JP2013149002A - 位置検出機能付き表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像生成用液晶パネルを透過した検出光を利用する方式を採用した場合でも、対象物体の位置を検出することができる位置検出機能付き表示装置を提供すること。
【解決手段】位置検出機能付き表示装置100では、画像生成用液晶パネル209aに対して表示光L1の出射側とは反対側に、赤外光からなる検出光L2を出射する位置検出用光源装置11を設け、対象物体Obにより反射した検出光L2を光検出器30によって検出する。表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、可視光からなる表示光に対しては偏光能を備えているが、赤外光からなる検出光L2に対しては偏光能を備えていない。従って、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、検出空間10Rに好適な光強度分布を形成する。
【選択図】図2
【解決手段】位置検出機能付き表示装置100では、画像生成用液晶パネル209aに対して表示光L1の出射側とは反対側に、赤外光からなる検出光L2を出射する位置検出用光源装置11を設け、対象物体Obにより反射した検出光L2を光検出器30によって検出する。表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、可視光からなる表示光に対しては偏光能を備えているが、赤外光からなる検出光L2に対しては偏光能を備えていない。従って、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、検出空間10Rに好適な光強度分布を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、画像の表示および対象物体の位置検出を行なう位置検出機能付き表示装置に
関するものである。
関するものである。
画像の表示および対象物体の位置検出を行なう位置検出機能付き表示装置としては、液
晶表示装置に撮像素子を搭載したものが考えられる。
晶表示装置に撮像素子を搭載したものが考えられる。
一方、対象物体の位置を光学的に検出する光学式位置検出装置としては、透光板(光伝
播媒体)において対象物体が位置する第1面側とは反対側の第2面側に配置された光源か
ら対象物体に向けて検出光を出射し、対象物体で反射して透光板の第2面側に透過してき
た検出光を光検出器で検出する技術が提案されている(特許文献1参照)。
播媒体)において対象物体が位置する第1面側とは反対側の第2面側に配置された光源か
ら対象物体に向けて検出光を出射し、対象物体で反射して透光板の第2面側に透過してき
た検出光を光検出器で検出する技術が提案されている(特許文献1参照)。
かかる光学式位置検出装置では、2つの光源を交互に点灯させるとともに、2つの光源
が各々、点灯した期間における光検出器での検出結果を利用するため、安価に構成するこ
とができる。
が各々、点灯した期間における光検出器での検出結果を利用するため、安価に構成するこ
とができる。
従って、液晶表示装置の液晶パネルの背面側から赤外光からなる検出光を出射すれば、
簡素な構成で、画像の表示を妨げることなく、対象物体の位置検出を行なうことができる
。しかしながら、液晶パネルの背面側から検出光を出射する構成を採用した場合、液晶パ
ネルに用いた偏光板は、従来、図13に示すような特性を有するため、位置検出を行なえ
ないという問題点がある。具体的には、従来の液晶表示装置では、可視域から赤外域に至
る広い帯域において、図13に実線R51で示すように、2枚の偏光板を互いの偏光軸が
平行となるように配置したときの透過率が30%以上で、図13に実線R52で示すよう
に、2枚の偏光板を互いの偏光軸が直交するように配置したときの透過率が3%以下であ
るという特性を利用して光変調する。このため、検出光として赤外光を用いた場合でも、
検出光が液晶パネルを通過する際、検出光も表示光(可視光)と同様な光変調を受けてし
まう。それ故、画像が切り換わる度に検出空間に出射される検出光の強度が変化するので
、対象物体の位置を検出することができない。
簡素な構成で、画像の表示を妨げることなく、対象物体の位置検出を行なうことができる
。しかしながら、液晶パネルの背面側から検出光を出射する構成を採用した場合、液晶パ
ネルに用いた偏光板は、従来、図13に示すような特性を有するため、位置検出を行なえ
ないという問題点がある。具体的には、従来の液晶表示装置では、可視域から赤外域に至
る広い帯域において、図13に実線R51で示すように、2枚の偏光板を互いの偏光軸が
平行となるように配置したときの透過率が30%以上で、図13に実線R52で示すよう
に、2枚の偏光板を互いの偏光軸が直交するように配置したときの透過率が3%以下であ
るという特性を利用して光変調する。このため、検出光として赤外光を用いた場合でも、
検出光が液晶パネルを通過する際、検出光も表示光(可視光)と同様な光変調を受けてし
まう。それ故、画像が切り換わる度に検出空間に出射される検出光の強度が変化するので
、対象物体の位置を検出することができない。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画像生成用液晶パネルを透過した検出光を利
用する方式を採用した場合でも、対象物体の位置を検出することができる位置検出機能付
き表示装置を提供することにある。
用する方式を採用した場合でも、対象物体の位置を検出することができる位置検出機能付
き表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、画像の表示および対象物体の位置検出を行なう
位置検出機能付き表示装置であって、画像生成用液晶パネル、該画像生成用液晶パネルに
対して表示光の出射側とは反対側に配置された表示光用第1偏光板、および前記画像生成
用液晶パネルに対して前記表示光の出射側に配置された表示光用第2偏光板を備えた画像
生成用液晶装置と、前記画像生成用液晶装置を透過して前記画像生成用液晶装置からの前
記表示光の出射側空間に出射されるピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位
置する赤外光からなる検出光を出射する位置検出用光源装置と、前記出射側空間に位置す
る前記対象物体で反射した前記検出光を受光する光検出器と、該光検出器での検出結果に
基づいて前記対象物体の位置を検出する位置検出部と、を有し、前記表示光用第1偏光板
および前記表示光用第2偏光板は、互いの偏光軸を平行配置したときの波長が380nm
から720nmの帯域の光に対する透過率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配置
したときの波長が380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が3%以下であり
、互いの偏光軸を平行配置したときの前記検出光に対する透過率および互いの偏光軸を直
交配置したときの前記検出光に対する透過率が30%以上であることを特徴とする。
位置検出機能付き表示装置であって、画像生成用液晶パネル、該画像生成用液晶パネルに
対して表示光の出射側とは反対側に配置された表示光用第1偏光板、および前記画像生成
用液晶パネルに対して前記表示光の出射側に配置された表示光用第2偏光板を備えた画像
生成用液晶装置と、前記画像生成用液晶装置を透過して前記画像生成用液晶装置からの前
記表示光の出射側空間に出射されるピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位
置する赤外光からなる検出光を出射する位置検出用光源装置と、前記出射側空間に位置す
る前記対象物体で反射した前記検出光を受光する光検出器と、該光検出器での検出結果に
基づいて前記対象物体の位置を検出する位置検出部と、を有し、前記表示光用第1偏光板
および前記表示光用第2偏光板は、互いの偏光軸を平行配置したときの波長が380nm
から720nmの帯域の光に対する透過率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配置
したときの波長が380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が3%以下であり
、互いの偏光軸を平行配置したときの前記検出光に対する透過率および互いの偏光軸を直
交配置したときの前記検出光に対する透過率が30%以上であることを特徴とする。
本発明では、画像生成用液晶パネルに対して表示光の出射側とは反対側に位置検出用光
源装置を設け、対象物体により反射した検出光を光検出器によって検出する。このため、
位置検出部は、光検出器の受光結果に基づいて対象物体の位置を検出することができる。
また、検出光は、赤外光からなるため、視認されないので、画像の表示を妨げることがな
い。さらに、画像生成用液晶パネルの両側に設けられた表示光用第1偏光板および表示光
用第2偏光板は、互いの偏光軸を平行配置したときの波長が380nmから720nmの
帯域の光に対する透過率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配置したときの波長が
380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が3%以下である。従って、表示光
用第1偏光板および表示光用第2偏光板は、可視光からなる表示光に対しては偏光能を備
えているので、画像生成用液晶パネルによって可視光からなる表示光を光変調することが
できる。これに対して、表示光用第1偏光板および表示光用第2偏光板は、互いの偏光軸
を平行配置したときの検出光に対する透過率および互いの偏光軸を直交配置したときの検
出光に対する透過率が30%以上であり、赤外光からなる検出光に対しては偏光能を備え
ていない。従って、位置検出用光源装置から出射された検出光は、画像生成用液晶パネル
による光変調を受けない。それ故、位置検出用光源装置から出射された検出光は、検出空
間に好適な光強度分布を形成するので、画像生成用液晶パネルを透過した検出光を利用す
る方式を採用した場合でも、対象物体の位置を正確に検出することができる。
源装置を設け、対象物体により反射した検出光を光検出器によって検出する。このため、
位置検出部は、光検出器の受光結果に基づいて対象物体の位置を検出することができる。
また、検出光は、赤外光からなるため、視認されないので、画像の表示を妨げることがな
い。さらに、画像生成用液晶パネルの両側に設けられた表示光用第1偏光板および表示光
用第2偏光板は、互いの偏光軸を平行配置したときの波長が380nmから720nmの
帯域の光に対する透過率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配置したときの波長が
380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が3%以下である。従って、表示光
用第1偏光板および表示光用第2偏光板は、可視光からなる表示光に対しては偏光能を備
えているので、画像生成用液晶パネルによって可視光からなる表示光を光変調することが
できる。これに対して、表示光用第1偏光板および表示光用第2偏光板は、互いの偏光軸
を平行配置したときの検出光に対する透過率および互いの偏光軸を直交配置したときの検
出光に対する透過率が30%以上であり、赤外光からなる検出光に対しては偏光能を備え
ていない。従って、位置検出用光源装置から出射された検出光は、画像生成用液晶パネル
による光変調を受けない。それ故、位置検出用光源装置から出射された検出光は、検出空
間に好適な光強度分布を形成するので、画像生成用液晶パネルを透過した検出光を利用す
る方式を採用した場合でも、対象物体の位置を正確に検出することができる。
本発明において、前記表示光用第1偏光板および前記表示光用第2偏光板は、ポリビニ
ル系の直線偏光層と、該直線偏光層の一方面側に積層されたトリアセチルセルロース層と
、前記直線偏光層の他方面側に積層された環状オレフィン共重合体層と、を備えている構
成を採用することができる。
ル系の直線偏光層と、該直線偏光層の一方面側に積層されたトリアセチルセルロース層と
、前記直線偏光層の他方面側に積層された環状オレフィン共重合体層と、を備えている構
成を採用することができる。
本発明において、前記位置検出用光源装置は、前記出射側空間に前記検出光の光強度分
布を異なるパターンで順次形成する構成を採用することができる。かかる構成によれば、
位置検出用光源装置から出射された検出光は、検出空間(表示光の出射側空間)に光強度
分布を形成するため、検出空間における位置と検出光の強度との関係を予め把握しておけ
ば、位置検出部は、光検出器の受光結果に基づいて対象物体の位置を検出することができ
る。
本発明において、前記位置検出用光源装置から前記検出光が出射される方向に交差する
2方向をX軸方向およびY軸方向としたとき、前記位置検出用光源装置は、X軸方向で強
度が変化するX座標検出用光強度分布と、Y軸方向で強度が変化するY座標検出用光強度
分布と、を異なるタイミングで形成する構成を採用することができる。
布を異なるパターンで順次形成する構成を採用することができる。かかる構成によれば、
位置検出用光源装置から出射された検出光は、検出空間(表示光の出射側空間)に光強度
分布を形成するため、検出空間における位置と検出光の強度との関係を予め把握しておけ
ば、位置検出部は、光検出器の受光結果に基づいて対象物体の位置を検出することができ
る。
本発明において、前記位置検出用光源装置から前記検出光が出射される方向に交差する
2方向をX軸方向およびY軸方向としたとき、前記位置検出用光源装置は、X軸方向で強
度が変化するX座標検出用光強度分布と、Y軸方向で強度が変化するY座標検出用光強度
分布と、を異なるタイミングで形成する構成を採用することができる。
本発明において、位置検出機能付き表示装置については、直視型あるいは投射型の表示
装置として構成することができる。位置検出機能付き表示装置を直視型の表示装置として
構成した場合、前記画像生成用液晶装置により生成された画像は、前記画像生成用液晶パ
ネルと重なる領域に設定された画像表示領域で視認される。これに対して、位置検出機能
付き表示装置を投射型の表示装置として構成した場合、前記画像生成用液晶装置により生
成された画像は、投射レンズ系からの投射画像として視認される。
装置として構成することができる。位置検出機能付き表示装置を直視型の表示装置として
構成した場合、前記画像生成用液晶装置により生成された画像は、前記画像生成用液晶パ
ネルと重なる領域に設定された画像表示領域で視認される。これに対して、位置検出機能
付き表示装置を投射型の表示装置として構成した場合、前記画像生成用液晶装置により生
成された画像は、投射レンズ系からの投射画像として視認される。
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説
明においては、互いに交差する軸をX軸、Y軸およびZ軸とし、Z軸に沿う方向に画像を
投射するものとして説明する。また、以下に参照する図面では、説明の便宜上、X軸方向
を横方向とし、Y軸方向と縦方向として表してある。また、以下に参照する図面では、X
軸方向の一方側をX1側とし、他方側をX2側とし、Y軸方向の一方側をY1側とし、他
方側をY2側として示してある。
明においては、互いに交差する軸をX軸、Y軸およびZ軸とし、Z軸に沿う方向に画像を
投射するものとして説明する。また、以下に参照する図面では、説明の便宜上、X軸方向
を横方向とし、Y軸方向と縦方向として表してある。また、以下に参照する図面では、X
軸方向の一方側をX1側とし、他方側をX2側とし、Y軸方向の一方側をY1側とし、他
方側をY2側として示してある。
[実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置の分解斜視図である。
図2は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置の断面構成を示す説明図
である。
図1は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置の分解斜視図である。
図2は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置の断面構成を示す説明図
である。
図1および図2に示す位置検出機能付き表示装置100は、画像の表示および対象物体
の位置検出を行なう直視型表示装置であって、画像の表示を行なうための画像生成用液晶
装置290(画像生成装置)と、画像生成用液晶装置290から表示光L1が出射される
側の空間(検出空間10R/表示光出射空間)に位置する対象物体Obの位置を光学的に
検出する光学式位置検出装置10とを備えている。詳しくは、後述するが、光学式位置検
出装置10は、検出空間10Rに検出光L2を出射して検出光L2の光強度分布を異なる
パターンで順次形成する位置検出用光源装置11と、対象物体Obで反射した検出光L3
を検出する光検出器30とを有している。また、光学式位置検出装置10は、図4を参照
して後述するように、光検出器30での検出結果に基づいて対象物体Obの位置を検出す
る位置検出部(図1および図2では図示を省略)を有している。画像生成用液晶装置29
0は画像表示領域20Rを備えており、かかる画像表示領域20Rは、Z軸方向からみた
とき検出空間10Rと重なっている。
の位置検出を行なう直視型表示装置であって、画像の表示を行なうための画像生成用液晶
装置290(画像生成装置)と、画像生成用液晶装置290から表示光L1が出射される
側の空間(検出空間10R/表示光出射空間)に位置する対象物体Obの位置を光学的に
検出する光学式位置検出装置10とを備えている。詳しくは、後述するが、光学式位置検
出装置10は、検出空間10Rに検出光L2を出射して検出光L2の光強度分布を異なる
パターンで順次形成する位置検出用光源装置11と、対象物体Obで反射した検出光L3
を検出する光検出器30とを有している。また、光学式位置検出装置10は、図4を参照
して後述するように、光検出器30での検出結果に基づいて対象物体Obの位置を検出す
る位置検出部(図1および図2では図示を省略)を有している。画像生成用液晶装置29
0は画像表示領域20Rを備えており、かかる画像表示領域20Rは、Z軸方向からみた
とき検出空間10Rと重なっている。
本形態の位置検出機能付き表示装置100において、画像生成用液晶装置290は、画
像生成用液晶パネル209aと、透光性カバー209b(図1には図示せず)とを備えてい
る。画像生成用液晶パネル209aは、透過型の液晶パネルであり、2枚の透光性基板2
1、22をシール材23で貼り合わせ、基板間に液晶層24を充填した構造を有している
。画像生成用液晶パネル209aは、アクティブマトリクス型液晶パネルであり、2枚の
透光性基板21、22の一方側には透光性の画素電極、データ線、走査線、画素スイッチ
ング素子(図示せず)が形成され、他方側には透光性の共通電極(図示せず)が形成され
ている。なお、画素電極および共通電極が同一の基板に形成されることもある。かかる画
像生成用液晶パネル209aでは、各画素に対して走査線を介して走査信号が出力され、
データ線を介して画像信号が出力されると、複数の画素の各々で液晶層24の配向が制御
される結果、画像表示領域20Rに画像が形成される。画像生成用液晶パネル209aに
おいて、一方の透光性基板21には、他方の透光性基板22の外形より周囲に張り出した
基板張出部21tが設けられている。この基板張出部21tの表面上には駆動回路等を構
成する電子部品25が実装されている。また、基板張出部21tには、フレキシブル配線
基板(FPC)等の配線部材26が接続されている。なお、基板張出部21t上には配線
部材26のみが実装されていてもよい。
像生成用液晶パネル209aと、透光性カバー209b(図1には図示せず)とを備えてい
る。画像生成用液晶パネル209aは、透過型の液晶パネルであり、2枚の透光性基板2
1、22をシール材23で貼り合わせ、基板間に液晶層24を充填した構造を有している
。画像生成用液晶パネル209aは、アクティブマトリクス型液晶パネルであり、2枚の
透光性基板21、22の一方側には透光性の画素電極、データ線、走査線、画素スイッチ
ング素子(図示せず)が形成され、他方側には透光性の共通電極(図示せず)が形成され
ている。なお、画素電極および共通電極が同一の基板に形成されることもある。かかる画
像生成用液晶パネル209aでは、各画素に対して走査線を介して走査信号が出力され、
データ線を介して画像信号が出力されると、複数の画素の各々で液晶層24の配向が制御
される結果、画像表示領域20Rに画像が形成される。画像生成用液晶パネル209aに
おいて、一方の透光性基板21には、他方の透光性基板22の外形より周囲に張り出した
基板張出部21tが設けられている。この基板張出部21tの表面上には駆動回路等を構
成する電子部品25が実装されている。また、基板張出部21tには、フレキシブル配線
基板(FPC)等の配線部材26が接続されている。なお、基板張出部21t上には配線
部材26のみが実装されていてもよい。
画像生成用液晶パネル209aにおいて、表示光L1の出射側とは反対側には表示光用
第1偏光板288が重ねて配置され、表示光L1の出射側には表示光用第2偏光板289
が重ねて配置されている。
第1偏光板288が重ねて配置され、表示光L1の出射側には表示光用第2偏光板289
が重ねて配置されている。
画像生成用液晶パネル209aに対して表示光L1の出射側とは反対側には、光学シー
ト60および照明装置40が重ねて配置されている。本形態においては、光学シート60
として、第1プリズムシート61と、第2プリズムシート62、および光散乱板63が順
に積層されている。なお、光学シート60に対して強度分布変換用液晶装置16が位置す
る側とは反対側には矩形枠状の遮光シート17が配置されており、かかる遮光シート17
は検出光L2が漏れるのを防止する。
ト60および照明装置40が重ねて配置されている。本形態においては、光学シート60
として、第1プリズムシート61と、第2プリズムシート62、および光散乱板63が順
に積層されている。なお、光学シート60に対して強度分布変換用液晶装置16が位置す
る側とは反対側には矩形枠状の遮光シート17が配置されており、かかる遮光シート17
は検出光L2が漏れるのを防止する。
照明装置40は、照明用光源41と、この照明用光源41から放出される照明光を伝播
させながら出射する照明用導光板43とを備えており、照明用導光板43は、矩形の平面
形状を備えている。照明用光源41は、例えばLED(発光ダイオード)等の発光素子で
構成され、駆動回路(図示せず)から出力される駆動信号に応じて、例えば白色の照明光
L4を放出する。本形態において、照明用光源41は、照明用導光板43の辺部分43a
に沿って複数、配列されている。照明装置40において、照明用光源41から出射された
照明光L4は、照明用導光板43の辺部分43aから照明用導光板43の内部に入射した
後、照明用導光板43の内部を反対側の外縁部43bに向けて伝播し、光出射部43sか
ら出射される。ここで、照明用導光板43は、辺部分43a側から反対側の外縁部43b
に向けて内部伝播光に対する光出射部43sからの出射光の光量比率が単調に増加する導
光構造を有している。かかる導光構造は、例えば、照明用導光板43の光出射部43s、
または背面43tに形成された光偏向用あるいは光散乱用の微細な凹凸形状の屈折面の面
積、印刷された散乱層の形成密度等を上記内部伝播方向に向けて徐々に高めることで実現
される。このような導光構造を設けることで、辺部分43aから入射した照明光L4は光
出射部43sからほぼ均一に出射される。そして、照明光L4は、画像生成用液晶パネル
209aによって画素毎に光変調され、画像が表示される。
させながら出射する照明用導光板43とを備えており、照明用導光板43は、矩形の平面
形状を備えている。照明用光源41は、例えばLED(発光ダイオード)等の発光素子で
構成され、駆動回路(図示せず)から出力される駆動信号に応じて、例えば白色の照明光
L4を放出する。本形態において、照明用光源41は、照明用導光板43の辺部分43a
に沿って複数、配列されている。照明装置40において、照明用光源41から出射された
照明光L4は、照明用導光板43の辺部分43aから照明用導光板43の内部に入射した
後、照明用導光板43の内部を反対側の外縁部43bに向けて伝播し、光出射部43sか
ら出射される。ここで、照明用導光板43は、辺部分43a側から反対側の外縁部43b
に向けて内部伝播光に対する光出射部43sからの出射光の光量比率が単調に増加する導
光構造を有している。かかる導光構造は、例えば、照明用導光板43の光出射部43s、
または背面43tに形成された光偏向用あるいは光散乱用の微細な凹凸形状の屈折面の面
積、印刷された散乱層の形成密度等を上記内部伝播方向に向けて徐々に高めることで実現
される。このような導光構造を設けることで、辺部分43aから入射した照明光L4は光
出射部43sからほぼ均一に出射される。そして、照明光L4は、画像生成用液晶パネル
209aによって画素毎に光変調され、画像が表示される。
このように構成した画像生成用液晶装置290に対して、表示光L1の出射側とは反対
側には、光学式位置検出装置10の位置検出用光源装置11が配置され、透光性カバー2
09bの上には、光学式位置検出装置10の光検出器30が配置されている。光検出器3
0は、検出空間10Rに検出部31を向けている。
側には、光学式位置検出装置10の位置検出用光源装置11が配置され、透光性カバー2
09bの上には、光学式位置検出装置10の光検出器30が配置されている。光検出器3
0は、検出空間10Rに検出部31を向けている。
なお、本形態において、光学シート60を検出光L2と照明光L4との間で共用として
いる。但し、照明用導光板43の光出射側に、上記の光学シート60とは別の専用の光学
シートを配置してもよい。これは、照明用導光板43においては光出射部43sから出射
される照明光L4の平面輝度を均―化することを目的に、十分な光散乱作用を呈する光散
乱板を用いることが多いが、検出光L2を大きく散乱させてしまうと位置検出の妨げとな
る。このため、光散乱板を設けないか、あるいは比較的軽度の光散乱作用を呈する光散乱
板を用いる必要があることから、光散乱板については照明用導光板43の専用品とするこ
とが好ましい。但し、プリズムシート(第1プリズムシート61や第2プリズムシート6
2)等の集光作用のある光学シートについては共用としても構わない。
いる。但し、照明用導光板43の光出射側に、上記の光学シート60とは別の専用の光学
シートを配置してもよい。これは、照明用導光板43においては光出射部43sから出射
される照明光L4の平面輝度を均―化することを目的に、十分な光散乱作用を呈する光散
乱板を用いることが多いが、検出光L2を大きく散乱させてしまうと位置検出の妨げとな
る。このため、光散乱板を設けないか、あるいは比較的軽度の光散乱作用を呈する光散乱
板を用いる必要があることから、光散乱板については照明用導光板43の専用品とするこ
とが好ましい。但し、プリズムシート(第1プリズムシート61や第2プリズムシート6
2)等の集光作用のある光学シートについては共用としても構わない。
(表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289の構成)
図3は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100に用いた表示光
用偏光板(表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289の構成)の説明図
であり、図3(a)、(b)は、表示光用偏光板の断面構成を示す説明図、および検出光
用偏光板の透過特性を示す説明図である。
図3は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100に用いた表示光
用偏光板(表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289の構成)の説明図
であり、図3(a)、(b)は、表示光用偏光板の断面構成を示す説明図、および検出光
用偏光板の透過特性を示す説明図である。
図1および図2を参照して説明した位置検出機能付き表示装置100において、光学式
位置検出装置10では、位置検出用光源装置11が画像生成用液晶装置290に向けてピ
ーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光からなる検出光L2を出
射して検出空間10Rに検出光L2の光強度分布を異なるパターンで順次形成する。従っ
て、検出空間10Rにおいて検出光L2が対象物体Obで反射すると、反射した検出光L
3の一部が光検出器30で受光されるので、かかる光検出器30での受光結果を用いれば
、対象物体Obの位置(X座標、Y座標、およびZ座標)を検出することができる。
位置検出装置10では、位置検出用光源装置11が画像生成用液晶装置290に向けてピ
ーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光からなる検出光L2を出
射して検出空間10Rに検出光L2の光強度分布を異なるパターンで順次形成する。従っ
て、検出空間10Rにおいて検出光L2が対象物体Obで反射すると、反射した検出光L
3の一部が光検出器30で受光されるので、かかる光検出器30での受光結果を用いれば
、対象物体Obの位置(X座標、Y座標、およびZ座標)を検出することができる。
このような検出方式を採用するにあたって、本形態では、画像生成用液晶装置290に
対して表示光L1および検出光L2の出射方向とは反対側に位置検出用光源装置11が配
置されており、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、画像生画像生成用
液晶パネル209aを透過して検出空間10Rに出射されることになる。従って、画像生
成用液晶パネル209aにおいて、画像表示領域20Rは、検出光L2を透過可能に構成
される。
対して表示光L1および検出光L2の出射方向とは反対側に位置検出用光源装置11が配
置されており、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、画像生画像生成用
液晶パネル209aを透過して検出空間10Rに出射されることになる。従って、画像生
成用液晶パネル209aにおいて、画像表示領域20Rは、検出光L2を透過可能に構成
される。
また、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289には、以下に説明す
るように、ピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光からなる検
出光L2に対して偏光能を有しない偏光板が用いられている。すなわち、表示光用第1偏
光板288および表示光用第2偏光板289は、可視光(表示光)に対して検光子として
機能する一方、赤外光からなる検出光L2については透過するように構成されている。具
体的には、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、図3(a)に
示すように、ヨウ素化合物分子等を吸着配向したポリビニル(PVA)層からなる直線偏
光層287aと、直線偏光層287aを両側から挟む基板287b、287c等からなる
。ここで、表示光用偏光板は、従来、基板287b、287cの双方がトリアセチルセル
ロース(TAC)層からなるが、本形態において、表示光用第1偏光板288および表示
光用第2偏光板289は、一方の基板287bはトリアセチルセルロース(TAC)層か
らなるのに対して、他方の基板287cは環状オレフィン共重合体層からなる。
るように、ピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光からなる検
出光L2に対して偏光能を有しない偏光板が用いられている。すなわち、表示光用第1偏
光板288および表示光用第2偏光板289は、可視光(表示光)に対して検光子として
機能する一方、赤外光からなる検出光L2については透過するように構成されている。具
体的には、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、図3(a)に
示すように、ヨウ素化合物分子等を吸着配向したポリビニル(PVA)層からなる直線偏
光層287aと、直線偏光層287aを両側から挟む基板287b、287c等からなる
。ここで、表示光用偏光板は、従来、基板287b、287cの双方がトリアセチルセル
ロース(TAC)層からなるが、本形態において、表示光用第1偏光板288および表示
光用第2偏光板289は、一方の基板287bはトリアセチルセルロース(TAC)層か
らなるのに対して、他方の基板287cは環状オレフィン共重合体層からなる。
このため、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、互いの偏光
軸を平行配置したとき、図3(b)に実線R21で示す透過特性を備え、互いの偏光軸を
直交配置したとき、図3(b)に実線R22で示す透過特性を備えている。具体的には、
表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、互いの偏光軸を平行配置
したときの波長が380nmから720nmの帯域の光(可視光/表示光)に対する透過
率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配置したときの波長が380nmから720
nmの帯域の光に対する透過率が3%以下である。従って、表示光用第1偏光板288お
よび表示光用第2偏光板289は、可視光(表示光)に対して検光子として機能する。
軸を平行配置したとき、図3(b)に実線R21で示す透過特性を備え、互いの偏光軸を
直交配置したとき、図3(b)に実線R22で示す透過特性を備えている。具体的には、
表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、互いの偏光軸を平行配置
したときの波長が380nmから720nmの帯域の光(可視光/表示光)に対する透過
率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配置したときの波長が380nmから720
nmの帯域の光に対する透過率が3%以下である。従って、表示光用第1偏光板288お
よび表示光用第2偏光板289は、可視光(表示光)に対して検光子として機能する。
また、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、互いの偏光軸を
平行配置したときの波長が840nmから1000nmの帯域の光(赤外光/検出光L2
)に対する透過光、および互いの偏光軸を直交配置したときの波長が840nmから10
00nmの帯域の光(赤外光/検出光L2)に対する透過光が30%以上である。このた
め、検出光L2が表示光用第1偏光板288、画像生成用液晶パネル209aおよび表示
光用第2偏光板289を透過する場合する際、光変調を受けずに、検出空間10Rに出射
されることになる。
平行配置したときの波長が840nmから1000nmの帯域の光(赤外光/検出光L2
)に対する透過光、および互いの偏光軸を直交配置したときの波長が840nmから10
00nmの帯域の光(赤外光/検出光L2)に対する透過光が30%以上である。このた
め、検出光L2が表示光用第1偏光板288、画像生成用液晶パネル209aおよび表示
光用第2偏光板289を透過する場合する際、光変調を受けずに、検出空間10Rに出射
されることになる。
[光学式位置検出装置10の構成例]
図4は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100に構成した光学
式位置検出装置10の構成例を模式的に示す説明図である。図4に示すように、光学式位
置検出装置10は、対象物体Obの位置を検出する検出空間10Rに検出光L2を出射し
て検出光L2の光強度分布を異なるパターンで順次形成する位置検出用光源装置11と、
対象物体Obで反射した検出光L3を検出する光検出器30と、光検出器30での検出結
果に基づいて対象物体Obの位置を検出する位置検出部50とを有している。
図4は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100に構成した光学
式位置検出装置10の構成例を模式的に示す説明図である。図4に示すように、光学式位
置検出装置10は、対象物体Obの位置を検出する検出空間10Rに検出光L2を出射し
て検出光L2の光強度分布を異なるパターンで順次形成する位置検出用光源装置11と、
対象物体Obで反射した検出光L3を検出する光検出器30と、光検出器30での検出結
果に基づいて対象物体Obの位置を検出する位置検出部50とを有している。
位置検出用光源装置11は、検出光L2としてピーク波長が840nmから1000n
mの帯域に位置する赤外光を出射する位置検出用光源12と、位置検出用光源12から検
出空間10Rに向かう光路において位置検出用光源12から出射された検出光L2の光強
度分布を切り換える光強度分布変換用液晶装置16と、位置検出用光源12および光強度
分布変換用液晶装置16を駆動する光源駆動部14とを備えている。光強度分布変換用液
晶装置16にはフレキシブル配線基板16a等の配線材が接続されており、光源駆動部1
4は、フレキシブル配線基板16a等を介して光強度分布変換用液晶装置16に変調信号
を出力する。
mの帯域に位置する赤外光を出射する位置検出用光源12と、位置検出用光源12から検
出空間10Rに向かう光路において位置検出用光源12から出射された検出光L2の光強
度分布を切り換える光強度分布変換用液晶装置16と、位置検出用光源12および光強度
分布変換用液晶装置16を駆動する光源駆動部14とを備えている。光強度分布変換用液
晶装置16にはフレキシブル配線基板16a等の配線材が接続されており、光源駆動部1
4は、フレキシブル配線基板16a等を介して光強度分布変換用液晶装置16に変調信号
を出力する。
光検出器30は、フォトダイオードやフォトトランジスター等からなり、本形態では、
フォトダイオードが用いられている。光検出器30には位置検出部50が電気的に接続さ
れており、光検出器30での検出結果は位置検出部50に出力される。光源駆動部14と
位置検出部50とは、同一の集積回路500に構成されており、位置検出用光源12およ
び光強度分布変換用液晶装置16に対する駆動と位置検出部50での検出動作とは連動し
て行われる。位置検出部50は、光検出器30での検出結果に対する信号処理部55と、
信号処理部55での処理結果に基づいて対象物体ObのX座標を算出するX座標算出部5
1と、信号処理部55での処理結果に基づいて対象物体ObのY座標を算出するY座標算
出部52とを備えている。さらに、位置検出部50は、信号処理部55での処理結果に基
づいて対象物体ObのZ座標を算出するZ座標算出部53を備えている。
フォトダイオードが用いられている。光検出器30には位置検出部50が電気的に接続さ
れており、光検出器30での検出結果は位置検出部50に出力される。光源駆動部14と
位置検出部50とは、同一の集積回路500に構成されており、位置検出用光源12およ
び光強度分布変換用液晶装置16に対する駆動と位置検出部50での検出動作とは連動し
て行われる。位置検出部50は、光検出器30での検出結果に対する信号処理部55と、
信号処理部55での処理結果に基づいて対象物体ObのX座標を算出するX座標算出部5
1と、信号処理部55での処理結果に基づいて対象物体ObのY座標を算出するY座標算
出部52とを備えている。さらに、位置検出部50は、信号処理部55での処理結果に基
づいて対象物体ObのZ座標を算出するZ座標算出部53を備えている。
(光強度分布変換用液晶装置16および光源12の構成)
図5は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10に用いた光強度分布変換用液晶装置16および位置検出用光源12の説明図で
あり、図5(a)、(b)、(c)は、光強度分布変換用液晶装置16等の構成を模式的
に示す断面図、検出光用偏光板の断面構成を示す説明図、および検出光用偏光板の透過特
性を示す説明図である。
図5は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10に用いた光強度分布変換用液晶装置16および位置検出用光源12の説明図で
あり、図5(a)、(b)、(c)は、光強度分布変換用液晶装置16等の構成を模式的
に示す断面図、検出光用偏光板の断面構成を示す説明図、および検出光用偏光板の透過特
性を示す説明図である。
図4および図5(a)に示すように、位置検出用光源装置11において、位置検出用光
源12は、光強度分布変換用液晶装置16に用いた光強度分布変換用液晶パネル160の
一方面(光入射面161)の側に配置された透光性の導光板125と、導光板125の端
部126に対向配置された1乃至複数の発光素子121とを有している。本形態において
、発光素子121は、LED(発光ダイオード)等により構成され、赤外光からなる検出
光L2を発散光として放出する。検出光L2は、指やタッチペン等の対象物体Obにより
効率的に反射される波長域を有することが好ましい。従って、対象物体Obが指等の人体
であることを想定して、本形態では、人体の表面で反射率の高い近赤外線(ピーク波長が
840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光)が用いられている。特に、本形態
では、近赤外のうちでも、人体の表面で反射率の高い赤外線、より具体的には、ピーク波
長が840nmの赤外線が用いられている。また、導光板125の光出射面127または
裏面128には、プリズム状の傾斜面等が形成されているとともに、裏面128には反射
層129が設けられている。
源12は、光強度分布変換用液晶装置16に用いた光強度分布変換用液晶パネル160の
一方面(光入射面161)の側に配置された透光性の導光板125と、導光板125の端
部126に対向配置された1乃至複数の発光素子121とを有している。本形態において
、発光素子121は、LED(発光ダイオード)等により構成され、赤外光からなる検出
光L2を発散光として放出する。検出光L2は、指やタッチペン等の対象物体Obにより
効率的に反射される波長域を有することが好ましい。従って、対象物体Obが指等の人体
であることを想定して、本形態では、人体の表面で反射率の高い近赤外線(ピーク波長が
840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光)が用いられている。特に、本形態
では、近赤外のうちでも、人体の表面で反射率の高い赤外線、より具体的には、ピーク波
長が840nmの赤外線が用いられている。また、導光板125の光出射面127または
裏面128には、プリズム状の傾斜面等が形成されているとともに、裏面128には反射
層129が設けられている。
光強度分布変換用液晶装置16は、透過型の液晶装置であり、アクティブマトリクス型
の透過型の光強度分布変換用液晶パネル160と、光強度分布変換用液晶パネル160の
光入射面161の側に重ねて配置された検出光用第1偏光板168と、光強度分布変換用
液晶パネル160の光出射面162の側に重ねて配置された検出光用第2偏光板169と
を備えている。光強度分布変換用液晶パネル160は、シール材166によって貼り合わ
された一対の透光性基板163、164と、これらの透光性基板163、164の間に保
持された液晶層165とを備えている。ここで、透光性基板163、164のうちの一方
の透光性基板は、画素電極や画素トランジスターが形成された素子基板として構成され、
他方の透光性基板は、共通電極が形成された対向基板として構成される。なお、光強度分
布変換用液晶パネル160がIPS方式あるいはFFS方式の液晶パネルである場合、共
通電極も画素電極と同様、素子基板の側に形成される。
の透過型の光強度分布変換用液晶パネル160と、光強度分布変換用液晶パネル160の
光入射面161の側に重ねて配置された検出光用第1偏光板168と、光強度分布変換用
液晶パネル160の光出射面162の側に重ねて配置された検出光用第2偏光板169と
を備えている。光強度分布変換用液晶パネル160は、シール材166によって貼り合わ
された一対の透光性基板163、164と、これらの透光性基板163、164の間に保
持された液晶層165とを備えている。ここで、透光性基板163、164のうちの一方
の透光性基板は、画素電極や画素トランジスターが形成された素子基板として構成され、
他方の透光性基板は、共通電極が形成された対向基板として構成される。なお、光強度分
布変換用液晶パネル160がIPS方式あるいはFFS方式の液晶パネルである場合、共
通電極も画素電極と同様、素子基板の側に形成される。
検出光用第1偏光板168および検出光用第2偏光板169は、光強度分布変換用液晶
パネル160をノーマリホワイトで使用するかノーマリブラックで使用するかによって、
互いの偏光軸が平行あるいは直交するように配置される。かかる検出光用第1偏光板16
8および検出光用第2偏光板169は、図5(b)に示すように、ヨウ素化合物分子等を
吸着配向したポリビニル(PVA)層等からなる直線偏光層167aと、直線偏光層16
7aを両側から挟むトリアセチルセルロース(TAC)層や環状オレフィン共重合体層等
からなる基板167b、167c等からなる。
パネル160をノーマリホワイトで使用するかノーマリブラックで使用するかによって、
互いの偏光軸が平行あるいは直交するように配置される。かかる検出光用第1偏光板16
8および検出光用第2偏光板169は、図5(b)に示すように、ヨウ素化合物分子等を
吸着配向したポリビニル(PVA)層等からなる直線偏光層167aと、直線偏光層16
7aを両側から挟むトリアセチルセルロース(TAC)層や環状オレフィン共重合体層等
からなる基板167b、167c等からなる。
このように構成した位置検出用光源装置11において、発光素子121から出射された
検出光L2は、端部126から導光板125の内部に進入した後、導光板125の内部を
伝播しながら、光出射面127から略均一な光強度分布をもって出射され、光強度分布変
換用液晶装置16に入射する。より具体的には、導光板125は、発光素子121が対向
する端面126側から反対側の端面に向けて、光出射面127からの出射光の光量比率が
単調に増加する導光構造を有している。かかる導光構造は、例えば、導光板125の光出
射面127あるいは裏面128に形成された光偏向用あるいは光散乱用の微細な凹凸形状
の屈折面の面積、印刷された散乱層の形成密度等を上記内部伝播方向に向けて徐々に高め
ることで実現される。このような導光構造を設けることで、検出光L2は、光出射部、面
からほぼ均一に出射される。そして、光強度分布変換用液晶装置16は、位置検出用光源
12から出射された検出光L2を変調し、検出空間10Rに検出光L2の光強度分布を異
なるパターンで順次形成する。
検出光L2は、端部126から導光板125の内部に進入した後、導光板125の内部を
伝播しながら、光出射面127から略均一な光強度分布をもって出射され、光強度分布変
換用液晶装置16に入射する。より具体的には、導光板125は、発光素子121が対向
する端面126側から反対側の端面に向けて、光出射面127からの出射光の光量比率が
単調に増加する導光構造を有している。かかる導光構造は、例えば、導光板125の光出
射面127あるいは裏面128に形成された光偏向用あるいは光散乱用の微細な凹凸形状
の屈折面の面積、印刷された散乱層の形成密度等を上記内部伝播方向に向けて徐々に高め
ることで実現される。このような導光構造を設けることで、検出光L2は、光出射部、面
からほぼ均一に出射される。そして、光強度分布変換用液晶装置16は、位置検出用光源
12から出射された検出光L2を変調し、検出空間10Rに検出光L2の光強度分布を異
なるパターンで順次形成する。
ここで、光強度分布変換用液晶装置16は、可視光を対象とする画像生成用液晶装置2
90と違って、赤外光を変調する。このため、検出光用第1偏光板168および検出光用
第2偏光板169は、図5(c)に実線R1で示すように、互いの偏光軸を平行配置した
とき、840nmから1000nmの帯域の光(検出光L2)の透過率が30%以上とな
るように構成されている。本形態において、検出光用第1偏光板168および検出光用第
2偏光板169は、互いの偏光軸を平行配置したとき、可視光に対しても透過率が30%
以上となるように構成されている。また、検出光用第1偏光板168および検出光用第2
偏光板169は、図5(c)に実線R2で示すように、互いの偏光軸を直交配置したとき
、840nmから1000nmの帯域の光(検出光L2)の透過率が3%以下となるよう
に構成されている。本形態において、検出光用第1偏光板168および検出光用第2偏光
板169は、互いの偏光軸を直交配置したとき、可視光に対しても透過率が3%以下とな
るように構成されている。
90と違って、赤外光を変調する。このため、検出光用第1偏光板168および検出光用
第2偏光板169は、図5(c)に実線R1で示すように、互いの偏光軸を平行配置した
とき、840nmから1000nmの帯域の光(検出光L2)の透過率が30%以上とな
るように構成されている。本形態において、検出光用第1偏光板168および検出光用第
2偏光板169は、互いの偏光軸を平行配置したとき、可視光に対しても透過率が30%
以上となるように構成されている。また、検出光用第1偏光板168および検出光用第2
偏光板169は、図5(c)に実線R2で示すように、互いの偏光軸を直交配置したとき
、840nmから1000nmの帯域の光(検出光L2)の透過率が3%以下となるよう
に構成されている。本形態において、検出光用第1偏光板168および検出光用第2偏光
板169は、互いの偏光軸を直交配置したとき、可視光に対しても透過率が3%以下とな
るように構成されている。
また、本形態で用いた光強度分布変換用液晶パネル160は、可視光を対象とする画像
生成用液晶装置290と違って、赤外光を変調する。このため、光強度分布変換用液晶パ
ネル160において、液晶層165の屈折率異方性をΔnとし、液晶層165の層厚をd
としたとき、液晶層165のリタデーションΔn・dは、最適な値に設定されている。こ
こで、可視光を対象とする画像生成用液晶装置290の場合、リタデーションΔn・dは
、波長550nmの緑色光を基準に最適な値に設定されている。例えば、TN方式の液晶
パネルの場合、リタデーションΔn・dは0.4に設定されている。また、VA方式の液
晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは0.31に設定されている。また、IPS方
式あるいはFFS方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは0.35に設定さ
れている。
生成用液晶装置290と違って、赤外光を変調する。このため、光強度分布変換用液晶パ
ネル160において、液晶層165の屈折率異方性をΔnとし、液晶層165の層厚をd
としたとき、液晶層165のリタデーションΔn・dは、最適な値に設定されている。こ
こで、可視光を対象とする画像生成用液晶装置290の場合、リタデーションΔn・dは
、波長550nmの緑色光を基準に最適な値に設定されている。例えば、TN方式の液晶
パネルの場合、リタデーションΔn・dは0.4に設定されている。また、VA方式の液
晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは0.31に設定されている。また、IPS方
式あるいはFFS方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは0.35に設定さ
れている。
これに対して、本形態で用いた光強度分布変換用液晶パネル160は、ピーク波長が8
40nmから1000nmの帯域に位置する赤外光を対象としている。このため、上記の
リタデーションΔn・dに対して[840nm/550nm]を乗じた値から[1000
nm/550nm]を乗じた値までの範囲に設定することが好ましい。具体的には、光強
度分布変換用液晶パネル160がTN方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・d
は、0.61から0.73であることが好ましい。また、光強度分布変換用液晶パネル1
60がVA方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0.47から0.56
であることが好ましい。また、光強度分布変換用液晶パネル160がIPS方式あるいは
FFS方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0.53から0.64であ
ることがさらに好ましい。
40nmから1000nmの帯域に位置する赤外光を対象としている。このため、上記の
リタデーションΔn・dに対して[840nm/550nm]を乗じた値から[1000
nm/550nm]を乗じた値までの範囲に設定することが好ましい。具体的には、光強
度分布変換用液晶パネル160がTN方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・d
は、0.61から0.73であることが好ましい。また、光強度分布変換用液晶パネル1
60がVA方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0.47から0.56
であることが好ましい。また、光強度分布変換用液晶パネル160がIPS方式あるいは
FFS方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0.53から0.64であ
ることがさらに好ましい。
但し、本形態では、光強度分布変換用液晶装置16は、検出光L2の光強度分布を形成
するだけであり、画像を表示する訳ではないので、光強度分布変換用液晶パネル160の
リタデーションΔn・dについては、下限値×95%から上限値×105%の値に設定し
てある。具体的には、光強度分布変換用液晶パネル160がTN方式の液晶パネルの場合
、リタデーションΔn・dは、0.58から0.76に設定してある。また、光強度分布
変換用液晶パネル160がVA方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0
.45から0.59に設定してある。また、光強度分布変換用液晶パネル160がIPS
方式あるいはFFS方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0.51から
0.67に設定してある。
するだけであり、画像を表示する訳ではないので、光強度分布変換用液晶パネル160の
リタデーションΔn・dについては、下限値×95%から上限値×105%の値に設定し
てある。具体的には、光強度分布変換用液晶パネル160がTN方式の液晶パネルの場合
、リタデーションΔn・dは、0.58から0.76に設定してある。また、光強度分布
変換用液晶パネル160がVA方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0
.45から0.59に設定してある。また、光強度分布変換用液晶パネル160がIPS
方式あるいはFFS方式の液晶パネルの場合、リタデーションΔn・dは、0.51から
0.67に設定してある。
(検出光L2の光強度分布)
図6は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10において位置検出用光源装置11の光強度分布変換用液晶装置16が検出光を
光変調する様子を示す説明図である。図7は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能
付き表示装置100の光学式位置検出装置10において位置検出用光源装置11から出射
された検出光L2の光強度分布を示す説明図である。なお、図6には、光強度分布変換用
液晶装置16において検出光L2を透過させる領域を白色で示し、光強度分布変換用液晶
装置16において検出光L2を遮断する領域を黒色で示してある。
図6は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10において位置検出用光源装置11の光強度分布変換用液晶装置16が検出光を
光変調する様子を示す説明図である。図7は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能
付き表示装置100の光学式位置検出装置10において位置検出用光源装置11から出射
された検出光L2の光強度分布を示す説明図である。なお、図6には、光強度分布変換用
液晶装置16において検出光L2を透過させる領域を白色で示し、光強度分布変換用液晶
装置16において検出光L2を遮断する領域を黒色で示してある。
図4および図5を参照して説明した位置検出用光源装置11において、位置検出用光源
12から出射される検出光L2のXY平面内における光強度分布は一定であるが、光強度
分布変換用液晶装置16は、位置検出用光源12から出射される検出光L2を光変調して
XY平面内における光強度分布を、図6(a)〜(d)および図7(a)〜(d)に示す
ように変換して検出空間10Rに出射する。
12から出射される検出光L2のXY平面内における光強度分布は一定であるが、光強度
分布変換用液晶装置16は、位置検出用光源12から出射される検出光L2を光変調して
XY平面内における光強度分布を、図6(a)〜(d)および図7(a)〜(d)に示す
ように変換して検出空間10Rに出射する。
まず、図6(a)および図7(a)に示すX座標検出用第1期間において、光強度分布
変換用液晶装置16が、図6(a)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(a)
に示すように、検出空間10Rには、X軸方向の一方側X1から他方側X2に向けて強度
が低下していくX座標検出用第1光強度分布L2Xa(X座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるX座標検出用第1光強度分布L2Xaでは、Y軸方向において強度が一定
である。
変換用液晶装置16が、図6(a)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(a)
に示すように、検出空間10Rには、X軸方向の一方側X1から他方側X2に向けて強度
が低下していくX座標検出用第1光強度分布L2Xa(X座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるX座標検出用第1光強度分布L2Xaでは、Y軸方向において強度が一定
である。
次に、図6(b)および図7(b)に示すX座標検出用第2期間において、光強度分布
変換用液晶装置16が、図6(b)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(b)
に示すように、検出空間10Rには、X軸方向の他方側X2から一方側X1に向けて強度
が低下していくX座標検出用第2光強度分布L2Xb(X座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるX座標検出用第2光強度分布L2Xbでは、Y軸方向において強度が一定
である。
変換用液晶装置16が、図6(b)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(b)
に示すように、検出空間10Rには、X軸方向の他方側X2から一方側X1に向けて強度
が低下していくX座標検出用第2光強度分布L2Xb(X座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるX座標検出用第2光強度分布L2Xbでは、Y軸方向において強度が一定
である。
次に、図6(c)および図7(c)に示すY座標検出用第1期間において、光強度分布
変換用液晶装置16が、図6(c)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(c)
に示すように、検出空間10Rには、Y軸方向の一方側Y1から他方側Y2に向けて強度
が低下していくY座標検出用第1光強度分布L2Ya(Y座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるY座標検出用第1光強度分布L2Yaでは、X軸方向において強度が一定
である。
変換用液晶装置16が、図6(c)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(c)
に示すように、検出空間10Rには、Y軸方向の一方側Y1から他方側Y2に向けて強度
が低下していくY座標検出用第1光強度分布L2Ya(Y座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるY座標検出用第1光強度分布L2Yaでは、X軸方向において強度が一定
である。
次に、図6(d)および図7(d)に示すY座標検出用第2期間において、光強度分布
変換用液晶装置16が、図6(d)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(d)
に示すように、検出空間10Rには、Y軸方向の他方側Y2から一方側Y1に向けて強度
が低下していくY座標検出用第2光強度分布L2Yb(Y座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるY座標検出用第2光強度分布L2Ybでは、X軸方向において強度が一定
である。
変換用液晶装置16が、図6(d)に示すように検出光L2を光変調すると、図7(d)
に示すように、検出空間10Rには、Y軸方向の他方側Y2から一方側Y1に向けて強度
が低下していくY座標検出用第2光強度分布L2Yb(Y座標検出用光強度分布)が形成
される。かかるY座標検出用第2光強度分布L2Ybでは、X軸方向において強度が一定
である。
(座標検出の基本原理)
本形態の光源式位置検出装置10においては、図7を参照して説明した検出光の光強度
分布を利用して、位置検出部50は、検出空間10R内の対象物体Obの位置を検出する
。そこで、図8を参照して、光強度分布の構成および座標検出の原理を説明する。
本形態の光源式位置検出装置10においては、図7を参照して説明した検出光の光強度
分布を利用して、位置検出部50は、検出空間10R内の対象物体Obの位置を検出する
。そこで、図8を参照して、光強度分布の構成および座標検出の原理を説明する。
図8は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10で用いた位置検出の原理を示す説明図であり、図8(a)、(b)、(c)は
、検出光L2のX軸方向の光強度分布を示す説明図、対象物体Obで反射した検出光L3
の光検出器30での検出値を示す説明図、対象物体Obで反射した検出光L3の光検出器
30での検出値が等しくなるように検出光L2の光強度分布を調整する様子を示す説明図
である。
出装置10で用いた位置検出の原理を示す説明図であり、図8(a)、(b)、(c)は
、検出光L2のX軸方向の光強度分布を示す説明図、対象物体Obで反射した検出光L3
の光検出器30での検出値を示す説明図、対象物体Obで反射した検出光L3の光検出器
30での検出値が等しくなるように検出光L2の光強度分布を調整する様子を示す説明図
である。
光学式位置検出装置10においては、位置検出用光源装置11から検出光L2を出射す
ると、検出空間10Rに検出光L2の光強度分布が形成される。例えば、X座標を検出す
る際には、図8(a)、(b)に示すように、まず、X座標検出用第1期間において、X
軸方向の一方側X1から他方側X2に向かって強度が単調減少していくX座標検出用第1
光強度分布L2Xaを形成した後、X座標検出用第2期間において、X軸方向の他方側X
2から一方側X1に向かって強度が単調減少していくX座標検出用第2光強度分布L2X
bを形成する。好ましくは、X座標検出用第1期間において、X軸方向の一方側X1から
他方側X2に向かって強度が直線的に減少していくX座標検出用第1光強度分布L2Xa
を形成した後、X座標検出用第2期間において、X軸方向の他方側X2から一方側X1に
向かって強度が直線的に減少していくX座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成する。
従って、検出空間10Rに対象物体Obが配置されると、対象物体Obにより検出光L2
が反射され、その反射光の一部が光検出器30により検出される。その際、光検出器30
での受光結果は、対象物体Obが位置する個所の光強度に対応する。従って、X座標検出
用第1期間に形成するX座標検出用第1光強度分布L2Xa、およびX座標検出用第2期
間に形成するX座標検出用第2光強度分布L2Xbを予め、設定した分布としておけば、
以下の方法等により、光検出器30での検出結果に基づいて、対象物体ObのX座標を検
出することができる。
ると、検出空間10Rに検出光L2の光強度分布が形成される。例えば、X座標を検出す
る際には、図8(a)、(b)に示すように、まず、X座標検出用第1期間において、X
軸方向の一方側X1から他方側X2に向かって強度が単調減少していくX座標検出用第1
光強度分布L2Xaを形成した後、X座標検出用第2期間において、X軸方向の他方側X
2から一方側X1に向かって強度が単調減少していくX座標検出用第2光強度分布L2X
bを形成する。好ましくは、X座標検出用第1期間において、X軸方向の一方側X1から
他方側X2に向かって強度が直線的に減少していくX座標検出用第1光強度分布L2Xa
を形成した後、X座標検出用第2期間において、X軸方向の他方側X2から一方側X1に
向かって強度が直線的に減少していくX座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成する。
従って、検出空間10Rに対象物体Obが配置されると、対象物体Obにより検出光L2
が反射され、その反射光の一部が光検出器30により検出される。その際、光検出器30
での受光結果は、対象物体Obが位置する個所の光強度に対応する。従って、X座標検出
用第1期間に形成するX座標検出用第1光強度分布L2Xa、およびX座標検出用第2期
間に形成するX座標検出用第2光強度分布L2Xbを予め、設定した分布としておけば、
以下の方法等により、光検出器30での検出結果に基づいて、対象物体ObのX座標を検
出することができる。
例えば、第1の方法では、図8(b)に示すX座標検出用第1光強度分布L2Xaと、
X座標検出用第2光強度分布L2Xbとの差を利用する。より具体的には、X座標検出用
第1光強度分布L2Xa、およびX座標検出用第2光強度分布L2Xbは予め、設定した
分布になっているので、X座標検出用第1光強度分布L2XaとX座標検出用第2光強度
分布L2Xbとの差も予め、設定した関数になっている。従って、X座標検出用第1期間
においてX座標検出用第1光強度分布L2Xaを形成した際の光検出器30での検出値L
Xaと、X座標検出用第2期間においてX座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成した
際の光検出器30での検出値LXbとの差を求めれば、対象物体ObのX座標を検出する
ことができる。かかる方法によれば、検出光L2以外の環境光、例えば、外光に含まれる
赤外成分が光検出器30に入射した場合でも、検出値LXa、LXbの差を求める際、環
境光に含まれる赤外成分の強度が相殺されるので、環境光に含まれる赤外成分が検出精度
に影響を及ぼすことがない。なお、光検出器30での検出値LXa、LXbとの差に基づ
いて対象物体ObのX座標を検出することもできる。
X座標検出用第2光強度分布L2Xbとの差を利用する。より具体的には、X座標検出用
第1光強度分布L2Xa、およびX座標検出用第2光強度分布L2Xbは予め、設定した
分布になっているので、X座標検出用第1光強度分布L2XaとX座標検出用第2光強度
分布L2Xbとの差も予め、設定した関数になっている。従って、X座標検出用第1期間
においてX座標検出用第1光強度分布L2Xaを形成した際の光検出器30での検出値L
Xaと、X座標検出用第2期間においてX座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成した
際の光検出器30での検出値LXbとの差を求めれば、対象物体ObのX座標を検出する
ことができる。かかる方法によれば、検出光L2以外の環境光、例えば、外光に含まれる
赤外成分が光検出器30に入射した場合でも、検出値LXa、LXbの差を求める際、環
境光に含まれる赤外成分の強度が相殺されるので、環境光に含まれる赤外成分が検出精度
に影響を及ぼすことがない。なお、光検出器30での検出値LXa、LXbとの差に基づ
いて対象物体ObのX座標を検出することもできる。
次に、第2の方法では、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1光強度分布L
2Xaを形成した際の光検出器30での検出値LXaと、X座標検出用第2期間において
X座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成した際の光検出器30での検出値LXbとが
等しくなるように、発光素子121に対する制御量(駆動電流)を調整した際の調整量に
基づいて対象物体ObのX座標を検出する方法である。かかる方法は、図8(b)に示す
X座標検出用第1光強度分布L2XaおよびX座標検出用第2光強度分布L2XbがX座
標に対して直線的に変化する場合に適用できる。
2Xaを形成した際の光検出器30での検出値LXaと、X座標検出用第2期間において
X座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成した際の光検出器30での検出値LXbとが
等しくなるように、発光素子121に対する制御量(駆動電流)を調整した際の調整量に
基づいて対象物体ObのX座標を検出する方法である。かかる方法は、図8(b)に示す
X座標検出用第1光強度分布L2XaおよびX座標検出用第2光強度分布L2XbがX座
標に対して直線的に変化する場合に適用できる。
まず、図8(b)に示すように、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間に
おいてX座標検出用第1光強度分布L2XaとX座標検出用第2光強度分布L2Xbを絶
対値が等しく、X軸方向で逆向きに形成する。この状態で、X座標検出用第1期間におけ
る光検出器30での検出値LXaと、X座標検出用第2期間における光検出器30での検
出値LXbとが等しければ、対象物体ObがX軸方向の中央に位置することが分る。
おいてX座標検出用第1光強度分布L2XaとX座標検出用第2光強度分布L2Xbを絶
対値が等しく、X軸方向で逆向きに形成する。この状態で、X座標検出用第1期間におけ
る光検出器30での検出値LXaと、X座標検出用第2期間における光検出器30での検
出値LXbとが等しければ、対象物体ObがX軸方向の中央に位置することが分る。
これに対して、X座標検出用第1期間における光検出器30での検出値LXaと、X座
標検出用第2期間における光検出器30での検出値LXbとが相違している場合、検出値
LXa、LXbが等しくなるように、発光素子121に対する制御量(駆動電流)を調整
して、図8(c)に示すように、再度、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1
光強度分布L2Xaを形成し、X座標検出用第2期間においてX座標検出用第2光強度分
布L2Xbを形成する。その結果、X座標検出用第1期間における光検出器30での検出
値LXaと、X座標検出用第2期間における光検出器30での検出値LXbとが等しくな
れば、X座標検出用第1期間での発光素子121に対する制御量の調整量ΔLXaと、X
座標検出用第2期間での発光素子121に対する制御量の調整量ΔLXbとの比あるいは
差等により、対象物体ObのX座標を検出することができる。かかる方法によれば、検出
光L2以外の環境光、例えば、外光に含まれる赤外成分が光検出器30に入射した場合で
も、検出値LXa、LXbが等しくなるように発光素子121に対する制御量の調整を行
なう際、環境光に含まれる赤外成分の強度が相殺されるので、環境光に含まれる赤外成分
が検出精度に影響を及ぼすことがない。
標検出用第2期間における光検出器30での検出値LXbとが相違している場合、検出値
LXa、LXbが等しくなるように、発光素子121に対する制御量(駆動電流)を調整
して、図8(c)に示すように、再度、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1
光強度分布L2Xaを形成し、X座標検出用第2期間においてX座標検出用第2光強度分
布L2Xbを形成する。その結果、X座標検出用第1期間における光検出器30での検出
値LXaと、X座標検出用第2期間における光検出器30での検出値LXbとが等しくな
れば、X座標検出用第1期間での発光素子121に対する制御量の調整量ΔLXaと、X
座標検出用第2期間での発光素子121に対する制御量の調整量ΔLXbとの比あるいは
差等により、対象物体ObのX座標を検出することができる。かかる方法によれば、検出
光L2以外の環境光、例えば、外光に含まれる赤外成分が光検出器30に入射した場合で
も、検出値LXa、LXbが等しくなるように発光素子121に対する制御量の調整を行
なう際、環境光に含まれる赤外成分の強度が相殺されるので、環境光に含まれる赤外成分
が検出精度に影響を及ぼすことがない。
上記の方法のいずれを採用する場合でも、同様に、Y座標検出用第1期間において、Y
軸方向の一方側Y1から他方側Y2に向かって強度が単調減少していくY座標検出用第1
光強度分布を形成した後、Y座標検出用第2期間において、Y軸方向の他方側Y2から一
方側Y1に向かって強度が単調減少していくY座標検出用第2光強度分布を形成すれば、
対象物体ObのY座標を検出することができる。
軸方向の一方側Y1から他方側Y2に向かって強度が単調減少していくY座標検出用第1
光強度分布を形成した後、Y座標検出用第2期間において、Y軸方向の他方側Y2から一
方側Y1に向かって強度が単調減少していくY座標検出用第2光強度分布を形成すれば、
対象物体ObのY座標を検出することができる。
上記のように、光検出器30での検出結果に基づいて対象物体Obの検出空間10R内
の位置情報を取得するにあたって、例えば、位置検出部50としてマイクロプロセッサー
ユニット(MPU)を用い、これにより所定のソフトウェア(動作プログラム)を実行す
ることに従って処理を行う構成を採用することができる。また、図9を参照して以下に説
明するように、論理回路等のハードウェアを用いた処理を行う構成を採用することもでき
る。
の位置情報を取得するにあたって、例えば、位置検出部50としてマイクロプロセッサー
ユニット(MPU)を用い、これにより所定のソフトウェア(動作プログラム)を実行す
ることに従って処理を行う構成を採用することができる。また、図9を参照して以下に説
明するように、論理回路等のハードウェアを用いた処理を行う構成を採用することもでき
る。
(位置検出部50の構成例)
図9は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10での信号処理内容を示す説明図であり、図9(a)、(b)は各々、位置検出
部50の構成を模式的に示す説明図、および位置検出部50の発光強度補償指令部での処
理内容を示す説明図である。ここに示す位置検出部50は、X座標検出用第1期間および
X座標検出用第2期間における光検出器30での検出値LXa、LXbが等しくなるよう
に、発光素子121に対する制御量(駆動電流)を調整した際の調整量に基づいて対象物
体ObのX座標を検出する方法である。なお、X座標およびY座標を検出するための構成
は同様であるため、以下の説明ではX座標を求める場合のみを説明する。また、図9(a
)、(b)では、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間において発光素子1
21を駆動する様子を示すにあたって、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1
光強度分布L2Xaを形成する発光素子121と、X座標検出用第2期間においてX座標
検出用第2光強度分布L2Xbを形成する発光素子121とを設け、それらを同期して駆
動するように表してある。
図9は、本発明の実施の形態1に係る位置検出機能付き表示装置100の光学式位置検
出装置10での信号処理内容を示す説明図であり、図9(a)、(b)は各々、位置検出
部50の構成を模式的に示す説明図、および位置検出部50の発光強度補償指令部での処
理内容を示す説明図である。ここに示す位置検出部50は、X座標検出用第1期間および
X座標検出用第2期間における光検出器30での検出値LXa、LXbが等しくなるよう
に、発光素子121に対する制御量(駆動電流)を調整した際の調整量に基づいて対象物
体ObのX座標を検出する方法である。なお、X座標およびY座標を検出するための構成
は同様であるため、以下の説明ではX座標を求める場合のみを説明する。また、図9(a
)、(b)では、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間において発光素子1
21を駆動する様子を示すにあたって、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1
光強度分布L2Xaを形成する発光素子121と、X座標検出用第2期間においてX座標
検出用第2光強度分布L2Xbを形成する発光素子121とを設け、それらを同期して駆
動するように表してある。
図9(a)に示すように、本形態の光学式位置検出装置10において、光源駆動部14
(図4参照)の光源駆動回路140は、X座標検出用第1期間では可変抵抗111を介し
て発光素子121に所定電流値の駆動パルスを印加し、X座標検出用第2期間では可変抵
抗112および反転回路113を介して発光素子121に所定電流値の駆動パルスを印加
するものとして表される。従って、光源駆動回路140は、X座標検出用第1期間とX座
標検出用第2期間とでは、発光素子121に対して逆相の駆動パルスを印加すると見なす
ことができる。そして、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1光強度分布L2
Xaを形成した際の検出光L2が対象物体Obで反射した光が共通の光検出器30で受光
されるとともに、X座標検出用第2期間においてX座標検出用第2光強度分布L2Xbを
形成した際の検出光L2が対象物体Obで反射した光が共通の光検出器30で受光される
。光強度信号生成回路150において、光検出器30には、1kΩ程度の抵抗30rが直
列に電気的接続されており、それらの両端にはバイアス電圧Vbが印加されている。
(図4参照)の光源駆動回路140は、X座標検出用第1期間では可変抵抗111を介し
て発光素子121に所定電流値の駆動パルスを印加し、X座標検出用第2期間では可変抵
抗112および反転回路113を介して発光素子121に所定電流値の駆動パルスを印加
するものとして表される。従って、光源駆動回路140は、X座標検出用第1期間とX座
標検出用第2期間とでは、発光素子121に対して逆相の駆動パルスを印加すると見なす
ことができる。そして、X座標検出用第1期間においてX座標検出用第1光強度分布L2
Xaを形成した際の検出光L2が対象物体Obで反射した光が共通の光検出器30で受光
されるとともに、X座標検出用第2期間においてX座標検出用第2光強度分布L2Xbを
形成した際の検出光L2が対象物体Obで反射した光が共通の光検出器30で受光される
。光強度信号生成回路150において、光検出器30には、1kΩ程度の抵抗30rが直
列に電気的接続されており、それらの両端にはバイアス電圧Vbが印加されている。
かかる光強度信号生成回路150において、光検出器30と抵抗30rとの接続点P1
には、位置検出部50が電気的に接続されている。光検出器30と抵抗30rとの接続点
P1から出力される検出信号Vcは、下式
Vc=V30/(V30+抵抗30rの抵抗値)
V30:光検出器30の等価抵抗
で表される。従って、環境光が光検出器30に入射しない場合と、環境光が光検出器30
に入射している場合とを比較すると、環境光が光検出器30に入射している場合には、検
出信号Vcのレベルおよび振幅が大きくなる。
には、位置検出部50が電気的に接続されている。光検出器30と抵抗30rとの接続点
P1から出力される検出信号Vcは、下式
Vc=V30/(V30+抵抗30rの抵抗値)
V30:光検出器30の等価抵抗
で表される。従って、環境光が光検出器30に入射しない場合と、環境光が光検出器30
に入射している場合とを比較すると、環境光が光検出器30に入射している場合には、検
出信号Vcのレベルおよび振幅が大きくなる。
位置検出部50は概ね、位置検出用信号抽出回路190、位置検出用信号分離回路17
0、および発光強度補償指令回路180を備えている。
0、および発光強度補償指令回路180を備えている。
位置検出用信号抽出回路190は、1nF程度のキャパシタからなるフィルター192
を備えており、かかるフィルター192は、光検出器30と抵抗30rとの接続点P1か
ら出力された信号から直流成分を除去するハイパスフィルターとして機能する。このため
、フィルター192によって、光検出器30と抵抗30rとの接続点P1から出力された
検出信号Vcからは、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間における光検出
器30による検出光L2の位置検出信号Vdが抽出される。すなわち、検出光L2は変調
されているのに対して、環境光はある期間内において強度が一定であると見なすことがで
きるので、環境光に起因する低周波成分あるいは直流成分はフィルター192によって除
去される。
を備えており、かかるフィルター192は、光検出器30と抵抗30rとの接続点P1か
ら出力された信号から直流成分を除去するハイパスフィルターとして機能する。このため
、フィルター192によって、光検出器30と抵抗30rとの接続点P1から出力された
検出信号Vcからは、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間における光検出
器30による検出光L2の位置検出信号Vdが抽出される。すなわち、検出光L2は変調
されているのに対して、環境光はある期間内において強度が一定であると見なすことがで
きるので、環境光に起因する低周波成分あるいは直流成分はフィルター192によって除
去される。
また、位置検出用信号抽出回路190は、フィルター192の後段に、220kΩ程度
の帰還抵抗194を備えた加算回路193を有しており、フィルター192によって抽出
された位置検出信号Vdは、バイアス電圧Vbの1/2倍の電圧V/2に重畳された位置
検出信号Vsとして位置検出用信号分離回路170に出力される。
の帰還抵抗194を備えた加算回路193を有しており、フィルター192によって抽出
された位置検出信号Vdは、バイアス電圧Vbの1/2倍の電圧V/2に重畳された位置
検出信号Vsとして位置検出用信号分離回路170に出力される。
位置検出用信号分離回路170は、X座標検出用第1期間において発光素子121に印
加される駆動パルスに同期してスイッチング動作を行なうスイッチ171と、比較器17
2と、比較器172の入力線に各々、電気的接続されたキャパシタ173とを備えている
。このため、位置検出信号Vsが位置検出用信号分離回路170に入力されると、位置検
出用信号分離回路170から発光強度補償指令回路180には、X座標検出用第1期間で
の位置検出信号Vsの実効値Veaと、X座標検出用第2期間での位置検出信号Vsの実
効値Vebとが交互に出力される。
加される駆動パルスに同期してスイッチング動作を行なうスイッチ171と、比較器17
2と、比較器172の入力線に各々、電気的接続されたキャパシタ173とを備えている
。このため、位置検出信号Vsが位置検出用信号分離回路170に入力されると、位置検
出用信号分離回路170から発光強度補償指令回路180には、X座標検出用第1期間で
の位置検出信号Vsの実効値Veaと、X座標検出用第2期間での位置検出信号Vsの実
効値Vebとが交互に出力される。
発光強度補償指令回路180は、実効値Vea、Vebを比較して、図9(b)に示す
処理を行ない、X座標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaと、X座標検
出用第2期間での位置検出信号Vsの実効値Vebとが同一レベルとなるように光源駆動
回路140に制御信号Vfを出力する。すなわち、発光強度補償指令回路180は、X座
標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaと、X座標検出用第2期間での位
置検出信号Vsの実効値Vebとを比較して、それらが等しい場合、現状の駆動条件を維
持させる。これに対して、X座標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaが
、X座標検出用第2期間での位置検出信号Vsの実効値Vebより低い場合、発光強度補
償指令回路180は、可変抵抗111の抵抗値を下げさせてX座標検出用第1期間での発
光素子121からの出射光量を高める。また、X座標検出用第2期間での位置検出信号V
sの実効値Vebが、X座標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaより低
い場合、発光強度補償指令回路180は、可変抵抗112の抵抗値を下げさせてX座標検
出用第2期間の出射光量を高める。
処理を行ない、X座標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaと、X座標検
出用第2期間での位置検出信号Vsの実効値Vebとが同一レベルとなるように光源駆動
回路140に制御信号Vfを出力する。すなわち、発光強度補償指令回路180は、X座
標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaと、X座標検出用第2期間での位
置検出信号Vsの実効値Vebとを比較して、それらが等しい場合、現状の駆動条件を維
持させる。これに対して、X座標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaが
、X座標検出用第2期間での位置検出信号Vsの実効値Vebより低い場合、発光強度補
償指令回路180は、可変抵抗111の抵抗値を下げさせてX座標検出用第1期間での発
光素子121からの出射光量を高める。また、X座標検出用第2期間での位置検出信号V
sの実効値Vebが、X座標検出用第1期間での位置検出信号Vsの実効値Veaより低
い場合、発光強度補償指令回路180は、可変抵抗112の抵抗値を下げさせてX座標検
出用第2期間の出射光量を高める。
このようにして、位置検出機能付き表示装置100では位置検出部50の発光強度補償
指令回路180によって、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間での光検出
器30による検出量が同一となるように、発光素子121の制御量(電流量)を制御する
。従って、発光強度補償指令回路180には、X座標検出用第1期間での位置検出信号V
sの実効値Veaと、X座標検出用第2期間での位置検出信号Vsの実効値Vebとが同
一レベルとなるような発光素子121に対する制御量に関する情報が存在するので、かか
る情報を位置検出信号VgとしてX座標算出部51に出力すれば、X座標算出部51は、
検出空間10Rにおける対象物体ObのX座標を得ることができる。また、同様な原理を
利用すれば、検出空間10Rにおける対象物体ObのY座標を得ることができる。
指令回路180によって、X座標検出用第1期間およびX座標検出用第2期間での光検出
器30による検出量が同一となるように、発光素子121の制御量(電流量)を制御する
。従って、発光強度補償指令回路180には、X座標検出用第1期間での位置検出信号V
sの実効値Veaと、X座標検出用第2期間での位置検出信号Vsの実効値Vebとが同
一レベルとなるような発光素子121に対する制御量に関する情報が存在するので、かか
る情報を位置検出信号VgとしてX座標算出部51に出力すれば、X座標算出部51は、
検出空間10Rにおける対象物体ObのX座標を得ることができる。また、同様な原理を
利用すれば、検出空間10Rにおける対象物体ObのY座標を得ることができる。
また、本形態では、位置検出用信号抽出回路190において、フィルター192は、光
検出器30と抵抗30rとの接続点P1から出力された検出信号Vcから、環境光に起因
する直流成分を除去して位置検出信号Vdを抽出する。このため、光検出器30と抵抗3
0rとの接続点P1から出力された検出信号Vcに環境光の赤外成分に起因する信号成分
が含まれている場合でも、かかる環境光の影響をキャンセルすることができる。
検出器30と抵抗30rとの接続点P1から出力された検出信号Vcから、環境光に起因
する直流成分を除去して位置検出信号Vdを抽出する。このため、光検出器30と抵抗3
0rとの接続点P1から出力された検出信号Vcに環境光の赤外成分に起因する信号成分
が含まれている場合でも、かかる環境光の影響をキャンセルすることができる。
(Z座標検出動作)
本形態の光学式位置検出装置10において、図7に示すX座標検出用第1光強度分布L
2Xa、X座標検出用第2光強度分布L2Xb、Y座標検出用第1光強度分布L2Ya、
Y座標検出用第2光強度分布L2Ybを合成すると、Z軸方向において検出光L2の強度
が単調減少するZ座標検出用光強度分布が形成される。かかるZ座標検出用光強度分布で
は、Z軸方向における位置と検出光L2の強度とが一定の関係を有している。このため、
対象物体Obで反射して光検出器30で検出される光量は、Z座標検出用光強度分布にお
ける検出光L2の強度と比例し、対象物体Obの位置によって規定される値である。従っ
て、Z座標検出期間における光検出器30の検出結果に基づいて、対象物体ObのZ座標
を検出することができる。より具体的には、光強度分布変換用液晶装置16は、全ての領
域で検出光L2を透過し、Z座標検出用光強度分布を形成する。なお、図7に示すX座標
検出用第1光強度分布L2Xa、X座標検出用第2光強度分布L2Xb、Y座標検出用第
1光強度分布L2Ya、Y座標検出用第2光強度分布L2Ybを順次形成した際の光検出
器30の検出結果を合計してもZ座標を検出することは可能である。
本形態の光学式位置検出装置10において、図7に示すX座標検出用第1光強度分布L
2Xa、X座標検出用第2光強度分布L2Xb、Y座標検出用第1光強度分布L2Ya、
Y座標検出用第2光強度分布L2Ybを合成すると、Z軸方向において検出光L2の強度
が単調減少するZ座標検出用光強度分布が形成される。かかるZ座標検出用光強度分布で
は、Z軸方向における位置と検出光L2の強度とが一定の関係を有している。このため、
対象物体Obで反射して光検出器30で検出される光量は、Z座標検出用光強度分布にお
ける検出光L2の強度と比例し、対象物体Obの位置によって規定される値である。従っ
て、Z座標検出期間における光検出器30の検出結果に基づいて、対象物体ObのZ座標
を検出することができる。より具体的には、光強度分布変換用液晶装置16は、全ての領
域で検出光L2を透過し、Z座標検出用光強度分布を形成する。なお、図7に示すX座標
検出用第1光強度分布L2Xa、X座標検出用第2光強度分布L2Xb、Y座標検出用第
1光強度分布L2Ya、Y座標検出用第2光強度分布L2Ybを順次形成した際の光検出
器30の検出結果を合計してもZ座標を検出することは可能である。
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態の位置検出機能付き表示装置100では、画像生成用液晶
パネル209aに対して表示光L1の出射側とは反対側に位置検出用光源装置11を設け
、対象物体Obにより反射した検出光L2を光検出器30によって検出する。ここで、位
置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、検出空間10R(表示光L1の出射
側空間)に光強度分布を形成するため、検出空間10Rにおける位置と検出光L2の強度
との関係を予め把握しておけば、位置検出部50は、光検出器30の受光結果に基づいて
対象物体Obの位置を検出することができる。それ故、高価な撮像素子を用いなくても、
対象物体Obの位置を精度よく検出することができる。また、検出光L2は、赤外光から
なるため、視認されないので、画像の表示を妨げることがない。
以上説明したように、本形態の位置検出機能付き表示装置100では、画像生成用液晶
パネル209aに対して表示光L1の出射側とは反対側に位置検出用光源装置11を設け
、対象物体Obにより反射した検出光L2を光検出器30によって検出する。ここで、位
置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、検出空間10R(表示光L1の出射
側空間)に光強度分布を形成するため、検出空間10Rにおける位置と検出光L2の強度
との関係を予め把握しておけば、位置検出部50は、光検出器30の受光結果に基づいて
対象物体Obの位置を検出することができる。それ故、高価な撮像素子を用いなくても、
対象物体Obの位置を精度よく検出することができる。また、検出光L2は、赤外光から
なるため、視認されないので、画像の表示を妨げることがない。
さらに、画像生成用液晶パネル209aの両側に設けられた表示光用第1偏光板288
および表示光用第2偏光板299は、互いの偏光軸を平行配置したときの波長が380n
mから720nmの帯域の光に対する透過率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配
置したときの波長が380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が3%以下であ
る。従って、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、可視光から
なる表示光に対しては偏光能を備えているので、画像生成用液晶パネル209aによって
可視光からなる表示光を光変調することができる。
および表示光用第2偏光板299は、互いの偏光軸を平行配置したときの波長が380n
mから720nmの帯域の光に対する透過率が30%以上であり、互いの偏光軸を直交配
置したときの波長が380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が3%以下であ
る。従って、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、可視光から
なる表示光に対しては偏光能を備えているので、画像生成用液晶パネル209aによって
可視光からなる表示光を光変調することができる。
また、表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289は、互いの偏光軸を
平行配置したときの検出光L2に対する透過率および互いの偏光軸を直交配置したときの
検出光に対する透過率が30%以上であり、赤外光からなる検出光L2に対しては偏光能
を備えていない。従って、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、画像生
成用液晶パネル209aによる光変調を受けない。それ故、位置検出用光源装置11から
出射された検出光L2は、検出空間10Rに好適な光強度分布を形成するので、画像生成
用液晶パネル209aを透過した検出光L2を利用する方式を採用した場合でも、対象物
体Obの位置(X座標、Y座標およびZ座標)を正確に検出することができる。
平行配置したときの検出光L2に対する透過率および互いの偏光軸を直交配置したときの
検出光に対する透過率が30%以上であり、赤外光からなる検出光L2に対しては偏光能
を備えていない。従って、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、画像生
成用液晶パネル209aによる光変調を受けない。それ故、位置検出用光源装置11から
出射された検出光L2は、検出空間10Rに好適な光強度分布を形成するので、画像生成
用液晶パネル209aを透過した検出光L2を利用する方式を採用した場合でも、対象物
体Obの位置(X座標、Y座標およびZ座標)を正確に検出することができる。
また、位置検出用光源装置11は、位置検出用光源12から検出空間10Rに向かう光
路に光強度分布変換用液晶装置16を備えているため、位置検出用光源12から出射され
た検出光L2の光強度分布を光強度分布変換用液晶装置16によって変換した後、検出空
間10Rに出射することができる。従って、検出空間10Rに好適な光強度分布を形成す
ることができるので、対象物体Obの位置を正確に検出することができる。
路に光強度分布変換用液晶装置16を備えているため、位置検出用光源12から出射され
た検出光L2の光強度分布を光強度分布変換用液晶装置16によって変換した後、検出空
間10Rに出射することができる。従って、検出空間10Rに好適な光強度分布を形成す
ることができるので、対象物体Obの位置を正確に検出することができる。
また、光強度分布変換用液晶装置16では、検出光用第1偏光板168および検出光用
第2偏光板169は、互いの偏光軸を平行に配置したときの検出光L2の透過率が30%
以上で、互いの偏光軸を直交配置したときの検出光L2の透過率が3%以下である。この
ため、ピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光からなる検出光
L2を好適に光変調することができる。また、光強度分布変換用液晶パネル160では、
リタデーションが最適な値に設定されているので、ピーク波長が840nmから1000
nmの帯域に位置する赤外光からなる検出光L2を好適に光変調することができる。
第2偏光板169は、互いの偏光軸を平行に配置したときの検出光L2の透過率が30%
以上で、互いの偏光軸を直交配置したときの検出光L2の透過率が3%以下である。この
ため、ピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光からなる検出光
L2を好適に光変調することができる。また、光強度分布変換用液晶パネル160では、
リタデーションが最適な値に設定されているので、ピーク波長が840nmから1000
nmの帯域に位置する赤外光からなる検出光L2を好適に光変調することができる。
さらに、位置検出用光源装置11は、X座標検出用光強度分布およびY座標検出用光強
度分布を異なるタイミングで形成する。また、位置検出用光源装置11は、X座標検出用
光強度分布として、X軸方向の一方側X1から他方側X2に向けて光量が減少するX座標
検出用第1光強度分布L2Xaと、X座標検出用第1光強度分布L2Xaとは逆方向に強
度が変化するX座標検出用第2光強度分布L2Xbとを異なるタイミングで形成する。こ
のため、X座標検出用第1光強度分布L2Xaを形成した際の光検出器30での検出結果
と、X座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成した際の光検出器30での検出結果との
差からX座標を検出することができる。従って、外光等に含まれる赤外光の影響を相殺す
ることができるので、X座標を精度よく検出することができる。また、位置検出用光源装
置11は、Y座標検出用光強度分布として、Y軸方向の一方側Y1から他方側Y2に向け
て光量が減少するY座標検出用第1光強度分布L2Yaと、Y座標検出用第1光強度分布
L2Yaとは逆方向に強度が変化するY座標検出用第2光強度分布L2Ybとを異なるタ
イミングで形成する。このため、Y座標検出用第1光強度分布L2Yaを形成した際の光
検出器30での検出結果と、Y座標検出用第2光強度分布L2Ybを形成した際の光検出
器30での検出結果との差からY座標を検出することができる。従って、外光等に含まれ
る赤外光の影響を相殺することができるので、Y座標を精度よく検出することができる。
度分布を異なるタイミングで形成する。また、位置検出用光源装置11は、X座標検出用
光強度分布として、X軸方向の一方側X1から他方側X2に向けて光量が減少するX座標
検出用第1光強度分布L2Xaと、X座標検出用第1光強度分布L2Xaとは逆方向に強
度が変化するX座標検出用第2光強度分布L2Xbとを異なるタイミングで形成する。こ
のため、X座標検出用第1光強度分布L2Xaを形成した際の光検出器30での検出結果
と、X座標検出用第2光強度分布L2Xbを形成した際の光検出器30での検出結果との
差からX座標を検出することができる。従って、外光等に含まれる赤外光の影響を相殺す
ることができるので、X座標を精度よく検出することができる。また、位置検出用光源装
置11は、Y座標検出用光強度分布として、Y軸方向の一方側Y1から他方側Y2に向け
て光量が減少するY座標検出用第1光強度分布L2Yaと、Y座標検出用第1光強度分布
L2Yaとは逆方向に強度が変化するY座標検出用第2光強度分布L2Ybとを異なるタ
イミングで形成する。このため、Y座標検出用第1光強度分布L2Yaを形成した際の光
検出器30での検出結果と、Y座標検出用第2光強度分布L2Ybを形成した際の光検出
器30での検出結果との差からY座標を検出することができる。従って、外光等に含まれ
る赤外光の影響を相殺することができるので、Y座標を精度よく検出することができる。
[実施の形態2]
図10は、本発明の実施の形態2に係る位置検出機能付き表示装置100の構成を模式
的に示す説明図であり、図10(a)、(b)は、位置検出機能付き表示装置100の要
部を斜め上からみた様子を模式的に示す説明図、および横方向からみた様子を模式的に示
す説明図である。図11は、本発明の実施の形態2に係る位置検出機能付き表示装置10
0に用いた画像投射装置200の説明図であり、図11(a)、(b)は、画像投射装置
200を前面側からみたときの説明図、および画像投射装置200の内部構成を示す説明
図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と略同様であるため、共通する
部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
図10は、本発明の実施の形態2に係る位置検出機能付き表示装置100の構成を模式
的に示す説明図であり、図10(a)、(b)は、位置検出機能付き表示装置100の要
部を斜め上からみた様子を模式的に示す説明図、および横方向からみた様子を模式的に示
す説明図である。図11は、本発明の実施の形態2に係る位置検出機能付き表示装置10
0に用いた画像投射装置200の説明図であり、図11(a)、(b)は、画像投射装置
200を前面側からみたときの説明図、および画像投射装置200の内部構成を示す説明
図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と略同様であるため、共通する
部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
実施の形態1では、位置検出機能付き表示装置100が直視型の表示装置として構成さ
れていたが、本形態では、以下に説明するように、位置検出機能付き表示装置100が投
射型の表示装置として構成されている。より具体的には、図10(a)、(b)に示すよ
うに、位置検出機能付き表示装置100は、液晶プロジェクターと称せられる画像投射装
置200(画像生成装置)を備えた投射型表示装置として構成されている。また、位置検
出機能付き表示装置100は、画像投射装置200から画像が投射されるスクリーン部材
8も備えている。を画像投射装置200は、筐体250の前面部201に設けられた投射
レンズ系210からスクリーン部材8に向けて表示光L1を拡大投射する。このため、位
置検出機能付き表示装置100は、画像投射装置200の内部に画像を投射する光学ユニ
ット280を備えている。
れていたが、本形態では、以下に説明するように、位置検出機能付き表示装置100が投
射型の表示装置として構成されている。より具体的には、図10(a)、(b)に示すよ
うに、位置検出機能付き表示装置100は、液晶プロジェクターと称せられる画像投射装
置200(画像生成装置)を備えた投射型表示装置として構成されている。また、位置検
出機能付き表示装置100は、画像投射装置200から画像が投射されるスクリーン部材
8も備えている。を画像投射装置200は、筐体250の前面部201に設けられた投射
レンズ系210からスクリーン部材8に向けて表示光L1を拡大投射する。このため、位
置検出機能付き表示装置100は、画像投射装置200の内部に画像を投射する光学ユニ
ット280を備えている。
本形態の位置検出機能付き表示装置100は、図4〜9を参照して説明した光学式位置
検出装置10を備えており、光学式位置検出装置10は、スクリーン部材8において画像
が視認されるスクリーン面8a側(スクリーン部材8の前方)に設定された検出空間10
R内の対象物体Obの位置を光学的に検出する機能を備えている。本形態において、検出
空間10Rは、スクリーン部材8に対する法線方向からみたとき四角形の領域であり、ス
クリーン部材8において画像投射装置200によって画像が投射される領域(画像表示領
域20R)と重なっている。このため、本形態の位置検出機能付き表示装置100では、
例えば、対象物体Obの座標検出結果を、投射された画像の一部等を指定する入力情報等
として扱い、かかる入力情報に基づいて画像の切り換え等を行なうことができる。
検出装置10を備えており、光学式位置検出装置10は、スクリーン部材8において画像
が視認されるスクリーン面8a側(スクリーン部材8の前方)に設定された検出空間10
R内の対象物体Obの位置を光学的に検出する機能を備えている。本形態において、検出
空間10Rは、スクリーン部材8に対する法線方向からみたとき四角形の領域であり、ス
クリーン部材8において画像投射装置200によって画像が投射される領域(画像表示領
域20R)と重なっている。このため、本形態の位置検出機能付き表示装置100では、
例えば、対象物体Obの座標検出結果を、投射された画像の一部等を指定する入力情報等
として扱い、かかる入力情報に基づいて画像の切り換え等を行なうことができる。
かかる光学式位置検出装置10を構成するにあたって、本形態の位置検出機能付き表示
装置100の画像投射装置200には、実施の形態1で説明した位置検出用光源装置11
が設けられている。また、光検出器30および位置検出部50も、位置検出用光源装置1
1と同様、画像投射装置200に設けられている。より具体的には、画像投射装置200
の前面部201には、X軸方向の略中央位置に投射レンズ系210が設けられているとと
もに、前面部201において投射レンズ系210に対してX軸方向で隣り合う位置に光検
出器30が設けられている。かかる光検出器30は、検出領域10R(表示光の出射側空
間)に受光部31を向けている。
装置100の画像投射装置200には、実施の形態1で説明した位置検出用光源装置11
が設けられている。また、光検出器30および位置検出部50も、位置検出用光源装置1
1と同様、画像投射装置200に設けられている。より具体的には、画像投射装置200
の前面部201には、X軸方向の略中央位置に投射レンズ系210が設けられているとと
もに、前面部201において投射レンズ系210に対してX軸方向で隣り合う位置に光検
出器30が設けられている。かかる光検出器30は、検出領域10R(表示光の出射側空
間)に受光部31を向けている。
このように構成した位置検出機能付き表示装置100において、光学ユニット280は
、各色(赤(R)、緑(G)、青(B))の光を各々変調する3つの画像生成用液晶装置
290(R)、(G)、(B)をライトバルブとして備えており、かかる3つの画像生成
用液晶装置290(R)、(G)、(B)は各々、画像生成用液晶パネル209aの両側
に表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289を備えている。従って、3
つの画像生成用液晶装置290(R)、(G)、(B)で変調された各色(赤(R)、緑
(G)、青(B))の変調光は、光路合成素子281で合成された後、投射レンズ系21
0からカラー画像として出射される。
、各色(赤(R)、緑(G)、青(B))の光を各々変調する3つの画像生成用液晶装置
290(R)、(G)、(B)をライトバルブとして備えており、かかる3つの画像生成
用液晶装置290(R)、(G)、(B)は各々、画像生成用液晶パネル209aの両側
に表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板289を備えている。従って、3
つの画像生成用液晶装置290(R)、(G)、(B)で変調された各色(赤(R)、緑
(G)、青(B))の変調光は、光路合成素子281で合成された後、投射レンズ系21
0からカラー画像として出射される。
ここで、本形態では、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、3つの画
像生成用液晶装置290(R)、(G)、(B)のうち、例えば、画像生成用液晶装置2
90(R)を透過した後、光路合成素子281で反射して投射レンズ系210から出射さ
れるようになっている。より具体的には、画像生成用液晶装置290(R)に対して、表
示光の出射側とは反対側には、光路合成素子282と、実施の形態1で説明した位置検出
用光源装置11の位置検出用光源12および光強度分布変換用液晶装置16が配置されて
り、強度分布変換用液晶装置16は、光強度分布変換用液晶パネル160の両側に検出光
用第1偏光板168と検出光用第2偏光板169とを備えている。
像生成用液晶装置290(R)、(G)、(B)のうち、例えば、画像生成用液晶装置2
90(R)を透過した後、光路合成素子281で反射して投射レンズ系210から出射さ
れるようになっている。より具体的には、画像生成用液晶装置290(R)に対して、表
示光の出射側とは反対側には、光路合成素子282と、実施の形態1で説明した位置検出
用光源装置11の位置検出用光源12および光強度分布変換用液晶装置16が配置されて
り、強度分布変換用液晶装置16は、光強度分布変換用液晶パネル160の両側に検出光
用第1偏光板168と検出光用第2偏光板169とを備えている。
このように構成した位置検出機能付き表示装置100において、少なくとも画像生成用
液晶装置290(R)に用いた表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板28
9は、実施の形態1において図3を参照して説明したように、互いの偏光軸を平行配置し
たときの検出光L2に対する透過率および互いの偏光軸を直交配置したときの検出光に対
する透過率が30%以上であり、赤外光からなる検出光L2に対しては偏光能を備えてい
ない。従って、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、
290(R)による光変調を受けない。それ故、本形態でも、実施の形態1と同様、位置
検出用光源装置11から出射された検出光L2は、検出空間10Rに好適な光強度分布を
形成するので、画像生成用液晶パネル209a(R)を透過した検出光L2を利用する方
式を採用した場合でも、対象物体Obの位置(X座標、Y座標およびZ座標)を正確に検
出することができる。
液晶装置290(R)に用いた表示光用第1偏光板288および表示光用第2偏光板28
9は、実施の形態1において図3を参照して説明したように、互いの偏光軸を平行配置し
たときの検出光L2に対する透過率および互いの偏光軸を直交配置したときの検出光に対
する透過率が30%以上であり、赤外光からなる検出光L2に対しては偏光能を備えてい
ない。従って、位置検出用光源装置11から出射された検出光L2は、
290(R)による光変調を受けない。それ故、本形態でも、実施の形態1と同様、位置
検出用光源装置11から出射された検出光L2は、検出空間10Rに好適な光強度分布を
形成するので、画像生成用液晶パネル209a(R)を透過した検出光L2を利用する方
式を採用した場合でも、対象物体Obの位置(X座標、Y座標およびZ座標)を正確に検
出することができる。
[別の位置検出用光源装置11の構成]
図12は、本発明を適用した位置検出機能付き表示装置100に使用可能な別の位置検
出用光源装置11の構成を示す説明図である。
図12は、本発明を適用した位置検出機能付き表示装置100に使用可能な別の位置検
出用光源装置11の構成を示す説明図である。
上記実施の形態1、2では、位置検出用光源装置11の位置検出用光源12を構成する
にあたって、発光素子121および導光板125を用いたが、赤外ランプと導光板125
とを用いて位置検出用光源12を構成してもよい。また、位置検出用光源装置11の位置
検出用光源12としては、赤外光を出射する複数の発光素子121や赤外ランプが複数配
列された面状光源や、赤外光を出射する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が複数
配列された面状光源を用いてもよい。
にあたって、発光素子121および導光板125を用いたが、赤外ランプと導光板125
とを用いて位置検出用光源12を構成してもよい。また、位置検出用光源装置11の位置
検出用光源12としては、赤外光を出射する複数の発光素子121や赤外ランプが複数配
列された面状光源や、赤外光を出射する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が複数
配列された面状光源を用いてもよい。
また、上記実施の形態1、2では、位置検出用光源装置11を構成するにあたって、位
置検出用光源12と強度分布変換用液晶装置16とを用いたが、本発明は、画像生成用液
晶装置290の背面側から赤外光からなる検出光を出射するタイプの位置検出機能付き表
示装置100全般に適用することができる。
置検出用光源12と強度分布変換用液晶装置16とを用いたが、本発明は、画像生成用液
晶装置290の背面側から赤外光からなる検出光を出射するタイプの位置検出機能付き表
示装置100全般に適用することができる。
例えば、図12(a)に示すように、一方の面190(光出射面)を検出空間10Rに
向けた導光板19と、導光板19の側端部に発光部120を向けた複数の発光素子121
A〜121Dとを用いて、位置検出用光源装置11を構成してもよい。ここで、発光素子
121A、121Dと発光素子121B、121CとはX軸方向で離間し、発光素子12
1A、121Cと発光素子121B、121DとはY軸方向で離間している。かかる構成
によれば、X座標検出用第1期間において、発光素子121A、121Dを点灯させる一
方、発光素子121B、121Cを消灯させれば、図7(a)に示すX座標検出用第1光
強度分布L2Xa(X座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、X座標検
出用第2期間において、発光素子121A、121Dを消灯させる一方、発光素子121
B、121Cを点灯させれば、図7(b)に示すX座標検出用第2光強度分布L2Xb(
X座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、Y座標検出用第1期間におい
て、発光素子121B、121Dを点灯させる一方、発光素子121A、121Cを消灯
させれば、図7(c)に示すY座標検出用第1光強度分布L2Ya(Y座標検出用光強度
分布)を形成することができる。また、Y座標検出用第2期間において、発光素子121
B、121Dを消灯させる一方、発光素子121A、121Cを点灯させれば、図7(d
)に示すY座標検出用第2光強度分布L2Yb(Y座標検出用光強度分布)を形成するこ
とができる。
向けた導光板19と、導光板19の側端部に発光部120を向けた複数の発光素子121
A〜121Dとを用いて、位置検出用光源装置11を構成してもよい。ここで、発光素子
121A、121Dと発光素子121B、121CとはX軸方向で離間し、発光素子12
1A、121Cと発光素子121B、121DとはY軸方向で離間している。かかる構成
によれば、X座標検出用第1期間において、発光素子121A、121Dを点灯させる一
方、発光素子121B、121Cを消灯させれば、図7(a)に示すX座標検出用第1光
強度分布L2Xa(X座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、X座標検
出用第2期間において、発光素子121A、121Dを消灯させる一方、発光素子121
B、121Cを点灯させれば、図7(b)に示すX座標検出用第2光強度分布L2Xb(
X座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、Y座標検出用第1期間におい
て、発光素子121B、121Dを点灯させる一方、発光素子121A、121Cを消灯
させれば、図7(c)に示すY座標検出用第1光強度分布L2Ya(Y座標検出用光強度
分布)を形成することができる。また、Y座標検出用第2期間において、発光素子121
B、121Dを消灯させる一方、発光素子121A、121Cを点灯させれば、図7(d
)に示すY座標検出用第2光強度分布L2Yb(Y座標検出用光強度分布)を形成するこ
とができる。
また、図12(b)に示すように、導光板を用いずに、検出空間10Rに発光部120
を向けた複数の発光素子121A〜121Dを用いて、位置検出用光源装置11を構成し
てもよい。ここで、発光素子121A、121Dと発光素子121B、121CとはX軸
方向で離間し、発光素子121A、121Cと発光素子121B、121DとはY軸方向
で離間している。かかる構成によれば、X座標検出用第1期間において、発光素子121
A、121Dを点灯させる一方、発光素子121B、121Cを消灯させれば、図7(a
)に示すX座標検出用第1光強度分布L2Xa(X座標検出用光強度分布)を形成するこ
とができる。また、X座標検出用第2期間において、発光素子121A、121Dを消灯
させる一方、発光素子121B、121Cを点灯させれば、図7(b)に示すX座標検出
用第2光強度分布L2Xb(X座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、
Y座標検出用第1期間において、発光素子121B、121Dを点灯させる一方、発光素
子121A、121Cを消灯させれば、図7(c)に示すY座標検出用第1光強度分布L
2Ya(Y座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、Y座標検出用第2期
間において、発光素子121B、121Dを消灯させる一方、発光素子121A、121
Cを点灯させれば、図7(d)に示すY座標検出用第2光強度分布L2Yb(Y座標検出
用光強度分布)を形成することができる。
を向けた複数の発光素子121A〜121Dを用いて、位置検出用光源装置11を構成し
てもよい。ここで、発光素子121A、121Dと発光素子121B、121CとはX軸
方向で離間し、発光素子121A、121Cと発光素子121B、121DとはY軸方向
で離間している。かかる構成によれば、X座標検出用第1期間において、発光素子121
A、121Dを点灯させる一方、発光素子121B、121Cを消灯させれば、図7(a
)に示すX座標検出用第1光強度分布L2Xa(X座標検出用光強度分布)を形成するこ
とができる。また、X座標検出用第2期間において、発光素子121A、121Dを消灯
させる一方、発光素子121B、121Cを点灯させれば、図7(b)に示すX座標検出
用第2光強度分布L2Xb(X座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、
Y座標検出用第1期間において、発光素子121B、121Dを点灯させる一方、発光素
子121A、121Cを消灯させれば、図7(c)に示すY座標検出用第1光強度分布L
2Ya(Y座標検出用光強度分布)を形成することができる。また、Y座標検出用第2期
間において、発光素子121B、121Dを消灯させる一方、発光素子121A、121
Cを点灯させれば、図7(d)に示すY座標検出用第2光強度分布L2Yb(Y座標検出
用光強度分布)を形成することができる。
さらには、画像生成用液晶装置290の背面側から検出空間10Rに赤外光からなる検
出光を照明光として出射し、かかる照明光(検出光/赤外)が対象物体Obで反射した光
を画像生成用液晶装置290の背面側に配置した撮像素子、あるいは画像生成用液晶装置
290に対して検出空間側に配置した撮像素子で受光するタイプの位置検出機能付き表示
装置100に本発明を適用してもよい。
出光を照明光として出射し、かかる照明光(検出光/赤外)が対象物体Obで反射した光
を画像生成用液晶装置290の背面側に配置した撮像素子、あるいは画像生成用液晶装置
290に対して検出空間側に配置した撮像素子で受光するタイプの位置検出機能付き表示
装置100に本発明を適用してもよい。
10R・・検出空間(表示光の出射側空間)、11・・位置検出用光源装置、30・・光
検出器、50・・位置検出部、100・・位置検出機能付き表示装置、288・・表示光
用第1偏光板、289・・表示光用第2偏光板、290・・画像生成用液晶装置、290
a・・画像生成用液晶パネル、Ob・・対象物体
検出器、50・・位置検出部、100・・位置検出機能付き表示装置、288・・表示光
用第1偏光板、289・・表示光用第2偏光板、290・・画像生成用液晶装置、290
a・・画像生成用液晶パネル、Ob・・対象物体
Claims (6)
- 画像の表示および対象物体の位置検出を行なう位置検出機能付き表示装置であって、
画像生成用液晶パネル、該画像生成用液晶パネルに対して表示光の出射側とは反対側に
配置された表示光用第1偏光板、および前記画像生成用液晶パネルに対して前記表示光の
出射側に配置された表示光用第2偏光板を備えた画像生成用液晶装置と、
前記画像生成用液晶装置を透過して前記画像生成用液晶装置からの前記表示光の出射側
空間に出射されるピーク波長が840nmから1000nmの帯域に位置する赤外光から
なる検出光を出射する位置検出用光源装置と、
前記出射側空間に位置する前記対象物体で反射した前記検出光を受光する光検出器と、
該光検出器での検出結果に基づいて前記対象物体の位置を検出する位置検出部と、
を有し、
前記表示光用第1偏光板および前記表示光用第2偏光板は、互いの偏光軸を平行配置し
たときの波長が380nmから720nmの帯域の光に対する透過率が30%以上であり
、互いの偏光軸を直交配置したときの波長が380nmから720nmの帯域の光に対す
る透過率が3%以下であり、互いの偏光軸を平行配置したときの前記検出光に対する透過
率および互いの偏光軸を直交配置したときの前記検出光に対する透過率が30%以上であ
ることを特徴とする位置検出機能付き表示装置。 - 前記表示光用第1偏光板および前記表示光用第2偏光板は、ポリビニル系の直線偏光層
と、該直線偏光層の一方面側に積層されたトリアセチルセルロース層と、前記直線偏光層
の他方面側に積層された環状オレフィン共重合体層と、を備えていることを特徴とする請
求項1に記載の位置検出機能付き表示装置。 - 前記位置検出用光源装置は、前記出射側空間に前記検出光の光強度分布を異なるパター
ンで順次形成することを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出機能付き表示装置
。 - 前記位置検出用光源装置から前記検出光が出射される方向に交差する2方向をX軸方向
およびY軸方向としたとき、
前記位置検出用光源装置は、X軸方向で強度が変化するX座標検出用光強度分布と、Y
軸方向で強度が変化するY座標検出用光強度分布と、を異なるタイミングで形成すること
を特徴とする請求項3に記載の位置検出機能付き表示装置。 - 前記画像生成用液晶装置により生成された画像は、前記画像生成用液晶パネルと重なる
領域に設定された画像表示領域で視認されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一
項に記載の位置検出機能付き表示装置。 - 前記画像生成用液晶装置により生成された画像は、投射レンズ系からの投射画像として
視認されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の位置検出機能付き表示
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012007812A JP2013149002A (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 位置検出機能付き表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012007812A JP2013149002A (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 位置検出機能付き表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149002A true JP2013149002A (ja) | 2013-08-01 |
Family
ID=49046462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012007812A Pending JP2013149002A (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 位置検出機能付き表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013149002A (ja) |
-
2012
- 2012-01-18 JP JP2012007812A patent/JP2013149002A/ja active Pending
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