JP2013131600A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、センサー及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1面1a及び第2面1bを有し第2面1bに端子5aが形成された半導体基板1の第1面1aから端子5aに到達する孔10を開口する第1の工程と、第1面1a及び孔10の内壁に絶縁膜2を形成する第2の工程と、絶縁膜2を覆って絶縁膜2を保護する保護膜8を形成する第3の工程と、孔10内の絶縁膜2のうち端子5aと対向する場所を開口する第4の工程と、めっき法により孔10内に導体金属を充填し、導体金属と接続する端子4aを形成する第6の工程と、半導体基板1には犠牲層6が形成されており、犠牲層6をエッチングして空洞9を形成する第8の工程と、を有し、保護膜8は犠牲層6をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有する。
【選択図】図2
Description
本適用例にかかる半導体装置の製造方法は、第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔を開口する第1の工程と、前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜を形成する第2の工程と、前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜を形成する第3の工程と、前記孔内の前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を開口する第4の工程と、前記絶縁膜及び前記保護膜と重ねてシード層を成膜する第5の工程と、前記シード層に重ねてめっき法により前記孔内に導体金属を充填し、前記導体金属と接続する端子を形成する第6の工程と、前記シード層をパターニングし前記端子を電気的に分離する第7の工程と、前記半導体基板には犠牲層が形成されており、前記犠牲層をエッチングして空洞を形成する第8の工程と、を有し、前記保護膜は前記犠牲層をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有することを特徴とする。
上記適用例に記載の半導体装置の製造方法では、前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことが好ましい。
上記適用例に記載の半導体装置の製造方法では、前記保護膜はスパッタ法により成膜され、前記孔の径はφ8〜15μmであり、かつアスペクト比が3.3〜5であることが好ましい。
本適用例に係わる半導体装置は、第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔に導体金属を充填し、前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜が形成され、前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことを特徴とする。
本適用例に係わるセンサーは、赤外線を検出する半導体装置を備えるセンサーであって、前記半導体装置が上記に記載の半導体装置であることを特徴とする。
本適用例に係わる電子機器は、赤外線を検出する半導体装置を備える電子機器であって、前記半導体装置が上記に記載の半導体装置であることを特徴とする。
図1は本実施形態の半導体装置の構成を示す模式断面図である。図1に示すように半導体装置11は半導体基板1を備えている。半導体基板1の材質はシリコンであり、半導体基板1の図中下側の面を第1面1aとし、図中上側の面を第2面1bとする。そして、第2面1bにはMEMS構造体5が形成されている。半導体基板1のMEMS構造体5と対向する場所には空洞9が形成されている。
次に、半導体装置が搭載されたセンサーの一実施形態について図4を用いて説明する。図4(a)は、センサーの構造を示すブロック図である。図4(b)は、センサーアレイの配線図である。本実施形態のセンサーでは第1実施形態における半導体装置11が用いられている。尚、第1実施形態と同じ点については説明を省略する。
次に、半導体装置が搭載された電子機器の一実施形態について図5及び図6を用いて説明する。図5は、パソーナルコンピューターを示す概略斜視図であり、図6は、携帯電話を示す概略斜視図である。上記の半導体装置11を搭載した電子機器の一例として、図5に示すパソーナルコンピューターや、図6に示す携帯電話等を挙げることができる。
Claims (6)
- 第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔を開口する第1の工程と、
前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜を形成する第3の工程と、
前記孔内の前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を開口する第4の工程と、
前記絶縁膜及び前記保護膜と重ねてシード層を成膜する第5の工程と、
前記シード層に重ねてめっき法により前記孔内に導体金属を充填し、前記導体金属と接続する端子を形成する第6の工程と、
前記シード層をパターニングし前記端子を電気的に分離する第7の工程と、
前記半導体基板には犠牲層が形成されており、前記犠牲層をエッチングして空洞を形成する第8の工程と、を有し、
前記保護膜は前記犠牲層をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記保護膜はスパッタ法により成膜され、前記孔の径はφ8〜15μmであり、かつアスペクト比が3.3〜5であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置であって、
第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔に導体金属を充填し、
前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜が形成され、
前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜が形成され、
前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことを特徴とする半導体装置。 - 赤外線を検出する半導体装置を備えるセンサーであって、
前記半導体装置が請求項4に記載の半導体装置であることを特徴とするセンサー。 - 赤外線を検出する半導体装置を備える電子機器であって、
前記半導体装置が請求項4に記載の半導体装置であることを特徴とする電子機器。
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JP2011279452A JP2013131600A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、センサー及び電子機器 |
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JP2020188252A (ja) * | 2019-05-13 | 2020-11-19 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | 貫通シリコンビアの製造 |
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JP2011153851A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器並びにその製造方法 |
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2011
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