JP2013140904A - Light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents
Light emitting device and manufacturing method of the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013140904A JP2013140904A JP2012000909A JP2012000909A JP2013140904A JP 2013140904 A JP2013140904 A JP 2013140904A JP 2012000909 A JP2012000909 A JP 2012000909A JP 2012000909 A JP2012000909 A JP 2012000909A JP 2013140904 A JP2013140904 A JP 2013140904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- emitting element
- light
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same.
従来、例えばLED(Light Emitting Diode)チップ等の発光素子を用いた発光装置が知られている。LEDチップを用いた発光装置は、様々な装置に適用されているが、例えば液晶表示装置のバックライト(液晶パネルを背面から照らす光源装置)に適用されている。なお、バックライトには、直下型と呼ばれるタイプのものや、エッジライト型と呼ばれるタイプのものがある。 Conventionally, for example, a light emitting device using a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) chip is known. A light emitting device using an LED chip is applied to various devices. For example, it is applied to a backlight of a liquid crystal display device (a light source device that illuminates a liquid crystal panel from the back). The backlight includes a type called a direct type and a type called an edge light type.
エッジライト型のバックライトを例に挙げて説明すると、発光装置から出射された光は導光板の端面から導光板内に入射される。導光板に入射した光は、導光板から面状に出射して液晶パネルを背面から照らす。このようなエッジライト型のバックライトでは、発光装置から出射された光が、導光板の端面から導光板の内部に効率良く入射されるように、発光装置から出射される光の強度が一定の方向に強くなる(指向性を有する)ことが求められる。このため、エッジライト型のバックライトに適用される発光装置は、カップ状のリフレクタ構造を有するのが一般的である。 An edge light type backlight will be described as an example. Light emitted from the light emitting device enters the light guide plate from the end face of the light guide plate. The light incident on the light guide plate is emitted in a planar shape from the light guide plate and illuminates the liquid crystal panel from the back. In such an edge light type backlight, the intensity of the light emitted from the light emitting device is constant so that the light emitted from the light emitting device is efficiently incident from the end face of the light guide plate into the light guide plate. It is required to be strong in the direction (having directivity). For this reason, a light emitting device applied to an edge light type backlight generally has a cup-shaped reflector structure.
カップ状のリフレクタ構造を有する発光装置の構成は、例えば特許文献1に見られる。図8は、カップ状のリフレクタ構造を有する従来の発光装置の構成を示す概略断面図である。従来の発光装置100は、発光素子(LEDチップ)101と、発光素子101が載置されるパッケージ(基台)102と、パッケージ102と一体成形されるリード103と、発光素子101とリード103とを電気的に接続するワイヤ104と、発光素子101及びワイヤ104を覆う封止樹脂105と、を備える。
A configuration of a light emitting device having a cup-shaped reflector structure can be found in, for example,
パッケージ102には、例えば白色樹脂で形成されるリフレクタ部106が含まれる。リフレクタ部106には、開口方向に向かって広口になるように傾斜された側面を有する開口部106aが形成される。リフレクタ部106の側面(傾斜された側面)等による反射を利用して、発光素子101(開口部106aの底面に位置する)から出射された光は、所望の方向に効率良く取り出される。
The
ところで、従来の発光装置100では、発光素子101やワイヤ104の保護を目的として、封止樹脂105がリフレクタ部106の開口部106aに満たされる。封止樹脂105の材料としては、エポキシ系もしくはシリコーン系の熱硬化樹脂が使用されることが多く、その場合、封止樹脂105の屈折率は概ね1.4〜1.6程度となる。一方、パッケージ102外部の空気層の屈折率は1.0である。
By the way, in the conventional
封止樹脂105と空気層との間に屈折率差が存在するために、発光素子101から出射されて両者の界面に入射する光の一部(界面への入射角が38〜46°以上の角度を有する光)が、スネルの法則にしたがって全反射して、内部(パッケージ内部)に跳ね返される。全反射された光は、内部反射を繰り返していずれ外部(空気層)に出る。しかしながら、上記内部反射を繰り返すうちに光の強度が減衰するために、従来の発光装置100では、発光素子101から出射される光の取り出し効率が低下する現象が発生していた。
Since there is a refractive index difference between the
以上の点に鑑みて、本発明の目的は、光の取り出しを効率良く行える発光装置、及び、そのような発光装置の製造方法を提供することである。 In view of the above, an object of the present invention is to provide a light emitting device that can efficiently extract light and a method for manufacturing such a light emitting device.
上記目的を達成するために本発明の発光装置の製造方法は、基台に搭載される発光素子が樹脂によって覆われる発光装置の製造方法であって、前記発光素子に向けて滴下される前記樹脂を、前記発光素子の発熱を利用して硬化させる樹脂硬化工程を含む構成(第1の構成)になっている。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing a light emitting device in which a light emitting element mounted on a base is covered with a resin, and the resin dropped toward the light emitting element Is configured (first configuration) including a resin curing step of curing using heat generated by the light emitting element.
本構成によれば、発光素子を覆う樹脂(封止樹脂)の形状を断面視略半円状(略半球状)に形成し易い。このために、本構成によれば、発光素子から出射された光が、封止樹脂と外部の空気層との界面で全反射される可能性が低減された発光装置を提供可能である。換言すると、本構成によれば、光の取り出し効率の良い発光装置を提供可能である。また、本構成によれば、封止樹脂の量を低減できるといった利点も得られる。 According to this configuration, the shape of the resin (sealing resin) that covers the light emitting element can be easily formed in a substantially semicircular shape (substantially hemispherical shape) in cross-sectional view. For this reason, according to this configuration, it is possible to provide a light emitting device in which the possibility that the light emitted from the light emitting element is totally reflected at the interface between the sealing resin and the external air layer can be reduced. In other words, according to this configuration, it is possible to provide a light emitting device with high light extraction efficiency. Moreover, according to this structure, the advantage that the quantity of sealing resin can be reduced is also acquired.
上記第1の構成の発光装置の製造方法において、前記樹脂硬化工程が複数回行われることにより、前記発光素子を覆う前記樹脂が多重構造とされる構成(第2の構成)が採用されても構わない。前記樹脂の多重構造は、例えば、屈折率の異なる樹脂が複数重ねられた構造であってもよいし、また、互い異なる種類の蛍光体を含む樹脂が複数重ねられた構造であってもよい。 In the manufacturing method of the light emitting device having the first configuration, even when the resin curing step is performed a plurality of times, a configuration in which the resin covering the light emitting element has a multiple structure (second configuration) is adopted. I do not care. The multiple structure of the resin may be, for example, a structure in which a plurality of resins having different refractive indexes are stacked or a structure in which a plurality of resins containing different types of phosphors are stacked.
上記第1又は第2の構成の発光装置の製造方法において、前記基台に搭載される前記発光素子が複数あって、前記複数の発光素子のそれぞれに前記樹脂硬化工程が適用される構成(第3の構成)が採用されてもよい。本構成によれば、複数の発光素子を備え、光の取り出し効率がよい発光装置を提供可能である。また、本構成では、発光素子や樹脂の種類の組み合わせ方により、多様な種類の発光装置の提供が可能である。 In the manufacturing method of the light emitting device having the first or second configuration, there is a plurality of the light emitting elements mounted on the base, and the resin curing step is applied to each of the plurality of light emitting elements (first 3 configuration) may be employed. According to this configuration, it is possible to provide a light emitting device that includes a plurality of light emitting elements and has high light extraction efficiency. In this configuration, various types of light-emitting devices can be provided depending on how the types of light-emitting elements and resins are combined.
上記第3の構成の発光装置の製造方法において、前記複数の発光素子の間で、前記樹脂の種類が互いに異なる構成(第4の構成)としても構わない。 In the manufacturing method of the light emitting device having the third configuration, the resin types may be different from each other (fourth configuration) among the plurality of light emitting elements.
上記第1から第4のいずれかの構成の発光装置の製造方法において、前記基台には、前記発光素子から出射される光を反射するリフレクタ部が設けられ、前記発光素子は、前記リフレクタ部に形成される開口部内に配置される構成(第5の構成)であってもよい。このような構成の発光装置であっても、本構成の製造方法によれば、全反射を低減し易い封止樹脂構造を有する発光装置を容易に提供可能である。 In the method for manufacturing a light emitting device having any one of the first to fourth configurations, the base is provided with a reflector part that reflects light emitted from the light emitting element, and the light emitting element includes the reflector part. The structure (5th structure) arrange | positioned in the opening formed in may be sufficient. Even with the light emitting device having such a configuration, according to the manufacturing method of this configuration, it is possible to easily provide a light emitting device having a sealing resin structure in which total reflection can be easily reduced.
また、上記目的を達成するために本発明の発光装置は、基台と、前記基台に設けられるとともに、開口部が形成されるリフレクタ部と、前記基台に搭載されるとともに、前記開口部内に配置される発光素子と、前記発光素子を覆う断面視略半円状の封止樹脂と、を備える構成(第6の構成)になっている。 In order to achieve the above object, a light-emitting device of the present invention includes a base, a reflector provided on the base, and formed with an opening, mounted on the base, and within the opening. (6th structure) provided with the light emitting element arrange | positioned in (2), and the sealing resin of the semi-circular view in cross section which covers the said light emitting element.
本構成によれば、発光素子から出射された光が、封止樹脂と外部の空気層との界面で全反射される可能性を低減可能である。すなわち、本構成の発光装置によれば、光の取り出しを効率良く行うことが可能である。 According to this configuration, it is possible to reduce the possibility that the light emitted from the light emitting element is totally reflected at the interface between the sealing resin and the external air layer. That is, according to the light emitting device having this configuration, it is possible to efficiently extract light.
上記第6の構成の発光装置において、前記封止樹脂が多重構造になっている構成(第7の構成)が採用されてもよい。前記封止樹脂の多重構造は、例えば、屈折率の異なる樹脂が複数重ねられた構造であってもよいし、また、互い異なる種類の蛍光体を含む樹脂が複数重ねられた構造であってもよい。 In the light emitting device having the sixth structure, a structure (seventh structure) in which the sealing resin has a multiple structure may be employed. The multiple structure of the sealing resin may be, for example, a structure in which a plurality of resins having different refractive indexes are stacked, or a structure in which a plurality of resins containing different types of phosphors are stacked. Good.
上記第6又は第7の構成の発光装置において、前記基台には複数の発光素子が搭載され、前記複数の発光素子のそれぞれは、別々に前記封止樹脂に覆われている構成(第8の構成)とされてもよい。本構成では、発光素子や樹脂の種類の組み合わせ方により、多様な種類の発光装置の提供が可能である。 In the light emitting device having the sixth or seventh structure, a plurality of light emitting elements are mounted on the base, and each of the plurality of light emitting elements is separately covered with the sealing resin (eighth). The configuration may be as follows. In this configuration, various types of light-emitting devices can be provided depending on how the types of light-emitting elements and resins are combined.
上記第8の構成の発光装置において、前記複数の発光素子の間で、前記封止樹脂の種類が互いに異なっている構成(第9の構成)が採用されてもよい。 In the light emitting device having the eighth configuration, a configuration (ninth configuration) in which the types of the sealing resin are different from each other between the plurality of light emitting elements may be employed.
本発明によると、光の取り出しを効率良く行える発光装置、及び、そのような発光装置の製造方法を提供可能である。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light-emitting device which can take out light efficiently, and the manufacturing method of such a light-emitting device can be provided.
以下、本発明の発光装置及びその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of a light emitting device and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の概略構成を示す上面図である。また、図2は、図1のA−A位置における概略断面図である。なお、図2には、発光素子20から出射される光の様子が、破線矢印で模式的に示されている。図1及び図2に示すように、発光装置1は略直方体形状の外観を有する。ただし、発光装置1の外観形状は一例にすぎず、その形状は適宜変更されてよい。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration of a
発光装置1は、基台10に搭載される発光素子20を備える。発光素子20は、半導体を用いて形成されるLEDチップである。LEDチップを構成する半導体の種類は、例えばLEDチップから出射させたい光の波長等によって適宜決定される。
The
発光装置1の基台10には、リフレクタ部11が含まれる。リフレクタ部11には、逆四角錐台状の開口部11aが形成される。開口部11aは、外部側(図2では、上側が該当)に向かって広口になるように傾斜された側面を有する。発光素子20は、この開口部11a内に配置される。発光素子20から出射された光の一部は、開口部11aの側面で反射される。
The
リフレクタ部11は、光の反射率が高く形成されるのが好ましく、例えば白色樹脂によって形成される。リフレクタ部11は、基台10に一体的に形成されるものであってもよいし、基台10とは別部材で形成されて基台10に固着されるものであってもよい。
The
発光装置1の基台10には、リード端子30が取り付けられている。このリード端子30は、基台10と一体的に形成されるものであって構わない。リード端子30は、導電性の良い材料で形成されれば良く、例えば銅、銅合金等の金属で形成される。リード端子30は、詳細には正負の電極として機能するように、一対のリード端子31、32で構成されている。
A
一対のリード端子31、32は、いずれも、その一端部がリフレクタ部11の開口部11aの底面に位置するように設けられている。また、2種類のリード端子31、32は、いずれも、前記一端部から他端部へと至る途中部分が折り曲げられている。そして、前記他端部は、基台10の下部側に回り込んだ状態で、外部に露出している。
Each of the pair of
発光素子20は、一対のリード端子31、32のうちの一方側(本実施形態ではリード端子31)に載置されている。詳細には、発光素子20は、リード端子31の開口部11aの底面に位置する一端部近傍に載置されている。発光素子20は、各リード端子31、32に、金属ワイヤ40を介して電気的に接続されている。
The
なお、リード端子31、32は、発光素子20から出射される光を効率良く反射できるように、反射率が高く形成されるのが好ましい。このために、リード端子31、32には、例えばアルミニウムや銀等の金属メッキが施されてもよい。
The
発光素子20及び金属ワイヤ40は、封止樹脂50によって覆われている。封止樹脂50は、例えばシリコーン系やエポキシ系等の熱硬化樹脂とされてよい。また、封止樹脂50には、例えば蛍光体等の添加物が含まれてもよい。封止樹脂50は、発光素子20及び金属ワイヤ40を外部衝撃等から保護する目的で設けられる。発光装置1における封止樹脂50は、断面視略半円状(略半球状)に設けられている。封止樹脂50が、このような形状に設けられる理由は、以後の説明によって明らかになる。
The
次に、以上のように構成される発光装置1の製造方法について説明する。図3は、第1実施形態の発光装置1の製造フローを示す概略断面図である。
Next, a method for manufacturing the
図3に示すように、発光装置1を製造するにあたっては、まず、基台10に発光素子20が搭載される(工程(a))。リフレクタ部11を含む基台10は、例えばインサート成形によりリードフレーム(所定のパターンが形成されている)と一体的に形成される。このリードフレームは、インサート成形後に折り曲げ等加工が行われて、上述したリード端子30になる。
As shown in FIG. 3, in manufacturing the
リフレクタ部11の開口部11aから露出される一対のリード端子31、32の一方(リード端子31)に、ダイボンド材料が供給され、その上に発光素子20が載せられる。これにより、発光素子20はリード端子31の一端部に固着される。その後、ワイヤボンディングが行われ、一対のリード端子31、32のそれぞれと発光素子20とが金属ワイヤ40を介して電気的に接続される。
A die bond material is supplied to one (lead terminal 31) of the pair of
発光素子20が基台10に搭載されると、発光装置1の発光素子20が点灯される(工程(b))。この発光素子20の点灯により、発光素子20が発熱し、その近傍に熱が供給される。なお、この工程(b)においては、発光素子20が点灯可能になるように、リード端子31、32は電力供給部(不図示)に電気的に接続される。
When the
発光素子20が点灯されると、例えばディスペンサ等を利用して、所定量の封止樹脂50が発光素子20に向けて滴下(注入)される。発光素子20の点灯によって発生する熱によって、滴下された封止樹脂50は、滴下後すぐに加熱硬化される(工程(c))。発光素子20の発光による熱は、その周囲に放射状に熱伝導される。このために、発光素子20に向けて滴下された封止樹脂50の形状は、断面視略半円状(略半球状)にできる。
When the
以上により、発光素子20及び金属ワイヤ40が封止樹脂50で覆われた、カップ状のリフレクタ構造を有する発光装置1が得られる(工程(d))。
Thus, the light-emitting
なお、発光素子20の点灯に伴う発熱量を変動させることによって、封止樹脂50が硬化するまでの時間を制御できる。発光素子20の点灯に伴う発熱量は、発光素子20に供給する電力量や発光素子20の点灯時間の調整によって変動できる。すなわち、発光素子20の消灯タイミングは、所望の発熱量を得られるように適当なタイミングで実行される。発光素子20の点灯タイミングについても適宜決定すればよく、場合によっては、例えば封止樹脂50の滴下とほぼ同時のタイミング等としても構わない。
Note that the time until the sealing
次に、第1実施形態の発光装置1及びその製造方法における効果について説明する。効果の説明に先立って、比較例として、従来の発光装置100(図8参照)の製造方法を説明しておく。図9は、従来の発光装置100の製造フローを示す概略断面図である。
Next, the effect in the light-emitting
図9に示すように、従来の発光装置100を製造するにあたっては、まず、基台102に発光素子101が搭載される(工程(a))。この工程(a)は、上述の第1実施形態に係る発光装置1の製造方法と同様である。
As shown in FIG. 9, in manufacturing the conventional
発光素子101が基台102に搭載されると、所定量の封止樹脂105が、例えばディスペンサ等を利用して滴下(注入)され、リフレクタ106の開口部106aが封止樹脂105で満たされる(工程(b))。封止樹脂105で開口部106aが満たされると、例えばオーブン加熱等によって封止樹脂105の加熱硬化が行われる(工程(c))。以上により、発光素子101及びワイヤ104が封止樹脂105で覆われた、カップ状のリフレクタ構造を有する発光装置100が得られる(工程(d))。
When the
第1実施形態の発光装置1及び従来の発光装置100において、封止樹脂50、105の屈折率(例えば1.4〜1.6程度)は、外部空気層の屈折率(1.0)よりも大きい。このために、発光素子20、101から出射された光のうち、封止樹脂50、105と外部空気層との界面への入射角が臨界角(例えば38〜46°程度)以上となる光は全反射を起こす(スネルの法則に基づく現象である)。この全反射が生じると、パッケージ(発光装置)内部で反射と吸収が繰り返され、光の取り出し効率が低下しやすくなる。
In the
従来の発光装置100では、封止樹脂105と外部空気層との界面はほぼフラットになる。より詳細には、表面張力の作用によって、封止樹脂105と外部空気層との界面は、図8に示すように、若干凹面となる。一方、第1実施形態の発光装置1では、封止樹脂50と外部空気層との界面は、発光素子20の自己発熱を利用して略半球面にできる(例えば図2参照)。
In the conventional
このために、第1実施形態の発光装置1においては、従来の発光装置100に比べて、封止樹脂と外部空気層との界面に臨界角以上で入射する光の割合が抑制される。すなわち、第1実施形態の発光装置1では、従来の発光装置100に比べて全反射が生じ難い。この結果、第1実施形態の発光装置1では、パッケージ内部における光吸収による光量ロスが抑制され、光の取り出し効率が向上される。
For this reason, in the light-emitting
また、第1実施形態の発光装置1の製造方法によれば、発光素子20の点灯を行うことによって封止樹脂50の硬化が達成される。このため、第1実施形態の発光装置1の製造方法は、封止樹脂105の硬化にオーブン等が必要となる従来の発光装置100の製造方法に比べて、効率良く発光装置を製造できる。また、第1実施形態の発光装置1の製造方法によれば、必要最小限の樹脂量によって発光素子20及び金属ワイヤ40を被覆できるという利点もある。
Moreover, according to the manufacturing method of the light-emitting
また、従来においては、略半球状の封止樹脂を得ようとすると、金型成形が必要であった。このために、リフレクタ構造を有する発光装置では、略半球状の封止樹脂を得るのは容易ではなかった。この点、第1実施形態の発光装置1の製造方法では、発光装置がリフレクタ構造を有するにもかかわらず、容易に略半球状の封止樹脂を得ることが可能である。
Conventionally, in order to obtain a substantially hemispherical sealing resin, it is necessary to mold. For this reason, it is not easy to obtain a substantially hemispherical sealing resin in a light emitting device having a reflector structure. In this regard, in the method for manufacturing the
<第2実施形態>
次に、第2実施形態の発光装置について説明する。第2実施形態の発光装置は、概ね第1実施形態の構成と同様である。このために、重複する部分には、同一の符号を付し、特に説明の必要がない場合には説明を省略する。
Second Embodiment
Next, the light emitting device of the second embodiment will be described. The light emitting device of the second embodiment is generally the same as the configuration of the first embodiment. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the overlapping part and description is abbreviate | omitted when there is no necessity for description in particular.
図4は、本発明の第2実施形態に係る発光装置2の概略構成を示す上面図である。また、図5は、図4のB−B位置における概略断面図である。図4及び図5に示すように、第2実施形態の発光装置2では、発光素子20及び金属ワイヤ40を覆う封止樹脂50が多重構造になっている。この封止樹脂50が多重構造となっている点が、第1実施形態の発光装置1とは異なる。
FIG. 4 is a top view showing a schematic configuration of the
詳細には、発光装置2の封止樹脂50は、第1の封止樹脂51及び第2の封止樹脂52を含む二重構造になっている。第1の封止樹脂51は、断面視略半円状(略半球状)になっている。第2の封止樹脂52は、第1の封止樹脂51を覆うように形成される。第1の封止樹脂51と第2の封止樹脂52とを含む封止樹脂50は、全体として、断面視略半円状(略半球状)になっている。
Specifically, the sealing
第1の封止樹脂51と第2の封止樹脂52とは、互いに異なる種類(性質)の樹脂としてよい。例えば、一方が蛍光体を含有する樹脂であり、他方が蛍光体を含有しない樹脂である、といった構成が採用されてもよい。また、例えば、2つ封止樹脂51、52の両方に蛍光体を含有させ、含有させる蛍光体の種類が第1の封止樹脂51と第2の封止樹脂52との間で互いに異なる構成が採用されてもよい。また、例えば、第1の封止樹脂51と第2の封止樹脂52との間で、屈折率が互いに異なる構成が採用されてもよい。
The
なお、第2実施形態の発光装置2では、封止樹脂50が二重構造とされているが、封止樹脂50は、三重構造以上の多重構造とされてもよい。
In the
第2実施形態の発光装置2は、次のように製造できる。第1の封止樹脂51の形成までは、第2実施形態の発光装置2は、第1実施形態の発光装置1における工程(a)から工程(c)(図3参照)と同様の製造フローで形成される。第1の封止樹脂51が形成されると、発光素子20を点灯した状態で、ディスペンサ等を用いて第2の封止樹脂52が所定量だけ発光素子20に向けて滴下(注入)される。
The
発光素子20の点灯によって発生する熱によって、滴下された第2の封止樹脂52は滴下後すぐに加熱硬化される。熱は放射状に伝導するために、第1の封止樹脂51を覆う第2の封止樹脂52の外面は略半球面となる。この結果、全体として断面視略半円状(略半球状)の封止樹脂50が得られる。
Due to the heat generated when the
なお、第1の封止樹脂51の形成開始から第2の封止樹脂52の形成完了まで、発光素子20が点灯されるようにしてもよい。ただし、これに限らず、例えば第1の封止樹脂51が滴下されてから所定の時間で発光素子20が消灯され、その後、第2の封止樹脂52を加熱硬化させるために、発光素子20が再点灯されるようにしてもよい。この場合、発光素子20の点灯及び消灯のタイミングは適宜決定されればよい。
Note that the
第2実施形態の発光装置2及びその製造方法の効果は、第1実施形態と同様である。その他、第2実施形態によれば、樹脂硬化のためにオーブン等の加熱装置に出し入れする手間が省ける。この結果、第2実施形態の製造方法によれば、多重構造の封止樹脂を有する発光装置が低コストで製造できる、といった利点もある。
The effects of the
<第3実施形態>
次に、第3実施形態の発光装置について説明する。第3実施形態の発光装置は、第1実施形態の構成と重複する部分を有する。このために、重複する部分には、同一の符号を付し、特に説明の必要がない場合には説明を省略する。
<Third Embodiment>
Next, a light emitting device according to a third embodiment will be described. The light emitting device of the third embodiment has a portion that overlaps the configuration of the first embodiment. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the overlapping part and description is abbreviate | omitted when there is no necessity for description in particular.
図6は、本発明の第3実施形態に係る発光装置3の概略構成を示す上面図である。また、図7は、図6のC−C位置における概略断面図である。図6及び図7に示すように、第3実施形態の発光装置3は、リフレクタ部11の開口部11a内に配置される発光素子の数が2つ(発光素子21、22)となっている。この点が、第1実施形態の発光装置1とは異なる。
FIG. 6 is a top view showing a schematic configuration of the light emitting device 3 according to the third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view at the CC position in FIG. As shown in FIGS. 6 and 7, in the light emitting device 3 of the third embodiment, the number of light emitting elements arranged in the
発光素子21、22の数が2つであるために、リード端子の数が第1実施形態の場合に比べて1つ増やされている。すなわち、2つのリード端子31、32の間に、各リード端子31、32と間隔を於いて配置されるリード端子33が追加された構造になっている。正負の電極が得られるように、第1の発光素子21に対しては、リード端子31とリード端子33とが対になって使用される。また、同様の理由で、第2の発光素子22に対しては、リード端子32とリード端子33とが対になって使用される。すなわち、第1の発光素子21とリード端子31、33のそれぞれとは、金属ワイヤ40を介して電気的に接続される。また、第2の発光素子22とリード端子32、33のそれぞれとは、金属ワイヤ40を介して電気的に接続される。
Since the number of
第1の発光素子21とそれに繋がる金属ワイヤ40は、第1の封止樹脂53によって覆われている。また、第2の発光素子22とそれに繋がるワイヤ40は、第2の封止樹脂54によって覆われている。2つの封止樹脂53、54は、いずれも、断面視略半円状(略半球状)になっている。
The first
なお、2つの封止樹脂53、54は、同一の種類(性質)の樹脂であっても構わない。この場合、例えば、第1の発光素子21は、第2の発光素子22とは異なる波長(色)の光を出射するものであってよい。
The two sealing
また、2つの封止樹脂53、54は、互いに異なる種類(性質)であってもよい。異なる種類である場合として、例えば各封止樹脂53、54が異なる蛍光体を含む場合が挙げられる。また、異なる種類である場合として、例えば各封止樹脂53、54が異なる屈折率を有する場合が挙げられる。そして、2つの封止樹脂53、54が異なる種類である場合において、2つの発光素子21、22は、同一タイプであっても構わないし、異なるタイプであっても構わない。
Further, the two sealing
なお、第3実施形態の発光装置3では、発光素子の数が2つとされているが、発光素子の数は3つ以上であっても構わない。発光素子の数が例えば3つとされる場合には、次のような構成が採用されてもよい。3つの発光素子はいずれも青色光を出射する。第1の発光素子を覆う封止樹脂は、赤色蛍光体を含んだ封止樹脂とされる。第2の発光素子を覆う封止樹脂は、緑色蛍光体を含んだ封止樹脂とされる。第3の発光素子を覆う封止樹脂は、透明樹脂(蛍光体を含まない)とされる。これにより、フルカラー化への自由度が高い発光装置が実現される。 In the light emitting device 3 according to the third embodiment, the number of light emitting elements is two, but the number of light emitting elements may be three or more. For example, when the number of light emitting elements is three, the following configuration may be employed. All three light emitting elements emit blue light. The sealing resin that covers the first light emitting element is a sealing resin containing a red phosphor. The sealing resin that covers the second light emitting element is a sealing resin containing a green phosphor. The sealing resin that covers the third light emitting element is a transparent resin (not including a phosphor). Thereby, a light emitting device having a high degree of freedom for full color is realized.
また、第3実施形態の発光装置3は、各封止樹脂53、54が単一層となっているが、これに限らず、各封止樹脂53、54は、第2実施形態と同様に、多重構造とされてもよい。
Further, in the light emitting device 3 of the third embodiment, each sealing
第3実施形態の発光装置3は、第1実施形態の発光装置1と同様に製造できる(図3参照)。2つの発光素子21、22は、同時進行で各封止樹脂53、54によって覆われてもよい(各発光素子21、22における樹脂硬化工程が同時進行で行われてもよい)。また、2つの発光素子21、22は、時間差をつけて、各封止樹脂53、54で覆われてもよい(各発光素子21、22における樹脂硬化工程が時間差をつけて進行されてもよい)。
The light-emitting device 3 of 3rd Embodiment can be manufactured similarly to the light-emitting
第3実施形態の発光装置3及びその製造方法の効果は、第1実施形態と同様である。その他、第3実施形態によれば、発光素子の種類の組み合わせ方や、封止樹脂の種類の組み合わせ方によって、多様な発光装置が提供できるといった利点もある。 The effects of the light emitting device 3 and the manufacturing method thereof according to the third embodiment are the same as those of the first embodiment. In addition, according to the third embodiment, there is an advantage that various light emitting devices can be provided depending on how the types of light emitting elements are combined and how the types of sealing resins are combined.
<その他>
なお、以上に示した実施形態は、本発明の例示にすぎず、本発明の適用範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。
<Others>
The embodiment described above is merely an example of the present invention, and the scope of application of the present invention is not limited to the above-described embodiment.
例えば、以上に示した実施形態では、発光素子はワイヤボンディングを利用して基台に実装される構成とした。しかし、この構成に限らず、発光素子は基台にフリップチップ実装される構成であってもよい。 For example, in the embodiment described above, the light emitting element is configured to be mounted on the base using wire bonding. However, the present invention is not limited to this configuration, and the light emitting element may be configured to be flip-chip mounted on the base.
また、以上に示した実施形態では、発光素子が搭載される基台はリフレクタ部を有する構成とした。しかし、本発明の発光装置の製造方法は、リフレクタ部を有さない基台(平板形状の基台)に発光素子が搭載される発光装置に対しても適用可能である。 Moreover, in embodiment shown above, the base in which a light emitting element is mounted was set as the structure which has a reflector part. However, the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention is also applicable to a light-emitting device in which a light-emitting element is mounted on a base (a flat base) that does not have a reflector portion.
また、以上に示した実施形態では、発光素子を覆う封止樹脂の形状が断面視略半円状(略半球状)となる構成とした。ただし、上述のように、発光素子の発熱量を制御することによって、発光素子に向けて滴下された樹脂が硬化に至る時間を制御可能である。このために、本発明の発光装置の製造方法によれば、発光素子を覆う封止樹脂の形状を略半球状に限らず、例えば発光素子に沿った膜状に形成することも可能である。 Moreover, in embodiment shown above, it was set as the structure by which the shape of sealing resin which covers a light emitting element becomes a substantially semicircle shape (substantially hemispherical shape) cross-sectional view. However, as described above, by controlling the heat generation amount of the light emitting element, it is possible to control the time until the resin dripped toward the light emitting element is cured. For this reason, according to the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, the shape of the sealing resin that covers the light-emitting element is not limited to a substantially hemispherical shape, and can be formed in a film shape along the light-emitting element, for example.
また、以上に示した実施形態では、発光素子がLEDチップである構成とした。しかし、発光素子は、これに限らず、例えば半導体レーザチップ等の他の発光素子であっても構わない。 Moreover, in embodiment shown above, it was set as the structure whose light emitting element is a LED chip. However, the light emitting element is not limited to this, and may be another light emitting element such as a semiconductor laser chip.
本発明の発光装置は、例えば液晶表示装置に含まれるバックライトに対して好適である。 The light emitting device of the present invention is suitable for a backlight included in a liquid crystal display device, for example.
1、2、3 発光装置
10 基台
11 リフレクタ部
11a 開口部
20、21、22 発光素子
50、51、52、53、54 封止樹脂
1, 2, 3
Claims (9)
前記発光素子に向けて滴下される前記樹脂を、前記発光素子の発熱を利用して硬化させる樹脂硬化工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 A light-emitting device manufacturing method in which a light-emitting element mounted on a base is covered with a resin,
The manufacturing method of the light-emitting device characterized by including the resin hardening process of hardening the said resin dripped toward the said light emitting element using the heat_generation | fever of the said light emitting element.
前記発光素子は、前記リフレクタ部に形成される開口部内に配置されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 The base is provided with a reflector part that reflects light emitted from the light emitting element,
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is disposed in an opening formed in the reflector portion.
前記基台に設けられるとともに、開口部が形成されるリフレクタ部と、
前記基台に搭載されるとともに、前記開口部内に配置される発光素子と、
前記発光素子を覆う断面視略半円状の封止樹脂と、
を備えることを特徴とする発光装置。 The base,
A reflector portion provided on the base and having an opening formed therein;
A light emitting device mounted on the base and disposed in the opening;
A substantially semicircular sealing resin in cross-sectional view covering the light emitting element;
A light emitting device comprising:
前記複数の発光素子のそれぞれは、別々に前記封止樹脂に覆われていることを特徴とする請求項6又は7に記載の発光装置。 A plurality of light emitting elements are mounted on the base,
The light emitting device according to claim 6 or 7, wherein each of the plurality of light emitting elements is separately covered with the sealing resin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012000909A JP2013140904A (en) | 2012-01-06 | 2012-01-06 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012000909A JP2013140904A (en) | 2012-01-06 | 2012-01-06 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013140904A true JP2013140904A (en) | 2013-07-18 |
Family
ID=49038100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012000909A Pending JP2013140904A (en) | 2012-01-06 | 2012-01-06 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013140904A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014064006A (en) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | Light-emitting diode package and method for manufacturing the same |
-
2012
- 2012-01-06 JP JP2012000909A patent/JP2013140904A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014064006A (en) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | Light-emitting diode package and method for manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5878305B2 (en) | Light emitting device package and lighting system | |
US8039862B2 (en) | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same | |
JP5418592B2 (en) | Light emitting device | |
US8610255B2 (en) | Light emitting device package | |
KR101007131B1 (en) | Light emitting device package | |
KR101161383B1 (en) | Light emitting diode and method for producing the same | |
US10586901B2 (en) | LED module having a highly reflective carrier | |
CN104798214B (en) | Light-emitting device and the electronic equipment including the light-emitting device | |
EP2215667A2 (en) | Led package and method for fabricating the same | |
TWI500185B (en) | Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof | |
CN106415864A (en) | Shallow reflector cup for phosphor-converted LED filled with encapsulant | |
JP2010225791A (en) | Semiconductor light emitting device | |
CN104247057A (en) | Light emitting device package | |
CN107450228A (en) | Light-emitting device | |
JP2018518059A (en) | Light emitting diode device and method for manufacturing the light emitting diode device | |
KR102116749B1 (en) | Device with reflector and method for manufacturing devices | |
JP7014948B2 (en) | Manufacturing method of light emitting device and light emitting device | |
KR20140004351A (en) | Light emitting diode package | |
KR20090073598A (en) | Led package | |
US20090189171A1 (en) | Light emitting diode package | |
JP2013140904A (en) | Light emitting device and manufacturing method of the same | |
KR20090051508A (en) | White light emitting diode and fabrication method thereof | |
JP2022016624A (en) | Manufacturing method for light-emitting device and light-emitting device | |
KR20100042066A (en) | Light emitting diode package | |
KR20100002665A (en) | Light emitting diode package |