JP2013157225A

JP2013157225A - 表示装置

Info

Publication number: JP2013157225A
Application number: JP2012017446A
Authority: JP
Inventors: 格 ▲高▼谷; Itaru Takatani
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2012-01-31
Filing date: 2012-01-31
Publication date: 2013-08-15

Abstract

【課題】青色発光層を画素領域全面に形成し、且つ、干渉効果を利用して各有機ＥＬ素子の発光を効率良く取り出す表示装置において、陽極と陰極とのショートによるリーク電流の増加を防止し、黒点のない良好な表示を実現する。
【解決手段】青色発光層１３Ｂを塗布により画素領域全面に形成し、赤色発光層１３Ｒ及び緑色発光層１３Ｇは前記青色発光層１３Ｂの第２電極１５側に形成し、各有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおいて、発光位置から第１電極１１の反射面までの光学距離Ｌが、最大の干渉効果を得られる値に設定する。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた表示装置に関する。

有機ＥＬ素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極とが積層されて構成されている。そして、赤色発光、緑色発光、青色発光の３色の有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、各発光色の発光層が、各色の画素形状に合わせたパターニング用の金属マスクを用いて真空蒸着されている。近年、表示装置の高精細化に伴い、各色画素サイズは微小化し、その画素形状に合わせたパターニング用の金属マスクも高精細用になっているため、表示装置の製造コストに占める金属マスクの製造及び維持管理費用は、非常に大きなものになっている。特許文献１には、青色発光層を画素領域全面に形成し、赤色発光層及び緑色発光層を青色発光層よりも取り出し電極側に積層することにより、塗り分け用の金属マスクの使用を減らす技術が開示されている。

また、有機ＥＬ素子においては、発光色ごとに波長を強める干渉条件に発光位置と反射層の光学距離を合わせ、光取り出し効率を高めることができる事が知られている。この時、干渉効果を最大にするためには、発光層の発光位置と反射電極にある反射面との間の光学距離を発光波長の１／４倍の値に設定する必要がある。その場合、青色発光の有機ＥＬ素子においては、発光位置と反射面との間の有機化合物層の膜厚が４０ｎｍ程度になるため、基板の平滑性の影響を受けやすく、突起状の凸部や、異物、ゴミなどを起因として陽極と陰極とがショートしリーク電流が増大する問題がある。

特開２００７−６６８６２号公報

本発明の課題は、青色発光層を画素領域全面に形成し、且つ、干渉効果を利用して各有機ＥＬ素子の発光を効率良く取り出す表示装置において、陽極と陰極とのショートによるリーク電流の増加を防止し、黒点のない良好な表示を実現することにある。

本発明は、赤色発光、緑色発光、青色発光の各有機ＥＬ素子を備えた表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に少なくとも発光層を有する有機化合物層とを備え、前記第１電極が反射電極であり、前記第２電極側から光を出射する有機ＥＬ素子であって、
青色発光層は画素領域全面に塗布により形成されており、赤色発光層及び緑色発光層は前記青色発光層に接して第２電極側に配置されており、
前記有機ＥＬ素子の発光位置から前記第１電極の反射面までの光学距離をＬ［ｎｍ］、前記有機ＥＬ素子が発する光のスペクトルの最大ピーク波長をλ［ｎｍ］、前記第１電極において波長λの光が反射する際の位相シフトをφ［ｒａｄ］とすると、前記光学距離Ｌが下記式（Ｉ）を満たしていることを特徴とする。

式（Ｉ）
（−１−（２φ／π））×（λ／８）＜Ｌ＜（１−（２φ／π））×（λ／８）

本発明によれば、青色発光層が塗布によって形成されるため、基板の突起状の凸部や、異物、ゴミなどを覆うことができ、陽極と陰極とのショートによるリーク電流の増加を防止することができる。よって、干渉効果により発光効率が高く、信頼性の高い表示装置が提供される。

本発明の表示装置の一実施形態の構成を模式的に示す図である。塗布により形成した青色発光層と蒸着により形成した青色発光層が異物を覆う状態の違いを示す模式図である。本発明の表示装置の青色発光、赤色発光、緑色発光の各有機ＥＬ素子の代表的なエネルギーバンド図である。本発明の実施例の有機ＥＬ素子の電圧−電流特性を示す図である。

本発明の表示装置は、赤色発光、緑色発光、青色発光の各有機ＥＬ素子を備えたフルカラー表示の表示装置である。各有機ＥＬ素子は、反射電極である第１電極と、光取り出し電極である第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に少なくとも発光層を有する有機化合物層とを備え、前記第２電極側から光を出射する。そして本発明においては、青色発光層は画素領域全面に塗布により形成されており、発光位置から第１電極の反射面までの光学距離Ｌが干渉効果を得られる値に設定されていることに特徴を有する。

以下、本発明の基本的構成について、図１を参照して説明する。尚、本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する実施の形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。

図１（ａ）は、本発明の表示装置の一実施形態の構成を模式的に示す斜視図である。本発明の表示装置は、有機ＥＬ素子を備えた画素１を複数有している。そして、複数の画素１はマトリックス状に配置され、表示領域２を形成している。尚、画素とは、１つの有機ＥＬ素子の発光領域に対応した領域を意味している。本発明の表示装置では、画素１のそれぞれに１つの発光色の有機ＥＬ素子が配置された表示装置である。各有機ＥＬ素子は、赤色、緑色、青色のいずれかを発光する。また、これら３色の有機ＥＬ素子以外に、更に、黄色、シアン、白色のいずれかを発する有機ＥＬ素子を有していてもよい。尚、本実施形態の表示装置には、発光色の異なる複数の画素（例えば赤色発光画素、緑色発光画素、及び青色発光画素）からなる画素ユニットが複数配列されている。画素ユニットとは、各画素の混色によって所望の色の発光を可能とする最小の単位を示す。

図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における部分断面模式図である。各画素１は、基板１０上に、第１電極１１と、正孔輸送層１２と、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂのいずれかと、電子輸送層１４と、第２電極１５と、を備える有機ＥＬ素子を有している。本実施形態において、正孔輸送層１２と、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂのいずれかと、電子輸送層１４が有機化合物層であるが、有機化合物層は少なくとも発光層を備えていればよい。

また、３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、それぞれ赤色発光の有機ＥＬ素子、緑色発光の有機ＥＬ素子、青色発光の有機ＥＬ素子を表している。以下、赤色発光の有機ＥＬ素子を赤色素子、緑色発光の有機ＥＬ素子を緑色素子、青色発光の有機ＥＬ素子を青色素子と称する。

赤色素子３Ｒ、緑色素子３Ｇ、青色素子３Ｂは、それぞれ赤色発光層１３Ｒ、緑色発光層１３Ｇ、青色発光層１３Ｂを有している。そして、青色発光層１３Ｂは、赤色素子３Ｒと緑色素子３Ｇとにわたって形成されており、いわゆる青色発光層１３Ｂはコモン発光層となっている。つまり、赤色素子３Ｒと緑色素子３Ｇそれぞれは、青色発光層１３Ｂと同じ組成で且つ同じ膜厚の青色発光層１３Ｂを有し、赤色発光層１３Ｒと緑色発光層１３Ｇはそれぞれ、青色発光層１３Ｂの第２電極１５側に、青色発光層１３Ｂと接して配置されている。

表示装置としては、特に正面方向の輝度が高くなるように有機化合物層の各層の膜厚を設定することで、光学干渉により発光色も制御され、より高効率に正面方向に光が放射されるようになる。より具体的には、各有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおいて、発光位置から第１電極１１の反射面までの光学距離Ｌについて、下記式（１）を満たすことで、取り出したい波長λの光は正面方向の強度が強まる。

式（１）Ｌ＝（２ｍ−（φ／π））×（λ／４）

ここで、λは有機ＥＬ素子が発する光のスペクトルの最大ピーク波長［ｎｍ］、φは第１電極１１における反射時の位相シフト［ｒａｄ］であり、φ＜０である。ｍは０又は正の整数である。位相シフトφの値は金属種によって異なるが、概ね−２．７９ｒａｄ乃至−１．７５ｒａｄ程度である。また、光学距離Ｌは、発光位置から第１電極１１の反射面との間における各層の屈折率ｎ×厚さｄ［ｎｍ］の総和である。尚、位相シフト［ｒａｄ］は一般的な光学多層薄膜の計算により求めることができる（例えばＰｒｉｎｃｉｐｌｅｓｏｆＯｐｔｉｃｓ，ＭａｘＢｏｒｎａｎｄＥｍｉｌＷｏｌｆ，１９７４参照）。

本発明においては広波長帯域において干渉効果を発現させるために、上記式中のｍ＝０が望ましい。よって、Ｌは下記式（２）を満たすことが好ましい。

式（２）Ｌ＝（−φ／π）×（λ／４）

但し、実際の有機ＥＬ素子では、正面の取り出し効率とトレードオフの関係にある視野角特性等も考慮すると、必ずしも上記膜厚と厳密に一致させる必要はない。具体的には、Ｌが式（２）を満たす値から±λ／８以内の誤差があってもよい。よって、本発明においては、各有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３ＢのＬが下記式（Ｉ）を満たしていればよい。

さらに、本発明においてより好ましくは、Ｌが式（２）を満たす値から±λ／１６以内である。よって、本発明においては、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３ＢのＬが下記式（Ｉ’）を満たすことが好ましい。

式（Ｉ’）
（−１−（４φ／π））×（λ／１６）＜Ｌ＜（１−（４φ／π））×（λ／１６）

上記したように、各有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光位置と第１電極１１の反射面との間の光学距離Ｌが、上記式（Ｉ）を満たすことにより、干渉効果により光取り出し効率が高まる。式（１）のｍが１以上でも干渉の強め合い効果はあるが、ｍ＝０の場合が最も効果が高く好ましい。しかしながら、発光位置と第１電極１１にある反射面との間の光学距離Ｌを式（Ｉ）を満たすように設定する場合、膜厚が薄くなり、第１電極１１と第２電極１５とのショートによるリーク電流がより増加しやすくなる問題がある。本発明では、陽極１１上に画素領域全面にわたって青色発光層１３Ｂを塗布により形成することにより異物、ゴミなどを覆い、ショートによるリーク電流の増加を抑制することができる。

図２に塗布によって形成した青色発光層１３Ｂと蒸着によって形成した青色発光層１３Ｂが球状の異物を覆う状態の違いを模式図で示す。尚、正孔輸送層１２は図示を省略する。塗布によって形成した青色発光層１３Ｂ（図２（ａ））では球状異物４１の下部周辺もカバレッジされる。一方、蒸着によって形成した青色発光層１３Ｂ（図２（ｂ））では球状異物４１の下部周辺は隙間があいたままカバレッジされず、第１電極１１と第２電極１５とのショートの原因となる。

青色発光層１３Ｂを形成する際の塗布方法としては、従来から知られたディッピング法、スピンコート法、スリットコート法、グラビア法、スプレイ法、などが用いられる。また、用いる溶剤としてはトルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤や、酢酸エチル、テトラヒドロフランなどが用いられ、減圧加熱乾燥等によって溶剤は除去される。

本発明では、好ましくは第１電極１１が陽極、取り出し電極１５が陰極であり、上記青発光層１３Ｂは少なくともホスト材料と発光ドーパント材料からなり、青色発光層Ｂ中の発光ドーパントの含有量は１０体積％以下である。

本発明においては、第１電極１１が陽極で青色発光層１３Ｂを正孔輸送性とした方が、赤色素子３Ｒ，緑色素子３Ｇの電圧を上げずに、青色発光層１３Ｂの発光を抑え、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇのみを発光させることができるため好ましい。赤色素子及び緑色素子については後述する。

赤色発光層１３Ｒ及び緑色発光層１３Ｇは、塗り分け用金属マスクを用いて画素形状に形成される。このように、青色発光層１３Ｂを塗り分け用金属マスクを用いずに塗布により形成することにより、全色で発光層を塗り分けるよりも、塗り分け用金属マスクの使用を減らし、ショートによる表示装置の黒点を防止することができる。

第１電極１１は、基板１０上に隣り合う画素（有機ＥＬ素子）の第１電極１１と分離されて形成されており、金属の反射面を有し、透明導電材料を積層して用いてもよい。用いられる金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉなどが用いられ、これらの合金を用いてもよく、積層して用いてもよい。透明導電材料としてはＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いることができる。画素（より具体的には、第１電極１１）間には、隔壁２０を設けてもよい。但し、塗布により正孔輸送層１２や青色発光層１３Ｂを形成する際に溶解しない材料で形成する必要がある。

正孔輸送層１２を設ける場合には、図１（ｂ）のように隣り合う画素と共通で塗布により形成される。正孔輸送層１２にはアリールアミン類など、従来から知られた材料を用いることができるが、青色発光層１３Ｂを塗布により形成する際に溶解しないようにする必要があり、好ましくは溶剤に不溶の架橋型材料が用いられる。具体的な例としては、下記の構造式で示される正孔輸送材料をＵＶ光照射や加熱することにより架橋したものが用いられる。

そして、青色発光層１３Ｂは第１電極１１上もしくは正孔輸送層１２上に塗布により形成される。また、青色発光層１３Ｂはホスト材料と発光ドーパント材料とからなり、発光層中の発光ドーパント材料の含有量は１０体積％以下で、下記式（ＩＩ）を満たすことが好ましい。

式（ＩＩ）
ＬＵＭＯ_Bh＜ＬＵＭＯ_Bd＜ＨＯＭＯ_Bh＜ＨＯＭＯ_Bd

上記式（ＩＩ）において、ＬＵＭＯ_Bh、ＬＵＭＯ_Bdはそれぞれ、青色発光層１３Ｂのホスト材料、発光ドーパント材料のＬＵＭＯ準位エネルギーを示す。また、ＨＯＭＯ_Bh、ＨＯＭＯ_Bdはそれぞれ、青色発光層１３Ｂのホスト材料、発光ドーパント材料のＨＯＭＯ準位エネルギーを示す。

一般に青色発光層１３Ｂに含まれる発光ドーパント材料が１０体積％以上となると、濃度消光と呼ばれる発光効率の低下が起きるため、本発明では青色発光層１３Ｂの発光ドーパント材料は１０体積％以下で含有される。

図３（ａ）に青色素子３Ｂのエネルギーバンド図を示すが、式（ＩＩ）を満たす青色発光層１３Ｂに電子が注入された場合には、電子は発光ドーパント材料のＬＵＭＯ準位にトラップされる。発光ドーパント材料は青色発光層１３Ｂの全体積の１０％以下であるため、電子は伝導しにくくなる。

また、正孔が注入された場合には、正孔はホスト材料のＨＯＭＯ準位に注入され、ホスト材料は青色発光層１３Ｂの体積の最も多くの部分を占めるため、この準位を伝導する。このため、青色発光層１３Ｂは電子よりも正孔が伝導しやすい正孔輸送性（電子トラップ性）となる。

青色発光層１３Ｂのホスト材料としては、ピレン誘導体等が好適に用いられ、発光ドーパント材料としてはフルオランテン誘導体等が好適に用いられる。

青色発光層１３Ｂ上には蒸着法により、赤色発光層１３Ｒ及び緑色発光層１３Ｇが金属マスクを用いて画素形状に形成される。青色発光層１３Ｂよりも陽極である第１電極１１側に赤色発光層１３Ｒ及び緑色発光層１３Ｇを積層しても、塗り分け用金属マスクの使用を減らすことができるが、光学干渉を合わせる上で好ましくない。よって、本発明においては、赤色発光層１３Ｒ及び緑色発光層１３Ｇは青色発光層１３Ｂよりも光出射側電極である第２電極１５側に設ける。

図３（ｂ）、（ｃ）に赤色素子３Ｒ，緑色素子３Ｇの代表的なエネルギーバンド図を示す。図３（ｂ）、（ｃ）は好ましいエネルギーバンド構造であるが、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇのエネルギーバンド構造は必ずしも限定されるものではない。

式（ＩＩ）を満たす正孔輸送性の青色発光層１３Ｂに接し、陰極である第２電極１５側に赤色もしくは緑色発光層１３Ｒ、１３Ｇを積層した場合、正孔が青色発光層１３Ｂを通り抜けやすくなる。そのため、赤色素子３Ｒ及び緑色素子３Ｇの電圧を上げずに、青色発光層１３Ｂの発光を抑え、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇのみを発光させることができる。

また、赤色素子３Ｒ及び緑色素子３Ｇにおいて青色発光層１３Ｂの発光を抑えることができるため、電子阻止層を用いる必要がなく、青色素子３Ｂにおいても、電子注入が抑えられず、電圧の上昇を招かない。また、青色発光層１３Ｂへの電子注入を阻止しないため、青色発光層１３Ｂでの再結合確率が向上し、正孔が青色発光層１３Ｂを通り抜けて効率が低下する問題も発生しない。

更に、下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）を満たすように、赤色発光層１３Ｒ及び緑色発光層１３Ｇがそれぞれ構成されていることが好ましい。

式（ＩＩＩ）ＨＯＭＯ_R＜ＨＯＭＯ_Bh
式（ＩＶ）ＨＯＭＯ_G＜ＨＯＭＯ_Bh

ここで、上記ＨＯＭＯ_R、ＨＯＭＯ_Gは、赤色発光層１３Ｒ、緑色発光層１３ＧのＨＯＭＯ準位エネルギーであり、赤色発光層１３Ｒ、緑色発光層１３Ｇが発光材料のみからなる場合は、その発光材料のＨＯＭＯ準位エネルギーのことである。また、赤色発光層１３Ｒ、緑色発光層１３Ｇがホスト材料と発光ドーパント材料とを含む場合は、上記ＨＯＭＯ_R、ＨＯＭＯ_Gはホスト材料、発光ドーパント材料のいずれのＨＯＭＯ準位エネルギーでも良い。これらが青色発光層１３Ｂのホスト材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い準位であることにより、青色発光層１３Ｂを通り抜けた正孔は、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇに注入されやすくなる。上記式を満たすことにより、青色発光層１３Ｂを通り抜けた正孔は、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇに注入されやすくなる。よって、より青色発光層１３Ｂの発光を抑え、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇのみを発光させる効果があり好ましい。

更に、赤色素子３Ｒ及び緑色素子３Ｇに関しては、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇから青色発光層１３Ｂに電子が注入されにくい構成であることがより好ましい。例えば、赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇと青色発光層１３Ｂとの間に電子注入障壁が形成されるように各発光層を構成することが望ましい。

赤色及び緑色発光層１３Ｒ，１３Ｇには従来から知られた材料を用いる事ができる。また、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ上には電子輸送層１４を積層してもよい。電子輸送層１４にはフェナントロリン誘導体等の従来から知られた材料を用いる事ができる。また、電子注入層を積層して用いてもよい。

電子輸送層１４上には光透過性のある光取り出し電極（陰極）として第２電極１５が形成される。第２電極１５には薄膜金属層やＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電性酸化物が用いられる。

上記に述べた構成により、本発明は、塗り分け用マスクの使用を減らすため青色発光層１３Ｂを画素領域全面に形成した場合でも、各有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを効率よく発光させ、突起状の凸部や、異物、ゴミなどを覆うことができる。よって、従来の正孔輸送層１２を蒸着法で形成した場合や、塗分け用の金属マスクを用いて青色発光層１３Ｂを形成した場合に比べて陽極１１と陰極１５とのショートを防止し、黒点のない良好な多色表示装置を提供することができる。

尚、本発明で定義するＨＯＭＯは最高被占軌道のことであり、ＬＵＭＯは最低空軌道である。ＨＯＭＯ準位エネルギーは大気中光電子分光法（ＡＣ−２、理研機器製）を用いて測定した。また、ＬＵＭＯ準位エネルギーは、上記の方法で測定したＨＯＭＯ準位エネルギーの値から紫外・可視分光法（ＵＶ／ＶＩＳＶ−５６０、日本分光製）を用いて測定した吸収スペクトルの吸収端から求めたバンドギャップを引いて算出した。尚、前記式（ＩＩ）乃至（ＩＶ）に示したＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの準位エネルギーの大小関係は、その絶対値によって規定する。

本発明の表示装置としては、テレビ受像機、パーソナルコンピュータの表示部に用いられる。他には、デジタルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置の表示部や電子ビューファインダに用いられてもよい。撮像装置は、撮像するための撮像光学系やＣＭＯＳセンサなどの撮像素子を更に有している。

また、本発明の表示装置は、携帯電話の表示部、携帯ゲーム機の表示部等に用いられてもよいし、更には、携帯音楽再生装置の表示部、携帯情報端末（ＰＤＡ）の表示部、カーナビゲーションシステムの表示部に用いられてもよい。

以下、本発明の実施例について説明する。実施例１、比較例１ともにゴミを想定した酸化チタン微粒子（平均粒径１００乃至３００ｎｍ）を付着させた反射電極（陽極）を第１電極として用いて青色素子を作製し、リーク電流を比較した。

（実施例１）
ガラス基板１０上に第１電極１１として厚さ１００ｎｍのＡｌ膜を蒸着法により形成した。そして、第１電極１１の表面に水に分散させた酸化チタン微粒子を塗布し、乾燥させた後、ＵＶ／オゾン洗浄を施した。

続いて、青色発光層１３Ｂをスピンコート法により４０ｎｍの厚さで形成した。ホスト材料としては、下記構造式（１）で示されるピレン誘導体（ＬＵＭＯ＝２．６７ｅＶ、ＨＯＭＯ＝５．６１ｅＶ）を用いた。また、発光ドーパント材料（２体積％）としては、下記構造式（２）で示されるフルオランテン誘導体（ＬＵＭＯ＝３．０６ｅＶ、ＨＯＭＯ＝５．８５ｅＶ）を用いた。溶剤としてはトルエンを用い、減圧下にて１２０℃で３０分乾燥することにより溶剤を除去した。

次に真空蒸着装置（アルバック社製）に取り付け、１．３３×１０^-4Ｐａ（１×１０^-6Ｔｏｒｒ）まで排気した。その後、青色発光層１３Ｂの上に、炭酸セシウム（３体積％）とＡｇを１２ｎｍの膜厚で成膜し、取り出し電極（陰極）として第２電極１５を形成した。

その後、基板をグローブボックスに移し、窒素雰囲気中で乾燥剤を入れたガラスキャップにより封止した。

（比較例１）
青色発光層１３Ｂを真空蒸着装置（アルバック社製）にて蒸着法により形成した以外は実施例１と同様に青色素子を作製した。

上記手順で得られた実施例１，比較例１の各青色素子のリーク評価を行った。図４に電圧−電流特性の測定結果を示す。

発光開始前の２．０Ｖを印加した時点での電流値は、実施例１の青色素子が１×１０^-4ｍＡ／ｃｍ²であるのに対し、比較例の青色素子では３×１０^-2ｍＡ／ｃｍ²であった。比較例１の青色素子では酸化チタン微粒子により陽極と陰極がショートしやすくなりリーク電流が大きいのに対し、実施例１の青色素子では塗布により青色発光層１３Ｂを形成したことによりリーク電流を低減できたことがわかる。

３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ：有機ＥＬ素子、１１：第１電極、１２：正孔輸送層、１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ：発光層、１５：第２電極

Claims

赤色発光、緑色発光、青色発光の各有機ＥＬ素子を備えた表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に少なくとも発光層を有する有機化合物層とを備え、前記第１電極が反射電極であり、前記第２電極側から光を出射する有機ＥＬ素子であって、
青色発光層は画素領域全面に塗布により形成されており、赤色発光層及び緑色発光層は前記青色発光層に接して第２電極側に配置されており、
前記有機ＥＬ素子の発光位置から前記第１電極の反射面までの光学距離をＬ［ｎｍ］、前記有機ＥＬ素子が発する光のスペクトルの最大ピーク波長をλ［ｎｍ］、前記第１電極において波長λの光が反射する際の位相シフトをφ［ｒａｄ］とすると、前記光学距離Ｌが下記式（Ｉ）を満たしていることを特徴とする表示装置。
式（Ｉ）
（−１−（２φ／π））×（λ／８）＜Ｌ＜（１−（２φ／π））×（λ／８）
前記第１電極が陽極、第２電極が陰極であり、前記青色発光層は、少なくともホスト材料と発光ドーパント材料からなり、前記青色発光層に含まれる前記発光ドーパント材料が１０体積％以下であり、下記式（ＩＩ）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
式（ＩＩ）
ＬＵＭＯ_Bh＜ＬＵＭＯ_Bd＜ＨＯＭＯ_Bh＜ＨＯＭＯ_Bd
（上記式（ＩＩ）において、ＬＵＭＯ_Bh、ＬＵＭＯ_Bdはそれぞれ、青色発光層のホスト材料、発光ドーパント材料のＬＵＭＯ準位エネルギーの絶対値、ＨＯＭＯ_Bh、ＨＯＭＯ_Bdはそれぞれ、青色発光層のホスト材料、発光ドーパント材料のＨＯＭＯ準位エネルギーの絶対値を示す。）
前記第１電極と青色発光層との間に正孔輸送層が画素領域全面に塗布により形成され、前記正孔輸送層は、溶剤に不溶の架橋型材料で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多色表示装置。