JP2013130899A - 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 - Google Patents
記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013130899A JP2013130899A JP2011277777A JP2011277777A JP2013130899A JP 2013130899 A JP2013130899 A JP 2013130899A JP 2011277777 A JP2011277777 A JP 2011277777A JP 2011277777 A JP2011277777 A JP 2011277777A JP 2013130899 A JP2013130899 A JP 2013130899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- storage area
- error correction
- correction code
- ecc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】複数のデータを第1記憶領域に記憶し、複数のデータの所定数毎にエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、追記データを第3記憶領域に記憶する。制御部は、第1記憶領域にライト要求が生じた場合にはライトデータを第3記憶領域に追記する。エラー訂正処理部は、追記したライトデータにリード要求が生じた場合には第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、それ以外の場合には第1記憶領域のデータと第2記憶領域のエラー訂正コードとによって第1記憶領域のデータにおけるエラー訂正を行う。
【選択図】図2
Description
1.第1の実施の形態(第2ECC格納領域位置を固定した例)
2.第2の実施の形態(第2ECC格納領域位置を可変にした例)
3.変形例
[情報処理システムの構成]
図1は、本技術の実施の形態における情報処理システムの一構成例を示す図である。この情報処理システムは、ホストコンピュータ100と、メモリ300と、メモリ制御部200とを備える。メモリ制御部200およびメモリ300は、メモリシステム400を構成する。ホストコンピュータ100は、メモリシステム400に対してデータのリードまたはライトを要求するリクエストを発行するものである。
図3は、本技術の第1の実施の形態におけるメモリ300内の記憶領域のパーティション例を示す図である。メモリ300内の記憶領域は、通常アクセス領域310と、追記領域320と、第2ECC格納領域330の3つの領域に大別される。
A+B ≦ N
C ≦ N
図5は、本技術の第1の実施の形態におけるアドレス管理部221のアドレス変換テーブル構成例を示す図である。
図6は、本技術の第1の実施の形態におけるライト処理の処理手順の一例を示す図である。ホストコンピュータ100からライトコマンドを受け取ると、メモリ制御部200はライト処理を開始する。ライトコマンドはライト対象の論理アドレスを含む。また、このライトコマンドはライトデータを伴う。エラー訂正処理部234は、ライトデータに対する第1ECCを生成する(ステップS911)。
図7は、本技術の第1の実施の形態におけるリード処理の処理手順の一例を示す図である。ホストコンピュータ100からリードコマンドを受け取ると、メモリ制御部200はリード処理を開始する。リードコマンドはリード対象の論理アドレスを含む。
これまでの説明により、追記によるデータの一部更新により、第2ECCを毎回計算することなく書込みおよび読出しが実現できることを示した。しかし、データの一部更新を繰り返していくと、追記されたデータや第2ECCを計算するために残したデータ、管理のための情報が蓄積していくことになる。これにより、記憶容量を必要以上に消費することになる。これを抑制するために、あるタイミングで古いデータを破棄し、第2ECCを再計算し、管理情報を更新するという集約処理を行う必要性が生じる。この集約処理を開始するタイミングについては、以下のように様々なタイミングが考えられる。
[情報処理システムの構成]
図9は、本技術の第2の実施の形態におけるメモリ300の管理態様の一例を示す図である。第1の実施の形態では第2ECCの対象となるデータ群と第2ECCの格納位置とが固定された関係にあることを想定したが、この第2の実施の形態では両者の関係は適宜設定できることを想定する。なお、前提とするメモリシステムの構成については、図1および図2により説明した第1の実施の形態のものと同様である。
図10は、本技術の第2の実施の形態におけるアドレス変換テーブル222の一構成例を示す図である。このアドレス変換テーブル222は、論理アドレスと、物理アドレスと、データフラグと、第2ECCフラグと、第2ECCインデックスとを関連付けて保持している。
図11は、本技術の第2の実施の形態における第2ECC管理テーブル223の一構成例を示す図である。この第2ECC管理テーブル223は、各エントリにおいて、第2ECCインデックスと、データ数と、第2ECC物理アドレスと、第0乃至第3番目データの物理アドレスが保持されている。
図12は、本技術の第2の実施の形態におけるライト処理の処理手順の一例を示す図である。ホストコンピュータ100からライトコマンドを受け取ると、メモリ制御部200はライト処理を開始する。ライトコマンドはライト対象の論理アドレスを含む。また、このライトコマンドはライトデータを伴う。エラー訂正処理部234は、ライトデータに対する第1ECCを生成する(ステップS951)。
図13は、本技術の第2の実施の形態におけるリード処理の処理手順の一例を示す図である。ホストコンピュータ100からリードコマンドを受け取ると、メモリ制御部200はリード処理を開始する。リードコマンドはリード対象の論理アドレスを含む。
これまでの説明により、追記によるデータの一部更新により、第2ECCをその度に計算せずに、書込みおよび読出しが実現できることを示した。しかも、第2ECC管理テーブル223には特殊な項目を加える必要がなく、使い方を工夫することで効率的な実装が可能となっている。しかし、データの一部更新を繰り返した際に集約処理を行う必要性が生じる点は第1の実施の形態と同様である。また、集約処理を開始するタイミングについても第1の実施の形態と同様である。
[第2ECC対象データのキャッシュ]
データの読出しの際、第1ECCではエラー訂正することができず、第2ECCを用いてエラー訂正を行わなければならない場合、第2ECCの対象となるデータは、空間的局所性または時間的局所性の観点から、再びアクセスされる可能性が高い。そこで、第2ECCによるエラー訂正後、対象データをより高速な内蔵メモリ220や揮発性メモリ303にキャッシュしておくことが有効である。これにより、全体として高速なメモリアクセスを実現することができる。
データの読出しの際、第1ECCではエラー訂正することができず、第2ECCを用いてエラー訂正を行わなければならない場合、第2ECCの対象となるデータの保持特性が低下している兆候を示していると考えられる。そこで、第2ECCによってエラー訂正が可能であるうちに、データを予防的に書き直しておくことが有効である。この書直しの際には、同じ記憶領域に上書きしてもよく、また、他の空き領域に書き直すようにしてもよい。なお、この手法は、リードリクレーム(Read Reclaim)またはリードリフレッシュ(Read Refresh)と呼ばれる手法と同様の考え方に基づくものである。
(1)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードをメモリの第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを前記メモリの第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記メモリの第3記憶領域に記憶する場合において、前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と
を具備する記憶制御装置。
(2)前記制御部は、所定のタイミングにおいて前記追記データの各々について追記前の前記第1記憶領域に当該追記データを上書きし、
前記エラー訂正処理部は、前記所定のタイミングにおいて前記上書きされたデータを含む前記複数のデータの所定数からエラー訂正コードを生成して当該エラー訂正コードを前記第2記憶領域に記憶する
前記(1)に記載の記憶制御装置。
(3)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードを第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを第3記憶領域に記憶するメモリと、
前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と
を具備する記憶装置。
(4)前記メモリは、前記第1記憶領域をフラッシュメモリに記憶し、前記第3記憶領域を不揮発性RAMに記憶する前記(3)に記載の記憶装置。
(5)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードを第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを第3記憶領域に記憶するメモリと、
前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と、
前記メモリに対して前記リード要求または前記ライト要求を発行するホストコンピュータと
を具備する情報処理システム。
(6)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードをメモリの第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを前記メモリの第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記メモリの第3記憶領域に記憶する場合において、ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当するときには前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する第1の手順と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行う第2の手順と
を具備する記憶制御方法。
200 メモリ制御部
201 ホストインターフェース
210 プロセッサ
211 制御部
220 内蔵メモリ
221 アドレス管理部
222 アドレス変換テーブル
223 第2ECC管理テーブル
230 第1ECC処理部
234 エラー訂正処理部
240 第2ECC処理部
250 周辺回路
280 バス
291、292、293 メモリインターフェース
300 メモリ
301 不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)
302 フラッシュメモリ
303 揮発性メモリ
310 通常アクセス領域
320 追記領域
330 第2ECC格納領域
400 メモリシステム
(1)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する第1のエラー訂正コードをメモリの第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数毎に対応してその第2のエラー訂正コードを前記メモリの第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを前記メモリの第3記憶領域に記憶する場合において、前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数と前記第2記憶領域の前記第2のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と
を具備する記憶制御装置。
(2)前記制御部は、所定のタイミングにおいて前記追記データの各々について追記前の前記第1記憶領域に当該追記データおよび当該追記データの前記第1のエラー訂正コードを上書きし、
前記エラー訂正処理部は、前記所定のタイミングにおいて前記上書きされたデータを含む前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数から前記第2のエラー訂正コードを生成して当該第2のエラー訂正コードを前記第2記憶領域に記憶する
前記(1)に記載の記憶制御装置。
(3)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する第1のエラー訂正コードを第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数毎に対応してその第2のエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを第3記憶領域に記憶するメモリと、
前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数と前記第2記憶領域の前記第2のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と
を具備する記憶装置。
(4)前記メモリは、前記第1記憶領域をフラッシュメモリに記憶し、前記第3記憶領域を不揮発性RAMに記憶する前記(3)に記載の記憶装置。
(5)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する第1のエラー訂正コードを第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数毎に対応してその第2のエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを第3記憶領域に記憶するメモリと、
前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数と前記第2記憶領域の前記第2のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と、
前記メモリに対して前記リード要求または前記ライト要求を発行するホストコンピュータと
を具備する情報処理システム。
(6)複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する第1のエラー訂正コードをメモリの第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数毎に対応してその第2のエラー訂正コードを前記メモリの第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを前記メモリの第3記憶領域に記憶する場合において、ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当するときには前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する第1の手順と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対する前記第1のエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対する前記第1のエラー訂正コードの所定数と前記第2記憶領域の前記第2のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行う第2の手順と
を具備する記憶制御方法。
Claims (6)
- 複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードをメモリの第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを前記メモリの第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記メモリの第3記憶領域に記憶する場合において、前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と
を具備する記憶制御装置。 - 前記制御部は、所定のタイミングにおいて前記追記データの各々について追記前の前記第1記憶領域に当該追記データを上書きし、
前記エラー訂正処理部は、前記所定のタイミングにおいて前記上書きされたデータを含む前記複数のデータの所定数からエラー訂正コードを生成して当該エラー訂正コードを前記第2記憶領域に記憶する
請求項1記載の記憶制御装置。 - 複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードを第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを第3記憶領域に記憶するメモリと、
前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と
を具備する記憶装置。 - 前記メモリは、前記第1記憶領域をフラッシュメモリに記憶し、前記第3記憶領域を不揮発性RAMに記憶する請求項3記載の記憶装置。
- 複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードを第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを第3記憶領域に記憶するメモリと、
前記複数のデータの各々について論理アドレスと前記第1または第3記憶領域における物理アドレスとの対応関係を管理するアドレス管理部と、
ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当する場合には前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する制御部と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行うエラー訂正処理部と、
前記メモリに対して前記リード要求または前記ライト要求を発行するホストコンピュータと
を具備する情報処理システム。 - 複数のデータおよび当該複数のデータの各々に対するエラー訂正コードをメモリの第1記憶領域に記憶し、前記複数のデータの所定数毎に対応してそのエラー訂正コードを前記メモリの第2記憶領域に記憶し、前記複数のデータの何れかに対する追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記メモリの第3記憶領域に記憶する場合において、ライト要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが第1記憶領域に該当するときには前記第1記憶領域および前記第2記憶領域を書き換えることなく前記ライト要求に係るデータを前記追記データとして当該追記データおよび当該追記データに対するエラー訂正コードを前記第3記憶領域に追記して当該追記された前記第3記憶領域における物理アドレスを前記アドレス管理部に登録する第1の手順と、
リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当する場合には前記第3記憶領域の追記データと当該追記データに対するエラー訂正コードとによって前記第3記憶領域の追記データにおけるエラー訂正を行い、リード要求に係る論理アドレスに対応する物理アドレスが前記第3記憶領域に該当しない場合には前記第1記憶領域におけるデータを含む前記複数のデータの所定数と前記第2記憶領域のエラー訂正コードとによって前記第1記憶領域におけるエラー訂正を行う第2の手順と
を具備する記憶制御方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011277777A JP5845876B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 |
US13/675,768 US8898541B2 (en) | 2011-11-30 | 2012-11-13 | Storage controller, storage device, information processing system, and storage controlling method |
CN201210484725.3A CN103136067B (zh) | 2011-11-30 | 2012-11-23 | 存储控制器、存储设备、信息处理系统以及存储控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011277777A JP5845876B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013130899A true JP2013130899A (ja) | 2013-07-04 |
JP5845876B2 JP5845876B2 (ja) | 2016-01-20 |
Family
ID=48908431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011277777A Expired - Fee Related JP5845876B2 (ja) | 2011-11-30 | 2011-12-20 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5845876B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015052833A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 株式会社日立製作所 | ストレージ装置、ストレージシステム、及びストレージ装置制御方法 |
JP2015079402A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよびその記憶制御方法 |
JP2017079050A (ja) * | 2015-08-11 | 2017-04-27 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 保護されたデータとは別個のパリティデータの記憶 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63275225A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Seiko Epson Corp | 誤り訂正装置 |
WO1999032977A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Tdk Corporation | Systeme de memoire flash |
JP2011081776A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-04-21 | Sony Corp | 不揮発性メモリ装置、メモリコントローラ、およびメモリシステム |
-
2011
- 2011-12-20 JP JP2011277777A patent/JP5845876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63275225A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Seiko Epson Corp | 誤り訂正装置 |
WO1999032977A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Tdk Corporation | Systeme de memoire flash |
JP2011081776A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-04-21 | Sony Corp | 不揮発性メモリ装置、メモリコントローラ、およびメモリシステム |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015052833A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 株式会社日立製作所 | ストレージ装置、ストレージシステム、及びストレージ装置制御方法 |
JP6062060B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2017-01-18 | 株式会社日立製作所 | ストレージ装置、ストレージシステム、及びストレージ装置制御方法 |
JP2015079402A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよびその記憶制御方法 |
JP2017079050A (ja) * | 2015-08-11 | 2017-04-27 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 保護されたデータとは別個のパリティデータの記憶 |
US10133625B2 (en) | 2015-08-11 | 2018-11-20 | Western Digital Technologies, Inc. | Storing parity data separate from protected data |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5845876B2 (ja) | 2016-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9189325B2 (en) | Memory system and operation method thereof | |
US8478796B2 (en) | Uncorrectable error handling schemes for non-volatile memories | |
CN103136067B (zh) | 存储控制器、存储设备、信息处理系统以及存储控制方法 | |
US8996791B2 (en) | Flash memory device, memory control device, memory control method, and storage system | |
JP5929456B2 (ja) | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 | |
US9817712B2 (en) | Storage control apparatus, storage apparatus, information processing system, and storage control method | |
JP6102632B2 (ja) | 記憶制御装置、ホストコンピュータ、情報処理システムおよび記憶制御装置の制御方法 | |
TWI587135B (zh) | 資料儲存方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元 | |
JP2004303238A (ja) | フラッシュメモリアクセス装置及び方法 | |
TWI556103B (zh) | 記憶體裝置及其資料存取方法 | |
CN103793335B (zh) | 存储控制设备、存储设备、信息处理系统及存储控制方法 | |
US10289546B2 (en) | Memory management method, memory control circuit unit and memory storage device | |
JP5845876B2 (ja) | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 | |
TW202318204A (zh) | 映射資訊記錄方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
US9778862B2 (en) | Data storing method for preventing data losing during flush operation, memory control circuit unit and memory storage apparatus | |
JP6107625B2 (ja) | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよびその記憶制御方法 | |
US10289334B2 (en) | Valid data merging method, memory controller and memory storage apparatus | |
JP2012068765A (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
US20200210093A1 (en) | Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit | |
US8832358B2 (en) | Data writing method, memory controller and memory storage apparatus | |
TWI766526B (zh) | 資料處理方法及對應之資料儲存裝置 | |
WO2017168905A1 (ja) | メモリ制御装置、記憶装置および情報処理システム | |
WO2017158997A1 (ja) | メモリコントローラ、メモリシステム、情報処理システム、メモリ制御方法およびプログラム | |
JP2013114521A (ja) | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 | |
US10922021B2 (en) | Data storage method based on data type identification, memory storage apparatus and memory control circuit unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151027 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151109 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5845876 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |