JP2013140826A - Peeling method and peeling solution - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、支持板と基板とが接着剤によって貼着されてなる積層体から支持板を剥離する剥離方法、およびその剥離方法に用いられる剥離液に関する。 The present invention relates to a peeling method for peeling a support plate from a laminate in which a support plate and a substrate are bonded with an adhesive, and a stripping solution used for the peeling method.
近年、携帯電話、デジタルAV機器およびICカード等の高機能化に伴い、半導体シリコンチップの小型化、薄型化および高集積化への要求が高まっている。例えば、一つの半導体パッケージの中に複数の半導体チップを搭載するシステム・イン・パッケージ(SiP)は、搭載されるチップを小型化、薄型化および高集積化し、電子機器を高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術になっている。このような薄型化および高集積化への要求に応えるためには、従来のワイヤ・ボンディング技術のみではなく、貫通電極を形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する貫通電極技術も必要になる。 In recent years, with the enhancement of functions of mobile phones, digital AV devices, IC cards, and the like, there is an increasing demand for miniaturization, thinning, and high integration of semiconductor silicon chips. For example, system-in-package (SiP), in which multiple semiconductor chips are mounted in a single semiconductor package, makes the mounted chip smaller, thinner and more integrated, and electronic devices have higher performance and smaller size. In addition, it has become a very important technology for realizing weight reduction. In order to meet such demands for thinning and high integration, not only conventional wire bonding technology but also through electrode technology that stacks chips with through electrodes and forms bumps on the back of the chip I need it.
ところで、半導体チップの製造では、半導体ウエハ自体が肉薄で脆く、また回路パターンには凹凸があるため、研削工程またはダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損しやすい。そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生およびウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステムが開発されている。ウエハハンドリングシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。 By the way, in the manufacture of semiconductor chips, the semiconductor wafer itself is thin and fragile, and the circuit pattern has irregularities, so that it is easily damaged when an external force is applied during conveyance to the grinding process or dicing process. Therefore, a wafer handling system has been developed that maintains the strength of the wafer and prevents the occurrence of cracks and warping of the wafer by bonding a plate made of glass, hard plastic, or the like, to the wafer to be ground. . Since the wafer strength can be maintained by the wafer handling system, the transport of the thinned semiconductor wafer can be automated.
ウエハとサポートプレートとは、粘着テープ、熱可塑性樹脂、接着剤等を用いて貼り合わせられている。サポートプレートが貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートを剥離して、サポートプレートをウエハから取り除く。例えば、溶解型の接着剤を用いてウエハとサポートプレートとを貼り合わせた場合には、剥離液としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」と表記する)を用いて接着剤を溶解させた後、サポートプレートを剥離して、ウエハから取り除いている(特許文献1)。 The wafer and the support plate are bonded together using an adhesive tape, a thermoplastic resin, an adhesive, or the like. After thinning the wafer to which the support plate is attached, the support plate is peeled off before dicing the wafer, and the support plate is removed from the wafer. For example, when the wafer and the support plate are bonded together using a dissolution type adhesive, the adhesive was dissolved using propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter referred to as “PGMEA”) as a stripping solution. Thereafter, the support plate is peeled off and removed from the wafer (Patent Document 1).
しかしながら従来の剥離液を用いた剥離方法では、接着剤に対する剥離液の溶解性が十分ではないという問題がある。ウエハハンドリングシステムにおいてウエハとサポートプレートとを仮止めするために形成した接着剤に溶解性が十分でない剥離液を用いた場合には、ウエハ上に接着剤の残渣が生じてしまう。剥離後の残渣は、製造されるチップの電気特性の低下および歩留まりの低下といった問題を引き起こす。 However, the conventional peeling method using a peeling solution has a problem that the solubility of the peeling solution in the adhesive is not sufficient. In the case where a stripping solution having insufficient solubility is used for the adhesive formed to temporarily fix the wafer and the support plate in the wafer handling system, an adhesive residue is generated on the wafer. Residues after peeling cause problems such as deterioration of electrical characteristics and yield of manufactured chips.
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、接着剤の残渣を低減した支持板の剥離方法を提供することにある。 Then, this invention is made | formed in view of said problem, The objective is to provide the peeling method of the support plate which reduced the residue of the adhesive agent.
本発明に係る剥離方法は、上記課題を解決するために、厚さ方向に貫通した貫通孔が設けられている支持板と基板とが接着剤によって貼着されてなる積層体から、該支持板を剥離する剥離方法において、剥離液用溶剤に界面活性剤が添加されてなる剥離液を、上記貫通孔を介して上記接着剤に接触させて、上記接着剤を溶解する溶解工程と、上記溶解工程後に、上記積層体から上記支持板を剥離する剥離工程と、上記剥離工程後の上記基板を、水または低級アルコールを用いて洗浄する洗浄工程とを含む構成である。 In order to solve the above-described problem, the peeling method according to the present invention comprises a support plate provided with a support plate provided with a through-hole penetrating in the thickness direction and a substrate, and the support plate. In the peeling method for removing the adhesive, a peeling solution in which a surfactant is added to the solvent for the peeling solution is brought into contact with the adhesive via the through-hole to dissolve the adhesive, and the dissolution It is the structure including the peeling process which peels the said support plate from the said laminated body after a process, and the washing | cleaning process which wash | cleans the said board | substrate after the said peeling process using water or a lower alcohol.
また、本発明に係る剥離液は、基板に支持板を貼着させている接着剤を溶解する剥離液であって、炭化水素系溶剤にノニオン性界面活性剤が添加されてなる構成である。 The stripping solution according to the present invention is a stripping solution that dissolves an adhesive that adheres a support plate to a substrate, and has a configuration in which a nonionic surfactant is added to a hydrocarbon solvent.
以上のように、本発明に係る剥離方法では、界面活性剤が添加されてなる剥離液を用いて接着剤を溶解するとともに、水または低級アルコールを用いて基板の洗浄を行なっている。これにより、支持板剥離後の接着剤の残渣を低減させることができる。 As described above, in the peeling method according to the present invention, the adhesive is dissolved using the peeling liquid to which the surfactant is added, and the substrate is cleaned using water or lower alcohol. Thereby, the residue of the adhesive agent after a support plate peeling can be reduced.
本発明の一実施形態について説明すれば以下の通りである。 An embodiment of the present invention will be described as follows.
本発明の剥離方法は、支持板と基板とが接着剤によって貼着されてなる積層体から当該支持板を剥離する用途に用いるのであれば、その具体的な用途は特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウエハサポートシステムのために接着剤によってウエハ(基板)に一時的に貼着したサポートプレート(支持板)をウエハから取り除く用途に用いた場合を例に挙げて説明する。 If the peeling method of this invention is used for the use which peels the said support plate from the laminated body by which a support plate and a board | substrate are stuck by the adhesive agent, the specific use will not be specifically limited. . In the present embodiment, a case where the support plate (support plate) temporarily attached to the wafer (substrate) with an adhesive is removed from the wafer will be described as an example for the wafer support system.
なお、本明細書における「サポートプレート」とは、半導体ウエハを研削するときに、半導体ウエハに貼り合せることによって、研削により薄化した半導体ウエハにクラックおよび反りが生じないように保護するために一時的に用いられる支持板のことである。 In this specification, the “support plate” is used to temporarily protect a semiconductor wafer thinned by grinding so as not to be cracked or warped by being bonded to the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is ground. It is a support plate used in general.
本発明に係る剥離方法は、剥離液用溶剤に界面活性剤が添加されてなる剥離液を、サポートプレートの貫通孔を介して接着剤に接触させて、接着剤を溶解する溶解工程と、溶解工程後に、積層体からサポートプレートを剥離する剥離工程と、剥離工程後のウエハを、水または低級アルコールを用いて洗浄する洗浄工程とを含んでいる。 The stripping method according to the present invention comprises a stripping solution in which a surfactant is added to a stripping solution solvent, contacting the adhesive through the through holes of the support plate, and dissolving the adhesive. After the process, a peeling process for peeling the support plate from the laminated body and a cleaning process for cleaning the wafer after the peeling process with water or lower alcohol are included.
〔溶解工程〕
溶解工程では、サポートプレートの貫通孔から剥離液を注入し、剥離液を接着剤に接触させて、接着剤を溶解する。溶解工程で用いる剥離液は、剥離液用溶剤に界面活性剤が添加されてなるものである。
[Dissolution process]
In the melting step, the peeling liquid is injected from the through hole of the support plate, and the peeling liquid is brought into contact with the adhesive to dissolve the adhesive. The stripping solution used in the dissolving step is obtained by adding a surfactant to a stripping solution solvent.
(剥離用溶剤)
剥離液用溶剤としては、炭化水素系溶剤等が挙げられ、溶解すべき接着剤の組成に応じて適宜決定すればよい。例えば、炭化水素樹脂を粘着成分とする接着剤を用いてサポートプレートをウエハに貼着している場合には、剥離液用溶剤として炭化水素系溶剤が好適に用いられる。
(Peeling solvent)
Examples of the solvent for the stripping solution include hydrocarbon solvents and the like, and may be appropriately determined according to the composition of the adhesive to be dissolved. For example, when the support plate is attached to the wafer using an adhesive having a hydrocarbon resin as an adhesive component, a hydrocarbon solvent is suitably used as the solvent for the stripping solution.
炭化水素系溶剤を構成する炭化水素としては、例えば、テルペン系炭化水素、ナフテン系炭化水素、脂肪族系炭化水素、イソパラフィン系炭化水素などが挙げられる。あるいは、炭化水素系溶剤を構成する炭化水素としては、直鎖状、分岐状または環状の炭化水素、縮合多環式炭化水素が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon constituting the hydrocarbon solvent include terpene hydrocarbon, naphthene hydrocarbon, aliphatic hydrocarbon, and isoparaffin hydrocarbon. Alternatively, examples of the hydrocarbon constituting the hydrocarbon solvent include linear, branched or cyclic hydrocarbons, and condensed polycyclic hydrocarbons.
直鎖状、分岐状または環状の炭化水素としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカンおよびトリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数3から15の分岐状の炭化水素、シクロヘキサン、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、d−リモネン、ジフェニルメンタン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、α−ピネン、β−ピネン、ツジャン、α−ツジョン、β−ツジョン、カランおよびロンギホレン等の環状の炭化水素が挙げられる。 Examples of the linear, branched, or cyclic hydrocarbon include linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, and tridecane, and branched chains having 3 to 15 carbon atoms. Hydrocarbon, cyclohexane, p-menthane, o-menthane, m-menthane, d-limonene, diphenylmentane, α-terpinene, β-terpinene, γ-terpinene, 1,4-terpine, 1,8-terpine, Examples thereof include cyclic hydrocarbons such as bornane, norbornane, pinane, α-pinene, β-pinene, tujang, α-tujon, β-tujon, caran and longifolene.
また、縮合多環式炭化水素としては、2つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに1つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、2つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。そのような炭化水素としては、5員環および6員環の組み合わせ、または2つの6員環の組み合わせが挙げられる。5員環および6員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダンおよびテトラヒドロインデン等が挙げられる。2つの6員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタリン(テトラリン)およびデカヒドロナフタリン(デカリン)等が挙げられる。 In addition, the condensed polycyclic hydrocarbon is a condensed ring hydrocarbon in which two or more monocycles supply only one side of each ring to each other, and is a carbon that is formed by condensing two monocycles. It is preferable to use hydrogen. Such hydrocarbons include combinations of 5-membered and 6-membered rings, or combinations of two 6-membered rings. Examples of the hydrocarbon in which a 5-membered ring and a 6-membered ring are combined include indene, pentalene, indane, tetrahydroindene and the like. Examples of the hydrocarbon in which two 6-membered rings are combined include naphthalene, tetrahydronaphthalene (tetralin), decahydronaphthalene (decalin), and the like.
これら炭化水素は単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。 These hydrocarbons may be used alone or in combination of two or more.
(界面活性剤)
界面活性剤としては、剥離液用溶剤に溶解するものであれば、特に制限はなく、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、および両性界面活性剤の何れも用いることができ、用いる剥離液用溶剤の種類に応じて適宜決定すればよい。例えば、剥離液用溶剤として炭化水素系溶剤を用いる場合には、ノニオン性界面活性剤が好適に用いられる。
(Surfactant)
The surfactant is not particularly limited as long as it is soluble in the stripping solution solvent, and any of nonionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants, and amphoteric surfactants are used. It can be determined appropriately depending on the type of the solvent for the stripping solution to be used. For example, when a hydrocarbon solvent is used as the solvent for the stripping solution, a nonionic surfactant is preferably used.
ノニオン系界面活性剤としては、例えば、アセチレングリコール系界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどが挙げられる。中でも、アセチレングリコール系界面活性剤およびポリオキシエチレンアルキルエーテルが好ましい。 Examples of nonionic surfactants include acetylene glycol surfactants, polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl phenyl ethers, polyoxyethylene alkyl esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, and the like. Of these, acetylene glycol surfactants and polyoxyethylene alkyl ethers are preferred.
アセチレングリコール系界面活性剤は、市販品として入手可能であり、例えば、エアープロダクツアンドケミカルズ社(米国)製のサーフィノールシリーズが挙げられる。具体的には、サーフィノール104E、サーフィノール420、サーフィノール440、サーフィノール465、サーフィノール485等が挙げられる。 The acetylene glycol surfactant is available as a commercial product, and examples thereof include Surfinol series manufactured by Air Products and Chemicals (USA). Specifically, Surfinol 104E, Surfinol 420, Surfinol 440, Surfinol 465, Surfinol 485, etc. are mentioned.
ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、市販品として入手可能であり、例えば、第一工業製薬社製のノイゲンシリーズ、日本触媒社製のソフタールシリーズ、および青木油脂工業社製のファインサーフシリーズ等が挙げられる。具体的には、ノイゲンXL−40、ノイゲンXL−80、ノイゲンTDS−50、ノイゲンTDS−70、ソフタノール30、ソフタノール50、ソフタノール70、ソフタノール90、ファインサーフTD−70、ファインサーフTD−75、ファインサーフTD−80等が挙げられる。 Polyoxyethylene alkyl ethers are available as commercial products, such as Neugen series manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku, Softal series manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., and Fine Surf Series manufactured by Aoki Yushi Kogyo Co., Ltd. It is done. Specifically, Neugen XL-40, Neugen XL-80, Neugen TDS-50, Neugen TDS-70, Softanol 30, Softanol 50, Softanol 70, Softanol 90, Fine Surf TD-70, Fine Surf TD-75, Fine Surf TD-80 etc. are mentioned.
界面活性剤が剥離液用溶剤に完全には溶解していなくても剥離液として用いることはできるものの、界面活性剤が剥離液用溶剤に完全に溶解していることが好ましい。このような観点から、剥離液用溶剤として炭化水素系溶剤を用いる場合には、界面活性剤のHLB(Hydrophile−lypophile−balance)は、20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましい。なお、本明細書においてHLBは、((親水性部分の分子量/全体の分子量)×100)/5によって得られる数値であり、数値が小さいほど、親油性であることを示す。 Although the surfactant can be used as a stripping solution even if it is not completely dissolved in the stripping solution solvent, the surfactant is preferably completely dissolved in the stripping solution solvent. From such a viewpoint, when a hydrocarbon solvent is used as the solvent for the stripping solution, the HLB (Hydrophile-Lyophile-balance) of the surfactant is preferably 20 or less, and more preferably 15 or less. preferable. In addition, in this specification, HLB is a numerical value obtained by ((molecular weight of hydrophilic portion / total molecular weight) × 100) / 5, and a smaller numerical value indicates lipophilicity.
剥離液における界面活性剤の含有量は、剥離液用溶剤に対して0.01〜10重量%の割合で添加されていることが好ましく、0.1〜5重量%の割合で添加されていることがより好ましく、0.5〜1重量%の割合で添加されていることが特に好ましい。界面活性剤の添加量を上記範囲内とすることにより、接着剤の残渣低減効果が向上する。 The content of the surfactant in the stripping solution is preferably added at a rate of 0.01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight, based on the solvent for the stripping solution. It is more preferable that it is added at a ratio of 0.5 to 1% by weight. By making the addition amount of the surfactant within the above range, the adhesive residue reducing effect is improved.
剥離液は、本発明の効果を損なわない範囲でその他の成分を含んでいてもよい。 The stripping solution may contain other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
サポートプレートの貫通孔から剥離液を注入して、剥離液を接着剤に接触させる具体的な手段としては、従来公知の技術を用いることができる。 A conventionally known technique can be used as a specific means for injecting the stripping solution from the through hole of the support plate and bringing the stripping solution into contact with the adhesive.
〔剥離工程〕
剥離工程では、溶解工程において接着剤を溶解させた積層体から、サポートプレートを剥離して、ウエハからサポートプレートを取り除く。接着剤を溶解させた積層体からサポートプレートを剥離する方法は、特に制限されるものではなく、従来公知の方法により行なうことができる。
[Peeling process]
In the peeling step, the support plate is peeled off from the laminate in which the adhesive is dissolved in the melting step, and the support plate is removed from the wafer. The method for peeling the support plate from the laminate in which the adhesive is dissolved is not particularly limited, and can be performed by a conventionally known method.
〔洗浄工程〕
洗浄工程では、剥離工程によってサポートプレートを取り除いたウエハの表面を、水または低級アルコールを用いて洗浄する。本明細書において低級アルコールとは、炭素数1〜5の鎖式アルコールを意図している。具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノールおよびt−ブタノール等を挙げることができる。中でも、水またはイソプロパノールを用いることが好ましく、水を用いることが特に好ましい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
[Washing process]
In the cleaning process, the surface of the wafer from which the support plate has been removed in the peeling process is cleaned using water or lower alcohol. In the present specification, the lower alcohol is intended to be a chain alcohol having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, and t-butanol. Among them, it is preferable to use water or isopropanol, and it is particularly preferable to use water. These may be used alone or in combination of two or more.
洗浄工程においては、水または低級アルコールを用いた洗浄に先立って、剥離工程によってサポートプレートを取り除いたウエハの表面を、剥離液を用いて洗浄しておくことが好ましい。これにより、接着剤の溶解をより確実にし、生じる残渣をより少なくすることができる。洗浄に用いられる剥離液は、上述の溶解工程で使用した剥離液と同一組成の剥離液を用いることが好ましいが、これに限定されるものではない。 In the cleaning step, prior to cleaning with water or lower alcohol, the surface of the wafer from which the support plate has been removed in the peeling step is preferably cleaned with a stripping solution. Thereby, dissolution of the adhesive can be made more reliable, and the generated residue can be reduced. The stripping solution used for cleaning is preferably a stripping solution having the same composition as the stripping solution used in the above-described dissolution step, but is not limited thereto.
水または低級アルコールを用いた洗浄の具体的な方法、および剥離液を用いた洗浄の具体的な方法は特に限定されず、例えば、洗浄液(水、低級アルコール、または剥離液)を半導体ウエハの回転によりその面上に塗り広げるスピン洗浄方式、または半導体ウエハを洗浄液にそのまま漬け込む浸漬洗浄方式などを挙げることができる。 The specific method of cleaning using water or lower alcohol and the specific method of cleaning using stripping solution are not particularly limited. For example, the cleaning solution (water, lower alcohol, or stripping solution) is rotated on the semiconductor wafer. Thus, a spin cleaning method in which the surface is coated on the surface, or an immersion cleaning method in which the semiconductor wafer is immersed in the cleaning liquid as it is can be used.
なお、水を用いて洗浄を行なった場合には、洗浄後の乾燥を効率よく行なうために、水による洗浄後に、低級アルコールによる洗浄をさらに行ってもよい。 In addition, when washing is performed using water, in order to efficiently dry after washing, washing with water may be further performed after washing with water.
以上のように、本発明に係る剥離方法では、界面活性剤が添加されてなる剥離液を用いて接着剤を溶解するとともに、水または低級アルコールを用いて基板の洗浄を行なっている。これにより、サポートプレート剥離後の接着剤の残渣を低減させることができる。 As described above, in the peeling method according to the present invention, the adhesive is dissolved using the peeling liquid to which the surfactant is added, and the substrate is cleaned using water or lower alcohol. Thereby, the residue of the adhesive after support plate peeling can be reduced.
また、後述する実施例に示すとおり、炭化水素系溶剤にノニオン性界面活性剤が添加されてなる剥離液は、本発明に係る剥離方法において好適に使用される。したがって、炭化水素系溶剤にノニオン性界面活性剤が添加されてなる剥離液もまた本発明の範疇に含まれる。 Moreover, as shown in the Example mentioned later, the peeling liquid formed by adding a nonionic surfactant to the hydrocarbon solvent is suitably used in the peeling method according to the present invention. Accordingly, a stripping solution obtained by adding a nonionic surfactant to a hydrocarbon solvent is also included in the scope of the present invention.
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。 Examples will be shown below, and the embodiments of the present invention will be described in more detail. Of course, the present invention is not limited to the following examples, and it goes without saying that various aspects are possible in detail. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims, and the present invention is also applied to the embodiments obtained by appropriately combining the disclosed technical means. It is included in the technical scope of the invention. Moreover, all the literatures described in this specification are used as reference.
(接着剤組成物の調製)
ノルボルネンとエチレンとを共重合したシクロオレフィンコポリマー(ポリプラスチックス社製の「TOPAS(商品名)8007」、ノルボルネン:エチレン=65:35(重量比)、重量平均分子量:98,200、Mw/Mn:1.69)を、25重量%の濃度となるようにp−メンタンに溶解した。この溶液100重量部に対して、酸化防止剤としてBASF社製の「IRGANOX(商品名)1010」を5重量部添加して、接着剤組成物を得た。
(Preparation of adhesive composition)
A cycloolefin copolymer obtained by copolymerizing norbornene and ethylene (“TOPAS (trade name) 8007” manufactured by Polyplastics Co., Ltd.), norbornene: ethylene = 65: 35 (weight ratio), weight average molecular weight: 98,200, Mw / Mn : 1.69) was dissolved in p-menthane to a concentration of 25% by weight. 5 parts by weight of “IRGANOX (trade name) 1010” manufactured by BASF as an antioxidant was added to 100 parts by weight of this solution to obtain an adhesive composition.
(積層体の作製)
半導体ウエハ上に、ベーク後に15μmの膜厚となる量の上述の接着剤組成物をスピン塗布し、100℃、160℃および220℃にて3分ずつベークして接着剤層を形成した。次いで、接着剤層に孔ガラス支持体を215℃で貼り合わせて積層体を作製した。
(Production of laminate)
An adhesive layer was formed on a semiconductor wafer by spin-coating the above-mentioned adhesive composition in an amount of 15 μm after baking and baking at 100 ° C., 160 ° C. and 220 ° C. for 3 minutes each. Next, a porous glass support was bonded to the adhesive layer at 215 ° C. to prepare a laminate.
(剥離液の調製)
p−メンタン(ヤスハラケミカル社製)に、ノニオン系界面活性剤であるノイゲンXL−40(商品名、第一工業製薬社製)、ノイゲンXL−80(商品名、第一工業製薬社製)、ソフタノール30(商品名、日本触媒社製)またはサーフィノール420(商品名、エアープロダクツアンドケミカルズ社製)を1重量%の割合で添加して、剥離液を調製した。
(Preparation of stripping solution)
p-Mentane (manufactured by Yasuhara Chemical Co., Ltd.), Neugen XL-40 (trade name, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), Neugen XL-80 (trade name, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), Softanol 30 (trade name, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) or Surfynol 420 (trade name, manufactured by Air Products and Chemicals Co., Ltd.) was added at a ratio of 1% by weight to prepare a stripping solution.
(支持体の剥離)
作製した積層体に対し、ウエハの薄化およびフォトリソグラフィー工程等の所定の処理を行った後、孔ガラス支持体の孔から上述の剥離液を注入し、接着剤層を溶解した。接着剤層の溶解後、孔ガラス支持体を剥離して、半導体ウエハから取り除いた。
(Removal of support)
The prepared laminate was subjected to predetermined processes such as wafer thinning and a photolithography process, and then the above-described peeling solution was injected from the holes of the hole glass support to dissolve the adhesive layer. After dissolution of the adhesive layer, the perforated glass support was peeled off and removed from the semiconductor wafer.
(基板の洗浄)
孔ガラス支持体を剥離した後、孔ガラス支持体を取り除いた半導体ウエハの表面を上述の剥離液を用いてスピン洗浄し、次いで、純水を用いてスピン洗浄(リンス)した(実施例1〜4)。なお、比較例としては、孔ガラス支持体を剥離して、半導体ウエハから取り除いた後、孔ガラス支持体を取り除いた半導体ウエハの表面に対して上述の剥離液を用いたスピン洗浄のみを実施し、純水を用いたスピン洗浄(リンス)は実施しなかった。
(Washing the substrate)
After peeling the porous glass support, the surface of the semiconductor wafer from which the porous glass support was removed was spin-washed with the above-described peeling liquid, and then spin-washed (rinsed) with pure water (Examples 1 to 1). 4). As a comparative example, after removing the hole glass support and removing it from the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer from which the hole glass support was removed was only subjected to spin cleaning using the above-described release liquid. Spin cleaning (rinsing) using pure water was not performed.
(洗浄性の評価)
洗浄後の半導体ウエハ表面における残渣の有無を顕微鏡により確認した。なお、残渣があると、目視により、顕微鏡から出る高輝度の光により残渣部分が乱反射して白く見える。残渣が見られた場合には、洗浄性を「×」と評価し、残渣が見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価した。結果を表1に示す。
(Evaluation of detergency)
The presence or absence of residues on the cleaned semiconductor wafer surface was confirmed by a microscope. If there is a residue, the residue portion is irregularly reflected by high-intensity light emitted from the microscope and appears white. When a residue was found, the detergency was evaluated as “x”, and when no residue was found, the detergency was evaluated as “◯”. The results are shown in Table 1.
表1に示されるように、p−メンタンに界面活性剤を添加した剥離液を用いて接着剤を溶解した後、ウエハ表面を、純水を用いてリンスすることにより、接着剤の残渣を消失させることができた。 As shown in Table 1, the adhesive residue was eliminated by rinsing the surface of the wafer with pure water after dissolving the adhesive using a peeling solution in which a surfactant was added to p-menthane. I was able to.
本発明は、様々な製品の製造時に使用される仮止めした積層体を分離するために利用することができる。特に、半導体ウエハまたはチップを種々の支持体に仮止めして加工する製造工程において好適に利用することができる。 The present invention can be used to separate temporarily bonded laminates used in the manufacture of various products. In particular, it can be suitably used in a manufacturing process in which a semiconductor wafer or chip is temporarily fixed to various supports and processed.
Claims (8)
剥離液用溶剤に界面活性剤が添加されてなる剥離液を、上記貫通孔を介して上記接着剤に接触させて、上記接着剤を溶解する溶解工程と、
上記溶解工程後に、上記積層体から上記支持板を剥離する剥離工程と、
上記剥離工程後の上記基板を、水または低級アルコールを用いて洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴とする剥離方法。 In a peeling method for peeling the support plate from a laminate in which a support plate and a substrate provided with through-holes penetrating in the thickness direction are adhered by an adhesive,
A dissolving step of dissolving the adhesive by bringing a release solution in which a surfactant is added to the solvent for the peeling solution into contact with the adhesive through the through-hole;
After the melting step, a peeling step for peeling the support plate from the laminate,
And a washing step of washing the substrate after the peeling step with water or lower alcohol.
炭化水素系溶剤にノニオン性界面活性剤が添加されてなることを特徴とする剥離液。 A stripping solution for dissolving an adhesive that adheres a support plate to a substrate,
A stripping solution obtained by adding a nonionic surfactant to a hydrocarbon solvent.
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