JP2013161889A - Light-emitting device, vehicular headlamp, and color adjusting method of light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device, vehicular headlamp, and color adjusting method of light-emitting device Download PDF

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Yosuke Maemura
要介 前村
Yoshiyuki Takahira
宜幸 高平
Koji Takahashi
幸司 高橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To adjust the color of illumination light while suppressing the generation of color unevenness.SOLUTION: A headlamp 1a related to one embodiment of this invention includes: a semiconductor laser element 2; and a light-emitting portion 5 including at least a first fluorescent body and a second fluorescent. The semiconductor laser element 2 changes the wavelength of a laser beam in a wavelength area in which an absorption wavelength area of the first fluorescent body and an absorption wavelength area of the second fluorescent area are superimposed with each other.

Description

本発明は、励起光を蛍光体に照射することで発生する蛍光を照明光として利用する発光装置、車両用前照灯および発光装置の色み調整方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device that uses fluorescence generated by irradiating a fluorescent material with excitation light as illumination light, a vehicle headlamp, and a color adjustment method for the light emitting device.

近年、励起光源として発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)や半導体レーザ素子(LD;Laser Diode)などの半導体発光素子を備え、これらの励起光源から生じた励起光を、蛍光体を含む発光部に照射することによって発生する蛍光を照明光として用いる照明装置の研究が盛んになってきている。   2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and semiconductor laser devices (LDs) are provided as excitation light sources, and excitation light generated from these excitation light sources is emitted to a light emitting unit including a phosphor. Research on an illuminating device using fluorescence generated by irradiation as illumination light has been actively performed.

このような照明装置に関する技術として、例えば、特許文献1には、図14(a)に示されるように、色温度の低い黄色LED10と色温度の高い青色LED11とを備え、これら複数のLEDから発せられた黄色の光と青色の光とを混合して照明光の色みを調整する照明機器12が開示されている。   As a technique related to such an illumination device, for example, Patent Document 1 includes a yellow LED 10 having a low color temperature and a blue LED 11 having a high color temperature, as shown in FIG. An illumination device 12 that adjusts the color of illumination light by mixing emitted yellow light and blue light is disclosed.

特開2010−272536号公報(2010年12月02日公開)JP 2010-272536 A (published on December 02, 2010)

木島直人著、「白色LED照明技術のすべて」、工業調査会、2009年、第3章 田口常正編Naoto Kijima, “All about White LED Lighting Technology”, Industrial Research Committee, 2009, Chapter 3, Tsunemasa Taguchi 中西洋一郎著、「白色LEDの用途に向けた蛍光体」、応用物理学会、2011年、応用物理 第80巻 第4号Ichiro Nakanishi, “Phosphors for White LED Applications”, Japan Society of Applied Physics, 2011, Applied Physics Vol. 80, No. 4

しかしながら、特許文献1に開示された照明機器12では、複数のLED(発光部)から出射された異なる色の光を混合して、照明光の色みを調整する構成であるため、得られる照明光に色ムラが生じる。そのため、特許文献1に開示された照明機器12では、この色ムラを防止するために、拡散板などが必要となる。   However, since the illumination device 12 disclosed in Patent Document 1 is configured to adjust the color of illumination light by mixing light of different colors emitted from a plurality of LEDs (light emitting units), the resulting illumination is obtained. Color unevenness occurs in light. Therefore, in the illumination device 12 disclosed in Patent Document 1, a diffusion plate or the like is necessary to prevent this color unevenness.

また、特許文献1に開示された照明機器12では、図14(b)に示されるように、青色LED11の電流値を変化させるための回路が必要であり、装置構成が複雑になるという課題がある。   Further, in the lighting device 12 disclosed in Patent Document 1, as shown in FIG. 14B, a circuit for changing the current value of the blue LED 11 is necessary, and there is a problem that the device configuration becomes complicated. is there.

本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、より簡略化した装置構成で、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みを調整することが可能な発光装置を実現することにある。また、本発明の他の目的は、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みを調整することが可能な発光装置の色み調整方法を実現することにある。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to make it possible to adjust the color of illumination light while suppressing the occurrence of color unevenness with a more simplified apparatus configuration. Is to realize a simple light emitting device. Another object of the present invention is to realize a color adjustment method for a light emitting device capable of adjusting the color of illumination light while suppressing the occurrence of color unevenness.

本発明に係る発光装置は、上記の課題を解決するために、励起光を出射する励起光源と、前記励起光源から出射された前記励起光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを、少なくとも含む発光部とを備え、前記励起光源は、前記第1の蛍光体の吸収波長領域と前記第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、前記励起光の波長を変化させることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a light emitting device according to the present invention includes an excitation light source that emits excitation light, a first phosphor that emits fluorescence by absorbing the excitation light emitted from the excitation light source, and A light emitting unit including at least a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor, and the excitation light source includes an absorption wavelength region of the first phosphor and the second phosphor. The wavelength of the excitation light is changed in a wavelength region where the absorption wavelength regions of the phosphors overlap each other.

上記の構成では、発光部は、第1の蛍光体と当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを少なくとも含み、励起光源は、第1の蛍光体の吸収波長領域と第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、励起光の波長を変化させる。   In the above configuration, the light emitting unit includes at least a first phosphor and a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor, and the excitation light source is the first phosphor. The wavelength of the excitation light is changed in a wavelength region where the absorption wavelength region and the absorption wavelength region of the second phosphor overlap each other.

ここで、蛍光体の発光効率は、照射される励起光の波長に応じて、蛍光体の種類ごとにそれぞれ変化する。そのため、第1の蛍光体および第2の蛍光体を少なくとも含む発光部に照射する励起光の波長を、第1の蛍光体の吸収波長領域と第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において変化させることで、第1の蛍光体から発せられる蛍光と第2の蛍光体から発せられる蛍光との比率が変化するため、発光部から出射される照明光の色みを調整することができる。   Here, the luminous efficiency of the phosphor changes for each type of phosphor according to the wavelength of the excitation light irradiated. For this reason, the absorption wavelength region of the first phosphor and the absorption wavelength region of the second phosphor overlap each other with respect to the wavelength of the excitation light applied to the light emitting unit including at least the first phosphor and the second phosphor. By changing in the wavelength region, the ratio of the fluorescence emitted from the first phosphor and the fluorescence emitted from the second phosphor changes, so that the color of the illumination light emitted from the light emitting unit is adjusted. Can do.

このように、上記の構成によれば、励起光の波長を制御することで、単一の発光部から出射される照明光の色みを調整することができるため、従来のように、複数の発光部から出射される光を混合して照明光の色みを調整する構成に比べて、装置構成を簡略化することができると共に、色ムラの発生を抑制することができる。   As described above, according to the above configuration, the color of the illumination light emitted from a single light emitting unit can be adjusted by controlling the wavelength of the excitation light. Compared with a configuration in which the light emitted from the light emitting unit is mixed to adjust the color of the illumination light, the device configuration can be simplified and the occurrence of color unevenness can be suppressed.

従って、上記の構成によれば、より簡略化した装置構成で、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みを調整することが可能な発光装置を実現することができる。   Therefore, according to said structure, the light-emitting device which can adjust the color of illumination light can be implement | achieved with the more simplified apparatus structure, suppressing generation | occurrence | production of a color nonuniformity.

また、本発明に係る発光装置では、前記励起光源は、前記互いに重なり合う波長領域のうち、前記第1の蛍光体の吸収端または前記第2の蛍光体の吸収端、および当該吸収端近傍の波長領域において、前記励起光の波長を変化させることが好ましい。   Moreover, in the light emitting device according to the present invention, the excitation light source includes the absorption edge of the first phosphor or the absorption edge of the second phosphor and the wavelength near the absorption edge in the overlapping wavelength region. In the region, it is preferable to change the wavelength of the excitation light.

一般的に、吸収端の波長領域で蛍光体を励起すると、蛍光体の発光効率は大きく変化する。   In general, when a phosphor is excited in the wavelength region of the absorption edge, the luminous efficiency of the phosphor changes greatly.

上記の構成によれば、励起光源は、互いに重なり合う波長領域のうち、第1の蛍光体の吸収端または第2の蛍光体の吸収端、および当該吸収端近傍の波長領域において、励起光の波長を変化させるので、第1の蛍光体および第2の蛍光体のいずれか一方の発光効率を大きく変化させて、発光部から出射される照明光の色みを効率的に変えることができる。   According to the above configuration, the excitation light source has the wavelength of the excitation light in the wavelength region of the first fluorescent material or the second fluorescent material, and in the wavelength region in the vicinity of the absorption edge, among the overlapping wavelength regions. Therefore, it is possible to change the color of the illumination light emitted from the light emitting section efficiently by largely changing the light emission efficiency of either the first phosphor or the second phosphor.

また、上記の構成によれば、励起光源は、互いに重なり合う波長領域のうち、狭い波長領域において励起光の波長を変化させることで、発光部から出射される照明光の色みを調整することが可能となるので、励起光の波長を変化させるための機構を簡略化することができる。   Further, according to the above configuration, the excitation light source can adjust the color of the illumination light emitted from the light emitting unit by changing the wavelength of the excitation light in a narrow wavelength region among the overlapping wavelength regions. As a result, a mechanism for changing the wavelength of the excitation light can be simplified.

また、本発明に係る発光装置では、前記第1の蛍光体は、前記第2の蛍光体よりもピーク波長の短い蛍光を発するものであり、前記励起光源は、前記互いに重なり合う波長領域のうち、前記第1の蛍光体の最も長波側にある吸収端および当該吸収端近傍の波長領域において、前記励起光の波長を変化させることが好ましい。   Further, in the light emitting device according to the present invention, the first phosphor emits fluorescence having a shorter peak wavelength than the second phosphor, and the excitation light source includes the overlapping wavelength region, It is preferable to change the wavelength of the excitation light in the absorption edge on the longest wave side of the first phosphor and the wavelength region near the absorption edge.

一般的に、吸収端の波長領域で蛍光体を励起すると、蛍光体の発光効率が大きく変化することが知られている。   In general, it is known that when the phosphor is excited in the wavelength region of the absorption edge, the luminous efficiency of the phosphor changes greatly.

上記の構成によれば、励起光源は、互いに重なり合う波長領域のうち、第1の蛍光体の吸収端および当該吸収端近傍の波長領域において、励起光の波長を変化させるので、第1の蛍光体の発光効率を大きく変化させて、発光部から出射される照明光の色みを効率的に変えることができる。   According to the above configuration, the excitation light source changes the wavelength of the excitation light in the absorption region of the first phosphor and the wavelength region in the vicinity of the absorption region in the overlapping wavelength region. The luminous efficiency of the illumination light emitted from the light emitting section can be changed efficiently.

また、上記の構成によれば、第2の蛍光体よりもピーク波長の短い蛍光を発する第1の蛍光体の最も長波側にある吸収端および当該吸収端近傍の波長領域において、励起光の波長を変化させるので、例えば、第1の蛍光体として青色蛍光体、第2の蛍光体として黄色蛍光体を用いた場合、励起光として近紫外光を用いて、青色蛍光体から発せられる蛍光を黄色蛍光体から発せられる蛍光に対して相対的に変化させて容易に照明光色みを変えることができるので、実施化の観点から好ましい。   Moreover, according to said structure, the wavelength of excitation light in the absorption edge in the longest wave side of the 1st fluorescent substance which emits fluorescence whose peak wavelength is shorter than a 2nd fluorescent substance, and the wavelength range of the said absorption edge vicinity For example, when a blue phosphor is used as the first phosphor and a yellow phosphor is used as the second phosphor, near ultraviolet light is used as the excitation light, and the fluorescence emitted from the blue phosphor is yellow. Since the illumination light color can be easily changed by changing relative to the fluorescence emitted from the phosphor, it is preferable from the viewpoint of implementation.

また、本発明に係る発光装置では、前記励起光源は、半導体発光素子であり、前記半導体発光素子の温度を調整する温度調整部をさらに備えることが好ましい。   In the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the excitation light source is a semiconductor light emitting element, and further includes a temperature adjusting unit that adjusts a temperature of the semiconductor light emitting element.

上記の構成では、励起光源である半導体発光素子の温度を調整する温度調整部をさらに備えているので、温度調整部によって、半導体発光素子の温度を調整することで、励起光の波長を変化させることができる。   The above configuration further includes a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the semiconductor light emitting element, which is an excitation light source, so that the wavelength of the excitation light is changed by adjusting the temperature of the semiconductor light emitting element by the temperature adjustment unit. be able to.

例えば、温度調整部によって半導体発光素子の温度を低下させることで、励起光の波長を短くするなどといった制御が可能となる。   For example, it is possible to control the wavelength of the excitation light to be shortened by lowering the temperature of the semiconductor light emitting element by the temperature adjusting unit.

従って、上記の構成によれば、単一の励起光源から出射される励起光の波長を変化させることができる。   Therefore, according to said structure, the wavelength of the excitation light radiate | emitted from a single excitation light source can be changed.

また、本発明に係る発光装置では、前記励起光源として、異なる波長の励起光を出射する複数の光源を備え、前記複数の光源は、異なる波長の前記励起光を選択的に出射することが好ましい。   In the light-emitting device according to the present invention, it is preferable that the excitation light source includes a plurality of light sources that emit excitation light having different wavelengths, and the plurality of light sources selectively emit the excitation light having different wavelengths. .

上記の構成では、励起光源として、異なる波長の励起光を出射する複数の光源を備え、複数の光源は、異なる波長の励起光を選択的に出射する。   In the above configuration, the excitation light source includes a plurality of light sources that emit excitation light with different wavelengths, and the plurality of light sources selectively emit excitation light with different wavelengths.

従って、上記の構成によれば、複数の光源を選択的に駆動させて異なる波長の励起光を出射させることで、励起光源から出射される励起光の波長を変化させることができる。   Therefore, according to said structure, the wavelength of the excitation light radiate | emitted from an excitation light source can be changed by selectively driving a some light source and emitting the excitation light of a different wavelength.

また、上記の構成によれば、発光部に照射される励起光の波長を大きく変化させることができるので、照明光の色みを大幅に変えることができる。   Moreover, according to said structure, since the wavelength of the excitation light irradiated to a light emission part can be changed greatly, the color of illumination light can be changed significantly.

また、本発明に係る発光装置では、前記励起光は、レーザ光であることが好ましい。   In the light emitting device according to the present invention, the excitation light is preferably laser light.

上記の構成によれば、励起光源と蛍光体を含む発光部とを離間して設置することが容易になるので、励起光源で発生する熱の発光部への伝導が抑えられ、発光部の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる。一般的に、蛍光体は温度上昇と共に発光効率の低下が見られるが、励起光源と発光部とを離間して設置することにより、励起光源で発生する熱の影響を発光部に与えることなく、励起光源の温度を制御することができる。   According to the above configuration, it becomes easy to install the excitation light source and the light emitting unit including the phosphor apart from each other, so that conduction of heat generated in the excitation light source to the light emitting unit is suppressed, and the temperature of the light emitting unit is reduced. A decrease in luminous efficiency of the phosphor due to the rise can be suppressed. In general, phosphors show a decrease in luminous efficiency as the temperature rises, but by placing the excitation light source and the light emitting part apart, the influence of heat generated by the excitation light source is not given to the light emitting part, The temperature of the excitation light source can be controlled.

また、励起光としてレーザ光を用いることで、励起光を小さなスポットに絞って発光部に照射することができる。そのため、発光部としてLEDなどを備えた従来の装置に比べて、小さなサイズで高輝度な発光部(点光源)を実現することができると共に、この小さな発光部から出射される照明光の色みを調整することができる。   Further, by using laser light as the excitation light, the excitation light can be focused on a small spot and irradiated onto the light emitting portion. Therefore, it is possible to realize a light emitting part (point light source) with a small size and high brightness as compared with a conventional device including an LED as a light emitting part, and the color of illumination light emitted from this small light emitting part. Can be adjusted.

本発明に係る車両用前照灯は、上記の課題を解決するために、上記発光装置を備えることを特徴とする。   The vehicle headlamp according to the present invention includes the light-emitting device in order to solve the above problems.

上記の構成によれば、より簡略化した装置構成で、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みを調整することが可能な車両用前照灯を実現することができる。   According to said structure, the vehicle headlamp which can adjust the color of illumination light can be implement | achieved, suppressing generation | occurrence | production of a color nonuniformity with the more simplified apparatus structure.

これにより、例えば、雨天時や霧がかかっている場合には、相対的に長波長成分が多く含まれた色温度の低い照明光を照射することで照明光の乱反射を防止して視認性を向上させることができる。一方、晴天時には、相対的に短波長成分が多く含まれた色温度の高い照明光を照射することで視認性を向上させることができる。   Thus, for example, when it is raining or foggy, it is possible to prevent illumination light from being irregularly reflected by irradiating illumination light with a relatively low color temperature that contains a relatively long wavelength component. Can be improved. On the other hand, visibility can be improved by irradiating illumination light having a high color temperature and containing a relatively large amount of short wavelength components in fine weather.

本発明に係る発光装置の色み調整方法は、上記の課題を解決するために、励起光源から出射された励起光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを、少なくとも含む発光部を備える発光装置の色み調整方法であって、前記第1の蛍光体の吸収波長領域と前記第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、前記励起光の波長を変化させる波長制御ステップを含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, a color adjusting method for a light-emitting device according to the present invention absorbs excitation light emitted from an excitation light source and emits fluorescence, and the first phosphor. Is a color adjustment method for a light-emitting device including a light-emitting unit including at least a second phosphor that emits fluorescence having different peak wavelengths, wherein the absorption wavelength region of the first phosphor and the second fluorescence And a wavelength control step of changing the wavelength of the excitation light in a wavelength region where the absorption wavelength region of the body overlaps each other.

上記の方法によれば、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みの調整が可能な発光装置の色み調整方法を実現することができる。   According to said method, the color adjustment method of the light-emitting device which can adjust the color of illumination light can be implement | achieved, suppressing generation | occurrence | production of color unevenness.

以上のように、本発明に係る発光装置は、本発明に係る発光装置は、上記の課題を解決するために、励起光を出射する励起光源と、前記励起光源から出射された前記励起光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを、少なくとも含む発光部とを備え、前記励起光源は、前記第1の蛍光体の吸収波長領域と前記第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、前記励起光の波長を変化させる。   As described above, the light-emitting device according to the present invention includes an excitation light source that emits excitation light and the excitation light emitted from the excitation light source in order to solve the above-described problem. A light emitting section including at least a first phosphor that absorbs and emits fluorescence, and a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor; The wavelength of the excitation light is changed in a wavelength region where the absorption wavelength region of the first phosphor and the absorption wavelength region of the second phosphor overlap each other.

また、本発明に係る発光装置の色み調整方法は、励起光を出射する励起光出射ステップと、前記励起光出射ステップにて出射した前記励起光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体と、を少なくとも含む発光部を発光させる発光ステップと、前記第1の蛍光体の吸収波長領域と前記第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、前記励起光の波長を変化させる波長制御ステップとを含む。   The color adjustment method for a light emitting device according to the present invention includes an excitation light emitting step for emitting excitation light, and a first phosphor that emits fluorescence by absorbing the excitation light emitted in the excitation light emitting step. A light emitting step that emits a light emitting unit including at least a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor, an absorption wavelength region of the first phosphor, and the second phosphor And a wavelength control step of changing the wavelength of the excitation light in a wavelength region where the absorption wavelength regions of the phosphors overlap each other.

それゆえ、本発明によれば、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みの調整が可能な発光装置および発光装置の色み調整方法を実現することができるという効果を奏する。   Therefore, according to the present invention, there is an effect that it is possible to realize a light emitting device and a color adjustment method for the light emitting device that can adjust the color of illumination light while suppressing the occurrence of color unevenness.

実施形態1に係るヘッドランプの概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a headlamp according to Embodiment 1. FIG. 図1に示されるペルチェユニットを示す拡大図断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the Peltier unit shown in FIG. 1. 蛍光体の励起スペクトルと発光スペクトルとを示すグラフであり、(a)は青色蛍光体のスペクトルを示し、(b)は緑色蛍光体のスペクトルを示し、(c)は黄色蛍光体のスペクトルを示し、(d)は赤色蛍光体のスペクトルを示す。It is a graph which shows the excitation spectrum and emission spectrum of a fluorescent substance, (a) shows the spectrum of a blue fluorescent substance, (b) shows the spectrum of a green fluorescent substance, (c) shows the spectrum of a yellow fluorescent substance. , (D) shows the spectrum of the red phosphor. 青色蛍光体と黄色蛍光体とを含む発光部に照射するレーザ光の波長を変化させたときの、照明光の色温度(色み)の変化をシミュレーションした結果を示す表である。It is a table | surface which shows the result of having simulated the change of the color temperature (color tint) of illumination light when changing the wavelength of the laser beam irradiated to the light emission part containing a blue fluorescent substance and a yellow fluorescent substance. 青色蛍光体と黄色蛍光体とを含む発光部に照射するレーザ光の波長を変化させたときの、照明光の色温度(色み)の変化をシミュレーションした結果を示す表である。It is a table | surface which shows the result of having simulated the change of the color temperature (color tint) of illumination light when changing the wavelength of the laser beam irradiated to the light emission part containing a blue fluorescent substance and a yellow fluorescent substance. 図1に示されるヘッドランプにおける処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of a process in the headlamp shown by FIG. 図1に示される半導体レーザ素子の温度を変化させたときの、レーザ光の波長および照明光の色温度(色み)の変化を示す表である。It is a table | surface which shows the change of the wavelength of a laser beam, and the color temperature (color tint) of illumination light when the temperature of the semiconductor laser element shown by FIG. 1 is changed. 図1に示されるヘッドランプの第一の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st modification of the headlamp shown by FIG. 図1に示されるヘッドランプの第二の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd modification of the headlamp shown by FIG. 図1に示されるヘッドランプの第三の変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a third modification of the headlamp shown in FIG. 1. 実施形態2に係るヘッドランプの概略構成を示す断面図である。6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a headlamp according to a second embodiment. FIG. 図11に示されるヘッドランプにおける処理の流れの一例を示すフローチャートである。12 is a flowchart illustrating an example of a process flow in the headlamp illustrated in FIG. 11. 図11に示される半導体レーザ素子を切り替えたときの、レーザ光の波長および照明光の色温度(色み)の変化を示す表である。12 is a table showing changes in the wavelength of laser light and the color temperature (color) of illumination light when the semiconductor laser element shown in FIG. 11 is switched. (a)および(b)は、従来の照明機器の概略構成を示す斜視図である。(A) And (b) is a perspective view which shows schematic structure of the conventional lighting equipment.

〔実施形態1〕
本発明に係る発光装置の実施の一形態について図1〜図10に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、本発明に係る発光装置を備える自動車のヘッドランプ(車両用前照灯)を例に挙げて説明する。
Embodiment 1
An embodiment of a light emitting device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, an automobile headlamp (vehicle headlamp) including the light emitting device according to the present invention will be described as an example.

ただし、本発明に係る発光装置は、自動車以外のヘッドランプ、或いは、その他の照明装置に適用することも可能である。   However, the light-emitting device according to the present invention can also be applied to a headlamp other than an automobile or other lighting devices.

<ヘッドランプ1aの構成>
まず、本実施形態に係るヘッドランプ1aの構成について、図1および図2を参照して説明する。ヘッドランプ1aは、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光を、蛍光体を含む発光部5に照射することによって発生する蛍光を、照明光として利用するものである。
<Configuration of headlamp 1a>
First, the configuration of the headlamp 1a according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The headlamp 1a uses, as illumination light, fluorescence generated by irradiating the light emitting unit 5 including phosphor with laser light emitted from the semiconductor laser element 2.

図1は、本実施形態に係るヘッドランプ1aの概略構成を示す断面図であり、図2は、図1に示されるペルチェユニット3を示す拡大図である。図1に示されるように、ヘッドランプ1aは、半導体レーザ素子(励起光源)2と、ペルチェユニット(温度調整部)3と、レンズ4と、発光部5と、パラボラミラー6と、金属ベース8とを備えている。以下、ヘッドランプ1aが備える各部の構成について説明する。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a headlamp 1a according to the present embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view showing a Peltier unit 3 shown in FIG. As shown in FIG. 1, the headlamp 1 a includes a semiconductor laser element (excitation light source) 2, a Peltier unit (temperature adjusting unit) 3, a lens 4, a light emitting unit 5, a parabolic mirror 6, and a metal base 8. And. Hereinafter, the structure of each part with which the headlamp 1a is provided is demonstrated.

(半導体レーザ素子2)
半導体レーザ素子2は、レーザ光(励起光)を出射する励起光源として機能する半導体発光素子である。半導体レーザ素子2は、1チップに1つの発光点を有するものであってもよく、1チップに複数の発光点を有するものであってもよい。半導体レーザ素子2が出射するレーザ光の波長は、例えば、380nm(青紫色)〜480nm(青色)であるが、これらに限定されず、発光部5に含まれる蛍光体の種類に応じて適宜選択される。
(Semiconductor laser element 2)
The semiconductor laser element 2 is a semiconductor light emitting element that functions as an excitation light source that emits laser light (excitation light). The semiconductor laser element 2 may have one light emitting point per chip, or may have a plurality of light emitting points per chip. The wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser element 2 is, for example, 380 nm (blue violet) to 480 nm (blue), but is not limited thereto, and is appropriately selected according to the type of phosphor included in the light emitting unit 5. Is done.

なお、半導体レーザ素子2に代えて、励起光源として発光ダイオード(LED)などを用いることも可能である。   Instead of the semiconductor laser element 2, a light emitting diode (LED) or the like can be used as an excitation light source.

(ペルチェユニット3)
ペルチェユニット3は、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長を変化させるためのものである。具体的には、ペルチェユニット3は、半導体レーザ素子2の温度を制御することで、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長を変化させる。
(Peltier unit 3)
The Peltier unit 3 is for changing the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2. Specifically, the Peltier unit 3 changes the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser element 2 by controlling the temperature of the semiconductor laser element 2.

図2に示されるように、ペルチェユニット3は、ヒートシンク31と、ペルチェ素子32と、放熱部33と、冷却ファン34とを備えている。   As shown in FIG. 2, the Peltier unit 3 includes a heat sink 31, a Peltier element 32, a heat radiating unit 33, and a cooling fan 34.

ヒートシンク31は、アルミニウムなどの熱伝導率の高い材料から構成されており、ヒートシンク31に配置された半導体レーザ素子2との間で効率的に熱を交換する。   The heat sink 31 is made of a material having high thermal conductivity such as aluminum, and efficiently exchanges heat with the semiconductor laser element 2 disposed on the heat sink 31.

ペルチェ素子32は、一方の面で吸熱すると共に他方の面で発熱し、流れる電流の向きを変えることで吸熱面と発熱面とを入れ替えることができる素子である。ペルチェ素子32は、ヒートシンク31と放熱部33との間に配設されており、ペルチェ素子32の電流値を制御することで、半導体レーザ素子2と放熱部33との間で熱の交換を行うことができる。   The Peltier element 32 is an element that absorbs heat on one surface and generates heat on the other surface, and can change the endothermic surface and the heat generating surface by changing the direction of the flowing current. The Peltier element 32 is disposed between the heat sink 31 and the heat radiating part 33, and exchanges heat between the semiconductor laser element 2 and the heat radiating part 33 by controlling the current value of the Peltier element 32. be able to.

放熱部33は、ペルチェ素子32の放熱面から受け取った熱を大気中へ放熱するものである。放熱部33は、熱伝導率の高い材料からなっており、ペルチェ素子32との間で効率的に熱交換を行うことができる。また、放熱部33には複数のフィンが形成されており、大気との接触面積を増加させることにより放熱効率を高めている。   The heat radiating section 33 radiates heat received from the heat radiating surface of the Peltier element 32 to the atmosphere. The heat radiating part 33 is made of a material having high thermal conductivity, and can efficiently exchange heat with the Peltier element 32. Moreover, the several fin is formed in the thermal radiation part 33, and the thermal radiation efficiency is improved by increasing the contact area with air | atmosphere.

冷却ファン34は、放熱部33を冷却するものである。具体的には、冷却ファン34は、放熱部33に風を当てることで放熱部33を冷却することで、放熱部33における放熱効率を向上させる。   The cooling fan 34 cools the heat radiating part 33. Specifically, the cooling fan 34 improves the heat radiation efficiency in the heat radiating part 33 by cooling the heat radiating part 33 by applying wind to the heat radiating part 33.

このような構成のペルチェユニット3を制御することで、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長を変化させることができる。後述するように、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長は、半導体レーザ素子2の温度に応じて変化する。そのため、例えば、ペルチェユニット3によって半導体レーザ素子2の温度を低下させることで、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長を短くするなどといった制御が可能となる。   By controlling the Peltier unit 3 having such a configuration, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 can be changed. As will be described later, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 changes according to the temperature of the semiconductor laser element 2. Therefore, for example, by reducing the temperature of the semiconductor laser element 2 by the Peltier unit 3, it is possible to perform control such as shortening the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2.

なお、ペルチェユニット3を含むヘッドランプ1aの各部の動作は、制御部(図示省略)によって制御される。また、半導体レーザ素子2の温度を調整する温度調整部としてペルチェユニット3を用いているが、ペルチェユニット3に代えて、水冷方式、コンプレッサーなどを用いてもよい。   The operation of each part of the headlamp 1a including the Peltier unit 3 is controlled by a control unit (not shown). Further, although the Peltier unit 3 is used as a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the semiconductor laser element 2, a water cooling method, a compressor, or the like may be used instead of the Peltier unit 3.

(レンズ4)
レンズ4は、半導体レーザ素子2から出射されたレーザ光の照射範囲を調節するものである。具体的には、レンズ4は、半導体レーザ素子2から出射されたレーザ光が、発光部5に対して適切に照射されるように、レーザ光の照射範囲を発光部5のサイズに合わせて調節(例えば、縮小)する。
(Lens 4)
The lens 4 adjusts the irradiation range of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2. Specifically, the lens 4 adjusts the irradiation range of the laser light according to the size of the light emitting unit 5 so that the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 is appropriately irradiated to the light emitting unit 5. (For example, reduction).

(発光部5)
発光部5は、半導体レーザ素子2から出射されたレーザ光を受けて蛍光(照明光)を出射するものである。発光部5は、半導体レーザ素子2によって照射されたレーザ光を吸収して蛍光を発する少なくとも2種類以上の蛍光体(第1の蛍光体.第2の蛍光体)を含んでいる。具体的には、発光部5は、レーザ光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを少なくとも含んでいる。
(Light emitting part 5)
The light emitting part 5 receives the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 and emits fluorescence (illumination light). The light emitting unit 5 includes at least two kinds of phosphors (first phosphor and second phosphor) that absorb the laser beam irradiated by the semiconductor laser element 2 and emit fluorescence. Specifically, the light emitting unit 5 includes at least a first phosphor that emits fluorescence by absorbing laser light, and a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor. It is.

この発光部5は、封止材の内部に蛍光体の粒子が分散されているもの、蛍光体の粒子を固めたもの、または、熱伝導率の高い材料からなる基板上に蛍光体の粒子を堆積させたものなどである。発光部5は、レーザ光を蛍光に変換するため、波長変換素子であると言える。   The light-emitting portion 5 includes phosphor particles dispersed on the inside of a sealing material, phosphor particles solidified, or a substrate made of a material having high thermal conductivity. Such as those deposited. Since the light emitting unit 5 converts the laser light into fluorescence, it can be said to be a wavelength conversion element.

発光部5は、金属ベース8上で、且つ、パラボラミラー6のほぼ焦点位置に配置されている。そのため、発光部5から出射した蛍光は、パラボラミラー6の反射曲面に反射することでその光路が制御され、照明光を遠くに効率よく集光することができる。なお、発光部5の上面に、レーザ光の反射を防止する反射防止構造が形成されていてもよい。   The light emitting unit 5 is disposed on the metal base 8 and at a substantially focal position of the parabolic mirror 6. Therefore, the fluorescence emitted from the light emitting unit 5 is reflected on the reflection curved surface of the parabolic mirror 6 so that the optical path is controlled, and the illumination light can be efficiently collected far away. Note that an antireflection structure for preventing the reflection of the laser beam may be formed on the upper surface of the light emitting unit 5.

発光部5に含まれる蛍光体としては、酸窒化物系蛍光体(例えば、サイアロン蛍光体)またはIII−V族化合物半導体ナノ粒子蛍光体(例えば、インジュウムリン:InP)
またはYAG蛍光体を用いることができる。これらの蛍光体は、半導体レーザ素子2から発せられた高い出力(および/または光密度)のレーザ光に対しての熱耐性が高く、レーザ照明光源に最適である。ただし、発光部5の蛍光体は、上述のものに限定されず、窒化物蛍光体など、その他の蛍光体であってもよい。
The phosphor contained in the light emitting unit 5 includes an oxynitride phosphor (for example, sialon phosphor) or a III-V group compound semiconductor nanoparticle phosphor (for example, indium phosphorus: InP).
Alternatively, a YAG phosphor can be used. These phosphors have high heat resistance against high-power (and / or light density) laser light emitted from the semiconductor laser element 2, and are optimal for laser illumination light sources. However, the phosphor of the light emitting unit 5 is not limited to the above-described phosphor, and may be another phosphor such as a nitride phosphor.

具体的には、発光部5に含まれる蛍光体としては、例えば、青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu、LaAl(SiAl)O:Ce)、緑色の蛍光体(BaSi12:Eu)、β−サイアロン:Eu、Y(Al,Ga)12:Ce)、黄色の蛍光体(YAl12:Ce、Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu、)、赤色蛍光体(CaAlSiN:Eu、(Sr0.8Ca0.2)AlSiN:Eu)などが挙げられる。 Specifically, as the phosphor included in the light emitting section 5, for example, a blue phosphor (BaMgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, LaAl (SiAl) 6 N 9 O: Ce), green phosphor (Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu), β-sialon: Eu, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce), yellow Phosphor (Y 3 Al 5 O 12 : Ce, Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu,), red phosphor (CaAlSiN 3 : Eu, (Sr 0.8 Ca 0.2 ) AlSiN 3 : Eu) and the like.

また、ヘッドランプ1aの照明光は、所定の範囲の色度を有する白色にしなければならないことが、法律により規定されている。そのため、発光部5には、照明光が白色となるように選択された蛍光体が含まれている。   The law stipulates that the illumination light of the headlamp 1a must be white having a predetermined range of chromaticity. For this reason, the light emitting unit 5 includes a phosphor selected so that the illumination light is white.

例えば、青色蛍光体(第1の蛍光体)と黄色蛍光体(第2の蛍光体)とを発光部5に含め、近紫外のレーザ光を照射することで白色光の照明光を得ることができる。   For example, it is possible to obtain white illumination light by including a blue phosphor (first phosphor) and a yellow phosphor (second phosphor) in the light emitting unit 5 and irradiating near-ultraviolet laser light. it can.

また、青色蛍光体と黄色蛍光体とを含む発光部5に波長の長いレーザ光を照射することで、雨天時において視認性の優れた照明光を得ることができる。或いは、青色蛍光体と黄色蛍光体とを含む発光部5に波長の短いレーザ光を照射することで、晴天時において視認性の優れた照明光を得ることができる。   Further, by irradiating the light emitting unit 5 including the blue phosphor and the yellow phosphor with laser light having a long wavelength, illumination light having excellent visibility in rainy weather can be obtained. Alternatively, by irradiating the light emitting unit 5 including the blue phosphor and the yellow phosphor with laser light having a short wavelength, it is possible to obtain illumination light having excellent visibility in fine weather.

なお、発光部5に含まれる蛍光体は2種類に限られず、3種類以上であってもよい。例えば、青色、緑色および赤色蛍光体を発光部5に含め、405nmのレーザ光を照射することで白色光の照明光を実現してもよい。   In addition, the fluorescent substance contained in the light emission part 5 is not restricted to two types, Three or more types may be sufficient. For example, blue, green, and red phosphors may be included in the light emitting unit 5 and white light illumination light may be realized by irradiating a 405 nm laser beam.

(パラボラミラー6)
パラボラミラー6は、発光部5から出射された照明光を反射し、所定の立体角内を進む光線束を形成するものである。このパラボラミラー6は、例えば、金属薄膜がその表面に形成された部材であってもよいし、金属製の部材であってもよい。
(Parabolic mirror 6)
The parabolic mirror 6 reflects the illumination light emitted from the light emitting unit 5 and forms a light beam that travels within a predetermined solid angle. For example, the parabolic mirror 6 may be a member having a metal thin film formed on the surface thereof or a metal member.

パラボラミラー6は、放物線の対称軸を回転軸として当該放物線を回転させることによって形成される曲面(放物曲面)を上記回転軸を含む平面で切断することによって得られる部分曲面の少なくとも一部を、その反射面に含んでいる。また、パラボラミラー6を正面から見た場合、その開口部6a(照明光の出口)は半円形である。   The parabolic mirror 6 has at least a part of a partial curved surface obtained by cutting a curved surface (parabolic curved surface) formed by rotating the parabola with the axis of symmetry of the parabola as a rotational axis by a plane including the rotational axis. , Included in its reflective surface. When the parabolic mirror 6 is viewed from the front, the opening 6a (illumination light exit) is semicircular.

半導体レーザ素子2は、パラボラミラー6の外部に配置されており、パラボラミラー6には、レーザ光を透過または通過させる窓部7が設けられている。この窓部7は、開口部であってもよいし、レーザ光を透過可能な透明部材を含むものであってもよい。例えば、レーザ光を透過し、且つ、白色光(発光部5の蛍光)を反射するフィルターを設けた透明板を窓部7として設けてもよい。この構成によれば、発光部5の蛍光が窓部7から漏れることを防止することができる。   The semiconductor laser element 2 is disposed outside the parabolic mirror 6, and the parabolic mirror 6 is provided with a window portion 7 that transmits or passes laser light. The window 7 may be an opening or may include a transparent member that can transmit laser light. For example, a transparent plate provided with a filter that transmits laser light and reflects white light (fluorescence of the light emitting unit 5) may be provided as the window unit 7. According to this configuration, the fluorescence of the light emitting unit 5 can be prevented from leaking from the window unit 7.

なお、パラボラミラー6の一部にパラボラではない部分を含めてもよい。また、半円形の開口部6aを有するパラボラミラー6に代えて、閉じた円形の開口部を有するパラボラミラーまたはその一部を含むものを用いてもよい。或いは、楕円面ミラーや半球面ミラーを用いてもよい。   A part that is not a parabola may be included in a part of the parabola mirror 6. Further, instead of the parabolic mirror 6 having the semicircular opening 6a, a parabolic mirror having a closed circular opening or a part including the parabolic mirror may be used. Alternatively, an elliptical mirror or a hemispherical mirror may be used.

(金属ベース8)
金属ベース8は、発光部5を支持する板状の支持部材であり、金属(例えば、アルミニウムや銀)からなっている。そのため、金属ベース8は熱伝導率が高く、発光部5で発生した熱を効率的に放熱することができる。
(Metal base 8)
The metal base 8 is a plate-like support member that supports the light emitting unit 5 and is made of metal (for example, aluminum or silver). Therefore, the metal base 8 has a high thermal conductivity and can efficiently dissipate the heat generated in the light emitting unit 5.

なお、発光部5を支持する支持部材は、金属からなるものに限定されず、金属以外の熱伝導性が高い材料(ガラス、サファイアなど)を含む部材であってもよい。ただし、発光部5と当接する金属ベース8の表面は、反射面として機能することが好ましい。上記表面が反射面であることにより、蛍光を当該反射面で反射させてパラボラミラー6へ向かわせることができる。また、蛍光に変換されなかったレーザ光を上記反射面で反射させて、再度発光部5の内部に向かわせて蛍光に変換することができる。   In addition, the support member which supports the light emission part 5 is not limited to what consists of metals, The member containing materials (glass, sapphire, etc.) with high heat conductivity other than a metal may be sufficient. However, the surface of the metal base 8 that comes into contact with the light emitting portion 5 preferably functions as a reflecting surface. Since the surface is a reflecting surface, the fluorescence can be reflected by the reflecting surface and directed toward the parabolic mirror 6. Further, the laser light that has not been converted into fluorescence can be reflected by the reflection surface and directed again into the light emitting unit 5 to be converted into fluorescence.

なお、金属ベース8は、パラボラミラー6によって覆われているため、パラボラミラー6の反射曲面(放物曲面)と対向する面を有していると言える。金属ベース8の発光部5が設けられている側の表面は、パラボラミラー6の回転放物面の回転軸と概ね平行であり、当該回転軸を概ね含んでいることが好ましい。   Since the metal base 8 is covered by the parabolic mirror 6, it can be said that the metal base 8 has a surface facing the reflection curved surface (parabolic curved surface) of the parabolic mirror 6. It is preferable that the surface of the metal base 8 on the side where the light emitting unit 5 is provided is substantially parallel to the rotation axis of the paraboloid of the parabolic mirror 6 and substantially includes the rotation axis.

<照明光の色み調整の原理>
次に、ヘッドランプ1aにおける、照明光の色み調整の原理について、図3〜図5を参照して説明する。
<Principle of color adjustment of illumination light>
Next, the principle of color adjustment of illumination light in the headlamp 1a will be described with reference to FIGS.

図3は、蛍光体の励起スペクトル(点線)と発光スペクトル(実線)とを示すグラフであり、(a)は青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)のスペクトルを示し、(b)は緑色蛍光体(Ba3Si12:Eu)のスペクトルを示し、(c)は黄色蛍光体(YAl12:Ce)のスペクトルを示し、(d)は赤色蛍光体(CaAlSiN:Euおよび(Sr0.8Ca0.2)AlSiN:Eu)のスペクトルを示す。なお、図3(a)および(b)は非特許文献1からの引用であり、図3(c)および(d)は非特許文献2からの引用である。 FIG. 3 is a graph showing an excitation spectrum (dotted line) and an emission spectrum (solid line) of the phosphor, wherein (a) shows the spectrum of the blue phosphor (BaMgAl 10 O 17 : Eu), and (b) shows the green color. The spectrum of the phosphor (Ba3Si 6 O 12 N 2 : Eu) is shown, (c) is the spectrum of the yellow phosphor (Y 3 Al 5 O 12 : Ce), and (d) is the red phosphor (CaAlSiN 3 : The spectra of Eu and (Sr 0.8 Ca 0.2 ) AlSiN 3 : Eu) are shown. 3A and 3B are cited from Non-Patent Document 1, and FIGS. 3C and 3D are cited from Non-Patent Document 2.

図3(a)〜(d)に示されるように、蛍光体の励起スペクトルは、蛍光体の種類ごとにそれぞれ異なり、レーザ光(励起光)の波長に応じて変化する。そのため、レーザ光の波長を変化させることで、各蛍光体から出射される蛍光の発光強度を制御することができる。   As shown in FIGS. 3A to 3D, the excitation spectrum of the phosphor is different for each type of phosphor, and changes according to the wavelength of the laser beam (excitation light). Therefore, the emission intensity of the fluorescence emitted from each phosphor can be controlled by changing the wavelength of the laser beam.

従って、例えば、発光部5に青色蛍光体と黄色蛍光体とを含めた場合、青色蛍光体および黄色蛍光体の吸収波長領域が互いに重なり合う波長領域においてレーザ光の波長を変化させることで、青色蛍光体から発せられる蛍光と黄色蛍光体から発せられる蛍光との比率が変化するため、発光部5から出射される照明光の色みを調整することができる。   Therefore, for example, when the light emitting unit 5 includes a blue phosphor and a yellow phosphor, the wavelength of the laser light is changed in a wavelength region where the absorption wavelength regions of the blue phosphor and the yellow phosphor overlap with each other, whereby the blue fluorescence Since the ratio of the fluorescence emitted from the body and the fluorescence emitted from the yellow phosphor changes, the color of the illumination light emitted from the light emitting unit 5 can be adjusted.

また、蛍光体の励起スペクトルのうち、吸収端の波長領域に対応するレーザ光で蛍光体を励起することで、蛍光体の発光強度(発光効率)が大きく変化する。ここで、吸収端とは、励起波長を変化させたときに、蛍光体の発光強度が大きく変化する波長領域をいう。例えば、図3(a)に示される青色蛍光体の場合、250nm近傍および400nm近傍の波長領域における励起スペクトルでの発光強度の変化量が大きい。そのため、250nm近傍または400nm近傍においてレーザ光の波長を変化させることで、青色蛍光体の発光強度が大きく変化する。このように、蛍光体の吸収端および吸収端近傍の波長領域においてレーザ光の波長を変化させることで、蛍光体の発光強度を効率的に変化させることができる。   In addition, by exciting the phosphor with laser light corresponding to the wavelength region of the absorption edge in the excitation spectrum of the phosphor, the emission intensity (luminescence efficiency) of the phosphor greatly changes. Here, the absorption edge refers to a wavelength region in which the emission intensity of the phosphor greatly changes when the excitation wavelength is changed. For example, in the case of the blue phosphor shown in FIG. 3A, the amount of change in emission intensity in the excitation spectrum in the wavelength region near 250 nm and in the vicinity of 400 nm is large. Therefore, the emission intensity of the blue phosphor changes greatly by changing the wavelength of the laser light in the vicinity of 250 nm or 400 nm. Thus, by changing the wavelength of the laser light in the wavelength region near the absorption edge and near the absorption edge of the phosphor, the emission intensity of the phosphor can be changed efficiently.

従って、例えば、発光部5に青色蛍光体と黄色蛍光体とを含めた場合、青色蛍光体および黄色蛍光体の吸収波長領域が互いに重なり合う波長領域のうち、青色蛍光体の吸収端または黄色蛍光体の吸収端、および当該吸収端近傍の波長領域においてレーザ光の波長を変化させることで、青色蛍光体および黄色蛍光体のいずれか一方の発光強度を大きく変化させて、発光部5から出射される照明光の色みを調整することができる。   Therefore, for example, when the light emitting unit 5 includes a blue phosphor and a yellow phosphor, the absorption end of the blue phosphor or the yellow phosphor out of the wavelength regions where the absorption wavelength regions of the blue phosphor and the yellow phosphor overlap each other. By changing the wavelength of the laser light in the absorption edge of the light source and in the wavelength region near the absorption edge, the light emission intensity of either the blue phosphor or the yellow phosphor is greatly changed and emitted from the light emitting unit 5. The color of the illumination light can be adjusted.

具体的には、青色蛍光体の最も長波側にある吸収端および当該吸収端近傍の波長領域(400nm近傍)において近紫外のレーザ光の波長を変化させることで、青色蛍光体から発せられる蛍光の比率を主に変化させることができるため、発光部5から出射される照明光の色みを効率的に調整することができる。   Specifically, the fluorescence emitted from the blue phosphor is changed by changing the wavelength of the near-ultraviolet laser light in the absorption edge on the longest wave side of the blue phosphor and the wavelength region near the absorption edge (near 400 nm). Since the ratio can be mainly changed, the color of the illumination light emitted from the light emitting unit 5 can be adjusted efficiently.

図4および図5は、青色蛍光体と黄色蛍光体とを含む発光部5に照射するレーザ光の波長を変化させたときの、照明光の色温度(色み)の変化をシミュレーションした結果を示す表である。図4では、青色蛍光体としてBaMgAl1017:Eu黄色蛍光体としてCa(Si,Al)12(O,N)16:Euを用いた場合のシミュレーション結果を示しており、図5では、青色蛍光体としてLaAl(SiAl)O:Ce黄色蛍光体としてCa(Si,Al)12(O,N)16:Euを用いた場合のシミュレーション結果を示している。 4 and 5 show the results of simulating changes in the color temperature (color) of the illumination light when the wavelength of the laser light applied to the light emitting unit 5 including the blue phosphor and the yellow phosphor is changed. It is a table | surface which shows. FIG. 4 shows a simulation result when BaMgAl 10 O 17 : Eu is used as the blue phosphor and Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu is used as the yellow phosphor. The simulation results are shown when LaAl (SiAl) 6 N 9 O: Ce is used as the blue phosphor and Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu is used as the yellow phosphor.

図4に示されるように、青色蛍光体としてBaMgAl1017:Eu黄色蛍光体としてCa(Si,Al)12(O,N)16:Euを用いた場合、レーザ光の波長を390nm〜415nmまで変化させることで、発光部5から出射される照明光の色みを、昼白色(色温度:4760K)〜温白色(色温度:3430K)まで変化させることができる。 As shown in FIG. 4, when BaMgAl 10 O 17 : Eu is used as the blue phosphor and Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu is used as the yellow phosphor, the wavelength of the laser beam is 390 nm. By changing to ˜415 nm, the color of the illumination light emitted from the light emitting unit 5 can be changed from day white (color temperature: 4760K) to warm white (color temperature: 3430K).

また、図5に示されるように、青色蛍光体としてLaAl(SiAl)O:Ce黄色蛍光体としてCa(Si,Al)12(O,N)16:Euを用いた場合、レーザ光の波長を390nm〜415nmまで変化させることで、発光部5から出射される照明光の色みを、昼光色(色温度:5740K)〜白色(色温度:4270K)まで変化させることができる。 In addition, as shown in FIG. 5, when using LaAl (SiAl) 6 N 9 O: Ce as the blue phosphor and Ca x (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu as the yellow phosphor, By changing the wavelength of the laser light from 390 nm to 415 nm, the color of the illumination light emitted from the light emitting unit 5 can be changed from daylight color (color temperature: 5740 K) to white color (color temperature: 4270 K).

このように、レーザ光の波長を、青色蛍光体の吸収端および吸収端近傍の波長領域である390nm〜415nmまで変化させることで、単一の発光部5から出射される照明光の色みを変化させることができる。これは、レーザ光の波長を、青色蛍光体の吸収端および吸収端近傍の波長領域で変化させることで、青色蛍光体の発光強度が大きく変化したため、発光部5から出射される照明光に含まれる青色成分の割合が変化したためである。   In this way, the color of the illumination light emitted from the single light emitting unit 5 is changed by changing the wavelength of the laser light from 390 nm to 415 nm which is the wavelength region near the absorption edge and near the absorption edge of the blue phosphor. Can be changed. This is included in the illumination light emitted from the light emitting unit 5 because the emission intensity of the blue phosphor has changed greatly by changing the wavelength of the laser light in the absorption region of the blue phosphor and the wavelength region near the absorption end. This is because the ratio of the blue component to be changed has changed.

なお、図4および図5に示される色温度の変化は一例であり、変化させるレーザ光の波長帯、蛍光体の種類、蛍光体の配合比など変更することにより、発光部5から出射される照明光を所望の色みに調整することができる。   Note that the change in color temperature shown in FIGS. 4 and 5 is an example, and the light is emitted from the light emitting unit 5 by changing the wavelength band of the laser light to be changed, the type of phosphor, the blending ratio of the phosphor, and the like. The illumination light can be adjusted to a desired color.

例えば、青色蛍光体と黄色蛍光体との組み合わせ以外にも、青色蛍光体と緑色蛍光体と赤色蛍光体とを組み合わせてもよい。また、発光部5に青色蛍光体を含まない場合であっても、発光部5に含まれる複数の蛍光体のうち、いずれか1つの蛍光体の吸収端および吸収端近傍の波長領域においてレーザ光の波長を変化させることで、照明光の色みを調整することができる。   For example, in addition to a combination of a blue phosphor and a yellow phosphor, a blue phosphor, a green phosphor, and a red phosphor may be combined. Further, even when the light emitting unit 5 does not include a blue phosphor, laser light in the wavelength region near the absorption edge and the absorption edge of any one of the plurality of phosphors included in the light emitting unit 5 The color of the illumination light can be adjusted by changing the wavelength of.

<ヘッドランプ1aにおける処理>
次に、ヘッドランプ1aにおける処理(発光装置の色み調整方法)について、図6および図7を参照して説明する。図6は、ヘッドランプ1aにおける処理の流れの一例を示すフローチャートである。
<Processing in the headlamp 1a>
Next, processing in the headlamp 1a (color adjustment method of the light emitting device) will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flowchart showing an example of a process flow in the headlamp 1a.

図6に示されるように、制御部(図示省略)は、ヘッドランプ1aを点灯させる指示を受け付けたとき、半導体レーザ素子2を駆動させてレーザ光を出射させる(S1)。具体的には、制御部は、半導体レーザ素子2に電力を供給させることで、半導体レーザ素子2からレーザ光を出射させる。このとき、ペルチェユニット3を制御して、半導体レーザ素子2の温度を一定に保ちながら、レーザ光を出射してもよい。   As shown in FIG. 6, when receiving an instruction to turn on the headlamp 1a, the control unit (not shown) drives the semiconductor laser element 2 to emit laser light (S1). Specifically, the control unit causes the semiconductor laser element 2 to emit laser light by supplying power to the semiconductor laser element 2. At this time, the laser beam may be emitted while controlling the Peltier unit 3 and keeping the temperature of the semiconductor laser element 2 constant.

次に、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光が発光部5に照射することにより、発光部5を発光させる(S2)。これにより、発光部5から出射された照明光は、パラボラミラー6で反射して集光された後、開口部6aから照射される。   Next, the light emitting unit 5 is caused to emit light by irradiating the light emitting unit 5 with laser light emitted from the semiconductor laser element 2 (S2). Thereby, the illumination light emitted from the light emitting unit 5 is reflected and collected by the parabolic mirror 6 and then irradiated from the opening 6a.

次に、制御部は、照明光の色みを調整する指示を受け付けたとき、ペルチェユニット3を制御して、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長を変化させる(S3:波長制御ステップ)。具体的には、制御部は、ペルチェユニット3を駆動させて、半導体レーザ素子2の温度を変化させる。これにより、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長を変化させることができる。   Next, when receiving an instruction to adjust the color of the illumination light, the control unit controls the Peltier unit 3 to change the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 (S3: wavelength control step). ). Specifically, the control unit drives the Peltier unit 3 to change the temperature of the semiconductor laser element 2. Thereby, the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser element 2 can be changed.

図7は、半導体レーザ素子2の温度を変化させたときの、レーザ光の波長および照明光の色温度(色み)の変化を示す表である。図7では、青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)と、緑色蛍光体(BaSi12:Eu)と、黄色蛍光体(Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu)とを質量比16:1:8で配合した発光部5にレーザ光を照射した場合の値を示している。 FIG. 7 is a table showing changes in the wavelength of the laser light and the color temperature (color) of the illumination light when the temperature of the semiconductor laser element 2 is changed. In FIG. 7, a blue phosphor (BaMgAl 10 O 17 : Eu), a green phosphor (Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu), and a yellow phosphor (Ca x (Si, Al) 12 (O, N) ) 16 : Eu) is a value in the case of irradiating the light emitting part 5 blended at a mass ratio of 16: 1: 8 with laser light.

図7に示されるように、制御部がペルチェユニット3を駆動させて、半導体レーザ素子2の温度を60℃から20℃まで変化させた場合、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の波長は413nmから410nmに変化する。   As shown in FIG. 7, when the controller drives the Peltier unit 3 to change the temperature of the semiconductor laser element 2 from 60 ° C. to 20 ° C., the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 is It changes from 413 nm to 410 nm.

そのため、ペルチェユニット3を制御して、半導体レーザ素子2の温度を20℃から60℃の範囲で変化させることにより、発光部5から出射される照明光の色みを、白色(色温度:4030K)から温白色(色温度:3760K)の範囲で変化させることができる。   Therefore, by controlling the Peltier unit 3 to change the temperature of the semiconductor laser element 2 in the range of 20 ° C. to 60 ° C., the color of the illumination light emitted from the light emitting unit 5 is white (color temperature: 4030K). ) To warm white (color temperature: 3760K).

このように、ヘッドランプ1aによれば、半導体レーザ素子2の温度を制御することで、単一の発光部5から出射される照明光の色みを調整することができる。   As described above, according to the headlamp 1 a, the color of the illumination light emitted from the single light emitting unit 5 can be adjusted by controlling the temperature of the semiconductor laser element 2.

なお、図6に示されるフローチャートでは、照明光を照射した状態で、照明光の色みを調整する方法を示しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、ペルチェユニット制御ステップ(S3)を、出射ステップ(S1)と同時、または出射ステップ(S1)よりも前に行ってもよい。これにより、発光ステップ(S2)において、所望の色みに調整された照明光を照射することができる。   Note that the flowchart shown in FIG. 6 shows a method of adjusting the color of the illumination light in a state where the illumination light is irradiated, but the present invention is not limited to this. For example, the Peltier unit control step (S3) may be performed simultaneously with the emission step (S1) or before the emission step (S1). Thereby, in the light emission step (S2), illumination light adjusted to a desired color can be irradiated.

<実施形態1の総括>
以上のように、本実施形態に係るヘッドランプ1aは、レーザ光を出射する半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2から出射されたレーザ光を吸収して蛍光を発する青色蛍光体と青色蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する黄色蛍光体とを少なくとも含む発光部5と、半導体レーザ素子2の温度を調整するペルチェユニット3とを備え、半導体レーザ素子2は、青色蛍光体の吸収波長領域と黄色蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、レーザ光の波長を変化させる。
<Overview of Embodiment 1>
As described above, the headlamp 1a according to this embodiment includes the semiconductor laser element 2 that emits laser light, the blue phosphor that emits fluorescence by absorbing the laser light emitted from the semiconductor laser element 2, and the blue phosphor. And a Peltier unit 3 that adjusts the temperature of the semiconductor laser element 2, and the semiconductor laser element 2 has an absorption wavelength region of the blue phosphor. The wavelength of the laser light is changed in a wavelength region where the absorption wavelength region of the yellow phosphor overlaps with each other.

ヘッドランプ1aによれば、半導体レーザ素子2の温度を制御することで、単一の発光部5から出射される照明光の色みを調整することができる。そのため、従来のように、複数の発光部(LED)から出射される光を混合して照明光の色みを調整する構成に比べて、装置構成を簡略化することができると共に、色ムラの発生を抑制することができる。   According to the headlamp 1 a, the color of the illumination light emitted from the single light emitting unit 5 can be adjusted by controlling the temperature of the semiconductor laser element 2. Therefore, as compared with a conventional configuration in which light emitted from a plurality of light emitting units (LEDs) is mixed to adjust the color of illumination light, the device configuration can be simplified and color unevenness can be reduced. Occurrence can be suppressed.

従って、本実施形態によれば、より簡略化した装置構成で、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みの調整が可能なヘッドランプ1aを実現することができる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize the headlamp 1a capable of adjusting the color of the illumination light while suppressing the occurrence of color unevenness with a more simplified device configuration.

これにより、例えば、雨天時や霧がかかっている場合には、相対的に波長が長い照明光を照射することで照明光の乱反射を防止して視認性を向上させることができる。一方、晴天時には、相対的に波長が短い照明光を照射することで視認性を向上させることができる。   Thereby, for example, when it is raining or foggy, illumination light having a relatively long wavelength can be irradiated to prevent irregular reflection of the illumination light and improve visibility. On the other hand, visibility can be improved by irradiating illumination light having a relatively short wavelength in fine weather.

また、本実施形態によれば、レーザ光を絞って発光部5に照射することができるので、従来のLEDを用いた構成に比べて発光部5のサイズを小さくすることができ、より高輝度なヘッドランプ1aを実現することができる。   In addition, according to the present embodiment, since the laser light can be focused and irradiated onto the light emitting unit 5, the size of the light emitting unit 5 can be reduced as compared with the configuration using the conventional LED, and the brightness can be increased. A simple headlamp 1a can be realized.

なお、上述した説明では、励起光源として半導体レーザ素子2を用いているが、LEDを用いてもよい。この場合、例えば、励起光源であるLEDのチップに設けられた蛍光体を含む発光部5をパラボラミラー6の焦点位置に配置し、LEDのチップの温度を制御することで、照明光の色みを調整することができる。   In the above description, the semiconductor laser element 2 is used as the excitation light source, but an LED may be used. In this case, for example, the light emitting unit 5 including the phosphor provided on the LED chip serving as the excitation light source is disposed at the focal position of the parabolic mirror 6, and the temperature of the LED chip is controlled, thereby coloring the illumination light. Can be adjusted.

<変形例>
次に、本実施形態に係るヘッドランプ1aの変形例について、図8〜図10を参照して説明する。下記の変形例1〜3では、パラボラミラー6に代えて、投影レンズ9を用いて蛍光(照明光)を投光する構成について説明する。
<Modification>
Next, modified examples of the headlamp 1a according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the following modifications 1 to 3, a configuration in which fluorescence (illumination light) is projected using a projection lens 9 instead of the parabolic mirror 6 will be described.

(変形例1)
図8は、図1に示されるヘッドランプ1aの第一の変形例を示す断面図である。図8に示されるヘッドランプ1Aは、パラボラミラー6に代えて、投影レンズ9を備えている点、および発光部5の底面5bにレーザ光が照射され、底面5bと対向する上面5aから蛍光を出射する透過型の発光原理を用いている点において、図1に示されるヘッドランプ1aと主に異なっている。
(Modification 1)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a first modification of the headlamp 1a shown in FIG. The headlamp 1A shown in FIG. 8 is provided with a projection lens 9 instead of the parabolic mirror 6, and the bottom surface 5b of the light emitting unit 5 is irradiated with laser light, and fluorescence is emitted from the top surface 5a facing the bottom surface 5b. 1 is mainly different from the headlamp 1a shown in FIG. 1 in that the transmission type light emission principle is used.

図8に示されるように、ヘッドランプ1Aは、半導体レーザ素子2と、ペルチェユニット3と、レンズ4と、発光部5と、投影レンズ9と、透明板13とを備えている。   As shown in FIG. 8, the headlamp 1 </ b> A includes a semiconductor laser element 2, a Peltier unit 3, a lens 4, a light emitting unit 5, a projection lens 9, and a transparent plate 13.

投影レンズ9は、発光部5から出射された蛍光を透過し、蛍光を屈折させることで所定の立体角内を進む光線束を形成するものである。パラボラミラー6に代えて、投影レンズ9を用いることで、ヘッドランプ1Aを小型化することが可能となる。   The projection lens 9 transmits a fluorescent light emitted from the light emitting unit 5 and refracts the fluorescent light to form a light bundle that travels within a predetermined solid angle. By using the projection lens 9 instead of the parabolic mirror 6, the headlamp 1A can be downsized.

ヘッドランプ1Aでは、発光部5は、投影レンズ9の焦点位置に重なるように、ガラスなどの透明板13上に配置されており、透明板13を介して、発光部5の底面5bにレーザ光が照射される。   In the headlamp 1 </ b> A, the light emitting unit 5 is disposed on a transparent plate 13 such as glass so as to overlap the focal position of the projection lens 9, and laser light is applied to the bottom surface 5 b of the light emitting unit 5 through the transparent plate 13. Is irradiated.

ヘッドランプ1Aにおいて、発光部5は、透明板13と当接する底面5bから入射したレーザ光を受光し、底面5bと対向する上面5aから投影レンズ9に向けて蛍光を出射する。そして、投影レンズ9は、発光部5から出射された蛍光を透過し、蛍光を屈折させることで、所定の立体角内を進む照明光を照射する。   In the headlamp 1A, the light emitting unit 5 receives laser light incident from the bottom surface 5b in contact with the transparent plate 13, and emits fluorescence from the top surface 5a facing the bottom surface 5b toward the projection lens 9. The projection lens 9 transmits illumination light that travels within a predetermined solid angle by transmitting the fluorescence emitted from the light emitting unit 5 and refracting the fluorescence.

このように、変形例1によれば、より簡略化した装置構成で、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みの調整が可能なプロジェクション型のヘッドランプ1Aを実現することができる。   As described above, according to the first modification, the projection type headlamp 1A capable of adjusting the color of the illumination light while suppressing the occurrence of color unevenness can be realized with a more simplified device configuration. .

(変形例2)
図9は、図1に示されるヘッドランプ1aの第二の変形例を示す断面図である。なお、図9では、半導体レーザ素子2、ペルチェユニット3、およびレンズ4は省略して図示している。
(Modification 2)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a second modification of the headlamp 1a shown in FIG. In FIG. 9, the semiconductor laser element 2, the Peltier unit 3, and the lens 4 are omitted.

図9に示されるヘッドランプ1Bは、発光部5の上面5aにレーザ光が照射され、レーザ光が照射された上面5aから蛍光を出射する反射型の発光原理を用いている点において、図8に示される透過型の発光原理を用いたヘッドランプ1Aと主に異なっている。   The headlamp 1B shown in FIG. 9 uses a reflection-type light emission principle in which the upper surface 5a of the light emitting unit 5 is irradiated with laser light, and fluorescence is emitted from the upper surface 5a irradiated with the laser light. This is mainly different from the headlamp 1A using the transmission type light emission principle shown in FIG.

図9に示されるように、ヘッドランプ1Bは、発光部5と、投影レンズ9と、金属ベース14とを備えている。   As shown in FIG. 9, the headlamp 1 </ b> B includes a light emitting unit 5, a projection lens 9, and a metal base 14.

金属ベース14は、発光部5を支持するものであり、レーザ光が照射されることで発光部5に生じる熱を、発光部5と接触する接触面を介して放熱させる機能を有する。そのため、金属ベース14には、熱が伝導しやすいアルミニウムや銀などの金属材料を用いることが好ましいが、熱伝導性の高い材料であればその種類は特に限定されない。   The metal base 14 supports the light emitting unit 5, and has a function of radiating heat generated in the light emitting unit 5 when irradiated with laser light through a contact surface in contact with the light emitting unit 5. For this reason, it is preferable to use a metal material such as aluminum or silver, which easily conducts heat, for the metal base 14, but the type is not particularly limited as long as the material has high heat conductivity.

また、発光部5と当接する金属ベース14の表面には、反射加工が施され、反射面として機能する。そのため、発光部5の上面5aから入射したレーザ光を、当該反射面で反射させることで再び発光部5の内部へ向かわせることができるので、レーザ光の利用効率を向上させることができる。   Further, the surface of the metal base 14 that comes into contact with the light emitting portion 5 is subjected to reflection processing, and functions as a reflection surface. Therefore, the laser light incident from the upper surface 5a of the light emitting unit 5 can be directed again to the inside of the light emitting unit 5 by being reflected by the reflecting surface, so that the utilization efficiency of the laser light can be improved.

ヘッドランプ1Bにおいて、発光部5は、上面5aから入射したレーザ光を受光して、当該上面5aから投影レンズ9に向けて蛍光を出射する。投影レンズ9は、発光部5から出射された蛍光を透過し、蛍光を屈折させることで、所定の立体角内を進む照明光を照射する。   In the headlamp 1B, the light emitting unit 5 receives laser light incident from the upper surface 5a and emits fluorescence from the upper surface 5a toward the projection lens 9. The projection lens 9 irradiates illumination light that travels within a predetermined solid angle by transmitting the fluorescence emitted from the light emitting unit 5 and refracting the fluorescence.

このように、変形例2によれば、反射型の発光原理を用いたプロジェクション型のヘッドランプ1Bを実現することができる。   As described above, according to the second modification, the projection type headlamp 1B using the reflection type light emission principle can be realized.

(変形例3)
図10は、図1に示されるヘッドランプ1aの第三の変形例を示す断面図である。なお、図10では、半導体レーザ素子2、ペルチェユニット3、およびレンズ4は省略して図示している。
(Modification 3)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a third modification of the headlamp 1a shown in FIG. In FIG. 10, the semiconductor laser element 2, the Peltier unit 3, and the lens 4 are not shown.

図10に示されるヘッドランプ1Cは、発光部5から出射された蛍光を精度よく投光するために、投影レンズ9に加えて、さらに楕円ミラー15を備える点において、図9に示されるヘッドランプ1Bと主に異なっている。   The headlamp 1C shown in FIG. 10 is further provided with an elliptical mirror 15 in addition to the projection lens 9 in order to accurately project the fluorescence emitted from the light emitting unit 5, in that the headlamp shown in FIG. Mainly different from 1B.

図10に示されるように、ヘッドランプ1Cは、発光部5と、投影レンズ9と、金属ベース14と、楕円ミラー15とを備えている。   As shown in FIG. 10, the headlamp 1 </ b> C includes a light emitting unit 5, a projection lens 9, a metal base 14, and an elliptical mirror 15.

楕円ミラー15は、第1の焦点f1および第2の焦点f2を有しており、第1の焦点f1に発光部5の中心が位置するように、発光部5が金属ベース14上に配置されている。   The elliptical mirror 15 has a first focal point f1 and a second focal point f2, and the light emitting unit 5 is disposed on the metal base 14 so that the center of the light emitting unit 5 is located at the first focal point f1. ing.

また、投影レンズ9は、投影レンズ9の焦点の位置と楕円ミラー15の第2の焦点f2の位置とが重なるように設けられている。   The projection lens 9 is provided so that the position of the focal point of the projection lens 9 and the position of the second focal point f2 of the elliptical mirror 15 overlap.

ヘッドランプ1Cにおいて、第1の焦点f1に配置された発光部5から出射した蛍光は、楕円ミラー15によって第2の焦点f2に向かって反射される。そして、投影レンズ9は、第2の焦点f2を通過した蛍光を透過し、蛍光を屈折させることで、所定の立体角内を進む照明光を照射する。このとき、楕円ミラー15の第2の焦点f2、つまり、投影レンズ9の焦点の位置に仮想光源が存在し、その仮想光源からの照明光が投光されたものとみなすことができる。   In the headlamp 1C, the fluorescence emitted from the light emitting unit 5 disposed at the first focal point f1 is reflected by the elliptical mirror 15 toward the second focal point f2. Then, the projection lens 9 irradiates illumination light that travels within a predetermined solid angle by transmitting the fluorescence that has passed through the second focal point f2 and refracting the fluorescence. At this time, it can be considered that the virtual light source exists at the second focal point f2 of the elliptical mirror 15, that is, the focal point of the projection lens 9, and the illumination light from the virtual light source is projected.

このように、変形例3によれば、発光部5と、投影レンズ9と、金属ベース14と、楕円ミラー15とを上記の位置関係に従って配置することにより、蛍光を効率よく集光することができ、且つ、集光した光を外部に効率的に照射できるプロジェクション型のヘッドランプ1Cを実現することができる。   As described above, according to the third modification, by arranging the light emitting unit 5, the projection lens 9, the metal base 14, and the elliptical mirror 15 according to the above positional relationship, it is possible to efficiently collect fluorescence. In addition, a projection type headlamp 1C that can efficiently radiate the condensed light to the outside can be realized.

〔実施形態2〕
本発明に係る発光装置の他の実施の形態について図11〜図13に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態1で説明した図面と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
The following will describe another embodiment of the light emitting device according to the present invention with reference to FIGS. For convenience of explanation, members having the same functions as those in the drawings explained in the first embodiment are given the same reference numerals and explanations thereof are omitted.

本実施形態に係るヘッドランプ1bは、2つの半導体レーザ素子2a・2b(励起光源・半導体発光素子・光源)を用いて照射光の色みを調整する点で、実施形態1のヘッドランプ1bと主に異なっている。   The headlamp 1b according to the present embodiment is different from the headlamp 1b according to the first embodiment in that the color of irradiated light is adjusted using two semiconductor laser elements 2a and 2b (excitation light source, semiconductor light emitting element, and light source). Mainly different.

<ヘッドランプ1bの構成>
まず、本実施形態に係るヘッドランプ1bの構成について、図11を参照して説明する。
<Configuration of headlamp 1b>
First, the configuration of the headlamp 1b according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図11は、本実施形態に係るヘッドランプ1bの概略構成を示す断面図である。図11に示されるように、ヘッドランプ1bは、半導体レーザ素子2a・2bと、レンズ4と、発光部5と、パラボラミラー6と、金属ベース8とを備えている。   FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the headlamp 1b according to the present embodiment. As shown in FIG. 11, the headlamp 1 b includes semiconductor laser elements 2 a and 2 b, a lens 4, a light emitting unit 5, a parabolic mirror 6, and a metal base 8.

(半導体レーザ素子2a・2b)
半導体レーザ素子2a・2bは、レーザ光(励起光)を出射する励起光源として機能する半導体発光素子である。半導体レーザ素子2a・2bは、波長の異なるレーザ光をそれぞれ出射する。例えば、半導体レーザ素子2aが出射するレーザ光の波長は410nmであり、半導体レーザ素子2bが出射するレーザ光の波長は401nmであるがこれらに限定されず、発光部5に含まれる蛍光体の種類に応じて適宜選択される。
(Semiconductor laser elements 2a and 2b)
The semiconductor laser elements 2a and 2b are semiconductor light emitting elements that function as an excitation light source that emits laser light (excitation light). The semiconductor laser elements 2a and 2b respectively emit laser beams having different wavelengths. For example, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2a is 410 nm, and the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2b is 401 nm. However, the type of phosphor contained in the light emitting unit 5 is not limited thereto. It is appropriately selected depending on.

なお、半導体レーザ素子2a・2bに光ファイバを接続し、光ファイバの出射端からレーザ光を出射させてもよい。これにより、半導体レーザ素子2a・2bの配置位置を変更することができるので、装置設計の自由度を向上させることができる。   Note that an optical fiber may be connected to the semiconductor laser elements 2a and 2b, and laser light may be emitted from the emission end of the optical fiber. Thereby, since the arrangement position of the semiconductor laser elements 2a and 2b can be changed, the degree of freedom in device design can be improved.

(レンズ4)
レンズ4は、半導体レーザ素子2a・2bに対応してそれぞれ配置されており、半導体レーザ素子2a・2bから出射されたレーザ光の照射範囲を調節する。具体的には、レンズ4は、半導体レーザ素子2a・2bから出射されたレーザ光が、発光部5に対して適切に照射されるように、レーザ光の照射範囲を発光部5のサイズに合わせて調節(例えば、縮小)する。なお、半導体レーザ素子2a・2bから出射されるそれぞれのレーザ光の照射範囲を、1つのレンズ4によって調整することも可能である。
(Lens 4)
The lenses 4 are respectively arranged corresponding to the semiconductor laser elements 2a and 2b, and adjust the irradiation range of the laser light emitted from the semiconductor laser elements 2a and 2b. Specifically, the lens 4 adjusts the irradiation range of the laser light to the size of the light emitting unit 5 so that the laser light emitted from the semiconductor laser elements 2 a and 2 b is appropriately irradiated to the light emitting unit 5. Adjust (for example, reduce). It should be noted that the irradiation range of each laser beam emitted from the semiconductor laser elements 2a and 2b can be adjusted by one lens 4.

(パラボラミラー6)
パラボラミラー6は、半導体レーザ素子2aまたは半導体レーザ素子2bが発生させた蛍光を反射し、所定の立体角内を進む光線束(照明光)を形成するものである。半導体レーザ素子2a・2bは、パラボラミラー6の外部に配置されており、パラボラミラー6には、レーザ光を透過または通過させる窓部7が設けられている。この窓部7は、2つの半導体レーザ素子2a・2bに対応した2つの窓部7がそれぞれ設けられていてもよく、或いは、2つの半導体レーザ素子2a・2bに共通の窓部7が1つ設けられていてもよい。
(Parabolic mirror 6)
The parabolic mirror 6 reflects the fluorescence generated by the semiconductor laser element 2a or the semiconductor laser element 2b and forms a light beam (illumination light) that travels within a predetermined solid angle. The semiconductor laser elements 2 a and 2 b are disposed outside the parabolic mirror 6, and the parabolic mirror 6 is provided with a window portion 7 that transmits or passes laser light. The window 7 may be provided with two windows 7 corresponding to the two semiconductor laser elements 2a and 2b, respectively, or one window 7 common to the two semiconductor laser elements 2a and 2b. It may be provided.

<ヘッドランプ1bにおける処理>
次に、ヘッドランプ1bにおける処理(発光装置の色み調整方法)について、図12および図13を参照して説明する。図12は、ヘッドランプ1bにおける処理の流れの一例を示すフローチャートである。
<Processing in the headlamp 1b>
Next, processing in the headlamp 1b (coloring adjustment method of the light emitting device) will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a process flow in the headlamp 1b.

図12に示されるように、制御部(図示省略)は、ヘッドランプ1aを点灯させる指示を受け付けたとき、半導体レーザ素子2aを駆動させてレーザ光を出射させる(S1)。   As shown in FIG. 12, when receiving an instruction to turn on the headlamp 1a, the control unit (not shown) drives the semiconductor laser element 2a to emit laser light (S1).

次に、半導体レーザ素子2aから出射したレーザ光が発光部5に照射することにより、発光部5を発光させる(S2)。これにより、発光部5から出射された照明光は、パラボラミラー6で反射して集光された後、開口部6aから照射される。   Next, the light emitting unit 5 is caused to emit light by irradiating the light emitting unit 5 with laser light emitted from the semiconductor laser element 2a (S2). Thereby, the illumination light emitted from the light emitting unit 5 is reflected and collected by the parabolic mirror 6 and then irradiated from the opening 6a.

次に、制御部は、照明光の色みを調整する指示を受け付けたとき、半導体レーザ素子2a・2bの駆動を切り替える(S13:波長制御ステップ)。具体的には、制御部は、半導体レーザ素子2aの駆動を停止させると同時に、半導体レーザ素子2bを駆動させてレーザ光を出射させる。   Next, when the control unit receives an instruction to adjust the color of the illumination light, the control unit switches driving of the semiconductor laser elements 2a and 2b (S13: wavelength control step). Specifically, the control unit stops the driving of the semiconductor laser element 2a and simultaneously drives the semiconductor laser element 2b to emit laser light.

なお、図12に示されるフローチャートでは、照明光を照射した状態で、照明光の色みを調整する方法について示しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、半導体レーザ切替ステップ(S13)を、出射ステップ(S1)と同時、または出射ステップ(S1)よりも前に行ってもよい。これにより、発光ステップ(S2)において、所望の色みに調整された照明光を照射することができる。   Note that although the flowchart shown in FIG. 12 shows a method for adjusting the color of the illumination light in a state where the illumination light is irradiated, the present invention is not limited to this. For example, the semiconductor laser switching step (S13) may be performed simultaneously with the emission step (S1) or before the emission step (S1). Thereby, in the light emission step (S2), illumination light adjusted to a desired color can be irradiated.

図13は、半導体レーザ素子2a・2bを切り替えたときの、レーザ光の波長および照明光の色温度(色み)の変化を示す表である。図13では、青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)と、緑色蛍光体(BaSi12:Eu)と、黄色蛍光体(Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu)とを質量比16:1:8で配合した発光部5にレーザ光を照射した場合の値を示している。 FIG. 13 is a table showing changes in the wavelength of the laser light and the color temperature (color) of the illumination light when the semiconductor laser elements 2a and 2b are switched. In FIG. 13, a blue phosphor (BaMgAl 10 O 17 : Eu), a green phosphor (Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu), and a yellow phosphor (Ca x (Si, Al) 12 (O, N) ) 16 : Eu) is a value in the case of irradiating the light emitting part 5 blended at a mass ratio of 16: 1: 8 with laser light.

図13に示されるように、制御部が半導体レーザ素子2aから半導体レーザ素子2bに駆動を切り替えた場合、発光部5に照射されるレーザ光の波長は410nmから401nmに変化する。   As shown in FIG. 13, when the control unit switches the driving from the semiconductor laser element 2a to the semiconductor laser element 2b, the wavelength of the laser light irradiated to the light emitting unit 5 changes from 410 nm to 401 nm.

そのため、半導体レーザ素子2aから半導体レーザ素子2bに駆動を切り替えることによって、発光部5から出射される照明光の色みを、白色(色温度:4030K)から昼白色(色温度:5760K)に変化させることができる。   Therefore, by changing the drive from the semiconductor laser element 2a to the semiconductor laser element 2b, the color of the illumination light emitted from the light emitting unit 5 is changed from white (color temperature: 4030K) to day white (color temperature: 5760K). Can be made.

このように、ヘッドランプ1bによれば、波長の異なるレーザ光をそれぞれ出射する半導体レーザ素子2a・2bの駆動を切り替えることで、単一の発光部5から出射される照明光の色みを調整することができる。   Thus, according to the headlamp 1b, the color of the illumination light emitted from the single light emitting unit 5 is adjusted by switching the driving of the semiconductor laser elements 2a and 2b that respectively emit laser beams having different wavelengths. can do.

また、ヘッドランプ1bによれば、実施形態1に係るヘッドランプ1aのように半導体レーザ素子2の温度を制御する構成に比べて、発光部5に照射されるレーザ光の波長を大きく変化させることができるので、照明光の色みを大幅に変えることができる。   Further, according to the headlamp 1b, the wavelength of the laser light irradiated to the light emitting unit 5 is greatly changed compared to the configuration in which the temperature of the semiconductor laser element 2 is controlled as in the headlamp 1a according to the first embodiment. Can change the color of the illumination light.

<実施形態2の総括>
以上のように、本実施形態に係るヘッドランプ1bは、異なる波長のレーザ光を選択的に出射する半導体レーザ素子2a・2bと、半導体レーザ素子2aまたは半導体レーザ素子2bから出射されたレーザ光を吸収して蛍光を発する青色蛍光体と当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する黄色蛍光体とを少なくとも含む発光部5とを備え、半導体レーザ素子2a・2bは、青色蛍光体の吸収波長領域と黄色蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、異なる波長のレーザ光の波長を選択的に出射する。
<Overview of Embodiment 2>
As described above, the headlamp 1b according to this embodiment has the semiconductor laser elements 2a and 2b that selectively emit laser beams having different wavelengths and the laser beams emitted from the semiconductor laser element 2a or the semiconductor laser element 2b. A light emitting section 5 including at least a blue phosphor that absorbs and emits fluorescence and a yellow phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor, and the semiconductor laser elements 2a and 2b are blue phosphors. In the wavelength region where the absorption wavelength region of the yellow phosphor and the absorption wavelength region of the yellow phosphor overlap each other, different wavelengths of laser light are selectively emitted.

ヘッドランプ1bによれば、半導体レーザ素子2a・2bの駆動を選択的に切り替えることで、単一の発光部5から出射される照明光の色みを調整することができる。そのため、従来のように、複数の発光部(LED)から出射される光を混合して照明光の色みを調整する構成に比べて、装置構成を簡略化することができると共に、色ムラの発生を抑制することができる。   According to the headlamp 1b, the color of the illumination light emitted from the single light emitting unit 5 can be adjusted by selectively switching the driving of the semiconductor laser elements 2a and 2b. Therefore, as compared with a conventional configuration in which light emitted from a plurality of light emitting units (LEDs) is mixed to adjust the color of illumination light, the device configuration can be simplified and color unevenness can be reduced. Occurrence can be suppressed.

従って、本実施形態によれば、より簡略化した装置構成で、色ムラの発生を抑制しつつ、照明光の色みの調整が可能なヘッドランプ1bを実現することができる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize the headlamp 1b capable of adjusting the color of the illumination light while suppressing the occurrence of color unevenness with a more simplified device configuration.

本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and the embodiments can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. The form is also included in the technical scope of the present invention.

例えば、複数の半導体レーザ素子を備え、各半導体レーザ素子の温度を制御することで照明光の色みを調整する構成であってもよい。   For example, a configuration in which a plurality of semiconductor laser elements are provided and the color of illumination light is adjusted by controlling the temperature of each semiconductor laser element may be employed.

〔補足〕
なお、本発明に係る発光装置は、以下のように表現することもできる。すなわち、本発明に係る発光装置は、半導体発光素子で発光波長の異なる複数の蛍光体を励起する際に、含有する蛍光体の吸収端の中で、最も短波にある吸収端付近で励起波長を変化させることで、取り出される照明光の色みを調整することを特徴とする。
[Supplement]
The light emitting device according to the present invention can also be expressed as follows. That is, when the light emitting device according to the present invention excites a plurality of phosphors having different emission wavelengths with a semiconductor light emitting element, the excitation wavelength is near the absorption edge at the shortest wavelength among the absorption edges of the phosphors contained. It is characterized by adjusting the color of the extracted illumination light by changing.

また、本発明に係る発光装置は、上記の半導体発光素子の温度を変化させることで励起波長を変化させることを特徴とする。   The light-emitting device according to the present invention is characterized in that the excitation wavelength is changed by changing the temperature of the semiconductor light-emitting element.

また、本発明に係る発光装置は、励起波長の異なる複数の半導体素子を用い、励起波長を変化させることを特徴とする。   The light-emitting device according to the present invention is characterized in that a plurality of semiconductor elements having different excitation wavelengths are used and the excitation wavelength is changed.

また、本発明に係る発光装置は、上記の半導体発光素子がレーザであることを特徴とする。   In the light-emitting device according to the present invention, the semiconductor light-emitting element is a laser.

本発明に係る発光装置は、照明装置、特に車両用などのヘッドランプに好適に適用することができる。   The light emitting device according to the present invention can be suitably applied to a lighting device, particularly a headlamp for a vehicle or the like.

1a ヘッドランプ(発光装置・車両用前照灯)
1b ヘッドランプ(発光装置・車両用前照灯)
1A ヘッドランプ(発光装置・車両用前照灯)
1B ヘッドランプ(発光装置・車両用前照灯)
1C ヘッドランプ(発光装置・車両用前照灯)
2 半導体レーザ素子(励起光源・半導体発光素子)
2a 半導体レーザ素子(励起光源・半導体発光素子・光源)
2b 半導体レーザ素子(励起光源・半導体発光素子・光源)
3 ペルチェユニット(温度調整部)
5 発光部
6 パラボラミラー
9 投影レンズ
13 透明板
14 金属ベース
15 楕円ミラー
31 ヒートシンク
32 ペルチェ素子
33 放熱部
34 冷却ファン
S1 出射ステップ
S2 発光ステップ
S3 ペルチェユニット制御ステップ(波長制御ステップ)
S13 半導体レーザ素子切替ステップ(波長制御ステップ)
f1 第1の焦点
f2 第2の焦点
1a Headlamp (light emitting device / vehicle headlamp)
1b Headlamp (light emitting device / vehicle headlamp)
1A Headlamp (light emitting device / vehicle headlamp)
1B Headlamp (light emitting device / vehicle headlamp)
1C Headlamp (light emitting device / vehicle headlamp)
2 Semiconductor laser element (excitation light source / semiconductor light emitting element)
2a Semiconductor laser element (excitation light source, semiconductor light emitting element, light source)
2b Semiconductor laser element (excitation light source / semiconductor light emitting element / light source)
3 Peltier unit (temperature adjustment unit)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Light emission part 6 Parabolic mirror 9 Projection lens 13 Transparent plate 14 Metal base 15 Elliptical mirror 31 Heat sink 32 Peltier element 33 Heat radiation part 34 Cooling fan S1 Output step S2 Light emission step S3 Peltier unit control step (wavelength control step)
S13 Semiconductor laser element switching step (wavelength control step)
f1 first focus f2 second focus

Claims (8)

励起光を出射する励起光源と、
前記励起光源から出射された前記励起光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを、少なくとも含む発光部とを備え、
前記励起光源は、前記第1の蛍光体の吸収波長領域と前記第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、前記励起光の波長を変化させることを特徴とする発光装置。
An excitation light source that emits excitation light;
Light emission including at least a first phosphor that emits fluorescence by absorbing the excitation light emitted from the excitation light source, and a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor. With
The light-emitting device, wherein the excitation light source changes the wavelength of the excitation light in a wavelength region where an absorption wavelength region of the first phosphor and an absorption wavelength region of the second phosphor overlap each other.
前記励起光源は、前記互いに重なり合う波長領域のうち、前記第1の蛍光体の吸収端または前記第2の蛍光体の吸収端、および当該吸収端近傍の波長領域において、前記励起光の波長を変化させることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。   The excitation light source changes the wavelength of the excitation light in the wavelength region near the absorption edge and the absorption edge of the first phosphor or the absorption edge of the second phosphor among the overlapping wavelength regions. The light-emitting device according to claim 1. 前記第1の蛍光体は、前記第2の蛍光体よりもピーク波長の短い蛍光を発するものであり、
前記励起光源は、前記互いに重なり合う波長領域のうち、前記第1の蛍光体の最も長波側にある吸収端および当該吸収端近傍の波長領域において、前記励起光の波長を変化させることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
The first phosphor emits fluorescence having a shorter peak wavelength than the second phosphor,
The excitation light source changes a wavelength of the excitation light in an absorption edge on the longest wave side of the first phosphor and a wavelength area in the vicinity of the absorption edge among the overlapping wavelength ranges. The light emitting device according to claim 1.
前記励起光源は、半導体発光素子であり、
前記半導体発光素子の温度を調整する温度調整部をさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
The excitation light source is a semiconductor light emitting element,
The light-emitting device according to claim 1, further comprising a temperature adjustment unit that adjusts a temperature of the semiconductor light-emitting element.
前記励起光源として、異なる波長の励起光を出射する複数の光源を備え、
前記複数の光源は、異なる波長の前記励起光を選択的に出射することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
As the excitation light source, comprising a plurality of light sources that emit excitation light of different wavelengths,
4. The light-emitting device according to claim 1, wherein the plurality of light sources selectively emit the excitation light having different wavelengths. 5.
前記励起光は、レーザ光であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。   6. The light emitting device according to claim 1, wherein the excitation light is laser light. 請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置を備えることを特徴とする車両用前照灯。   A vehicle headlamp comprising the light-emitting device according to claim 1. 励起光源から出射された励起光を吸収して蛍光を発する第1の蛍光体と、当該第1の蛍光体とはピーク波長の異なる蛍光を発する第2の蛍光体とを、少なくとも含む発光部を備える発光装置の色み調整方法であって、
前記第1の蛍光体の吸収波長領域と前記第2の蛍光体の吸収波長領域とが互いに重なり合う波長領域において、前記励起光の波長を変化させる波長制御ステップを含むことを特徴とする発光装置の色み調整方法。
A light emitting unit including at least a first phosphor that emits fluorescence by absorbing excitation light emitted from an excitation light source, and a second phosphor that emits fluorescence having a peak wavelength different from that of the first phosphor; A color adjustment method for a light emitting device comprising
And a wavelength control step of changing a wavelength of the excitation light in a wavelength region where the absorption wavelength region of the first phosphor and the absorption wavelength region of the second phosphor overlap each other. Color adjustment method.
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