JP2013106026A - Separation device and method of semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide efficient device and method of separating wafers fixed to a frame therefrom and housing the wafers one by one in a cassette and which, in particular, facilitate cleaning of the wafer.SOLUTION: A wafer group bonded to a frame is disposed while locating the frame above so that the entirety is immersed into the water in a water tank. Adhesive strength of an adhesive at the bonding part of the frame and the wafer is lowered by heating the adhesive, and then the wafer is peeled. The dropping wafer is received in the water tank and transported. Heating of the adhesive is carried out by means of a slit nozzle for ejecting hot-water thus shortening the processing time per wafer.

Description

本発明は、太陽電池等に用いられる半導体ウエハを分離する装置及び方法に関するものである。  The present invention relates to an apparatus and a method for separating a semiconductor wafer used for a solar cell or the like.

半導体ウエハは、ワイヤソー等を用いて半導体材料をウエハ状に切断することにより生産される。切断直後において、ウエハは、その端縁が接着剤によって架台に固定された状態である。
この状態から、1枚1枚のウエハをカセットに収納された状態にするために、従来は以下の方法が行われていた。(1)接着剤を溶液に漬けてウエハを架台からはずす。(2)切断屑等の除去のためにウエハを集めて洗浄する。洗浄されたウエハはウエットな状態で互いに張り付いている。(3)張り付いているウエハ同士を分離してカセットに収納する。従来、(3)の処理は、作業者による手作業で行われていた。
上記(3)の処理を人手を介さずに実施して効率化する方法は、種々提案されている。(例えば特許文献1、2及び3)。
A semiconductor wafer is produced by cutting a semiconductor material into a wafer using a wire saw or the like. Immediately after cutting, the edge of the wafer is fixed to the gantry with an adhesive.
Conventionally, the following method has been performed in order to change each wafer into a state where it is stored in a cassette. (1) Immerse the adhesive in the solution and remove the wafer from the mount. (2) Collect and clean the wafers to remove cutting debris and the like. The cleaned wafers are attached to each other in a wet state. (3) Separate the stuck wafers and store them in a cassette. Conventionally, the process (3) has been performed manually by an operator.
Various methods for improving the efficiency by performing the process (3) without human intervention have been proposed. (For example, Patent Documents 1, 2, and 3).

一方、上記(3)の処理を切り離して効率化するよりも、上記(1)〜(3)の処理を全体として効率化するほうがより効果が高い。特許文献4には、上記(1)の処理に替えて、分離手段によってウエハを架台から分離し、ウエハを効率的にカセットに収納する方法が開示されている。しかし、特許文献4に開示された方法は、ウエハを1枚ずつ架台から分離して収容カセットに向けて落下させるものであり、上記(2)の洗浄を行わないものである。(特許文献4の図2及び図5には複数枚のウエハを1つのカセットに収容する状態が開示されている。この状態で洗浄を行うことは難しい。)
また、特許文献4に開示された具体的な分離手段は、刃状の平板によるもの、溶液を噴射するもの及びレーザ光によって架台の一部を切断するものであるが、それぞれ以下の問題点を有している。刃状の平板によるものは、平板が接触する際の圧力によってウエハが破損(ウエハ割れ又はクラック)する可能性がある。溶液を噴射するものは、その後に洗浄を行わなければ残存した溶液の弊害が考えられる。レーザ光によって架台の一部を切断するものは、レーザ光の設備が高価である。
以上のとおり、架台に固定された状態のウエハを、架台から分離し、カセットに1枚1枚収納するための安価で効率的な方法及び装置、特にウエハの洗浄が容易であるものは、知られていなかった。
On the other hand, it is more effective to improve the efficiency of the processes (1) to (3) as a whole than to improve the efficiency by separating the process (3). Patent Document 4 discloses a method of separating a wafer from a gantry by a separating means and efficiently storing the wafer in a cassette instead of the process (1). However, the method disclosed in Patent Document 4 separates the wafers one by one from the gantry and drops them toward the storage cassette, and does not perform the cleaning (2). (FIG. 2 and FIG. 5 of Patent Document 4 disclose a state in which a plurality of wafers are accommodated in one cassette. Cleaning in this state is difficult.)
In addition, specific separation means disclosed in Patent Document 4 are those using a blade-like flat plate, those for injecting a solution, and those for cutting a part of the pedestal by laser light. Have. In the case of the blade-shaped flat plate, there is a possibility that the wafer is damaged (wafer cracking or cracking) due to the pressure when the flat plate contacts. In the case of spraying the solution, the remaining solution may be harmful if it is not washed after that. The laser beam equipment for cutting a part of the pedestal with the laser beam is expensive.
As described above, an inexpensive and efficient method and apparatus for separating wafers fixed to a gantry from the gantry and storing them one by one in a cassette, particularly those that are easy to clean the wafer, are known. It was not done.

特開2011−061121号公報JP 2011-061121 A 特開2011−044681号公報JP 2011-044681 A 特開2011−029652号公報JP 2011-029652 A 特開2010−103417号公報JP 2010-103417 A

解決しようとする課題は、架台に固定された状態のウエハを、架台から分離し、カセットに1枚1枚収納するための効率的な装置及び方法を提供することである。  The problem to be solved is to provide an efficient apparatus and method for separating wafers fixed to a gantry from the gantry and storing them one by one in a cassette.

本発明の半導体ウエハの分離装置は、
端縁が接着剤によって架台に固定されウエハが積層された架台接着ウエハ群から1枚1枚のウエハを分離する半導体ウエハの分離装置であって、
前記架台接着ウエハ群をその全体が水槽の水に浸かるように架台を上にしてガイドするガイド装置と、
架台とウエハとの接着部の接着剤を加熱し接着剤の接着力を低下させウエハを剥離する加熱剥離手段と、
前記加熱剥離によって接着剤の接着力を低下させることによって落下するウエハを前記水槽中で受容して搬送する搬送手段とを備えることを特徴とする。
図1は、半導体ウエハの分離装置を示す図である。架台接着ウエハ群1は、ウエハが架台2に固定されて積層されたものであり、ガイド装置3によって支えられ、位置を制御されている。架台接着ウエハ群1の全体は水槽4の水に浸かっている。
温水を噴射するスリットノズル(以下、「温水噴射スリットノズル」と略称する)5は、架台接着ウエハ群1のうちの先頭のウエハ(図において最も左側にあるウエハ)に係る接着剤を加熱しウエハを容易に剥離させるものである。ローラー6は、ウエハの剥離をより容易にし、剥離したウエハを真下に落下させるためのものである。ガイド装置3は、この剥離によって1枚のウエハが落下する度に、ウエハ1枚分だけ図の左側に架台接着ウエハ群1を移動させる。
落下したウエハ8は、搬送手段7によって1枚1枚水槽4の外に搬送され、カセットに収容される。
The semiconductor wafer separation apparatus of the present invention comprises:
A semiconductor wafer separating apparatus for separating each wafer from a group of gantry-bonded wafers whose edges are fixed to the gantry by an adhesive and the wafers are laminated,
A guide device for guiding the gantry bonding wafer group with the gantry up so that the whole is immersed in the water of the aquarium,
Heating and peeling means for heating the adhesive at the bonding portion between the gantry and the wafer to reduce the adhesive force of the adhesive and peeling the wafer;
And a transfer means for receiving and transferring a wafer falling by reducing the adhesive force of the adhesive by the heat peeling in the water tank.
FIG. 1 is a view showing a semiconductor wafer separating apparatus. The gantry bonded wafer group 1 is formed by stacking wafers fixed to the gantry 2, supported by a guide device 3, and controlled in position. The entire gantry bonded wafer group 1 is immersed in water in the water tank 4.
A slit nozzle (hereinafter, abbreviated as “hot water injection slit nozzle”) 5 for injecting hot water heats the adhesive on the first wafer (the wafer on the leftmost side in the figure) of the gantry bonded wafer group 1 to heat the wafer. Is easily peeled off. The roller 6 is for facilitating peeling of the wafer and dropping the peeled wafer directly below. The guide device 3 moves the gantry-bonded wafer group 1 to the left side of the drawing by one wafer every time one wafer falls due to this separation.
The dropped wafers 8 are transferred one by one to the outside of the water tank 4 by the transfer means 7 and stored in a cassette.

本発明の半導体ウエハの分離装置は、
前記加熱剥離手段は、前記積層されたウエハのうち先頭のウエハの接着部分端縁全体に温水を同時に噴射するスリットノズルであることを特徴とする。
先頭の1枚のウエハに係る接着剤の接着力を低下させウエハを剥離させて、そのウエハを分離する。接着剤としては、60℃〜90℃にまで加熱することで接着力が弱まるものを用いればよい。例えば、エポキシ系又はアクリル系のものを用いればよい。
ウエハの接着部分端縁全体に温水を噴射するスリットノズルを用いることにより、短時間で端縁全体の接着剤の接着力を低下させてウエハを分離することができる。ウエハ1枚当たり数秒以下の処理時間で分離することが可能である。
図2は、温水噴射スリットノズルの使用方法を示す図である。ウエハ8a、8b、...が積層されて、架台2に接着されている。スリットノズル5から発せられた温水は、先頭のウエハ8aが架台2に接着された端縁の全体に同時に噴射されるため短時間で端縁全体の接着剤の接着力が低下しウエハを分離することが可能となる。
上記操作でウエハが容易に剥離しない場合は、ウエハに若干の力を加えて分離を促すことも次善の手段として有効である。
The semiconductor wafer separation apparatus of the present invention comprises:
The heating and peeling means is a slit nozzle that simultaneously jets hot water to the entire bonding portion edge of the first wafer among the stacked wafers.
The adhesive strength of the adhesive on the first wafer is lowered to peel the wafer, and the wafer is separated. As the adhesive, an adhesive whose adhesive strength is weakened by heating to 60 ° C. to 90 ° C. may be used. For example, an epoxy or acrylic material may be used.
By using a slit nozzle that jets hot water to the entire edge of the bonded portion of the wafer, the adhesive force of the adhesive on the entire edge can be reduced and the wafer can be separated in a short time. Separation is possible with a processing time of several seconds or less per wafer.
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of using the hot water injection slit nozzle. Wafers 8a, 8b,. . . Are laminated and bonded to the gantry 2. The hot water emitted from the slit nozzle 5 is sprayed simultaneously on the entire edge bonded to the gantry 2 at the front wafer 8a, so that the adhesive force of the adhesive on the entire edge is lowered and the wafer is separated in a short time. It becomes possible.
If the wafer does not easily peel off by the above operation, it is also effective as a second best means to apply a slight force to the wafer to promote separation.

本発明の半導体ウエハの分離方法は、
端縁が接着剤によって架台に固定されウエハが積層された架台接着ウエハ群から1枚1枚のウエハを分離する半導体ウエハの分離方法であって、
前記架台接着ウエハ群をその全体が水槽の水に浸かるように配置し、
架台とウエハとの接着部の接着剤を加熱し、
前記加熱によって接着剤の接着力が低下し剥離して、落下するウエハを前記水槽中で受容して搬送することを特徴とする。
The method for separating a semiconductor wafer of the present invention comprises:
A method for separating a semiconductor wafer, in which each wafer is separated from a group of gantry-bonded wafers whose edges are fixed to the gantry by an adhesive and the wafers are laminated,
Place the gantry adhesive wafer group so that the whole is immersed in water in the aquarium,
Heat the adhesive at the bond between the gantry and the wafer,
It is characterized in that the adhesive force of the adhesive is lowered and peeled off by the heating, and the falling wafer is received and transported in the water tank.

本発明の半導体ウエハの分離装置は、架台に固定された状態のウエハを、架台から分離し、カセットに1枚1枚収納するための効率的な装置及び方法を提供する。接着剤を効率的に加熱して架台からウエハを分離するので、1枚当たりの処理時間が短いという特徴を有する。また、カセットに収納されたウエハを容易に洗浄することができる。  The semiconductor wafer separation apparatus of the present invention provides an efficient apparatus and method for separating wafers fixed to a gantry from the gantry and storing them one by one in a cassette. Since the adhesive is efficiently heated and the wafer is separated from the gantry, the processing time per sheet is short. Further, the wafer stored in the cassette can be easily cleaned.

図1は、半導体ウエハの分離装置を示す図である。FIG. 1 is a view showing a semiconductor wafer separating apparatus. 図2は、温水噴射スリットノズルの使用方法を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of using the hot water injection slit nozzle.

以下に、温水噴射スリットノズルを用いる実施例1を示す。    Example 1 using a hot water jet slit nozzle is shown below.

図1は、半導体ウエハの分離装置を示す図である。架台接着ウエハ群1の架台2がガイド装置3によって位置決めされている。ガイド装置3の一端には、温水噴射スリットノズル5が設けられている。水槽4内の架台接着ウエハ群1の先頭のウエハの下部に接する位置に補助ローラー6が設けられている。補助ローラー6はウレタン製である。
水槽4には界面活性剤を含有した水が張られ、架台接着ウエハ群1の下端は水に浸かっている。
搬送手段7(コンベア)が、温水噴射スリットノズル5の下から水槽4の外までウエハ8を搬送する位置に設けられている。
FIG. 1 is a view showing a semiconductor wafer separating apparatus. The gantry 2 of the gantry bonding wafer group 1 is positioned by the guide device 3. A hot water jet slit nozzle 5 is provided at one end of the guide device 3. An auxiliary roller 6 is provided at a position in contact with the lower part of the top wafer in the gantry bonded wafer group 1 in the water tank 4. The auxiliary roller 6 is made of urethane.
The water tank 4 is filled with water containing a surfactant, and the lower end of the gantry bonded wafer group 1 is immersed in water.
A transfer means 7 (conveyor) is provided at a position for transferring the wafer 8 from below the hot water injection slit nozzle 5 to the outside of the water tank 4.

ガイド装置3は、制御手段(図示しない)によって架台接着ウエハ群1の先頭のウエハ8aの端縁(図2において上にある辺)が温水噴射スリットノズル5による温水を受ける位置に移動する。
所定の時間にわたり温水噴射スリットノズル5から温水を噴射すると、先頭のウエハ8aの端縁の接着剤の接着力が低下し、ウエハ8aが落下する。落下したウエハは搬送手段7によって水槽4の外に搬送される。
上記落下の後、制御手段は次のウエハ8bの端縁が温水噴射スリットノズル5による温水を受ける位置に移動する。
ここで、1枚のウエハが温水噴射スリットノズル5による温水の噴射を受ける位置に移動してから次のウエハが温水噴射スリットノズル5による温水の噴射を受ける位置に移動するまでの時間(ターンアラウンドタイム)を短くすることが重要である。以下、このための方法について述べる。
The guide device 3 is moved by the control means (not shown) to the position where the edge (the upper side in FIG. 2) of the leading wafer 8a of the gantry bonded wafer group 1 receives the hot water from the hot water jet slit nozzle 5.
When hot water is jetted from the hot water jet slit nozzle 5 for a predetermined time, the adhesive force of the adhesive at the edge of the leading wafer 8a is reduced, and the wafer 8a falls. The dropped wafer is transferred out of the water tank 4 by the transfer means 7.
After the fall, the control means moves to a position where the edge of the next wafer 8b receives the hot water from the hot water jet slit nozzle 5.
Here, the time (turnaround) from the time when one wafer moves to a position where the hot water spray slit nozzle 5 receives the hot water jet to the position where the next wafer moves to the position where the hot water jet slit nozzle 5 receives the hot water jet. It is important to shorten the time. A method for this will be described below.

図2は、温水噴射スリットノズルの使用方法を示す図である。
棒状の温水噴射スリットノズル5から噴射された温水は、先頭のウエハ8aが架台2に接着された端縁の全体を、まんべんなく同時に加熱する。その結果短時間で端縁全体の接着剤が加熱され、接着力が低下する。
接着剤としてはエポキシ系又はアクリル系の60℃以上で接着力が低下するものを使用する。
ウエハ1枚当たり数秒以下の短時間でウエハを剥離させることが可能である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of using the hot water injection slit nozzle.
The hot water sprayed from the rod-shaped hot water spray slit nozzle 5 heats the entire edge where the leading wafer 8a is bonded to the gantry 2 at the same time. As a result, the adhesive on the entire edge is heated in a short time, and the adhesive force is reduced.
As the adhesive, an epoxy or acrylic adhesive whose adhesive strength decreases at 60 ° C. or higher is used.
Wafers can be peeled off in a short time of several seconds or less per wafer.

補助ローラー6を図1において時計回りに回転させることで、ウエハ8aの隣接するウエハ8bからの分離を促進する。補助ローラー6はウレタン製であるので、ウエハとの間に十分な摩擦力が発生して分離を促進し、ウエハを傷めることがない。
以上により、ウエハ8aは接着剤の溶解直後に落下する。
By rotating the auxiliary roller 6 clockwise in FIG. 1, separation of the wafer 8a from the adjacent wafer 8b is promoted. Since the auxiliary roller 6 is made of urethane, a sufficient frictional force is generated between the auxiliary roller 6 and the wafer to promote separation, and the wafer is not damaged.
As described above, the wafer 8a falls immediately after the adhesive is dissolved.

落下したウエハは、搬送手段7によって、水槽内で搬送される。これにより、ウエハはウエットな状態に保たれる。また、水槽内の界面活性剤による洗浄効果も期待できる。
落下したウエハは、その後、水槽の外まで搬送され、図示しない手段によって1枚ずつカセットに収納される。
The dropped wafer is transported in the water tank by the transport means 7. As a result, the wafer is kept in a wet state. Moreover, the cleaning effect by the surfactant in the water tank can be expected.
The dropped wafers are then transferred to the outside of the water tank and stored one by one in a cassette by means not shown.

出願人は、ウエハ8aの接着部分を60〜90℃に加熱できるように温水噴射スリットノズルの位置や、温水噴出し量、噴出しの温水温度を調整し、接着剤種を選定して数秒以下のターンアラウンドタイムを実現した。  The applicant adjusts the position of the hot water jet slit nozzle, the hot water jet amount, and the hot water temperature of the jet so that the bonded portion of the wafer 8a can be heated to 60 to 90 ° C., and selects the adhesive type for several seconds or less. The turnaround time was realized.

架台に固定された状態のウエハを、架台から分離し、カセットに1枚1枚収納するための効率的な方法及び装置であり、半導体ウエハ、特に太陽電池に用いるもの、の生産者による活用が期待できる。  It is an efficient method and apparatus for separating wafers fixed on a gantry from the gantry and storing them one by one in a cassette. The semiconductor wafers, particularly those used for solar cells, can be used by producers. I can expect.

1 架台接着ウエハ群
2 架台
3 ガイド装置
4 水槽
5 温水噴射スリットノズル
6 補助ローラー
7 搬送手段
8 分離されたウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base adhesion wafer group 2 Base 3 Guide apparatus 4 Water tank 5 Hot water injection slit nozzle 6 Auxiliary roller 7 Conveying means 8 Separated wafer

Claims (4)

端縁が接着剤によって架台に固定されウエハが積層された架台接着ウエハ群から1枚1枚のウエハを分離する半導体ウエハの分離装置であって、
前記架台接着ウエハ群を、その全体が水槽の水に浸かるように架台を上にしてガイドするガイド装置と、
架台とウエハとの接着部の接着剤を加熱し接着剤の接着力を低下させる加熱手段と、
前記加熱手段によって接着剤の接着力が低下ことによって落下するウエハを前記水槽中で受容して搬送する搬送手段とを備えることを特徴とする、半導体ウエハの分離装置。
A semiconductor wafer separating apparatus for separating each wafer from a group of gantry-bonded wafers whose edges are fixed to the gantry by an adhesive and the wafers are laminated,
A guide device for guiding the gantry bonding wafer group with the gantry up so that the whole is immersed in water in a water tank;
Heating means for heating the adhesive at the bonding portion between the gantry and the wafer to reduce the adhesive strength of the adhesive;
A semiconductor wafer separating apparatus, comprising: a transport unit that receives and transports a wafer that falls due to a decrease in adhesive force of the adhesive by the heating unit in the water tank.
前記加熱溶解手段は、前記積層されたウエハのうち先頭のウエハの端縁全体を同時に温水を噴射するスリットノズルであることを特徴とする、請求項1に記載の半導体ウエハの分離装置。  2. The semiconductor wafer separation apparatus according to claim 1, wherein the heating and melting means is a slit nozzle that simultaneously sprays hot water over the entire edge of the first wafer among the stacked wafers. 端縁が接着剤によって架台に固定されウエハが積層された架台接着ウエハ群から1枚1枚のウエハを分離する半導体ウエハの分離方法であって、
前記架台接着ウエハ群をその全部が水槽の水に浸かるように配置し、
架台とウエハとの接着部の接着剤を加熱し、
前記加熱溶解によって接着材の接着力を低下させることによって落下するウエハを前記水槽中で受容して搬送することを特徴とする、半導体ウエハの分離方法。
A method for separating a semiconductor wafer, in which each wafer is separated from a group of gantry-bonded wafers whose edges are fixed to the gantry by an adhesive and the wafers are laminated,
Place the gantry adhesive wafer group so that the whole is immersed in the water of the aquarium,
Heat the adhesive at the bond between the gantry and the wafer,
A method for separating a semiconductor wafer, wherein a wafer that falls by reducing the adhesive force of the adhesive by heating and melting is received and transported in the water tank.
前記加熱を、前記積層されたウエハのうち先頭のウエハの端縁全体を同時に温水を噴射するスリットノズルによって行うことを特徴とする、請求項4に記載の半導体ウエハの分離方法。  5. The method of separating a semiconductor wafer according to claim 4, wherein the heating is performed by a slit nozzle that simultaneously jets hot water over the entire edge of the first wafer among the stacked wafers.
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