JP2013180537A - Liquid ejecting apparatus and head control circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液体吐出装置及びヘッド制御回路に関する。 The present invention relates to a liquid ejection apparatus and a head control circuit.
ヘッド部に設けられたノズルから液体を吐出して媒体上に液滴(インクドット)を着弾させることで記録を行う液体吐出装置が知られている。液体吐出装置から液体を吐出する際には、ヘッド部に搭載されたヘッド制御回路によってヘッドを駆動するための駆動信号や、ロジック信号が生成され、それらの信号を印加することによってヘッドの動作が制御される。 2. Description of the Related Art There is known a liquid ejecting apparatus that performs recording by ejecting liquid from a nozzle provided in a head unit and landing droplets (ink dots) on a medium. When liquid is ejected from the liquid ejection device, a drive signal for driving the head and a logic signal are generated by a head control circuit mounted on the head unit, and the operation of the head is performed by applying these signals. Be controlled.
通常、それらの信号は電源の電圧を用いて生成されるが、電源電圧がONになった後、電源電圧がONになった後、グランド電位から電圧が上昇する間の中間電位の影響により、回路が誤作動するおそれがある。制御回路の誤作動を防止する手段として、電圧が上昇して安定するまでは制御回路をリセット状態にしておき、電圧が所定の大きさになってから制御回路を動作させるようにするパワーオンリセット回路を設ける方法がある。例えば、特許文献1では、このようなパワーオンリセット回路を搭載し、パワーオンリセット信号を生成して電源電圧の立ち上がり時における制御回路の誤作動を抑制している。
Normally, these signals are generated using the voltage of the power supply, but after the power supply voltage is turned ON, after the power supply voltage is turned ON, due to the influence of the intermediate potential while the voltage rises from the ground potential, The circuit may malfunction. As a means to prevent malfunction of the control circuit, the control circuit is kept in the reset state until the voltage rises and stabilizes, and the control circuit is operated after the voltage reaches a predetermined level. There is a method of providing a circuit. For example, in
特許文献1のパワーオンリセット回路では、パワーオンリセット信号を生成するための素子として抵抗素子が用いられていた。しかし、十分な抵抗値を得るために抵抗素子のサイズが大きくなることから、制御回路自体が大型化してしまうという問題があった。特に、インクジェットプリンター等の液体吐出装置では、ヘッドの小型化に関する要望が大きく、そのためにはパワーオンリセット回路をコンパクトに構成する必要がある。
In the power-on reset circuit of
本発明は、コンパクトな構成のパワーオンリセット回路を備えたヘッドを有する液体吐出装置を提供することを課題としている。 An object of the present invention is to provide a liquid ejection apparatus having a head including a power-on reset circuit having a compact configuration.
上記目的を達成するための主たる発明は、第1のMOSトランジスタと、該第1のMOSトランジスタとは異なる第2のMOSトランジスタと、インバーターと、を有し、液体を吐出するヘッド部を備える液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタのゲート及びソースは電源に接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、前記第2のMOSトランジスタのゲートは前記電源に接続され、ソースはグランドに接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、前記インバーターは前記電源の電圧若しくは前記グランドの電圧からなるパワーオンリセット信号を出力する、ことを特徴とする液体吐出装置である。 A main invention for achieving the above object is a liquid having a first MOS transistor, a second MOS transistor different from the first MOS transistor, and an inverter, and having a head portion for discharging liquid. In the discharge device, a gate and a source of the first MOS transistor are connected to a power source, a drain is connected to an input side of the inverter, a gate of the second MOS transistor is connected to the power source, and a source is The liquid ejecting apparatus is characterized in that the drain is connected to the ground, the drain is connected to the input side of the inverter, and the inverter outputs a power-on reset signal composed of the voltage of the power source or the voltage of the ground.
本発明の他の特徴については、本明細書及び添付図面の記載により明らかにする。 Other features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも、以下の事項が明らかとなる。 At least the following matters will become clear from the description of the present specification and the accompanying drawings.
第1のMOSトランジスタと、該第1のMOSトランジスタとは異なる第2のMOSトランジスタと、インバーターと、を有し、液体を吐出するヘッド部を備える液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタのゲート及びソースは電源に接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、前記第2のMOSトランジスタのゲートは前記電源に接続され、ソースはグランドに接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、前記インバーターは前記電源の電圧若しくは前記グランドの電圧からなるパワーオンリセット信号を出力する、ことを特徴とする液体吐出装置。
このような液体吐出装置によれば、コンパクトな構成のパワーオンリセット回路を備えることにより、液体を吐出するヘッドを小型化することができる。
A liquid discharge apparatus having a first MOS transistor, a second MOS transistor different from the first MOS transistor, and an inverter, and having a head portion for discharging liquid, wherein the first MOS The gate and source of the transistor are connected to the power supply, the drain is connected to the input side of the inverter, the gate of the second MOS transistor is connected to the power supply, the source is connected to the ground, and the drain is input to the inverter. The liquid ejecting apparatus according to
According to such a liquid ejecting apparatus, a head for ejecting liquid can be reduced in size by including a power-on reset circuit having a compact configuration.
かかる液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタのON抵抗が、前記第2のMOSトランジスタのON抵抗よりも小さいことが望ましい。
このような液体吐出装置によれば、第1のMOSトランジスタによって出力される電圧が、第2のMOSトランジスタによって出力される電圧により影響を受け、電源電圧よりも低い電圧が出力される。これにより、インバーターに入力される信号のH/Lの切り替えタイミングを調整することができる。
In such a liquid discharge apparatus, it is desirable that the ON resistance of the first MOS transistor is smaller than the ON resistance of the second MOS transistor.
According to such a liquid ejecting apparatus, the voltage output by the first MOS transistor is affected by the voltage output by the second MOS transistor, and a voltage lower than the power supply voltage is output. Thereby, the H / L switching timing of the signal input to the inverter can be adjusted.
かかる液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタのソースとドレインとの間で電流を流し始める際の閾値が、前記第2のMOSトランジスタのソースとドレインとの間で電流を流し始める際の閾値よりも小さいことが望ましい。
このような液体吐出装置によれば、第2のMOSトランジスタが第1のMOSトランジスタよりも先に動作しやすくなる。
In such a liquid ejection apparatus, when a current starts to flow between the source and the drain of the first MOS transistor, a threshold value when a current starts to flow between the source and the drain of the second MOS transistor It is desirable to be smaller than the threshold value.
According to such a liquid ejecting apparatus, the second MOS transistor becomes easier to operate before the first MOS transistor.
かかる液体吐出装置であって、前記液体吐出装置から液体を吐出する際に、前記第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタが同時に動作するか、若しくは、前記第2のMOSトランジスタのみが動作することが望ましい。
このような液体吐出装置によれば、第1のMOSトランジスタが動作しているときには必ず第2のMOSトランジスタが動作しているため、当該2つのトランジスタの出力側の電圧は、常に電源の電圧よりも低くなる。
In such a liquid ejecting apparatus, when the liquid is ejected from the liquid ejecting apparatus, the first MOS transistor and the second MOS transistor operate simultaneously, or only the second MOS transistor operates. It is desirable to do.
According to such a liquid ejecting apparatus, since the second MOS transistor is always operating when the first MOS transistor is operating, the voltage on the output side of the two transistors is always higher than the voltage of the power supply. Also lower.
かかる液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタは、共にNチャネルの電界効果トランジスタであることが望ましい。
このような液体吐出装置によれば、電源から供給される電圧のみを用いてパワーオンリセット信号を生成し、安定した液体吐出動作を実現することができる。
In this liquid discharge apparatus, it is preferable that the first MOS transistor and the second MOS transistor are both N-channel field effect transistors.
According to such a liquid ejecting apparatus, it is possible to generate a power-on reset signal using only the voltage supplied from the power source, thereby realizing a stable liquid ejecting operation.
かかる液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタのチャネル内でソースとドレインとの間で電流が流れる方向の長さが、前記第2のMOSトランジスタのチャネル内で前記電流が流れる方向の長さよりも長いことが望ましい。
このような液体吐出装置によれば、前記第2のMOSトランジスタのON抵抗が前記第1のMOSトランジスタのON抵抗よりも小さくなり、電圧上昇時においてインバーターに入力される信号のH/Lの切り替えタイミングを遅らせることができる。
In this liquid discharge apparatus, the length of the direction in which the current flows between the source and the drain in the channel of the first MOS transistor is the length in the direction in which the current flows in the channel of the second MOS transistor. Longer than the length is desirable.
According to such a liquid ejecting apparatus, the ON resistance of the second MOS transistor becomes smaller than the ON resistance of the first MOS transistor, and the signal input to the inverter is switched between H / L when the voltage rises. Timing can be delayed.
かかる液体吐出装置であって、前記第1のMOSトランジスタのチャネル内でソースとドレインとの間で電流が流れる方向と交差する方向の長さが、前記第2のMOSトランジスタのチャネル内で前記電流が流れる方向と交差する方向の長さよりも短いことが望ましい。
このような液体吐出装置によれば、前記第2のMOSトランジスタのON抵抗が前記第1のMOSトランジスタのON抵抗よりも小さくなり、電圧上昇時においてインバーターに入力される信号のH/Lの切り替えタイミングを遅らせることができる。
In such a liquid ejection device, the length in the direction intersecting the direction in which the current flows between the source and the drain in the channel of the first MOS transistor has a length in the channel of the second MOS transistor. It is desirable that the length is shorter than the length in the direction intersecting the direction in which the gas flows.
According to such a liquid ejecting apparatus, the ON resistance of the second MOS transistor becomes smaller than the ON resistance of the first MOS transistor, and the signal input to the inverter is switched between H / L when the voltage rises. Timing can be delayed.
また、第1のMOSトランジスタと、該第1のMOSトランジスタとは異なる第2のMOSトランジスタと、インバーターと、を有し、液体を吐出するヘッド部の動作を制御するヘッド制御回路であって、前記第1のMOSトランジスタのゲート及びソースは電源に接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、前記第2のMOSトランジスタのゲートは前記電源に接続され、ソースはグランドに接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、前記インバーターは前記電源の電圧若しくは前記グランドの電圧からなるパワーオンリセット信号を出力する、ことを特徴とするヘッド制御回路。 A head control circuit that has a first MOS transistor, a second MOS transistor different from the first MOS transistor, and an inverter, and controls the operation of a head unit that ejects liquid; The gate and source of the first MOS transistor are connected to a power source, the drain is connected to the input side of the inverter, the gate of the second MOS transistor is connected to the power source, the source is connected to ground, and the drain Is connected to the input side of the inverter, and the inverter outputs a power-on reset signal composed of the voltage of the power supply or the voltage of the ground.
===液体吐出装置の基本的構成===
発明を実施するための液体吐出装置の形態として、インクジェットプリンター(プリンター1)を例に挙げて説明する。
=== Basic Configuration of Liquid Discharge Device ===
An ink jet printer (printer 1) will be described as an example of a liquid ejection apparatus for carrying out the invention.
<プリンターの構成>
図1は、プリンター1の全体構成を示すブロック図である。プリンター1は、紙・布・フィルム等の媒体に文字や画像を記録(印刷)する液体吐出装置であり、外部装置であるコンピューター110と通信可能に接続されている。
<Printer configuration>
FIG. 1 is a block diagram illustrating the overall configuration of the
コンピューター110にはプリンタードライバーがインストールされている。プリンタードライバーは、表示装置(不図示)にユーザーインターフェースを表示させ、アプリケーションプログラムから出力された画像データを印刷データに変換させるためのプログラムである。このプリンタードライバーは、フレキシブルディスクFDやCD−ROMなどの記録媒体(コンピューターが読み取り可能な記録媒体)に記録されている。また、プリンタードライバーはインターネットを介してコンピューター110にダウンロードすることも可能である。なお、このプログラムは、各種の機能を実現するためのコードから構成されている。
A printer driver is installed in the
コンピューター110はプリンター1に画像を印刷させるため、印刷させる画像に応じた印刷データをプリンター1に出力する。印刷データは、プリンター1が解釈できる形式のデータであって、各種のコマンドデータと、画素データとを有する。コマンドデータとは、プリンター1に特定の動作の実行を指示するためのデータである。このコマンドデータには、例えば、給紙を指示するコマンドデータ、搬送量を示すコマンドデータ、排紙を指示するコマンドデータがある。また、画素データは、印刷される画像の画素に関するデータである。ここで、画素とは画像を構成する単位要素であり、この画素が2次元的に並ぶことにより画像が構成される。印刷データにおける画素データSIは、媒体(例えば紙Sなど)上に形成されるドットに関するデータ(例えば、階調値)である。画素データは画素毎に例えば2ビットのデータによって構成される。
The
プリンター1は、搬送ユニット20と、キャリッジユニット30と、ヘッドユニット40と、検出器群50と、コントローラー60とを有する。コントローラー60は、外部装置であるコンピューター110から受信した印刷データに基づいてヘッドユニット40等の各ユニットを制御し、媒体に画像を印刷する。プリンター1内の状況は検出器群50によって監視されており、検出器群50は検出結果をコントローラー60に出力する。コントローラー60は検出器群50から出力された検出結果に基づいて各ユニットを制御する。
The
<搬送ユニット20>
図2Aは本実施形態のプリンター1の構成を表した鳥瞰図であり、図2Bはプリンター1の構成を表した側面図である。
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FIG. 2A is a bird's-eye view showing the configuration of the
搬送ユニット20は、媒体(例えば紙Sなど)を所定の方向(以下、搬送方向という)に搬送させるためのものである。ここで、搬送方向はキャリッジの移動方向と交差する方向である。搬送ユニット20は、給紙ローラー21と、搬送モーター22と、搬送ローラー23と、プラテン24と、排紙ローラー25とを有する(図2A及び図2B)。
The
給紙ローラー21は、紙挿入口に挿入された紙をプリンター内に給紙するためのローラーである。搬送ローラー23は、給紙ローラー21によって給紙された紙Sを印刷可能な領域まで搬送するローラーであり、搬送モーター22によって駆動される。搬送モーター22の動作はプリンター側のコントローラー60により制御される。プラテン24は、印刷中の紙Sを、紙Sの裏側から支持する部材である。排紙ローラー25は、紙Sをプリンターの外部に排出するローラーであり、印刷可能な領域に対して搬送方向下流側に設けられている。
The paper feed roller 21 is a roller for feeding the paper inserted into the paper insertion slot into the printer. The
<キャリッジユニット30>
キャリッジユニット30は、ヘッドユニット40が取り付けられたキャリッジ31を所定の方向(以下、移動方向と言う)に移動(「走査」とも呼ばれる)させるためのものである。キャリッジユニット30は、キャリッジ31と、キャリッジモーター32(CRモータとも言う)とを有する(図2A及び図2B)。
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キャリッジ31は、移動方向に往復移動可能であり、キャリッジモーター32によって駆動される。キャリッジモーター32の動作はプリンター側のコントローラー60により制御される。また、キャリッジ31は、インクを収容するインクカートリッジを着脱可能に保持している。
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<ヘッドユニット40>
ヘッドユニット40は、紙Sにインクを吐出するためのものである。ヘッドユニット40は、複数のノズルを有するヘッド41とヘッド制御部42とを備える。
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ヘッド41はキャリッジ31に搭載され、キャリッジ31が移動方向に移動すると、ヘッド41も移動方向に移動する。そして、ヘッド41が移動方向に移動中にインクを断続的に吐出することによって、移動方向に沿ったドットライン(ラスタライン)が媒体上に形成される。
The
図3は、ヘッド41の構造を示した断面図である。ヘッド41は、ケース411と、流路ユニット412と、ピエゾ素子PZTとを有する。ケース411はピエゾ素子PZTを収納し、ケース411の下面に流路ユニット412が接合されている。流路ユニット412は、流路形成板412aと、弾性板412bと、ノズルプレート412cとを有する。流路形成板412aには、圧力室412dとなる溝部、ノズル連通口412eとなる貫通口、共通インク室412fとなる貫通口、インク供給路412gとなる溝部が形成されている。弾性板412bはピエゾ素子PZTの先端が接合されるアイランド部412hを有する。そして、アイランド部412hの周囲には弾性膜412iによる弾性領域が形成されている。インクカートリッジに貯留されたインクが、共通インク室412fを介して、各ノズルNzに対応した圧力室412dに供給される。ノズルプレート412cはノズルNzが形成されたプレートである。ノズル面では、イエローインクを吐出するイエローノズル列Yと、マゼンタインクを吐出するマゼンタノズル列Mと、シアンインクを吐出するシアンノズル列Cと、ブラックインクを吐出するブラックノズル列Kと、が形成されている。各ノズル列では、複数のノズルNzが搬送方向に所定間隔にて並ぶことによって構成されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the
電圧波形信号である駆動信号がピエゾ素子PZTに印加されると、該駆動信号とグランド(GND)との電位差に応じてピエゾ素子PZTは上下方向に伸縮する(駆動される)。ピエゾ素子PZTが伸縮すると、アイランド部412hは圧力室412d側に押されたり、反対方向に引かれたりする。このとき、アイランド部412h周辺の弾性膜412iが変形し、圧力室412d内の圧力が上昇・下降することにより、ノズルNZからインク滴が吐出される。
When a drive signal that is a voltage waveform signal is applied to the piezo element PZT, the piezo element PZT expands and contracts (drives) in the vertical direction in accordance with the potential difference between the drive signal and the ground (GND). When the piezo element PZT expands and contracts, the
ヘッド制御部42は、ヘッド41の動作を制御するための制御用ICであり、ヘッド41の付近に設けられる。例えば、コントローラー60からヘッド41にデータ等の伝送を行なうケーブル(フレキシブルフラットケーブルFFC)に取り付けられる。そして、コントローラー60から送信される信号に応じてピエゾ素子PZTを駆動するための駆動信号を生成したり、該駆動信号をピエゾ素子PZTに印加するのを制御する制御信号(例えばSW信号等)を生成したりして、それらの信号によってヘッド41の動作を制御する。
また、ヘッド制御部42には後述するパワーオンリセット回路が設けられる。
The
The
<検出器群50>
検出器群50は、プリンター1の状況を監視するためのものである。検出器群50には、リニア式エンコーダ51、ロータリー式エンコーダ52、紙検出センサ53、及び光学センサ54等が含まれる(図2A及び図2B)。
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リニア式エンコーダ51は、キャリッジ31の移動方向の位置を検出する。ロータリー式エンコーダ52は、搬送ローラー23の回転量を検出する。紙検出センサ53は、給紙中の媒体(紙S)の先端の位置を検出する。光学センサ54は、キャリッジ31に取付けられている発光部と受光部により、対向する位置の媒体の有無を検出し、例えば、移動しながら紙の端部の位置を検出し、紙の幅を検出することができる。また、光学センサ54は、状況に応じて、媒体の先端(搬送方向下流側の端部であり、上端ともいう)・後端(搬送方向上流側の端部であり、下端ともいう)も検出できる。
The
<コントローラー60>
コントローラー60は、プリンター1の制御を行うための制御ユニット(制御部)である。コントローラー60は、インターフェース部61と、CPU62と、メモリー63と、ユニット制御回路64とを有する。
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The
インターフェース部61は、外部装置であるコンピューター110とプリンター1との間でデータの送受信を行う。CPU62は、プリンター1の全体の制御を行うための演算処理装置である。メモリー63は、CPU62のプログラムを格納する領域や作業領域等を確保するためのものであり、RAM、EEPROM等の記憶素子によって構成される。そして、CPU62は、メモリー63に格納されているプログラムに従って、ユニット制御回路64を介して搬送ユニット20やキャリッジユニット30等の各ユニットを制御する。
The
<プリンターの印刷動作>
プリンター1の印刷動作について簡単に説明する。コントローラー60は、コンピューター110からインターフェース部61を介して印刷命令を受信し、各ユニットを制御することにより、給紙処理・ドット形成処理・搬送処理等を行う。
<Printer operation>
The printing operation of the
給紙処理は、印刷すべき紙をプリンター内に供給し、印刷開始位置(頭出し位置とも言う)に紙を位置決めする処理である。ドット形成処理は、移動方向(走査方向)に沿って移動するヘッドからインクを断続的に吐出させ、紙上にドットを形成する処理である。搬送処理は、紙をヘッドに対して搬送方向に沿って相対的に移動させる処理である。 The paper feed process is a process of supplying paper to be printed into the printer and positioning the paper at a print start position (also referred to as a cue position). The dot formation process is a process of forming dots on paper by intermittently ejecting ink from a head that moves in the movement direction (scanning direction). The carrying process is a process of moving the paper relative to the head in the carrying direction.
コントローラー60は、印刷すべきデータがなくなるまで、ドット形成処理と搬送処理とを交互に繰り返し、ドットラインにより構成される画像を徐々に紙に印刷する。そして、印刷すべきデータがなくなると、排紙ローラー25を回転させてその紙を排紙する。
次の紙に印刷を行う場合は同処理を繰り返し、行わない場合は、印刷動作を終了する。
The
The same processing is repeated when printing on the next paper, and the printing operation is terminated when not printing.
===パワーオンリセット回路について===
制御回路(本実施形態においてはヘッド制御部42)に設けられるパワーオンリセット回路について簡単に説明する。一般に、パワーオンリセット回路(以下、POR回路とも呼ぶ)は、電源をONの状態にしてから電圧が上昇して安定するまでの間、制御回路をリセット状態にしておき、電圧が所定の大きさになってから制御回路を動作させるようにするパワーオンリセット信号(以下、POR信号とも呼ぶ)を生成する回路である。
=== About the power-on reset circuit ===
A power-on reset circuit provided in the control circuit (
図4は、電源をON/OFFしたときの電圧の変動の様子について説明する図である。図の横軸は時間を表し、縦軸は電源電圧の大きさを表す。時刻aにおいて電源がONされると、0.0V(グランド(GND)の電位)から時間の経過と共に徐々に電圧が上昇し(立ち上がり)、時刻cにおいてVddとなる。電圧がVddまで上昇すると、電源が正常に立ち上がった状態となり、そのまま安定した電圧を保ち続ける。そして、時刻dにおいて電源がOFFされると、Vddから時間の経過と共に徐々に電圧が下降して、時刻fにおいてGND電位(0.0V)になる。 FIG. 4 is a diagram for explaining how the voltage fluctuates when the power is turned on / off. The horizontal axis of the figure represents time, and the vertical axis represents the magnitude of the power supply voltage. When the power supply is turned on at time a, the voltage gradually increases (rises) from 0.0 V (ground (GND) potential) with time, and becomes Vdd at time c. When the voltage rises to Vdd, the power supply starts up normally and keeps a stable voltage as it is. When the power is turned off at time d, the voltage gradually decreases with time from Vdd, and becomes GND potential (0.0 V) at time f.
ここで、電圧が0.0Vから立ち上がって制御回路が正常に動作するための電圧(以下、規定電圧とも呼ぶ)に達するまでの時間をbとすると、図4のa〜bの斜線部で表される区間において規定電圧未満の低い電圧が制御回路に供給されると、制御回路が誤作動するおそれがある。制御回路の誤作動を抑制するためには、少なくとも電圧が規定電圧に達するまでの間(a−b区間)は、制御回路をリセット状態にしておく必要がある。そして、電圧が規定電圧に達してから(正確には、規定電圧に達した後、周辺の回路が安定してから)リセット状態を解除する。電源をOFFにする際の動作時についても同様であり、電圧が規定電圧よりも小さくなったとき(図のe−f区間)に制御回路をリセット状態にする。このときの、制御回路を強制的にリセット状態にするための信号がPOR信号である。 Here, if the time from when the voltage rises from 0.0 V to the voltage for normal operation of the control circuit (hereinafter also referred to as a specified voltage) is b, it is represented by the hatched portions in FIGS. If a low voltage lower than the specified voltage is supplied to the control circuit during the interval, the control circuit may malfunction. In order to suppress malfunction of the control circuit, it is necessary to keep the control circuit in a reset state at least until the voltage reaches the specified voltage (a-b interval). Then, after the voltage reaches the specified voltage (more precisely, after the specified voltage is reached, the peripheral circuits are stabilized), the reset state is released. The same applies to the operation when turning off the power, and the control circuit is reset when the voltage becomes lower than the specified voltage (section ef in the figure). A signal for forcibly resetting the control circuit at this time is a POR signal.
従来のPOR回路では、抵抗素子を用いてPOR信号が生成される場合が多かったが、抵抗素子に十分な抵抗を持たせるためにはある程度の面積が必要であり、POR回路自体が大型化するという問題があった。 In a conventional POR circuit, a POR signal is often generated using a resistance element. However, a certain amount of area is required to make the resistance element have sufficient resistance, and the POR circuit itself is enlarged. There was a problem.
本実施形態のプリンター1では、ヘッド制御部42がヘッドユニット40付近に設けられ、場合によってはキャリッジユニット30等と共にヘッド制御部42が移動するような構成である。したがって、ヘッド制御部42のサイズはなるべく小さい方が望ましく、そのためにはPOR回路を小型化することが必要である。
In the
===実施形態===
<POR回路の構成>
図5は、本実施形態のPOR回路の構成を表す図である。本実施形態では、ヘッド制御部42が実装された配線基板上に図5に示されるPOR回路が組み込まれている。POR回路は、電源から供給される電圧を用いてPOR信号を生成し、ヘッド制御部42に出力することで、電源のON/OFF時において該ヘッド制御部42が誤作動することを抑制する。なお、図中に示される電源は、制御信号を生成するのに用いられる3.3V程度の電圧を供給する電源(ロジック電源とも呼ぶ)である。
=== Embodiment ===
<Configuration of POR circuit>
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the POR circuit of this embodiment. In the present embodiment, the POR circuit shown in FIG. 5 is incorporated on the wiring board on which the
POR回路は、第1MOSトランジスタ421と、第2MOSトランジスタ422と、インバーター423とを有する。なお、「MOSトランジスタ」は、MOS FET(電界効果トランジスタ)のことを意味する。 The POR circuit includes a first MOS transistor 421, a second MOS transistor 422, and an inverter 423. The “MOS transistor” means a MOS FET (field effect transistor).
第1MOSトランジスタ421は、Nチャネル型のMOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である。図6は、Nチャネル型MOS FETの概略説明図である。Nチャネル型MOS FETでは、NPN型半導体のNの部分にソース(s)とドレイン(d)の電極が設けられ、該NPN型半導体に付された酸化絶縁膜の上にゲート(g)の電極として金属が設けられている。そして、ゲートに電圧(プラスの電圧)がかかると、Nの部分の電子(キャリア)がPの部分に移動し、ソースとドレインとの間に電流が流れる。 The first MOS transistor 421 is an N-channel MOS FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). FIG. 6 is a schematic explanatory diagram of an N-channel type MOS FET. In the N channel type MOS FET, the source (s) and drain (d) electrodes are provided in the N portion of the NPN type semiconductor, and the gate (g) electrode is formed on the oxide insulating film attached to the NPN type semiconductor. As a metal. When a voltage (positive voltage) is applied to the gate, electrons (carriers) in the N part move to the P part, and a current flows between the source and the drain.
MOS FETのチャネル内で、ソースとドレインとの間で電流が流れる方向の長さ(図6においてチャネルの横方向の長さ)をチャネル長(L)と言う。チャネル長が長いほど、キャリア(電子)が流れ難くなるため、MOS FETの抵抗(ON抵抗)が大きくなる。また、MOS FETのソースとドレインとの間で電流が流れる方向と交差する方向の長さ(図6においてチャネルの縦方向の長さ)をチャネル幅(W)と言う。チャネル幅が広いほど、キャリア(電子)が流れ易くなるため、MOS FETの抵抗(ON抵抗)が小さくなる。 The length in the direction in which current flows between the source and the drain in the channel of the MOS FET (the length in the lateral direction of the channel in FIG. 6) is referred to as the channel length (L). As the channel length is longer, carriers (electrons) are less likely to flow, and the resistance (ON resistance) of the MOS FET is increased. Further, the length in the direction intersecting the direction in which current flows between the source and drain of the MOS FET (the length in the vertical direction of the channel in FIG. 6) is called the channel width (W). The wider the channel width, the easier the carriers (electrons) flow, so the resistance (ON resistance) of the MOS FET becomes smaller.
本実施形態では、第1MOSトランジスタ421のソース及びゲートが電源に接続され、ドレインがインバーター423の入力側に接続される(図5参照)。 In the present embodiment, the source and gate of the first MOS transistor 421 are connected to the power supply, and the drain is connected to the input side of the inverter 423 (see FIG. 5).
第2MOSトランジスタ422は、Nチャネル型のMOS FETである。基本的な構造は第1MOSトランジスタ421と同様であるが、チャネル長L及びチャネル幅Wの大きさが異なり、これによってON抵抗の値や、導通閾値が異なる。つまり、本実施形態では第2MOSトランジスタ422として、第1MOSトランジスタ421とは異なるトランジスタが用いられる。なお、導通閾値とは、ドレインとソースとの間に電流が流れはじめるときの流れ易さを表す値であり、当該導通閾値が小さいほど電流が流れやすくなる。 The second MOS transistor 422 is an N-channel type MOS FET. The basic structure is the same as that of the first MOS transistor 421, but the channel length L and the channel width W are different, and the ON resistance value and the conduction threshold value are thereby different. That is, in the present embodiment, a transistor different from the first MOS transistor 421 is used as the second MOS transistor 422. The conduction threshold is a value representing the ease of flow when current begins to flow between the drain and the source. The smaller the conduction threshold, the easier the current flows.
本実施形態では、第2MOSトランジスタ422のソースがグランド(GND)に接続され、ゲートが電源に接続され、ドレインがインバーター423の入力側に接続される(図5参照)。 In the present embodiment, the source of the second MOS transistor 422 is connected to the ground (GND), the gate is connected to the power supply, and the drain is connected to the input side of the inverter 423 (see FIG. 5).
インバーター423は、NOTゲートであり、Lレベルの信号が入力されると、Hレベルの信号を出力する。逆に、Hレベルの信号が入力されると、Lレベルの信号を出力する。なお、図5に示されるように、インバーター423の入力側の点をIN1とし、インバーター423の出力側の点をOUT2とする。 The inverter 423 is a NOT gate, and outputs an H level signal when an L level signal is input. Conversely, when an H level signal is input, an L level signal is output. As shown in FIG. 5, the point on the input side of the inverter 423 is IN1, and the point on the output side of the inverter 423 is OUT2.
図7は、インバーター423について説明する図である。インバーター423は2つのMOSトランジスタが相補的に接続されており、図のQ1はP型チャネルのMOSトランジスタで、Q2はNチャネル型のMOSトランジスタである。インバーター423の入力側(IN1)からHレベルの信号が入力されると、Q2がON、Q1がOFFの状態になる。これにより、インバーター423の出力側(OUT2)における電位は、グランド(GND)の電位0.0Vとほぼ等しくなる。すなわち、Lレベルの信号が出力される。逆に、インバーター423の入力側(IN1)からLレベルの信号が入力されると、Q2がOFF、Q1がONの状態になる。これにより、OUT2の電位は電源の電圧vddとほぼ等しくなり、Hレベルの信号が出力される。 FIG. 7 is a diagram illustrating the inverter 423. The inverter 423 has two MOS transistors connected in a complementary manner, Q1 in the figure is a P-type channel MOS transistor, and Q2 is an N-channel type MOS transistor. When an H level signal is input from the input side (IN1) of the inverter 423, Q2 is turned on and Q1 is turned off. As a result, the potential on the output side (OUT2) of the inverter 423 becomes substantially equal to the potential 0.0V of the ground (GND). That is, an L level signal is output. Conversely, when an L level signal is input from the input side (IN1) of the inverter 423, Q2 is turned off and Q1 is turned on. As a result, the potential of OUT2 becomes substantially equal to the power supply voltage vdd, and an H level signal is output.
<POR信号の生成動作>
図5のPOR回路において電源がONされると、第1MOSトランジスタ421及び第2MOSトランジスタ422のゲート端子にそれぞれ電源電圧が供給され、各MOSトランジスタがONの状態になる。すなわち、MOSトランジスタのドレインとソースとの間に電流が流れる(導通する)。なお、本実施形態では、第1MOSトランジスタ421よりも第2MOSトランジスタ422の方が導通閾値が低く設定されている。そのため、第2MOSトランジスタ422の方が、先に導通しやすい。つまり、本実施形態のPOR回路が動作する際には、第2MOSトランジスタ422のみが動作する(ONの状態になっている)場合と、第1MOSトランジスタ421と第2MOSトランジスタ422とが同時に動作する(同時にONの状態になっている)場合とがある。
<POR signal generation operation>
When the power is turned on in the POR circuit of FIG. 5, the power supply voltage is supplied to the gate terminals of the first MOS transistor 421 and the second MOS transistor 422, and each MOS transistor is turned on. That is, a current flows (conducts) between the drain and source of the MOS transistor. In the present embodiment, the conduction threshold of the second MOS transistor 422 is set lower than that of the first MOS transistor 421. Therefore, the second MOS transistor 422 is more likely to be conducted first. That is, when the POR circuit of this embodiment operates, only the second MOS transistor 422 operates (is in an ON state), and the first MOS transistor 421 and the second MOS transistor 422 operate simultaneously ( May be ON at the same time).
図8は、電源をON/OFFしたときのインバーター423の入力側(IN1)における電圧の変動の様子について説明する図である。図に示される縦軸及び横軸は図4で説明したものと同様である。太実線で表されるのがIN1における電圧値であり、太破線で表されるのは電源から供給される電圧(図4に相当)である。 FIG. 8 is a diagram for explaining how the voltage fluctuates on the input side (IN1) of the inverter 423 when the power is turned ON / OFF. The vertical and horizontal axes shown in the figure are the same as those described in FIG. A voltage value at IN1 is represented by a thick solid line, and a voltage (corresponding to FIG. 4) supplied from a power source is represented by a thick broken line.
時刻aにおいて電源がONされると、第2MOSトランジスタ422がONの状態になり、該第2MOSトランジスタ422のドレイン端子はグランド(GND)の電圧(0.0V)となる。そして、第2MOSトランジスタ422にやや遅れて第1MOSトランジスタ421がONの状態になり、該第1MOSトランジスタ421のドレイン端子は電源の電圧となる。本実施形態では、第1MOSトランジスタ421のON抵抗が第2MOSトランジスタ422のON抵抗よりも低い。そのため、第1MOSトランジスタ421の方が電流を流しやすく、図5のIN1の点ではGND電圧よりも電源電圧の影響が大きくなる。そのため、電源電圧がGND側に引かれるようになり、インバーター423の入力側(IN1)では電源電圧(図8の太破線)よりも低い電圧値(図8の太実線)が出力される。なお、上述のような導通閾値の大小により、第1MOSトランジスタ421がONになっているときには、必ず第2MOSトランジスタ422がONになっているため、IN1における電圧値は常にGND電圧の影響を受け、電源電圧よりも低い値が出力される。そして、第1MOSトランジスタ421を介して供給される電源電圧が、第2MOSトランジスタ422によってGND電圧の影響を受けながら、図8のa−c区間のように時間の経過と共に徐々に出力電圧値が上昇する。 When the power supply is turned on at time a, the second MOS transistor 422 is turned on, and the drain terminal of the second MOS transistor 422 becomes the ground (GND) voltage (0.0 V). The first MOS transistor 421 is turned on slightly later than the second MOS transistor 422, and the drain terminal of the first MOS transistor 421 becomes the voltage of the power supply. In the present embodiment, the ON resistance of the first MOS transistor 421 is lower than the ON resistance of the second MOS transistor 422. Therefore, the first MOS transistor 421 is more likely to pass current, and the influence of the power supply voltage is larger than the GND voltage at the point IN1 in FIG. For this reason, the power supply voltage is pulled toward the GND side, and a voltage value (thick solid line in FIG. 8) lower than the power supply voltage (thick broken line in FIG. 8) is output on the input side (IN1) of the inverter 423. The voltage value at IN1 is always affected by the GND voltage because the second MOS transistor 422 is always ON when the first MOS transistor 421 is ON due to the magnitude of the conduction threshold as described above. A value lower than the power supply voltage is output. Then, while the power supply voltage supplied via the first MOS transistor 421 is affected by the GND voltage by the second MOS transistor 422, the output voltage value gradually increases with the passage of time as in the section a-c in FIG. To do.
ここで、インバーター423のHレベルとLレベルとの切り替えの閾値をVthとすると、時刻aで電源がONになってから時刻bになるまではインバーター423の入力側電圧(IN1における電圧)はLレベルである。そのため、図の斜線部の区間(a−b区間)ではインバーター423の出力はHレベルとなる。一方、時刻bにおいてインバーター423の入力側電圧がVthを超えると、入力がHレベルになるので、インバーター423の出力はLレベルとなる。 Here, assuming that the threshold for switching between the H level and the L level of the inverter 423 is Vth, the input-side voltage of the inverter 423 (voltage at IN1) is L until the time b is reached after the power is turned on at time a. Is a level. For this reason, the output of the inverter 423 is at the H level in the hatched section (ab section). On the other hand, when the input side voltage of inverter 423 exceeds Vth at time b, the input becomes H level, so the output of inverter 423 becomes L level.
電源をOFFにして電圧が下降する際の動作はこの逆となる。すなわち、(b−e区間)ではインバーター423の入力電圧がVth以上でHレベルとなるため、インバーター423の出力はLレベルである。そして、斜線部の区間(e−f区間)では、インバーター423の入力電圧がVthよりも小さくLレベルとなるため、インバーター423の出力はHレベルとなる。 The operation when the power is turned off and the voltage drops is the opposite. That is, in the (be-e period), the input voltage of the inverter 423 becomes H level when it is equal to or higher than Vth. In the hatched section (e-f section), the input voltage of the inverter 423 is smaller than Vth and becomes L level, so that the output of the inverter 423 becomes H level.
図9は、電源をON/OFFしたときのインバーター423の出力側(OUT2)における電圧の変動の様子について説明する図である。図9の縦軸及び横軸は図4及び図8で説明したものと同様であり、太実線で表されるのがOUT2における電圧値である。上述のように、(a−b区間)ではインバーター423の入力がLレベルであるため、出力側の電圧は電源電圧となる。(b−e区間)ではインバーター423の入力がHレベルになるため、出力側の電圧は0.0Vとなる。そして、(e−f区間)ではインバーター423の入力が再びLレベルになるため、電源電圧が出力される。本実施形態では、OUT2から出力されるこの電圧信号をPOR信号として用いる。 FIG. 9 is a diagram for explaining the state of voltage fluctuation on the output side (OUT2) of the inverter 423 when the power is turned ON / OFF. The vertical and horizontal axes in FIG. 9 are the same as those described with reference to FIGS. 4 and 8, and the voltage value at OUT2 is represented by a bold solid line. As described above, since the input of the inverter 423 is at the L level in the (a−b section), the voltage on the output side is the power supply voltage. In (be section), since the input of the inverter 423 is at the H level, the voltage on the output side is 0.0V. In (ef section), since the input of the inverter 423 becomes L level again, the power supply voltage is output. In this embodiment, this voltage signal output from OUT2 is used as the POR signal.
これにより、電源がONされた後、ヘッド制御部42が正常に動作する電圧値(規定電圧値)に電源電圧が達するまでの間(a−b区間)は、POR信号がONになり、ヘッド制御部42がリセット状態にされる。そして、電源電圧が規定電圧に達して完全に立ち上がった状態(b−e区間)ではPOR信号がOFFになり、ヘッド制御部42が正常に動作してヘッド41の動作が制御される。そして、電源がOFFされて、電源電圧が規定電圧よりも下がると(e−f区間)、再びPOR信号がONになり、ヘッド制御部42がリセット状態にされる。
Thereby, after the power is turned on, the POR signal is turned on until the power supply voltage reaches the voltage value (specified voltage value) at which the
<POR信号のリセット切り替えタイミングについて>
図9では、POR信号のON/OFFの切り替えが、時刻b及び時刻eのタイミングで行なわれる例について説明したが、この切り替えタイミングはMOSトランジスタのON抵抗の大きさを調整することで変更することができる。
<POR signal reset switching timing>
In FIG. 9, the example in which the ON / OFF switching of the POR signal is performed at the timing of time b and time e has been described, but this switching timing can be changed by adjusting the magnitude of the ON resistance of the MOS transistor. Can do.
例えば、第2MOSトランジスタ422のON抵抗を小さくすることにより、電圧上昇時におけるPOR信号のON/OFFの切り替えタイミングを遅らせることができる。図10は、第2MOSトランジスタ422のON抵抗を小さくした場合における、IN1の電圧変動の様子について説明する図である。図11は、第2MOSトランジスタ422のON抵抗を小さくした場合における、OUT2の電圧変動の様子について説明する図である。 For example, by reducing the ON resistance of the second MOS transistor 422, the ON / OFF switching timing of the POR signal when the voltage rises can be delayed. FIG. 10 is a diagram for explaining the voltage fluctuation state of IN1 when the ON resistance of the second MOS transistor 422 is reduced. FIG. 11 is a diagram for explaining the state of voltage fluctuation at OUT2 when the ON resistance of the second MOS transistor 422 is reduced.
ON抵抗を小さくすることによって、第2MOSトランジスタ422には電流が流れやすくなる。その分、IN1において電源電圧に対するGND電圧の影響が大きくなり、IN1の出力電圧は小さくなる。出力電圧が小さくなるため、電源がONになってから、インバーター423の閾値Vthまで電圧が上昇するのに要する時間が長くなる。図10では、時刻bよりも遅れた時刻b2で電圧がVthに達する。これにより、インバーター423の出力がHレベルからLレベルに切り替わるタイミングに遅れが生じる。したがって、生成されるPOR信号では制御回路をリセットする際の切り替えタイミングが遅くなる(図11において時刻bから時刻b2まで遅れる)。このように、リセットの切り替えタイミングを変更することにより、制御回路に対して最適な切り替えタイミングとなるPOR信号を生成して該制御回路に入力することができる。 By reducing the ON resistance, a current easily flows through the second MOS transistor 422. Accordingly, the influence of the GND voltage on the power supply voltage in IN1 increases, and the output voltage of IN1 decreases. Since the output voltage is reduced, the time required for the voltage to rise to the threshold value Vth of the inverter 423 after the power supply is turned on becomes longer. In FIG. 10, the voltage reaches Vth at time b2 later than time b. This causes a delay in the timing at which the output of the inverter 423 switches from the H level to the L level. Therefore, in the generated POR signal, the switching timing when the control circuit is reset is delayed (in FIG. 11, it is delayed from time b to time b2). In this way, by changing the reset switching timing, it is possible to generate and input the POR signal that is the optimal switching timing for the control circuit to the control circuit.
なお、第2MOSトランジスタ422のON抵抗を小さくする方法としては、チャネル幅を広くする、または、チャネル長を短くする方法がある。また、このようなタイミングの調整では、第1MOSトランジスタ421と比較したときの電流の流れやすさが問題となる。したがって、第1MOSトランジスタ421と第2MOSトランジスタ422との関係において、第2MOSトランジスタ422の方がON抵抗が小さくなるように、チャネル長を短くしたりチャネル幅が広くしたりして調整すればよい。逆に、第1MOSトランジスタ421の方が第2MOSトランジスタ422よりもON抵抗が大きくなるようにする方法もある。 As a method of reducing the ON resistance of the second MOS transistor 422, there is a method of widening the channel width or shortening the channel length. Further, in such timing adjustment, there is a problem in the ease of current flow when compared with the first MOS transistor 421. Therefore, the relationship between the first MOS transistor 421 and the second MOS transistor 422 may be adjusted by reducing the channel length or increasing the channel width so that the second MOS transistor 422 has a smaller ON resistance. Conversely, there is a method in which the ON resistance of the first MOS transistor 421 is larger than that of the second MOS transistor 422.
また、POR信号のON/OFFの切り替えタイミングを早くしたい場合には、第1MOSトランジスタ421のON抵抗を小さくする、もしくは、第2MOSトランジスタ422のON抵抗を大きくする。 Further, when the ON / OFF switching timing of the POR signal is desired to be advanced, the ON resistance of the first MOS transistor 421 is decreased or the ON resistance of the second MOS transistor 422 is increased.
<本実施形態の効果>
本実施形態では、異なる二つのMOSトランジスタを用いてPOR回路を構成し、POR信号を生成することで、電源のON/OFF時においてヘッド制御部42が誤作動することを抑制し、ヘッド41を安定して動作させることができる。これにより、正確な液体吐出動作を行うことができる。また、MOSトランジスタを用いることによりPOR回路をコンパクトに構成することができるため、ヘッド制御部自体を小型化することが可能である。また、電源から供給される電圧のみを用いてパワーオンリセット信号を生成することができる。これらにより、ヘッド41の動作の妨げることなく、より安定した液体吐出動作を実現しやすくなる。
<Effect of this embodiment>
In the present embodiment, the POR circuit is configured using two different MOS transistors and the POR signal is generated, so that the
===その他の実施形態===
一実施形態としてのプリンター等を説明したが、上記の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれることは言うまでもない。特に、以下に述べる実施形態であっても、本発明に含まれるものである。
=== Other Embodiments ===
Although a printer or the like as one embodiment has been described, the above embodiment is for facilitating the understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention. The present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and it is needless to say that the present invention includes equivalents thereof. In particular, the embodiments described below are also included in the present invention.
<液体吐出装置について>
前述の各実施形態では、液体吐出装置の一例としてプリンターが説明されていたが、これに限られるものではない。例えば、カラーフィルタ製造装置、染色装置、微細加工装置、半導体製造装置、表面加工装置、三次元造型機、液体気化装置、有機EL製造装置(特に高分子EL製造装置)、ディスプレイ製造装置、成膜装置、DNAチップ製造装置などのインクジェット技術を応用した各種の液体吐出装置に、本実施形態と同様の技術を適用してもよい。
<About liquid ejection device>
In each of the above-described embodiments, the printer has been described as an example of the liquid ejection apparatus, but the present invention is not limited to this. For example, color filter manufacturing apparatus, dyeing apparatus, fine processing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, surface processing apparatus, three-dimensional molding machine, liquid vaporizer, organic EL manufacturing apparatus (especially polymer EL manufacturing apparatus), display manufacturing apparatus, film formation The same technology as that of the present embodiment may be applied to various liquid ejection devices to which inkjet technology such as a device and a DNA chip manufacturing device is applied.
<ピエゾ素子について>
前述の各実施形態では、液体を吐出させるための動作を行う素子としてピエゾ素子PZTを例示したが、他の素子であってもよい。例えば、発熱素子や静電アクチュエーターを用いてもよい。
<About piezo elements>
In each of the above-described embodiments, the piezo element PZT is exemplified as an element that performs an operation for discharging a liquid. However, other elements may be used. For example, a heating element or an electrostatic actuator may be used.
<他の液体吐出装置について>
前述の各実施形態では、ヘッド41をキャリッジとともに移動させるタイプのインクジェットプリンター(シリアルプリンター)を例に挙げて説明したが、プリンターはヘッドが固定された、いわゆるラインプリンターであってもよい。
<About other liquid ejection devices>
In each of the above-described embodiments, an ink jet printer (serial printer) of a type that moves the
<プリンタードライバーについて>
前述の各実施形態では、プリンタードライバーの処理はコンピューター110(PC)によって行われていたが、プリンタードライバーをコントローラー60にインストールして、プリンター自体でプリンタードライバーの処理を行ってもよい。
<About the printer driver>
In each of the embodiments described above, the printer driver processing is performed by the computer 110 (PC). However, the printer driver may be installed in the
1 プリンター、
20 搬送ユニット、21 給紙ローラー、22 搬送モーター、
23 搬送ローラー、24 プラテン、25 排紙ローラー、
30 キャリッジユニット、31 キャリッジ、32 キャリッジモーター、
40 ヘッドユニット、41 ヘッド、411 ケース、412 流路ユニット、
412a 流路形成板、412b 弾性板、412c ノズルプレート、
412d 圧力室、412e ノズル連通口、412f 共通インク室、
412g インク供給路、412h アイランド部、412i 弾性膜、
42 ヘッド制御部、
421 第1MOSトランジスタ、422 第2MOSトランジスタ、
423 インバーター、
50 検出器群、51 リニア式エンコーダ、52 ロータリー式エンコーダ、
53 紙検出センサ、54 光学センサ、
60 コントローラー、61 インターフェース部、
62 CPU、63 メモリー、64 ユニット制御回路、
110 コンピューター、
PZT ピエゾ素子
1 printer,
20 transport units, 21 paper feed rollers, 22 transport motors,
23 transport roller, 24 platen, 25 discharge roller,
30 Carriage unit, 31 Carriage, 32 Carriage motor,
40 head units, 41 heads, 411 case, 412 flow path unit,
412a flow path forming plate, 412b elastic plate, 412c nozzle plate,
412d pressure chamber, 412e nozzle communication port, 412f common ink chamber,
412g Ink supply path, 412h island part, 412i elastic film,
42 head controller,
421 first MOS transistor, 422 second MOS transistor,
423 inverter,
50 detector groups, 51 linear encoder, 52 rotary encoder,
53 Paper detection sensor, 54 Optical sensor,
60 controller, 61 interface part,
62 CPU, 63 memory, 64 unit control circuit,
110 computers,
PZT Piezo element
Claims (8)
前記第1のMOSトランジスタのゲート及びソースは電源に接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、
前記第2のMOSトランジスタのゲートは前記電源に接続され、ソースはグランドに接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、
前記インバーターは前記電源の電圧若しくは前記グランドの電圧からなるパワーオンリセット信号を出力する、
ことを特徴とする液体吐出装置。 A liquid ejecting apparatus including a first MOS transistor, a second MOS transistor different from the first MOS transistor, and an inverter, and including a head unit that ejects liquid,
The gate and source of the first MOS transistor are connected to a power source, the drain is connected to the input side of the inverter,
The gate of the second MOS transistor is connected to the power supply, the source is connected to the ground, the drain is connected to the input side of the inverter,
The inverter outputs a power-on reset signal composed of the voltage of the power supply or the voltage of the ground;
A liquid discharge apparatus characterized by that.
前記第1のMOSトランジスタのON抵抗が、前記第2のMOSトランジスタのON抵抗よりも小さい、ことを特徴とする液体吐出装置。 The liquid ejection device according to claim 1,
The liquid discharge apparatus according to claim 1, wherein an ON resistance of the first MOS transistor is smaller than an ON resistance of the second MOS transistor.
前記第1のMOSトランジスタのソースとドレインとの間で電流を流し始める際の閾値が、前記第2のMOSトランジスタのソースとドレインとの間で電流を流し始める際の閾値よりも小さい、ことを特徴とする液体吐出装置。 The liquid ejection device according to claim 1 or 2,
A threshold value when starting a current flow between the source and drain of the first MOS transistor is smaller than a threshold value when starting a current flow between the source and drain of the second MOS transistor; A liquid ejecting apparatus.
前記液体吐出装置から液体を吐出する際に、
前記第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタが同時に動作するか、若しくは、前記第2のMOSトランジスタのみが動作する、ことを特徴とする液体吐出装置。 The liquid ejection device according to any one of claims 1 to 3,
When discharging liquid from the liquid discharge device,
The liquid ejection apparatus, wherein the first MOS transistor and the second MOS transistor operate simultaneously, or only the second MOS transistor operates.
前記第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタは、共にNチャネルの電界効果トランジスタである、ことを特徴とする液体吐出装置。 A liquid ejection apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The liquid ejection apparatus, wherein both the first MOS transistor and the second MOS transistor are N-channel field effect transistors.
前記第1のMOSトランジスタのチャネル内でソースとドレインとの間で電流が流れる方向の長さが、前記第2のMOSトランジスタのチャネル内で前記電流が流れる方向の長さよりも長い、ことを特徴とする液体吐出装置。 A liquid ejection device according to any one of claims 1 to 5,
A length in a direction in which a current flows between a source and a drain in a channel of the first MOS transistor is longer than a length in a direction in which the current flows in a channel of the second MOS transistor. A liquid ejection device.
前記第1のMOSトランジスタのチャネル内でソースとドレインとの間で電流が流れる方向と交差する方向の長さが、前記第2のMOSトランジスタのチャネル内で前記電流が流れる方向と交差する方向の長さよりも短い、ことを特徴とする液体吐出装置。 The liquid ejection device according to claim 1,
The length in the direction intersecting the direction in which the current flows between the source and the drain in the channel of the first MOS transistor is in the direction intersecting the direction in which the current flows in the channel of the second MOS transistor. A liquid discharge apparatus characterized by being shorter than a length.
前記第1のMOSトランジスタのゲート及びソースは電源に接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、
前記第2のMOSトランジスタのゲートは前記電源に接続され、ソースはグランドに接続され、ドレインは前記インバーターの入力側に接続され、
前記インバーターは前記電源の電圧若しくは前記グランドの電圧からなるパワーオンリセット信号を出力する、
ことを特徴とするヘッド制御回路。 A head control circuit that has a first MOS transistor, a second MOS transistor different from the first MOS transistor, and an inverter, and controls the operation of a head unit that ejects liquid,
The gate and source of the first MOS transistor are connected to a power source, the drain is connected to the input side of the inverter,
The gate of the second MOS transistor is connected to the power supply, the source is connected to the ground, the drain is connected to the input side of the inverter,
The inverter outputs a power-on reset signal composed of the voltage of the power supply or the voltage of the ground;
A head control circuit.
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---|---|---|---|
JP2012047689A JP2013180537A (en) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | Liquid ejecting apparatus and head control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012047689A JP2013180537A (en) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | Liquid ejecting apparatus and head control circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013180537A true JP2013180537A (en) | 2013-09-12 |
Family
ID=49271541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012047689A Pending JP2013180537A (en) | 2012-03-05 | 2012-03-05 | Liquid ejecting apparatus and head control circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013180537A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016068485A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | Liquid discharge device |
JP2016068487A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | Liquid discharge device |
JP2016068486A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | Liquid discharge device |
JP2018165059A (en) * | 2018-08-02 | 2018-10-25 | ブラザー工業株式会社 | Liquid discharge device |
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012047689A patent/JP2013180537A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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