JP2013134078A - Capacitive physical quantity detection apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、静電容量に応じて物理量を検出する容量式物理量検出装置に関し、例えば、湿度を検出する湿度センサ等に適用されると好適である。 The present invention relates to a capacitive physical quantity detection device that detects a physical quantity in accordance with a capacitance, and is preferably applied to, for example, a humidity sensor that detects humidity.
従来より、例えば、特許文献1には、自己診断を行うことができる容量式物理量検出装置が提案されている。具体的には、このような容量式物理量検出装置では、第1、第2固定電極と、これら固定電極と対向する可動可能な共通電極とを有するセンサ部を備えている。
Conventionally, for example,
そして、自己診断時には、まず、共通電極と第1、第2固定電極との間に所定の電圧を印加して静電引力を発生させて共通電極を一方の固定電極に接触させる。つまり、共通電極を固定電極にスティッキングさせる。その後、通常状態に戻し、共通電極が固定電極から離れるか否かを検出することにより、センサ部に異常があるか否かの自己診断を行っている。 Then, at the time of self-diagnosis, first, a predetermined voltage is applied between the common electrode and the first and second fixed electrodes to generate an electrostatic attractive force so that the common electrode is brought into contact with one fixed electrode. That is, the common electrode is stuck to the fixed electrode. After that, the self-diagnosis is performed to determine whether or not there is an abnormality in the sensor unit by returning to the normal state and detecting whether or not the common electrode is separated from the fixed electrode.
しかしながら、上記容量式物理量検出装置では、故意にスティッキングを発生させることによって自己診断を行うことができるものの、共通電極が固定電極である、例えば、湿度センサ等のようなものに適用することは困難であるという問題がある。 However, although the above-described capacitive physical quantity detection device can perform self-diagnosis by intentionally generating sticking, it is difficult to apply to a device such as a humidity sensor where the common electrode is a fixed electrode. There is a problem that.
本発明は上記点に鑑みて、湿度センサ等のように可動電極を有しないものにおいても自己診断を行うことができる容量式物理量検出装置を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a capacitive physical quantity detection device that can perform self-diagnosis even in a device that does not have a movable electrode such as a humidity sensor.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体基板(13)を用いて構成され、第1、第2固定電極(12a、12b)および第1、第2固定電極(12a、12b)と対向する共通電極(11)を有するセンサ部(10)と、自己診断時に第1、第2固定電極(12a、12b)に所定の電位を印加すると共に所定の制御信号を出力する第1制御手段(50)と、自己診断時に第1制御手段(50)からの制御信号に基づいて共通電極(11)を所定の状態にする自己診断信号印加手段(40)と、自己診断時にセンサ部(10)に流れる電流を検出する検出手段(60)と、を備え、自己診断時に、第1、第2固定電極(12a、12b)に第1制御手段(50)から所定の電位を印加すると共に、共通電極(11)を自己診断信号印加手段(40)によって所定の状態にし、検出手段(60)によってセンサ部(10)に流れる電流を検出することにより、センサ部(10)の異常を検出する自己診断手段(40〜60)を有することを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the semiconductor substrate (13) is used, and the first and second fixed electrodes (12a, 12b) and the first and second fixed electrodes (12a, 12b) and a sensor unit (10) having a common electrode (11) opposite to the first and second fixed electrodes (12a, 12b) at the time of self-diagnosis, and a predetermined control signal is output. 1 control means (50), self-diagnosis signal applying means (40) for setting the common electrode (11) in a predetermined state based on a control signal from the first control means (50) during self-diagnosis, and a sensor during self-diagnosis Detecting means (60) for detecting the current flowing through the section (10), and applying a predetermined potential from the first control means (50) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b) during self-diagnosis The common electrode (11) Self-diagnostic means (40 to 60) for detecting an abnormality of the sensor section (10) by making the diagnosis signal applying means (40) a predetermined state and detecting the current flowing through the sensor section (10) by the detection means (60). ).
これによれば、第1、第2固定電極(12a、12b)に所定の電位を印加すると共に共通電極(11)を所定の状態にし、センサ部(10)に流れる電流を検出することによりセンサ部(10)の異常を検出しているため、可動電極を有しない容量式物理量検出装置においても自己診断を行うことができる。 According to this, by applying a predetermined potential to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), setting the common electrode (11) in a predetermined state, and detecting the current flowing through the sensor unit (10), the sensor Since the abnormality of the part (10) is detected, the self-diagnosis can be performed even in the capacitive physical quantity detection device having no movable electrode.
この場合、請求項2に記載の発明のように、自己診断手段(40〜60)は、自己診断時において、第1、第2固定電極(12a、12b)に、第1制御手段(50)からグランド電位より高いハイレベルの電位を印加し、共通電極(11)を自己診断信号印加手段(40)によってフローティング状態にするものとすることができる。 In this case, as in the invention described in claim 2, the self-diagnosis means (40-60) is connected to the first control means (50) at the first and second fixed electrodes (12a, 12b) during the self-diagnosis. A high level potential higher than the ground potential is applied to the common electrode (11) to be in a floating state by the self-diagnosis signal applying means (40).
これによれば、第1、第2固定電極(12a、12b)が半導体基板(13)とショートしているか否かを検出することができる。 According to this, it is possible to detect whether the first and second fixed electrodes (12a, 12b) are short-circuited with the semiconductor substrate (13).
また、請求項3に記載の発明のように、自己診断手段(40〜60)は、自己診断時において、第1、第2固定電極(12a、12b)に、第1制御手段(50)からグランド電位より高いハイレベルまたはグランド電位を印加し、共通電極(11)に、第1、第2固定電極(12a、12b)にハイレベルの電位を印加している場合には自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位を印加し、第1、第2固定電極(12a、12b)にグランド電位を印加している場合には自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位より高いハイレベルの電位を印加するものとすることができる。 Further, as in the invention described in claim 3, the self-diagnosis means (40-60) is connected to the first and second fixed electrodes (12a, 12b) from the first control means (50) during the self-diagnosis. Self-diagnosis signal applying means when a high level or ground potential higher than the ground potential is applied and a high level potential is applied to the common electrode (11) and the first and second fixed electrodes (12a, 12b). When a ground potential is applied by (40) and a ground potential is applied to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), a high level potential higher than the ground potential by the self-diagnosis signal applying means (40). Can be applied.
これによれば、共通電極(11)と第1固定電極(12a)とがショートしているか否か、または共通電極(11)と第2固定電極(12b)とがショートしているか否かを検出することができる。 According to this, it is determined whether the common electrode (11) and the first fixed electrode (12a) are short-circuited, or whether the common electrode (11) and the second fixed electrode (12b) are short-circuited. Can be detected.
さらに、請求項4に記載の発明のように、自己診断手段(40〜60)は、自己診断時において、第1、第2固定電極(12a、12b)に、第1制御手段(50)からグランド電位より高いハイレベルまたはグランド電位を印加し、共通電極(11)に、第1、第2固定電極(12a、12b)にハイレベルの電位を印加している場合には自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位より高いハイレベルの電位を印加し、第1、第2固定電極(12a、12b)にグランド電位を印加している場合には自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位を印加するものとすることができる。 Further, as in the invention described in claim 4, the self-diagnosis means (40-60) is connected to the first and second fixed electrodes (12a, 12b) from the first control means (50) during the self-diagnosis. Self-diagnosis signal applying means when a high level or ground potential higher than the ground potential is applied and a high level potential is applied to the common electrode (11) and the first and second fixed electrodes (12a, 12b). When a high level potential higher than the ground potential is applied by (40) and the ground potential is applied to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), the self-diagnostic signal applying means (40) Can be applied.
これによれば、共通電極(11)が半導体基板(13)とショートしているか否かを検出することができる。 According to this, it is possible to detect whether or not the common electrode (11) is short-circuited with the semiconductor substrate (13).
また、請求項5に記載の発明のように、自己診断手段(40〜60)は、自己診断時において、第1、第2固定電極(12a、12b)に、第1制御手段(50)からいずれか一方にグランド電位より高いハイレベルの電位を印加すると共に他方にグランド電位を印加し、共通電極(11)を自己診断信号印加手段(40)によってフローティング状態とするものとすることができる。 Further, as in the invention described in claim 5, the self-diagnosis means (40-60) is connected to the first and second fixed electrodes (12a, 12b) from the first control means (50) during the self-diagnosis. A high level potential higher than the ground potential can be applied to one of them and a ground potential can be applied to the other, and the common electrode (11) can be brought into a floating state by the self-diagnosis signal applying means (40).
これによれば、第1固定電極(12a)と第2固定電極(12b)とがショートしているか否かを検出することができる。 According to this, it is possible to detect whether or not the first fixed electrode (12a) and the second fixed electrode (12b) are short-circuited.
さらに、請求項6に記載の発明のように、センサ部(10)と接続されてセンサ部(10)からの信号を処理する信号処理手段(30)と、自己診断時において、信号処理手段(30)の作動を停止させる第2制御手段(50)とを備えるものとすることができる。 Further, as in the sixth aspect of the invention, the signal processing means (30) connected to the sensor section (10) to process the signal from the sensor section (10), and the signal processing means ( And a second control means (50) for stopping the operation of 30).
そして、請求項7に記載の発明のように、センサ部(10)を湿度を検出するものとすることができる。また、請求項8に記載の発明のように、センサ部(10)を誘電特性を有する材料を検出するものとすることができる。 And like invention of Claim 7, a sensor part (10) shall detect humidity. Further, as in the invention described in claim 8, the sensor unit (10) can detect a material having dielectric characteristics.
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態は、容量式物理量検出装置として湿度を検出する湿度センサに本発明を適用したものである。図1は、本実施形態における湿度センサのブロック図である。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, the present invention is applied to a humidity sensor that detects humidity as a capacitive physical quantity detection device. FIG. 1 is a block diagram of a humidity sensor in the present embodiment.
図1に示されるように、湿度センサは、センサ部10と回路部20とを備えている。まず、センサ部10の構成について簡単に説明する。本実施形態のセンサ部10は共通電極11、第1、第2固定電極12a、12bを有する一般的な湿度を検出するものである。図2(a)はセンサ部10の平面図、図2(b)は図2(a)のA−A断面図である。
As shown in FIG. 1, the humidity sensor includes a
図2に示されるように、センサ部10は、シリコン基板等の半導体基板13を用いて構成され、半導体基板13上にシリコン酸化膜等の絶縁膜14が形成されている。そして、絶縁膜14上にはアルミニウム等で構成される共通電極11が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
共通電極11上には、湿度に応じで誘電率が変化する第1感湿部材15aを介して共通電極11と対向する第1固定電極12aが配置されていると共に、第1感湿部材15aと誘電率の変化の仕方が異なる第2感湿部材15bを介して共通電極11と対向する第2固定電極12bが配置されている。つまり、図1および図2に示されるように、共通電極11、第1感湿部材15a、第1固定電極12aによって第1容量部CS1が形成され、共通電極11、第2感湿部材15b、第2固定電極12bによって第2容量部CS2が形成されており、第1容量部CS1と第2容量部CS2とは互いに湿度に関する感度が異なるようにされている。
On the
なお、共通電極11は、固定電極であり、可動不可能な電極である。また、第1、第2感湿部材15a、15bは、ポリイミド系ポリマー等からなる吸湿性を備えた高分子材料を有する材料で構成されており、第1、第2固定電極12a、12bは一般的な半導体工程で用いられているアルミニウムや銅、耐腐食性に優れている金等の貴金属等で構成されている。以上が本実施形態におけるセンサ部10の構成である。
The
回路部20は、回路チップ等で構成されており、図1に示されるように、信号処理部30、自己診断信号印加部40、制御部50、検出部60を有している。なお、本実施形態では、信号処理部30が本発明の信号処理手段に相当し、自己診断信号印加部40が本発明の自己診断信号印加手段に相当し、制御部50が本発明の第1、第2制御手段に相当し、検出部60が本発明の検出手段に相当している。
The circuit unit 20 includes a circuit chip or the like, and includes a
信号処理部30は、C−V変換回路(スイッチドキャパシタ回路)にて構成されており、共通電極11と第1、第2固定電極12a、12bとからなる第1、第2容量部CS1、CS2の静電容量の差を電圧に変換して出力する。つまり、センサ部10における第1、第2容量部CS1、CS2の一方が基準容量部を構成するものであり、信号処理部30からは相対湿度に応じた電圧が出力される。
The
C−V変換回路は、演算増幅器31と、コンデンサ32と、スイッチ33から構成されている。そして、演算増幅器31の反転入力端子は、スイッチ34を介して共通電極11に接続されており、反転入力端子と出力端子との間には、コンデンサ32およびスイッチ33が並列に接続されている。また、演算増幅器31の非反転入力端子には、基準電圧V/2が入力されるようになっており、スイッチ34がオンされている間は共通電極11には基準電圧V/2が印加されるようになっている。
The CV conversion circuit includes an
自己診断信号印加部40は、自己診断時に制御部50から入力されるSW制御信号に基づいて共通電極11を所定状態にするものである。具体的には、制御部50からのSW制御信号によってオン、オフが制御されるスイッチ41、42を有しており、制御部50によってスイッチ41がオンされると共通電極11に電源43の電源電位を印加し、スイッチ42がオンされると共通電極11にグランド電位を印加する。
The self-diagnosis
なお、共通電極11に電源電位を印加するとは本発明の共通電極11にハイレベルの電位を印加するに相当し、グランド電位を印加するとは、言い換えると共通電極11を接地することである。また、本実施形態では、制御部50から自己診断信号印加部40に入力されるSW制御信号が本発明の制御信号に相当している。
Note that applying a power supply potential to the
制御部50は、第1、第2固定電極12a、12bに所定電位を印加すると共に、SW制御信号を出力してスイッチ33、34、41、42を制御する。
The
具体的には、制御部50は、通常作動時には、一定振幅Vで周期的に変化する第1固定電極信号P1を第1固定電極12aへ入力し、第1固定電極信号P1と位相が180°ずれ且つ同一振幅Vである第2固定電極信号P2を第2固定電極12bへ入力する。
Specifically, during normal operation, the
また、自己診断時には、所定期間毎にハイレベルの電位またはグランド電位を第1、第2固定電極12a、12bに印加する。さらに、自己診断時には、SW制御信号を出力し、スイッチ34をオフして信号処理部30とセンサ部10との接続を遮断すると共に、スイッチ41、42のオン、オフを制御する。なお本実施形態では、信号処理部30とセンサ部10の接続を遮断することが、本発明の信号処理手段の作動を停止させることに相当する。
At the time of self-diagnosis, a high level potential or a ground potential is applied to the first and second
検出部60は、センサ部10と接続されており、センサ部10に電流が流れるか否かを検出することにより、センサ部10に異常があるか否かを検出する。
The
なお、センサ部10に電流が流れるとは、共通電極11と半導体基板13とがショートしている場合や共通電極11と第1、第2固定電極12a、12bとがショートしている場合等に流れる電流のことである。以上が本実施形態における湿度センサの構成である。
The current flows through the
続いて、上記湿度センサの作動について説明する。図3は、湿度センサのタイミングチャートである。なお、図3中の共通電極11の電位は異常がない場合の電位状態を示している。まず、湿度センサの通常作動時の作動について説明する。
Next, the operation of the humidity sensor will be described. FIG. 3 is a timing chart of the humidity sensor. Note that the potential of the
図3に示されるように、第1固定電極12aには、期間φ1を1周期(例えば10μs)としてハイレベルの電位(図3では5v)とローレベルの電位(図3では0Vでありグランド電位)が変化する一定振幅の矩形波信号の第1固定電極信号P1が制御部50から印加され、第2固定電極12bには、第1固定電極信号P1に対して電圧レベルが反転した矩形波信号の第2固定電極信号P2が制御部50から印加される。また、演算増幅器31の非反転入力端子にV/2(図3では2.5V)の電圧が印加されているため、共通電極11にもV/2の一定電圧が印加される。
As shown in FIG. 3, the first
そして、スイッチ33は、制御部50によって図3に示すタイミングで開閉される。このスイッチ33がオンのとき(期間φ2)、コンデンサ32がリセットされる。一方、スイッチ33がオフのときに、湿度の検出が行われる。つまり、期間φ1のうち期間φ2以外の期間が湿度を検出する期間である。この検出期間において、信号処理部30から出力される出力電圧V0は以下で示される。
The
(数1)V0=(CS1−CS2)・V´/Cf+V/2
なお、上記数式1におけるV´は第1、第2固定電極12a、12bの間の電圧であり、Cfはコンデンサ32の容量である。
(Equation 1) V0 = (CS1-CS2) .V '/ Cf + V / 2
Note that V ′ in
そして、湿度が変化すると第1、第2感湿部材15a、15bの誘電率が変化し、第1、第2容量部CS1、CS2の静電容量のバランスが変化する。すると、上記数式1に基づき容量差(CS1−CS2)に応じた電圧が、基準湿度の出力電圧にバイアスとして加わった形で出力電圧V0(例えば0〜5V)として出力される。この出力電圧V0は、その後、増幅回路やローパスフィルタ等を備えた信号処理回路(図示せず)にて信号処理され、湿度検出信号として出力される。
When the humidity changes, the dielectric constants of the first and second moisture
次に、上記湿度センサの自己診断時の作動について説明する。本実施形態の湿度センサは、自己診断として、第1、第2固定電極12a、12bと半導体基板13とがショートしているか、第1、第2固定電極12、12bと共通電極11とがショートしているか、共通電極11と半導体基板13とがショートしているか、第1固定電極12aと第2固定電極12bとがショートしているか、の4つの項目を行うことができるようになっている。なお、自己診断時では、制御部50からのSW制御信号によってスイッチ34がオフされており、センサ部10と信号処理部30との接続が遮断されている。
Next, the operation of the humidity sensor during self-diagnosis will be described. In the humidity sensor of this embodiment, as a self-diagnosis, the first and second
期間φ3では、制御部50により、第1、第2固定電極12a、12bにはハイレベルの電位が印加され、スイッチ41、42はオフされている。つまり、共通電極11はフローティング状態とされている。このとき、第1、第2固定電極12a、12bの少なくとも一方が半導体基板13とショートしていると、センサ部10に電流が流れる。したがって、検出部60はセンサ部10に電流が流れるか否かを検出することでセンサ部10に異常があるか否かを検出することができる。なお、共通電極11はフローティング状態とされており、図3に示されるように、異常がない場合には、第1、第2固定電極12a、12bの電位に引き寄せられて電位が5Vとなる。
In the period φ3, the
次に、期間φ4では、制御部50により、第1、第2固定電極12a、12bにはハイレベルの電位が印加される。そして、共通電極11には、SW制御信号によってスイッチ42がオンされて自己診断信号印加部40からグランド電位が印加される。このとき、共通電極11と第1固定電極12a、または共通電極11と第2固定電極12bとがショートしていると、センサ部10に電流が流れる。したがって、検出部60はセンサ部10に電流が流れるか否かを検出することでセンサ部10に異常があるか否かを検出することができる。
Next, in the period φ4, the
続いて、期間φ5では、制御部50により、第1、第2固定電極12a、12bにはハイレベルの電位が印加される。そして、共通電極11には、SW制御信号によってスイッチ41がオンされて自己診断信号印加部40から電源電位が印加される。このとき、共通電極11が半導体基板13とショートしていると、センサ部10に電流が流れる。したがって、検出部60はセンサ部10に電流が流れるか否かを検出することでセンサ部10に異常があるか否かを検出することができる。
Subsequently, in the period φ5, the
また、期間φ6では、制御部50により、第1固定電極12aにはハイレベルの電位が印加され、第2固定電極12bにはグランド電位が印加され、スイッチ41、42がオフされている。つまり、共通電極11はフローティング状態とされている。このとき、第1固定電極12aと第2固定電極12bとがショートしていると、センサ部10に電流が流れる。したがって、検出部60はセンサ部10に電流が流れるか否かを検出することでセンサ部10に異常があるか否かを検出することができる。なお、共通電極11はフローティング状態とされており、図3に示されるように、異常がない場合には、第1、第2固定電極12a、12bの中間電位に引き寄せられて電位が2.5Vとなる。
In the period φ6, the
以上が本実施形態における湿度センサの作動である。なお、ここでは、期間φ3〜期間φ6の全ての期間で自己診断を行う例について説明したが、例えば、検出部60は期間φ3にてセンサ部10の異常を検出した場合(センサ部10に電流が流れていることを検出した場合)は、制御部50に異常を検出したことを示す信号を入力して期間φ4以降の自己診断を行わないようにしてもよい。
The above is the operation of the humidity sensor in the present embodiment. Here, the example in which the self-diagnosis is performed in all the periods φ3 to φ6 has been described. However, for example, when the
以上説明したように、本実施形態では、第1、第2固定電極12a、12bに所定の電位を印加すると共に共通電極11を所定の状態にし、センサ部10に流れる電流を検出することによりセンサ部10の異常を検出している。このため、可動電極を有しない湿度センサ等のようなものにおいても自己診断を行うことができる。
As described above, in the present embodiment, the sensor is obtained by applying a predetermined potential to the first and second
(他の実施形態)
上記第1実施形態において、期間φ4では、制御部50から第1、第2固定電極12a、12bにグランド電位が印加されるようにすることもできる。この場合は、共通電極11には、SW制御信号によってスイッチ41がオンされて自己診断信号印加部40から電源電圧が印加されるようにし、検出部60にてセンサ部10に流れる電流を検出することにより、共通電極11と第1固定電極12a、または共通電極11と第2固定電極12bとがショートしているか否かを検出することができる。
(Other embodiments)
In the first embodiment, in the period φ4, the ground potential can be applied from the
同様に、上記第1実施形態において、期間φ5では、制御部50から第1、第2固定電極12a、12にグランド電位が印加されるようにすることもできる。この場合は、共通電極11には、SW制御信号によってスイッチ42がオンされて自己診断信号印加部40からグランド電位が印加されるようにし、検出部60にてセンサ部10に流れる電流を検出することにより、共通電極11と半導体基板13とがショートしているか否かを検出することができる。
Similarly, in the first embodiment, a ground potential can be applied from the
さらに、上記第1実施形態において、期間φ6では、制御部50から第1固定電極12aにグランド電位が印加され、第2固定電極12bにハイレベルの電位が印加されるようにしてもよい。
Furthermore, in the first embodiment, in the period φ6, the
また、上記第1実施形態において、例えば、第1、第2固定電極12a、12bと共通電極11とが櫛歯状に形成されているセンサ部10を有する湿度センサに本発明を適用することもできる。図4は他の実施形態におけるセンサ部10の平面図、図5(a)は図4中のB−B断面図、図5(b)は図4中のC−C断面図である。
In the first embodiment, for example, the present invention may be applied to a humidity sensor having the
図4および図5に示されるセンサ部10は、半導体基板13上に絶縁膜14が形成され、絶縁膜14上に共通電極11と第1、第2固定電極12a、12bとが形成されている。具体的には、共通電極11と第1、第2固定電極12a、12bは、それぞれの櫛歯部が互いに対向するように形成されている。また、共通電極11と第1固定電極12aとの間隔は、共通電極11と第2固定電極12bとの間隔よりも狭くされている。そして、共通電極11、第1、第2固定電極12a、12bを覆うように保護膜16が形成されており、保護膜16上に感湿部材15が形成されている。
4 and FIG. 5, an insulating
このようなセンサ部10としても、共通電極11と第1固定電極12aとの間隔が共通電極11と第2固定電極12bとの間隔より狭くされているため、第1容量部CS1と第2容量部CS2との感度が互いに異なるようにすることができる。
Also in such a
また、図6および図7に示されるようなセンサ部10にしてもよい。すなわち、共通電極11と第1固定電極12aとを覆う保護膜16上に第1感湿部材15aを配置し、共通電極11と第2固定電極12bとを覆う保護膜16上に第2感湿部材15bを配置するようにしてもよい。このようなセンサ部10としても、第1感湿部材15aと第2感湿部材15bとは湿度に対する誘電率の変化の仕方が異なるため、第1容量部CS1と第2容量部CS2との感度が互いに異なるセンサ部10とすることができる。なお、このセンサ部10では、共通電極11と第1固定電極12aとの間隔は、共通電極11と第2固定電極12bとの間隔と等しくされているが、共通電極11と第2固定電極12bとの間隔より狭くされていてもよい。
Further, the
さらに、図8および図9に示されるようなセンサ部10にしてもよい。すなわち、図6および図7に示されるセンサ部10に対して、共通電極11と第2固定電極12bとを覆う保護膜16上に第2感湿部材15bを配置しないようにしてもよい。このようなセンサ部10としても第1容量部CS1と第2容量部CS2との感度が互いに異なるセンサ部10とすることができる。
Further, the
また、上記第1実施形態において、期間φ3〜期間φ6の全ての診断を行う場合には、診断を行う順番は適宜変更可能である。 In the first embodiment, when all diagnoses in the period φ3 to the period φ6 are performed, the order in which the diagnosis is performed can be appropriately changed.
そして、上記第1実施形態では、回路部20が信号処理部30、自己診断信号印加部40、制御部50、検出部60を備えている例を説明したが、これらは別々の回路部に備えられていてもよい。また、例えば、車両に搭載されるような場合には、車両ECUを信号処理部30、自己診断信号印加部40、制御部50、検出部60の各機能を果すように構成してもよい。
In the first embodiment, the example in which the circuit unit 20 includes the
さらに、上記第1実施形態では、容量式物理量検出装置として湿度を検出する湿度センサを例に挙げて説明したが、油、アルコール、ガソリン、有機溶剤等の誘電特性を有する材料の検出に本発明を適用することができる。 Furthermore, in the first embodiment, the humidity sensor that detects the humidity is described as an example of the capacitive physical quantity detection device. However, the present invention is applicable to the detection of materials having dielectric properties such as oil, alcohol, gasoline, and organic solvents. Can be applied.
図10および図11に示されるように、このセンサ部10は、図4および図5に示すセンサ部10から保護膜16および第1、第2感湿部材15a、15bを除去した構成とされている。そして、共通電極11と第1固定電極12a、共通電極11と第2固定電極12bとの間隔が異なっている。これによれば、誘電特性を有する材料によって共通電極11と第1固定電極12a、共通電極11と第2固定電極12bとの間の容量が変化するため、誘電特性を有する材料を検出することができる。
As shown in FIGS. 10 and 11, the
さらに、例えば、加速度センサや角速度センサ等のように共通電極11が可動電極であるものに本発明を適用することもできる。
Furthermore, for example, the present invention can be applied to the case where the
10 センサ部
11 共通電極
12a 第1固定電極
12b 第2固定電極
13 半導体基板
20 回路部
30 信号処理部
40 自己診断信号印加部
50 制御部
60 検出部
DESCRIPTION OF
Claims (8)
自己診断時に前記第1、第2固定電極(12a、12b)に所定の電位を印加すると共に所定の制御信号を出力する第1制御手段(50)と、
自己診断時に前記第1制御手段(50)からの前記制御信号に基づいて前記共通電極(11)を所定の状態にする自己診断信号印加手段(40)と、
自己診断時に前記センサ部(10)に流れる電流を検出する検出手段(60)と、を備え、
自己診断時に、前記第1、第2固定電極(12a、12b)に前記第1制御手段(50)から所定の電位を印加すると共に、前記共通電極(11)を前記自己診断信号印加手段(40)によって所定の状態にし、前記検出手段(60)によって前記センサ部(10)に流れる電流を検出することにより、前記センサ部(10)の異常を検出する自己診断手段(40〜60)を有することを特徴とする容量式物理量検出装置。 A sensor unit (1) configured using a semiconductor substrate (13) and having a first and second fixed electrodes (12a, 12b) and a common electrode (11) facing the first and second fixed electrodes (12a, 12b). 10) and
First control means (50) for applying a predetermined potential to the first and second fixed electrodes (12a, 12b) and outputting a predetermined control signal during self-diagnosis;
Self-diagnosis signal applying means (40) for setting the common electrode (11) in a predetermined state based on the control signal from the first control means (50) during self-diagnosis;
Detecting means (60) for detecting a current flowing through the sensor unit (10) during self-diagnosis,
At the time of self-diagnosis, a predetermined potential is applied from the first control means (50) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), and the common electrode (11) is applied to the self-diagnosis signal application means (40). ) And a self-diagnosis means (40-60) for detecting an abnormality of the sensor section (10) by detecting a current flowing through the sensor section (10) by the detection means (60). Capacitive physical quantity detection device characterized by the above.
前記第1、第2固定電極(12a、12b)に、前記第1制御手段(50)からグランド電位より高いハイレベルの電位を印加し、
前記共通電極(11)を前記自己診断信号印加手段(40)によってフローティング状態にすることを特徴とする請求項1に記載の容量式物理量検出装置。 The self-diagnosis means (40-60)
Applying a high level potential higher than the ground potential from the first control means (50) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b),
The capacitive physical quantity detection device according to claim 1, wherein the common electrode (11) is brought into a floating state by the self-diagnosis signal applying means (40).
前記第1、第2固定電極(12a、12b)に、前記第1制御手段(50)からグランド電位より高いハイレベルまたはグランド電位を印加し、
前記共通電極(11)に、前記第1、第2固定電極(12a、12b)に前記ハイレベルの電位を印加している場合には前記自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位を印加し、前記第1、第2固定電極(12a、12b)にグランド電位を印加している場合には前記自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位より高いハイレベルの電位を印加することを特徴とする請求項1または2に記載の容量式物理量検出装置。 The self-diagnosis means (40-60)
Applying a high level or ground potential higher than the ground potential from the first control means (50) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b),
When the high level potential is applied to the common electrode (11) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), a ground potential is applied by the self-diagnosis signal applying means (40). When a ground potential is applied to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), a high level potential higher than the ground potential is applied by the self-diagnosis signal applying means (40). The capacity type physical quantity detection device according to claim 1 or 2.
前記第1、第2固定電極(12a、12b)に、前記第1制御手段(50)からグランド電位より高いハイレベルまたはグランド電位を印加し、
前記共通電極(11)に、前記第1、第2固定電極(12a、12b)に前記ハイレベルの電位を印加している場合には前記自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位より高いハイレベルの電位を印加し、前記第1、第2固定電極(12a、12b)にグランド電位を印加している場合には前記自己診断信号印加手段(40)によってグランド電位を印加することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の容量式物理量検出装置。 The self-diagnosis means (40-60)
Applying a high level or ground potential higher than the ground potential from the first control means (50) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b),
When the high-level potential is applied to the common electrode (11) to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), the self-diagnosis signal applying means (40) causes the high potential to be higher than the ground potential. When a potential of a level is applied and a ground potential is applied to the first and second fixed electrodes (12a, 12b), the ground potential is applied by the self-diagnosis signal applying means (40). The capacity type physical quantity detection device according to any one of claims 1 to 3.
前記第1、第2固定電極(12a、12b)に、前記第1制御手段(50)からいずれか一方にグランド電位より高いハイレベルの電位を印加すると共に他方にグランド電位を印加し、
前記共通電極(11)を前記自己診断信号印加手段(40)によってフローティング状態にすることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の容量式物理量検出装置。 The self-diagnosis means (40-60)
A high level potential higher than the ground potential is applied to one of the first and second fixed electrodes (12a, 12b) from the first control means (50), and a ground potential is applied to the other,
The capacitive physical quantity detection device according to any one of claims 1 to 4, wherein the common electrode (11) is brought into a floating state by the self-diagnosis signal applying means (40).
自己診断時において、前記信号処理手段(30)の作動を停止させる第2制御手段(50)を備えていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の容量式物理量検出装置。 A signal processing means (30) connected to the sensor section (10) for processing a signal from the sensor section (10);
Capacitive physical quantity detection according to any one of claims 1 to 5, further comprising second control means (50) for stopping the operation of the signal processing means (30) during self-diagnosis. apparatus.
The capacitive physical quantity detection device according to any one of claims 1 to 6, wherein the sensor unit (10) detects a material having dielectric characteristics.
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