JP2013203593A - Polycrystalline silicon reactor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、加熱したシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させて多結晶シリコンのロッドを製造する多結晶シリコン反応炉に関する。 The present invention relates to a polycrystalline silicon reactor for producing polycrystalline silicon rods by depositing polycrystalline silicon on the surface of a heated silicon core rod.
一般に、半導体材料となる高純度の多結晶シリコンの製造方法として、シーメンス法が知られている。シーメンス法は、クロロシランと水素との混合ガスからなる原料ガスを加熱したシードに接触させ、その表面に原料ガスの熱分解および水素還元によって生じた多結晶シリコンを析出させる製造方法である。この製造方法を実施する装置として、密閉した反応炉の炉底に設置された電極ユニットに多数のシリコン芯棒(スタータフィラメント)を立設した多結晶シリコン反応炉が用いられている(特許文献1参照)。 In general, the Siemens method is known as a method for producing high-purity polycrystalline silicon used as a semiconductor material. The Siemens method is a manufacturing method in which a raw material gas composed of a mixed gas of chlorosilane and hydrogen is brought into contact with a heated seed, and polycrystalline silicon generated by thermal decomposition of the raw material gas and hydrogen reduction is deposited on the surface. As an apparatus for carrying out this manufacturing method, a polycrystalline silicon reactor in which a large number of silicon core rods (starter filaments) are erected on an electrode unit installed at the bottom of a closed reactor is used (Patent Document 1). reference).
また特許文献2に示すように、従来、多結晶シリコン反応炉において、上下方向に沿って設けられた2本の棒状のシリコン芯棒と、これらシリコン芯棒の上端部同士を接続する連結部材とによりΠ字状に形成されたシード組立体が固定されている。このシード組立体は、電極ユニットを通じて電流が供給されてジュール熱が発生することにより、高温に加熱される。電極ユニットはカーボン等の導電材からなる芯棒保持電極を備え、反応炉の底部に固定されて、シリコン芯棒の下端部を保持している。 Moreover, as shown in Patent Document 2, conventionally, in a polycrystalline silicon reactor, two rod-shaped silicon core rods provided along the vertical direction, and a connecting member that connects upper ends of these silicon core rods, The seed assembly formed in a square shape is fixed by the above. The seed assembly is heated to a high temperature by supplying current through the electrode unit and generating Joule heat. The electrode unit includes a core rod holding electrode made of a conductive material such as carbon, and is fixed to the bottom of the reaction furnace to hold the lower end portion of the silicon core rod.
特許文献2に記載された多結晶シリコン反応炉においては、カーボン製の芯棒保持電極の先端に、上下方向に延びる開口部が設けられている。シリコン芯棒はこの開口部に挿入されることにより立設され、芯棒保持電極に螺合する止めネジによって芯棒保持電極に対して固定される。多結晶シリコンは、シリコン芯棒全体と芯棒保持電極の上部を覆うように析出し、シリコン芯棒ごと切断されて多結晶シリコンロッドとして回収される。 In the polycrystalline silicon reactor described in Patent Document 2, an opening extending in the vertical direction is provided at the tip of a carbon core rod holding electrode. The silicon core rod is erected by being inserted into the opening, and is fixed to the core rod holding electrode by a set screw screwed into the core rod holding electrode. The polycrystalline silicon is deposited so as to cover the entire silicon core rod and the upper portion of the core rod holding electrode, and the whole silicon core rod is cut and recovered as a polycrystalline silicon rod.
特許文献2に記載された多結晶シリコン反応炉においては、析出した多結晶シリコンの汚染を抑制するため、芯棒保持電極や止めネジはカーボンで形成されている。しかしながら、カーボンは精密な加工が難しく、精度が悪いと止めネジの螺合が緩くなる、あるいは螺入時にねじ山が削れるなどして、シリコン芯棒の固定が不完全になるおそれがある。 In the polycrystalline silicon reactor described in Patent Document 2, the core rod holding electrode and the set screw are made of carbon in order to suppress contamination of the deposited polycrystalline silicon. However, carbon is difficult to precisely process, and if the accuracy is poor, the screwing of the set screw may be loosened, or the screw thread may be shaved when screwed in, which may result in incomplete fixing of the silicon core rod.
シリコン芯棒の固定が不十分であると、シリコン芯棒と芯棒保持電極との接触が不十分となって局所的に電流が流れ、局部的な温度上昇によりシリコン芯棒の溶断が発生したり、シリコン芯棒への通電が不十分となってシリコン析出量の低下が起こったりするおそれがある。さらには、シリコン芯棒が傾いた状態になると、自重による倒壊や、シリコン芯棒が隣接して立設されている場合には相互に接触することによる連続した倒壊あるいは地絡による通電異常が生じるといった問題が発生する。このため、安定した反応が維持できず、シリコンの生産量が低下してしまうことになるため、芯棒保持電極に対して止めネジが確実に螺合される構造が求められる。 If the silicon core is not fixed enough, the contact between the silicon core and the core holding electrode will be insufficient, causing a current to flow locally, and the silicon core will melt due to local temperature rise. In addition, there is a risk that the amount of deposited silicon may be reduced due to insufficient energization of the silicon core rod. Furthermore, when the silicon core rod is tilted, it may collapse due to its own weight, or when the silicon core rod is installed adjacent to each other, continuous collapse due to contact with each other or abnormal energization due to a ground fault occurs. Such a problem occurs. For this reason, a stable reaction cannot be maintained, and the production amount of silicon is reduced. Therefore, a structure in which a set screw is reliably screwed to the core rod holding electrode is required.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、シリコン芯棒を確実に支持可能とする多結晶シリコン反応炉を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, and it aims at providing the polycrystalline silicon reactor which can support a silicon | silicone core rod reliably.
本発明は、反応炉内にクロロシラン類等のシリコン化合物を含む原料ガスを供給するとともに、この反応炉内のシリコン芯棒に通電して発熱させ、このシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させてロッドとして成長させる多結晶シリコン反応炉であって、前記反応炉の底板部に、この底板部に対して電気絶縁状態に設けられた電極と、この電極に立設され、前記シリコン芯棒を保持する芯棒保持穴が形成されているとともに、この芯棒保持穴の側方に外面から連通するネジ穴が形成されているカーボン製の芯棒ホルダと、この芯棒ホルダの前記ネジ穴に螺合して前記シリコン芯棒を固定するカーボン製の止めネジとを備え、前記芯棒ホルダに比較して、前記止めネジは熱膨張係数が大きいことを特徴とする。 The present invention supplies a raw material gas containing a silicon compound such as chlorosilanes into the reaction furnace, energizes the silicon core rod in the reaction furnace to generate heat, and deposits polycrystalline silicon on the surface of the silicon core rod. A polycrystalline silicon reactor that grows as a rod, an electrode provided in an electrically insulated state with respect to the bottom plate portion of the reactor, and a silicon core rod standing on the electrode A core rod holder for holding the core rod, and a carbon core rod holder in which a screw hole communicating from the outer surface to the side of the core rod holding hole is formed, and the screw hole of the core rod holder And a set screw made of carbon for fixing the silicon core rod to the core rod holder. The set screw has a larger thermal expansion coefficient than the core rod holder.
この多結晶シリコン反応炉によれば、芯棒ホルダの熱膨張係数よりも止めネジの熱膨張係数が大きいので、加熱された芯棒ホルダおよび止めネジが高温となることにより芯棒ホルダのネジ穴と止めネジとのクリアランスが小さくなって螺合が強固となり止めネジがゆるみ難くなり、シリコン芯棒を確実に支持できる。 According to this polycrystalline silicon reactor, since the thermal expansion coefficient of the set screw is larger than the thermal expansion coefficient of the core rod holder, the heated core rod holder and the set screw become hot and the screw hole of the core rod holder The clearance between the set screw and the screw becomes small, the screwing becomes strong, the set screw is difficult to loosen, and the silicon core rod can be reliably supported.
この多結晶シリコン反応炉において、前記ホルダに比較して、前記止めネジの機械的強度が大きいことが好ましい。この場合、シリコン芯棒の着脱や保持状態の調整等を目的として止めネジを複数回緩めたり、締め直したりした場合にも、止めネジのねじ山の摩耗や破損を低減することができる。したがって、止めネジがゆるみ難い状態を維持することができ、シリコン芯棒を確実に支持できる。 In this polycrystalline silicon reactor, it is preferable that the mechanical strength of the set screw is larger than that of the holder. In this case, even when the set screw is loosened or retightened several times for the purpose of attaching / detaching the silicon core rod or adjusting the holding state, it is possible to reduce wear and breakage of the set screw thread. Therefore, it is possible to maintain a state in which the set screw is difficult to loosen, and to reliably support the silicon core rod.
この多結晶シリコン反応炉において、前記芯棒ホルダの曲げ強さが20MPa以上30MPa以下、熱膨張係数が2.0×10-6/℃以上4.0×10-6/℃以下であり、前記止めネジの曲げ強さが40MPa以上60MPa以下、熱膨張係数が3.5×10-6/℃以上5.0×10-6/℃以下であることが好ましい。 In the polycrystalline silicon reactor, the core rod holder has a bending strength of 20 MPa to 30 MPa, a thermal expansion coefficient of 2.0 × 10 −6 / ° C. to 4.0 × 10 −6 / ° C., It is preferable that the bending strength of the set screw is 40 MPa or more and 60 MPa or less, and the thermal expansion coefficient is 3.5 × 10 −6 / ° C. or more and 5.0 × 10 −6 / ° C. or less.
芯棒ホルダの曲げ強さが前記範囲よりも低いと、シリコン芯棒へのシリコン析出過程で反応の原料ガス流によりシリコン芯棒が揺れたりすることで傾くなどした場合、多結晶シリコンの析出により増加するシリコンロッドの重量を支え切れずに芯棒ホルダの破損やこれによるシリコンロッドの倒壊のおそれがある。一方、芯棒ホルダの曲げ強さが前記範囲よりも高いと、多結晶シリコン析出後の回収時に切断しにくくなり、回収作業に手間がかかる。 If the bending strength of the core rod holder is lower than the above range, if the silicon core rod is tilted by shaking the raw material gas flow during the silicon deposition process on the silicon core rod, There is a fear that the core rod holder may be damaged without being able to support the increasing weight of the silicon rod, or the silicon rod may be collapsed. On the other hand, when the bending strength of the core rod holder is higher than the above range, it becomes difficult to cut during collection after the polycrystalline silicon is deposited, which takes time for the collection work.
また、芯棒ホルダの熱膨張係数が前記範囲ではない場合は、シリコン析出後の冷却時においてシリコンとの熱膨張係数差が大きく、シリコンのクラックや割れが生じやすくなる。芯棒ホルダの熱膨張係数が前記範囲よりも高く止めネジの曲げ強さが前記範囲よりも低い場合、芯棒ホルダへの止めネジ螺挿時において止めねじが欠けたり、シリコン芯棒を強固に固定できなかったりするおそれがある。また、止めネジの曲げ強さが前記範囲よりも高い場合、加工しにくく、量産が難しくなる。 Further, when the thermal expansion coefficient of the core rod holder is not within the above range, the difference in thermal expansion coefficient from silicon is large during cooling after silicon deposition, and silicon cracks and cracks are likely to occur. When the thermal expansion coefficient of the core rod holder is higher than the above range and the bending strength of the set screw is lower than the above range, the set screw may be missing when the set screw is inserted into the core rod holder. There is a risk that it cannot be fixed. Moreover, when the bending strength of a set screw is higher than the said range, it is difficult to process and mass production becomes difficult.
また、止めネジの熱膨張係数が前記範囲よりも低いと、螺合を強固にする効果が不十分なものとなる。一方、止めネジの熱膨張係数が前記範囲よりも高いと、通電時において芯棒ホルダのネジ部あるいは本体の破損が生じるおそれがある。 On the other hand, if the thermal expansion coefficient of the set screw is lower than the above range, the effect of strengthening the screwing becomes insufficient. On the other hand, if the thermal expansion coefficient of the set screw is higher than the above range, the threaded portion of the core rod holder or the main body may be damaged during energization.
芯棒ホルダと止めネジの熱膨張係数については、上記範囲において、芯棒ホルダの熱膨張係数<止めネジの熱膨張係数となるような範囲が望ましい。また、芯棒ホルダの熱膨張係数と止めネジの熱膨張係数の差は、通電時の芯棒ホルダの破損を防止し、安定したシリコン析出を可能とするために、1.5×10-6/℃以下が望ましい。 The thermal expansion coefficient of the core rod holder and the set screw is preferably in the above range so that the thermal expansion coefficient of the core rod holder <the thermal expansion coefficient of the set screw. Further, the difference between the thermal expansion coefficient of the core rod holder and the thermal expansion coefficient of the set screw is 1.5 × 10 −6 in order to prevent damage to the core rod holder during energization and enable stable silicon deposition. / ° C or less is desirable.
この多結晶シリコン反応炉において、前記芯棒ホルダが押出成形材を切削して形成され、前記止めネジが冷間等方圧プレス成形材を切削して形成されていることが好ましい。一般にカーボンの押出成形材は熱膨張係数が低いので、前記芯棒ホルダの材料を得る上で好適である。一方、カーボンの冷間等方圧プレス成形材は、押出成形材に比較して機械的強度が高く、線膨張係数が高いので、本発明の多結晶シリコン反応炉における止めネジの材料に好適である。 In this polycrystalline silicon reactor, the core rod holder is preferably formed by cutting an extrusion molding material, and the set screw is formed by cutting a cold isostatic press molding material. In general, a carbon extrusion molding material has a low coefficient of thermal expansion, which is suitable for obtaining the material for the core rod holder. On the other hand, the carbon cold isostatic press-molded material is suitable for the set screw material in the polycrystalline silicon reactor of the present invention because it has higher mechanical strength and higher linear expansion coefficient than the extruded material. is there.
本発明によれば、シリコン芯棒を確実に支持可能とする多結晶シリコン反応炉を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a polycrystalline silicon reactor that can reliably support a silicon core rod.
以下、本発明の多結晶シリコン反応炉の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、反応炉10内にクロロシラン類等のシリコン化合物を含む原料ガスを供給するとともに、この反応炉10内のシリコン芯棒20に通電して発熱させ、このシリコン芯棒20の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコン製造装置の全体図である。
Hereinafter, an embodiment of a polycrystalline silicon reactor of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 1, a raw material gas containing a silicon compound such as chlorosilanes is supplied into a
多結晶シリコン製造装置の反応炉10は、炉底を構成する底板部12と、この底板部12上に脱着自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ14とを具備している。底板部12の上面はほぼ平坦な水平面に形成される。ベルジャ14は、全体として釣鐘形状をしていて、天井がドーム型であって、その内部空間は中央部が最も高く外周部が最も低く形成されている。また、底板部12およびベルジャ14の壁はジャケット構造(図示略)とされ、冷却水によって冷却される。
The
底板部12には、多結晶シリコンの種棒(シード)となるシリコン芯棒20が取り付けられる電極ユニット30と、クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスを炉内に噴出するための噴出ノズル(ガス供給口)16と、反応後のガスを炉外に排出するためのガス排出口18とがそれぞれ複数設けられている。
The
原料ガスの噴出ノズル16は、各シリコン芯棒20に対して均一に原料ガスを供給するように、反応炉10の底板部12の上面のほぼ全域に分散して適宜の間隔をあけながら複数設置されている。これら噴出ノズル16は、反応炉10の外部の原料ガス供給源50に接続されている。また、ガス排出口18は、底板部12の上の外周部付近に周方向に適宜の間隔をあけて複数設置され、外部の排ガス処理系52に接続されている。電極ユニット30には、電源回路54が接続されている。
A plurality of source
シリコン芯棒20は、下端部が電極ユニット30内に差し込まれた状態に固定され、上方に延びて立設されている。各シリコン芯棒20の上端部には、2本のシリコン芯棒20を対として連結する連結部材22が取り付けられている。この、連結部材22は、その両端に形成された円筒状の貫通穴22aを、各シリコン芯棒20の上端に形成された円柱状のボス部20aに係合させている(図3参照)。この連結部材22もシリコン芯棒20と同じシリコンによって形成されている。2本のシリコン芯棒20とこれらを連結する連結部材22とによって、全体としてΠ字状をなすシード組立体24が構成されている。シード組立体24は、電極ユニット30が反応炉10の中心から概略同心円状に配置されていることにより、全体としてほぼ同心円状に配置されている。
The
電極ユニット30についてより具体的には、図2に示すように、反応炉10内に、1本のシリコン芯棒20を保持する電極ユニット30(30A)と、2本のシリコン芯棒20を保持する電極ユニット30(30B)とが配設されている。各シード組立体24は、複数個の電極ユニット30A,30Bの間をまたぐように複数組設けられている。これら電極ユニット30A,30Bは、1個の電極ユニット30A、複数個の電極ユニット30B、1個の電極ユニット30Aの順に並べられ、複数のシード組立体24を直列に接続している。つまり、一つのシード組立体24の両シリコン芯棒20は、隣接する異なる電極ユニット30A,30Bによってそれぞれ保持されている。
More specifically, as shown in FIG. 2, the
つまり、電極ユニット30Aにはシード組立体24の2本のシリコン芯棒20のうちの1本が保持され、電極ユニット30Bには、2組のシード組立体24のシリコン芯棒20が1本ずつ保持されている。そして、列の両端の電極ユニット30Aに接続された電源ケーブルを通じて、電流が流れるように構成されている。
That is, one of the two
このように構成される多結晶シリコン製造装置において、ヒーター等(図示略)で加熱したあと、各電極ユニット30からシリコン芯棒20に通電することにより、シリコン芯棒20を電気抵抗による発熱状態とする。さらに、各シリコン芯棒20は、隣接するシリコン芯棒20からの輻射熱を受けて加熱される。そして、ジュール熱と輻射熱とが相乗して高温状態となったシリコン芯棒20の表面で、原料ガスが反応して、多結晶シリコンが析出する。
In the polycrystalline silicon manufacturing apparatus configured in this way, after heating with a heater or the like (not shown), the
電極ユニット30(30A,30B)にシリコン芯棒20を保持する構造について、より詳細に説明する。1本のシリコン芯棒20を保持する電極ユニット30Aは、図3に示すように、反応炉10の底板部12に形成された貫通穴12a内に挿入状態にかつこの底板部12に対して電気絶縁状態に設けられた電極32の上部に、1本の芯棒ホルダ34が立設された構造となっている。2本のシリコン芯棒20を保持する電極ユニット30Bは、反応炉10の底板部12に形成された貫通穴12a内に挿入状態にかつこの底板部12に対して電気絶縁状態に設けられた電極33の上部に、2本の芯棒ホルダ34が立設された構造となっている。
The structure for holding the
各電極ユニット30A,30Bに設けられた芯棒ホルダ34は、カーボン製であり、シリコン芯棒20を挿入されて略鉛直に保持する芯棒保持穴34aが上端部から内部にかけて形成されている。この芯棒ホルダ34の上部には、芯棒保持穴34aに略直交するように外面から連通して互いに対向する2つのネジ穴34bが形成されている。このネジ穴34bには、シリコン芯棒20を固定するカーボン製の止めネジ36が螺合している。
The
図4に示すように、芯棒ホルダ34の保持穴34aは、上下方向に対して交差する水平方向の断面が四つの角部を有する矩形である。この保持穴34aにおいて対向する2つの角部に、外面から連通するネジ穴34bが保持穴34aに直交して形成されている。これら2つのネジ穴34bのうちの一方に、シリコン芯棒20を固定する止めネジ36が螺合されている。止めネジ36は芯棒ホルダ34と同じくカーボン製であるが、芯棒ホルダ34に比較して機械的強度および熱膨張係数が大きく、その一端部に+形状または−形状のドライバー工具溝が形成されている。
As shown in FIG. 4, the holding
芯棒ホルダ34は押出成形材を切削して形成されており、その曲げ強さが20MPa以上30MPa以下、熱膨張係数が2.0×10-6/℃以上4.0×10-6/℃以下である。これに対して、止めネジ36は冷間等方圧プレス成形材(CIP成形材)を切削して形成されており、その曲げ強さが40MPa以上60MPa以下、熱膨張係数が3.5×10-6/℃以上5.5×10-6/℃以下である。芯棒ホルダ34および止めネジ36に用いられる好適な材料特性の組み合わせ例を表1に示す。
The
表1に示すように、カーボンの押出成形材からなる芯棒ホルダ34は熱膨張係数が低い。一方、カーボンの冷間等方圧プレス成形材からなる止めネジ36は、押出成形材に比較して機械的強度が高く、熱膨張係数が大きい。
As shown in Table 1, the
保持穴34aに挿入されるシリコン芯棒20は、保持穴34aよりも小さい略矩形断面を有する棒状部材である。したがって、シリコン芯棒20は、芯棒ホルダ34に対して、保持穴34aとの寸法差の範囲で移動可能であり、図4に示すように、止めネジ36が締め込まれて止めネジ36の先端部がシリコン芯棒20の角部(稜線)を押圧することにより、止めネジ36に対向する保持穴34aの符号F,Gで示す2面に押しつけられて固定され、この2面F,Gの接触によってシリコン芯棒20と芯棒ホルダ34とが電気的に導通する。
The
なお、止めネジ36は、いずれのネジ穴34bにも螺合させてもよい。どちらのネジ穴34bに螺合させるかによって、芯棒ホルダ34に対するシリコン芯棒20の相対位置を変更することができる。このように、止めネジ36を取り付けるネジ穴34bを変更することにより、シリコン芯棒20が撓んでいた場合などに、シード組立体24の歪みを小さくすることができる。
The
しかしながら、一方のネジ穴34bに取り付けた止めネジ36を取り外し、他方のネジ穴34bに取り付け直す場合、着脱により止めネジ36が折れたり止めネジ36のねじ山が損傷したりすると、シリコン芯棒20の固定が不十分となるおそれがある。これに対して、本発明では芯棒ホルダ34の機械的強度よりも止めネジ36の機械的強度が高いので、止めネジ36のねじ山が破損しにくく、もう一方のネジ穴34bに確実に取り付けることができ、シリコン芯棒20を安定して保持することができる。
However, when the
また、多結晶シリコン反応炉10においては、高純度のシリコンを製造するために、芯棒ホルダ34および止めネジ36がいずれもカーボンで形成されているが、カーボンは精密な加工が難しいため、止めネジ36とネジ穴34bとの螺合が緩くなるおそれがある。これに対して、本発明では芯棒ホルダ34の熱膨張係数よりも止めネジ36の熱膨張係数が大きいので、止めネジ36の熱膨張に対してネジ穴34bの熱膨張が小さく、シリコン芯棒20の加熱に伴う芯棒ホルダ34および止めネジ36の温度上昇に従い、止めネジ36とネジ穴34bとの間の遊びが小さくなる。これにより止めネジ36とネジ穴34bとの締結力が上昇するので、シリコン芯棒20を確実に固定することができる。
Further, in the
以上説明したように、本発明によれば、芯棒ホルダに取り付けられてシリコン芯棒を固定する止めネジの機械的強度が芯棒ホルダの機械的強度よりも高いので、止めネジの破損が防止され、シード組立体の歪みを修整するために止めネジをネジ穴に対して着脱した場合であっても、確実な螺合が可能となる。また、止めネジの熱膨張係数が芯棒ホルダの熱膨張係数よりも大きいので、止めネジおよび芯棒ホルダの加工が精密でなく常温では螺合が緩くても、反応炉内の温度上昇に伴い遊びが小さくなり強く締結される。したがって、多結晶シリコン反応炉において、シリコン芯棒を確実に支持することが可能となる。 As described above, according to the present invention, since the mechanical strength of the set screw attached to the core rod holder and fixing the silicon core rod is higher than the mechanical strength of the core rod holder, the set screw is prevented from being damaged. Thus, even when the set screw is attached to and detached from the screw hole in order to correct the distortion of the seed assembly, reliable screwing is possible. In addition, since the thermal expansion coefficient of the set screw is larger than the thermal expansion coefficient of the core rod holder, the processing of the set screw and core rod holder is not precise, and even if the screwing is loose at room temperature, the temperature in the reactor increases. Play is reduced and tightened strongly. Therefore, the silicon core rod can be reliably supported in the polycrystalline silicon reactor.
なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 In addition, this invention is not limited to the thing of the structure of the said embodiment, In a detailed structure, it is possible to add a various change in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
10 反応炉
12 底板部
12a 貫通穴
14 ベルジャ
16 噴出ノズル(ガス供給口)
18 ガス排出口
20 シリコン芯棒
20a ボス部
22 連結部材
22a 貫通穴
24 シード組立体
30(30A,30B) 電極ユニット
32,33 電極
34 芯棒ホルダ
34a 保持穴
34b ネジ穴
36 止めネジ
DESCRIPTION OF
18
Claims (4)
前記反応炉の底板部に、この底板部に対して電気絶縁状態に設けられた電極と、
この電極に立設され、前記シリコン芯棒を保持する芯棒保持穴が形成されているとともに、この芯棒保持穴の側方に外面から連通するネジ穴が形成されているカーボン製の芯棒ホルダと、
この芯棒ホルダの前記ネジ穴に螺合して前記シリコン芯棒を固定するカーボン製の止めネジと
を備え、
前記芯棒ホルダに比較して、前記止めネジは熱膨張係数が大きいことを特徴とする多結晶シリコン反応炉。 A raw material gas containing a silicon compound such as chlorosilanes is supplied into the reaction furnace, and the silicon core rod in the reaction furnace is energized to generate heat, and polycrystalline silicon is deposited on the surface of the silicon core rod as a rod. A polycrystalline silicon reactor to be grown,
An electrode provided on the bottom plate portion of the reactor in an electrically insulated state with respect to the bottom plate portion;
A carbon-made core rod which is erected on this electrode, has a core-rod holding hole for holding the silicon core rod, and has a screw hole communicating from the outer surface to the side of the core-rod holding hole A holder,
A carbon set screw that is screwed into the screw hole of the core rod holder to fix the silicon core rod;
The polycrystalline silicon reactor, wherein the set screw has a larger coefficient of thermal expansion than the core rod holder.
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