JP2013188702A - セメント製造設備の排ガス処理方法及び排ガス処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セメント製造排ガスから捕集した集塵ダストをプレヒータ3の最上段を構成する複数のサイクロンのうちの一つのサイクロン13Abに投入し、この集塵ダストの投入量に応じてその一つのサイクロンへのセメント原料の供給量を制御し、このサイクロンからの排出ガスを吸着材に接触させて、水銀を含む有害物質を吸着除去する。
【選択図】 図1
Description
このような廃棄物をセメント原料等に使用してセメントを製造する場合、廃プラスチックや生ごみ、各種汚泥や焼却灰等の燃焼等により、排ガス中に水銀等の有害物質が増加する。このため、これを低減させた後に排出することが必要である。
従来では、特許文献1記載のように、排ガスから除塵設備でダストを捕集し、捕集されたダスト(集塵ダスト)を別途設置された水銀回収設備に導入して、水銀を除去・回収していた。または、特許文献2記載のように、除塵後の排ガスに吸着材を接触させ、水銀を吸着させた吸着材を水銀回収装置で処理していた。
また、特許文献3に記載されるように、プレヒータから排出された350℃以上の排ガスの一部を抽気し、抽気した排ガスよりダストを分離後、ガスを100℃以下に冷却して、含有する気化物を凝縮させる方法も提案されている。
また、特許文献3記載の技術では、排ガス中の水銀濃度が変動するため、その一部を抽気した排ガスを処理するのでは効率的でない。
この導管に接続されている各セメント原料供給管は、相互に離間して配置されていることから、導管内の各流れに分配してセメント原料を供給することができ、個々のサイクロンへの供給量は供給量制御器により制御することができる。したがって、各セメント原料供給管からのセメント原料の供給量を適切に制御することにより、集塵ダストが投入されるサイクロンへのセメント原料の供給量を制御して、その温度を適切な温度に設定して、水銀を含む有害物質の処理を確実に行わせることができる。
周方向に180°離間させた構造でなくても、供給量制御器により供給量の制御ができるので、導管の一側面側から、導管の両側部にセメント原料供給管を接続する、あるいは上下に離間させた状態で接続する、等の構造としてもよい。
このセメント製造装置は、図6に全体を示したように、セメント原料として石灰石、粘土、珪石、鉄原料等を個別に貯蔵する原料貯蔵庫1と、これらセメント原料を粉砕、乾燥する原料ミル及びドライヤ2と、この原料ミルで得られた粉体状のセメント原料を予熱するプレヒータ3と、プレヒータ3によって予熱されたセメント原料を焼成するセメントキルン4と、セメントキルン4で焼成された後のセメントクリンカを冷却するためのクーラ5等とを備えている。
なお、図6においては、プレヒータ3の構成を簡略化して示したものであり、本実施形態ではプレヒータ3は上下4段のサイクロン13により構成されている。この場合、図1に示すように、下から3段目の一つのサイクロン13Bに対して最上段である4段目に2基のサイクロン(本発明の上段側サイクロン)13Aa,13Abが並列状態に接続されており、3段目のサイクロン(本発明の下段側サイクロン)13Bが2基並んで設けられていることにより、最上段のサイクロン13Aa,13Abは2基ずつ、合計4基設けられている。プレヒータ3は、この構成と異なる構成のものとしてもよい。
原料供給管22は、導管21の分配部23よりも下方位置に接続され、上段側のサイクロン13Aa,13Abへの分配出口21aの数と同数の2本設けられている。また、その接続位置は、図2及び図3に示すように、導管21の一側面の両側部にそれぞれ設けられるとともに、上段側サイクロン13Aa,13Abへの各分配出口21aの中心を通る水平面P1から原料供給管22の各接続口22aの中心を通る水平面P2との間の垂直距離Hと、導管21の直径Dとの比率H/Dが1.4〜2.5に設定されている。
なお、導管21の一側面の両側部に設けられた原料供給管22は、図3に示すように、その中心間距離が、導管21の直径Dと各原料供給管22の直径dとの差分D−dに設定され、導管21の一側面に最も離間するように配置される。
そして、これら原料供給管22の上流には、各原料供給管22へのセメント原料の供給量を調整する供給量制御器26が備えられている。
なお、分配部23は、導管21の軸線C1と上段側の両サイクロン13Aa,13Abへの分配出口21a中心間を結ぶ線C2との交点部分とする(図2参照)。
さらに、この一つのサイクロン13Abの出口配管は、原料ミル及びドライヤ2に通じる排気管9から弁33を介して分岐するように有害物質処理ライン34が接続されている。この有害物質処理ライン34には、排ガス中に吸着材を散布するように投入する吸着材投入器35及び投入した吸着材を捕捉してガスを通過させるバグフィルタ等のフィルタ装置36、このフィルタ装置36の前で排ガスに冷風を供給して排ガス温度を低下させる冷風供給器37を備える有害物質吸着手段38が設けられている。吸着材投入器35は、計量機能を有するフィーダから一定量ずつ吸着材を供給しながら圧縮空気で吸着材を流路内に吹き込むものである。吸着材としては、例えば平均粒径が100〜5000μmの粉状又は粒状の活性炭や粉炭が用いられる。排ガスへの投入量としては、例えば排ガス1m3N当たり0.1〜1.0gとされる。有害物質が吸着された後の排出ガスは、排ガス処理ライン12の煙突11に導かれる。
なお、サイクロン13Ab下方のシュート41には、流下するセメント原料を抜き出して再度集塵ダスト投入管32に戻す戻し配管42が弁43を介して接続されている。
また、この旋回流は、図2の模式図に示すように、下段側のサイクロン13Bから導管21を経由して分配部23で二つに分配され、上段側の2基のサイクロン13Aa,13Abに分かれて流通する。2基のサイクロン13Aa,13Abのうちの一方側に流れる流れを黒塗り矢印で示し、他方側に流れる流れを白抜き矢印で示しており、導管21内ではこれらが螺旋状にねじれながら上昇する。そして、導管21内を上昇して分配部23まで到達し、この分配部23から分岐した状態で分配出口21aからそれぞれのサイクロン13Aa,13Abに導出される。
このように、導管21内が二つの流れがねじれながら上昇する旋回流となることから、セメント原料がそのいずれか一方の流れにのみ投下されてしまうと、上段側の2基のサイクロン13Aa,13Abのうちの一方にのみ偏って供給され、その一方のサイクロンのみ負荷が増大することになる。
シミュレーションの導管モデルは、最上段のサイクロンへの分配出口21aを備える構成とし、図2に示すように、原料供給管22の接続口22aを導管21の一側面の両側部に備える導管モデル1を構成した。
そして、導管モデル1において、上段側サイクロンの各分配出口21aの中心を通る水平面P1から原料供給管22の各接続口22aの中心を通る水平面P2の間の垂直距離Hと、導管21の直径Dとの比率H/Dを、1.45,1.88,2.26,2.64に設定した4種類の導管モデルを構成し、これらの導管について熱流体シミュレーションを行った。各原料供給管22へのセメント原料の供給量(原料供給量制御割合)は均等に設定し、分配部を経由した後の導管の左右の分配出口温度を計算して、その温度差を求めた。
導管モデル1のシミュレーション結果を、表1及び図5において破線で示す。図5の縦軸は、左右の分配出口間の排ガス温度差である。
また、各接続口22aを導管21の一側面に設けることで、各原料供給管22を導管21の一側方から設けることができる等、原料供給管の引き回しを容易に行うことができる。
ダストは、集塵ダスト投入管32からプレヒータ3の最上段のサイクロン13Aのうちの一つのサイクロン13Abの入り口配管31に投入され、このサイクロン13Abで加熱されることにより、ダスト中の水銀を含む有害物質が蒸発する。
このサイクロン13Abからの排出ガスは、集塵ダストが投入されない通常運転時は他のサイクロンと同様に、排気管9を通って原料ミル及びドライヤ2に送られるが、集塵ダストが投入される際は、弁33を切り替えることにより、有害物質処理ライン34に送られる。また、サイクロン13Abの手前の導管21にはミル及びドライヤ2からセメント原料が原料供給管22を介して供給されており、集塵ダストは、その原料とともにサイクロン13Abに供給される。そして、このサイクロン13Ab内において集塵ダスト中に含まれている水銀等の有害物質は蒸発して排ガスとともに排出され、セメント原料及びダストの固形分はシュート41に流下する。
この場合、吸着材は活性炭等から構成されているため、排ガス温度が例えば400℃を超えると燃焼してしまう。そこで、サイクロン13Abからの排ガスの温度が400℃以下となるように、このサイクロン13Abに供給される原料の供給量を調整する。前述したように、サイクロン13Ab手前の導管21には2本の原料供給管22が接続されており、これら原料供給管22への原料の供給量を供給量制御器26によって調整することができる。
フィルタ装置36に捕捉された吸着材は、例えば特開2009−202106号公報に開示の処理方法等によって処理される。例えば、有害物質を吸着した吸着材を酸素含有雰囲気で加熱することにより、吸着した有害物質を蒸発させて吸着材から分離させ、一方、蒸発した有害物質を含む蒸気を加熱することにより、有害物質の一部を熱分解し、熱分解後のガスを冷却することにより、水銀を凝集除去する方法である。
しかも、ダストの量に応じてサイクロンへのセメント原料の供給量を適切に制御し、有害物質処理ラインへ送られる排ガスの温度を適切な温度に設定して、水銀を含む有害物質の処理を確実に行わせることができる。
図7では、導管21の各上段側サイクロン13Aへの分配部23よりも下方位置であって導管21の一側面の上下に離間した位置に原料供給管22の接続口22aがそれぞれ接続され、これら原料供給管の上流位置に、各原料供給管22へのセメント原料の供給量を調整する供給量制御器26が備えられている。そして、各原料供給管22の接続口22aの中心間距離hと、導管21の直径Dとの比率h/Dが、0.5〜1.2に設定されている。
また、各原料供給管22の上流位置には、各原料供給管22へのセメント原料の供給量を調整する供給量制御器26が備えられているので、原料供給量の偏りはこの供給量制御器26によって調整することができ、各原料供給管22に供給されるセメント原料の供給量が制御される。これにより、各分配出口21aに供給されるセメント原料の温度が均等になるように、別々の旋回流の流れに供給するセメント原料を調整することができ、その予熱を均等に行うことができる。また、各原料供給管22の接続口22aを一側面の上下に離間した位置に配置しているので、原料供給管22の配管引き回しを容易に行うことができる。
導管モデル2においては、各原料供給管22の接続口22aの中心間距離hと、導管21の直径Dとの比率h/Dを、0.25,0.38,0.76,1.14,1.52に設定した5種類の導管モデルを構成し、これらの導管について熱流体シミュレーションを行った。また、各原料供給管22へのセメント原料の供給量(原料供給量割合)は均等に設定した。また、シミュレーションの条件は、導管モデル1と同様に設定し、導管モデル2の原料供給管22の傾斜角度θも、35°に設定した。
導管モデル2の結果を表3及び図8に示す。図8の縦軸は、左右の分配出口間の排ガス温度差である。
また、サイクロンが5段以上のプレヒータの場合は、排ガス温度を考慮して集塵ダスト投入位置を適切な位置に定めれば良い。さらに、キルンが複数設置されている設備では、必ずしもすべてのプレヒータに集塵ダスト投入管を設置する必要はなく、集塵ダストの処理量等に応じて設置するプレヒータを定めれば良い。
3 プレヒータ
4 セメントキルン
6 窯尻部
9 排気管
10 集塵機
11 煙突
12 排ガス処理ライン
13 サイクロン
13Aa,13Ab 上側サイクロン
13B 下側サイクロン
21 導管
22 原料供給管
22a 接続口
23 分配部
26 供給量制御器
31 入り口配管
32 集塵ダスト投入管
33 弁
34 有害物質処理ライン
35 吸着材投入器
36 フィルタ装置
37 冷風供給器
38 有害物質吸着手段
41 シュート
42 戻し配管
43 弁
Claims (4)
- セメント製造排ガスから捕集した集塵ダストをプレヒータの最上段を構成する複数のサイクロンのうちの一つのサイクロンに投入し、該サイクロンからの排出ガスを吸着材に接触させて、水銀を含む有害物質を吸着除去することを特徴とするセメント製造設備の排ガス処理方法。
- 前記最上段の複数のサイクロンにセメント原料を供給する際に、前記一つのサイクロンへの集塵ダストの投入量に応じて該一つのサイクロンへのセメント原料の供給量を制御することを特徴とする請求項1記載のセメント製造設備の排ガス処理方法。
- 複数のサイクロンが上下方向に連結されてなるプレヒータと、セメント製造排ガスからダストを捕集する集塵器とを有し、前記プレヒータの最上段の複数の上段側サイクロンとその下方の下段側サイクロンとの間に、下段側サイクロンから導出される排ガスを上方に流通させ分配して各上段側サイクロンに導く導管が設けられてなるセメント製造設備の排ガス処理装置であって、前記集塵器で捕集した集塵ダストを前記上段側サイクロンの内の一つのサイクロンに投入する集塵ダスト投入管と、前記一つのサイクロンからの排出ガスに吸着材を接触させて水銀を含む有害物質を吸着除去する有害物質吸着手段とを備えることを特徴とするセメント製造設備の排ガス処理装置。
- 前記導管における前記各上段側サイクロンへの分配部よりも下方位置に該導管の周方向あるいは上下方向に離間して設けられた複数のセメント原料供給管と、これらセメント原料供給管の上流位置で各セメント原料供給管への前記セメント原料の供給量を調整する供給量制御器とを備えることを特徴とすることを特徴とする請求項3記載のセメント製造設備の排ガス処理装置。
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