JP2013150275A - 整合回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】スイッチ側からのESDに対処しつつ広帯域でマッチングをとる。
【解決手段】本整合回路は、第1及び第2のキャパシタC1,C2と、第1及び第2のインダクタL1,L2とを有する。そして、第1のキャパシタC1の第1の端子はアンテナ1側に接続され、第1のキャパシタC1の第2の端子は、第2のキャパシタC2の第1の端子と第1のインダクタL1の第1の端子とに接続される。そして、第2のキャパシタC2の第2の端子は接地されている。また、第1のインダクタL1の第2の端子は、第2のインダクタL2の第1の端子とスイッチ2側とに接続され、第2のインダクタL2の第2の端子は接地されている。
【選択図】図4
【解決手段】本整合回路は、第1及び第2のキャパシタC1,C2と、第1及び第2のインダクタL1,L2とを有する。そして、第1のキャパシタC1の第1の端子はアンテナ1側に接続され、第1のキャパシタC1の第2の端子は、第2のキャパシタC2の第1の端子と第1のインダクタL1の第1の端子とに接続される。そして、第2のキャパシタC2の第2の端子は接地されている。また、第1のインダクタL1の第2の端子は、第2のインダクタL2の第1の端子とスイッチ2側とに接続され、第2のインダクタL2の第2の端子は接地されている。
【選択図】図4
Description
本発明は、高周波スイッチの整合回路に関する。
携帯電話のマルチバンド化に対処するために、高周波スイッチの切り替えパスは年々多くなって来ている。各パスにはトランジスタが使われ、パスのオン及びオフが制御される。切り替えパスの増加に伴い、信号を通したいパスに、オフ状態のパスに接続されるトランジスタの寄生容量が無視できないレベルとなってきており、寄生容量による特性劣化を抑えるために、整合回路が用いられるようになっている。具体的には、安価だが特性の良くないCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)のスイッチを採用する場合に問題になる。さらに、近年では、携帯電話で用いられる周波数が700MHz乃至2.5GHzと広がっており、広帯域で整合させる整合回路が望まれている。
第1の従来技術としては、図1に示すような整合回路が存在している。図1に示した整合回路において、アンテナ1001には、キャパシタC101の第1の端子とキャパシタC102の第1の端子とが接続されている。キャパシタC101の第2の端子は接地されている。キャパシタC102の第2の端子は、インダクタL101の第1の端子及びインダクタL102の第1の端子が接続されている。インダクタL101の第2の端子は接地されている。インダクタL102の第2の端子は、スイッチ1002の端子に接続されている。スイッチ1002は、この整合回路が接続されている端子に接続される複数の端子を有している。
このような整合回路については、スイッチ1002側からのESD(Electro-Static Discharge)に弱いという問題がある。具体的には、スイッチ1002の入力端子に接続されている素子がインダクタL102のみになっているため、スイッチ1002側からのESDを直列に配置されたインダクタL102が全て受けることになり、絶縁破壊などが起こりやすい。
また、第2の従来技術としては、図2に示すような整合回路が存在している。図2に示した整合回路において、アンテナ1001には、キャパシタC103の第1の端子とインダクタL103の第1の端子とが接続されている。キャパシタC103の第2の端子は接地されている。インダクタL103の第2の端子は、インダクタL104の第1の端子及びスイッチ1002側の端子に接続されている。インダクタL104の第2の端子は接地されている。
第2の従来技術によれば、スイッチ1002側からのESDは、インダクタL103及びL104の2素子で受けることになるので、第1の従来技術よりはESD耐性がある。しかしながら、インダクタL104をESD用に設けることで生ずる不整合を広帯域でキャンセルするのが難しいという問題がある。
さらに、第3の従来技術としては、図3に示すような整合回路が存在している。図3に示した整合回路において、アンテナ1001には、キャパシタC104の第1の端子及びインダクタL105の第1の端子が接続されている。キャパシタC104の第2の端子は接地されている。インダクタL105の第2の端子は、キャパシタC105の第1の端子に接続されている。キャパシタC105の第2の端子は、インダクタL106の第1の端子及びスイッチ1002の端子に接続されている。インダクタL106の第2の端子は接地されている。
第3の従来技術によれば、スイッチ1002側からのESDは、インダクタL106及びキャパシタC105の2素子で受けることになるので、第1の従来技術よりはESD耐性がある。しかしながら、インダクタL106をESD用に設けることで生ずる不整合を広帯域でキャンセルするのが難しいという問題がある。
従って、本発明の目的は、一側面においては、スイッチ側からのESDに対処しつつ広帯域でマッチングをとることができる整合回路を提供することである。
本発明に係る整合回路は、第1及び第2のキャパシタと、第1及び第2のインダクタとを有する。そして、第1のキャパシタの第1の端子はアンテナ側に接続され、第1のキャパシタの第2の端子は、第2のキャパシタの第1の端子と第1のインダクタの第1の端子とに接続される。そして、第2のキャパシタの第2の端子は接地されている。また、第1のインダクタの第2の端子は、第2のインダクタの第1の端子とスイッチ側とに接続され、第2のインダクタの第2の端子は接地されている。
このような構成の整合回路であれば、スイッチ側には2素子が接続されているのでESD対策がなされており、さらにアンテナ側にもキャパシタが接続されているので、広帯域での整合に柔軟に対応できるようになっている。
一側面によれば、スイッチ側からのESDに対処しつつ広帯域でマッチングをとることができる整合回路が得られる。
本実施の形態に係る整合回路を図4に示す。本実施の形態に係る整合回路は、キャパシタC1及びC2とインダクタL1及びL2とを有する。そして、キャパシタC1の第1の端子はアンテナ1側に接続され、キャパシタC1の第2の端子は、キャパシタC2の第1の端子及びインダクタL1の第1の端子に接続されている。キャパシタC2の第2の端子は接地されている。インダクタL1の第2の端子は、インダクタL2の第1の端子及びスイッチ2の入力端子に接続されている。インダクタL2の第2の端子は接地されている。スイッチ2は、例えばCMOSスイッチであり、整合回路が接続されている端子に接続される複数の端子を有している。この複数の端子には、図6にも示すように複数のデュプレクサなどが接続される。
インダクタL2は、スイッチ2側からのESD対策用のインダクタである。また、インダクタL1及びキャパシタC2は、スイッチ2に含まれる寄生容量をキャンセルしてマッチングをとるための素子である。さらに、キャパシタC1は、インダクタL1によって低域側で生ずる不整合をキャンセルしてマッチングをとるためのキャパシタである。また、このような整合回路は、ハイパスフィルタとローパスフィルタの組み合わせとなっている。
このような構成であれば、スイッチ2からのESDを、インダクタL1及びL2の両方で受けるので、ESD耐性が高くなる。また、キャパシタC1が設けられているので、広帯域でのマッチングが実現されている。
例えば、図3に示した整合回路と図4に示した整合回路との周波数特性を比較する。例えば、キャパシタC104の容量は1.2pFであり、インダクタL105のインダクタンス値は2.85nHであり、キャパシタC105の容量は5.9pFであり、インダクタL106のインダクタンス値は11nHであるものとする。
また、キャパシタC1の容量は7.25pFであり、キャパシタC2の容量は0.95pFであり、インダクタL1のインダクタンス値は2.6nHであり、インダクタL2のインダクタンス値は8.7nHであるものとする。
そうすると図5に示すような周波数特性が得られる。図5において、横軸は周波数を表し、縦軸は減衰量(下方向が減衰量大)を表す。点線で挟まれた700MHz乃至2.7GHzの周波数帯域においては、本実施の形態に係る整合回路の減衰量が、第3の従来技術に係る整合回路の減衰量を下回っている。さらに、第3の従来技術に係る整合回路の場合、700MHz乃至2.7GHzの中間あたりで減衰量が大幅に増加している。これに対して本実施の形態に係る整合回路については、高域に向けて減衰量が増加しているが、それほど下がることない。すなわち、本実施の形態の方が広帯域で整合が実現されている。
このように本実施の形態に係る整合回路によれば、スイッチ2側からのESDにも対処でき、さらに広帯域でマッチングが実現されている。
本実施の形態の整合回路が接続されるスイッチ2には、図6に示すように、送信(Tx)及び受信(Rx)で信号を分離するための2つのデュプレクサ(Duplexer)と、3つのSAW(Saw Acoustic Wave)フィルタと、2つのローパスフィルタ(LPF:Low Pass Filter)とが接続される場合がある。
以上本技術の実施の形態を述べたが、様々な変形が可能である。例えばスイッチ2はCMOSスイッチ以外のスイッチであっても良い。さらに、上で述べたよう効果を奏するために関係のない素子を付加するなど変形しても良い。また、携帯電話は1つの適用例にすぎず、他の種類の機器に使用しても良い。
C キャパシタ
L インダクタ
L インダクタ
Claims (1)
- 第1及び第2のキャパシタと、
第1及び第2のインダクタと、
を有し、
前記第1のキャパシタの第1の端子はアンテナ側に接続され、
前記第1のキャパシタの第2の端子は、前記第2のキャパシタの第1の端子と前記第1のインダクタの第1の端子とに接続され、
前記第2のキャパシタの第2の端子は接地されており、
前記第1のインダクタの第2の端子は、前記第2のインダクタの第1の端子とスイッチ側とに接続され、
前記第2のインダクタの第2の端子は接地されている
整合回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012011451A JP2013150275A (ja) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | 整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012011451A JP2013150275A (ja) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | 整合回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013150275A true JP2013150275A (ja) | 2013-08-01 |
Family
ID=49047344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012011451A Pending JP2013150275A (ja) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | 整合回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013150275A (ja) |
-
2012
- 2012-01-23 JP JP2012011451A patent/JP2013150275A/ja active Pending
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