JP2013152816A - Vehicle headlamp - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vehicle headlamp capable of improving uniformity of light on a light-distribution pattern and preventing generation of streaks of light.SOLUTION: A vehicle headlamp includes: a light-emitting body 15 having a plurality of semiconductor light-emitting elements 18 arranged separated in a right and left direction and a plurality of reflectors 22 for reflecting light emitted from the plurality of semiconductor light-emitting elements, respectively; and a projection lens 29 for projecting light and irradiating it outside. The light-emitting body is arranged further rearward than a focal plane of the projection lens, and the reflectors excluding a central reflector 22A each have an outer reflection section 26 located on the outside in the right and left direction, and an inner reflection section 25 located on the inside in the right and left direction with the central reflector as a reference. Here, an inclination angle with respect to an optical axis of the outer reflection section is set smaller than an inclination angle with respect to an optical axis of the inner reflection section in at least one of the reflectors.

Description

本発明は車輌用前照灯に関する。詳しくは、複数の半導体発光素子からそれぞれ出射される光を反射する複数のリフレクターに関して光軸に対する傾斜角度を所定の角度に設定して配光パターンにおける光のスジの発生を防止する技術分野に関する。   The present invention relates to a vehicle headlamp. More specifically, the present invention relates to a technical field that prevents the occurrence of light streaks in a light distribution pattern by setting an inclination angle with respect to an optical axis to a predetermined angle with respect to a plurality of reflectors that reflect light emitted from a plurality of semiconductor light emitting elements.

車輌用前照灯には、カバーとランプボデイによって形成された灯具外筐の内部に、左右方向に並ぶ複数の半導体発光素子を有する所謂アレイ（ＬＥＤアレイ）と称される発光体が配置されたものがある（例えば、特許文献１参照）。   In a vehicle headlamp, a so-called array (LED array) having a plurality of semiconductor light emitting elements arranged in the left-right direction is disposed inside a lamp housing formed by a cover and a lamp body. There are some (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載された車輌用前照灯にあっては、半導体発光素子の数や半導体発光素子間の距離等を必要に応じて設定することにより、所望の大きさや形状の配光パターンを形成することが可能である。   In the vehicle headlamp described in Patent Document 1, a light distribution pattern having a desired size and shape can be obtained by setting the number of semiconductor light emitting elements and the distance between the semiconductor light emitting elements as necessary. It is possible to form.

また、各半導体発光素子に対して個別に点消灯制御を行うことにより、対向車輌、先行車輌、歩行者等の存在位置に応じて必要な方向にのみ光を照射して幻惑光の発生等を軽減した所望の複数の配光パターンを形成することも可能である。   In addition, by performing on / off control individually for each semiconductor light emitting element, light is emitted only in the necessary direction according to the position of the oncoming vehicle, the preceding vehicle, the pedestrian, etc. It is also possible to form a plurality of reduced desired light distribution patterns.

特開２０１１−１９２６５６号公報JP 2011-192656 A

ところが、特許文献１に記載された車輌用前照灯のように、発光体としてアレイを用いた場合には、複数の半導体発光素子が所定の間隔で配置されているため、配光パターンにおいて各半導体発光素子から出射された光の分布間である境界部分の照度が低くなり、光の照度が不均一になり、境界部分が左右に離隔する縦長の複数の光のスジとして現れてしまう。   However, as in the vehicle headlamp described in Patent Document 1, when an array is used as a light emitter, a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged at predetermined intervals. The illuminance at the boundary portion between the distributions of the light emitted from the semiconductor light emitting element becomes low, the illuminance of the light becomes non-uniform, and the boundary portion appears as a plurality of vertically long streaks that are separated from side to side.

そこで、投影レンズの焦点面より後方に発光体を配置して境界部分をぼかした上で、各半導体発光素子毎に同一の形状の微少なリフレクターを設けて各リフレクターによって光の照射方向を制御して照度の不均一性を低減する方法がある。   Therefore, after arranging the light emitter behind the focal plane of the projection lens and blurring the boundary part, each semiconductor light emitting element is provided with a minute reflector of the same shape, and the light irradiation direction is controlled by each reflector. There is a method for reducing the unevenness of illuminance.

しかしながら、投影レンズの焦点面より後方に発光体を配置し、各半導体発光素子毎に微少なリフレクターを設けた場合においても、光のスジの発生は低減されるが、光のスジの発生を解消するには至らない。   However, even when a light emitter is placed behind the focal plane of the projection lens and a minute reflector is provided for each semiconductor light emitting element, the generation of light streaks is reduced, but the generation of light streaks is eliminated. It does n’t work.

そこで、本発明車輌用前照灯は、配光パターンにおける光の均一性の向上を図り光のスジの発生を防止することを課題とする。   Therefore, an object of the vehicle headlamp of the present invention is to improve the uniformity of light in the light distribution pattern and prevent the generation of light streaks.

車輌用前照灯は、上記した課題を解決するために、左右方向において離隔して配置された複数の半導体発光素子と前記複数の半導体発光素子からそれぞれ出射される光を反射する複数のリフレクターとを有する発光体と、前記半導体発光素子から出射される光を投影して外部へ照射する投影レンズとを備え、前記発光体が前記投影レンズの焦点面より後方に配置され、前記複数のリフレクターのうち左右方向における中央部に位置された前記リフレクターが中央リフレクターとして設けられ、前記中央リフレクター以外の前記リフレクターは、前記中央リフレクターを基準として左右方向における外側に位置する外側反射部と左右方向における内側に位置する内側反射部とを有し、前記リフレクターの少なくとも一部において、前記外側反射部の光軸に対する傾斜角度が前記内側反射部の光軸に対する傾斜角度より小さくされたものである。   In order to solve the above-described problem, a vehicle headlamp includes a plurality of semiconductor light emitting elements that are spaced apart in the left-right direction and a plurality of reflectors that reflect light emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements, respectively. And a projection lens that projects the light emitted from the semiconductor light emitting element and irradiates the light to the outside, the light emitter is disposed behind the focal plane of the projection lens, and the plurality of reflectors Among them, the reflector located in the center in the left-right direction is provided as a center reflector, and the reflectors other than the center reflector are located on the outside in the left-right direction with respect to the center reflector and on the inside in the left-right direction. And at least a part of the reflector, the outer reflection In which the angle of inclination relative to the optical axis is smaller than the inclination angle with respect to the optical axis of the inner reflecting portion.

従って、車輌用前照灯にあっては、配光パターンにおいて各半導体発光素子から出射された光の分布間である境界部分の照度が高くなる。   Therefore, in the vehicle headlamp, the illuminance at the boundary portion between the distributions of the light emitted from the respective semiconductor light emitting elements in the light distribution pattern is increased.

本発明車輌用前照灯は、左右方向において離隔して配置された複数の半導体発光素子と前記複数の半導体発光素子からそれぞれ出射される光を反射する複数のリフレクターとを有する発光体と、前記半導体発光素子から出射される光を投影して外部へ照射する投影レンズとを備え、前記発光体が前記投影レンズの焦点面より後方に配置され、前記複数のリフレクターのうち左右方向における中央部に位置された前記リフレクターが中央リフレクターとして設けられ、前記中央リフレクター以外の前記リフレクターは、前記中央リフレクターを基準として左右方向における外側に位置する外側反射部と左右方向における内側に位置する内側反射部とを有し、前記リフレクターの少なくとも一部において、前記外側反射部の光軸に対する傾斜角度が前記内側反射部の光軸に対する傾斜角度より小さくされたことを特徴とする。   The vehicle headlamp according to the present invention includes a light emitter having a plurality of semiconductor light emitting elements spaced apart in the left-right direction and a plurality of reflectors that reflect light emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements, and A projection lens for projecting light emitted from the semiconductor light emitting element and irradiating the light to the outside, the light emitter is disposed behind the focal plane of the projection lens, and a central portion in the left-right direction among the plurality of reflectors The positioned reflector is provided as a central reflector, and the reflectors other than the central reflector include an outer reflecting portion positioned outside in the left-right direction and an inner reflecting portion positioned inside in the left-right direction with respect to the central reflector. An inclination angle with respect to the optical axis of the outer reflecting portion in at least a part of the reflector Characterized in that it is smaller than the inclination angle with respect to the optical axis of the inner reflecting portion.

従って、配光パターンにおいて各半導体発光素子から出射された光の分布間である境界部分の照度が高くなり、配光パターンにおける光の均一性の向上が図られ、光のスジの発生を防止することができる。   Accordingly, the illuminance at the boundary portion between the distributions of the light emitted from each semiconductor light emitting element in the light distribution pattern is increased, the light uniformity in the light distribution pattern is improved, and the occurrence of light streaks is prevented. be able to.

請求項２に記載した発明にあっては、前記外側反射部の光軸に対する傾斜角度が、前記中央リフレクターを基準として左右方向における外側へ行くに従って小さくなるようにしている。   In the invention described in claim 2, the inclination angle of the outer reflecting portion with respect to the optical axis is made smaller as it goes outward in the left-right direction with respect to the central reflector.

従って、配光パターンにおける光の均一性のより一層の向上が図られ、光のスジの発生を防止することができる。   Therefore, the light uniformity in the light distribution pattern can be further improved, and the generation of light streaks can be prevented.

請求項３に記載した発明にあっては、隣り合って位置する前記半導体発光素子の距離が前記半導体発光素子の左右方向における長さより長くされている。   In the invention described in claim 3, the distance between the adjacent semiconductor light emitting elements is longer than the length of the semiconductor light emitting element in the left-right direction.

従って、半導体発光素子の数を減じて配光パターンを形成することができ、車輌用前照灯の製造コストの低減を確保した上で良好な配光パターンを形成することができる。   Therefore, it is possible to form a light distribution pattern by reducing the number of semiconductor light emitting elements, and it is possible to form a good light distribution pattern while ensuring a reduction in the manufacturing cost of the vehicle headlamp.

請求項４に記載した発明にあっては、前記複数の半導体発光素子がそれぞれ搭載される複数の基板が設けられている。   In a fourth aspect of the invention, a plurality of substrates on which the plurality of semiconductor light emitting elements are respectively mounted are provided.

従って、半導体発光素子の位置を自由に設定して半導体発光素子間の距離を任意に設定することが可能になり、半導体発光素子の位置に関して設計の自由度の向上を図ることができる。   Therefore, it is possible to arbitrarily set the distance between the semiconductor light emitting elements by freely setting the positions of the semiconductor light emitting elements, and to improve the degree of design freedom with respect to the positions of the semiconductor light emitting elements.

請求項５に記載した発明にあっては、前記複数の半導体発光素子又は前記複数の半導体発光素子がそれぞれ搭載される複数の基板が配置されるベース板が設けられ、前記ベース板は左右方向における中央部が最も前側に位置する階段状に形成され、前記ベース板の各段差間に位置された前方を向く面がそれぞれ配置面として形成され、前記各配置面にそれぞれ前記半導体発光素子又は前記基板が配置されている。   In the invention described in claim 5, a base plate on which the plurality of semiconductor light emitting elements or a plurality of substrates on which the plurality of semiconductor light emitting elements are respectively mounted is provided is provided, and the base plate is provided in the left-right direction. A central portion is formed in a step shape with the frontmost position, and a front-facing surface positioned between the steps of the base plate is formed as an arrangement surface, and the semiconductor light emitting element or the substrate is formed on each of the arrangement surfaces. Is arranged.

従って、配光パターンの左右の両端側の部分を形成する光の分布の左右方向における幅が大きくなり、光の分布の重なりが大きくなるため、光のスジをより一層有効に解消することができる。   Accordingly, the width of the light distribution forming the left and right end portions of the light distribution pattern is increased in the left-right direction, and the overlap of the light distribution is increased, so that the light streaks can be more effectively eliminated. .

以下に、本発明車輌用前照灯を実施するための最良の形態について添付図面を参照して説明する。   The best mode for carrying out the vehicle headlamp of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

車輌用前照灯１は、ランプボデイ２とランプボデイ２の前端部に取り付けられたカバー３とによって構成された灯具外筐４の内部が灯室５として形成され、灯室５に第１の灯具ユニット６と第２の灯具ユニット７が左右に離隔して配置されている（図１及び図２参照）。   The vehicular headlamp 1 is formed as a lamp chamber 5 in the interior of a lamp outer casing 4 formed by a lamp body 2 and a cover 3 attached to the front end of the lamp body 2. The lamp unit 6 and the second lamp unit 7 are spaced apart from each other (see FIGS. 1 and 2).

第１の灯具ユニット６は反射鏡８と反射鏡８に取り付けられた光源９と光源９から出射される光の一部を遮蔽するシェード１０とを有し、近距離を照射するロービーム用として設けられている。光源９としては、例えば、放電バルブが用いられている。   The first lamp unit 6 includes a reflecting mirror 8, a light source 9 attached to the reflecting mirror 8, and a shade 10 that shields a part of the light emitted from the light source 9, and is provided for a low beam that irradiates a short distance. It has been. As the light source 9, for example, a discharge bulb is used.

反射鏡８には外方へ突出された三つの連結部８ａ、８ａ、８ａが設けられている。   The reflecting mirror 8 is provided with three connecting portions 8a, 8a, 8a protruding outward.

第１の灯具ユニット６は反射鏡８の連結部８ａ、８ａ、８ａにそれぞれ螺合されて連結されたエイミング軸１１、１１、１１を介してランプボデイ２に傾動自在に支持されている。エイミング軸１１が回転されると、このエイミング軸１１が螺合された以外の連結部８ａ、８ａを支点として第１の灯具ユニット６が左右方向又は上下方向へ傾動され、第１の灯具ユニット６の光軸調整（エイミング調整）が行われる。   The first lamp unit 6 is tiltably supported by the lamp body 2 via aiming shafts 11, 11, 11 that are screwed and connected to the connecting portions 8 a, 8 a, 8 a of the reflecting mirror 8. When the aiming shaft 11 is rotated, the first lamp unit 6 is tilted in the left-right direction or the up-down direction with the connecting portions 8a, 8a other than the threaded engagement of the aiming shaft 11 as a fulcrum. The optical axis is adjusted (aiming adjustment).

第２の灯具ユニット７は灯室５に配置されたブラケット１２に所要の各部が取り付けられて成り、遠距離を照射するハイビーム用として設けられている。   The second lamp unit 7 is formed by attaching necessary parts to a bracket 12 disposed in the lamp chamber 5, and is provided for a high beam for irradiating a long distance.

ブラケット１２は熱伝導性の高い金属材料によって形成され、上下両端部に被支持部１２ａ、１２ａ、１２ａが設けられている。ブラケット１２の後面には放熱部材（放熱フィン）１３が取り付けられている。放熱部材１３の後面には放熱用ファン１４が取り付けられている。   The bracket 12 is formed of a metal material having high thermal conductivity, and supported portions 12a, 12a, and 12a are provided at both upper and lower ends. A heat radiating member (heat radiating fin) 13 is attached to the rear surface of the bracket 12. A heat radiating fan 14 is attached to the rear surface of the heat radiating member 13.

ブラケット１２の前面における中央部には発光体１５が取り付けられている。発光体１５は、図３に示すように、ブラケット１２の前面に取り付けられたベース板１６とベース板１６の前面に左右に離隔して配置された基板１７、１７、・・・と基板１７、１７、・・・の前面にそれぞれ搭載された半導体発光素子１８、１８、・・・とを有している。   A light emitter 15 is attached to the center of the front surface of the bracket 12. As shown in FIG. 3, the light emitter 15 includes a base plate 16 attached to the front surface of the bracket 12, and substrates 17, 17,. The semiconductor light-emitting elements 18, 18,.

半導体発光素子１８は後側に位置する半導体層１８ａと半導体層１８ａの前面に積層された蛍光体層１８ｂとを有している。半導体発光素子１８、１８、・・・のうち左右方向における中央部に位置された半導体発光素子１８は中央半導体発光素子１８Ａとして設けられている。   The semiconductor light emitting device 18 includes a semiconductor layer 18a located on the rear side and a phosphor layer 18b stacked on the front surface of the semiconductor layer 18a. Among the semiconductor light emitting elements 18, 18,..., The semiconductor light emitting element 18 positioned at the center in the left-right direction is provided as a central semiconductor light emitting element 18A.

半導体発光素子１８、１８、・・・としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が用いられている。   As the semiconductor light emitting elements 18, 18,..., For example, light emitting diodes (LEDs) are used.

半導体発光素子１８、１８、・・・には図示しない点灯回路から各別に駆動電流が供給され、駆動電流が供給された半導体発光素子１８、１８、・・・は点灯され、駆動電流が供給されなかった半導体発光素子１８、１８、・・・は消灯された状態が維持される。   The semiconductor light emitting elements 18, 18,... Are each supplied with a driving current from a lighting circuit (not shown), and the semiconductor light emitting elements 18, 18,. The semiconductor light-emitting elements 18, 18,.

また、半導体発光素子１８、１８、・・・に対しては、点灯回路から供給される駆動電流の電流値を変更する制御を各別に行うことが可能とされている。   Further, for the semiconductor light emitting elements 18, 18,..., Control for changing the current value of the drive current supplied from the lighting circuit can be performed separately.

ブラケット１２の前面には反射部材１９が取り付けられている。反射部材１９は半導体発光素子１８、１８、・・・の前面側に位置された前後方向を向く板状のリフレクター形成部２０とリフレクター形成部２０の外周部から後方へ突出された被取付部２１とから成り、被取付部２１がブラケット１２に取り付けられている。   A reflection member 19 is attached to the front surface of the bracket 12. The reflecting member 19 is a plate-like reflector forming portion 20 facing the front-rear direction located on the front side of the semiconductor light emitting elements 18, 18... And a mounted portion 21 protruding rearward from the outer peripheral portion of the reflector forming portion 20. The attached portion 21 is attached to the bracket 12.

リフレクター形成部２０には左右に並ぶ複数のリフレクター２２、２２、・・・が形成され、リフレクター２２、２２、・・・がそれぞれ半導体発光素子１８、１８、・・・に応じて位置されている（図３及び図４参照）。中央半導体発光素子１８Ａに応じて位置されたリフレクター２２は中央リフレクター２２Ａとして設けられている。   A plurality of reflectors 22, 22,... Arranged side by side are formed in the reflector forming portion 20, and the reflectors 22, 22,... Are positioned according to the semiconductor light emitting elements 18, 18,. (See FIGS. 3 and 4). The reflector 22 positioned according to the central semiconductor light emitting element 18A is provided as the central reflector 22A.

リフレクター２２は四つの反射部、即ち、上側に位置する上側反射部２３と下側に位置する下側反射部２４と中央リフレクター２２Ａを基準として左右方向における内側に位置する内側反射部２５と中央半導体発光素子１８Ａを基準として左右方向における外側に位置する外側反射部２６とによって形成されている。   The reflector 22 has four reflecting portions, that is, an upper reflecting portion 23 located on the upper side, a lower reflecting portion 24 located on the lower side, an inner reflecting portion 25 located on the inner side in the left-right direction with respect to the central reflector 22A, and a central semiconductor. The light-emitting element 18A is formed with the outer reflecting portion 26 located outside in the left-right direction with reference to the light-emitting element 18A.

中央リフレクター２２Ａは上側反射部２３と下側反射部２４と左右に位置する横側反射部２７、２７とによって形成されている。   The central reflector 22A is formed by an upper reflecting portion 23, a lower reflecting portion 24, and lateral side reflecting portions 27, 27 located on the left and right.

上側反射部２３、下側反射部２４、内側反射部２５、外側反射部２６及び横側反射部２７、２７は、例えば、放物面に形成されている。   The upper reflection part 23, the lower reflection part 24, the inner reflection part 25, the outer reflection part 26, and the lateral reflection parts 27 and 27 are formed on a paraboloid, for example.

ブラケット１２の前面にはレンズホルダー２８が取り付けられている（図１参照）。レンズホルダー２８は前後方向に貫通された略円筒状に形成され、発光体１５を覆うようにしてブラケット１２に取り付けられている。   A lens holder 28 is attached to the front surface of the bracket 12 (see FIG. 1). The lens holder 28 is formed in a substantially cylindrical shape penetrating in the front-rear direction, and is attached to the bracket 12 so as to cover the light emitter 15.

レンズホルダー２８の前端部には投影レンズ２９が取り付けられている。投影レンズ２９は前方に凸の略半球状に形成され、後側焦点を含む焦点面Ｓを有し、半導体発光素子１８、１８、・・・から出射された光を前方へ投影する。   A projection lens 29 is attached to the front end portion of the lens holder 28. The projection lens 29 is formed in a substantially hemispherical shape convex forward, has a focal plane S including a rear focal point, and projects light emitted from the semiconductor light emitting elements 18, 18,.

発光体１５は焦点面Ｓの後方に位置されている。   The light emitter 15 is located behind the focal plane S.

第２の灯具ユニット７はブラケット１２の被支持部１２ａ、１２ａ、１２ａにそれぞれ螺合されて連結されたエイミングスクリュー３０、３０、３０を介してランプボデイ２に傾動自在に支持されている。エイミングスクリュー３０が回転されると、このエイミングスクリュー３０が螺合された以外の被支持部１２ａ、１２ａを支点として第２の灯具ユニット７が左右方向又は上下方向へ傾動され、第２の灯具ユニット７の光軸調整（エイミング調整）が行われる。   The second lamp unit 7 is tiltably supported by the lamp body 2 via aiming screws 30, 30, 30 that are screwed and connected to the supported portions 12 a, 12 a, 12 a of the bracket 12. When the aiming screw 30 is rotated, the second lamp unit 7 is tilted in the left-right direction or the up-down direction with the supported parts 12a, 12a other than the aiming screw 30 being screwed together as a fulcrum. 7 optical axis adjustment (aiming adjustment) is performed.

尚、車輌用前照灯１にあっては、図示しないレベリングアクチュエーターを設け、レベリングアクチュエーターの駆動により第１の灯具ユニット６と第２の灯具ユニット７がそれぞれ上下方向へ傾動されて車載物の重量に応じて光軸の向きを調整するレベリング調整が行われるようにしてもよい。   The vehicle headlamp 1 is provided with a leveling actuator (not shown), and the first lamp unit 6 and the second lamp unit 7 are tilted in the vertical direction by the driving of the leveling actuator, respectively. Accordingly, leveling adjustment for adjusting the direction of the optical axis may be performed.

以下に、上記した発光体１５の具体的な構成について説明する（図５及び図６参照）。   Hereinafter, a specific configuration of the above-described light emitter 15 will be described (see FIGS. 5 and 6).

半導体発光素子１８、１８、・・・は、例えば、左右に離隔して１１個が配置され、隣り合って位置する半導体発光素子１８、１８、・・・間の距離Ｌ、Ｌ、・・・が半導体発光素子１８、１８、・・・の左右方向における長さＨ、Ｈ、・・・より長くされている（図５参照）。また、距離Ｌ、Ｌ、・・・は一定又は中央半導体発光素子１８Ａを基準として左右方向における外側へ行くに従って長くなるようにされている。   The semiconductor light-emitting elements 18, 18,... Are, for example, 11 pieces spaced apart from each other on the left and right, and the distances L, L,... Between the semiconductor light-emitting elements 18, 18,. Are longer than the lengths H, H,... Of the semiconductor light emitting elements 18, 18,. Further, the distances L, L,... Are fixed or become longer toward the outside in the left-right direction with respect to the central semiconductor light emitting element 18A.

リフレクター２２、２２、・・・においては、外側反射部２６の光軸Ｐに対する傾斜角度θｏが内側反射部２５の光軸Ｐに対する傾斜角度θｉより小さくされている。中央リフレクター２２Ａにおける横側反射部２７、２７の光軸Ｐに対する傾斜角度は同じにされている。   In the reflectors 22, 22,..., The inclination angle θo of the outer reflection part 26 with respect to the optical axis P is smaller than the inclination angle θi of the inner reflection part 25 with respect to the optical axis P. The inclination angle with respect to the optical axis P of the lateral reflecting portions 27, 27 in the central reflector 22A is the same.

尚、反射部材１９にあっては、左右方向における両端部又は左右方向における両端寄りに位置するリフレクター２２、２２、・・・においては、半導体発光素子１８、１８、・・・から出射される光の拡散角度をより大きくするために、傾斜角度θｏが内側反射部２５の光軸Ｐに対する傾斜角度θｉと同じか大きくされていてもよい。   In the reflecting member 19, the light emitted from the semiconductor light emitting elements 18, 18,... At the reflectors 22, 22,. In order to further increase the diffusion angle, the inclination angle θo may be the same as or larger than the inclination angle θi of the inner reflection portion 25 with respect to the optical axis P.

また、リフレクター２２、２２、・・・においては、外側反射部２６、２６、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｏ、θｏ、・・・が中央リフレクター２２Ａを基準として左右方向における外側へ行くに従って小さくなるようにされている。   In addition, in the reflectors 22, 22,..., The inclination angles θo, θo,... Of the outer reflecting portions 26, 26, ... with respect to the optical axis P go outward in the left-right direction with respect to the central reflector 22A. To be smaller.

尚、反射部材１９にあっては、左右方向における両端部又は左右方向における両端寄りに位置するリフレクター２２、２２、・・・においては、半導体発光素子１８、１８、・・・から出射される光の拡散角度をより大きくするために、傾斜角度θｏがその内側のθｏと同じか大きくされていてもよい。   In the reflecting member 19, the light emitted from the semiconductor light emitting elements 18, 18,... At the reflectors 22, 22,. In order to further increase the diffusion angle, the inclination angle θo may be the same as or larger than the inner θo.

上記のように構成された発光体１５の各半導体発光素子１８、１８、・・・から光が出射されると、出射された光はリフレクター２２、２２、・・・で反射され又はリフレクター２２、２２、・・・で反射されずに投影レンズ２９に入射され、投影レンズ２９によって投影されて外部へ照射され、ハイビーム用の配光パターンＴＨが形成される（図６参照）。また、第１の灯具ユニット６の光源９から光が出射されると、ロービーム用の配光パターンＴＬが形成される。   When light is emitted from each of the semiconductor light emitting elements 18, 18,... Of the light emitter 15 configured as described above, the emitted light is reflected by the reflectors 22, 22,. Are incident on the projection lens 29 without being reflected by the projection lens 29, projected by the projection lens 29, and irradiated to the outside to form a high beam light distribution pattern TH (see FIG. 6). Further, when light is emitted from the light source 9 of the first lamp unit 6, a light distribution pattern TL for low beam is formed.

ハイビーム用の配光パターンＴＨは各半導体発光素子１８、１８、・・・から出射された光の分布Ｔ１、Ｔ２、・・・が合成されて形成され、光の分布Ｔ１、Ｔ２、・・・は左右方向において重なり合っている。   The light distribution pattern TH for the high beam is formed by combining the light distributions T1, T2,... Emitted from the semiconductor light emitting elements 18, 18,. Are overlapping in the left-right direction.

光の分布Ｔ１、Ｔ２、・・・にあっては、左右方向における中央部において左右の幅が最も小さく、左右方向における外側へ行くに従って左右の幅が順次大きくされている。また、光の分布Ｔ１、Ｔ２、・・・にあっては、左右方向における中央部において上下の幅が最も大きく、左右方向における外側へ行くに従って上下の幅が順次小さくされている。   In the light distributions T1, T2,..., The left and right widths are the smallest at the center in the left and right direction, and the left and right widths are sequentially increased toward the outside in the left and right direction. Further, in the light distributions T1, T2,..., The vertical width is the largest in the central portion in the left-right direction, and the vertical width is sequentially reduced toward the outside in the left-right direction.

図７は、左右方向における中央に位置する３個の半導体発光素子を点灯したときの配光パターンにおける光の分布を示すグラフ図である。横軸は位置を示し「０」は左右方向における中央であり、縦軸は照度を示す。実線は各半導体発光素子から出射された光の分布であり、破線は３個の半導体発光素子から出射された光の合成した分布である。   FIG. 7 is a graph showing the light distribution in the light distribution pattern when three semiconductor light emitting elements located at the center in the left-right direction are turned on. The horizontal axis indicates the position, “0” is the center in the left-right direction, and the vertical axis indicates the illuminance. A solid line is a distribution of light emitted from each semiconductor light emitting element, and a broken line is a combined distribution of light emitted from three semiconductor light emitting elements.

上段のグラフ図はリフレクターの各反射部の光軸に対する傾斜角度が同じにされた従来の車輌用前照灯の発光体から光が出射されたときの配光パターンにおける光の分布を示し、下段のグラフ図は本発明に係る車輌用前照灯１の発光体１５から光が出射されたときの配光パターンにおける光の分布を示す。   The upper graph shows the light distribution in the light distribution pattern when light is emitted from the light emitter of the conventional vehicle headlamp in which the angle of inclination of each reflector of the reflector with respect to the optical axis is the same. This graph shows the light distribution in the light distribution pattern when light is emitted from the light emitter 15 of the vehicle headlamp 1 according to the present invention.

図７に示すように、従来の車輌用前照灯においては、照度が不均一であり、照度の凹凸が生じている部分Ａ、Ａで光のスジが発生する。一方、車輌用前照灯１にあっては、リフレクター２２、２２、・・・において外側反射部２６、２６、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｏがそれぞれ内側反射部２５、２５、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｉより小さくされることにより、照度の均一化が図られており、光のスジが解消される。   As shown in FIG. 7, in the conventional vehicle headlamp, the illuminance is non-uniform, and light streaks occur at portions A and A where the illuminance unevenness is generated. On the other hand, in the vehicle headlamp 1, in the reflectors 22, 22,..., The inclination angles θo of the outer reflecting portions 26, 26,. By making the inclination angle θi smaller than the optical axis P, the illuminance is made uniform and the streak of light is eliminated.

図８は、１１個の半導体発光素子を全て点灯したときの配光パターンにおける光の分布を示すグラフ図である。横軸は位置を示し「０」は左右方向における中央であり、縦軸は照度を示す。実線は各半導体発光素子から出射された光の照度分布であり、破線は１１個の半導体発光素子から出射された光の合成した照度分布である。   FIG. 8 is a graph showing the light distribution in the light distribution pattern when all 11 semiconductor light emitting elements are turned on. The horizontal axis indicates the position, “0” is the center in the left-right direction, and the vertical axis indicates the illuminance. The solid line is the illuminance distribution of the light emitted from each semiconductor light emitting element, and the broken line is the combined illuminance distribution of the light emitted from the 11 semiconductor light emitting elements.

尚、図８においては、中央に位置する半導体発光素子に最も大きな駆動電流を供給し、左右方向における外側に位置する半導体発光素子には供給する駆動電流を順次低くしているため、外側へ行くに従って照度が低くなっている。   In FIG. 8, the largest driving current is supplied to the semiconductor light emitting element located at the center, and the driving current supplied to the semiconductor light emitting elements located outside in the left-right direction is sequentially decreased, so that the driving current goes outward. According to the illuminance is low.

上段のグラフ図はリフレクターの各反射部の光軸に対する傾斜角度が同じにされた従来の車輌用前照灯の発光体から光が出射されたときの配光パターンにおける光の分布を示し、下段のグラフ図は本発明に係る車輌用前照灯１の発光体１５から光が出射されたときの配光パターンにおける光の分布を示す。   The upper graph shows the light distribution in the light distribution pattern when light is emitted from the light emitter of the conventional vehicle headlamp in which the angle of inclination of each reflector of the reflector with respect to the optical axis is the same. This graph shows the light distribution in the light distribution pattern when light is emitted from the light emitter 15 of the vehicle headlamp 1 according to the present invention.

図８に示すように、従来の車輌用前照灯においては、照度が不均一であり、特に、照度の凹凸が生じている部分Ｂ、Ｂで光のスジが発生し易い。一方、車輌用前照灯１にあっては、リフレクター２２、２２、・・・において外側反射部２６、２６、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｏがそれぞれ内側反射部２５、２５、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｉより小さくされることにより、照度の均一化が図られており、光のスジが解消される。   As shown in FIG. 8, in the conventional vehicle headlamp, the illuminance is non-uniform, and in particular, light streaks are likely to occur at portions B and B where the unevenness of the illuminance occurs. On the other hand, in the vehicle headlamp 1, in the reflectors 22, 22,..., The inclination angles θo of the outer reflecting portions 26, 26,. By making the inclination angle θi smaller than the optical axis P, the illuminance is made uniform and the streak of light is eliminated.

次に、発光体の第１の変形例及び第２の変形例について説明する（図９及び図１０参照）。   Next, a first modification and a second modification of the light emitter will be described (see FIGS. 9 and 10).

第１の変形例に係る発光体１５Ａは、上記した発光体１５と比較して、基板１７、１７、・・・が設けられていないことのみが相違する。従って、発光体１５Ａについては、発光体１５と比較して異なる部分についてのみ詳細に説明をし、その他の部分については発光体１５における同様の部分に付した符号と同じ符号を付して説明は省略する。   The light emitter 15A according to the first modification is different from the light emitter 15 only in that the substrates 17, 17,... Are not provided. Accordingly, the light emitter 15A will be described in detail only with respect to the parts different from the light emitter 15, and the other parts will be denoted by the same reference numerals as those assigned to the same parts in the light emitter 15. Omitted.

第１の変形例に係る発光体１５Ａは、図９に示すように、ブラケット１２の前面に取り付けられたベース板１６とベース板１６の前面に左右に離隔して搭載された半導体発光素子１８、１８、・・・とを有している。ベース板１６の前面には所定の導電回路が形成されており、導電回路の各接続部に半導体発光素子１８、１８、・・・が搭載され、半導体発光素子１８、１８、・・・には導電回路を介して点灯回路から各別に駆動電流が供給される。   As shown in FIG. 9, the light emitter 15A according to the first modification includes a base plate 16 attached to the front surface of the bracket 12 and a semiconductor light emitting element 18 mounted on the front surface of the base plate 16 so as to be separated from the left and right. 18... A predetermined conductive circuit is formed on the front surface of the base plate 16, and semiconductor light-emitting elements 18, 18,... Are mounted on each connection portion of the conductive circuit, and the semiconductor light-emitting elements 18, 18,. A driving current is separately supplied from the lighting circuit via the conductive circuit.

このように発光体１５Ａにあっては、基板１７、１７、・・・が設けられていないことにより、構造の簡素化及び小型化を図ることができる。   Thus, in the light emitter 15A, since the substrates 17, 17,... Are not provided, the structure can be simplified and downsized.

第２の変形例に係る発光体１５Ｂは、上記した発光体１５と比較して、ベース板の形状が異なることのみが相違する。従って、発光体１５Ｂについては、発光体１５と比較して異なる部分についてのみ詳細に説明をし、その他の部分については発光体１５における同様の部分に付した符号と同じ符号を付して説明は省略する。   The light emitter 15B according to the second modification is different from the light emitter 15 described above only in that the shape of the base plate is different. Accordingly, the light emitter 15B will be described in detail only for the parts that are different from the light emitter 15, and the other parts will be denoted by the same reference numerals as those for the similar parts in the light emitter 15. Omitted.

第２の変形例に係る発光体１５Ｂは、図１０に示すように、ブラケット１２の前面に取り付けられたベース板１６Ｂとベース板１６Ｂとベース板１６Ｂの前面に左右に離隔して配置された基板１７、１７、・・・と基板１７、１７、・・・の前面にそれぞれ搭載された半導体発光素子１８、１８、・・・とを有している。   As shown in FIG. 10, the light emitter 15B according to the second modification includes a base plate 16B attached to the front surface of the bracket 12, a base plate 16B, and a substrate disposed on the front surface of the base plate 16B so as to be separated from each other on the left and right. , And semiconductor light-emitting elements 18, 18,... Mounted on the front surfaces of the substrates 17, 17,.

ベース板１６Ｂは左右方向における中央部が最も前側に位置し左右両端部が最も後側に位置する階段状に形成されている。ベース板１６Ｂの各段差１６ａ、１６ａ、・・・間に位置された前方を向く面はそれぞれ配置面１６ｂ、１６ｂ、・・・として形成されている。   The base plate 16B is formed in a staircase shape in which the center portion in the left-right direction is located on the most front side and both left and right end portions are located on the most rear side. .. Of the base plate 16B located between the steps 16a, 16a,... Are formed as arrangement surfaces 16b, 16b,.

基板１７、１７、・・・はそれぞれ配置面１６ｂ、１６ｂ、・・・に左右に離隔して一つ又は複数が配置されている。   One or more substrates 17, 17,... Are arranged on the arrangement surfaces 16 b, 16 b,.

尚、ベース板１６Ｂの段数は複数であればよく、図１０に示すように、３段にされていてもよく、また、２段や４段以上にされていてもよい。   Note that the number of steps of the base plate 16B may be plural, and may be three as shown in FIG. 10, or may be two or four or more.

ブラケット１２の前面には反射部材１９Ｂが取り付けられている。反射部材１９Ｂは半導体発光素子１８、１８、・・・の前面側に位置された前後方向を向く板状のリフレクター形成部２０Ｂとリフレクター形成部２０Ｂの外周部から後方へ突出された被取付部２１とから成り、被取付部２１がブラケット１２に取り付けられている。   A reflection member 19 </ b> B is attached to the front surface of the bracket 12. The reflecting member 19B is a plate-like reflector forming portion 20B positioned in the front-rear direction located on the front side of the semiconductor light emitting elements 18, 18,... And the attached portion 21 protruding rearward from the outer peripheral portion of the reflector forming portion 20B. The attached portion 21 is attached to the bracket 12.

リフレクター形成部２０Ｂはベース板１６Ｂの形状と同様に中央部が最も前側に位置し左右両端部が最も後側に位置する階段状に形成されている。   Similarly to the shape of the base plate 16B, the reflector forming portion 20B is formed in a staircase shape in which the central portion is located on the most front side and the left and right end portions are located on the most rear side.

上記のように発光体１５Ｂにあっては、ベース板１６Ｂの左右方向における中央部が最も前側に位置する階段状に形成されているため、左右方向における両端側に位置する半導体発光素子１８、１８、・・・と投影レンズ２９の焦点面Ｓとの距離が大きくなる。   As described above, in the light emitter 15B, since the central portion in the left-right direction of the base plate 16B is formed in a stepped shape that is located on the most front side, the semiconductor light-emitting elements 18, 18 located on both ends in the left-right direction. ,... And the focal plane S of the projection lens 29 increase.

従って、配光パターンの左右の両端側の部分を形成する光の分布の左右方向における幅が大きくなり、光の分布の重なりが大きくなるため、光のスジをより一層有効に解消することができる。   Accordingly, the width of the light distribution forming the left and right end portions of the light distribution pattern is increased in the left-right direction, and the overlap of the light distribution is increased, so that the light streaks can be more effectively eliminated. .

また、配光パターンにおける中央部では高い照度を確保する必要があるが、左右方向における外周側では中央部のような高い照度を必要としないため、左右方向における両端側に位置する半導体発光素子１８、１８、・・・間の距離を中央部に位置する半導体発光素子１８、１８、・・・間の距離より大きくしてもよい。   Moreover, although it is necessary to ensure high illuminance at the central portion in the light distribution pattern, since high illuminance as in the central portion is not required on the outer peripheral side in the left-right direction, the semiconductor light emitting elements 18 located at both ends in the left-right direction , 18,... May be larger than the distance between the semiconductor light emitting elements 18, 18,.

このように左右方向における両端側に位置する半導体発光素子１８、１８、・・・間の距離を大きくすることにより、半導体発光素子１８、１８、・・・の数を減じてハイビームの配光パターンを形成することができ、車輌用前照灯１の製造コストの低減を確保した上で良好な配光パターンを形成することができる。   As described above, by increasing the distance between the semiconductor light-emitting elements 18, 18,... Located on both ends in the left-right direction, the number of semiconductor light-emitting elements 18, 18,. A good light distribution pattern can be formed while ensuring a reduction in the manufacturing cost of the vehicular headlamp 1.

尚、上記した発光体１５Ｂにあっては、ベース板１６Ｂの前面に基板１７、１７、・・・を配置し基板１７、１７、・・・の前面にそれぞれ半導体発光素子１８、１８、・・・を搭載した例を示したが、発光体１５Ｂにあっても発光体１５Ａと同様に、ベース板１６Ｂの前面に半導体発光素子１８、１８、・・・を搭載してもよい。   In the above-described light emitter 15B, the substrates 17, 17,... Are arranged on the front surface of the base plate 16B, and the semiconductor light emitting elements 18, 18,. However, the semiconductor light emitting elements 18, 18,... May be mounted on the front surface of the base plate 16B as well as the light emitter 15A.

このように発光体１５Ｂにあっても、基板１７、１７、・・・を設けないことにより、構造の簡素化及び小型化を図ることができる。   Thus, even in the light emitter 15B, the structure can be simplified and miniaturized by not providing the substrates 17, 17,.

また、上記には、左右方向において段差が形成された発光体１５Ｂを示したが、例えば、上下方向においても段差を形成し、上下方向において形成された段差間に位置された前方を向く配置面に基板と半導体発光素子又は半導体発光素子を配置してもよい。   Moreover, although the light emitter 15B in which a step is formed in the left-right direction is shown above, for example, a step is also formed in the up-down direction, and an arrangement surface facing the front positioned between the steps formed in the up-down direction. A substrate and a semiconductor light emitting element or a semiconductor light emitting element may be disposed on the substrate.

上下方向において段差を形成し上下に位置する配置面に基板と半導体発光素子又は半導体発光素子を配置することにより、例えば、上下の一方に配置された半導体発光素子から出射される光によって上方の標識等を照射するための所謂オーバーヘッドサイン用の配光パターンを形成することが可能である。   By forming a step in the vertical direction and arranging the substrate and the semiconductor light emitting element or the semiconductor light emitting element on the upper and lower arrangement surfaces, for example, an upper indicator by light emitted from one of the upper and lower semiconductor light emitting elements It is possible to form a so-called overhead sign light distribution pattern for irradiating the light.

以上に記載した通り、車輌用前照灯１にあっては、発光体１５、１５Ａ、１５Ｂが投影レンズ２９の焦点面より後方に配置され、リフレクター２２、２２、・・・の少なくとも一部において外側反射部２６、２６、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｏが内側反射部２５、２５、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｉより小さくされている。   As described above, in the vehicle headlamp 1, the light emitters 15, 15 </ b> A, 15 </ b> B are arranged behind the focal plane of the projection lens 29, and at least a part of the reflectors 22, 22,. The inclination angle θo of the outer reflection parts 26, 26,... With respect to the optical axis P is smaller than the inclination angle θi of the inner reflection parts 25, 25,.

従って、配光パターンにおいて各半導体発光素子１８、１８、・・・から出射された光の分布間である境界部分の照度が高くなり、配光パターンにおける光の均一性の向上が図られ、光のスジの発生を防止することができる。   Therefore, the illuminance at the boundary portion between the distributions of the light emitted from the respective semiconductor light emitting elements 18, 18,... In the light distribution pattern is increased, and the uniformity of the light in the light distribution pattern is improved. The generation of streaks can be prevented.

また、外側反射部２６、２６、・・・の光軸Ｐに対する傾斜角度θｏが左右方向における外側へ行くに従って小さくなるようにされているため、配光パターンにおける光の均一性のより一層の向上が図られ、光のスジの発生を防止することができる。   In addition, since the inclination angle θo of the outer reflecting portions 26, 26,... With respect to the optical axis P is made smaller toward the outer side in the left-right direction, the light uniformity in the light distribution pattern is further improved. This can prevent light streaks.

さらに、半導体発光素子１８、１８、・・・間の距離が半導体発光素子１８、１８、・・・の左右方向における長さより長くされているため、半導体発光素子１８、１８、・・・の数を減じて配光パターンを形成することができ、車輌用前照灯１の製造コストの低減を確保した上で良好な配光パターンを形成することができる。   Further, the distance between the semiconductor light emitting elements 18, 18,... Is longer than the length of the semiconductor light emitting elements 18, 18,. Can be reduced to form a light distribution pattern, and a good light distribution pattern can be formed while ensuring a reduction in the manufacturing cost of the vehicular headlamp 1.

加えて、発光体１５、１５Ｂのように複数の半導体発光素子１８、１８、・・・がそれぞれ搭載される複数の基板１７、１７、・・・が設けられることにより、半導体発光素子１８、１８、・・・の位置を自由に設定して半導体発光素子１８、１８、・・・間の距離を任意に設定することが可能になる。   In addition, by providing a plurality of substrates 17, 17,... On which a plurality of semiconductor light emitting elements 18, 18,... Are mounted like the light emitters 15, 15 B, the semiconductor light emitting elements 18, 18 are provided. ,... Can be freely set, and the distance between the semiconductor light emitting elements 18, 18,... Can be arbitrarily set.

従って、半導体発光素子１８、１８、・・・の位置に関して設計の自由度の向上を図ることができる。   Therefore, it is possible to improve the degree of design freedom with respect to the positions of the semiconductor light emitting elements 18, 18,.

上記した最良の形態において示した各部の形状及び構造は、何れも本発明を実施するに際して行う具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならないものである。   The shapes and structures of the respective parts shown in the above-described best mode are merely examples of implementations in carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention is limitedly interpreted by these. It should not be done.

図２乃至図１０と共に本発明車輌用前照灯の最良の形態を示すものであり、本図は、車輌用前照灯の概略水平断面図である。The best mode of the vehicle headlamp of the present invention is shown together with FIGS. 2 to 10, and this drawing is a schematic horizontal sectional view of the vehicle headlamp. 車輌用前照灯の概略正面図である。It is a schematic front view of the vehicle headlamp. 発光体の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of a light-emitting body. 発光体の一部を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows a part of light-emitting body. 発光体の構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structure of a light-emitting body. 配光パターンを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a light distribution pattern. ３個の半導体発光素子が点灯されたときの光の分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of light when three semiconductor light emitting elements are lighted. 全ての半導体発光素子が点灯されたときの光の分布を示すグラフ図である。It is a graph which shows distribution of light when all the semiconductor light emitting elements are lighted. 第１の変形例に係る発光体の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the luminous body concerning the 1st modification. 第２の変形例に係る発光体の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the light-emitting body concerning a 2nd modification.

１…車輌用前照灯、１５…発光体、１６…ベース板、１７…基板、１８…半導体発光素子、２２…リフレクター、２２Ａ…中央リフレクター、２５…内側反射部、２６…外側反射部、２９…投影レンズ、１５Ａ…発光体、１５Ｂ…発光体、１６Ｂ…ベース板、１６ａ…段差、１６ｂ…配置面   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vehicle headlamp, 15 ... Luminescent body, 16 ... Base board, 17 ... Board | substrate, 18 ... Semiconductor light-emitting element, 22 ... Reflector, 22A ... Center reflector, 25 ... Inner reflection part, 26 ... Outer reflection part, 29 ... projection lens, 15A ... illuminant, 15B ... illuminant, 16B ... base plate, 16a ... step, 16b ... arrangement surface

Claims (5)

左右方向において離隔して配置された複数の半導体発光素子と前記複数の半導体発光素子からそれぞれ出射される光を反射する複数のリフレクターとを有する発光体と、
前記半導体発光素子から出射される光を投影して外部へ照射する投影レンズとを備え、
前記発光体が前記投影レンズの焦点面より後方に配置され、
前記複数のリフレクターのうち左右方向における中央部に位置された前記リフレクターが中央リフレクターとして設けられ、
前記中央リフレクター以外の前記リフレクターは、前記中央リフレクターを基準として左右方向における外側に位置する外側反射部と左右方向における内側に位置する内側反射部とを有し、
前記リフレクターの少なくとも一部において、前記外側反射部の光軸に対する傾斜角度が前記内側反射部の光軸に対する傾斜角度より小さくされた
ことを特徴とする車輌用前照灯。 A light emitter having a plurality of semiconductor light emitting elements spaced apart in the left-right direction and a plurality of reflectors that reflect light emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements, respectively.
A projection lens that projects the light emitted from the semiconductor light emitting element and irradiates the light to the outside;
The light emitter is disposed behind the focal plane of the projection lens;
Among the plurality of reflectors, the reflector located at the center in the left-right direction is provided as a center reflector,
The reflectors other than the central reflector have an outer reflective part located outside in the left-right direction and an inner reflective part located inside in the left-right direction with respect to the central reflector,
The vehicular headlamp characterized in that, in at least a part of the reflector, an inclination angle with respect to the optical axis of the outer reflection portion is made smaller than an inclination angle with respect to the optical axis of the inner reflection portion. 前記外側反射部の光軸に対する傾斜角度が、前記中央リフレクターを基準として左右方向における外側へ行くに従って小さくなるようにした
ことを特徴とする請求項１に記載の車輌用前照灯。 2. The vehicle headlamp according to claim 1, wherein an inclination angle of the outer reflection portion with respect to an optical axis decreases as it goes outward in a left-right direction with respect to the central reflector. 隣り合って位置する前記半導体発光素子の距離が前記半導体発光素子の左右方向における長さより長くされた
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の車輌用前照灯。 The vehicle headlamp according to claim 1 or 2, wherein a distance between the semiconductor light emitting elements located adjacent to each other is longer than a length in a left-right direction of the semiconductor light emitting elements. 前記複数の半導体発光素子がそれぞれ搭載される複数の基板が設けられた
ことを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の車輌用前照灯。 The vehicle headlamp according to claim 1, wherein a plurality of substrates on which the plurality of semiconductor light emitting elements are respectively mounted are provided. 前記複数の半導体発光素子又は前記複数の半導体発光素子がそれぞれ搭載される複数の基板が配置されるベース板が設けられ、
前記ベース板は左右方向における中央部が最も前側に位置する階段状に形成され、
前記ベース板の各段差間に位置された前方を向く面がそれぞれ配置面として形成され、
前記各配置面にそれぞれ前記半導体発光素子又は前記基板が配置された
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の車輌用前照灯。 A base plate on which a plurality of semiconductor light emitting elements or a plurality of substrates on which the plurality of semiconductor light emitting elements are respectively mounted is provided;
The base plate is formed in a staircase shape in which the central portion in the left-right direction is located on the most front side,
Each of the surfaces facing the front located between the steps of the base plate is formed as an arrangement surface,
The vehicular headlamp according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the semiconductor light emitting element or the substrate is arranged on each of the arrangement surfaces.
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