JP2013162026A - Cleanliness evaluation method for vapor phase growth device, and method of manufacturing silicon epitaxial wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、エピタキシャルウェーハを作製するために用いる気相成長装置の清浄度を評価する方法に関する。 The present invention relates to a method for evaluating the cleanliness of a vapor phase growth apparatus used for producing an epitaxial wafer.
シリコンウェーハ中の金属不純物の検出方法として、ウェーハライフタイム（以下、略してＷＬＴと呼ぶことがある。）法がある（例えば非特許文献１参照）。このＷＬＴ法の代表的な方法として、マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法（以下、略してμＰＣＤ法）がある。この方法は、例えば試料（基板）に対して光を当てて、発生する少数キャリアの寿命をマイクロ波の反射率の変化で検出することで、試料中の金属不純物を評価する方法である。 As a method for detecting metal impurities in a silicon wafer, there is a wafer lifetime (hereinafter sometimes referred to as WLT for short) method (for example, see Non-Patent Document 1). As a typical method of the WLT method, there is a microwave photoconductive decay method minority carrier lifetime method (hereinafter, abbreviated as μPCD method). This method is a method for evaluating metal impurities in a sample by, for example, irradiating a sample (substrate) with light and detecting the lifetime of generated minority carriers by a change in the reflectance of the microwave.
ウェーハ内に金属が取り込まれると、このＷＬＴ値が小さくなるため、熱処理や気相成長させたウェーハのＷＬＴ値を測定して評価することで、熱処理炉内の金属汚染の管理を行うことができる。つまり、汚染管理用のウェーハを準備して実工程で用いる熱処理炉で熱処理を行い、熱処理後のウェーハのＷＬＴ値を測定することで、熱処理炉が金属不純物に汚染されているかいないかを判定することができる。 When the metal is taken into the wafer, this WLT value becomes small. Therefore, the metal contamination in the heat treatment furnace can be managed by measuring and evaluating the WLT value of the wafer subjected to heat treatment or vapor phase growth. . That is, a wafer for contamination control is prepared and heat-treated in a heat treatment furnace used in an actual process, and the WLT value of the wafer after the heat treatment is measured to determine whether or not the heat treatment furnace is contaminated with metal impurities. be able to.
このＷＬＴ法は、簡便でありながら微量の汚染でも高感度に検出できるため、熱処理炉の汚染管理や気相成長装置（エピ成膜装置）の汚染管理に広く用いられている。特に気相成長装置の場合、Ｐ−やＮ−の導電型を持つシリコンウェーハを準備し、評価対象となる気相成長装置を用いてそのシリコンウェーハの上にシリコンエピタキシャル層を成膜し、そのエピタキシャルウェーハを上述のμＰＣＤ法でＷＬＴ値を測定することで気相成長装置の清浄度評価を行うことができる。 Since this WLT method is simple but can detect even a small amount of contamination with high sensitivity, it is widely used for contamination management of heat treatment furnaces and contamination management of vapor phase growth apparatuses (epi film forming apparatuses). In particular, in the case of a vapor phase growth apparatus, a silicon wafer having a P − or N − conductivity type is prepared, and a silicon epitaxial layer is formed on the silicon wafer using the vapor phase growth apparatus to be evaluated. The cleanliness of the vapor phase growth apparatus can be evaluated by measuring the WLT value of the epitaxial wafer by the above-described μPCD method.
しかしながら、ライフタイムモニタリング用のエピタキシャルウェーハ（以下、モニタウェーハと呼ぶことがある）を用いてＷＬＴ法により気相成長装置の清浄度の評価を行っても、実際の清浄度が反映されていないことがあり、高感度に清浄度を評価できないという問題があった。 However, even if the cleanliness of the vapor phase growth apparatus is evaluated by the WLT method using an epitaxial wafer for lifetime monitoring (hereinafter sometimes referred to as a monitor wafer), the actual cleanliness is not reflected. There is a problem that the cleanliness cannot be evaluated with high sensitivity.
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of the said problem, Comprising: It aims at providing the cleanliness evaluation method which can evaluate the cleanliness of a vapor phase growth apparatus with high sensitivity.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置の内部を気相エッチングによりクリーニングする工程と、前記クリーニングした気相成長装置内にシリコンウェーハを搬入する工程と、前記気相成長装置を用いて、前記搬入したシリコンウェーハ上にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層を成長させたシリコンウェーハを前記気相成長装置内から搬出する工程とからなるサイクルを、同一のシリコンウェーハに対して、この順序で所定の回数繰り返すことにより、前記シリコンウェーハ上に前記エピタキシャル層を前記所定の回数成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法を提供する。 The present invention has been made to solve the above problems, and is a method for evaluating the cleanliness of a vapor phase growth apparatus, the step of cleaning the inside of the vapor phase growth apparatus by vapor phase etching, and the cleaning A step of carrying a silicon wafer into the vapor phase growth apparatus, a step of growing an epitaxial layer on the carried silicon wafer using the vapor phase growth apparatus, and a silicon wafer on which the epitaxial layer has been grown A monitor in which the epitaxial layer is grown on the silicon wafer by the predetermined number of times by repeating a cycle including the step of carrying out from the vapor phase growth apparatus for the same silicon wafer a predetermined number of times in this order. A wafer is manufactured, the lifetime value of the monitor wafer is measured, and the measured monitor wafer is measured. Providing cleanliness evaluation method of vapor phase growth apparatus of the lifetime value and evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus.
このように、気相エッチングによるクリーニングと、エピタキシャル層の気相成長を繰り返すことで、モニタウェーハの金属汚染量を増やすことができる。その結果、金属汚染によるウェーハライフタイムの低下を増幅することができるので、気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる。 Thus, the metal contamination amount of the monitor wafer can be increased by repeating the cleaning by vapor phase etching and the vapor phase growth of the epitaxial layer. As a result, a reduction in wafer lifetime due to metal contamination can be amplified, so that the cleanliness of the vapor phase growth apparatus can be evaluated with high sensitivity.
この場合、前記サイクルを繰り返す回数を１０回以下とすることが好ましい。 In this case, the number of repetitions of the cycle is preferably 10 times or less.
このようなサイクル繰り返し回数であれば、工程が増えることによるコストの増加を抑えることができる。 With such a cycle repetition number, an increase in cost due to an increase in the number of steps can be suppressed.
また、本発明は、上記の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 The present invention also provides a method for producing a silicon epitaxial wafer, characterized in that a silicon epitaxial wafer is produced using the vapor phase growth apparatus evaluated by the method for evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus.
このようにしてシリコンエピタキシャルウェーハを製造すれば、汚染の少ない高品位なエピタキシャルウェーハを歩留まり良く製造することが可能となる。 If a silicon epitaxial wafer is manufactured in this way, a high-quality epitaxial wafer with little contamination can be manufactured with a high yield.
本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法によれば、汚染によるモニタウェーハのウェーハライフタイムの低下を増幅することができるので、気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる。そのため、不純物汚染レベルが低い場合であっても高感度に正確に評価できる。また、本発明に係る方法で汚染がないことを評価した気相成長装置でシリコンエピタキシャルウェーハを製造することにより、汚染の少ない高品位なシリコンエピタキシャルウェーハを歩留まり良く製造することができる。 According to the method for evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus according to the present invention, it is possible to amplify a decrease in the wafer lifetime of the monitor wafer due to contamination, so that the cleanliness of the vapor phase growth apparatus can be evaluated with high sensitivity. it can. Therefore, even if the impurity contamination level is low, it can be accurately evaluated with high sensitivity. In addition, by manufacturing a silicon epitaxial wafer with a vapor phase growth apparatus evaluated that there is no contamination by the method according to the present invention, a high-quality silicon epitaxial wafer with little contamination can be manufactured with a high yield.
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited thereto.
上記のように、従来通りにモニタウェーハを用いてＷＬＴ法により気相成長装置の清浄度の評価を行っても、高感度に清浄度を評価できないという問題があった。 As described above, there has been a problem that the cleanliness cannot be evaluated with high sensitivity even if the cleanliness of the vapor phase growth apparatus is evaluated by the WLT method using a monitor wafer as in the past.
本発明者は、上記問題点について検討を重ねた。その結果、本発明者らは、気相エッチングの際に気相成長装置の構成材である金属部材が僅かに腐食され、その直後のエピタキシャル層の気相成長でモニタウェーハに汚染が取り込まれると考えた。それならば、気相エッチングと気相成長を繰り返し行えば、従来どおりの方法に比べ汚染量が増幅されると考え、本発明に至った。 The present inventor has repeatedly studied the above problems. As a result, the present inventors have found that the metal member which is a constituent material of the vapor phase growth apparatus is slightly corroded during the vapor phase etching, and contamination is taken into the monitor wafer by the vapor phase growth of the epitaxial layer immediately after that. Thought. Then, it was considered that if the vapor phase etching and the vapor phase growth were repeated, the amount of contamination was amplified as compared with the conventional method, and the present invention was achieved.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
図１に、本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法の概略を示した。図１には、後述のように、３回のサイクルを行う例を示しているが、本発明はこれに限定されない。 FIG. 1 shows an outline of a method for evaluating the cleanliness of a vapor phase growth apparatus according to the present invention. Although FIG. 1 shows an example in which three cycles are performed as described later, the present invention is not limited to this.
本発明の気相成長装置の清浄度を評価する方法では、まず、図１（ａ）に示したように、モニタウェーハの基板となるシリコンウェーハ１０を準備する（工程ａ）。ここで準備するシリコンウェーハの直径、面方位、導電型、及び抵抗率等は特に制限されない。また、このシリコンウェーハの準備は、後述する１回目の気相エッチングによる気相成長装置内のクリーニングよりも後に行うことも可能である。 In the method for evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus of the present invention, first, as shown in FIG. 1A, a silicon wafer 10 serving as a monitor wafer substrate is prepared (step a). The diameter, surface orientation, conductivity type, resistivity, etc. of the silicon wafer prepared here are not particularly limited. The preparation of the silicon wafer can also be performed after cleaning in the vapor phase growth apparatus by the first vapor phase etching described later.
次に、図１（ｂ１−１）から図１（ｂ１−４）に示したように、気相成長装置の内部を気相エッチングによりクリーニングする工程（工程ｂ１−１）と、該クリーニングした気相成長装置内にシリコンウェーハを搬入する工程（工程ｂ１−２）と、該気相成長装置を用いて、搬入したシリコンウェーハ上にエピタキシャル層を成長させる工程（工程ｂ１−３）と、該エピタキシャル層を成長させたシリコンウェーハを気相成長装置内から搬出する工程（工程ｂ１−４）とを行う（第１のサイクル）。 Next, as shown in FIG. 1 (b1-1) to FIG. 1 (b1-4), the inside of the vapor phase growth apparatus is cleaned by vapor phase etching (step b1-1), and the cleaned gas is removed. A step of bringing a silicon wafer into the phase growth apparatus (step b1-2), a step of growing an epitaxial layer on the transferred silicon wafer using the vapor phase growth apparatus (step b1-3), and the epitaxial growth step A step of carrying out the silicon wafer on which the layer has been grown from the vapor phase growth apparatus (step b1-4) is performed (first cycle).
気相成長装置の内部（より具体的には、エピタキシャル成長を行う、反応炉の内部）の気相エッチングによるクリーニング（工程ｂ１−１）は、気相成長装置の内部のクリーニング（清掃）として用いられる公知の気相エッチング方法を適宜適用することができ、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）ガスを用いて行うことができる。 The cleaning (step b1-1) by vapor phase etching inside the vapor phase growth apparatus (more specifically, the inside of the reaction furnace in which epitaxial growth is performed) is used as cleaning (cleaning) of the inside of the vapor phase growth apparatus. A known vapor phase etching method can be applied as appropriate, for example, using hydrogen chloride (HCl) gas.
クリーニングした気相成長装置内へのシリコンウェーハの搬入（工程ｂ１−２）、搬入したシリコンウェーハ上へのエピタキシャル層の成長（工程ｂ１−３）、及び、エピタキシャル層を成長させたシリコンウェーハの気相成長装置内からの搬出（工程ｂ１−４）も、それぞれ、公知の方法を用いることができる。工程ｂ１−３のエピタキシャル成長工程により、図１（ｂ１−３）の右側に示したように、シリコンウェーハ１０の上に、エピタキシャル層１１が形成される。
Loading of the silicon wafer into the cleaned vapor phase growth apparatus (step b1-2), growth of the epitaxial layer on the transferred silicon wafer (step b1-3), and the flow of the silicon wafer on which the epitaxial layer was grown For carrying out from the phase growth apparatus (step b1-4), a known method can be used. Through the epitaxial growth step of step b1-3, the
本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法では、以上の工程ｂ１−１〜工程ｂ１−４までを１サイクルとし、同様のサイクルを、同一のシリコンウェーハに対して、この順序で所定の回数繰り返す。サイクルを行う回数は、２回以上であれば良い。図１には、合計３回のサイクルを行う例を示している。 In the method for evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus according to the present invention, the above steps b1-1 to b1-4 are defined as one cycle, and the same cycle is performed in a predetermined order on the same silicon wafer. Repeat a number of times. The number of cycles may be two or more. FIG. 1 shows an example in which a total of three cycles are performed.
上記工程ｂ１−３でエピタキシャル成長を行ったシリコンウェーハ（すなわち、エピタキシャル層１１が形成されているシリコンウェーハ１０）を、一旦、気相成長装置内から搬出した（工程ｂ１−４）後、第２のサイクルの最初の工程として、図１（ｂ２−１）に示したように、再度、気相成長装置の内部の気相エッチングによるクリーニング（工程ｂ２−１）を行う。
After the silicon wafer epitaxially grown in the step b1-3 (that is, the silicon wafer 10 on which the
次に、上記工程ｂ１−３でエピタキシャル成長を行ったシリコンウェーハ（すなわち、エピタキシャル層１１が形成されているシリコンウェーハ１０）を、図１（ｂ２−２）に示したように、再度、クリーニングした気相成長装置内へ搬入する（工程ｂ２−２）。
Next, as shown in FIG. 1 (b2-2), the silicon wafer epitaxially grown in the step b1-3 (that is, the silicon wafer 10 on which the
次に、図１（ｂ２−３）に示したように、エピタキシャル層１１が形成されているシリコンウェーハ１０上へのエピタキシャル層１２の成長（工程ｂ２−３）を工程ｂ１−３と同様に行う。
Next, as shown in FIG. 1 (b2-3), the
次に、図１（ｂ２−４）に示したように、エピタキシャル層を成長させたシリコンウェーハの気相成長装置内からの搬出（工程ｂ２−４）を、工程ｂ１−４と同様に行う。 Next, as shown in FIG. 1 (b2-4), the silicon wafer on which the epitaxial layer is grown is carried out from the vapor phase growth apparatus (step b2-4) in the same manner as in step b1-4.
このように、工程ｂ２−１から工程ｂ２−４まで（第２のサイクル）を行うことにより、シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を２回成長させたウェーハを作製することができる。 As described above, by performing steps b2-1 to b2-4 (second cycle), a wafer in which an epitaxial layer is grown twice on a silicon wafer can be manufactured.
本発明において、上記サイクルを行う回数は２回以上であれば良いので、上記エピタキシャル成長を２回行い、２層のエピタキシャル層１１、１２が形成されたシリコンウェーハ１０をモニタウェーハ２１として、ライフタイム値の測定（後述の工程ｃ）、及び、測定したモニタウェーハのライフタイム値に基づいた気相成長装置の清浄度の評価（後述の工程ｄ）を行ってもよい。
In the present invention, the cycle may be performed twice or more. Therefore, a lifetime value is obtained using the
また、第２のサイクルを終えた後、図１（ｂ３−１）から図１（ｂ３−４）までに示した、第３のサイクル（工程ｂ３−１〜工程ｂ３−４）も、同様に行うことができる。これにより、図１（ｂ３−３）の右側に示したように、エピタキシャル層１３がエピタキシャル層１２の表面上に形成され、３層のエピタキシャル層１１、１２、１３が形成されたシリコンウェーハ１０を形成することができる。このモニタウェーハ３１を、ライフタイム値の測定（後述の工程ｃ）、及び、測定したモニタウェーハのライフタイム値に基づいた気相成長装置の清浄度の評価（後述の工程ｄ）を行うことができる。
After the second cycle is completed, the third cycle (step b3-1 to step b3-4) shown in FIG. 1 (b3-1) to FIG. 1 (b3-4) is similarly performed. It can be carried out. Thereby, as shown on the right side of FIG. 1 (b3-3), the
さらに、第４のサイクル以降を同様に行うことができる。本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法において、サイクルを繰り返す回数の上限は、特に制限されないが、工程が増えることによるコストの増加を勘案して、例えば、１０回以下とすることができる。 Further, the fourth and subsequent cycles can be performed in the same manner. In the method for evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus according to the present invention, the upper limit of the number of cycles is not particularly limited, but may be, for example, 10 times or less in consideration of an increase in cost due to an increase in the number of steps. it can.
上記サイクルを所定の回数繰り返した後、図１（ｃ）に示したように、作製したモニタウェーハのライフタイム値を測定する。ウェーハライフタイム値の測定方法は、公知の方法によることができ、特に制限されないが、簡単に測定を行えるμＰＣＤ法で行うことが好ましい。 After the above cycle is repeated a predetermined number of times, the lifetime value of the manufactured monitor wafer is measured as shown in FIG. The method for measuring the wafer lifetime value can be a known method, and is not particularly limited, but is preferably performed by the μPCD method, which allows easy measurement.
次に、図１（ｄ）に示したように、測定したモニタウェーハのライフタイム値から評価対象の気相成長装置の清浄度を評価する。モニタウェーハのシリコンエピタキシャル層に不純物、特に金属が取り込まれるとライフタイム値が小さくなる。そのため、評価対象となる気相成長装置を用いてモニタウェーハを製造した結果、そのモニタウェーハが汚染されてライフタイム値が小さくなっている場合には、気相成長装置の清浄度が低いと評価できる。逆に、ライフタイム値の減少が小さければ、気相成長装置に由来するモニタウェーハの汚染は少ないと評価でき、気相成長装置の清浄度は高いと評価できる。 Next, as shown in FIG. 1D, the cleanliness of the vapor phase growth apparatus to be evaluated is evaluated from the measured lifetime value of the monitor wafer. When impurities, particularly metal, are taken into the silicon epitaxial layer of the monitor wafer, the lifetime value is reduced. Therefore, if the monitor wafer is manufactured using the vapor phase growth apparatus to be evaluated and the monitor wafer is contaminated and the lifetime value is small, it is evaluated that the cleanness of the vapor phase growth apparatus is low. it can. Conversely, if the decrease in lifetime value is small, it can be evaluated that the contamination of the monitor wafer originating from the vapor phase growth apparatus is small, and the cleanliness of the vapor phase growth apparatus can be evaluated to be high.
さらに、以上のような本発明の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。本発明に係る清浄度評価方法で汚染がないことを評価した気相成長装置でシリコンエピタキシャルウェーハを製造することにより、汚染の少ない高品位なシリコンエピタキシャルウェーハを高歩留まりで製造することができる。 Furthermore, a silicon epitaxial wafer can be manufactured using the vapor phase growth apparatus evaluated by the cleanliness evaluation method of the vapor phase growth apparatus of the present invention as described above. By manufacturing a silicon epitaxial wafer with a vapor phase growth apparatus that has been evaluated to be free of contamination by the cleanliness evaluation method according to the present invention, a high-quality silicon epitaxial wafer with little contamination can be manufactured with a high yield.
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are given and this invention is demonstrated further more concretely, these do not limit this invention.
（実施例１）
まず、シリコンウェーハとして、直径が２００ｍｍ、抵抗率が１０Ωｃｍ、厚みが７２５μｍのＰ型シリコンウェーハを多数準備した。
Example 1
First, a large number of P-type silicon wafers having a diameter of 200 mm, a resistivity of 10 Ωcm, and a thickness of 725 μm were prepared as silicon wafers.
次に、評価対象の気相成長装置を二台準備し、それぞれ大気開放していわゆるメンテナンス作業を行った。その際、一台は大気解放後直ちにメンテナンス作業を行い（「通常メンテナンス」と呼ぶ）、もう一台は大気開放したまま一日放置し、その後メンテナンス作業を行った（「一日開放後メンテナンス」と呼ぶ）。なお、一般に、メンテナンス作業を行うと気相成長装置の反応炉内が若干汚染され、メンテナンス後から、汚染源がほとんど除去されて汚染による影響がほぼ無くなる（汚染が枯れる）まで数日間を要する。また、大気開放時間が長いとその分腐食が進むため、気相成長装置の汚染量は多くなると考えられる。 Next, two vapor phase growth apparatuses to be evaluated were prepared, each was opened to the atmosphere, and so-called maintenance work was performed. At that time, one unit performed maintenance work immediately after it was released to the atmosphere (referred to as “normal maintenance”), and the other unit was left open for one day and then performed maintenance work (“maintenance after one day release”). Called). In general, when maintenance work is performed, the inside of the reactor of the vapor phase growth apparatus is slightly contaminated, and it takes several days after the maintenance until the contamination source is almost removed and the influence of the contamination is almost eliminated (contamination is withered). In addition, if the open time in the atmosphere is long, the corrosion proceeds accordingly, so the amount of contamination of the vapor phase growth apparatus is considered to increase.
このように二種類のメンテナンス作業を行った気相成長装置を準備した後、これらの装置を用いて、気相成長装置内の気相エッチング及び上記のように準備したシリコンウェーハ上へのエピタキシャル層の成長を、図１に示した方法に従って、ただしサイクル回数を５回として繰り返して行い、モニタウェーハを作製した。その際、一回のエピタキシャル層の成膜は、抵抗率１０Ωｃｍ、膜厚２μｍのＰ型とし、その結果、合計のエピタキシャル膜厚は１０μｍとした。さらに、これと同じ方法で一日一枚の頻度でモニタウェーハを作製した。なお、モニタウェーハを作製していない間は、通常の製品のシリコンエピタキシャル層の成長を行うのと同じシーケンスで気相成長装置の加熱を行い、汚染源を除去する処理を行い続けた。 After preparing the vapor phase growth apparatus that has performed two kinds of maintenance operations in this way, using these apparatuses, the vapor phase etching in the vapor phase growth apparatus and the epitaxial layer on the silicon wafer prepared as described above are used. The monitor wafer was manufactured according to the method shown in FIG. 1 except that the cycle was repeated five times. At that time, the single epitaxial layer was formed into a P-type having a resistivity of 10 Ωcm and a film thickness of 2 μm, and as a result, the total epitaxial film thickness was 10 μm. Furthermore, a monitor wafer was produced at the frequency of one sheet per day by the same method. While the monitor wafer was not manufactured, the vapor phase growth apparatus was heated in the same sequence as the growth of the silicon epitaxial layer of a normal product to continue the process of removing the contamination source.
このようにして作製したモニタウェーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μＰＣＤ法によるウェーハライフタイム測定装置を使用して、ウェーハライフタイム値を測定した。図２中に、実施例１におけるウェーハライフタイムの値の日間推移を示した。通常メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約７００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ２日目で１８００μｓｅｃ程度まで増加した。その後、１０日目まで少しずつ増加し約２１００μｓｅｃとなった。一方、一日解放後メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約１００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ１０日目で２１００μｓｅｃ程度まで増加した。 The monitor wafer thus produced was subjected to a surface treatment by chemical passivation, and a wafer lifetime value was measured using a wafer lifetime measuring apparatus by a μPCD method. In FIG. 2, the daily transition of the wafer lifetime value in Example 1 is shown. In the case of a vapor phase growth apparatus that is normally maintained, the wafer lifetime value of the monitor wafer produced immediately after the maintenance is about 700 μsec, but the wafer lifetime value increases with the passage of days thereafter, and about 1800 μsec on the second day. Increased to. Thereafter, it gradually increased until the 10th day and reached about 2100 μsec. On the other hand, in the case of a vapor phase growth apparatus that is maintained after being released for one day, a monitor wafer manufactured immediately after maintenance has a wafer lifetime value of about 100 μsec. It increased to about 2100 μsec on the day.
（実施例２）
実施例１と同様の実験条件で、ただしサイクル回数を２回として繰り返して行い、モニタウェーハを作製した。このようにして作製したモニタウェーハについて、実施例１と同様に、ウェーハライフタイム値を測定した。図３中に、実施例２におけるウェーハライフタイムの値の日間推移を示した。通常メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約７００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ２日目で１８００μｓｅｃ程度まで増加した。その後、１０日目まで少しずつ増加し約２２００μｓｅｃとなった。一方、一日解放後メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約３００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ１０日目で２２００μｓｅｃ程度まで増加した。
(Example 2)
A monitor wafer was produced under the same experimental conditions as in Example 1, except that the cycle was repeated twice. For the monitor wafer thus produced, the wafer lifetime value was measured in the same manner as in Example 1. In FIG. 3, the daily transition of the wafer lifetime value in Example 2 is shown. In the case of a vapor phase growth apparatus that is normally maintained, the wafer lifetime value of the monitor wafer produced immediately after the maintenance is about 700 μsec, but the wafer lifetime value increases with the passage of days thereafter, and about 1800 μsec on the second day. Increased to. Thereafter, it gradually increased until the 10th day and reached about 2200 μsec. On the other hand, in the case of a vapor phase growth apparatus that is maintained after being released for one day, a monitor wafer produced immediately after maintenance has a wafer lifetime value of about 300 μsec. It increased to about 2200 μsec on the day.
（実施例３）
実施例１と同様の実験条件で、ただしサイクル回数を１０回として繰り返して行い、モニタウェーハを作製した。このようにして作製したモニタウェーハについて、実施例１と同様に、ウェーハライフタイム値を測定した。図４中に、実施例３におけるウェーハライフタイムの値の日間推移を示した。通常メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約６００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ２日目で１８００μｓｅｃ程度まで増加した。その後、１０日目まで少しずつ増加し約２１００μｓｅｃとなった。一方、一日解放後メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約１００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ１０日目で２１００μｓｅｃ程度まで増加した。
(Example 3)
A monitor wafer was manufactured under the same experimental conditions as in Example 1, except that the cycle was repeated 10 times. For the monitor wafer thus produced, the wafer lifetime value was measured in the same manner as in Example 1. In FIG. 4, the daily transition of the wafer lifetime value in Example 3 is shown. In the case of a vapor phase growth apparatus that is normally maintained, the wafer lifetime value of a monitor wafer produced immediately after the maintenance is about 600 μsec, but the wafer lifetime value increases with the passage of days thereafter, and about 1800 μsec on the second day. Increased to. Thereafter, it gradually increased until the 10th day and reached about 2100 μsec. On the other hand, in the case of a vapor phase growth apparatus that is maintained after being released for one day, a monitor wafer manufactured immediately after maintenance has a wafer lifetime value of about 100 μsec. It increased to about 2100 μsec on the day.
（比較例）
次に、比較例として、従来のように気相成長装置内の気相エッチング後、一回だけエピタキシャル層を成膜してモニタウェーハを作製する例を示す。
(Comparative example)
Next, as a comparative example, an example is shown in which a monitor wafer is manufactured by forming an epitaxial layer only once after vapor phase etching in a vapor phase growth apparatus as in the prior art.
まず、シリコンウェーハとして、直径が２００ｍｍ、抵抗率が１０Ωｃｍ、厚みが７２５μｍのＰ型シリコンウェーハを多数準備した。 First, a large number of P-type silicon wafers having a diameter of 200 mm, a resistivity of 10 Ωcm, and a thickness of 725 μm were prepared as silicon wafers.
実施例１と同じ二種類のメンテナンス作業を行った気相成長装置を二台準備し、メンテナンス後からの経過時間が実施例１のモニタウェーハ作製と同じときに、比較例のモニタウェーハを作製した。このモニタウェーハ作製の条件は、気相成長装置の気相エッチング後、シリコンウェーハの上に、抵抗率１０ΩｃｍのＰ型シリコンエピタキシャル層を一回の成長で１０μｍ堆積するというものである。 Two vapor phase growth apparatuses that performed the same two types of maintenance work as in Example 1 were prepared, and a monitor wafer of a comparative example was produced when the elapsed time after the maintenance was the same as the production of the monitor wafer of Example 1. . The condition for producing the monitor wafer is that a P-type silicon epitaxial layer having a resistivity of 10 Ωcm is deposited on the silicon wafer by 10 μm by one growth after the vapor phase etching by the vapor phase growth apparatus.
このようにして作製したモニタウェーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μＰＣＤ法によるウェーハライフタイム測定装置を使用して、ウェーハライフタイム値を測定した。図５中に、比較例におけるウェーハライフタイムの値の日間推移を示した。通常メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約８００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ２日目で１８００μｓｅｃ程度まで増加した。その後、１０日目まで少しずつ増加し約２２００μｓｅｃとなった。一方、一日開放後メンテナンスした気相成長装置の場合、メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約７００μｓｅｃであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ２日目で１８００μｓｅｃ程度まで増加した。その後、１０日目まで少しずつ増加し約２２００μｓｅｃとなった。 The monitor wafer thus produced was subjected to a surface treatment by chemical passivation, and a wafer lifetime value was measured using a wafer lifetime measuring apparatus by a μPCD method. FIG. 5 shows the daily transition of the wafer lifetime value in the comparative example. In the case of a vapor phase growth apparatus that is normally maintained, the wafer lifetime value of the monitor wafer produced immediately after the maintenance is about 800 μsec, but the wafer lifetime value increases with the passage of days thereafter, and about 1800 μsec on the second day. Increased to. Thereafter, it gradually increased until the 10th day and reached about 2200 μsec. On the other hand, in the case of the vapor phase growth apparatus maintained after opening for one day, the wafer lifetime value of the monitor wafer manufactured immediately after the maintenance is about 700 μsec. It increased to about 1800 μsec on the day. Thereafter, it gradually increased until the 10th day and reached about 2200 μsec.
実施例１〜３と比べると、比較例では通常メンテナンスと一日開放後メンテナンスした場合で、ウェーハライフタイム値の日間推移に違いが見られていない。これは即ち、比較例は通常メンテナンスと一日開放後メンテナンスの汚染レベルの違いを検出できていないことを示している。以上の結果より、本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法に従うことにより、気相成長装置の清浄度を高感度で評価できることがわかった。 Compared with Examples 1 to 3, in the comparative example, there is no difference in the daily transition of the wafer lifetime value between the normal maintenance and the maintenance after opening for one day. This indicates that the comparative example cannot detect the difference in the contamination level between the normal maintenance and the maintenance after opening for one day. From the above results, it was found that the cleanliness of the vapor phase growth apparatus can be evaluated with high sensitivity by following the method for evaluating the cleanliness of the vapor phase growth apparatus according to the present invention.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
１０…シリコンウェーハ、
１１、１２、１３…エピタキシャル成長１回分のエピタキシャル層、
２１、３１…モニタウェーハ。
10 ... silicon wafer,
11, 12, 13 ... epitaxial layer for one epitaxial growth,
21, 31 ... monitor wafer.
Claims (3)
前記気相成長装置の内部を気相エッチングによりクリーニングする工程と、
前記クリーニングした気相成長装置内にシリコンウェーハを搬入する工程と、
前記気相成長装置を用いて、前記搬入したシリコンウェーハ上にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層を成長させたシリコンウェーハを前記気相成長装置内から搬出する工程と
からなるサイクルを、同一のシリコンウェーハに対して、この順序で所定の回数繰り返すことにより、前記シリコンウェーハ上に前記エピタキシャル層を前記所定の回数成長させたモニタウェーハを作製し、
前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、
前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 A method for evaluating the cleanliness of a vapor phase growth apparatus,
Cleaning the inside of the vapor phase growth apparatus by vapor phase etching;
Carrying a silicon wafer into the cleaned vapor phase growth apparatus;
A step of growing an epitaxial layer on the carried silicon wafer using the vapor phase growth apparatus;
A cycle comprising the step of carrying out the silicon wafer on which the epitaxial layer has been grown out of the vapor phase growth apparatus is repeated a predetermined number of times in this order for the same silicon wafer, whereby the silicon wafer is A monitor wafer is produced by growing the epitaxial layer a predetermined number of times,
Measure the lifetime value of the monitor wafer,
A cleanliness evaluation method for a vapor phase growth apparatus, wherein the cleanliness of the vapor phase growth apparatus is evaluated from the measured lifetime value of the monitor wafer.
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