base insulating layer so as to be electrically connected to the metal support substrate in the first ground portion, A printed circuit board in which a first grounding portion is provided in a separation portion of a metal support substrate is disclosed, and the separation of the separation portion from the main body portion after electroless plating makes the wiring pattern independent. Has been.

特開2005−100488号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-1000048 特開2009−259315号公報JP 2009-259315 A 特開2010−171040号公報JP 2010-171040 A

配線層を独立化する場合、配線層に接続されたビア部と、金属支持基板とを確実に絶縁する必要がある。金属支持基板のエッチングは、通常、ドライフィルムレジスト(DFR)等のレジストパターンから露出する金属支持基板に対して行われる。レジストパターンの作製には、多少のアライメント誤差が生じるため、通常は、金属支持基板の開口部のサイズを大きくすることで、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁する。金属支持基板の開口部のサイズが大きくなると、デザイン上の制約が生じ、サスペンション用基板の小型化が図れないという問題がある。   When the wiring layer is made independent, it is necessary to reliably insulate the via portion connected to the wiring layer and the metal supporting board. The etching of the metal support substrate is usually performed on the metal support substrate exposed from a resist pattern such as a dry film resist (DFR). Since a slight alignment error occurs in the production of the resist pattern, the via portion and the metal support substrate are normally reliably insulated by increasing the size of the opening of the metal support substrate. When the size of the opening of the metal support substrate is increased, there is a problem in that the design is restricted and the suspension substrate cannot be reduced in size.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a suspension substrate that can reliably insulate a via portion connected to a wiring layer and a metal support substrate and can be downsized. The main purpose.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続され、上記ビア部は、上記金属支持基板から絶縁され、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面が、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面よりも内側にあることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above-described problems, the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer and having a plating portion on the surface. A suspension substrate, wherein the wiring layer is connected to a via portion formed in an opening portion of an insulating layer, the via portion is insulated from the metal support substrate, and the metal of the via portion in the opening portion is provided. The suspension substrate is characterized in that the surface on the support substrate side is inside the surface of the insulating layer on the metal support substrate side around the opening in the thickness direction.

本発明によれば、ビア部の金属支持基板側の表面が、絶縁層の金属支持基板側の表面よりも内側にあることから、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができる。   According to the present invention, since the surface of the via portion on the side of the metal support substrate is inside the surface of the insulating layer on the side of the metal support substrate, the via portion and the metal support substrate can be reliably insulated, and the size can be reduced. Can be achieved.

上記発明においては、上記ビア部の上記金属支持基板側の表面と、上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面との厚さ方向における差が、1μm以上であることが好ましい。ビア部のエッチング量のバラツキを考慮しても、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁できるからである。   In the above invention, the difference in the thickness direction between the surface of the via portion on the metal support substrate side and the surface of the insulating layer on the metal support substrate side is preferably 1 μm or more. This is because the via portion and the metal supporting board can be reliably insulated even when the variation in the etching amount of the via portion is taken into consideration.

上記発明においては、上記ビア部が、上記配線層とは材料的な連続性を有しないビア部であることが好ましい。ビア部の材料選択の幅が広がるからである。   In the above invention, the via portion is preferably a via portion that does not have material continuity with the wiring layer. This is because the range of material selection for the via portion is widened.

また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the metal support substrate.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化したサスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension substrate, the via portion connected to the wiring layer and the metal support substrate can be reliably insulated, and the suspension can be downsized.

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。   The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化した素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to reliably insulate the via portion connected to the wiring layer and the metal support substrate, and it is possible to provide a miniaturized suspension with an element.

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層の開口部に形成され、上記配線層および金属支持部材を接続するビア部を備える中間部材を準備する準備工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面に上記めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した上記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記金属支持基板形成工程において、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面を、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面よりも内側にすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   Further, in the present invention, a method for manufacturing a suspension substrate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer and having a plated portion on a surface thereof. A step of preparing an intermediate member formed in the opening of the insulating layer and including a via portion for connecting the wiring layer and the metal support member; and by supplying power from the metal support member, A metal support substrate forming step including forming a plating portion on the surface and forming a metal support substrate by etching the metal support member to form the metal support substrate insulated from the via portion. In the step, the surface on the metal support substrate side of the via portion in the opening is the surface on the metal support substrate side of the insulating layer around the opening in the thickness direction. To provide a method for manufacturing a suspension substrate, characterized in that the remote interior.

本発明によれば、ビア部の金属支持基板側の表面を、絶縁層の金属支持基板側の表面よりも内側にすることから、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができる。   According to the present invention, since the surface of the via portion on the side of the metal support substrate is inside the surface of the insulating layer on the side of the metal support substrate, the via portion and the metal support substrate can be reliably insulated, and the size can be reduced. Can be achieved.

本発明のサスペンション用基板は、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができるという効果を奏する。   The suspension substrate according to the present invention has an effect that the via portion connected to the wiring layer and the metal support substrate can be reliably insulated, and the size can be reduced.

本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the board | substrate for suspensions of this invention. 従来のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view illustrating a conventional suspension substrate. 従来のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the conventional board | substrate for suspensions. 本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via part in this invention. 本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via part in this invention. 本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the via part in this invention. 本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the opening part of the metal support substrate in this invention. 本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the opening part of the metal support substrate in this invention. 本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the opening part of the metal support substrate in this invention. 本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension of this invention. 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the suspension with an element of this invention. 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the hard disk drive of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention.

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of the suspension substrate of the present invention will be described in detail.

A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続され、上記ビア部は、上記金属支持基板から絶縁され、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面が、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面よりも内側にあることを特徴とするものである。
A. Suspension substrate The suspension substrate of the present invention is a suspension substrate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer and having a plating portion on the surface. The wiring layer is connected to a via portion formed in an opening portion of an insulating layer, the via portion is insulated from the metal support substrate, and the metal support substrate of the via portion in the opening portion. The surface on the side is inside the surface on the metal support substrate side of the insulating layer around the opening in the thickness direction.

図1は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1(a)はサスペンション用基板の概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a〜103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの一対の配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図1(b)に示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3を覆うように形成されたカバー層4とを有する。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of a suspension substrate of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, illustration of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. A suspension substrate 100 shown in FIG. 1A includes a recording / reproducing element mounting region 101 formed at one tip portion, an external circuit board connection region 102 formed at the other tip portion, and a recording / playback device. A plurality of wiring layers 103a to 103d for electrically connecting the element mounting region 101 and the external circuit board connection region 102 are provided. The wiring layer 103a and the wiring layer 103b are a pair of wiring layers. Similarly, the wiring layer 103c and the wiring layer 103d are also a pair of wiring layers. One of the pair of wiring layers is a writing wiring layer, and the other is a reading wiring layer. As shown in FIG. 1B, the suspension substrate 100 includes a metal support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, and a wiring layer 3 formed on the insulating layer 2. And a cover layer 4 formed so as to cover the wiring layer 3.

図2は、本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。図2(a)は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A断面図であり、図2(c)は図2(a)のB−B断面図である。なお、図2(a)では、便宜上、カバー層およびめっき部の記載は省略している。図2(a)に示すように、配線層3は、素子接続用端子部(図示せず)に接続された引き回し部3aと、引き回し部3aに接続された端子部3b(例えば外部回路基板接続用端子部)と、端子部3bに接続されためっき線部3cとを有する。また、図2(b)に示すように、端子部3bの表面にはめっき部5が形成され、めっき線部3cは絶縁層2の開口部に形成されたビア部6と接続されている。本発明においては、図2(b)、(c)に示すように、ビア部6の底面(金属支持基板1側の表面)61が、厚さ方向において、絶縁層2の底面(金属支持基板1側の表面)21よりも内側(配線層側)にあることを大きな特徴とする。なお、本発明において、複数のビア部6が存在する場合、少なくとも一つのビア部6の底面が、厚さ方向において、絶縁層2の底面21よりも内側にあれば良い。   FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the suspension substrate of the present invention. 2A is a schematic plan view showing an external circuit board connection region in the present invention, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2A, and FIG. It is BB sectional drawing of 2 (a). In FIG. 2A, the cover layer and the plating part are not shown for convenience. As shown in FIG. 2A, the wiring layer 3 includes a routing portion 3a connected to an element connection terminal portion (not shown) and a terminal portion 3b connected to the routing portion 3a (for example, an external circuit board connection). Terminal portion) and a plated wire portion 3c connected to the terminal portion 3b. Further, as shown in FIG. 2B, the plated portion 5 is formed on the surface of the terminal portion 3 b, and the plated wire portion 3 c is connected to the via portion 6 formed in the opening of the insulating layer 2. In the present invention, as shown in FIGS. 2 (b) and 2 (c), the bottom surface (surface on the metal support substrate 1 side) 61 of the via portion 6 is the bottom surface (metal support substrate) of the insulating layer 2 in the thickness direction. It is a great feature that it is on the inner side (wiring layer side) 21 (surface on the one side) 21. In the present invention, when there are a plurality of via portions 6, it is sufficient that the bottom surface of at least one via portion 6 is inside the bottom surface 21 of the insulating layer 2 in the thickness direction.

本発明によれば、ビア部の金属支持基板側の表面が、絶縁層の金属支持基板側の表面よりも内側にあることから、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができる。   According to the present invention, since the surface of the via portion on the side of the metal support substrate is inside the surface of the insulating layer on the side of the metal support substrate, the via portion and the metal support substrate can be reliably insulated, and the size can be reduced. Can be achieved.

ここで、図3に示すように、従来のサスペンション用基板では、複数の端子部3bに、複数のめっき線部3cがそれぞれ形成され、各々のめっき線部3cが、支持枠110の導体層3dに接続されていた。これに対して、図4(a)に示すように、絶縁層2を貫通するビア部6を介してめっき線部3cと金属支持基板1とを接続し、金属支持基板1からの給電によりめっき部5を形成する場合、図3のように、各々が導体層3dに接続されためっき線部3cを設ける必要が無く、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。一方、図4(a)におけるめっき線部3cは、ビア部6を介して金属支持基板1と接続されているため、配線層3を金属支持基板1から独立化する必要がある。   Here, as shown in FIG. 3, in the conventional suspension board, a plurality of plated wire portions 3 c are formed on the plurality of terminal portions 3 b, respectively, and each plated wire portion 3 c is a conductor layer 3 d of the support frame 110. Was connected to. On the other hand, as shown in FIG. 4A, the plating wire portion 3 c and the metal support substrate 1 are connected via the via portion 6 penetrating the insulating layer 2, and plating is performed by feeding from the metal support substrate 1. When the portion 5 is formed, it is not necessary to provide the plated wire portions 3c each connected to the conductor layer 3d as shown in FIG. 3, and the suspension substrate can be downsized. On the other hand, since the plated wire portion 3 c in FIG. 4A is connected to the metal support substrate 1 via the via portion 6, it is necessary to make the wiring layer 3 independent from the metal support substrate 1.

配線層を独立化する場合、図4(b)に示すように、ビア部6の底面に位置する金属支持基板1を除去する方法が挙げられる。しかしながら、この方法では、上述したようにレジストパターン作製時のアライメント誤差の影響により、金属支持基板1の開口部のサイズSが大きくなり、サスペンション用基板の更なる小型化が図れないという問題がある。また、配線層を独立化する他の例として、図4(c)に示すように、ビア部6の底面に位置する金属支持基板を被覆部1aとして残し、被覆部1aの周囲を除去して絶縁する方法が挙げられる。しかしながら、この方法では、リング状開口部のサイズSが大きくなり、サスペンション用基板の更なる小型化が図れないという問題がある。 In order to make the wiring layer independent, as shown in FIG. 4B, a method of removing the metal support substrate 1 located on the bottom surface of the via portion 6 can be used. However, in this method, the influence of the resist pattern produced when the alignment error as described above, increases the size S 1 of the openings of the metal supporting board 1, a problem that further downsizing of the substrate for suspension can not be achieved is is there. Further, as another example of making the wiring layer independent, as shown in FIG. 4C, the metal support substrate located on the bottom surface of the via portion 6 is left as the covering portion 1a, and the periphery of the covering portion 1a is removed. Insulating method is mentioned. However, in this method, the greater the size S 1 of the ring-shaped opening, there is a problem that further miniaturization of the suspension substrate can not be achieved.

これに対して、本発明においては、図2(b)、(c)に示すように、ビア部6の底面61が、厚さ方向において、絶縁層2の底面21よりも内側にあるため、金属支持基板1の開口部のサイズSを従来よりも小さくでき、サスペンション用基板の更なる小型化を図ることができる。また、本発明においては、図4(c)のような被覆部1aを設ける必要が無いため、サスペンション用基板の更なる小型化を図ることができる。サスペンション用基板を小型化することで、例えばサスペンション用基板の製造効率(面付け個数)が向上するという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
On the other hand, in the present invention, as shown in FIGS. 2B and 2C, the bottom surface 61 of the via portion 6 is inside the bottom surface 21 of the insulating layer 2 in the thickness direction. the size S 1 of the openings of the metal supporting board 1 can be made smaller than conventional, it is possible to achieve further miniaturization of the suspension substrate. In the present invention, since it is not necessary to provide the covering portion 1a as shown in FIG. 4C, the suspension substrate can be further reduced in size. By downsizing the suspension substrate, there is an advantage that, for example, the manufacturing efficiency (imposition number) of the suspension substrate is improved.
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.

1.サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有する。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has at least a metal support substrate, an insulating layer, and a wiring layer.

本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。   The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having a spring property, and specific examples include stainless steel. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.

本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。   The insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。   The wiring layer in the present invention is formed on the insulating layer. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be cited, and copper (Cu) is particularly preferable. Moreover, the material of the wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.

上記配線層としては、例えば書込用配線層、読取用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ素子用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層等を挙げることができる。   Examples of the wiring layer include a writing wiring layer, a reading wiring layer, a heat assist wiring layer, an actuator element wiring layer, a power supply wiring layer, a flight height control wiring layer, a ground wiring layer, and a noise shield. Examples thereof include a wiring layer and a wiring layer for preventing crosstalk.

本発明におけるめっき部は、配線層の表面の少なくとも一部に形成されるものである。めっき部を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できる。特に、本発明においては、端子部にめっき部が形成されていることが好ましい。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき、Cuめっき等を挙げることができる。中でも、配線層の表面側からNiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。めっき部の厚さは、例えば0.1μm〜4μmの範囲内である。   The plated portion in the present invention is formed on at least a part of the surface of the wiring layer. By providing the plating part, the deterioration (corrosion etc.) of the wiring layer can be prevented. In particular, in the present invention, it is preferable that a plating part is formed in the terminal part. Although the kind of plating part is not specifically limited, For example, Au plating, Ni plating, Ag plating, Cu plating etc. can be mentioned. Especially, it is preferable that Ni plating and Au plating are formed from the surface side of the wiring layer. The thickness of the plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4 μm.

本発明におけるサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していることが好ましい。配線層の劣化(例えば腐食)を防止することができるからである。カバー層の材料は、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂であることが好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上のカバー層の厚さは、例えば2μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。   The suspension substrate in the present invention preferably has a cover layer covering the wiring layer. This is because deterioration (for example, corrosion) of the wiring layer can be prevented. Examples of the material for the cover layer include the resins described as the material for the insulating layer described above, and among these, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer on the wiring layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm.

2.サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明においては、絶縁層の開口部におけるビア部の底面が、厚さ方向において、開口部の周囲における絶縁層の底面よりも内側にある。図5に示すように、ビア部6の底面61と、絶縁層2の底面21との厚さ方向における差をDとした場合、Dは、例えば1μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましく、5μm以上であることがさらに好ましい。ビア部と金属支持基板とをより確実に絶縁できるからである。一方、Dは、絶縁層2の厚さよりも小さいことが好ましい。本発明におけるビア部が配線層と材料的な連続性を有しない場合、配線層が直接露出することを防止でき、配線層の劣化を防止できるからである。また、隣接するビア部6のピッチをPとした場合、Pは、例えば200μm以下であることが好ましく、100μm〜200μmの範囲内であることがより好ましい。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. In the present invention, the bottom surface of the via portion in the opening portion of the insulating layer is on the inner side of the bottom surface of the insulating layer around the opening portion in the thickness direction. As shown in FIG. 5, when the difference in the thickness direction between the bottom surface 61 of the via 6 and the bottom surface 21 of the insulating layer 2 is D, D is preferably 1 μm or more, for example, and is 3 μm or more. More preferably, it is more preferably 5 μm or more. This is because the via portion and the metal supporting board can be more reliably insulated. On the other hand, D is preferably smaller than the thickness of the insulating layer 2. This is because when the via portion in the present invention does not have material continuity with the wiring layer, it is possible to prevent the wiring layer from being directly exposed and to prevent deterioration of the wiring layer. Moreover, when the pitch of the adjacent via part 6 is set to P, it is preferable that P is 200 micrometers or less, for example, and it is more preferable that it exists in the range of 100 micrometers-200 micrometers.

また、本発明におけるビア部は、図6(a)に示すように、配線層3とは材料的な連続性を有しないビア部6であっても良く、図6(b)に示すように、配線層3と材料的な連続性を有するビア部6であっても良い。   Further, the via portion in the present invention may be a via portion 6 that does not have material continuity with the wiring layer 3 as shown in FIG. 6A, as shown in FIG. 6B. The via portion 6 having material continuity with the wiring layer 3 may be used.

ここで、「材料的な連続性を有しない」とは、材料が異なること、または、同じ材料でも結晶サイズが異なることをいう。一方、「材料的な連続性を有する」とは、材料および結晶サイズが同じであることをいう。後述するアディティブ法のように、ビア部および配線層を同時に形成する場合には、ビア部および配線層の材料および結晶サイズは同じになり、両者は材料的に連続した状態となる。この場合は「材料的な連続性を有する」といえる。一方、後述するサブトラクティブ法のように、ビア部および配線層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一(例えば銅)であっても、配線層の形成後にビア部を形成する場合には、両者の界面に材料的特性(結晶サイズ等)の違いに起因する不連続性が生じる。この場合は「材料的な連続性を有しない」といえる。   Here, “having no material continuity” means that the materials are different, or that the crystal size of the same material is different. On the other hand, “having material continuity” means that the material and the crystal size are the same. When the via portion and the wiring layer are formed simultaneously as in the additive method described later, the material and crystal size of the via portion and the wiring layer are the same, and both are in a material continuous state. In this case, it can be said that “it has material continuity”. On the other hand, when the via part and the wiring layer are made of different materials as in the subtractive method described later, or when the via part is formed after the wiring layer is formed even if the two materials are the same (for example, copper). Causes discontinuity at the interface between the two due to differences in material properties (crystal size, etc.). In this case, it can be said that “there is no material continuity”.

本発明におけるビア部が、配線層とは材料的な連続性を有しないビア部である場合、ビア部の材料選択の幅が広がるという利点がある。ビア部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばめっきを挙げることができる。中でも、本発明においては、ビア部の材料が、配線層の材料よりも耐腐食性が高い材料であることが好ましい。めっきの種類としては、例えばNiめっき等を挙げることができる。電解Niめっき法によりビア部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。   When the via portion in the present invention is a via portion that does not have material continuity with the wiring layer, there is an advantage that the range of material selection for the via portion is widened. The material of the via portion is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include plating. In particular, in the present invention, the material of the via portion is preferably a material having higher corrosion resistance than the material of the wiring layer. Examples of the type of plating include Ni plating. When the via portion is formed by the electrolytic Ni plating method, examples of the electrolytic Ni plating bath used include a watt bath and a sulfamic acid bath.

一方、本発明におけるビア部が、配線層と材料的な連続性を有するビア部である場合、配線層およびビア部を同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができるという利点がある。この場合、図6(b)に示すように、ビア部6は金属支持基板1側の表面に保護部8を有していても良い。保護部8を設けることで、ビア部6が直接露出することを防止でき、ビア部6の劣化を防止できるからである。なお、本発明において、ビア部が保護部を有し、かつ、保護部が導電性を有する場合、「ビア部の金属支持基板側の表面」とは、図6(b)に示すように、保護部8の底面81(金属支持基板1側の表面)をいう。保護部の材料は、特に限定されるものではないが、配線層の材料よりも耐腐食性が高い材料であることが好ましい。また、保護部としては、例えば無電解めっき膜、スパッタ膜等を挙げることができる。なお、必要であれば、配線層とは材料的な連続性を有しないビア部が、保護部を有していても良い。   On the other hand, when the via part in the present invention is a via part having material continuity with the wiring layer, the wiring layer and the via part can be formed at the same time, and the manufacturing process can be simplified. There is. In this case, as shown in FIG. 6B, the via portion 6 may have a protective portion 8 on the surface on the metal support substrate 1 side. This is because the provision of the protective portion 8 can prevent the via portion 6 from being directly exposed and prevent the via portion 6 from being deteriorated. In the present invention, when the via part has a protective part and the protective part has conductivity, the “surface of the via part on the metal support substrate side” means as shown in FIG. This refers to the bottom surface 81 (surface on the metal support substrate 1 side) of the protection unit 8. The material of the protective part is not particularly limited, but is preferably a material having higher corrosion resistance than the material of the wiring layer. Examples of the protective part include an electroless plating film and a sputtered film. If necessary, a via portion that does not have material continuity with the wiring layer may have a protective portion.

本発明における配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続されている。絶縁層の開口部の平面視形状は特に限定されるものではないが、円状、楕円状、櫛状、十字状、棒状、任意の多角形状等を挙げることができる。図2(c)に示すように、絶縁層2の開口部のサイズをSとした場合、Sは、例えば20μm〜60μmの範囲内であり、30μm〜50μmの範囲内であることが好ましい。また、本発明におけるビア部は、通常、金属支持基板から絶縁されている。そのため、ビア部が形成される位置において金属支持基板は除去され、開口部が形成される。金属支持基板の開口部の平面視形状は特に限定されるものではないが、円状、楕円状、櫛状、十字状、棒状、任意の多角形状等を挙げることができる。 The wiring layer in the present invention is connected to a via portion formed in the opening of the insulating layer. The shape of the opening of the insulating layer in plan view is not particularly limited, and examples thereof include a circular shape, an elliptical shape, a comb shape, a cross shape, a rod shape, and an arbitrary polygonal shape. As shown in FIG. 2 (c), when the size of the opening of the insulating layer 2 and S 2, S 2 is in the range of, for example, 20Myuemu~60myuemu, is preferably in the range of 30μm~50μm . Moreover, the via | veer part in this invention is normally insulated from the metal support substrate. Therefore, the metal support substrate is removed at a position where the via portion is formed, and an opening is formed. The shape of the opening of the metal support substrate in plan view is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, a comb, a cross, a bar, and an arbitrary polygon.

また、本発明においては、図7(a)に示すように、絶縁層2の開口部の端部が、金属支持基板1の開口部の端部よりも突出していても良い。両端部の差をLとした場合、Lはより小さいことが好ましい。サスペンション用基板の更なる小型化を図ることができるからである。Lは、例えば30μm以下であることが好ましく、15μm以下であることがより好ましい。また、金属支持基板1の開口部のサイズをS11とした場合、S11は、例えば60μm〜120μmの範囲内であることが好ましく、60μm〜80μmの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、図7(b)に示すように、絶縁層2の開口部の端部と、金属支持基板1の開口部の端部とが略同一であっても良い。「略同一」とは、絶縁層2の開口部の端部と、金属支持基板1の開口部の端部との差(絶対値)が15μm以下(中でも10μm以下、特に5μm未満)であることをいう。 In the present invention, as shown in FIG. 7A, the end of the opening of the insulating layer 2 may protrude from the end of the opening of the metal support substrate 1. If the difference between the both ends was L 1, L 1 is preferably smaller. This is because the suspension substrate can be further reduced in size. L 1 is preferably 30 μm or less, for example, and more preferably 15 μm or less. Further, if the size of the opening of the metal supporting board 1 was S 11, S 11, for example preferably in the range of ranges from 60 m to 120 m, and more preferably in a range of 60Myuemu~80myuemu. In the present invention, as shown in FIG. 7B, the end of the opening of the insulating layer 2 and the end of the opening of the metal support substrate 1 may be substantially the same. “Substantially the same” means that the difference (absolute value) between the end of the opening of the insulating layer 2 and the end of the opening of the metal support substrate 1 is 15 μm or less (in particular, 10 μm or less, particularly less than 5 μm). Say.

一方、本発明においては、図7(c)に示すように、金属支持基板1の開口部の端部が、絶縁層2の開口部の端部よりも突出していても良い。本発明では、ビア部6の底面が厚さ方向において絶縁層2の底面よりも内側にあるため、金属支持基板1の開口部の端部が絶縁層2の開口部の端部よりも突出していても、ビア部6と金属支持基板1とを確実に絶縁できる。金属支持基板1の開口部の端部と絶縁層2の開口部の端部との差をLとした場合、Lは、例えば5μm〜40μmの範囲内であることが好ましく、10μm〜20μmの範囲内であることがより好ましい。また、金属支持基板1の開口部のサイズをS12とした場合、S12は、例えば30μm〜80μmの範囲内であることが好ましく、40μm〜60μmの範囲内であることがより好ましい。 On the other hand, in the present invention, as shown in FIG. 7C, the end of the opening of the metal support substrate 1 may protrude from the end of the opening of the insulating layer 2. In the present invention, since the bottom surface of the via portion 6 is inside the bottom surface of the insulating layer 2 in the thickness direction, the end portion of the opening portion of the metal support substrate 1 protrudes from the end portion of the opening portion of the insulating layer 2. However, the via part 6 and the metal supporting board 1 can be reliably insulated. If the difference between the end of the opening of the metal supporting board 1 and the end portion of the opening of the insulating layer 2 was set to L 2, L 2 is, for example, preferably in the range of 5Myuemu~40myuemu, 10 m to 20 m It is more preferable to be within the range. Further, if the size of the opening of the metal supporting board 1 was S 12, S 12, for example preferably in the range of 30Myuemu~80myuemu, and more preferably in a range of 40Myuemu~60myuemu.

本発明におけるビア部は、配線層に接続できる位置であれば任意の位置に設けることができる。ビア部の位置としては、例えば図2(a)のように、端子部3bよりも下流側(めっき線部3c側)の位置を挙げることができる。また、図示しないが、端子部よりも上流側(引き回し部側)にビア部を設けても良い。なお、本発明における端子部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、外部回路基板接続用端子部、サスペンション用基板の電気検査を行うための電極を接触させるテスト用端子部(テストパッド)等を挙げることができる。   The via portion in the present invention can be provided at any position as long as it can be connected to the wiring layer. As the position of the via portion, for example, as shown in FIG. 2A, the position on the downstream side (plating wire portion 3c side) from the terminal portion 3b can be exemplified. Although not shown, a via portion may be provided on the upstream side (the routing portion side) of the terminal portion. The type of the terminal portion in the present invention is not particularly limited. For example, a test terminal portion (test pad) for contacting an external circuit board connecting terminal portion and an electrode for electrical inspection of the suspension substrate. And the like.

図8〜図10は、本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。図8(a)は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図であり、図8(b)は図8(a)のA−A断面図である。また、図8(a)では、便宜上、絶縁層、カバー層およびめっき部の記載は省略している。なお、これらの事項は、図9および図10においても同様である。本発明における金属支持基板は、図8に示すように、閉じた開口部(全周に金属支持基板が存在する開口部)を有していても良く、図9に示すように、開いた開口部(全周に金属支持基板が存在しない開口部)を有していても良い。また、本発明における金属支持基板は、図10に示すように、閉じた開口部を有する、リング状金属支持部を備えていても良い。   8-10 is a schematic diagram explaining the opening part of the metal support substrate in this invention. FIG. 8A is a schematic plan view showing an external circuit board connection region in the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. Moreover, in FIG. 8A, the description of the insulating layer, the cover layer, and the plating portion is omitted for convenience. These matters are the same in FIG. 9 and FIG. As shown in FIG. 8, the metal supporting board in the present invention may have a closed opening (an opening in which the metal supporting board exists on the entire circumference), and an open opening as shown in FIG. Part (opening in which the metal support substrate does not exist on the entire circumference) may be provided. Moreover, the metal support board | substrate in this invention may be provided with the ring-shaped metal support part which has a closed opening part, as shown in FIG.

また、図11は、本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。図11(a)は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図であり、図11(b)は図11(a)のA−A断面図であり、図11(c)は図11(a)のB−B断面図である。図11に示すように、本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板1とは絶縁されたビア部6aの他に、金属支持基板と接続されたビア部6bを有していても良い。金属支持基板と接続されたビア部6bは、例えば、アクチュエータ素子に接続される共通電源用配線層に用いることができる。   FIG. 11 is a schematic diagram for explaining the suspension substrate of the present invention. FIG. 11A is a schematic plan view showing an external circuit board connection region in the present invention, FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 11A, and FIG. It is BB sectional drawing of 11 (a). As shown in FIG. 11, the suspension substrate of the present invention may have a via portion 6 b connected to the metal support substrate in addition to the via portion 6 a insulated from the metal support substrate 1. The via portion 6b connected to the metal support substrate can be used, for example, in a common power supply wiring layer connected to the actuator element.

B.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension of the present invention includes the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the metal support substrate.

図12は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図12に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。   FIG. 12 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A suspension 300 shown in FIG. 12 includes the suspension substrate 100 described above and a load beam 200 provided on the surface of the suspension substrate 100 on the metal support substrate side.

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化したサスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension substrate, the via portion connected to the wiring layer and the metal support substrate can be reliably insulated, and the suspension can be downsized.

本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、ロードビームとを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。   The suspension of the present invention includes a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.

C.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.

図13は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図13に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300の記録再生用素子実装領域101に実装された記録再生用素子301と、を有するものである。   FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. A suspension with an element 400 shown in FIG. 13 includes the suspension 300 described above and a recording / reproducing element 301 mounted in the recording / reproducing element mounting region 101 of the suspension 300.

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層に接続されたビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化した素子付サスペンションとすることができる。   According to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to reliably insulate the via portion connected to the wiring layer and the metal support substrate, and it is possible to provide a miniaturized suspension with an element.

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「B.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。また、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等の他の素子を有していても良い。   The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. Further, the recording / reproducing element in the present invention is not particularly limited, but an element having a magnetism generating element is preferable. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned. The suspension with an element of the present invention may have other elements such as a thermal assist element and an actuator element.

D.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.

図14は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図14に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。   FIG. 14 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A hard disk drive 500 shown in FIG. 14 includes the above-described suspension 400 with an element, a disk 401 on which data is written and read by the suspension 400 with an element, a spindle motor 402 that rotates the disk 401, and the elements of the suspension 400 with an element. Arm 403 and voice coil motor 404, and a case 405 for sealing the above members.

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「C.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。   The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.

E.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層の開口部に形成され、上記配線層および金属支持部材を接続するビア部を備える中間部材を準備する準備工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面に上記めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した上記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記金属支持基板形成工程において、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面を、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面よりも内側にすることを特徴とするものである。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. A method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer and having a plating portion on the surface. A method for manufacturing a substrate, comprising: a preparation step of preparing an intermediate member that is formed in an opening of the insulating layer and includes a via portion that connects the wiring layer and the metal support member; and power supply from the metal support member, A plating portion forming step for forming the plating portion on the surface of the wiring layer; and a metal supporting substrate forming step for etching the metal supporting member to form the metal supporting substrate insulated from the via portion. In the metal support substrate forming step, the surface of the via portion in the opening on the metal support substrate side in the thickness direction is the gold of the insulating layer around the opening. It is characterized in that inside the surface of the support substrate side.

図15は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図15においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図15(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングを行い、配線層3を形成する(図15(b))。この際、金属支持部材1Aに対して、同時にウェットエッチングを行い、治具孔等を設けても良い。次に、配線層3上にカバー層4を形成し(図15(c))、絶縁部材2Aに対してウェットエッチングを行い、開口部を有する絶縁層2を形成する(図15(d))。次に、金属支持部材1Aからの給電により、配線層3および金属支持部材1Aを接続するビア部6を絶縁層2の開口部に形成する。これにより、中間部材11が得られる(図15(e))。次に、金属支持部材1Aからの給電により、配線層3(端子部3b)の表面にめっき部5を形成する(図15(f))。次に、金属支持部材1Aに対してウェットエッチングを行い、ビア部6と絶縁した金属支持基板1を形成する(図15(g))。その後、更なるエッチング(オーバーエッチング)を連続的に行い、ビア部6の底面61を、厚さ方向において、絶縁層2の底面21よりも内側にする(図15(h))。これにより、サスペンション用基板が得られる。   FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. In FIG. 15, first, a laminated member in which the metal supporting member 1A, the insulating member 2A, and the conductor member 3A are laminated in this order is prepared (FIG. 15A). Next, wet etching is performed on the conductor member 3A to form the wiring layer 3 (FIG. 15B). At this time, wet etching may be simultaneously performed on the metal supporting member 1A to provide a jig hole or the like. Next, the cover layer 4 is formed on the wiring layer 3 (FIG. 15C), and the insulating member 2A is wet-etched to form the insulating layer 2 having an opening (FIG. 15D). . Next, via portions 6 that connect the wiring layer 3 and the metal support member 1 </ b> A are formed in the opening of the insulating layer 2 by power feeding from the metal support member 1 </ b> A. Thereby, the intermediate member 11 is obtained (FIG.15 (e)). Next, the plating part 5 is formed on the surface of the wiring layer 3 (terminal part 3b) by power feeding from the metal supporting member 1A (FIG. 15 (f)). Next, wet etching is performed on the metal support member 1A to form the metal support substrate 1 insulated from the via portion 6 (FIG. 15G). Thereafter, further etching (over-etching) is continuously performed so that the bottom surface 61 of the via portion 6 is located inside the bottom surface 21 of the insulating layer 2 in the thickness direction (FIG. 15H). Thereby, a suspension substrate is obtained.

図16は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。図16においては、まず、金属支持部材1Aを準備する(図16(a))。次に、金属支持部材1Aの表面上に、開口部を有する絶縁層2を形成する(図16(b))。次に、図示しないが、絶縁層2側の表面全体に、スパッタリングによりシード層を形成し、所定のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンから露出するシード層の表面に配線層3を形成する(図16(c))。次に、配線層3上にカバー層4を形成する(図16(d))。これにより、中間部材11が得られる。次に、金属支持部材1Aからの給電により、配線層3(端子部3b)の表面にめっき部5を形成する(図16(e))。次に、金属支持部材1Aに対してウェットエッチングを行い、ビア部6と絶縁した金属支持基板1を形成する(図16(f))。その後、更なるエッチング(オーバーエッチング)を連続的に行い、ビア部6の底面61を、厚さ方向において、絶縁層2の底面21よりも内側にする(図16(g))。最後に、底面61を保護する保護部8(例えば無電解Niめっき膜)を形成する(図16(h))。これにより、サスペンション用基板が得られる。   FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing another example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. In FIG. 16, first, a metal support member 1A is prepared (FIG. 16 (a)). Next, the insulating layer 2 having an opening is formed on the surface of the metal support member 1A (FIG. 16B). Next, although not shown, a seed layer is formed on the entire surface on the insulating layer 2 side by sputtering to form a predetermined resist pattern. Next, the wiring layer 3 is formed on the surface of the seed layer exposed from the resist pattern (FIG. 16C). Next, the cover layer 4 is formed on the wiring layer 3 (FIG. 16D). Thereby, the intermediate member 11 is obtained. Next, the plating part 5 is formed on the surface of the wiring layer 3 (terminal part 3b) by power feeding from the metal support member 1A (FIG. 16E). Next, wet etching is performed on the metal support member 1A to form the metal support substrate 1 insulated from the via portion 6 (FIG. 16F). Thereafter, further etching (over-etching) is continuously performed so that the bottom surface 61 of the via portion 6 is located inside the bottom surface 21 of the insulating layer 2 in the thickness direction (FIG. 16G). Finally, a protective portion 8 (for example, an electroless Ni plating film) that protects the bottom surface 61 is formed (FIG. 16H). Thereby, a suspension substrate is obtained.

本発明によれば、ビア部の金属支持基板側の表面を、絶縁層の金属支持基板側の表面よりも内側にすることから、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、例えば、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。   According to the present invention, since the surface of the via portion on the side of the metal support substrate is inside the surface of the insulating layer on the side of the metal support substrate, the via portion and the metal support substrate can be reliably insulated, and the size can be reduced. Can be achieved. Moreover, the manufacturing method of the suspension substrate according to the present invention can be roughly classified into, for example, a manufacturing method by a subtractive method and a manufacturing method by an additive method.

1.サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口部に、上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成するビア部形成工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。なお、上述した図15は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
1. Subtractive Method First, a manufacturing method using the subtractive method will be described. As an example of the manufacturing method by the subtractive method, a laminated member preparing step for preparing a laminated member in which a metal supporting member, an insulating member, and a conductor member are laminated in this order, and wiring for forming a wiring layer by etching the conductor member A layer forming step, a cover layer forming step of forming a cover layer on the wiring layer, an insulating layer forming step of etching the insulating member to form an insulating layer having an opening, and the wiring in the opening A via part forming step for forming a layer and a via part for connecting the metal support member; a plating part forming step for forming a plated part on the surface of the wiring layer by feeding from the metal support member; and the metal support member And a metal support substrate forming step for forming a metal support substrate insulated from the via portion. FIG. 15 described above is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate by a subtractive method.
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate by the subtractive method will be described step by step.

(1)積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する工程である。
(1) Laminated member preparation process A laminated member preparation process is a process of preparing the laminated member by which the metal supporting member, the insulating member, and the conductor member were laminated | stacked in this order.

サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層部材の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して、絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。   In the subtractive method, a metal supporting board is obtained by etching the metal supporting member of the laminated member, an insulating layer is obtained by etching the insulating member of the laminated member, and the conductive member of the laminated member is etched. A wiring layer is obtained. The laminated member may be a commercially available three-layer material, or may be obtained by sequentially forming an insulating member and a conductor member on a metal support member.

(2)配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。
(2) Wiring layer formation process A wiring layer formation process is a process of etching the said conductor member and forming a wiring layer.

配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。   Examples of the method for forming the wiring layer include a method in which a resist pattern is formed on a conductive member of a laminated member using a dry film resist (DFR) or the like, and the conductive member exposed from the resist pattern is wet-etched. Can do. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is Cu, an iron chloride-based etching solution or the like can be used.

また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。   In the subtractive method, the metal support member may be etched simultaneously with the etching of the conductor member. Examples of the etching of the metal support member include etching for forming a jig hole. Further, if necessary, part of the processing performed in the metal support substrate forming step described later may be performed simultaneously with the etching of the conductor member.

(3)カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
(3) Cover layer forming step The cover layer forming step is a step of forming a cover layer on the wiring layer.

カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。   The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. In addition, when the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the entire surface of the cover layer, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. The cover layer can be obtained.

(4)絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
(4) Insulating layer forming step The insulating layer forming step is a step of etching the insulating member to form an insulating layer having an opening.

絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。   Examples of the method for forming the insulating layer include a method of forming a resist pattern on the insulating member using a dry film resist (DFR) or the like, and wet etching the insulating member exposed from the resist pattern. . The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating member. For example, when the material of the insulating member is a polyimide resin, an alkaline etchant or the like can be used.

(5)ビア部形成工程
ビア部形成工程は、上記開口部に、上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成する工程である。
(5) Via part formation process A via part formation process is a process of forming a via part for connecting the wiring layer and the metal support member to the opening.

ビア部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。本発明においては、金属支持部材からの給電により、ビア部を形成することが好ましい。また、例えば、Niめっきから構成されるビア部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件(めっき時間、印加電圧等)を選択すれば良い。   The method for forming the via portion is not particularly limited as long as it can obtain a desired plated portion, and for example, an electrolytic plating method can be exemplified. In the present invention, the via portion is preferably formed by power feeding from the metal support member. In addition, for example, when forming a via portion made of Ni plating, examples of the electrolytic Ni plating bath used include a watt bath and a sulfamic acid bath. The plating conditions are not particularly limited, and desired conditions (plating time, applied voltage, etc.) may be selected.

(6)めっき部形成工程
めっき部形成工程は、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面にめっき部を形成する工程である。
(6) Plating part formation process A plating part formation process is a process of forming a plating part in the surface of the above-mentioned wiring layer by electric power feeding from the above-mentioned metal support member.

金属めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば電解Auめっき浴としては、シアン化金浴、酸性金浴等を挙げることができる。   The method for forming the metal plating part is not particularly limited as long as a desired plating part can be obtained, and examples thereof include an electrolytic plating method. For example, examples of the electrolytic Au plating bath include a gold cyanide bath and an acidic gold bath.

(7)金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。さらに、本工程において、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面を、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面よりも内側にする。
(7) Metal support substrate forming step The metal support substrate forming step is a step of etching the metal support member to form a metal support substrate insulated from the via portion. In this step, the outer shape of the metal support substrate is usually processed. Further, in this step, the surface on the metal support substrate side of the via portion in the opening is made inward of the surface on the metal support substrate side of the insulating layer around the opening in the thickness direction. .

金属支持基板の形成方法としては、例えば、金属支持部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。   As a method for forming a metal support substrate, for example, a method of forming a resist pattern using a dry film resist (DFR) or the like on a conductor member of a metal support member and wet etching the metal support member exposed from the resist pattern Can be mentioned. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the metal support member is stainless steel, an iron chloride-based etching solution or the like can be used. .

2.アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に配線層を形成し、同時に、上記開口部に上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。なお、上述した図16は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
2. Additive Method Next, a manufacturing method using the additive method will be described. As an example of the manufacturing method by the additive method, a metal support member preparing step for preparing a metal support member, an insulating layer forming step for forming an insulating layer having an opening on the metal support member, and wiring on the insulating layer Forming a layer and simultaneously forming a via layer connecting the wiring layer and the metal supporting member in the opening, forming a cover layer on the wiring layer, and forming a cover layer on the wiring layer; A plating portion forming step for forming a plating portion on the surface of the wiring layer by power feeding from the metal support member, and a metal support substrate forming step for etching the metal support member to form a metal support substrate insulated from the via portion. And a production method having: In addition, FIG. 16 mentioned above is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions by an additive method.
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate by the additive method will be described step by step.

(1)金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
(1) Metal support member preparation process A metal support member preparation process is a process of preparing a metal support member. For example, a commercially available metal support member can be used as the metal support member.

(2)絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
(2) Insulating layer forming step The insulating layer forming step is a step of forming an insulating layer having an opening on the metal support member.

絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。   The method for forming the insulating layer is not particularly limited, and it is preferable to select appropriately according to the material of the insulating layer. For example, when the material of the insulating layer is a photosensitive material, a patterned insulating layer can be obtained by exposing and developing the insulating layer formed on the entire surface. In addition, when the material of the insulating layer is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the surface of the insulating layer formed on the entire surface, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching to form a pattern. Insulating layer can be obtained.

(3)配線層形成工程
配線層形成工程は、上記絶縁層上に配線層を形成し、同時に、上記開口部に上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成する工程である。
(3) Wiring Layer Forming Step The wiring layer forming step is a step of forming a wiring layer on the insulating layer and simultaneously forming a via portion connecting the wiring layer and the metal support member in the opening.

配線層およびビア部の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。具体的には、絶縁層上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層の表面上に、電解めっき法を行う方法を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。   Examples of the method for forming the wiring layer and the via portion include an electrolytic plating method. Specifically, a method of forming a resist pattern on the insulating layer using a dry film resist (DFR) or the like, and performing electrolytic plating on the surface of the insulating layer exposed from the resist pattern can be exemplified. . When the electrolytic plating method is used, it is preferable to form a seed layer on the surface of the insulating layer by sputtering or the like before forming the wiring layer.

(4)その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法における各工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
(4) Other Steps The other steps are the same as the steps in the subtractive method described above, and a description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図15(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し(図15(b))、金属支持部材に治具孔を形成した(図示せず)。
[Example 1]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 15A). . Next, a dry film resist was laminated on both surfaces of the laminated member to form a resist pattern. Next, etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching. Thereby, a wiring layer was formed from the conductor member (FIG. 15B), and a jig hole was formed in the metal support member (not shown).

その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した(図15(c))。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成した(図15(d))。次に、金属支持部材からの給電により、配線層および金属支持部材を接続するビア部(電解Niめっき)を形成した(図15(e))。次に、金属支持部材からの給電により、配線層の端子部に、めっき部(電解Auめっき)を形成した(図15(f))。最後に、塩化第二鉄液を用いて、金属支持部材のエッチングを行った(図15(g)、(h))。これにより、サスペンション用基板を得た。図5に示したDを測定したところ、Dは1μmであった。   Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned wiring layer with a die coater, and a cover layer was formed by predetermined patterning (FIG. 15C). Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was wet-etched to form an insulating layer having an opening (FIG. 15D). Next, via portions (electrolytic Ni plating) for connecting the wiring layer and the metal support member were formed by power feeding from the metal support member (FIG. 15E). Next, a plated portion (electrolytic Au plating) was formed on the terminal portion of the wiring layer by power feeding from the metal support member (FIG. 15 (f)). Finally, the metal support member was etched using a ferric chloride solution (FIGS. 15G and 15H). As a result, a suspension substrate was obtained. When D shown in FIG. 5 was measured, D was 1 μm.

1…金属支持基板、 1a…被覆部、 2…絶縁層、 3…配線層、 3a…引き回し部、 3b…端子部、 3c…めっき線部、 3d…導体層、 4…カバー層、 5…めっき部、 6…ビア部、 8…保護部、 21…絶縁層の底面、 61…ビア部の底面 81…保護部の底面、 100…サスペンション用基板、 101…記録再生用素子実装領域、 102…外部回路基板接続領域、 103…配線層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support board | substrate, 1a ... Covering part, 2 ... Insulating layer, 3 ... Wiring layer, 3a ... Leading part, 3b ... Terminal part, 3c ... Plating wire part, 3d ... Conductor layer, 4 ... Cover layer, 5 ... Plating , 6 ... via part, 8 ... protection part, 21 ... bottom surface of insulating layer, 61 ... bottom surface of via part, 81 ... bottom surface of protection part, 100 ... suspension substrate, 101 ... recording / reproducing element mounting region, 102 ... external Circuit board connection region, 103 ... wiring layer

Claims (7)

金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続され、
前記ビア部は、前記金属支持基板から絶縁され、
前記開口部における前記ビア部の前記金属支持基板側の表面が、厚さ方向において、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記金属支持基板側の表面よりも内側にあることを特徴とするサスペンション用基板。
A suspension substrate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer formed on the insulating layer and having a plating portion on a surface thereof,
The wiring layer is connected to a via portion formed in the opening of the insulating layer,
The via portion is insulated from the metal support substrate;
The suspension is characterized in that the surface of the via portion in the opening on the side of the metal support substrate is inside the surface of the insulating layer on the side of the metal support substrate in the thickness direction. Substrate.
前記ビア部の前記金属支持基板側の表面と、前記絶縁層の前記金属支持基板側の表面との厚さ方向における差が、1μm以上であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。   2. The suspension according to claim 1, wherein a difference in a thickness direction between a surface of the via portion on the metal support substrate side and a surface of the insulating layer on the metal support substrate side is 1 μm or more. substrate. 前記ビア部が、前記配線層とは材料的な連続性を有しないビア部であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to claim 1, wherein the via portion is a via portion that does not have material continuity with the wiring layer. 請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。   A suspension comprising: the suspension substrate according to any one of claims 1 to 3; and a load beam provided on a surface of the metal support substrate. 請求項4に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。   5. A suspension with an element, comprising: the suspension according to claim 4; and a recording / reproducing element disposed on the suspension. 請求項5に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。   A hard disk drive comprising the suspension with an element according to claim 5. 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記絶縁層の開口部に形成され、前記配線層および金属支持部材を接続するビア部を備える中間部材を準備する準備工程と、
前記金属支持部材からの給電により、前記配線層の表面に前記めっき部を形成するめっき部形成工程と、
前記金属支持部材をエッチングし、前記ビア部と絶縁した前記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、
前記金属支持基板形成工程において、前記開口部における前記ビア部の前記金属支持基板側の表面を、厚さ方向において、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記金属支持基板側の表面よりも内側にすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A method for manufacturing a suspension substrate, comprising: a metal support substrate; an insulating layer formed on the metal support substrate; and a wiring layer formed on the insulating layer and having a plating portion on a surface thereof.
A preparatory step of preparing an intermediate member that is formed in the opening of the insulating layer and includes a via portion that connects the wiring layer and the metal support member;
A plating part forming step of forming the plating part on the surface of the wiring layer by feeding from the metal support member;
Etching the metal support member, and forming a metal support substrate forming the metal support substrate insulated from the via portion,
In the metal support substrate forming step, the surface of the via portion in the opening on the metal support substrate side in the thickness direction is inside the surface on the metal support substrate side of the insulating layer around the opening. A method for manufacturing a suspension substrate, comprising:
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