JP2013187445A - Electro-mechanical conversion element, droplet discharge head, and droplet discharge device - Google Patents

Electro-mechanical conversion element, droplet discharge head, and droplet discharge device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-mechanical conversion element which sufficiently achieves the improvement of the reliability.SOLUTION: An electro-mechanical conversion element 500 includes: a substrate 230 or a deposition diaphragm 231; a lower electrode 300 formed on the substrate 230 or the deposition diaphragm 231 through a first adhesion layer 232; an electro-mechanical conversion film 243 formed on the lower electrode 300; and an upper electrode 400 formed on the electro-mechanical conversion film 243. The lower electrode 300 includes: a first electrode 233 formed on the first adhesion layer 232 and formed by a metal film; a second electrode 234 formed on the first electrode 233 and formed by an oxidative product; a second adhesive layer 235 formed on the second electrode 234; and a third electrode 236 formed on the second adhesion layer 235. The upper electrode 400 includes a fourth electrode 244 formed on the electro-mechanical conversion film 243 and formed by an oxidative product; and a fifth electrode 245 formed on the fourth electrode 244 and made of a metal.

Description

この発明は、電気機械変換機能を有する電気−機械変換素子と、この電気−機械変換素子を備えた液滴吐出ヘッドと、この液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置とに関する。   The present invention relates to an electromechanical conversion element having an electromechanical conversion function, a droplet discharge head including the electromechanical conversion element, and a droplet discharge apparatus including the droplet discharge head.

従来から、インクジェットプリンターのプリンターヘッドに使用する電気−機械変換素子が知られている(特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, an electro-mechanical conversion element used for a printer head of an ink jet printer is known (see Patent Document 1).

かかる電気−機械変換素子は、基板と、この基板の上に形成された下部電極層と、この下部電極層の上に形成された電気−機械変換膜と、この電気−機械変換膜の上に形成された上部電極層とを有する。   Such an electro-mechanical conversion element includes a substrate, a lower electrode layer formed on the substrate, an electro-mechanical conversion film formed on the lower electrode layer, and an electro-mechanical conversion film on the electro-mechanical conversion film. And an upper electrode layer formed.

この電気−機械変換素子は、上下部の電極を介して電気−機械変換膜に電界を印加することで薄膜アクチュエータとなり、これらはインクジェットヘッドに使われる。   This electro-mechanical conversion element becomes a thin film actuator by applying an electric field to the electro-mechanical conversion film via the upper and lower electrodes, and these are used for an ink jet head.

しかしながら、この電気−機械変換素子は信頼性(繰り返し電界印加回数の増加にともない、圧電特性が劣化する)の面で不十分であるという問題があった。   However, this electro-mechanical conversion element has a problem in that it is insufficient in terms of reliability (piezoelectric characteristics deteriorate as the number of repeated application of electric field).

この発明の目的は、信頼性の向上が十分に得られる電気−機械変換素子と、この電気−機械変換素子を備えた液滴吐出ヘッドと、この液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置とを提供することにある。   An object of the present invention is to provide an electro-mechanical conversion element capable of sufficiently improving the reliability, a droplet discharge head including the electro-mechanical conversion element, and a droplet discharge apparatus including the droplet discharge head. Is to provide.

請求項1の発明は、基板または下地膜と、この基板または下地膜上に第1の密着層を介して形成された下部電極と、この下部電極上に形成された電気−機械変換膜と、この電気−機械変換膜上に形成された上部電極とを備えた電気−機械変換素子であって、
前記下部電極は、前記第1の密着層上に形成されるとともに金属膜からなる第1の電極と、この第1の電極上に形成された酸化物からなる第2の電極と、この第2の電極上に形成された第2の密着層と、この第2の密着層上に形成された第3の電極とを有し、
前記上部電極は、前記電気−機械変換膜上に形成された酸化物からなる第4の電極と、この第4の電極上に形成された金属からなる第5の電極とを有することを特徴とする。
The invention of claim 1 includes a substrate or a base film, a lower electrode formed on the substrate or the base film via a first adhesion layer, an electro-mechanical conversion film formed on the lower electrode, An electro-mechanical conversion element comprising an upper electrode formed on the electro-mechanical conversion film,
The lower electrode is formed on the first adhesion layer and is made of a first electrode made of a metal film, a second electrode made of an oxide formed on the first electrode, and the second electrode. A second adhesion layer formed on the electrode, and a third electrode formed on the second adhesion layer,
The upper electrode includes a fourth electrode made of an oxide formed on the electro-mechanical conversion film, and a fifth electrode made of a metal formed on the fourth electrode. To do.

この発明によれば、電気−機械変換素子の信頼性の向上を図ることができる。   According to the present invention, the reliability of the electromechanical conversion element can be improved.

この発明に係るインクジェット記録装置の主要部の外観を示した斜視図であり。1 is a perspective view showing an appearance of a main part of an ink jet recording apparatus according to the present invention. 図1に示すインクジェット記録装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the inkjet recording device shown in FIG. 図1に示すインクジェット記録装置のインクジェットヘッドの電気−機械変換素子の構成を概念的に示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view conceptually showing the configuration of an electromechanical conversion element of an ink jet head of the ink jet recording apparatus shown in FIG. 1. 図3に示すインクジェットヘッドを集積化した構成を概略的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed schematically the structure which integrated the inkjet head shown in FIG. 2θ=32°に固定したときのPsiと回折強度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between Psi and diffraction intensity when fixed to 2θ = 32 °. XRDにて結晶構造を調べた場合の2θと回折強度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between 2 (theta) when a crystal structure is investigated by XRD, and diffraction intensity. 積層膜を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the laminated film. 第1実施例の液滴吐出ヘッドの構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the droplet discharge head of 1st Example. (A)液滴吐出ヘッドの構成を示した断面図、(B)その平面図である。1A is a cross-sectional view showing a configuration of a droplet discharge head, and FIG. 実施例の代表的なP−Eヒステリシス曲線を示したグラフである。It is the graph which showed the typical PE hysteresis curve of an Example. 実施例と比較例の耐久性評価を示した表である。It is the table | surface which showed durability evaluation of the Example and the comparative example.

以下、この発明に係る電気−機械変換素子(圧電体素子)の実施の形態である実施例を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an example which is an embodiment of an electromechanical conversion element (piezoelectric element) according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図3は、この発明に係る電気−機械変換素子を用いた液滴吐出ヘッドである記録ヘッド(インクジェットヘッド)94の構成を示す。
[記録ヘッド]
記録ヘッド94は、圧力室(加圧室)221を形成するとともに下部が開口された断面コ字状の圧力室基板220と、圧力室基板220の下部の開口を閉塞したノズル板210とを有し、この圧力室基板220はSi基板で形成されるとともに、Si基板からなる下地である基板230を有している。ノズル板210には、インクの吐出口であるノズル孔211が形成されている。
FIG. 3 shows a configuration of a recording head (inkjet head) 94 which is a droplet discharge head using the electro-mechanical conversion element according to the present invention.
[Recording head]
The recording head 94 includes a pressure chamber substrate 220 that forms a pressure chamber (pressurizing chamber) 221 and has a U-shaped cross-section with an opening at the bottom, and a nozzle plate 210 that closes the opening at the bottom of the pressure chamber substrate 220. The pressure chamber substrate 220 is formed of an Si substrate and has a substrate 230 as a base made of the Si substrate. The nozzle plate 210 is formed with nozzle holes 211 that are ink discharge ports.

基板230の上には下地膜である成膜振動板231が形成され、この成膜振動板231上に第1の密着層232が形成されている。また、第1の密着層232上に第1の電極233が層状に形成され、この第1の電極233上に第2の電極234が層状に形成され、この第2の電極234上に第2の密着層235が形成され、この第2の密着層235上に第3の電極236が層状に形成されている。   A film formation vibration plate 231 that is a base film is formed on the substrate 230, and a first adhesion layer 232 is formed on the film formation vibration plate 231. Further, the first electrode 233 is formed in layers on the first adhesion layer 232, the second electrode 234 is formed on the first electrode 233, and the second electrode 234 is formed on the second electrode 234. The adhesion layer 235 is formed, and the third electrode 236 is formed in layers on the second adhesion layer 235.

第1の電極233と第2の電極234と第2の密着層235と第3の電極236とで下部電極300が構成されている。   The first electrode 233, the second electrode 234, the second adhesion layer 235, and the third electrode 236 constitute the lower electrode 300.

第3の電極236上に電気−機械変換膜243が形成され、この電気−機械変換膜243上に第4の電極244が層状に形成され、この第4の電極244上に第5の電極245が層状に形成されている。この第4の電極244と第5の電極245とで上部電極400が構成され、下部電極300と電気−機械変換膜243と上部電極400とで電気−機械変換素子500が構成されている。   An electro-mechanical conversion film 243 is formed on the third electrode 236, a fourth electrode 244 is formed on the electro-mechanical conversion film 243 in a layered manner, and a fifth electrode 245 is formed on the fourth electrode 244. Are formed in layers. The upper electrode 400 is configured by the fourth electrode 244 and the fifth electrode 245, and the electro-mechanical conversion element 500 is configured by the lower electrode 300, the electro-mechanical conversion film 243, and the upper electrode 400.

また、基板230と電気−機械変換素子500とで圧力室221の液体(図示せず)を昇圧させる吐出駆動手段が構成されている。   In addition, the substrate 230 and the electromechanical conversion element 500 constitute discharge driving means for increasing the pressure of the liquid (not shown) in the pressure chamber 221.

図4は、図3に示すインクジェットヘッド(単ビット)を集積化したものの一例を示す。
[圧力室基板]
圧力室基板220としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、通常100〜600μmの厚みを持つことが好ましい。面方位としては、(100)、(110)、(111)と3種あるが、半導体産業では一般的に(100)、(111)が広く使用されており、本構成においては、主に(100)の面方位を持つ単結晶基板を主に使用した。また、図1に示すような圧力室を作製していく場合、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工していくが、この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばKOH等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、(100)面に比べて(111)面は約1/400程度のエッチング速度となる。従って、面方位(100)では約54°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位(110)では深い溝をほることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができることが分かっており本構成としては(110)の面方位を持った単結晶基板を使用することも可能である。但し、この場合、マスク材であるSiO2もエッチングされてしまうということが挙げられるため、この辺りも留意して利用している。
[振動板]
振動板である基板230は、図3に示すように電気−機械変換膜243によって発生した力を受けて、下地である基板230が変形変位して、圧力室221のインク滴を吐出させる。そのため、下地としては所定の強度を有したものであることが好ましい。
FIG. 4 shows an example in which the inkjet head (single bit) shown in FIG. 3 is integrated.
[Pressure chamber substrate]
As the pressure chamber substrate 220, it is preferable to use a silicon single crystal substrate, and it is preferable to have a thickness of 100 to 600 μm. There are three types of plane orientations, (100), (110), and (111), but (100) and (111) are generally widely used in the semiconductor industry. A single crystal substrate having a plane orientation of 100) was mainly used. In addition, when a pressure chamber as shown in FIG. 1 is manufactured, a silicon single crystal substrate is processed using etching. In this case, anisotropic etching is generally used as an etching method. Is. Anisotropic etching utilizes the property that the etching rate differs with respect to the plane orientation of the crystal structure. For example, in anisotropic etching immersed in an alkaline solution such as KOH, the (111) plane has an etching rate of about 1/400 compared to the (100) plane. Therefore, while a structure having an inclination of about 54 ° can be produced in the plane orientation (100), a deep groove can be removed in the plane orientation (110), so that the arrangement density is increased while maintaining rigidity. In this configuration, it is possible to use a single crystal substrate having a (110) plane orientation. In this case, however, SiO2 as a mask material is also etched, and this area is also used with attention.
[Diaphragm]
As shown in FIG. 3, the substrate 230 that is a vibration plate receives the force generated by the electro-mechanical conversion film 243, and the substrate 230 that is the base is deformed and displaced, thereby ejecting ink droplets in the pressure chamber 221. Therefore, it is preferable that the base has a predetermined strength.

材料としては、Si、SiO2、Si3N4をCVD(化学気相成長)法により作製したものが挙げられる。さらに図3に示すような下部電極300、電気−機械変換膜243の線膨張係数に近い材料を選択することが好ましい。特に、電気−機械変換膜243としては、一般的に材料としてPZTが使用されることから線膨張係数8×10^−6(1/K)に近い線膨張係数として、5×10^−6〜10×10^−6の線膨張係数を有した材料が好ましく、さらには7×10^−6〜9×10^−6の線膨張係数を有した材料がより好ましい。   Examples of the material include Si, SiO2, and Si3N4 produced by a CVD (chemical vapor deposition) method. Furthermore, it is preferable to select a material close to the linear expansion coefficient of the lower electrode 300 and the electromechanical conversion film 243 as shown in FIG. In particular, as the electromechanical conversion film 243, since PZT is generally used as a material, the linear expansion coefficient close to 8 × 10 ^ -6 (1 / K) is 5 × 10 ^ -6. A material having a linear expansion coefficient of ˜10 × 10 ^ −6 is preferable, and a material having a linear expansion coefficient of 7 × 10 ^ −6 to 9 × 10 ^ −6 is more preferable.

具体的な材料としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム及びそれらの化合物等であり、これらをスパッタ法もしくは、Sol−gel法を用いてスピンコーターにて作製することができる。膜厚としては0.1〜10μmが好ましく、0.5〜3μmがさらに好ましい。この範囲より小さいと図1に示すような圧力室の加工が難しくなり、この範囲より大きいと下地が変形変位しにくくなり、インク滴の吐出が不安定になる。
[第1の密着層]
第1の密着層232としては、Tiをスパッタ成膜後、RTA(rapid thermal annealing)装置(急速熱処理装置)を用いて、650〜800℃、1〜30分、O2雰囲気でチタン膜を熱酸化して、チタン膜を酸化チタン膜にする。酸化チタン膜を作成するには反応性スパッタでもよいがチタン膜の高温による熱酸化法が望ましい。反応性スパッタによる作製では、シリコン基板を高温で加熱する必要があるため、特別なスパッタチャンバ構成を必要とする。さらに、一般の炉による酸化よりも、RTA装置による酸化の方がチタンO2膜の結晶性が良好になる。なぜなら、通常の加熱炉による酸化によれば、酸化しやすいチタン膜は、低温においてはいくつもの結晶構造を作るため、一旦、それを壊す必要が生じるためである。したがって、昇温速度の速いRTA(急速熱処理)による酸化の方が良好な結晶を形成するために有利になる。またTi以外の材料としてはTa、Ir、Ru等の材料でも好ましい。
Specific examples of the material include aluminum oxide, zirconium oxide, iridium oxide, ruthenium oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, osmium oxide, rhenium oxide, rhodium oxide, palladium oxide, and compounds thereof. It can be produced by a spin coater using a Sol-gel method. The film thickness is preferably from 0.1 to 10 μm, more preferably from 0.5 to 3 μm. If it is smaller than this range, the processing of the pressure chamber as shown in FIG. 1 becomes difficult, and if it is larger than this range, the base becomes difficult to be deformed and displaced, and ink droplet ejection becomes unstable.
[First adhesion layer]
As the first adhesion layer 232, after Ti is formed by sputtering, a titanium film is thermally oxidized in an O 2 atmosphere at 650 to 800 ° C. for 1 to 30 minutes using an RTA (rapid thermal annealing) apparatus (rapid heat treatment apparatus). Then, the titanium film is changed to a titanium oxide film. To form the titanium oxide film, reactive sputtering may be used, but thermal oxidation of the titanium film at a high temperature is desirable. The production by reactive sputtering requires a special sputtering chamber configuration because the silicon substrate needs to be heated at a high temperature. Furthermore, the crystallinity of the titanium O2 film becomes better in the oxidation by the RTA apparatus than in the oxidation by a general furnace. This is because, according to oxidation in a normal heating furnace, a titanium film that is easily oxidized forms several crystal structures at a low temperature, and thus it is necessary to break it once. Therefore, oxidation by RTA (rapid heat treatment) with a high temperature rise rate is advantageous for forming a better crystal. As materials other than Ti, materials such as Ta, Ir, and Ru are also preferable.

膜厚としては、10nm〜50nmが好ましく、15nm〜30nmがさらに好ましい。この範囲以下の場合においては、密着性に懸念があるのと、この範囲以上になってくるとその上で作製する電極膜の結晶の質に影響が出てくる。   The film thickness is preferably 10 nm to 50 nm, and more preferably 15 nm to 30 nm. If it is below this range, there is a concern about the adhesion, and if it exceeds this range, the crystal quality of the electrode film produced thereon will be affected.

第1,第5の電極233,245としては、金属材料としては従来から高い耐熱性と低い反応性を有する白金が用いられているが、鉛に対しては十分なバリア性を持つとはいえない場合もあり、イリジウムや白金−ロジウムなどの白金族元素や、これら合金膜も挙げられる。また、白金を使用する場合には下地(特にSiO2)との密着性が悪いために、先の密着層を先に積層することが好ましい。作製方法としては、スパッタ法や真空蒸着等の真空成膜が一般的である。第1,第4の電極膜厚としては、0.05〜1μmが好ましく、0.1〜0.5μmがさらに好ましい。
[第2の密着層]
第2の密着層235としては、Tiをスパッタで作製することが望ましい。このときTiを成膜後、真空を破らず、次の第3の電極236を連続して成膜し、第3の電極236を500℃以上基板加熱させた状態で作製させることが、重要である。これはこの後に作製した電気-機械変換膜243の結晶の質をさらに高めることが出来ており、それにより圧電アクチュエーターとしての連続駆動後の変位劣化に非常に効果が得られているからである。
As the first and fifth electrodes 233 and 245, platinum having high heat resistance and low reactivity has been conventionally used as a metal material, but although it has sufficient barrier properties against lead. In some cases, platinum group elements such as iridium and platinum-rhodium, and these alloy films are also included. In addition, when platinum is used, it is preferable that the previous adhesion layer is laminated first because adhesion to the base (particularly SiO2) is poor. As a manufacturing method, vacuum film formation such as sputtering or vacuum deposition is generally used. The film thickness of the first and fourth electrodes is preferably 0.05 to 1 μm, and more preferably 0.1 to 0.5 μm.
[Second adhesion layer]
As the second adhesion layer 235, it is desirable to produce Ti by sputtering. At this time, it is important that after the Ti film is formed, the next third electrode 236 is continuously formed without breaking the vacuum, and the third electrode 236 is manufactured with the substrate heated at 500 ° C. or more. is there. This is because the crystal quality of the electro-mechanical conversion film 243 produced after this can be further improved, and this is very effective for displacement deterioration after continuous driving as a piezoelectric actuator.

膜厚としては、1nm〜20nmが好ましく、5nm〜15nmがさらに好ましい。この範囲を超えた場合、電気−変換膜の結晶の質に影響が出てくる。
[第2,第3,第4の電極]
第2,第3,第4の電極234,236,244としては、SrRuO3(SRO)を材料として用いている。左記以外にも、Srx(A)(1−x)Ruy(1−y)、A=Ba、Ca、 B=Co、Ni、x、y=0〜0.5で記述されるような材料についても挙げられる。成膜方法についてはスパッタ法により作製される。スパッタ条件によってSrRuO3薄膜の膜質が変わるが、特に結晶配向性を重視し、第1電極のPt(111)にならってSrRuO3膜についても(111)配向させるためには、成膜温度については500℃以上での基板加熱を行い、成膜することが好ましい。
The film thickness is preferably 1 nm to 20 nm, and more preferably 5 nm to 15 nm. If this range is exceeded, the crystal quality of the electro-conversion film will be affected.
[Second, third and fourth electrodes]
As the second, third, and fourth electrodes 234, 236, and 244, SrRuO3 (SRO) is used as a material. In addition to the left, Srx (A) (1-x) Ruy (1-y), A = Ba, Ca, B = Co, Ni, x, y = 0 to 0.5 Also mentioned. The film forming method is produced by sputtering. The film quality of the SrRuO3 thin film varies depending on the sputtering conditions. In particular, in order to place the SrRuO3 film in the (111) orientation following the Pt (111) of the first electrode with particular emphasis on the crystal orientation, the film forming temperature is set to 500 ° C. It is preferable to perform film formation by performing the above substrate heating.

例えば、SRO成膜条件については特許第3249496号公報に記載されている。以下、その概略を説明する。   For example, SRO film formation conditions are described in Japanese Patent No. 3249696. The outline will be described below.

室温成膜でその後、RTA処理にて結晶化温度(650℃)で熱酸加している。この場合、SRO膜としては、十分結晶化され、電極としての比抵抗としても十分な値が得られるが、膜の結晶配向性としては、(110)が優先配向しやすくなり、その上に成膜したPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)についても(110)配向しやすくなる。   After film formation at room temperature, thermal acidification was performed at the crystallization temperature (650 ° C.) by RTA treatment. In this case, the SRO film is sufficiently crystallized and a sufficient value is obtained as the specific resistance as an electrode. However, as the crystal orientation of the film, (110) is easily preferentially oriented, and the film is formed thereon. The PZT (lead zirconate titanate) film is also easily (110) oriented.

Pt(111)上に作製したSRO結晶性については、PtとSROで格子定数が近いため、通常のθ-2θ測定では、SRO(111)とPt(111)の2θ位置が重なってしまい判別が難しい。Ptについては消滅則の関係からPsi=35°傾けた2θが約32°付近の位置には回折線が打ち消し合い、回折強度が見られない。そのため、Psi(あおり角)方向を約35°傾けて、2θが約32°付近のピーク強度で判断することでSROが(111)に優先配向しているかを確認することが出来る。図5に、2θ=32°に固定し、Psiを振ったときのデータを示す。Psi=0°ではSRO(110)ではほとんど回折強度が見られず、Psi=35°付近において、回折強度が見られることから本成膜条件にて作製したものについては、SROが(111)配向していることが確認できた。   Regarding SRO crystallinity produced on Pt (111), the lattice constants of Pt and SRO are close to each other. Therefore, in the usual θ-2θ measurement, the 2θ positions of SRO (111) and Pt (111) are overlapped. difficult. With respect to Pt, diffraction lines cancel each other at a position where 2θ tilted by Psi = 35 ° is about 32 ° due to the disappearance rule, and no diffraction intensity is observed. Therefore, it is possible to confirm whether the SRO is preferentially oriented to (111) by inclining the Psi (tilt angle) direction by about 35 ° and judging from the peak intensity where 2θ is about 32 °. FIG. 5 shows data when 2θ = 32 ° is fixed and Psi is shaken. When Psi = 0 °, almost no diffraction intensity is observed with SRO (110), but near Psi = 35 °, diffraction intensity is observed. I was able to confirm.

さらにSRO膜の表面粗さを見たときに、成膜温度に影響し、室温から300℃では表面粗さが非常に小さく2nm以下になる。粗さについてはAFMにより測定される表面粗さ(平均粗さ) を指標としている。表面粗さとしては、非常にフラットにはなっているが結晶性が十分でなく、その後成膜したPZTの圧電アクチュエーターとしての初期変位や連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られない。表面粗さとしては、4nm〜15nmになっていることが好ましく、6nm〜10nmがさらに好ましい。この範囲を超えると、その後成膜したPZTの絶縁耐圧が非常に悪く、リークしやすくなる。従って上述に示すような、結晶性や表面粗さを得るためには、成膜温度としては500℃〜700℃、好ましくは520℃〜600℃の範囲で成膜を実施している。     Further, when the surface roughness of the SRO film is observed, the film formation temperature is affected, and the surface roughness is very small from room temperature to 300 ° C. and becomes 2 nm or less. As for the roughness, the surface roughness (average roughness) measured by AFM is used as an index. Although the surface roughness is very flat, the crystallinity is not sufficient, and sufficient characteristics cannot be obtained with respect to initial displacement as a piezoelectric actuator of PZT formed thereafter and displacement deterioration after continuous driving. . The surface roughness is preferably 4 nm to 15 nm, and more preferably 6 nm to 10 nm. If this range is exceeded, the dielectric breakdown voltage of the PZT deposited thereafter is very poor and leaks easily. Therefore, in order to obtain crystallinity and surface roughness as described above, the film formation is performed at a film formation temperature in the range of 500 ° C. to 700 ° C., preferably 520 ° C. to 600 ° C.

成膜後のSrとRuの組成比については、Sr/Ruが0.82以上1.22以下であることが好ましい。この範囲から外れると比抵抗が大きくなり、電極として十分な導電性が得られなくなる。   Regarding the composition ratio of Sr and Ru after film formation, Sr / Ru is preferably 0.82 or more and 1.22 or less. If it is out of this range, the specific resistance increases, and sufficient conductivity as an electrode cannot be obtained.

第3の電極236は、第2の密着層235の作製後に第の2電極234と全く同じスパッタ条件にて成膜を実施している。このとき、第2の電極234と第3の電極236の合計のSRO膜の膜厚としては、40nm〜150nmが好ましく、50nm〜80nmがさらに好ましい。この膜厚範囲よりも薄いと初期変位や連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られない。この範囲を超えると、その後成膜したPZTの絶縁耐圧が非常に悪く、リークしやすくなる。また第2の電極234と第3の電極236の各膜厚としては、ほぼ同じ膜厚で構成されていることが好ましく、両者の膜厚差としては±10nm内に収まっていることが好ましい。この範囲から外れてくると、第2の密着層235の膜厚の最適値がずれてしまうため、その後作成される電気-機械変換膜質に影響が及び、十分な特性が得られなくなる。   The third electrode 236 is formed under the same sputtering conditions as those of the second electrode 234 after the second adhesive layer 235 is formed. At this time, the total film thickness of the SRO film of the second electrode 234 and the third electrode 236 is preferably 40 nm to 150 nm, and more preferably 50 nm to 80 nm. If the thickness is smaller than this range, sufficient characteristics cannot be obtained with respect to initial displacement and displacement deterioration after continuous driving. If this range is exceeded, the dielectric breakdown voltage of the PZT deposited thereafter is very poor and leaks easily. The thicknesses of the second electrode 234 and the third electrode 236 are preferably substantially the same, and the difference between the thicknesses is preferably within ± 10 nm. If the thickness is out of this range, the optimum value of the film thickness of the second adhesion layer 235 is shifted, so that the quality of the electro-mechanical conversion film produced thereafter is affected and sufficient characteristics cannot be obtained.

第4の電極244としてSRO膜の膜厚としては、40nm〜80nmが好ましく、50nm〜60nmがさらに好ましい。この膜厚範囲よりも薄いと初期変位や変位劣化特性については十分な特性が得られない。この範囲を超えると、その後成膜したPZTの絶縁耐圧が非常に悪く、リークしやすくなる。
[電気−機械変換膜]
電気−機械変換膜243としては、PZTを主に使用した。PZTとはジルコン酸鉛(PbTiO3)とチタン酸(PbTiO3)の固溶体で、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成はPbZrO3とPbTiO3の比率が53:47の割合で、化学式で示すとPb(Zr0.53,Ti0.47)O3、一般PTZ(53/47)と示される。PTZ以外の複合酸化物としてはチタン酸バリウムなどが挙げられ、この場合はバリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することも可能である。
The film thickness of the SRO film as the fourth electrode 244 is preferably 40 nm to 80 nm, and more preferably 50 nm to 60 nm. If it is thinner than this film thickness range, sufficient characteristics cannot be obtained for the initial displacement and displacement deterioration characteristics. If this range is exceeded, the dielectric breakdown voltage of the PZT deposited thereafter is very poor and leaks easily.
[Electro-mechanical conversion membrane]
PZT was mainly used as the electromechanical conversion film 243. PZT is a solid solution of lead zirconate (PbTiO3) and titanic acid (PbTiO3), and the characteristics differ depending on the ratio. In general, the composition showing excellent piezoelectric properties is a ratio of PbZrO3 and PbTiO3 of 53:47, and it is expressed as Pb (Zr0.53, Ti0.47) O3 and general PTZ (53/47) in chemical formula. . Examples of composite oxides other than PTZ include barium titanate. In this case, it is also possible to prepare a barium titanate precursor solution by dissolving barium alkoxide and a titanium alkoxide compound in a common solvent. is there.

これら材料は一般式ABO3で記述され、A=Pb、Ba、Sr B=Ti、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg、Nbを主成分とする複合酸化物が該当する。その具体的な記述として(Pb1-x, Ba)(Zr, Ti)O3、(Pb1-x, Sr)(Zr, Ti)O3、これはAサイトのPbを一部BaやSrで置換した場合である。このような置換は2価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。   These materials are described by the general formula ABO3, and correspond to composite oxides containing A = Pb, Ba, Sr B = Ti, Zr, Sn, Ni, Zn, Mg, and Nb as main components. The specific description is (Pb1-x, Ba) (Zr, Ti) O3, (Pb1-x, Sr) (Zr, Ti) O3, which is obtained by partially replacing Pb at the A site with Ba or Sr. It is. Such substitution is possible with a divalent element, and the effect thereof has an effect of reducing characteristic deterioration due to evaporation of lead during heat treatment.

作製方法としては、スパッタ法もしくは、Sol−gel法を用いてスピンコーターにて作製することができる。その場合は、パターニング化が必要となるので、フォトリソエッチング等により所望のパターンを得る。   As a manufacturing method, it can be manufactured by a spin coater using a sputtering method or a Sol-gel method. In that case, since patterning is required, a desired pattern is obtained by photolithography etching or the like.

PZTをSol−gel法により作製した場合、出発材料に酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得ことで、PZT前駆体溶液が作製できる。金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加しても良い。  When PZT is produced by the Sol-gel method, PZT precursor solution can be produced by using lead acetate, zirconium alkoxide, and titanium alkoxide compound as starting materials and dissolving them in methoxyethanol as a common solvent to obtain a uniform solution. . Since the metal alkoxide compound is easily hydrolyzed by moisture in the atmosphere, an appropriate amount of a stabilizer such as acetylacetone, acetic acid or diethanolamine may be added to the precursor solution as a stabilizer.

下地基板全面にPZT膜を得る場合、スピンコートなどの溶液塗布法により塗膜を形成し、溶媒乾燥、熱分解、結晶化の各々の熱処理を施すことで得られる。塗膜から結晶化膜への変態には体積収縮が伴うので、クラックフリーな膜を得るには一度の工程で100nm以下の膜厚が得られるように前駆体濃度の調整が必要になる。   When a PZT film is obtained on the entire surface of the base substrate, it is obtained by forming a coating film by a solution coating method such as spin coating and performing heat treatments such as solvent drying, thermal decomposition, and crystallization. Since transformation from the coating film to the crystallized film involves volume shrinkage, it is necessary to adjust the precursor concentration so that a film thickness of 100 nm or less can be obtained in one step in order to obtain a crack-free film.

電気−機械変換膜243の膜厚としては0.5〜5μmが好ましく、さらに好ましくは1μm〜2μmとなる。この範囲より小さいと十分な変位を発生することが出来なくなり、この範囲より大きいと何層も積層させていくため、工程数が多くなりプロセス時間が長くなる。   The film thickness of the electromechanical conversion film 243 is preferably 0.5 to 5 μm, more preferably 1 μm to 2 μm. If it is smaller than this range, it will not be possible to generate a sufficient displacement, and if it is larger than this range, many layers will be laminated, resulting in an increase in the number of steps and a longer process time.

第2の電極234上にPZTをSol−gel法により作製した溶液を用いてスピンコートにより1μm成膜した後のXRDについて図6に示す。例えば図3に示す構成で見たときに、第2の密着層235の有無で比較をしたときに、第2の密着層235を入れたときの方が、結晶の質をさらに高めることが出来ていることが分かる。
[作成方法]
次に、電気−機械変換素子500の作成方法の実施例について説明する。
<実施例1>
先ず、シリコンウェハに熱酸化膜(膜厚1ミクロン)を形成し、第1の密着層232として、チタン膜(膜厚30nm)をスパッタ装置にて成膜した後にRTAを用いて750℃にて熱酸化し、引き続き第1の電極233として白金膜(膜厚150nm)、第2の電極234としてSrRuO膜(膜厚30nm)、第2の密着層235として、チタン膜(膜厚10nm)、第3の電極236としてSrRuO膜(膜厚30nm)をスパッタ成膜した。
FIG. 6 shows XRD after a film of 1 μm is formed on the second electrode 234 by spin coating using a solution in which PZT is manufactured by the Sol-gel method. For example, when compared with the presence or absence of the second adhesion layer 235 when viewed with the configuration shown in FIG. 3, the quality of the crystal can be further improved when the second adhesion layer 235 is inserted. I understand that
[How to make]
Next, an example of a method for producing the electromechanical conversion element 500 will be described.
<Example 1>
First, a thermal oxide film (film thickness: 1 micron) is formed on a silicon wafer, and a titanium film (film thickness: 30 nm) is formed as a first adhesion layer 232 by a sputtering apparatus, and then RTA is used at 750 ° C. Thermal oxidation is performed, and subsequently a platinum film (thickness 150 nm) as the first electrode 233, a SrRuO film (thickness 30 nm) as the second electrode 234, a titanium film (thickness 10 nm) as the second adhesion layer 235, the first As the third electrode 236, a SrRuO film (thickness 30 nm) was formed by sputtering.

スパッタ成膜時の基板加熱温度については550℃にて成膜を実施した。次に電気−機械変換膜243として以下の2種の溶液を用意し、図7に示すような積層膜を作製した。   The substrate was heated at 550 ° C. during the sputtering film formation. Next, the following two types of solutions were prepared as the electromechanical conversion film 243, and a laminated film as shown in FIG. 7 was produced.

PZT(1)(Pb:Zr:Ti=110:53:47)
PZT(2)(Pb:Zr:Ti=120:53:47)
具体的な前駆体塗布液の合成については、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。化学両論組成に対し鉛量を過剰にしてある。これは熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、先記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでPZT前駆体溶液を合成した。このPZT濃度は0.5モル−リットルにした。この液を用いて、スピンコートにより成膜し
、成膜後、120℃乾燥→500℃熱分解を行った。図7に示すように、1、2層目にPZT(1)溶液を用いて、3層目にPZT(2)溶液を用いた。3層目の熱分解処理後に、結晶化熱処理(温度750℃)をRTA(急速熱処理)にて行った。このときPZTの膜厚は240nmであった。この工程を計8回(24層)実施し、約2μmのPZT膜厚を得た。
PZT (1) (Pb: Zr: Ti = 110: 53: 47)
PZT (2) (Pb: Zr: Ti = 120: 53: 47)
For the synthesis of a specific precursor coating solution, lead acetate trihydrate, isopropoxide titanium and isopropoxide zirconium were used as starting materials. Crystal water of lead acetate was dissolved in methoxyethanol and then dehydrated. The lead amount is excessive with respect to the stoichiometric composition. This is to prevent crystallinity deterioration due to so-called lead loss during heat treatment. Isopropoxide titanium and isopropoxide zirconium were dissolved in methoxyethanol, the alcohol exchange reaction and the esterification reaction were advanced, and the PZT precursor solution was synthesized by mixing with the methoxyethanol solution in which the lead acetate was dissolved. The PZT concentration was 0.5 mol-liter. Using this solution, a film was formed by spin coating, and after film formation, drying at 120 ° C. → thermal decomposition at 500 ° C. was performed. As shown in FIG. 7, the PZT (1) solution was used for the first and second layers, and the PZT (2) solution was used for the third layer. After thermal decomposition treatment of the third layer, crystallization heat treatment (temperature: 750 ° C.) was performed by RTA (rapid heat treatment). At this time, the film thickness of PZT was 240 nm. This process was performed a total of 8 times (24 layers) to obtain a PZT film thickness of about 2 μm.

次に第4の電極244としてSrRuO膜(膜厚40nm)、第5の電極245としてPt膜(膜厚125nm)をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ICPエッチング装置(サムコ製)を用いてパターンを作製した。   Next, an SrRuO film (film thickness 40 nm) was formed as the fourth electrode 244 by sputtering, and a Pt film (film thickness 125 nm) was formed as the fifth electrode 245 by sputtering. Thereafter, a photoresist (TSMR8800) manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. was formed by spin coating, a resist pattern was formed by ordinary photolithography, and then a pattern was prepared using an ICP etching apparatus (manufactured by Samco).

次に絶縁保護膜1008として、パリレン膜(膜厚2μm)をCVD成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、RIE
(サムコ製)を用いて図8に示すパターンを作製した。
Next, as the insulating protective film 1008, a parylene film (film thickness: 2 μm) was formed by CVD. Thereafter, a photoresist made by Tokyo Ohka Co., Ltd. (TSMR8800) is formed by spin coating, a resist pattern is formed by ordinary photolithography, and then RIE.
The pattern shown in FIG. 8 was produced using (made by Samco).

最後に、第5,第6の電極245,1009としてAl膜(膜厚5μm)をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、RIE(サムコ製)を用いて図8(A),(B)のようなパターンを作製し、液滴吐出ヘッド1000を作製した。1009,1010は第6,第7電極端子である。
<実施例2>
第2の電極234、第3の電極236としてSrRuO膜(膜厚70nm)とした以外は実施例1と同様に図8(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1000を作製した。
<実施例3>
第2の電極234、第3の電極236としてSrRuO膜(膜厚25nm)とした以外は実施例1と同様に図8(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1000を作製した。
<実施例4>
第2の密着層235としてチタン膜(膜厚15nm)とした以外は実施例1と同様に図8に示すような液滴吐出ヘッド1000を作製した。
<実施例5>
第2の密着層としてチタン膜(膜厚2nm)とした以外は例1と同様に図8に示すような液滴吐出ヘッド1000を作製した。
<比較例1>
第2の密着層235を設けないこと以外は実施例1と同様に図9(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1100を作製した。
<比較例2>
第2の電極234、第3の電極236としてSrRuO膜(膜厚85nm)とした以外は実施例1と同様に図9(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1100を作製した。
<比較例3>
第2の密着層235としてチタン膜(膜厚30nm)とした以外は実施例1と同様に図9(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1100を作製した。
<比較例4>
第2の密着層235としてチタン膜(膜厚0.5nm)とした以外は実施例1と同様に図9(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1100を作製した。
<比較例5>
第2の電極234、第3の電極236としてSrRuO膜(膜厚15nm)とした以外は実施例1と同様に図9(A),(B)に示すような液滴吐出ヘッド1100を作製した。
<比較例6>
第2の密着層235として、チタン膜(膜厚10nm)、第1の密着層232として、チタン膜(膜厚30nm)をスパッタ装置にて成膜した後に、RTA処理を行わず、連続して第1の電極として白金膜(膜厚150nm)第2の電極234としてSrRuO膜(膜厚60nm)をスパッタ成膜した以外は実施例1と同様に図9に示すような液滴吐出ヘッド1000を作製した。
Finally, an Al film (film thickness 5 μm) was formed by sputtering as the fifth and sixth electrodes 245 and 1009. Thereafter, a photoresist made by Tokyo Ohka Co., Ltd. (TSMR8800) is formed by spin coating, a resist pattern is formed by ordinary photolithography, and then the RIE (manufactured by Samco) is used as shown in FIGS. Such a pattern was produced, and a droplet discharge head 1000 was produced. Reference numerals 1009 and 1010 denote sixth and seventh electrode terminals.
<Example 2>
A droplet discharge head 1000 as shown in FIGS. 8A and 8B was produced in the same manner as in Example 1 except that the SrRuO film (film thickness 70 nm) was used as the second electrode 234 and the third electrode 236. .
<Example 3>
A droplet discharge head 1000 as shown in FIGS. 8A and 8B was produced in the same manner as in Example 1 except that the SrRuO film (film thickness 25 nm) was used as the second electrode 234 and the third electrode 236. .
<Example 4>
A droplet discharge head 1000 as shown in FIG. 8 was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness: 15 nm) was used as the second adhesion layer 235.
<Example 5>
A droplet discharge head 1000 as shown in FIG. 8 was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness 2 nm) was used as the second adhesion layer.
<Comparative Example 1>
A droplet discharge head 1100 as shown in FIGS. 9A and 9B was produced in the same manner as in Example 1 except that the second adhesion layer 235 was not provided.
<Comparative example 2>
A droplet discharge head 1100 as shown in FIGS. 9A and 9B was produced in the same manner as in Example 1 except that the SrRuO film (film thickness 85 nm) was used as the second electrode 234 and the third electrode 236. .
<Comparative Example 3>
A droplet discharge head 1100 as shown in FIGS. 9A and 9B was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (thickness 30 nm) was used as the second adhesion layer 235.
<Comparative example 4>
A droplet discharge head 1100 as shown in FIGS. 9A and 9B was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness: 0.5 nm) was used as the second adhesion layer 235.
<Comparative Example 5>
A droplet discharge head 1100 as shown in FIGS. 9A and 9B was produced in the same manner as in Example 1 except that SrRuO films (thickness 15 nm) were used as the second electrode 234 and the third electrode 236. .
<Comparative Example 6>
After forming a titanium film (film thickness: 10 nm) as the second adhesion layer 235 and a titanium film (film thickness: 30 nm) as the first adhesion layer 232 using a sputtering apparatus, the RTA treatment is not performed continuously. A droplet discharge head 1000 as shown in FIG. 9 is formed in the same manner as in Example 1 except that a platinum film (thickness 150 nm) is used as the first electrode and a SrRuO film (thickness 60 nm) is formed as the second electrode 234 by sputtering. Produced.

実施例1〜5、比較例1〜6で作製した液滴吐出ヘッドについて、電気特性、電気−機械変換能(圧電定数)の評価を行った。代表的なP−Eヒステリシス曲線は図10に示す。電気−機械変換能は電界印加(150kV/cm)による変形量をレーザードップラー振動計で計測し、シミュレーションによる合わせ込みから算出した。初期特性を評価した後に、耐久性(10^10回繰り返し印可電圧を加えた直後の特性)評価を実施した。これらの詳細結果について図11の表1にまとめた。   The droplet ejection heads produced in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated for electrical characteristics and electro-mechanical conversion ability (piezoelectric constant). A typical PE hysteresis curve is shown in FIG. The electro-mechanical conversion ability was calculated by measuring the amount of deformation by applying an electric field (150 kV / cm) with a laser Doppler vibrometer and fitting by simulation. After evaluating the initial characteristics, durability (characteristics immediately after applying the applied voltage 10 ^ 10 times) was evaluated. These detailed results are summarized in Table 1 of FIG.

実施例1〜5、比較例1〜6ともに初期特性、耐久性試験後の結果についても一般的なセラミック焼結体と同等の特性を有していた(残留分極Pr:20〜27uC−cm2、圧電定数は−120〜−140pm−V)。   In Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6, the initial characteristics and the results after the durability test were the same as those of a general ceramic sintered body (residual polarization Pr: 20 to 27 uC-cm2, The piezoelectric constant is -120 to -140 pm-V).

一方、比較例1〜6については、若干初期特性としては一般的なセラミックス焼結体に比べて特性が劣る。さらに1010回後(1010回繰り返し印加電圧を加えた直後)の特性においては、実施例1〜5に比べて、残留分極及び圧電定数の双方において大きく劣化しているのが確認された。   On the other hand, Comparative Examples 1 to 6 are slightly inferior to the general ceramic sintered body in terms of initial characteristics. Further, in the characteristics after 1010 times (immediately after applying the applied voltage repeatedly 1010 times), it was confirmed that both the residual polarization and the piezoelectric constant were greatly deteriorated as compared with Examples 1-5.

すなわち、図3に示す電気−機械変換素子500を備えた実施例1ないし実施例5の液滴吐出ヘッド1000は、繰り返し電界印加回数の増加にともない、圧電特性が劣化するということがなく、信頼性の向上が十分に得られていることが図11の表示1から分かる。つまり、電気−機械変換素子500の信頼性の向上を図ることができる。
[インクジェット記録装置]
図1及び図2は、図3に示す電気−機械変換素子500を有する記録ヘッド94を搭載した液滴吐出装置であるインクジェット記録装置80を示す。
That is, the droplet discharge head 1000 according to the first to fifth embodiments including the electro-mechanical conversion element 500 shown in FIG. 3 does not deteriorate in piezoelectric characteristics as the number of repeated electric field applications increases, and is reliable. It can be seen from the display 1 in FIG. That is, the reliability of the electromechanical conversion element 500 can be improved.
[Inkjet recording apparatus]
1 and 2 show an ink jet recording apparatus 80 which is a droplet discharge apparatus equipped with a recording head 94 having the electro-mechanical conversion element 500 shown in FIG.

インクジェット記録装置80は、装置本体81の内部に設けた印字機構部82等を備えている。この印字機構部82は、主走査方向に移動可能なキャリッジ93と、このキャリッジ93に搭載したインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)である記録ヘッド(プリンターヘッド)94と、この記録ヘッド94へインクを供給するインクカートリッジ95等を有している。   The ink jet recording apparatus 80 includes a printing mechanism unit 82 provided inside the apparatus main body 81. The printing mechanism section 82 includes a carriage 93 that can move in the main scanning direction, a recording head (printer head) 94 that is an ink jet head (droplet discharge head) mounted on the carriage 93, and ink to the recording head 94. An ink cartridge 95 to be supplied is included.

また、装置本体81の下方部には、前方側から多数枚の用紙83を積載可能な給紙カセット(或いは給紙トレイでもよい。)84が抜き差し自在に装着されている。また、装置本体81の前部には、用紙83を手差しで給紙するための手差しトレイ85が開倒可能に取り付けられている。   A paper feed cassette (or a paper feed tray) 84 on which a large number of sheets 83 can be stacked from the front side is detachably attached to the lower portion of the apparatus main body 81. In addition, a manual feed tray 85 for manually feeding the paper 83 is attached to the front portion of the apparatus main body 81 so that the paper 83 can be turned over.

給紙カセット84或いは手差しトレイ85から給送される用紙83は、装置本体81へ取り込まれ、印字機構部82によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ86に排紙されるようになっている。   The paper 83 fed from the paper feed cassette 84 or the manual feed tray 85 is taken into the apparatus main body 81, and after a required image is recorded by the printing mechanism unit 82, the paper 83 is discharged to the paper discharge tray 86 mounted on the rear side. It has come to be.

印字機構部82は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド91および従ガイドロッド92と、この主ガイドロッド91および従ガイドロッド92によって主走査方向に摺動自在に保持されているキャリッジ93とを有している。このキャリッジ93には、イエロー(Y)、シアン(C)、マゼンタ(M)、ブラック(Bk)の各色のインク滴を吐出するインクジェットヘッドである複数の記録ヘッド94が装着され、各記録ヘッド94は、主走査方向と交差する方向に配列したインク吐出口(ノズル)を有し、インク滴吐出方向は下方に向けられている。   The printing mechanism 82 is slidably held in the main scanning direction by the main guide rod 91 and the sub guide rod 92 which are guide members horizontally mounted on left and right side plates (not shown), and the main guide rod 91 and the sub guide rod 92. The carriage 93 is provided. A plurality of recording heads 94 that are ink jet heads that eject ink droplets of yellow (Y), cyan (C), magenta (M), and black (Bk) are mounted on the carriage 93. Has ink discharge ports (nozzles) arranged in a direction crossing the main scanning direction, and the ink droplet discharge direction is directed downward.

また、キャリッジ93には、各記録ヘッド94に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ95がそれぞれ交換可能に装着されている。   In addition, ink cartridges 95 for supplying inks of the respective colors to the recording heads 94 are mounted on the carriage 93 in a replaceable manner.

インクカートリッジ95は、上方に大気と連通する大気口(図示せず)と、下方には記録ヘッド94へインクを供給する供給口(図示せず)とを有し、内部にはインクが充填された多孔質体が設けられており、この多孔質体の毛管力により記録ヘッド94へ供給されるインクがわずかな負圧に維持されている。   The ink cartridge 95 has an atmosphere port (not shown) communicating with the atmosphere at the upper side and a supply port (not shown) for supplying ink to the recording head 94 at the lower side, and the inside is filled with ink. A porous body is provided, and the ink supplied to the recording head 94 is maintained at a slight negative pressure by the capillary force of the porous body.

ここでは、記録ヘッドとして各色の記録ヘッド94を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する1個のヘッドでもよい。   Here, the recording head 94 of each color is used as the recording head, but a single head having nozzles for ejecting ink droplets of each color may be used.

キャリッジ93を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ97で回転駆動される駆動プーリ98と従動プーリ99との間にタイミングベルト100を張装し、このタイミングベルト100をキャリッジ93に固定している。そして、主走査モータ97の正逆回転によりキャリッジ93が往復駆動される。   In order to move and scan the carriage 93 in the main scanning direction, a timing belt 100 is stretched between a driving pulley 98 and a driven pulley 99 that are rotationally driven by a main scanning motor 97, and the timing belt 100 is fixed to the carriage 93. ing. Then, the carriage 93 is driven to reciprocate by forward and reverse rotation of the main scanning motor 97.

一方、給紙カセット84にセットした用紙83を記録ヘッド94の下方側に搬送するために、給紙カセット84から用紙83を分離給装する給紙ローラ101及びフリクションパッド102と、用紙83を案内するガイド部材103と、給紙された用紙83を反転させて搬送する搬送ローラ104と、この搬送ローラ104の周面に押し付けられる搬送コロ105及び搬送ローラ104からの用紙83の送り出し角度を規定する先端コロ106とが装置本体81に設けられている。   On the other hand, in order to convey the paper 83 set in the paper feed cassette 84 to the lower side of the recording head 94, the paper feed roller 101 and the friction pad 102 for separating and feeding the paper 83 from the paper feed cassette 84 and the paper 83 are guided. The guide member 103 to be transported, the transport roller 104 that reverses and transports the fed paper 83, the transport roller 105 that is pressed against the peripheral surface of the transport roller 104, and the feed angle of the paper 83 from the transport roller 104 are defined. A tip roller 106 is provided on the apparatus main body 81.

搬送ローラ104は、副走査モータ107によってギヤ列(図示せず)を介して回転駆動される。   The transport roller 104 is rotationally driven by a sub-scanning motor 107 via a gear train (not shown).

そして、キャリッジ93の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ104から送り出された用紙83を記録ヘッド94の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材109を設けている。この印写受け部材109の用紙搬送方向下流側には、用紙83を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ111、拍車112を設け、さらに用紙83を排紙トレイ86に送り出す排紙ローラ113及び拍車114と、排紙経路を形成するガイド部材115,116とを配設している。   A printing receiving member 109 is provided as a paper guide member that guides the paper 83 sent from the transport roller 104 below the recording head 94 in accordance with the movement range of the carriage 93 in the main scanning direction. A conveyance roller 111 and a spur 112 that are rotationally driven to send the paper 83 in the paper discharge direction are provided on the downstream side of the printing receiving member 109 in the paper conveyance direction, and the paper 83 is further delivered to the paper discharge tray 86. A roller 113 and a spur 114, and guide members 115 and 116 that form a paper discharge path are disposed.

記録時には、キャリッジ93を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド94を駆動することにより、停止している用紙83にインクを吐出して1行分を記録し、用紙83を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙83の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙83を排紙する。   At the time of recording, the recording head 94 is driven according to the image signal while moving the carriage 93, thereby ejecting ink onto the stopped sheet 83 to record one line. Record the line. Upon receiving a recording end signal or a signal that the trailing edge of the paper 83 has reached the recording area, the recording operation is terminated and the paper 83 is discharged.

また、キャリッジ93の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、記録ヘッド94の吐出不良を回復するための回復装置117を配置している。回復装置117はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ93は印字待機中にはこの回復装置117側に移動されてキャッピング手段で記録ヘッド94をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。   Further, a recovery device 117 for recovering the ejection failure of the recording head 94 is disposed at a position outside the recording area on the right end side in the movement direction of the carriage 93. The recovery device 117 includes a cap unit, a suction unit, and a cleaning unit. The carriage 93 is moved to the recovery device 117 side during printing standby, and the recording head 94 is capped by the capping unit, and the ejection port portion is kept in a wet state to prevent ejection failure due to ink drying. Further, by ejecting ink that is not related to recording during recording or the like, the ink viscosity of all the ejection ports is made constant and stable ejection performance is maintained.

吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段で記録ヘッド94の吐出口(ノズル)を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜(不図示)に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。   When a discharge failure occurs, the discharge port (nozzle) of the recording head 94 is sealed by the capping unit, and bubbles and the like are sucked out together with the ink from the discharge port by the suction unit through the tube. Etc. are removed by the cleaning means, and the ejection failure is recovered. Further, the sucked ink is discharged to a waste ink reservoir (not shown) installed at the lower part of the main body and absorbed and held by an ink absorber inside the waste ink reservoir.

このインクジェット記録装置80は、電気−機械変換素子500を用いた記録ヘッド94を搭載しているので、繰り返し電界印加回数の増加にともない、圧電特性が劣化することがなく、このため、長期間の使用によって振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られ、画像品質が向上することになる。   Since the ink jet recording apparatus 80 includes the recording head 94 using the electro-mechanical conversion element 500, the piezoelectric characteristics do not deteriorate as the number of times of repeated electric field application increases. By use, there is no ink droplet ejection failure due to vibration plate drive failure, stable ink droplet ejection characteristics are obtained, and image quality is improved.

電気−機械変換素子500を搭載したインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)であるプリンターヘッド94と、液滴吐出装置であるインクジェット記録装置80は、インク吐出特性を長期間に亘って良好に保持することができ、インクを連続吐出しても安定したインク吐出特性を得ることができる。   The printer head 94, which is an ink jet head (droplet discharge head) equipped with the electro-mechanical conversion element 500, and the ink jet recording apparatus 80, which is a droplet discharge device, maintain good ink discharge characteristics over a long period of time. Therefore, stable ink discharge characteristics can be obtained even when ink is continuously discharged.

上記実施例では、基板230上に成膜振動板231を形成しているが、必ずしもこの成膜振動板231を形成しなくてもよい。   In the above embodiment, the film formation vibration plate 231 is formed on the substrate 230, but the film formation vibration plate 231 is not necessarily formed.

この発明は、上記実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲の発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加等は許容される。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and design changes and additions are permitted without departing from the scope of the claimed invention.

80 インクジェット記録装置(液滴吐出装置)
94 記録ヘッド(液滴吐出ヘッド)
230 基板(下地:振動板)
231 成膜振動板(下地膜)
232 第1の密着層
233 第1の電極
234 第2の電極
235 第2の密着層
236 第3の電極
243 電気−機械変換膜
244 第4の電極
245 第5の電極
300 下部電極
400 上部電極
500 電気−機械変換素子
80 Inkjet recording device (droplet discharge device)
94 Recording Head (Droplet Discharge Head)
230 Substrate (base: diaphragm)
231 Film formation diaphragm (underlayer)
232 First adhesion layer 233 First electrode 234 Second electrode 235 Second adhesion layer 236 Third electrode 243 Electro-mechanical conversion film 244 Fourth electrode 245 Fifth electrode 300 Lower electrode 400 Upper electrode 500 Electro-mechanical transducer

特開2009-54934号公報JP 2009-54934 A

Claims (9)

基板または下地膜と、この基板または下地膜上に第1の密着層を介して形成された下部電極と、この下部電極上に形成された電気−機械変換膜と、この電気−機械変換膜上に形成された上部電極とを備えた電気−機械変換素子であって、
前記下部電極は、前記第1の密着層上に形成されるとともに金属膜からなる第1の電極と、この第1の電極上に形成された酸化物からなる第2の電極と、この第2の電極上に形成された第2の密着層と、この第2の密着層上に形成された第3の電極とを有し、
前記上部電極は、前記電気−機械変換膜上に形成された酸化物からなる第4の電極と、この第4の電極上に形成された金属からなる第5の電極とを有することを特徴とする電気−機械変換素子。
A substrate or a base film, a lower electrode formed on the substrate or the base film via a first adhesion layer, an electromechanical conversion film formed on the lower electrode, and the electromechanical conversion film An electro-mechanical conversion element comprising an upper electrode formed on
The lower electrode is formed on the first adhesion layer and is made of a first electrode made of a metal film, a second electrode made of an oxide formed on the first electrode, and the second electrode. A second adhesion layer formed on the electrode, and a third electrode formed on the second adhesion layer,
The upper electrode includes a fourth electrode made of an oxide formed on the electro-mechanical conversion film, and a fifth electrode made of a metal formed on the fourth electrode. An electromechanical conversion element.
前記第2の電極と第3の電極がルテニウム酸ストロンチウムからなることを特徴とする請求項1に記載の電気−機械変換素子。   2. The electromechanical transducer according to claim 1, wherein the second electrode and the third electrode are made of strontium ruthenate. 前記第2の電極と第3の電極の膜厚の合計が40nm以上であって150nm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電気−機械変換素子。   The electro-mechanical transducer according to claim 1 or 2, wherein the total thickness of the second electrode and the third electrode is 40 nm or more and 150 nm or less. 前記第2の密着層は、チタン膜であり、その膜厚を1nm以上であって20nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の電気−機械変換素子。   The electro-mechanical conversion according to any one of claims 1 to 3, wherein the second adhesion layer is a titanium film and has a film thickness of 1 nm or more and 20 nm or less. element. 前記第1の密着層は、膜厚が10nm以上であって50nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1つに記載の電気−機械変換素子。   5. The electromechanical conversion element according to claim 1, wherein the first adhesion layer has a thickness of 10 nm or more and 50 nm or less. 前記第1の密着層は、絶縁膜上にチタン膜を形成し、この後、前記チタン膜を急速加熱して熱酸化させることにより形成することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1つに記載の電気−機械変換素子。   6. The first adhesion layer according to claim 1, wherein the first adhesion layer is formed by forming a titanium film on the insulating film, and thereafter, rapidly heating and thermally oxidizing the titanium film. The electromechanical conversion element according to any one of the above. 前記第1の電極をプラチナで形成し、その膜厚を80nm以上であって200nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1つに記載の電気−機械変換素子。   7. The electromechanical transducer according to claim 1, wherein the first electrode is made of platinum and has a film thickness of 80 nm or more and 200 nm or less. 液滴を吐出するノズルと、該ノズルが連通する加圧室と、該加圧室内の液体を昇圧させる吐出駆動手段とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
前記吐出駆動手段は、前記加圧室の壁の一部を振動板で構成し、該振動板に前記請求項1ないし請求項7のいずれか1つに記載の電気−機械変換素子を設けたものであることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
In a droplet discharge head comprising a nozzle that discharges a droplet, a pressure chamber that communicates with the nozzle, and a discharge driving means that pressurizes the liquid in the pressure chamber.
The discharge driving means comprises a part of a wall of the pressurizing chamber as a diaphragm, and the electromechanical conversion element according to any one of claims 1 to 7 is provided on the diaphragm. A droplet discharge head characterized by being a thing.
請求項8に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。   A droplet discharge apparatus comprising the droplet discharge head according to claim 8.
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