JP2013156056A - 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム - Google Patents

膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2013156056A
JP2013156056A JP2012015076A JP2012015076A JP2013156056A JP 2013156056 A JP2013156056 A JP 2013156056A JP 2012015076 A JP2012015076 A JP 2012015076A JP 2012015076 A JP2012015076 A JP 2012015076A JP 2013156056 A JP2013156056 A JP 2013156056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
film thickness
film
halftone
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012015076A
Other languages
English (en)
Inventor
修 ▲高▼木
Osamu Takagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2012015076A priority Critical patent/JP2013156056A/ja
Publication of JP2013156056A publication Critical patent/JP2013156056A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】安定してハーフトーン膜の最薄部の膜厚を測定することができる膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラムを提供すること。
【解決手段】隣り合うパターンP間に設けられるハーフトーン膜HPの膜厚を、複数のパターンPを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定装置1であって、画像内におけるハーフトーン膜HPの形成領域を抽出する抽出部35cと、抽出部35cが抽出したハーフトーン膜HPの形成領域において画像の膨張処理および収縮処理を行う画像処理部35dと、画像処理部35dによって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成部35bと、高さ画像生成部35bによって生成された高さ画像をもとに、ハーフトーン膜HPの膜厚を測定する測定部35eと、を備えた。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD)用のガラス基板や各種半導体基板やプリント基板などにおける配線パターン等の膜厚を測定する膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラムに関する。
近年、ガラス基板や各種半導体基板やプリント基板(以下、基板という)などの製造において、基板の検査等の処理を行う検査装置がある。検査装置は、少なくとも撮像等によって基板の検査処理を行う検査部を有する。
検査部は、例えば、顕微鏡等を用いて基板上のTFT(Thin Film Transistor)アレイ基板の配線パターン等の拡大画像をカメラで取得して、基板の検査を行う。この検査の一種として、基板上に形成されたフォトレジスト等の膜厚や各種配線パターンの膜厚、液晶層からの透過光の着色を行うカラーフィルタ上に形成された各種部材の膜厚の測定が挙げられる。膜厚の測定は、一般的に、光源から基板に入力した光から発光スペクトルを取得して得られた屈折率等の薄膜情報を用いて行われる。
上述した配線パターンは、フォトリソグラフィと呼ばれる膜形成、露光、現像、膜除去の一連の工程を繰り返すことによって所望のパターンに形成される。具体的には、次の通りである。まず、電極膜形成後、フォトレジストを積層し、フォトレジストの所望の部分に露光または露光用の光を遮蔽するようにマスクした後、露光・現像してフォトレジスト上で電極パターンを形成する。その後、電極膜のエッチングを行い、電極膜上のレジストを剥離することによって形成される。
ところで、上述した配線パターン等の基板上のパターンは、異なるパターンを有する複数のマスク(特に高精細なものはレチクルと呼ばれる)を用いて順次露光等の一連の工程を行うことで形成される。近年、マスクの使用枚数を減らして作業工程とコストを削減するため、グレートーンマスクまたはハーフトーンマスクと呼ばれる露光マスクを用いて半透過膜を形成する露光が行われている。
上述したグレートーンマスクまたはハーフトーンマスクは、少なくとも光を透過する透過部と、透過部が透過する光量に比して透過量の少ない光半透光部と、光を透過しない遮光部とを有し、レジスト膜への露光量を制御している(例えば、特許文献1を参照)。また、レジストを剥離するアッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層および半透光層のパターニングに利用できるハーフトーンマスクが開示されている(例えば、特許文献2を参照)。
検査部は、上述したグレートーンマスクまたはハーフトーンマスクを用いてパターニングされた配線パターンの膜厚を測定する。膜厚測定では、例えば白色干渉計を用いてベースとなる表面とハーフトーン膜表面との段差をもとにハーフトーン膜の膜圧が測定される。この測定された膜厚を管理することによって、TFTアレイ基板におけるパターン成形の精度を維持する。
また、ハーフトーン膜が設けられるパターンの間隔が、例えば数μm程度である場合、ハーフトーン膜の表面は、配設面に対して平坦にならない。具体的には、ハーフトーン膜表面と平行な方向から見た際に、膜端面の形状が略弧状をなしている。この場合においてハーフトーンの膜厚は、最薄部(弧状の先端)におけるベース面からの高さとして測定さ
れる。この測定では、撮像されたハーフトーンの画像において、ハーフトーン膜を挟んだエッジ間の中点がハーフトーン膜の最薄部であるものと仮定し、コントラスト比によるエッジ検出、配線パターンのパターンマッチング等を経て求められたエッジ間の中点における膜厚が測定される。
特開2009−139975号公報 特開2011−13382号公報
ところで、特許文献1,2が開示するような従来のハーフトーンマスク(グレートーンマスク)を用いてパターニングを行う際、配線パターンの端面の製造状態や、撮像された画像上の見え方により、求められる中点の位置が変わる場合がある。特に、ハーフトーン膜と配線パターンとの境界部分において干渉縞が発生すると、上述したエッジの検出ができない場合が生じ、この際のエッジの検出位置が本来の位置と異なり中点位置が変わるため、本来測定したい膜厚の安定した測定ができないという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、安定してハーフトーン膜の最薄部の膜厚を測定することができる膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラムを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる膜厚測定装置は、隣り合うパターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を、前記複数のパターンを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定装置であって、前記画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出部と、前記抽出部が抽出した前記ハーフトーン膜の形成領域に対して画像の膨張処理を行った後、収縮処理を行う画像処理部と、少なくとも前記画像処理部によって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成部と、前記高さ画像生成部によって生成された前記高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定部と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明にかかる膜厚測定装置は、上記の発明において、前記高さ画像生成部は、前記画像処理部による膨張処理および収縮処理が行われる前の画像に対して処理前高さ画像をさらに生成し、前記抽出部は、前記高さ画像生成部が生成した前記処理前高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出することを特徴とする。
また、本発明にかかる膜厚測定装置は、上記の発明において、前記収縮処理における収縮比率は、前記膨張処理における膨張比率より大きいことを特徴とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる膜厚測定方法は、隣り合うパターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を、前記複数のパターンを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定方法であって、前記画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出ステップと、前記抽出ステップで抽出した前記ハーフトーン膜の形成領域に対して画像の膨張処理を行った後、収縮処理を行う画像処理ステップと、前記画像処理ステップによって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成ステップと、前記高さ画像生成ステップによって生成された前記高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定ステップと、を含むことを特徴とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる膜厚測定プログラムは、隣り合うパターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を、前記複数のパターンを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定装置に、前記画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出手順と、前記抽出手順で抽出した前記ハーフトーン膜の形成領域に対して画像の膨張処理を行った後、収縮処理を行う画像処理部と、前記画像処理手順によって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成手順と、前記高さ画像生成手順によって生成された前記高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定手順と、を行わせることを特徴とする。
本発明によれば、画像内で抽出されたハーフトーン領域に対して膨張処理および収縮処理を行った後、グレースケールに変換して膜厚の測定およびその位置の算出を行うようにしたので、安定してハーフトーン膜の最薄部の膜厚を測定することができるという効果を奏する。
図1は、本発明の実施の形態にかかるフラットパネルディスプレイ(FPD)検査装置の概略構成を示す模式図である。 図2は、本発明の実施の形態にかかるFPD検査装置が行う膜厚測定方法を示すフローチャートである。 図3は、本発明の実施の形態にかかる膜厚測定方法を説明する図である。 図4は、本発明の実施の形態にかかる膜厚測定方法を説明する図である。 図5は、本発明の実施の形態にかかる膜厚測定方法を説明する図である。 図6は、本発明の実施の形態にかかる膜厚測定方法の膨張および収縮処理を説明する図である。 図7は、本発明の実施の形態にかかる膜厚測定方法の膨張および収縮処理を説明する図である。
以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。
まず、本発明の実施の形態にかかる膜厚測定装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、フラットパネルディスプレイ(FPD)用のガラス基板や各種半導体基板やプリント基板などにおける配線パターンの膜厚を測定する検査装置を例に挙げて説明する。検査装置は、製造装置等に直結するインライン型であってもよいし、カセット等の基板ストッカーと直接搬入出するオフライン型であってもよい。
図1は、本実施の形態にかかるFPD検査装置の概略構成を示す模式図である。図1に示すように、FPD検査装置1は、搬送された矩形をなす基板Wの画像取得を行う画像取得部2と、画像取得部2全体の制御を行う制御機構3と、を備える。また、基板Wは、基板W上に所定パターンからなる配線パターンが形成されている。この配線パターンは、複数のパターンPによって形成され、隣り合うパターンP間にはハーフトーン膜HPが形成されている。
画像取得部2は、干渉する光を取り込む干渉対物レンズ20と、少なくとも干渉対物レ
ンズ20を保持し、干渉対物レンズ20の光軸と同軸の落射照明光学系(図示せず)を内部に有する鏡筒21と、鏡筒21に連結され、干渉対物レンズ20を介して基板Wの干渉像を撮像する撮像部22と、鏡筒21を干渉対物レンズ20の光軸方向に昇降駆動させる昇降部23と、基板Wを載置するステージ24とを備える。
なお、本実施の形態では、干渉対物レンズ20として、たとえば1倍,2倍,5倍の比較的倍率の低い対物レンズ(以下、「低倍対物レンズ」という)と、10倍,20倍,50倍の低倍対物レンズの倍率に対して高倍率である対物レンズ(以下、「高倍対物レンズ」という)とが少なくとも一つずつレボルバに装着され、干渉対物レンズの切り替えが可能である。低倍対物レンズおよび高倍対物レンズの倍率は一例であり、高倍対物レンズが低倍対物レンズに対して高ければよい。また、基板Wからの反射光または透過光を取り込む対物レンズが取り付けられてもよい。
落射照明光学系は、干渉対物レンズ20内から基板Wに向けて照明光を照明する落射照明光を照射する。
また、基板Wは、ステージ24によって保持されている。ステージ24は、例えば基板Wの搬送方向に沿って延びる板状をなす。ステージ24には、図示しないエア供給部からのエアの供給によって鉛直上方に向けてエアを吹き出す複数の吹出穴が設けられる。この吹出穴から吹き出されるエアによって、ステージ24上に載置された基板Wはステージ24の上面から浮上して支持される。これにより、基板Wの搬送等にかかる損傷を防止することができる。なお、ステージ24は、上面で基板Wを保持し、搬送方向に沿って回転可能な支持手段としてのフリーローラによって支持されるものであってもよい。また、ここで、ステージ24には、基板Wを載置する載置面をXY平面とみたときに、ステージ24をX方向およびY方向にそれぞれ独立して移動させるステージ移動機構が設けられていることが好ましい。このとき、干渉対物レンズ20の光軸方向をZ方向とし、X方向、Y方向およびZ方向は、互いに直交しているものとする。
また、FPD検査装置1が、少なくとも画像取得部2を囲み、光学ユニット100の上方に設けられるクリーンな空気(以下、クリーンエアという)を送り込むFFU(Fan
Filter Unit)を有する外装を備えていれば、クリーンルームを形成することができるので好ましい。このクリーンルームは、基板の搬入口および搬出口ならびに下部のダクト以外、密閉された内部空間である。
FFUは、例えば、パーティクルなどのダストが除去されたクリーンエアを送出する。この結果、ダストの少ないクリーンな状態とする。また、送出されたクリーンな空気は、クリーンルーム内でダウンフローを形成したのち、排気口から排気される。
制御機構3は、制御部30、入力部31、出力部32、記憶部33、画像取込部34および測定処理部35および検査部36を備える。制御機構3は、ROM、RAM、通信機能等を備えたコンピュータで実現される。
制御部30は、FPD検査装置1全体の制御を行う。入力部31は、キーボード、マウス、タッチパネル、ボタン等を用いて構成され、検体の分析に必要な諸情報や分析動作の指示情報等を外部から入力する。出力部32は、ディスプレイ等を用いて構成される。
記憶部33は、情報を磁気的に記憶するハードディスクと、FPD検査装置1が処理を実行する際にその処理にかかわる検査プログラムや、本実施の形態による膜厚測定方法を実現するプログラムである膜厚測定プログラムを含む各種プログラムをハードディスクからロードして電気的に記憶するメモリとを用いて構成される。また、記憶部33は、基板
W上の配線パターンの参照画像を記憶している。参照画像には、基板上のハーフトーン膜の形成位置等の情報も付加されている。
画像取込部34は、画像取得部2から映像信号を画像情報として取り込む。画像取込部34は、取り込んだ画像情報を測定処理部35に出力する。
測定処理部35は、画像取込部34から出力された画像情報をもとに、基板上のパターンにおけるハーフトーン膜の膜厚を測定する。測定処理部35は、所定の配線パターンを検出するパターン検出部35aと、画像情報をもとに画像におけるZ方向(膜厚方向)の高さ画像を生成する高さ画像生成部35bと、生成された高さ画像からハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出部35cと、抽出したハーフトーン膜の形成領域において画像の膨張処理および収縮処理を行う画像処理部35dと、膨張および収縮処理された画像およびベースとなる高さ情報をもとに、ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定部35eと、を有する。なお、高さ画像生成部35bは、画像処理部35dによって膨張処理および収縮処理される前後の画像に対して高さ画像の生成を行う。また、これら制御部30や測定処理部35などは、上述の処理が可能なPCや専用のコントローラとして構成されており、CPUなどのプロセッサやメモリに記憶された画像処理プログラム等を含むもので、さらにこれらの機能を達成するための一般的に知られている構成に置き換えることも可能である。
なお、画像取込部34から出力される画像情報は、基板W上の配線パターンを撮像した撮像画像のほか、干渉対物レンズ20をZ方向に移動させてスキャニングして得られる複数の干渉画像である画像群を含んでいる。
検査部36は、画像取得部2によって取得された画像またはそのスペクトル、測定処理部35によって測定された膜厚をもとに基板Wの検査を行う。
上述したFPD検査装置1では、外部からステージ24に搬入された基板Wに対して、制御部30の制御のもと、画像取込部34が、画像取得部2から映像信号を画像情報として取り込み、この取り込んだ画像情報を用いて測定処理部35が基板上のパターンにおけるハーフトーン膜の膜厚を画像処理によって測定する。その後、検査部36が、画像取得部2によって取得された画像またはそのスペクトル、測定処理部35によって測定された膜厚をもとに基板Wの検査を行う。なお、少なくとも画像取得部2、制御部30、画像取込部34および測定処理部35によって膜厚測定装置が構成される。
図2は、本発明の実施の形態にかかるFPD検査装置が行う膜厚測定方法を示すフローチャートである。なお、以下説明する処理は、それぞれ制御部30の制御のもとで行われる。まず、パターン検出部35aは、画像処理によって、画像取込部34によって取り込まれた画像内におけるハーフトーン膜が形成されているパターンの検出を行なう(ステップS101)。パターン検出部35aは、記憶部33に予め記憶されている参照画像を用いて検査対象の基板上のパターンをマッチングさせ、検査対象の基板W上においてハーフトーン膜が形成されている位置を検出する。このパターンマッチングによる位置検出によって、膜厚測定対象の位置が決まる。
ステップS101の処理により膜厚測定位置が決まると、測定処理部35は、膜厚測定位置における複数の干渉画像(Z方向の異なる複数の画像)を取得する(ステップS102)。ここで、複数の干渉画像は、予め撮像部22が撮像して記憶部33に記憶されている画像を出力させるようにしてもよいし、膜厚測定位置決定後、この位置において干渉対物レンズをZ方向に昇降駆動させて、干渉画像を得るようにしてもよい。
干渉画像取得後、高さ画像生成部35bは、得られた複数の干渉画像から、各画像内の1画素ごとに干渉縞のコントラストが最大になる高さ位置(Z方向の位置)を求め、その位置における高さを、例えば0〜255段階(256階調)のグレースケールに変換する(ステップS103)。これにより、高さが差異によりグレースケールの階調が異なる高さ画像(処理前高さ画像)を得ることができる。なお、高さ画像生成処理の時間短縮のため、測定対象領域内の画素についてグレースケール変換を行うようにしてもよい。
その後、抽出部35cが、得られた高さ画像から予め設定されているハーフトーン膜を含むグレースケール領域を抽出する。基板W上の配線パターンとハーフトーン膜とは、図3に示すように、高さが異なっているため、パターンPとハーフトーン膜HPとのグレートーンの階調(グレイ値)が異なる。このときのベースBからのパターンPの最先端の高さをH、ハーフトーン膜HPの最下端の高さ(ハーフトーン膜の膜厚)をHhpとし、この高さH,Hhpのグレイ値をそれぞれT,Tとしたとき、グレイ値Tが含まれるような、例えば下限値をグレイ値T、上限値をグレイ値Tとして範囲を設定することによって、ハーフトーン膜の領域を抽出することができる(ステップS104、図4参照)。
ハーフトーン領域の抽出が終了すると、画像処理部35dが、抽出されたハーフトーン領域に対して画像処理を行う(ステップS105,S106)。ここで、画像処理に用いるハーフトーン領域が、図5、図6(a)に示すようなパターンP1,P2間に設けられたハーフトーン膜HP1であるものとして説明する。このとき、ハーフトーン膜HP1は、パターンP1,P2側において、膜厚の不均一により得られる画像においてパターンP1,P2とハーフトーン膜HP1との境界E1,E2が不定形なものとなっている。
ステップS105において、画像処理部35dは、ハーフトーン領域に対してモルフォロジー演算などの画像膨張処理を行う。具体的には、ハーフトーン膜の境界E1,E2(図6(a)参照)に対して、ハーフトーン領域を膨張するような処理を行うことで、パターンP1,P2側に境界E1a,E2aが移動する(図6(b)参照)。この膨張処理では、例えば、図7(a)に示すような9つの画素Pcによって形成される境界E3に対して、周囲を取り囲むように画素Pcを配置するような処理を行って膨張された境界E3a(ハーフトーン領域HP1a)を形成する(図7(b)参照)。この膨張処理は、膨張対象物の外周を大きくすることによって、ハーフトーンの形成状態やノイズ等による境界E1,E2の形状の欠けや穴を埋設することができる。
また、ステップS106において、画像処理部35dは、ハーフトーン領域に対する画像収縮処理を行う。具体的には、膨張処理によって膨張したハーフトーン膜の境界E1a,E2a(図6(b)参照)に対して、ハーフトーン領域を収縮するような処理を行うことで、ハーフトーン領域を狭くする方向に境界E1b,E2bが移動する(図6(c)参照)。この収縮処理では、例えば、図7(b)に示すような25個の画素Pcによって形成される境界E3aに対して、周囲から画素Pcを1または数画素取り除く処理を行って境界E3b(ハーフトーン領域HP1b)を形成する(図7(c)参照)。
上述した膨張および収縮処理によって得られたハーフトーン領域HP1bは、図6(a)に示すハーフトーン膜の境界E1,E2と比して境界E1b,E2bが円滑になる。すなわち、ハーフトーンの形成状態やノイズ等を除去したハーフトーン領域を抽出することが可能となる。これにより、不定形の境界を擬似的に円滑にし、エッジ位置や中点位置が大きく変化することを防止できる。なお、ハーフトーンの形成状態やノイズ等を除去するため、収縮処理における収縮比率は、膨張処理における膨張比率より大きいことが好ましい。
膨張および収縮処理終了後、高さ画像生成部35bが、得られたハーフトーン領域HP1bに対してグレイ値に高さ画像を生成し、グレースケールに変換して各画素のグレイ値を算出する(ステップS107)。その後、測定部35eが、この生成された高さ画像のグレイ値を用いてハーフトーン膜の膜厚測定を行う(ステップS108)。
測定部35eは、例えば図4のように、各画素位置に応じてグレイ値をプロットし、このプロットに対して近似曲線を算出するために二次曲線近似法などによって、曲線Lを算出する。測定部35eは、算出された曲線Lの最小のグレイ値を求め、そのグレイ値をもとにベースBからの高さを算出してハーフトーン膜の膜厚を測定するとともに、その位置Gを取得する。
上述した膜厚測定処理によって、ハーフトーン膜の膜厚およびその膜厚の位置を安定して算出することができる。すなわち、本発明は、複数のパターンからなる所定の配線パターンの各パターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を画像に基づいて測定する膜厚測定方法であって、画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出し(抽出ステップ:ステップS104)、抽出したハーフトーン膜の形成領域において画像の膨張処理および収縮処理を行い(画像処理ステップ:S105,S106)、膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成し(高さ画像生成ステップ:S107)、生成された高さ画像をもとに、ハーフトーン膜の膜厚を測定する(測定ステップ:S108)ものであり、本発明の技術方案として図2における全てのステップが必要となるものではない。
上述した実施の形態によれば、画像内で抽出されたハーフトーン領域に対して膨張処理および収縮処理を行った後、グレースケールに変換して膜厚の測定およびその位置の算出を行うようにしたので、安定してハーフトーン膜の最薄部の膜厚を測定することができる。また、膨張処理を行って膨張対象物の外周を大きくすることにより、ハーフトーンの形成状態やノイズ等による境界の形状の欠けや穴を埋設することができるため、ハーフトーン膜の最薄部の膜厚測定の安定性を維持することが可能となる。
以上のように、本発明にかかる膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラムは、安定してハーフトーン膜の最薄部の膜厚を測定することに有用である。
1 FPD検査装置
2 画像取得部
3 制御機構
20 干渉対物レンズ
21 鏡筒
22 撮像部
23 昇降部
24 ステージ
30 制御部
31 入力部
32 出力部
33 記憶部
34 画像取込部
35 測定処理部
35a パターン検出部
35b 高さ画像生成部
35c 抽出部
35d 画像処理部
35e 測定部
36 検査部
P,P1,P2 パターン
HP,HP1 ハーフトーン膜
HP1a,HP1b ハーフトーン領域
W 基板

Claims (5)

  1. 隣り合うパターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を、前記複数のパターンを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定装置であって、
    前記画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出部と、
    前記抽出部が抽出した前記ハーフトーン膜の形成領域に対して画像の膨張処理を行った後、収縮処理を行う画像処理部と、
    少なくとも前記画像処理部によって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成部と、
    前記高さ画像生成部によって生成された前記高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定部と、
    を備えたことを特徴とする膜厚測定装置。
  2. 前記高さ画像生成部は、前記画像処理部による膨張処理および収縮処理が行われる前の画像に対して処理前高さ画像をさらに生成し、
    前記抽出部は、前記高さ画像生成部が生成した前記処理前高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出することを特徴とする請求項1に記載の膜厚測定装置。
  3. 前記収縮処理における収縮比率は、前記膨張処理における膨張比率より大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の膜厚測定装置。
  4. 隣り合うパターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を、前記複数のパターンを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定方法であって、
    前記画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出ステップと、
    前記抽出ステップで抽出した前記ハーフトーン膜の形成領域に対して画像の膨張処理を行った後、収縮処理を行う画像処理ステップと、
    前記画像処理ステップによって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成ステップと、
    前記高さ画像生成ステップによって生成された前記高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定ステップと、
    を含むことを特徴とする膜厚測定方法。
  5. 隣り合うパターン間に設けられるハーフトーン膜の膜厚を、前記複数のパターンを撮像した画像に基づいて測定する膜厚測定装置に、
    前記画像内における前記ハーフトーン膜の形成領域を抽出する抽出手順と、
    前記抽出手順で抽出した前記ハーフトーン膜の形成領域に対して画像の膨張処理を行った後、収縮処理を行う画像処理部と、
    前記画像処理手順によって膨張処理および収縮処理された画像における膜厚方向の高さ画像を生成する高さ画像生成手順と、
    前記高さ画像生成手順によって生成された前記高さ画像をもとに、前記ハーフトーン膜の膜厚を測定する測定手順と、
    を行わせることを特徴とする膜厚測定プログラム。
JP2012015076A 2012-01-27 2012-01-27 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム Pending JP2013156056A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012015076A JP2013156056A (ja) 2012-01-27 2012-01-27 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012015076A JP2013156056A (ja) 2012-01-27 2012-01-27 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013156056A true JP2013156056A (ja) 2013-08-15

Family

ID=49051404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012015076A Pending JP2013156056A (ja) 2012-01-27 2012-01-27 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013156056A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7664309B2 (en) Reticle inspecting apparatus and reticle inspecting method
US9007585B2 (en) Imaging overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement system
US8189903B2 (en) Photomask evaluation based on lithographic simulation using sidewall angle of photomask pattern
JP4323475B2 (ja) 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム
KR101994524B1 (ko) 포커싱 장치, 포커싱 방법 및 패턴 검사 방법
TW201937553A (zh) 微影製程和設備及檢測製程和設備
JP2016145887A (ja) 検査装置および検査方法
JP2019011972A (ja) パターンエッジ検出方法
KR20210037564A (ko) 패턴 검사 방법, 포토마스크의 검사 장치, 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20070120899A (ko) 패턴 결함 검사 방법, 포토마스크의 제조 방법, 및 표시디바이스용 기판의 제조 방법
JP2010164333A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
TW201604699A (zh) 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記憶媒體
CN111426701B (zh) 一种晶圆缺陷检测方法及其装置
JP5653724B2 (ja) 位置合わせ装置、位置合わせ方法および位置合わせプログラム
JP5378266B2 (ja) 測定領域検出方法および測定領域検出プログラム
JP2023109897A (ja) 学習装置、検査装置、アライメント装置および学習方法
KR20160142800A (ko) 계측 장치 및 계측 방법
JP2013156056A (ja) 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定プログラム
KR20140126253A (ko) 패턴 검사 장치 및 패턴 검사 방법
JP2021173915A (ja) 情報処理装置、及び情報処理方法
JP5659507B2 (ja) パターン描画装置の状態監視方法および状態監視装置
JP6903133B2 (ja) 複数イメージ粒子検出のシステム及び方法
JP2013236031A (ja) 欠陥分類装置、欠陥分類方法
US20210057289A1 (en) Method for Detecting Ultra-Small Defect on Wafer Surface
JP2012058029A (ja) 周期性パターン検査装置