JP2013105400A - 半導体装置の開発支援装置、開発支援方法及び開発支援プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置を容易に開発することが可能な半導体装置の開発支援装置、開発支援方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】
設計評価装置３は、センサ２の測定信号を入力するアナログフロントエンド部１００とＭＣＵ部２００とを有する設計評価装置３であって、アナログフロントエンド部１００の回路構成に対応したＧＵＩを表示するＧＵＩ処理部３０１と、ユーザによるＧＵＩの操作に基づいて、アナログフロントエンド部１００の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成し、ＭＣＵ部２００を介してアナログフロントエンド部１００へ生成された設定情報を設定するレジスタ設定部３０２と、を備えるものである。
【選択図】図２７

Description

本発明は、半導体装置の開発支援装置、開発支援方法及び開発支援プログラムに関し、特に、アナログフロントエンド回路を有する半導体装置の開発支援装置、開発支援方法及び開発支援プログラムに関する。

近年、使い勝手の向上やエコシステムの拡大、ヘルスケアの浸透、セキュリティの強化などから、民生、産業、医療を始めとした各種機器でセンサの搭載が進んでいる。その背景として、センサデバイスとしての使い勝手の向上や、センサを実現するのに不可欠なアナログ回路の低電圧・低電力化が進み、システムの小型化、コストの低減が可能になったことが挙げられる。センサには温度センサ、赤外線センサ、光センサ、衝撃センサなど様々な種類があり、これら動作原理に応じてセンサ信号を処理する回路を構成し特性設定を行うことが行なわれている。

このような機器では、マイクロコンピュータ等の制御装置が、センサの測定結果に応じた制御処理を行っている。センサから出力される測定信号は、そのままでは、マイクロコンピュータ等の制御装置では処理できないため、マイクロコンピュータに入力する前にアナログフロントエンド（ＡＦＥ）回路によって一定レベルへ増幅したり、ノイズの除去等のアナログフロントエンド処理が行われている。このアナログフロントエンド処理は、センサの動作原理や特性に応じた設計が必要であり、またアナログ特有の設計ノウハウを要するため、目標とするセンサの動作原理や特性を絞込んだ上で、特定センサに向けて専用ＡＦＥ回路や専用ＩＣを開発することが行なわれてきた。

従来のＡＦＥ回路として、例えば特許文献１の回路が知られている。図５５は、特許文献１に記載された従来の回路構成を示している。この従来回路は、センサ９０３と、アナログフロントエンド回路であるアナログ入力回路９１１と、マイクロコンピュータ９１０を備えている。

アナログ入力回路９１１は、センサからの信号を入力する変成器９２０、特定の周波数の信号成分を通過させるフィルタ９２１、フィルタ９２１の出力を増幅する増幅回路９２２、増幅回路９２２の出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器９２３、増幅回路９２２の出力を基準電圧と比較する比較回路９２４を備えている。

マイクロコンピュータ９１０は、Ａ／Ｄ変換器９２３から出力されるデジタル信号を処理して、センサ９０３の検出に応じた処理を行う。また、マイクロコンピュータ９１０は、フィルタ９２１に制御信号を出力し、フィルタ９２１の周波数特性を変更する。

特開平１０−３２０６８４号公報

このように、従来技術では、マイクロコンピュータ９１０からの制御によって、アナログ入力回路９１１のフィルタ９２１の特性を変更可能している。一方、上記のように、近年、センサを搭載したセンサシステムが増加しており、タイムリーな市場投入のために短期間でアナログ回路の半導体装置の開発を行うことが望まれている。

しかしながら、センサには温度センサ、赤外線センサ、光センサ、衝撃センサなど、様々な種類があり、センサに応じて異なる回路構成や回路特性を用意する必要があるため、種々のセンサに対応する半導体装置を短期間で開発することは困難である。

したがって、従来技術では、半導体装置を容易に開発することが困難であるという問題があった。

本発明に係る半導体装置の開発支援装置は、センサの測定信号を入力するアナログフロントエンド部と前記アナログフロントエンド部を介した前記測定信号に応じた制御処理を行う制御部とを有する半導体装置の開発支援装置であって、前記アナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩを表示するＧＵＩ表示部と、ユーザによる前記ＧＵＩの操作に基づいて、前記アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成する設定情報生成部と、前記制御部を介して前記アナログフロントエンド部へ前記生成された設定情報を設定する設定部と、を備えるものである。

本発明に係る半導体装置の開発支援方法は、センサの測定信号を入力するアナログフロントエンド部と前記アナログフロントエンド部を介した前記測定信号に応じた制御処理を行う制御部とを有する半導体装置の開発支援方法であって、前記アナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩを表示し、ユーザによる前記ＧＵＩの操作に基づいて、前記アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成し、前記制御部を介して前記アナログフロントエンド部へ前記生成された設定情報を設定するものである。

本発明に係る半導体装置の開発支援プログラムは、センサの測定信号を入力するアナログフロントエンド部と前記アナログフロントエンド部を介した前記測定信号に応じた制御処理を行う制御部とを有する半導体装置の開発支援処理をコンピュータに実行させる半導体装置の開発支援プログラムであって、前記半導体装置の開発支援処理は、前記アナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩを表示し、ユーザによる前記ＧＵＩの操作に基づいて、前記アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成し、前記制御部を介して前記アナログフロントエンド部へ前記生成された設定情報を設定するものである。

本発明では、半導体装置のアナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩにより、アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定するため、ユーザが直感的な動作によって回路構成及び回路特性を変更できることから、半導体装置を容易に開発することができる。

本発明によれば、半導体装置を容易に開発することが可能な半導体装置の開発支援装置、開発支援方法及びプログラムを提供することができる。

本発明の実施の形態１に係るセンサシステムの構成図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路ブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路の接続関係を示す図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路の接続例を示す図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路の接続例を示す図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路の接続例を示す図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路の接続例を示す図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成変更例を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成変更例を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成変更例を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成変更例を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成変更例を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成変更例を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の通信タイミングを示すタイミングチャートである。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の応用例を示すシステム構成図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の応用例を示すシステム構成図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の応用例を示すシステム構成図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の機能ブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置を含む設定評価システムの構成図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価装置のハードウェア構成図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価装置の機能ブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価方法を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価方法を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の回路ブロック図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の回路の接続関係を示す図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の応用例を示すシステム構成図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の回路ブロック図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の回路の接続関係を示す図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の応用例を示すシステム構成図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の設定評価で用いるＧＵＩの表示イメージ図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体装置を含む開発システムの構成図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の開発方法を示すフローチャートである。 従来技術の回路構成を示す構成図である。

（本発明の実施の形態１）
以下、図面を参照して本発明の実施の形態１について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置を含むセンサシステムの構成を示している。

図１に示すように、このセンサシステムは、センサ２と、センサに接続された半導体装置１とを備えている。

センサ２には、検出結果に応じた電流を出力する電流出力型センサや、検出結果に応じた電圧を出力する電圧出力型センサ、検出結果に応じて微弱な差動信号出力するセンサなど様々なセンサを利用することが可能である。なお、センサの応用例については後述する。

半導体装置１は、ＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００とを有している。例えば、半導体装置１は、ＭＣＵ部２００の半導体チップと、ＡＦＥ部１００の半導体チップとを１つの半導体装置に搭載したＳｏＣ（System-on-a-chip）である。なお、ＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００とを１チップの半導体装置としてもよい。

ＭＣＵ部（制御部）２００は、ＡＦＥ部１００を介して入力されるセンサ２の測定信号（検出信号）をＡ／Ｄ変換し、検出結果に応じた制御処理を行うマイクロコントローラである。また、ＭＣＵ部２００は、ＡＦＥ部１００の構成及び特性を設定変更するための制御信号をＡＦＥ部１００へ出力する。

ＡＦＥ部（アナログ入力部）１００は、センサ２が出力する測定信号に対し、増幅やフィルタリング等のアナログフロントエンド処理を行い、ＭＣＵ部２００で処理可能な信号とするアナログ回路である。また、ＡＦＥ部１００は、図１に示すように、トポロジ（回路構成）が変更可能であり、さらに、パラメータ（回路特性）も変更可能である。

図の例のように、オペアンプ回路の構成から、Ｉ／Ｖアンプ、減算（差動）アンプ、加算アンプ、反転アンプ、非反転アンプ、計装アンプの構成に変更できる。また、非反転アンプのパラメータ例のように、動作点の変更、利得（ゲイン）の変更、オフセット調整を行うことができる。

図２は、半導体装置１の回路ブロックを示している。図２に示すように、ＭＣＵ部２００は、ＣＰＵコア２１０、メモリ２２０、オシレータ２３０、タイマ２４０、入出力ポート２５０、Ａ／Ｄコンバータ２６０、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）インタフェース２７０を備えている。なお、ＭＣＵ部２００は、マイクロコントローラの機能を実現するためのその他の回路、例えば、ＤＭＡや各種演算回路等を備えている。

ＣＰＵコア２１０は、メモリ２２０に格納されたプログラムを実行しプログラムに従った制御処理を行う。メモリ２２０は、ＣＰＵコア２１０で実行するプログラムや各種データを格納する。オシレータ２３０は、ＭＣＵ部２００の動作クロックを生成し、また、必要に応じてＡＦＥ部１００へクロックを供給する。タイマ２４０は、ＭＣＵ部２００の制御動作に利用される。

入出力ポート２５０は、半導体装置１の外部の装置とデータ等の入出力を行うためのインタフェースであり、例えば、後述のように外部のコンピュータ装置等と接続可能である。

Ａ／Ｄコンバータ２６０は、ＡＦＥ部１００を介して入力されるセンサ２の測定信号をＡ／Ｄ変換する。また、Ａ／Ｄコンバータ２６０の電源は、ＡＦＥ部１００から供給されている。

ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）インタフェース２７０は、ＡＦＥ部１００とデータ等の入出力を行うためのインタフェースである。なお、ＳＰＩインタフェース２７０は、汎用的なシリアルインタフェースであり、ＳＰＩに対応していれば、他のマイクロコントローラ／マイクロコンピュータであっても、ＡＦＥ部１００と接続することができる。

本実施形態の半導体装置１は、汎用的な用途に対応可能な構成となっている。具体的には、様々な種類や特性のセンサを接続できるように、センサ用ＡＦＥ回路一式を搭載している。すなわち、ＡＦＥ部１００は、コンフィギュラブル・アンプ１１０、同期検波対応増幅アンプ（増幅アンプともいう）１２０、ＳＣ型ローパス・フィルタ（ローパス・フィルタともいう）１３０、ＳＣ型ハイパス・フィルタ（ハイパス・フィルタともいう）１４０、可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、汎用アンプ１７０、ＳＰＩインタフェース１８０、を備えている。

コンフィギュラブル・アンプ１１０は、センサ２等の外部から入力される信号を増幅する増幅回路であり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって回路構成及び特性、動作が設定可能である。コンフィギュラブル・アンプ１１０は、３ｃｈのアンプ、すなわち、３つのアンプを有している。この３つのアンプにより多くの回路構成を実現することができる。

増幅アンプ１２０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の出力や、センサ２等の外部から入力される信号を増幅する同期検波対応の増幅回路であり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。

ローパス・フィルタ１３０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０や増幅アンプ１２０の出力、センサ２等の外部から入力される信号に対し、高周波成分を除去し低周波成分を通過させるＳＣ型のフィルタであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。ハイパス・フィルタ１４０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０や増幅アンプ１２０の出力、センサ２等の外部から入力される信号に対し、低周波成分を除去し高周波成分を通過させるＳＣ型のフィルタであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。

可変レギュレータ１５０は、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０へ電圧を供給する可変電圧源であり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって特性、動作が設定可能である。温度センサ１６０は、半導体装置１の温度を測定するセンサであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって動作が設定可能である。

汎用アンプ１７０は、センサ２等の外部から入力される信号を増幅するアンプであり、ＭＣＵ部２００からの制御にしたがって動作が設定可能である。ＳＰＩインタフェース１８０は、ＭＣＵ部２００とデータ等の入出力を行うためのインタフェースであり、ＭＣＵ部２００のＳＰＯインタフェース２７０とＳＰＩバスを介して接続されている。

次に、本実施形態に係る半導体装置１のＡＦＥ部１００の構成について詳細に説明する。図３は、ＡＦＥ部１００の各回路の接続関係を示している。ＳＰＩインタフェース１８０は、ＳＰＩバスに接続された外部端子（ＣＳ、ＳＣＬＫ、ＳＤＯ、ＳＤＩ）に接続されて、レジスタ（制御レジスタ）１８１を有している。ＭＣＵ部２００から、ＳＰＩインタフェースを介して、回路の構成・特性を変更するための構成情報（設定情報）が入力され、レジスタ１８１に格納される。レジスタ１８１は、ＡＦＥ部１００内の各回路に接続されており、レジスタ１８１の構成情報に応じてＡＦＥ部１００内の各回路の構成・特性が設定される。

コンフィギュラブル・アンプ１１０は、個別アンプＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３を有しており、アンプの入出力を切り替えるスイッチＳＷ１０〜ＳＷ１５が接続されている。

個別アンプＡＭＰ１は、一方の入力端子がスイッチＳＷ１０を介してＭＰＸＩＮ１０またはＭＰＸＩＮ１１に接続され、他方の入力端子がスイッチＳＷ１１を介してＭＰＸＩＮ２０またはＭＰＸＩＮ２１に接続され、出力端子がＡＭＰ１＿ＯＵＴに接続されている。同様に、個別アンプＡＭＰ２は、一方の入力端子がスイッチＳＷ１２を介してＭＰＸＩＮ３０またはＭＰＸＩＮ３１に接続され、他方の入力端子がスイッチＳＷ１３を介してＭＰＸＩＮ４０またはＭＰＸＩＮ４１に接続され、出力端子がＡＭＰ２＿ＯＵＴに接続されている。

また、個別アンプＡＭＰ３は、一方の入力端子がスイッチＳＷ１４を介してＭＰＸＩＮ５０、ＭＰＸＩＮ５１またはＡＭＰ１の出力端子に接続され、他方の入力端子がスイッチＳＷ１５を介してＭＰＸＩＮ６０、ＭＰＸＩＮ６１またはＡＭＰ２の出力端子に接続され、出力端子がＡＭＰ３＿ＯＵＴに接続されている。ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子は、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０にも接続されている。

コンフィギュラブル・アンプ１１０は、レジスタ１８１の設定値に応じて、スイッチＳＷ１０〜ＳＷ１５が切り替えられて、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の接続構成が変更され、内部の回路構成・特性も後述のように変更される。

図４、図５は、スイッチＳＷ１０〜ＳＷ１５によるＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の接続切り替え例である。図４では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１０，１１を切り替えて、ＡＭＰ１の入力端子をＭＰＸＩＮ１０，ＭＰＸＩＮ２０に接続し、スイッチＳＷ１２，１３を切り替えて、ＡＭＰ２の入力端子をＭＰＸＩＮ３０，ＭＰＸＩＮ４０に接続し、スイッチＳＷ１４，１５を切り替えて、ＡＭＰ３の入力端子をＭＰＸＩＮ５０，ＭＰＸＩＮ６０に接続する。このように接続することで、ＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３をそれぞれ独立のアンプとして動作させることができる。

図５では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１０を切り替えて、ＡＭＰ１の一方の入力端子をＭＰＸＩＮ１０に接続し、スイッチＳＷ１２を切り替えて、ＡＭＰ２の一方の入力端子をＭＰＸＩＮ３０に接続し、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２を切り替えて、ＡＭＰ１の他方の入力端子とＡＭＰ２の他方の入力端子とを接続し、スイッチＳＷ１４，１５を切り替えて、ＡＭＰ３の一方の入力端子をＡＭＰ１の出力端子に接続し、ＡＭＰ３の他方の入力端子をＡＭＰ３の出力端子に接続する。このように接続することで、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を接続した計装アンプを構成することができる

また、図３に示すように、増幅アンプ１２０には、入力を切り替えるスイッチＳＷ１６、ＳＷ１７が接続されている。増幅アンプ１２０は、入力端子がスイッチＳＷ１６、ＳＷ１７を介してＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子、または、スイッチＳＷ１７を介してＧＡＩＮＡＭＰ＿ＩＮに接続され、出力端子がＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴに接続されている。増幅アンプ１２０の出力端子は、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０にも接続されている。なお、ＳＷ１６により、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の出力端子と、外部端子及び増幅アンプとの接続を切り替えてもよい。

ローパス・フィルタ１３０には、入力を切り替えるスイッチＳＷ１８、ＳＷ１９が接続され、ハイパス・フィルタ１４０にも、入力を切り替えるスイッチＳＷ１８、ＳＷ２０が接続されている。ローパス・フィルタ１３０は、入力端子がスイッチＳＷ１８，ＳＷ１９を介してＡＰＭ１〜ＡＭＰ３の出力端子、増幅アンプ１２０の出力端子、ＳＣ＿ＩＮ、またはスイッチＳＷ１９を介してハイパス・フィルタ１４０の出力端子に接続され、出力端子がＬＰＦ＿ＯＵＴに接続されている。ハイパス・フィルタ１４０は、入力端子がスイッチＳＷ１８，ＳＷ１９を介してＡＰＭ１〜ＡＭＰ３の出力端子、増幅アンプ１２０の出力端子、ＳＣ＿ＩＮ、またはスイッチＳＷ１９を介してローパス・フィルタ１３０の出力端子に接続され、出力端子がＨＰＦ＿ＯＵＴに接続されている。なお、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の出力端子と外部端子との間にスイッチを設けて、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の出力端子と、外部端子及びＳＷ１９、ＳＷ２０との接続を切り替えてもよい。

増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０は、レジスタ１８１の設定値に応じて、スイッチＳＷ１６〜ＳＷ２０が切り替えられて、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の接続構成が変更され、内部の特性も後述のように変更される。

図６、図７は、スイッチＳＷ１７〜ＳＷ２０による増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の接続切り替え例である。図６では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１７を切り替えて、増幅アンプ１２０の入力端子をＡＭＰ１〜ＡＭＰ３のいずれかの出力端子に接続し、スイッチＳＷ１８，ＳＷ１９を切り替えて、ローパス・フィルタ１３０の入力端子を増幅アンプ１２０の出力端子に接続し、スイッチＳＷ２０を切り替えて、ハイパス・フィルタ１４０の入力端子をローパス・フィルタ１３０の出力端子に接続する。このように切り替えることで、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３のいずれか、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の順に接続した回路を構成することができる。

図７では、レジスタ１８１の設定により、スイッチＳＷ１７を切り替えて、増幅アンプ１２０の入力端子をＧＡＩＮＡＭＰ＿ＩＮに接続し、スイッチＳＷ１８、ＳＷ２０を切り替えて、ハイパス・フィルタ１４０の入力端子をＳＣ＿ＩＮに接続し、スイッチＳＷ１９を切り替えて、ローパス・フィルタ１３０の入力端子をハイパス・フィルタ１４０の出力端子に接続する。このように切り替えることで、増幅アンプ１２０を１つの独立したアンプとして動作させ、また、ハイパス・フィルタ１４０、ローパス・フィルタ１３０の順に接続した回路を構成することができる。

また、図３に示すように、可変レギュレータ１５０は、出力端子がＢＧＲ＿ＯＵＴとＬＤＯ＿ＯＵＴに接続されている。可変レギュレータは、レジスタ１８１の設定値に応じて後述のように特性が変更される。

温度センサ１６０は、出力端子がＴＥＭＰ＿ＯＵＴに接続されている。温度センサ１６０は、レジスタ１８１の設定値に応じて後述のように特性が変更される。

汎用アンプ１７０は、一方の入力端子がＡＭＰ４＿ＩＮ＿ＮＥに接続され、他方の入力端子がＡＭＰ４＿ＩＮ＿ＰＯに接続され、出力端子がＡＭＰ４＿ＯＵＴに接続されている。汎用アンプは、１つのオペアンプにより構成されており、レジスタ１８１の設定値に応じて、ゲインが変更され、また、電源ＯＮ／ＯＦＦも設定される。

次に、図８〜図１４を用いて、コンフィギュラブル・アンプ１１０の具体的な回路構成について説明する。

コンフィギュラブル・アンプ１１０は、センサ出力信号を増幅するためのアンプであり、制御レジスタの設定に応じて、トポロジ（回路構成）を変更できるとともに、パラメータ（回路特性）を変更できる。特性の変更としてゲインを可変に設定することができる。例えば、個別アンプを独立して使用する場合、ゲインを６ｄＢ〜４６ｄＢまで２ｄＢ単位で設定でき、計装アンプとして使用する場合、ゲインを２０ｄＢ〜６０ｄＢまで２ｄＢ単位で設定できる。また、スルーレートを可変に設定することもでき、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。

図８は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の個別アンプＡＭＰ１の回路構成を示している。なお、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３も同様の構成である。

図８に示すように、個別アンプＡＭＰ１は、オペアンプ１１１を有し、オペアンプ１１１の各端子に接続される可変抵抗１１２ａ〜１１２ｄ、スイッチ１１３ａ〜１１３ｃ、ＤＡＣ１１４を有しており、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１０、ＳＷ１１が接続されている。

レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ１０、ＳＷ１１によりオペアンプ１１１の入力を切り替え、スイッチ１１３ａ、１１３ｂにより可変抵抗（入力抵抗）１１２ａ、１１２ｂの有無を切り替え、スイッチ１１３ｃによりＤＡＣ１１４の接続を切り替えることができる。なお、オペアンプ１１１の出力は、図３のようにＳＷ１６、ＳＷ１７、ＳＷ１８により、増幅アンプ１２０、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０との接続が切り替えられる。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの抵抗値、ＤＡＣ１１４の設定を変えることで、ＡＭＰ１のゲイン、動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプを制御して、スルーレートの制御、電源オン／オフを制御できる。

各スイッチ、マルチプレクサの切り替えにより、Ｉ／Ｖアンプ、反転アンプ、減算（差動）アンプ、非反転アンプ、加算アンプを構成することができる。

図９は、Ｉ／Ｖアンプを構成する例である。レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）を反転入力端子に接続し、スイッチ１１３ａをオンして可変抵抗１１２ａを短絡する。この接続によりＩ／Ｖアンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定する。このＩ／Ｖアンプは、外部入力端子から電流型センサの信号が入力されると、入力電流を電圧に変換して出力する。

図１０は、減算（差動）アンプを構成する例である。レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０、ＳＷ１１を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）を反転入力端子に接続し、外部入力端子（ＭＰＸＩＮ２０）を非反転入力端子に接続する。この接続により減算アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定する。この減算アンプは、外部入力端子から２つの信号（Ｖ１，Ｖ２）が入力されると、一方の入力電圧から他方の入力電圧を差し引いた電圧（Ｖ２−Ｖ１）を出力する。

図１１は、加算アンプを構成する例である。なお、ここでは、可変抵抗１１２ｂと反転入力端子の間にスイッチ１１３ｄを有しているものとする。レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０、ＳＷ１１、スイッチ１１３ｄを切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）と外部入力端子（ＭＰＸＩＮ２０）を反転入力端子に接続する。この接続により加算アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定する。この加算アンプは、外部入力端子から２つの信号（Ｖ１，Ｖ２）が入力されると、一方の入力電圧と他方の入力電圧を加算した電圧（Ｖ１＋Ｖ１）を出力する。

図１２は、反転アンプを構成する例である。レジスタの設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ１０）を反転入力端子に接続し、スイッチ１１３ｃをオンにしてＤＡＣ１１４の出力を非反転入力端子に接続する。この接続により反転アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｃ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定し、ＤＡＣの出力電圧を変えることで、アンプの動作点やオフセットを調整する。この反転アンプは、外部入力端子から電圧型センサの信号が入力されると、入力電圧を反転増幅した電圧を出力する。

図１３、非反転アンプを構成する例である。レジスタの設定に応じて、マルチプレクサＳＷ１０を切り替えてＤＡＣ１１４の出力を反転入力端子に接続し、マルチプレクサＳＷ１１を切り替えて外部入力端子（ＭＰＸＩＮ２０）を非反転入力端子に接続する。この接続により非反転アンプが構成される。また、レジスタ１８１の設定により、可変抵抗１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｄの抵抗値を変えることでアンプのゲインを設定し、ＤＡＣの出力電圧を変えることで、アンプの動作点やオフセットを調整する。この非反転アンプは、外部入力端子から電圧型センサの信号が入力されると、入力電圧を非反転増幅した（入力と同相の）電圧を出力する。

図１４は、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３により計装アンプを構成する例である。図５で説明したように、レジスタ１８１の設定に応じて、マルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１０〜ＳＷ１５によりＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を接続することで、図１４の計装アンプを構成できる。なお、各スイッチの図示を省略しているが、ＡＭＰ１では、スイッチ１１３ｂをオンして可変抵抗１１２ｂを短絡し、ＡＭＰ２では、スイッチ１１３ｂをオンして可変抵抗１１２ｂを短絡し、ＡＭＰ３では、スイッチ１１３ｃをオンし、ＤＡＣ１１４を非反転入力端子に接続している。

また、レジスタ１８１の設定により、ＡＭＰ３の可変抵抗１１２ａ〜１１２ｄの抵抗値を変えることで計装アンプのゲインを設定し、ＤＡＣ１１４の出力電圧を変えることで、計装アンプの動作点やオフセットを調整する。この計装アンプは、外部入力端子から微弱な差動信号が入力されると、この差動信号を、ＡＭＰ１、ＡＭＰ２によりそれぞれ非反転増幅し、さらに、ＡＭＰ３により差動増幅した電圧を出力する。

次に、図１５〜図２１を用いて、ＡＦＥ部１００内のその他の回路の具体的な回路構成及びＳＰＩインタフェースについて説明する。

図１５は、増幅アンプ１２０の回路構成を示している。増幅アンプ１２０は、同期検波機能に対応しており、入力信号の増幅や同期検波を行う。特性の変更として、増幅アンプ１２０は、ゲインを可変に設定することができる。例えば、ゲインを６ｄＢ〜４６ｄＢまで２ｄＢ単位で設定できる。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。

図１５に示すように、増幅アンプ１２０は、オペアンプＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２を有し、オペアンプＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２の各端子に接続される可変抵抗１２１ａ、１２１ｃ、固定抵抗１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ及びＤＡＣ１２３を有している。また、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１７が接続されている。さらに、同期検波を行うための同期検波制御部として、同期検波スイッチ１２４、固定抵抗１２５を有している。

レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ１７が制御されて増幅アンプ１２０の入力を切り替える。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、可変抵抗１２１ａ、１２１ｃの抵抗値、ＤＡＣ１２３の設定を変えることでＡＭＰ２１のゲイン、ＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２の動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプＡＭＰ２１，ＡＭＰ２２の電源オン／オフを制御できる。

増幅アンプ１２０では、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３、または外部入力端子から信号が入力されると、ＡＭＰ２１により反転増幅され、さらにＡＭＰ２２により反転増幅された信号が、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴへ出力される。

また、ＭＣＵ部２００から同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨが入力され、同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨのタイミングで、同期検波スイッチ１２４の接続が切り替わり、ＡＭＰ２１とＡＭＰ２２のいずれかの出力信号がＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴへ出力される。

図１６は、増幅アンプ１２０の出力動作を示すタイミングチャートである。図１６（ａ）のように、ＡＭＰ２１は、入力信号の反転信号を出力し、図１６（ｂ）のように、ＡＭＰ２２は、さらに反転した信号を出力する。このＡＭＰ２２の出力信号が、増幅アンプ１２０の出力としてＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴへ出力される。

ＭＣＵ部２００は、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴに接続されており、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴの信号に応じたクロックを生成する。ここでは、図１７（ｃ）のように、ＧＡＩＮＡＭＰ＿ＯＵＴが基準値よりもハイレベルの場合に、ハイレベルとなるＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨを生成する。そして、この同期クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨを増幅アンプ１２０へ供給する。

同期検波スイッチ１２４は、このＣＬＫ＿ＳＹＮＣＫに応じて、ＡＭＰ２１、ＡＭＰ２２とＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴとの接続を切り替える。クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨがローレベルの場合、ＡＭＰ２１と接続してＡＰＭ２１の出力をＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴへ出力し、クロックＣＬＫ＿ＳＹＮＣＨがハイレベルの場合、ＡＭＰ２２と接続してＡＭＰ２２の出力をＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴへ出力する。そうすると、図１６（ｄ）のように、同期検波し、全波整流された信号が、ＳＹＮＣＨ＿ＯＵＴから出力される。

図１７は、ローパス・フィルタ１３０の回路構成を示している。ローパス・フィルタ１３０は、カットオフ周波数可変のＳＣ（スイッチトキャパシタ）型ローパス・フィルタであり、入力信号のフィルタリングに用いられる。

ローパス・フィルタ１３０の特性は、Ｑ値が固定値であり、例えば０．７０２である。特性の変更として、カットオフ周波数ｆｃを可変に設定することができる。例えば、９Ｈｚ〜９００Ｈｚまで設定できる。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。

図１７に示すように、ローパス・フィルタ１３０は、スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成部１３１と、スイッチング信号に応じて入力信号をフィルタリングするフィルタ部１３２とを有している。

スイッチング信号生成部１３１は、フリップフロップ１３３と複数のインバータ１３４を有している。フィルタ部１３２は、複数のオペアンプ１３５を有し、複数のオペアンプ１３５に接続される複数のスイッチ１３６、コンデンサ１３７、ＤＡＣ１３８に制御される可変電源１３９を有している。また、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ１９が接続されている。

レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ１９が制御されてローパス・フィルタ１３０の入力を切り替える。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、ＤＡＣ１３８の設定を変えることで可変電源１３９を制御し、アンプの動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、ローパス・フィルタ１３０の電源をオン／オフを制御できる。

ローパス・フィルタ１３０では、スイッチング信号生成部１３１において、外部からクロックＣＬＫ＿ＬＰＦが入力され、フリップフロップ１３３とインバータ１３４によりスイッチング信号Φ１、Φ２が生成される。フィルタ部１３２において、外部入力端子や増幅アンプ１２０等から信号が入力されると、３つのオペアンプ１３５を介して信号が出力され、その際、スイッチング信号Φ１、Φ２によりスイッチ１３６がオン／オフしてコンデンサ１３７の接続が切り替わる。そうすると、入力信号のカットオフ周波数よりも高周波成分を除去した信号が出力されることになる。

このカットオフ周波数は、ＭＣＵ部２００により外部から入力されるクロックＣＬＫ＿ＬＰＦにより変更することができる。具体的には、カットオフ周波数ｆｃ＝０．００９×ｆｓ（スイッチング周波数 １／２ｆ ＣＬＫ＿ＬＰＦ）である。

図１８は、ハイパス・フィルタ１４０の回路構成を示している。ハイパス・フィルタ１４０は、カットオフ周波数可変のＳＣ型ハイパス・フィルタであり、入力信号のフィルタリングに用いられる。

ハイパス・フィルタ１４０の特性は、Ｑ値が固定値であり、例えば０．７０２である。特性の変更として、カットオフ周波数ｆｃを可変に設定することができる。例えば、８Ｈｚ〜８００Ｈｚまで設定できる。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。

図１８に示すように、ハイパス・フィルタ１４０は、スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成部１４１と、スイッチング信号に応じて入力信号をフィルタリングするフィルタ部１４２とを有している。

スイッチング信号生成部１４１は、フリップフロップ１４３と複数のインバータ１４４を有している。フィルタ部１４２は、複数のオペアンプ１４５を有し、複数のオペアンプ１４５に接続される複数のスイッチ１４６、コンデンサ１４７、ＤＡＣ１４８に制御される可変電源１４９を有している。また、図３のようにマルチプレクサ（スイッチ）ＳＷ２０が接続されている。

レジスタ１８１の設定値に応じて、マルチプレクサＳＷ２０が制御されてハイパス・フィルタ１４０の入力を切り替える。また、レジスタ１８１の設定値に応じて、ＤＡＣ１４８の設定を変えることで可変電源１４９を制御し、アンプの動作点、オフセット等を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、ハイパス・フィルタ１４０の電源をオン／オフを制御できる。

ハイパス・フィルタ１４０では、スイッチング信号生成部１４１において、外部からクロックＣＬＫ＿ＨＰＦが入力され、フリップフロップ１４３とインバータ１４４によりスイッチング信号Φ１、Φ２が生成される。フィルタ部１４２において、外部入力端子や増幅アンプ１２０等から信号が入力されると、３つのオペアンプ１４５を介して信号が出力され、その際、スイッチング信号Φ１、Φ２によりスイッチ１４６がオン／オフしてコンデンサ１４７の接続が切り替わる。そうすると、入力信号のカットオフ周波数よりも低周波成分を除去した信号が出力されることになる。

このカットオフ周波数は、ＭＣＵ部２００により外部から入力されるクロックＣＬＫ＿ＨＰＦにより変更することができる。具体的には、カットオフ周波数ｆｃ＝０．００８×ｆｓ（スイッチング周波数 １／２ｆ ＣＬＫ＿ＬＰＦ）である。

図１９は、可変レギュレータ１５０の回路構成を示している。可変レギュレータ１５０は、出力電圧を可変にするレギュレータであり、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０の基準電源生成回路である。特性の変更として、可変レギュレータ１５０は、出力電圧を２．０Ｖ〜３．３Ｖまで、±５％の精度で、０．１Ｖ単位で設定することができる。例えば、可変レギュレータ１５０の特性として、出力電流は、１５ｍＡである。また、可変レギュレータ１５０は、出力電源のオン／オフを制御することができる。

図１９に示すように、可変レギュレータ１５０は、オペアンプ１５１を有し、オペアンプ１５１の入力側に接続されるバンドギャップリファレンスＢＧＲ、オペアンプ１５１の出力側に接続されるトランジスタ１５２、１５３、固定抵抗１５４、可変抵抗１５５を有している。

レジスタ１８１の設定値に応じて、ＢＧＲの電圧が設定され、可変抵抗１５５の抵抗値を変えることで出力電圧が変更できる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプ１５１の電源オン／オフ、トランジスタ１５３のオン／オフが切り替えられ、出力電圧の出力開始／停止が制御される。

可変レギュレータ１５０では、ＢＧＲの電圧がＢＧＲ＿ＯＵＴから出力される。ＢＧＲの電圧と可変抵抗１５５の電圧に応じてオペアンプ１５１が動作してトランジスタ１５２が制御され、固定抵抗１５４と可変抵抗１５５の比に応じた電圧が出力される。

図２０は、温度センサ１６０の回路構成を示している。温度センサ１６０は、半導体装置１の温度を測定するセンサであり、ＭＣＵ部２００がこの測定結果に基づいて温度特性の補正等するために用いることができる。例えば、温度センサ１６０の特性として、出力温度係数は、−５ｍＶ／℃である。また、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。

図２０に示すように、温度センサ１６０は、オペアンプ１６１を有し、オペアンプ１６１の入力側に接続される電流源１６２、ダイオード１６３、オペアンプ１６１の出力側に接続される固定抵抗１６４、１６５を有している。レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプ１６１の電源をオン／オフすることができる。

温度センサ１６０は、温度に応じてダイオード１６３の電圧が−２ｍＶ／℃で変化し、この電圧をオペアンプ１６１が非反転増幅して、−５ｍＶ／℃として出力する。

図２１は、ＳＰＩインタフェース１８０の通信タイミングを示している。ＳＰＩインタフェース１８０は、ＭＣＵ部とＡＦＥ部間のインタフェースであり、ＡＦＥ部の設定、すなわちレジスタ１８１の書き込み／読み出し読出しを行う。ここでは、ＳＰＩクロック周波数は１０ＭＨｚであり、通信データ量は１６ビット、通信方向はＭＳＢである。

図２１に示すように、チップセレクトＣＳ（反転信号）、シリアルクロックＳＣＬＫ（反転信号）、シリアルデータ入力ＳＤＩが、ＭＣＵ部２００からＡＦＥ部１００へ入力され、シリアルデータ出力ＳＤＯが、ＡＦＥ部１００からＭＣＵ部２００へ出力される。

チップセレクトＣＳがローレベルとなり、シリアルクロックＳＣＬＫに同期して各ビットが入出力される。ＭＣＵ部２００は、Ｒ／Ｗにレジスタ１８１のリード／ライトを示すビットを設定し、Ａ１〜Ａ６に、リード／ライトするレジスタ１８１のアドレスを設定する。

Ｒ／Ｗがライトの場合、ＭＣＵ部２００は、Ｄ０〜Ｄ７にレジスタへ書き込むデータを設定する。Ｒ／Ｗがリードの場合、ＡＦＥ部２００は、Ｄ０〜Ｄ７にレジスタ１８１から読み出したデータを設定する。

ＡＦＥ部１００は、ＳＤＩでＲ／Ｗ、Ａ１〜Ａ６が入力されると、クロックＳＣＬＫの立ち上りエッジのタイミング（ｔ１）でデータをサンプリングし、Ａ０のタイミング（ｔ２）で、Ｒ／Ｗとアドレスをラッチする。Ａ０の後、Ｄ７〜Ｄ０クロックＳＣＬＫの立下りエッジのタイミング（ｔ３）で送信データを１ビットシフトして設定する。さらに、チップセレクトＣＳのタイミング（ｔ４）でデータをラッチする。

このように、本実施形態の半導体装置１は、半導体装置内部のＡＦＥ部１００の回路構成や特性を可変に設定することができる。このため、一つの半導体装置で様々なセンサ等を接続することができ、多くの応用システム（アプリケーション）で使用することができる。

例えば、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成を、非反転アンプとした場合、電圧出力型のセンサを接続可能であるため、赤外線センサ、温度センサ、磁気センサ等を用いた応用システムに使用できる。一例として、赤外線センサを備えたデジタルカメラ、温度センサを備えたプリンタ、磁気センサを備えたタブレット端末、赤外線センサを備えたエアコン等に使用することができる。

また、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成を、計装アンプとした場合、微弱な差動出力のセンサを接続可能となるため、圧力センサ、ジャイロセンサ、ショックセンサ等を用いた応用システムに使用できる。一例として、圧力センサを備えた血圧計、圧力センサを備えた体重計、ジャイロセンサを備えた携帯電話、ショックセンサを備えた液晶テレビ等に使用することができる。

さらに、コンフィギュラブル・アンプ１１０の回路構成を、Ｉ／Ｖアンプとした場合、電流出力のセンサを接続可能なため、フォトダイオード、人感センサ、赤外線センサ等を用いた応用システムに使用できる。一例として、フォトダイオードを備えたデジタルカメラ、人感センサを備えた監視カメラ、人感センサを備えた便座、赤外線センサを備えたバーコードリーダ等に使用することができる。

図２２〜図２４を用いて、半導体装置１にセンサを接続したシステム例について説明する。図２２は、半導体装置１に３種類のセンサを接続した例である。この例では、コンフィギュラブル・アンプ１１０を、３ｃｈの独立した個別アンプＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に設定し、それぞれ別のセンサを接続する。

ＡＭＰ１には、焦電センサ（赤外線センサ）２１を接続する。このため、ＡＭＰ１を焦電センサ２１に適した構成・特性に設定する。ＡＭＰ１は、回路構成を非反転アンプに設定し、入力を焦電センサ２１が接続された外部入力端子に接続し、出力をＭＣＵ部２００が接続された外部出力端子に接続する。また、ゲイン、オフセット等を焦電センサ２１に合わせて設定する。これにより、焦電センサ２１の出力信号が、ＡＭＰ１で非反転増幅されてＭＣＵ部２００へ出力され、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０でＡ／Ｄ変換されて、焦電センサ２１の検出に応じた処理が実行される。

ＡＭＰ２には、サーミスタ（温度センサ）２２を接続する。このため、ＡＭＰ２をサーミスタ２２に適した構成・特性に設定する。ＡＭＰ２は、回路構成を非反転アンプに設定し、入力をサーミスタ２２が接続された外部入力端子に接続し、出力をＭＣＵ部２００が接続された外部出力端子に接続されている。また、ゲイン、オフセット等をサーミスタ２２に合わせて設定する。これにより、サーミスタ２２の出力信号が、ＡＭＰ２で非反転増幅されてＭＣＵ部２００へ出力され、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０でＡ／Ｄ変換されて、サーミスタ２２の検出に応じた処理が実行される。

ＡＭＰ３には、フォトダイオード２３を接続する。このため、ＡＭＰ３をフォトダイオード２３に適した構成・特性に設定する。ＡＭＰ３は、回路構成を非反転アンプに設定し、入力をフォトダイオード２３が接続された外部入力端子に接続する。ＡＭＰ３の出力は、増幅アンプ１２０の入力に接続し、増幅アンプ１２０の出力をフィルタ（ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０含む）の入力に接続し、フィルタの出力をＭＣＵ部２００が接続された外部出力端子に接続する。また、ＡＭＰ３のゲイン及びオフセット、増幅アンプ１２０のゲイン、フィルタ（１３０，１４０）のカットオフ周波数をフォトダイオード２３に合わせて設定する。これにより、フォトダイオード２３の出力信号が、ＡＭＰ２で非反転増幅され、さらに増幅アンプ１２０で増幅された後、フィルタ（１３０，１４０）によりノイズが除去されて、ＭＣＵ部２００へ出力される。ＭＣＵ部２００では、Ａ／Ｄコンバータ２６０によりＡ／Ｄ変換されて、フォトダイオード２３の検出に応じた処理が実行される。

なお、温度センサ１６０の出力が、ＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０に接続され、可変レギュレータ１５０の出力電圧（３．３Ｖ）がＡ／Ｄコンバータ２６０に供給されている。

図２３は、半導体装置１に焦電センサやサーミスタ等の電圧型センサ２４を接続する例である。例えば、電圧型センサ２４を備えたデジタルカメラやプリンタ、タブレット端末、エアコンなどの応用システムに適用可能な例である。

コンフィギュラブル・アンプ１１０を、３ｃｈの独立した個別アンプとしてＡＭＰ１を使用する。電圧型センサ２４の出力信号に対応するため、ＡＭＰ１の回路構成を非反転アンプとする。この例では、電圧型センサ２４の出力信号を、ＡＭＰ１で増幅し、ローパス・フィルタ１３０を通した後、ＭＣＵ部２００でＡ／Ｄ変換する。

したがって、ＡＭＰ１の入力を、電圧型センサ２４が接続された外部入力端子に接続し、ＡＭＰ１の出力をローパス・フィルタ１３０の入力に接続する。この例では、外部端子を介してＡＭＰ１の出力とローパス・フィルタ１３０の入力とを接続する。ローパス・フィルタ１３０の出力をＭＣＵ部２００のＡＤポート２６２（Ａ／Ｄコンバータの入力ポート）に接続する。ローパス・フィルタ１３０のクロックは、ＭＣＵ部２００のタイマ２４０により供給される。

電圧型センサ２４の特性に合わせて、ローパス・フィルタ１３０のカットオフ周波数を設定し、ＡＭＰ１のゲイン及びオフセット等を設定することで、電圧型センサ２４に最適な回路を構成することができる。

なお、温度センサ１６０の出力は、ＭＣＵ部２００のＡＤポート２６２に接続される。ＶＣＣ電源が、ＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００に供給され、可変レギュレータ１５０の出力がＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０の電源入力に接続されている。

図２４は、半導体装置１にフォトダイオード等の電流型センサ２５を接続する例である。電流型センサを備えた火災報知器や監視カメラ、便座、バーコードリーダなどの応用システムに適用可能な例である。

コンフィギュラブル・アンプ１１０を、３ｃｈの独立した個別アンプとしてＡＭＰ２、ＡＭＰ３を使用する。電流型センサ２５の出力信号に対応するため、ＡＭＰ１の回路構成をＩ／Ｖアンプとし、ＡＭＰ３の回路構成を非反転アンプとする。このように、ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の２つのアンプを任意に接続して構成することも可能である。

この例では、電流型センサ２５の出力信号を、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３で増幅し、さらに、ハイパス・フィルタ１４０、ローパス・フィルタ１３０を通した後、ＭＣＵ部２００でＡ／Ｄ変換する。

したがって、ＡＭＰ２の入力を電流型センサ２５が接続された外部入力端子に接続し、ＡＭＰ２の出力をＡＭＰ３の入力に接続し、ＡＭＰ３の出力をハイパス・フィルタ１４０の入力に接続する。そして、ハイパス・フィルタ１４０の出力をローパス・フィルタ１３０の入力に接続し、ローパス・フィルタ１３０の出力をＭＣＵ部２００のＡＤポート２６２に接続する。ハイパス・フィルタ１４０及びローパス・フィルタ１３０のクロックは、ＭＣＵ部２００のタイマ２４０により供給される。

電流型センサ２５の特性に合わせて、ＡＭＰ１、ＡＭＰ２のゲイン及びオフセット等を設定し、ハイパス・フィルタ、ローパス・フィルタのカットオフ周波数を設定することで、電流型センサ２５に最適な回路を構成することができる。

なお、温度センサ１６０と可変レギュレータ１５０は、図２３と同様にＭＣＵ部２００と接続されている。

図２４の例では、発光ダイオード２６がＭＣＵ部２００に接続されており、ＭＣＵ部２００の制御により発光ダイオード２６が発光する。そうすると、発光ダイオード２６から出力される光を電流型センサ２５が検出し、検出に応じた信号がＡＦＥ部１００，ＭＣＵ部２００により処理される。

次に、本実施形態に係る半導体装置１のＭＣＵ部２００の構成について説明する。本実施形態では、上記のように、ＭＣＵ部２００からの制御によって、ＡＦＥ部１００の構成・特性を設定し変更する。ＭＣＵ部２００では、メモリ２２０に記憶されたプログラムをＣＰＵコア２１０が実行することで、ＡＦＥ部１００の構成変更（構成設定）制御を実現する。

図２５は、ＡＦ部１００の構成変更を行うためのＭＣＵ部２００の機能構成例を示している。図２５に示すように、ＭＣＵ部２００は、変更タイミング検出部２０１、レジスタ読み書き部（構成設定部）２０２、Ａ／Ｄ変換部２０３を有している。例えば、変更タイミング検出部２０１及びレジスタ読み書き部２０２は、プログラムがＣＰＵコア２１０で実行されることにより実現され、Ａ／Ｄ変換部２０３はＡ／Ｄコンバータ２６０により実現されている。

変更（設定）タイミング検出部２０１は、ＡＦＥ部１００の構成及び特性を設定変更するタイミングを検出しレジスタ読み書き部２０２へ通知する。変更タイミングとしては、半導体装置外部のコンピュータ装置からの指示や、ＭＣＵ部２００のタイマ２４０、ＡＦＥ部１００からの信号等が利用できる。また、すでにメモリ２２０にレジスタ１８１の設定情報が書き込まれている場合、半導体装置１の起動時の初期化のタイミングが設定タイミングとなる。

レジスタ読み書き部（設定部）２０２は、変更タイミング検出部２０１の検出にしたがって、ＡＦＥ部１００のレジスタ１８１へ構成情報の書き込みを行いＡＦＥ部１００の構成及び特性を変更する。書き込みを行う構成情報（設定情報）の内容は、外部のコンピュータ装置からの入力された情報でもよいし、ＭＣＵ部２００があらかじめメモリ２２０に記憶した情報や、ＣＰＵコア２１０がプログラムの実行により生成した情報であってもよい。

また、レジスタ読み書き部２０２は、外部のコンピュータ装置からの指示にしたがって、ＡＦＥ部１００のレジスタ１８１の読み出しも行う。なお、レジスタ読み書き部２０２は、上記のようにＡＦＥ部１００に対してレジスタ１８１のアドレスを指定して書き込み／読み出しを行う。

Ａ／Ｄ変換部２０３は、ＡＦＥ部１００から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３は、レジスタ読み書き部２０２の動作に応じて、Ａ／Ｄ変換動作のオン／オフを切り替える。

このような構成により、半導体装置１の動作中にＭＣＵ部２００からＡＦＥ部１００の構成及び特性を切り替えることができる。

例えば、火災報知器や自動水栓装置などにおいて、６月や１年経過ごとにアンプのゲインを大きくすることが可能である。これにより、センサの感度がほこりや経年劣化によって低下した場合でも、定期的にゲインを大きくすることでセンサの感度を一定に保つことができ、長期的に装置を正常動作させることができる。

また、動作時間に応じてＡＦＥ部１００のパワーオフ・モードを制御することができる。例えば、所定の間隔でＡＦＥ部１００の各回路の電源オン／オフを切り替え間欠動作させることができ、間欠動作する回路も自由に選択することが可能である。したがって、半導体装置１の低消費電力化を図ることができる。

また、半導体装置１に接続するセンサ２の特性を検出し、センサ２の特性に合わせて自動的にＡＦＥ部１００の構成・特性を変更することもできる。例えば、センサ２の特性ばらつきに応じてばらつきを吸収するトリミングを行うことが可能である。

ＭＣＵ部２００からの制御により、ＡＦＥ部１００の動作中に回路の構成・特性を変更するため、ＡＦＥ部１００の出力信号にノイズが発生する恐れがある。図２６は、この構成変更時のＡＦＥ部１００の出力信号の例を示している。

図２６（ａ）のように、ＳＰＩインタフェースによって、ＭＣＵ部２００からＡＦＥ部１００のレジスタ１８１を書き替えて、ＡＭＰ１のゲインを６ｄＢから１２ｄＢに切り替える。そうすると、図２６（ｂ）のように、ゲインを切り替える際に、図８で示した可変抵抗の抵抗値を変更するため、ＡＭＰ１のオペアンプから出力される出力信号にノイズが発生する可能性がある。

このため、本実施形態では、図２６（ｃ）のように、Ａ／Ｄ変換部２０３のオン／オフを切り替える。まず、６ｄＢで動作中はＡ／Ｄ変換部２０３をオンである。変更タイミング検出部２０１が構成変更のタイミングを検出し、レジスタ読み書き部２０２が、ＡＦＥ部１００のレジスタ１８１へ書き込みを開始したとき、Ａ／Ｄ変換部２０３をオフにしてＡ／Ｄ変換を停止する。そして、レジスタ１８１の書き込みが完了したとき、Ａ／Ｄ変換部２０３をオンにしてＡ／Ｄ変換を開始する。このように制御することで、構成変更時のノイズがＡ／Ｄ変換されないため、ノイズによる誤動作を防ぐことができる。

なお、Ａ／Ｄ変換のオン／オフに限らず、アンプのノイズを除去してもよい。例えば、構成変更時には、アンプとフィルタを接続する構成としてノイズをフィルタリングしてもよい。また、アンプの出力先を選択するスイッチを切り替えて、ＭＣＵ部２００との接続を一時的に切断してもよい。

以上のような本実施形態に係る半導体装置１では、接続するセンサに応じてＡＦＥ部１００の構成及び特性を決定する必要があるため、センサに適した半導体装置１（センサシステム）の設計開発において、半導体装置１を用いてレジスタ設定値の評価が行われる。以下、半導体装置１の開発工程で行われる設定評価について説明する。

図２７は、本実施形態に係る半導体装置１の設定評価システム（開発支援システム）の構成を示している。図２７に示すように、この設定評価システムは、設定評価装置３、半導体装置１を搭載する評価ボード１０、センサ２を搭載するセンサボードを有している。

評価ボード１０は、ＵＳＢインタフェース１１、センサインタフェース１２を備えている。設定評価装置３はＵＳＢケーブルによりＵＳＢインタフェース１１に接続され、ＵＳＢインタフェース１１を介して、設定評価装置３と半導体装置の間で入出力可能に接続される。センサボード２０はセンサインタフェース１２により接続され、センサインタフェース１２を介して、センサ２と半導体装置１とが入出力可能に接続される。

設定評価装置（開発支援装置）３は、後述のＧＵＩを用いることで、半導体装置１に対してＡＦＥ部１００のレジスタ１８１を設定する。半導体装置１は、設定評価装置３の指示に従ってレジスタ１８１を書き替え、センサ２の出力信号の増幅、Ａ／Ｄ変換等を行う。設定評価装置３は、半導体装置１のＡ／Ｄ変換結果を取得して半導体装置１の動作を確認し、レジスタ１８１の設定値を評価する。

図２８は、設定評価装置３を実現するためのハードウェア構成の例を示している。図２８に示すように、設定評価装置３は、パーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータ装置であり、中央処理装置（ＣＰＵ）３１とメモリ３４とを含んでいる。ＣＰＵ３１とメモリ３４は、バスを介して補助記憶装置としてのハードディスク装置（ＨＤＤ）３５に接続される。設定評価装置３は、ユーザ・インターフェース・ハードウェアとして、例えば、ユーザが入力するためのポインティング・デバイス（マウス、ジョイスティック等）やキーボード等の入力装置３２や、ＧＵＩ等の視覚データをユーザに提示するためのＣＲＴや液晶ディスプレイなどの表示装置３３を有している。ＨＤＤ３５等の記憶媒体にはオペレーティングシステムと協働してＣＰＵ３１等に命令を与え、設定評価装置３の機能を実施するためのプログラムを記憶することができる。このプログラムは、メモリ３４にロードされることによって実行される。また、設定評価装置３は、評価ボード１０等に接続するＵＳＢ等の入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）３６を有している。なお、設定評価装置３は、単一のコンピュータでなくとも、複数のコンピュータによって構成することも可能である。

図２９は、設定評価装置３の機能ブロックを示している。図２９に示すように、設定評価装置３は、制御部３００と記憶部３１０を有している。

制御部３００は、ＣＰＵ３１がプログラムを実行することで各部の機能を実現している。制御部３００は、ＧＵＩ処理部３０１、レジスタ設定部３０２、レジスタ取得部３０３、Ａ／Ｄ変換制御部３０４、Ａ／Ｄ変換結果取得部３０５、ＳＰＩモニタ部３０６を有している。

記憶部３１０は、ＨＤＤ３５やメモリ３４により実現されている。記憶部３１０には、ＧＵＩ情報３１１、レジスタ設定情報３１２、レジスタ取得情報３１３、Ａ／Ｄ変換制御情報３１４、Ａ／Ｄ変換結果情報３１５、ＳＰＩモニタ情報が格納される。

ＧＵＩ情報３１１は、後述のように半導体装置１を設定評価するためのウィンドウ等からなるＧＵＩを表示するための情報である。ＧＵＩ処理部（ＧＵＩ表示部）３０１は、このＧＵＩ情報３１１に基づいて表示装置３３にＧＵＩを表示し、さらに、ユーザによるＧＵＩへの入力操作を受け付ける。

レジスタ設定情報３１２は、半導体装置１のレジスタ１８１に設定する設定情報（構成情報）である。レジスタ設定部（設定情報生成部及び設定部）３０２は、ＧＵＩの入力操作に応じて、このレジスタ設定情報３１２を生成するとともに、生成したレジスタ設定情報３１２を半導体装置１へ出力して構成変更（設定）を指示する。

レジスタ取得情報３１３は、半導体装置１から取得したレジスタ１８１の情報であり、現在のレジスタ１８１に書き込まれている情報である。レジスタ取得部３０３は、半導体装置１へ指示して、このレジスタ取得情報３１３を取得し、ＧＵＩを介してユーザへ出力する。

Ａ／Ｄ変換制御情報３１４は、半導体装置１のＭＣＵ部２００におけるＡ／Ｄ変換のためのパラメータ等の情報である。Ａ／Ｄ変換制御部３０４は、ＧＵＩの入力操作に応じて、このＡ／Ｄ変換制御情報３１４を生成し、半導体装置１へＡ／Ｄ変換制御情報３１４を出力してＭＣＵ部２００のＡ／Ｄ変換動作を制御する。

Ａ／Ｄ変換結果情報３１５は、半導体装置１のＭＣＵ部２００におけるＡ／Ｄ変換結果を示す情報である。Ａ／Ｄ変換結果取得部３０５は、半導体装置１へ指示して、このＡ／Ｄ変換結果情報３１５を取得し、ＧＵＩを介してユーザへ出力する。

ＳＰＩモニタ情報３１６は、半導体装置１におけるＭＣＵ部２００とＡＦＥ部１００間のＳＰＩインタフェースの通信情報である。ＳＰＩモニタ部３０６は、半導体装置１へ指示して、このＳＰＩモニタ情報３１６を取得し、ＧＵＩを介してユーザへ出力する。

次に、図３０を用いて、図２７で示した設定評価システムにおける半導体装置１の設定評価方法（開発方法）について説明する。

まず、半導体装置１に接続するセンサ２の構成を確認する（Ｓ１０１）。すなわち、センサ２の回路構成や特性、出力信号を確認する。例えば、センサ２がホール素子の場合、ブリッジ抵抗のセンサ構成となり、出力信号は差動電圧として出力される。

次いで、センサ２を半導体装置１に取り付ける（Ｓ１０２）。すなわち、センサボード２０にセンサ２を取り付け、半導体装置１を搭載した評価ボード１０のセンサインタフェース１２にセンサボード２０を接続する。

次いで、設定評価装置３により半導体装置１の構成及び特性を設定する（Ｓ１０３）。すなわち、評価ボード１０に設定評価装置３を接続し、ユーザが設定評価装置３のＧＵＩを操作して、半導体装置１におけるＡＦＥ部１００の回路構成、入力端子、ゲイン、バイアス等の設定を行う。

次いで、設定評価装置３により半導体装置１の構成及び特性を調整する（Ｓ１０４）。すなわち、センサ２の出力信号を半導体装置１によりＡ／Ｄ変換し、このＡ／Ｄ変換の結果に応じて、ユーザが設定評価装置３のＧＵＩを操作して、半導体装置１の構成及び特性を再設定する。例えば、ユーザがＧＵＩによりＡ／Ｄ変換結果を参照しながら、ＡＦＥ部１００のＤＡＣバイアスを調整し、アンプの中間電位の設定等を行う。

次に、図３１を用いて、設定評価装置３において実行される設定評価処理について説明する。なお、この設定評価は、図３０のＳ１０３，Ｓ１０４にて行われる。設定評価装置３には、図３１の設定評価処理を行うための設定評価プログラムが格納されており、ユーザが設定評価プログラムを実行すると、以下の処理が開始される。

まず、ＧＵＩ処理部３０１は、ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウを表示する（Ｓ２０１）。すなわち、ＧＵＩ処理部３０１は、設定評価プログラムが実行されると、最初のウィンドウとしてＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウを表示する。ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウは、半導体装置１のＡ／Ｄ変換を制御するためのウィンドウであり、また、他のウィンドウの表示を開始するためのウィンドウでもある。

次いで、Ａ／Ｄ変換制御部３０４は、半導体装置１に対しＡ／Ｄ変換動作を設定し、Ａ／Ｄ変換を開始させる（Ｓ２０２）。すなわち、Ａ／Ｄ変換制御部３０４は、ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウに対しユーザが入力した操作に従って、Ａ／Ｄ変換のパラメータであるＡ／Ｄ変換制御情報３１４を生成し、半導体装置１のＭＣＵ部２００にＡ／Ｄ変換のパラメータを設定する。そして、ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウの操作に従って、Ａ／Ｄ変換の開始をＭＣＵ部２００へ指示し、ＭＣＵ部２００は、ＡＦＥ部１００からの信号に対してＡ／Ｄ変換を開始する。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＡＤＣ＿ＣｏｎｔｒｏｌウィンドウをＣｌｏｓｅするかどうか判定し（Ｓ２０３）、ユーザがＣｌｏｓｅの操作をするまで、Ｓ２０１，Ｓ２０２を繰り返す。

また、ＧＵＩ処理部３０１は、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウを表示する（Ｓ２０４）。すなわち、ＧＵＩ処理部３０１は、Ｓ２０１のＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウにおいてユーザが、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウの表示をするための操作をすると、このウィンドウを表示する。ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウは、半導体装置１のＡＦＥ部１００の構成及び特性を設定するためのウィンドウである。

次いで、レジスタ設定部３０２は、半導体装置１のレジスタ１８１を設定する（Ｓ２０５）。すなわち、レジスタ設定部３０２は、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウに対しユーザが入力した操作に従って、ＡＦＥ部１００の構成情報であるレジスタ設定情報３１２を生成し、レジスタ設定情報３１２をＭＣＵ部２００へ出力して、ＭＣＵ部２００からＡＦＥ部１００のレジスタ１８１へ書き込みを行う。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウをＣｌｏｓｅするかどうか判定し（Ｓ２０６）、ユーザがＣｌｏｓｅの操作をするまで、Ｓ２０４，Ｓ２０５を繰り返す。

また、レジスタ取得部３０３は、半導体装置１のレジスタ１８１から現在の構成情報を取得する（Ｓ２０７）。すなわち、レジスタ取得部３０３は、Ｓ２０１のＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウにおいてユーザが、レジスタ１８１の設定情報を表示するための操作をすると、ＭＣＵ部２００へ指示して、ＭＣＵ部２００からＡＦＥ部１００のレジスタ１８１を読み出し、読み出したレジスタ取得情報３１３を取得する。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウを表示する（Ｓ２０８）。すなわち、ＧＵＩ処理部３０１は、半導体装置１からレジスタ取得情報３１３を取得すると、ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウを表示し、このウィンドウ内に取得したレジスタ取得情報３１３を表示する。ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウにより、ＡＦＥ部１００に設定されているレジスタ１８１の内容を確認することができる。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウをＣｌｏｓｅするかどうか判定し（Ｓ２０９）、ユーザがＣｌｏｓｅの操作をするまで、Ｓ２０７，Ｓ２０８を繰り返す。

また、Ａ／Ｄ変換結果取得部３０５は、半導体装置１のＭＣＵ部２００からＡ／Ｄ変換結果を取得する（Ｓ２１０）。すなわち、Ａ／Ｄ変換結果取得部３０５は、Ｓ２０１のＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウにおいてユーザが、Ａ／Ｄ変換結果を表示するための操作をすると、ＭＣＵ部２００へ指示して、Ａ／Ｄ変換結果情報３１５を取得する。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウまたはＧｒａｐｈウィンドウを表示する（Ｓ２１１）。すなわち、ＧＵＩ処理部３０１は、半導体装置１からＡ／Ｄ変換結果情報３１５を取得すると、ユーザの操作に従ってＰｏｒｔＤａｔａウィンドウまたはＧｒａｐｈウィンドウを表示し、このウィンドウ内に取得したＡ／Ｄ変換結果情報３１５を表示する。ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウは、Ａ／Ｄ変換結果情報３１５を数値で表示し、Ｇｒａｐｈウィンドウは、Ａ／Ｄ変換結果情報３１５をグラフで表示する。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウまたはＧｒａｐｈウィンドウをＣｌｏｓｅするかどうか判定し（Ｓ２１２）、ユーザがＣｌｏｓｅの操作をするまで、Ｓ２１０，Ｓ２１１を繰り返す。

また、ＳＰＩモニタ部３０６は、半導体装置１のＭＣＵ部２００からＳＰＩモニタ情報を取得する（Ｓ２１３）。すなわち、ＳＰＩモニタ部３０６は、Ｓ２０１のＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウにおいてユーザが、ＳＰＩモニタ情報を表示するための操作をすると、ＭＣＵ部２００へ指示して、ＳＰＩモニタ情報３１６を取得する。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウを表示する（Ｓ２１４）。すなわち、ＧＵＩ処理部３０１は、半導体装置１からＳＰＩモニタ情報３１６を取得すると、ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウを表示し、このウィンドウ内に取得したＳＰＩモニタ情報３１６を表示する。

次いで、ＧＵＩ処理部３０１は、ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウをＣｌｏｓｅするかどうか判定し（Ｓ２１５）、ユーザがＣｌｏｓｅの操作をするまで、Ｓ２１３，Ｓ２１４を繰り返す。

次に、図３２〜図４２を用いて、図３１の各処理で設定評価装置３に表示されるＧＵＩの表示例について説明する。

図３２は、図３１のＳ２０１で表示されるＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウの表示例である。図３２に示すように、ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウ４００は、Ａ／Ｄ変換のパラメータを設定するＡ／Ｄ変換制御エリア４０１、他のウィンドウの表示を開始するためのウィンドウ開始エリア４０２を有している。Ａ／Ｄ変換制御エリア４０１では、各パラメータが入力されると、入力されるごとに、ＭＣＵ部２００へパラメータが出力される。

Ａ／Ｄ変換制御エリア４０１において、「Ａ／Ｄ変換許可」チェックボックス４０３は、チェックを入れることでＡ／Ｄ変換の許可を設定する。半導体装置１のＭＣＵ部２００が、ＡＦＥ部１００の各出力信号についてＡ／Ｄ変換するか否かを設定する。「全て選択」ボタン４０４により、全てのチェックボックスを一括でチェックすることができ、「全てクリア」ボタン４０５により、全てのチェックボックスを一括でクリアすることができる。

「グラフ表示」チェックボックス４０６は、チェックを入れることでグラフ表示をする出力端子を選択する。グラフ表示するＧｒａｐｈウィンドウに、ＡＦＥ部１００のどの出力信号のＡ／Ｄ変換結果を出力するか設定する。

「サイクル」入力ボックス４０７は、ＭＣＵ部２００におけるＡ／Ｄ変換のサンプリング周期をｍｓ単位で設定する。入力ボックスのスピンボタンにより数値を変えることができ、また入力ボックス下方のスクロールバーにより数値を変えることも可能である。

「カウント」入力ボックス４０８は、ＭＣＵ部２００においてＡ／Ｄ変換を行う回数を設定する。なお、「０」を入力した場合は、測定回数無制限となり、プログラムを終了するまで（ウィンドウを閉じるまで）、Ａ／Ｄ変換が繰り返される。「サイクル」と同様、スピンボタン、スクロールバーによって設定することができる。

「ＡＤＣｓｔａｒｔ」ボタン４０９は、ＭＣＵ部２００に対し、Ａ／Ｄ変換の実行開始を設定する。「ＡＤＣｓｔａｒｔ」ボタン４０９をクリックすると、ＭＣＵ部２００において、Ａ／Ｄ変換許可された出力端子の信号に対しＡ／Ｄ変換が開始される。

「スリープモード」チェックボックス４１０は、半導体装置１のスリープモードのＯＮ／ＯＦＦを設定する。チェックを入れた場合、スリープモードがＯＮに設定される。例えば、半導体装置１において、ＭＣＵ部２００は、ＡＦＥ部１００の各回路の電源をオフしスリープモードとなる。

「クロック選択」プルダウンメニュー４１１は、ＭＣＵ部２００で発生させるクロックの周波数を選択し設定する。ＭＣＵ部２００は、選択されたクロックをオシレータ２３０により生成し、これを動作クロックとして動作する。

ウィンドウ開始エリア４０２では、各ボタンがそれぞれ表示するウィンドウに対応している。「ＣｈｉｐＣｏｎｆｉｇ」ボタン４１２は、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウを表示するためのボタンである。このボタンをクリックすると、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウが表示され、ＧＵＩによって半導体装置１のＡＦＥ部１００の構成及び特性をレジスタ１８１に設定することができる。

「ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔ」ボタン４１３は、ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウを表示するためのボタンである。このボタンをクリックすると、ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウが表示され、ＡＦＥ部１００のレジスタ１８１の設定値を表示することができる。

「Ｄａｔａ」ボタン４１４は、ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウを表示するためのボタンである。このボタンをクリックすると、ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウが表示され、ＭＣＵ部２００におけるＡ／Ｄ変換結果のデータを数値表示することができる。

「Ｇｒａｐｈ」ボタン４１５は、Ｇｒａｐｈウィンドウを表示するためのボタンである。このボタンをクリックすると、Ｇｒａｐｈウィンドウが表示され、ＭＣＵ部２００におけるＡ／Ｄ変換結果をグラフ表示することができる。

「ＳｅｒｉａｌＰｏｒｔＭｏｎｉｔｏｒ」ボタン４１６は、ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウを表示するためのボタンである。このボタンをクリックすると、ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウが表示され、半導体装置１のＭＣＵ部２００−ＡＦＥ部１００間のＳＰＩインタフェースの通信状況を表示することができる。

「Ｃｌｏｓｅ」ボタン４１７は、このＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウ４００を閉じて、プログラムを終了するためのボタンである。このボタンは図３１のＳ２０３に対応している。

図３３は、図３１のＳ２０４で表示されるＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウの表示例である。図３３に示すように、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウ４２０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の設定を行うコンフィギュラブル・アンプ設定エリア４２１、増幅アンプ１２０の設定を行う増幅アンプ設定エリア４２２、ローパス・フィルタ１３０及びハイパス・フィルタ１４０の設定を行うフィルタ回路設定エリア４２３、各オペアンプに接続されるＤＡＣの基準電圧の設定を行うＤＡＣ基準電圧設定エリア４２４、可変レギュレータ１５０の設定を行う可変レギュレータ設定エリア４２５、温度センサ１６０の設定を行う温度センサ設定エリア４２６、汎用アンプ１７０の設定を行う汎用アンプ設定エリア４２７を有している。

コンフィギュラブル・アンプ設定エリア４２１には、コンフィギュラブル・アンプ全体の設定を行う全体設定エリア４２８とＣｈ１、Ｃｈ２、Ｃｈ３のＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３を個別に設定する個別設定エリア４２９を有している。個別設定エリア４２９は、ＡＭＰ１、ＡＭＰ２、ＡＭＰ３をそれぞれ設定できるように各アンプのエリアが表示される。

全体設定エリア４２８において、「構成」プルダウンメニュー（全体構成設定部）４３０は、コンフィギュラブル・アンプ１１０の全体の回路構成を選択し設定する。ここで「ＩｎｓｔＡＭＰ」を選択した場合、ＣＨ１〜３のアンプを接続した計装アンプが構成される。そして、「ＩｎｓｔＡＭＰ」に設定したときのみ、「ゲイン」プルダウンメニュー（全体特性設定部）４３１で、計装アンプのゲインを選択し設定できる。

図３４は、「構成」プルダウンメニュー４３０で「ＩｎｓｔＡＭＰ」を選択した場合の表示例である。図３４に示すように、この場合、Ｃｈ１〜Ｃｈ３のアンプが自動的に接続された構成となり、Ｃｈ１〜Ｃｈ３の各アンプは設定できない状態となる。すなわち、計装アンプ全体のゲインと、ＡＭＰ３のＤＡＣのみ設定できる。

図３３の「構成」プルダウンメニュー４３０において「Ｓｅｐａｒａｔｅ」を選択した場合、コンフィギュラブル・アンプのＣＨ１〜３を個別に設定可能な状態となる。図３５は、「Ｓｅｐａｒａｔｅ」を選択した場合の表示例である。図３５に示すように、この場合、Ｃｈ１〜Ｃｈ３の各アンプは未接続で独立した構成となり、個別に構成及び特性を設定できる。すなわち、各アンプの構成、ゲイン、ＤＡＣ等が設定でき、全体のゲインは設定できない。

図３５に示すように個別設定エリア４２９では、その上部に、設定対象のアンプの名称が表示され、それぞれ「Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｃｈ１」、「Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｃｈ２」、「Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｃｈ３」と表示されている。

「ＯＮ／ＯＦＦ」スライドスイッチ４３２は、個別アンプのパワーＯＮ／ＯＦＦを設定する。スライドスイッチのつまみをドラック／ドロップし、ＯＮ／ＯＦＦを設定する。

「構成」プルダウンメニュー（個別構成設定部）４３３は、個別アンプの回路構成を選択し設定する。ここで、「Ｉｎｖｅｒｔｏｒ」を選択した場合、個別アンプの構成を反転アンプに設定され、「Ｆｏｒｗａｒｄ」を選択した場合、個別アンプの構成を非反転アンプに設定され、「Ｄｉｆｆ」を選択した場合、個別アンプの構成を差動アンプに設定され、「Ｉ／Ｖ」を選択した場合、個別アンプの構成をＩ／Ｖアンプに設定され、各回路構成が自動的に設定される。

また、「構成」プルダウンメニュー４３３で「Ｃｕｓｔｏｍ」を選択した場合、個別アンプの内部を詳細に設定できる。なお、Ｃｈ１〜Ｃｈ３の各アンプのアイコンをクリックした場合もて詳細な設定が可能である。

具体的には、図３６のように、ＡＭＰ＿Ｃｕｓｔｏｍウィンドウを表示し設定する。このＡＭＰ＿Ｃｕｓｔｏｍウィンドウ４５０では、個別アンプの実際の回路構成と同じ回路イメージが表示される。

スライドスイッチ４５１によりアンプの電源ＯＮ／ＯＦＦが設定され、プルダウンメニュー４５２〜４５４によりアンプの入力端子、出力端子の接続先が設定され、プルダウンメニュー４５５によりアンプのゲインが設定され、プルダウンメニュー４５６〜４５８により入力抵抗、ＤＡＣの接続が設定され、プルダウンメニュー４５９によりＤＡＣの出力電圧が設定される。なお、ゲインの設定は、アンプの構成によって異なるため、設定値表示エリア４６０に表示される設定値が設定される。

また、図３５に示すように「ゲイン」プルダウンメニュー（個別特性設定部）４３４は、個別アンプのゲインを選択し設定する。回路構成を「Ｉ／Ｖ」に設定したときは、プルダウンメニューの表示は帰還抵抗値となる。例えば、回路構成に応じて選択できる範囲が変更されるように表示してもよい。

「ＤＡＣ」入力ボックス（個別特性設定部）４３５は、８ｂｉｔＤＡＣの出力電圧を設定する。なお、複数のＤＡＣの設定値を連動させてもよい。この入力ボックスには、０〜２５５までの数字が入力でき、入力ボックスのスピンボタンにより、設定値を「１」単位で上昇または下降させることができる。そして、入力ボックスに数字を入力すると、実際のＤＡＣ出力電圧値がＤＡＣのアイコンの右下に表示される。

図３３のその他のエリアについて説明する。図３３に示すように、増幅アンプ設定エリア４２２では、その上部に、設定対象の回路名として、「ＧａｉｎＡＭＰ」が表示されている。

増幅アンプ設定エリア４２２では、コンフィギュラブル・アンプと同様に、スライドスイッチ４３６によりパワーＯＮ／ＯＦＦを設定し、プルダウンメニュー４３７によりゲインを設定し、入力ボックス４３８によりＤＡＣの出力を設定する。このＤＡＣの設定は、フィルタと共通になっている。

フィルタ回路設定エリア４２３では、その上部に、設定対象の回路名として、「Ｆｉｌｔｅｒｓ」が表示されている。

「順序」プルダウンメニュー４３９は、フィルタ回路の通過順序を選択し設定する。ここで「ＬＰＦ」を選択した場合、ローパス・フィルタ１３０のみ通過する構成に自動的に設定され、「ＨＰＦ」を選択した場合、ハイパス・フィルタ１４０のみ通過する構成に自動的に設定され、「ＬＰＦ→ＨＰＦ」を選択した場合、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の順に通過する構成に自動的に設定され、「ＨＰＦ→ＬＰＦ」を選択した場合、 ハイパス・フィルタ１４０、ローパス・フィルタ１３０の順に通過する構成に自動的に設定される。

「ＬＰＦカットオフ周波数」プルダウンメニュー４４０は、ローパス・フィルタ１３０のカットオフ周波数を選択し設定し、「ＨＰＦカットオフ周波数」プルダウンメニュー４４１は、ハイパス・フィルタ１４０のカットオフ周波数を選択し設定する。なお、ローパス・フィルタ１３０、ハイパス・フィルタ１４０の電源ＯＮ／ＯＦＦを設定できるようにしてもよい。

ＤＡＣ基準電圧設定エリア４２４では、その上部に、設定対象の回路名として「ＤＡＣ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｖｏｌｔａｇｅ」と表示されている。

「＋電位」プルダウンメニュー４４２は、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧上限値を設定する。ここで、「ＡＶＤＤ」を選択した場合、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧上限値が、ＡＶＤＤに設定される。「４／５ＡＶＤＤ」を選択した場合、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧上限値が、（４／５）×ＡＶＤＤに設定される。「３／５ＡＶＤＤ」を選択した場合、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧上限値が、（３／５）×ＡＶＤＤに設定される。

「−電位」プルダウンメニュー４４３は、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧下限値を設定する。「ＡＧＮＤ」を選択した場合、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧下限値が、ＡＧＮＤに設定される。「１／５ＡＶＤＤ」を選択した場合、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧下限値が、（１／５）×ＡＶＤＤに設定される。「２／５ＡＶＤＤ」を選択した場合、各８ｂｉｔＤＡＣ（ＤＡＣ１〜４）の設定電圧下限値が、（２／５）×ＡＶＤＤに設定される。

可変レギュレータ設定エリア４２５には、その上部に、設定対象の回路名として、「Ｖｏｌｔａｇｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ」が表示されている。ここでは、コンフィギュラブル・アンプと同様に、スライドスイッチ４４４によりパワーＯＮ／ＯＦＦを設定する。

「出力電圧」プルダウンメニュー４２５は、可変レギュレータ１５０の出力電圧を選択し設定する。

温度センサ設定エリア４２６は、その上部に、設定対象の回路名として、「Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ」が表示されている。ここでは、コンフィギュラブル・アンプと同様に、スライドスイッチ４４６によりパワーＯＮ／ＯＦＦを設定する。

汎用アンプ設定エリアの４２７は、その上部に、設定対象の回路名として、「Ｇｅｎｅｒａｌ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ」が表示されている。ここでは、コンフィギュラブル・アンプと同様に、スライドスイッチ４４７によりパワーＯＮ／ＯＦＦを設定する。

また、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウでは、各接続端子の接続を設定できる。図３７は、端子の接続の表示例である。符号４６１のように、ＡＦＥ部１００の外部端子は四角の図形で表示されており、四角印の横に外部端子名が表示されている。

ＡＦＥ部１００内部の各回路の内部端子は丸の図形で表示されている。白丸の内部端子は未接続状態の端子であり、黒丸の内部端子は接続状態の端子である。例えば、符号４６２の白丸をクリックすると黒丸に表示が切り替わり、接続された状態となる。

各配線は、細線が未接続状態の配線であり、符号４６３のように太線が接続状態の配線を示している。細い配線をクリックしたときに、太線に切り替えて接続状態としてもよい。

なお、上記では、詳細な回路設定として図３６について説明したが、コンフィギュラブル・アンプ以外の各回路についても図３６のように実際の回路構成を表示して、詳細に設定することができる。

また、１つのウィンドウで、各回路を詳細に設定できるようにしてもよい。例えば、図３８ように、全ての回路イメージを表示し設定できるようにしてもよい。図３８は、図３の回路構成に対応して回路イメージを表示して詳細に設定可能なＭａｎｕａｌＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウの表示例である。図３８では、ＡＦＥ部１００の各回路が表示され、各回路を設定するためのプルダウンメニューが表示されている。なお、設定方法、設定内容については、上記と同様であるため、説明を省略する。

図３９は、図３１のＳ２０８で表示されるＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウの表示例である。図３９に示すように、ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウ５００では、レジスタ表示エリア５０１にレジスタ設定値の一覧が表示される。

レジスタ表示エリア５０１には、レジスタのアドレスごとに、アドレス、レジスタ名、レジスタの属性、レジスタのデータのビット表示とＨＥＸ表示の項目について一覧表示される。レジスタ名を表示することで、何を設定するレジスタであるのか一目で理解することができる。また、データの各ビットの意味を表示することで、各データが何を設定するビットであるのか理解することができる。

「Ｆｏｎｔ」プルダウンメニュー５０２は、レジスタ表示エリア５０１のフォントサイズを選択し指定できる。「ＲｅｇｉｓｔｅｒＲｅｌｏａｄ」ボタン５０３は、ボタンをクリックすることで、レジスタの設定値を半導体装置１から再度取得する。

図４０は、図３１のＳ２１１で表示されるＰｏｒｔＤａｔａウィンドウの表示例である。図４０に示すように、ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウ５１０では、データ表示エリア５１１にＡ／Ｄ変換結果が表示される。データ表示エリア５１１では、行列（縦横）に配列されたセルにデータが表示される。Ｃｏｕｎｔ欄に、Ａ／Ｄ変換のカウント番号が表示され、各Ｃｈ欄にＡ／Ｄ変換結果の数値が表示される。ここでは、ＡＤＣ＿ＣｏｎｔｒｏｌウィンドウでＡ／Ｄ変換許可を与えた出力信号のみが表示される。なお、ＡＦＥ部の出力端子を表示してもよい。

また、図４１に示すように、ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウ５１０には、「Ｆｉｌｅ」メニュー５１２、「編集」メニュー５１３、「表示」メニュー５１４が表示される。例えば、「Ｆｉｌｅ」メニュー５１２では、「名前を付けて保存（Ａ）」を選択することで、Ａ／Ｄ変換結果をファイルに出力することができる。「編集」メニュー５１３では、「コピー（Ｃ）」を選択することで、データの一部または全部をコピーし、他のファイルに貼り付けることができる。

「表示」メニュー５１４では、データ表示の書式を選択できる。ここで、「１０進数」を選択した場合、Ａ／Ｄ変換結果を１０進数で表示し、「１６進数」を選択した場合、Ａ／Ｄ変換結果を１６進数で表示する。また「自動スクロール」を選択すると、Ａ／Ｄ変換が繰り返し行われている場合、Ａ／Ｄ変換結果が自動的にスクロールしながら順次表示される。

図４２は、図３１のＳ２１１で表示されるＧｒａｐｈウィンドウの表示例である。図４２に示すように、Ｇｒａｐｈウィンドウ５２０では、グラフ表示エリア５２１にＡ／Ｄ変換結果が表示される。グラフ表示エリア５２１では、横軸を時間、縦軸をＡ／Ｄ変換結果として表示される。

凡例表示エリア５２２には、グラフの凡例が表示される。ここでは、ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウでグラフ表示にチェックを入れた出力が表示される。

最大値入力ボックス５２３では、グラフの縦軸の最大値を設定できる。例えばデフォルトは１０２４となっている。また、最小値入力ボックス５２４では、グラフの縦軸の最小値を設定できる。例えばデフォルトは０となっている。

「Ｓａｍｐｌｅ」プルダウンメニュー５２５は、グラフの横軸に表示するＳａｍｐｌｅ数を選択する。例えば横軸の目盛は、５０[Ｓａｍｐｌｅ／ｄｉｖ]で固定となっている。

図４３は、図３１のＳ２１４で表示されるＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウの表示例である。図４３に示すように、ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウ５３０では、モニタ表示エリア５３１にＳＰＩモニタ情報が表示される。

モニタ表示エリア５３１には、ＳＰＩの通信データとして、送信（ＴＸ）データ、受信（ＲＸ）データが表示される。送信データとして、例えば、書き込み（ＷＲＩＴＥ）、レジスタアドレス、レジスタデータが表示される。受信データとして、書き込み成功／失敗が表示される。また、読み出したレジスタデータ等も表示される。モニタ表示エリア５３１には、ＳＰＩインタフェースで通信が行われる度に順次、モニタデータが表示される。

以上説明したような本実施形態によって次のような効果が得られる。まず、小型化と低消費電力化を図ることができる。本実施形態では、半導体装置の内部にＭＣＵとＡＦＥ回路を含めた構成としたため、実装基板上に複数のアナログ回路ＩＣを実装する場合と比べて、小型化が可能である。また、低消費電力モードに対応して、ＡＦＥ部の電源をオフし、ＭＣＵ部のスリープモードとすることができるため、消費電力を低減することが可能である。

また、アナログＩＣの開発工程を短縮することができる。センサに適したアナログ回路を開発するためには、通常、回路設計、マスク設計、マスク製作、サンプル製作の工程が必要となるため、３〜８月程度かかる場合がある。本実施形態では、半導体装置の設定を変更するだけで、センサに対応したアナログ回路を構成することができるため、回路設計〜サンプル製作までの開発工程を行わずに半導体装置の開発が可能である。したがって、センサシステムを短期に開発し、早期にタイムリーに市場投入することができる。

また、半導体装置を容易に開発することができる。本実施形態では、ＧＵＩによりセンサに応じたアナログ回路の構成及び特性を設定することから、容易に設定及び評価（システム検証）を行うことが可能である。ＧＵＩにより直感的に構成及び特性を設定することができ、設定と評価を同時に行えるため、さらに短期間で開発することが可能である。

また、同一の半導体装置で複数の応用システムに対応することができる。本実施形態では、回路構成を自由に変更することができるようにしたため、一つの半導体装置で電流型センサや電圧型センサ等の様々なセンサを接続することが可能である。センサごとに別々の半導体装置を開発する必要がないため、開発期間を短縮することができる。

（本発明の実施の形態２）
以下、図面を参照して本発明の実施の形態２について説明する。図４４は、本実施形態に係る半導体装置１の回路ブロックを示している。

実施の形態１に係る半導体装置では、用途を汎用システム向けとして、多くのセンサで必要となるＡＦＥ回路を全て備える構成とした。これに対し、本実施形態に係る半導体装置では、用途を一般計測器向けとして、一般計測器のセンサでのみ必要となるＡＦＥ回路に限定した構成としている。

図４４に示すように、本実施形態の半導体装置１は、ＭＣＵ部２００の構成については図２の実施の形態１と同様であり、ＡＦＥ部１００は、計装アンプ１９０、可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０、を備えている。実施の形態１の半導体装置と比べると、コンフィギュラブル・アンプ、同期検波対応増幅アンプ、ＳＣ型ローパス・フィルタ、ＳＣ型ハイパス・フィルタ、汎用アンプを有しておらず、代わりに計装アンプのみ有する構成となっている。可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、実施の形態１と同様である。

計装アンプ１９０は、一般計測器のセンサに対応して、微弱な差動信号を増幅可能な増幅回路である。計装アンプ１９０は、実施の形態１のコンフィギュラブル・アンプ１１０が構成可能としていた計装アンプと同様の回路である。計装アンプ１９０は、回路構成は固定であり、特性のみ変更可能である。

図４５は、本実施形態に係るＡＦＥ部１００の各回路の接続関係を示している。可変レギュレータ１５０、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、実施の形態１の図３と同様である。

計装アンプ１９０は、回路構成が固定であるため、構成を切り替えるためのスイッチ（マルチプレクサ）を有していない。計装アンプ１９０は、一方の入力端子がＡＭＰ＿ＩＮ１に接続され、他方の入力端子がＡＭＰ＿ＩＮ２に接続され、出力端子がＡＭＰ＿ＯＵＴに接続されている。なお、複数の外部端子との接続を選択するためのスイッチを備えていてもよい。

本実施形態のＡＦＥ部１００における各回路の具体的な回路構成は実施の形態１と同様であるため説明を省略する。すなわち、計装アンプ１９０の回路構成は、図１４で示した構成であり、計装アンプ１９０は、図１４のように、抵抗値を変えることでゲインを設定でき、ＤＡＣの設定を変えることで、動作点やオフセット等を変更できる。

このように、本実施形態の半導体装置１は、ＡＦＥ部１００の回路構成は固定であり特性のみを可変に設定することができる。このため、一つの半導体装置で特性が異なる特定のセンサに対応することができ、特定の応用システムで使用することができる。

例えば、実施の形態１で計装アンプを構成した場合と同様に、微弱な差動出力のセンサである圧力センサ、ジャイロセンサ、ショックセンサ等を用いた応用システムに使用可能である。

図４６は、半導体装置１に磁気センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ等のブリッジセンサ２７を接続する例である。例えば、ブリッジセンサ２７を備えた血圧計、体重計、スマートフォン、液晶テレビなどの応用システムに適用可能な例である。

計装アンプ１９０の一方の入力端子に、ブリッジセンサ２７の一方の出力端子を接続し、計装アンプ１９０の他方の入力端子に、ブリッジセンサ２７の他方の出力端子を接続し、計装アンプ１９０の出力端子をＭＣＵ部２００のＡＤポート２６２に接続する。そして、ブリッジセンサ２７の特性に合わせて、計装アンプ１９０のゲイン及びオフセット等を設定することで、ブリッジセンサ２７に最適な回路特性とすることができる。

なお、温度センサ１６０の出力は、ＭＣＵ部２００のＡＤポート２６２に接続され、可変レギュレータ１５０の出力がＭＣＵ部２００のＡ／Ｄコンバータ２６０の電源入力に接続される。

また、本実施形態に係る半導体装置１の設定評価システムの構成及び動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、半導体装置１の構成が異なるため、半導体装置１のＡＦＥ部１００を設定するためのＧＵＩのみ異なる。

図４７は、本実施形態に係るＧＵＩであるＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウの表示例である。ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウ４２０は、半導体装置１のＡＦＥ部１００の設定を行うためのウィンドウであり、実施の形態１の図３３と同様に、ＡＦＥ部１００の構成に対応している。

すなわち、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウ４２０は、ＡＦＥ部１００の構成に合わせて、計装アンプ１９０の設定を行う計装アンプ設定エリア４７０、各オペアンプに接続されるＤＡＣの基準電圧の設定を行うＤＡＣ基準電圧設定エリア４２４、可変レギュレータ１５０の設定を行う可変レギュレータ設定エリア４２５、温度センサ１６０の設定を行う温度センサ設定エリア４２６を有している。ＤＡＣ基準電圧設定エリア４２４、可変レギュレータ設定エリア４２５、温度センサ設定エリア４２６は、図３３と同様である。

計装アンプ設定エリア４７０では、実施の形態１のコンフィギュラブル・アンプで計装アンプを選択した場合と同様の設定が可能である。すなわち、「ＯＮ／ＯＦＦ」スライドスイッチ４７１により、計装アンプのパワーＯＮ／ＯＦＦを設定し、「ゲイン」プルダウンメニュー４７２により、計装アンプのゲインを設定し、「ＤＡＣ」入力ボックス４７３により、８ｂｉｔＤＡＣの出力電圧を設定する。

なお、本実施形態においても、図３６や図３８のように実際の回路構成を表示して、詳細に設定することが可能である。

以上のように本実施形態では、まず、実施の形態１と同様に、半導体装置の開発が容易にできるとともに、開発工程の短縮が可能である。さらに、本実施形態では、半導体装置を一般計測器向けとして、一般計測器に必要となる計装アンプ等のみを備えることとした。このため、半導体装置に不要な回路を有していないため、回路構成が簡素となり、さらに半導体装置の小型化を図ることができ、低消費電力化も可能である。

（本発明の実施の形態３）
以下、図面を参照して本発明の実施の形態３について説明する。図４８は、本実施形態に係る半導体装置１の回路ブロックを示している。

実施の形態１に係る半導体装置では、用途を汎用システム向けとして、多くのセンサで必要となるＡＦＥ回路を全て備える構成とした。これに対し、本実施形態に係る半導体装置では、用途をモータ制御向けとして、モータ制御でのみ必要となるＡＦＥ回路に限定した構成としている。

図４８に示すように、本実施形態の半導体装置１は、ＭＣＵ部２００の構成については図２の実施の形態１と同様であり、ＡＦＥ部１００は、コンパレータ内蔵高速計装アンプ１９１、温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０を備えている。実施の形態１と比べると、コンフィギュラブル・アンプ、同期検波対応増幅アンプ、ＳＣ型ローパス・フィルタ、ＳＣ型ハイパス・フィルタ、汎用アンプ、可変レギュレータを有しておらず、代わりにコンパレータ内蔵高速計装アンプ１９１のみ有する構成となっている。温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、実施の形態１と同様である。

コンパレータ内蔵高速計装アンプ（高速計装アンプともいう）１９１は、モータ制御に対応して、微弱な差動信号を高速に増幅可能な増幅回路であり、さらに、出力電圧を比較するコンパレータを内蔵している。ＡＦＥ部１００は、多相モータの制御を可能にするため、高速計装アンプ１９１を複数（多ｃｈ）有しており、ここでは４つ（４ｃｈ）の計装アンプを有している。高速計装アンプ１９１は、回路構成が固定であり、特性のみ変更可能である。

図４９は、本実施形態に係るＡＦＥ部１００の各回路の接続関係を示している。温度センサ１６０、ＳＰＩインタフェース１８０については、実施の形態１と図３と同様である。

高速計装アンプ１９１は、回路構成が固定であるため、構成を切り替えるスイッチ（マルチプレクサ）を有していない。４つの高速計装アンプ１９１−１〜１９１−４は、それぞれ独立した構成となっている。

すなわち、高速計装アンプ１９１−１〜１９１−４は、一方の入力端子がそれぞれＡＭＰＩＮ１０，２０，３０，４０に接続され、他方の入力端子がそれぞれＡＭＰＩＮ１１，２１，３１，４１に接続され、アンプの出力端子がそれぞれＡＭＰ＿ＯＵＴ１〜４に接続され、コンパレータの出力端子がそれぞれＣＯＭＰ＿ＯＵＴ１〜４に接続されている。なお、複数の外部端子との接続を選択するためのスイッチを備えていてもよい。

図５０は、高速計装アンプ１９１の具体的な回路構成を示している。高速計装アンプ１９１は、モータ制御向けコンパレータ内蔵高速計装アンプであり、モータ制御に使用されるセンサの出力信号の増幅と電圧比較を行う。特性の変更として、高速計装アンプ１９１は、ゲインを可変に設定することができる。例えば、ゲインを１０ｄＢ〜３４ｄＢまで２ｄＢ単位で設定できる。また、スルーレートを可変に設定することもでき、パワーオフ・モードにより電源のオン／オフを切り替えることができる。

また、高速計装アンプ１９１は、高速計装アンプ出力比較用コンパレータを内蔵しており、このコンパレータはヒステリシス電圧及び基準電圧が可変である。

図５０に示すように、高速計装アンプ１９１は、計装アンプとして動作するオペアンプ１９２ａ及び１９２ｂ、ヒステリシスコンパレータとして動作するオペアンプ１９２ｃを有し、オペアンプ１９２ａ〜１９２ｃに接続される可変抵抗１９３ａ〜１９３ｃ、固定抵抗１９４ａ〜１９４ｂ及びＤＡＣ１９５ａ、１９５ｂ

レジスタ１８１の設定値に応じて、可変抵抗１９３ａ〜１９３ｃの抵抗値、ＤＡＣ１９５ａの設定を変えることで高速計装アンプ１９１のゲイン、アンプの動作点、オフセット等を変更することができる。また、ＤＡＣ１９５ｂの設定により、コンパレータのヒステリシス電圧（基準電圧）を変更することができる。さらに、レジスタ１８１の設定値に応じて、オペアンプ１９２ａ〜１９２ｃの電源オン／オフを制御できる。

高速計装アンプ１９１では、外部入力端子ＡＭＰＩＮＭｎ、ＡＭＰＩＮＰｎ（ＡＭＰＩＮ１０，１１〜ＡＭＰＩＮ４０，４１に対応）から差動信号が入力されると、オペアンプ１９２ａ、１９２ｂから構成される２段の計装アンプにより高速に非反転増幅された信号が、ＡＭＰＯＵＴｎ（ＡＭＰＯＵＴ１〜ＡＭＰＯＵＴ４に対応）へ出力される。 さらに、オペアンプ１９２ｃから構成されるヒステリシスコンパレータにより、ＡＭＰＯＵＴｎの出力信号と基準電圧とを比較した比較信号が出力される。なお、ＭＣＵ部２００はＡＭＰＯＵＴｎ及びＣＯＭＰＯＵＴｎの信号に応じてモータ制御を行う。

このように、本実施形態の半導体装置１は、ＡＦＥ部１００の回路構成は固定であり特性のみを可変に設定することができる。このため、一つの半導体装置で特性が異なる特定のセンサの特定に対応することができ、特定の応用システムで使用することができる。特に、多相モータの駆動回路などに接続できる。

図５１は、半導体装置１にブラシレスモータ２８を接続する例である。例えば、ブラシレスモータ２８を備えたエアコン、洗濯機、冷蔵庫、ロボットなどの応用システムに適用可能な例である。

各高速計装アンプ１９１のそれぞれの入力端子を、ブラシレスモータ２８の駆動回路２９に接続し、各高速計装アンプ１９１のそれぞれのアンプの出力端子をＭＣＵ部２００のＡＤポート２６２に接続し、各高速計装アンプ１９１のそれぞれのコンパレータの出力端子をＭＣＵ部２００の制御ポート２６１に接続する。そして、ブラシレスモータ２８及び駆動回路２９の特性に合わせて、高速計装アンプ１９１のゲイン、オフセット及びコンパレータの基準電圧を設定することで、ブラシレスモータ２８に最適な回路特性とすることができる。
この例では、駆動回路２９にＭＣＵ部２００のタイマ２４０に接続されており、タイマ２４０のクロックパルスに応じてブラシレスモータ２８が駆動する。そして、多相のブラシレスモータ２８を駆動する駆動回路２９の各信号が、高速計装アンプ１９１で増幅及び比較されて、ＭＣＵ部２００により、ブラシレスモータ２８の駆動制御が行われる。

また、本実施形態に係る半導体装置１の設定評価システムの構成及び動作は、基本的に実施の形態１と同様であるが、半導体装置１の構成が異なるため、半導体装置１のＡＦＥ部１００を設定するためのＧＵＩのみ異なる。

図５２は、本実施形態に係るＧＵＩであるＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウの表示例である。ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウ４２０は、半導体装置１のＡＦＥ部１００の設定を行うためのウィンドウであり、実施の形態１の図３３と同様に、ＡＦＥ部１００の構成に対応している。

すなわち、ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウ４２０は、ＡＦＥ部１００の構成に合わせて、高速計装アンプ１９１の設定を行う高速計装アンプ設定エリア４８０、各オペアンプに接続されるＤＡＣの基準電圧の設定を行うＤＡＣ基準電圧設定エリア４２４、温度センサ１６０の設定を行う温度センサ設定エリア４２６を有している。ＤＡＣ基準電圧設定エリア４２４、温度センサ設定エリア４２６は、図３３と同様である。

高速計装アンプ設定エリア４８０には、高速計装アンプ１９１に合わせて４ｃｈの高速計装アンプが設定できる。各Ｃｈの高速計測アンプの設定では、実施の形態１のコンフィギュラブル・アンプや増幅アンプ等と同様に、「ＯＮ／ＯＦＦ」スライドスイッチ４８１により、高速計装アンプのパワーＯＮ／ＯＦＦを設定し、「ゲイン」プルダウンメニュー４８２により、高速計装アンプのゲインを設定し、「ＤＡＣ」入力ボックス４８３、４８４により、８ｂｉｔＤＡＣの出力電圧を設定する。「ＤＡＣ」入力ボックス４８３では、高速計装アンプのオフセット等が設定でき、「ＤＡＣ」入力ボックス４８４では、コンパレータの基準電圧が設定できる。

なお、本実施形態においても、図３６や図３８のように実際の回路構成を表示して、詳細に設定することが可能である。

以上のように本実施形態では、まず、実施の形態１と同様に、半導体装置の開発が容易にできるとともに、開発工程の短縮が可能である。さらに、本実施形態では、半導体装置をモータ制御向けとして、モータ制御に必要となる高速計装アンプ等のみを備えることとした。このため、半導体装置に不要な回路を有していないため、回路構成が簡素となり、さらに半導体装置の小型化を図ることができ、低消費電力化も可能である。

（本発明の実施の形態４）
以下、図面を参照して本発明の実施の形態４について説明する。上記実施の形態では、設計評価装置３により、主に半導体装置１のＡＦＥ部１００に対しての設定及び評価を行った。本実施形態では、ＡＦＥ部１００の設定及び評価に加えて、ＭＣＵ部２００のソフトウェア（プログラム）の開発及びデバッグを行う。

図５３は、本実施形態に係る半導体装置の開発システム（開発支援システム）の構成を示している。この開発システムは、図２７と同様に、本発明の半導体装置１を搭載する評価ボード１０、センサ２を搭載するセンサボードを有し、さらに、開発装置４０及びエミュレータ４３を備えている。

開発装置（開発支援装置）４０は、半導体装置１のＡＦＥ部１００及びＭＣＵ部２００の両方の開発を行うための統合開発装置であり、ＭＣＵソフト開発処理部４１及び設定評価処理部４２を備えている。開発装置４０は、図２８と同様のハードウェアからなるコンピュータ装置であり、ＭＣＵソフト開発処理及び設定評価処理を行うプログラムをＣＰＵが実行することで、ＭＣＵソフト開発処理部４１及び設定評価処理部４２の機能が実現されている。

設定評価処理部４２は、実施の形態１の設定評価装置と同じ機能であり、半導体装置１のＡＦＥ部１００の設定及び評価を行う。すなわち、設定評価処理部４２は、図２９及び図３１等と同様の構成及び動作を行い、ＧＵＩによるＡＦＥ部１００の設定及び評価を可能にする。

ＭＣＵソフト開発処理部４１は、半導体装置１のＭＣＵ部２００のＣＰＵコアで実行されるソフトウェアの開発のための処理を行う。すなわち、ＭＣＵソフト開発処理部４１は、ＭＣＵ部２００等のマイクロコンピュータ用ソフトウェア開発支援ツールであり、ＭＣＵ部２００に対応したコーディング及びビルドを行う環境とデバイスドライバを有している。特に、本実施形態では、設定評価処理部４２と連携し、設定評価処理部４２が生成するＡＦＥ部１００のレジスタ１８１の情報を含むプログラムを生成する。

エミュレータ４３は、半導体装置１のＭＣＵ部２００に接続されて、ＭＣＵ部２００をエミュレートする。ＭＣＵソフト開発処理部４１は、エミュレータ４３に接続することで、プログラムのデバッグや書き込みが可能である。

図５４は、本実施形態に係る半導体装置１の開発方法を示している。まず、開発装置４０は、半導体装置１のＭＣＵ部２００のソフトウェアの開発を行うとともに（Ｓ３０１）、半導体装置１のＡＦＥ部１００の設定評価を行う（Ｓ３０２）。

すなわち、ＭＣＵソフト開発処理部４１は、ユーザからの入力によりＭＣＵ部２００で実行するプログラムを生成し、同時に、設定評価処理部４２がＧＵＩを介したユーザの操作によりＡＦＥ部１００のレジスタ１８１の情報を生成する。そうすると、ＭＣＵソフト開発処理部４１は、ユーザがコーディングしたソースコードと、設定評価処理部４２が生成したＡＦＥ部１００のレジスタ１８１に設定する情報を含むソースコードを生成する。例えば、ＭＣＵ部２００がレジスタ１８１を動的に書き替える処理を行うプログラムにおいて、直接レジスタ１８１に書き込む情報がソースコードに含まれる。

次に、開発装置４０は、生成したプログラムのデバッグを行う（Ｓ３０３）。すなわち、ＭＣＵソフト開発処理部４１は、エミュレータ４３を使用することで、レジスタ１８１の情報を含むソースコードのデバッグを行う。例えば、ＭＣＵ部２００のレジスタ１８１への書き込み処理等を含めてデバッグを行う。

次に、開発装置４０は、デバッグしたプログラムを半導体装置１へ書き込む（Ｓ３０４）。すなわち、ＭＣＵソフト開発処理部４１は、エミュレータ４３を使用することで、生成しデバッグが完了したプログラムを半導体装置１のＭＣＵ部のメモリに書き込む。これにより、ＭＣＵ部２００及びＡＦＥ部１００を含む半導体装置１の開発（製造）が完了する。

その後、半導体装置１が起動されると、ＭＣＵ部２００のＣＰＵコアが、メモリに書き込まれたプログラムを実行するとともに、メモリに書き込まれたレジスタ１８１の情報を、レジスタ１８１に書き込む。そうすると、レジスタ１８１によってＡＦＥ部１００の構成及び特性が設定されて、ＡＦＥ部１００が動作を開始する。

このように、本実施形態では、半導体装置のＡＦＥ部の設定評価ツールに加えて、ＭＣＵ部のソフトウェア開発環境と連携して半導体装置の開発を行うこととした。これにより、ＭＣＵ部のコーディング及びデバッグと、ＡＦＥ部の設定及び評価を一つの環境で行うことができるため、開発効率が向上し、さらに開発期間を短縮することが可能である。

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。実施の形態２では、一般計測器向けの半導体装置とし、実施の形態３では、モータ制御向けの半導体装置としたが、その他の用途の半導体装置として、必要な回路のみで半導体装置を構成してもよい。例えば、高精度測定器向けの半導体装置として、低オフセットの非反転アンプと温度センサのみを含む構成としてもよい。

また、ＧＵＩを用いて設定する際に、半導体装置のＡＦＥ部に含まれる回路構成を自動的に認識し、認識した回路構成に応じてＧＵＩを表示して設定できるようにしてもよい。

１ 半導体装置
２ センサ
３ 設定評価装置
１０ 評価ボード
１１ ＵＳＢインタフェース
１２ センサインタフェース
２０ センサボード
３１ ＣＰＵ
３２ 入力装置
３３ 表示装置
３４ メモリ
３５ ＨＤＤ
３６ Ｉ／Ｏ
４０ 開発装置
４１ ソフト開発処理部
４２ 設定評価処理部
４３ エミュレータ
１００ ＡＦＥ（アナログフロントエンド）部
１１０ コンフィギュラブル・アンプ
１１１ オペアンプ
１１２ 可変抵抗
１１３ スイッチ
１２０ （同期検波対応）増幅アンプ
１３０ （ＳＣ型）ローパス・フィルタ
１３１ スイッチング信号生成部
１３２ フィルタ部
１４０ （ＳＣ型）ハイパス・フィルタ
１４１ スイッチング信号生成部
１４２ フィルタ部
１５０ 可変レギュレータ
１６０ 温度センサ
１７０ 汎用アンプ
１８０ ＳＰＩインタフェース
１８１ レジスタ
１９０ 計装アンプ
１９１ （コンパレータ内蔵）高速計装アンプ
２００ ＭＣＵ部
２０１ 変更タイミング検出部
２０２ レジスタ読み書き部
２０３ Ａ／Ｄ変換部
２１０ ＣＰＵコア
２２０ メモリ
２３０ オシレータ
２４０ タイマ
２５０ 入出力ポート
２６０ Ａ／Ｄコンバータ（ＡＤポート）
２７０ ＳＰＩインタフェース
３００ 制御部
３０１ ＧＵＩ処理部
３０２ レジスタ設定部
３０３ レジスタ取得部
３０４ Ａ／Ｄ変換制御部
３０５ Ａ／Ｄ変換結果取得部
３０６ ＳＰＩモニタ部
３１０ 記憶部
３１１ ＧＵＩ情報
３１２ レジスタ設定情報
３１３ レジスタ取得情報
３１４ Ａ／Ｄ変換制御情報
３１５ 変換結果情報
３１６ ＳＰＩモニタ情報
４００ ＡＤＣ＿Ｃｏｎｔｒｏｌウィンドウ
４０１ Ａ／Ｄ変換制御エリア
４０２ ウィンドウ開始エリア
４２０ ＳｉｍｐｌｅＶｉｅｗＣｏｎｆｉｇウィンドウ
４２１ コンフィギュラブル・アンプ設定エリア
４２２ 増幅アンプ設定エリア
４２３ フィルタ回路設定エリア
４２４ 基準電圧設定エリア
４２５ 可変レギュレータ設定エリア
４２６ 温度センサ設定エリア
４２７ 汎用アンプ設定エリア
４２８ 全体設定エリア
４２９ 個別設定エリア
４５０ ＡＭＰ＿Ｃｕｓｔｏｍウィンドウ
４６０ 設定値表示エリア
４７０ 計装アンプ設定エリア
４８０ 高速計装アンプ設定エリア
５００ ＲｅｇｉｓｔｅｒＬｉｓｔウィンドウ
５０１ レジスタ表示エリア
５１０ ＰｏｒｔＤａｔａウィンドウ
５１１ データ表示エリア
５２０ Ｇｒａｐｈウィンドウ
５２１ グラフ表示エリア
５２２ 凡例表示エリア
５３０ ＳＰＭｏｎｉｔｏｒウィンドウ
５３１ モニタ表示エリア

Claims (24)

1. センサの測定信号を入力するアナログフロントエンド部と前記アナログフロントエンド部を介した前記測定信号に応じた制御処理を行う制御部とを有する半導体装置の開発支援装置であって、
   前記アナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩを表示するＧＵＩ表示部と、
   ユーザによる前記ＧＵＩの操作に基づいて、前記アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成する設定情報生成部と、
   前記制御部を介して前記アナログフロントエンド部へ前記生成された設定情報を設定する設定部と、
   を備える半導体装置の開発支援装置。
2. 前記アナログフロントエンド部は、回路構成及び回路特性が変更可能なコンフィギュラブル・アンプを有し、
   前記ＧＵＩ表示部は、前記コンフィギュラブル・アンプの回路構成及び回路特性を設定するコンフィギュラブル・アンプ設定エリアを表示する、
   請求項１に記載の半導体装置の開発支援装置。
3. 前記コンフィギュラブル・アンプ設定エリアは、前記コンフィギュラブル・アンプに含まれる複数の個別アンプをそれぞれ設定するための複数の個別アンプ設定部を有する、
   請求項２に記載の半導体装置の開発支援装置。
4. 前記コンフィギュラブル・アンプ設定エリアは、
   前記コンフィギュラブル・アンプの全体の回路構成を設定可能な範囲で表示し設定する全体構成設定部と、
   前記コンフィギュラブル・アンプの全体の回路特性を設定可能な範囲で表示し設定する全体特性設定部と、
   前記個別アンプ設定部は、
   前記個別アンプの回路構成を設定可能な範囲で表示し設定する個別構成設定部と、
   前記個別アンプの回路特性を設定可能な範囲で表示し設定する個別特性設定部と、を有する、
   請求項３に記載の半導体装置の開発支援装置。
5. 前記全体構成設定部においてユーザが選択した回路構成に応じて、前記個別アンプ設定部の接続関係を変更して表示する、
   請求項４に記載の半導体装置の開発支援装置。
6. 前記全体構成設定部において、全ての前記個別アンプにより１つの回路を構成する計装アンプが選択された場合、前記全体特性設定部が設定可能として表示され、前記個別構成設定部及び前記個別特性設定部は設定不可能として表示される、
   請求項４または５に記載の半導体装置の開発支援装置。
7. 前記設定情報生成部は、前記個別構成設定部においてユーザにより前記個別アンプの回路構成が選択された場合、選択された回路構成に応じて、前記個別アンプに含まれるオペアンプの端子の接続構成を特定して前記設定情報を生成する、
   請求項４乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
8. 前記全体特性設定部は、前記コンフィギュラブル・アンプの全体のゲインを設定し、
   前記個別特性設定部は、前記個別アンプのゲイン及び前記個別アンプに供給する基準電圧を設定する、
   請求項４乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
9. 前記個別アンプ設定部は、前記個別アンプの電源オン／オフを設定する電源設定部を有する、
   請求項３乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
10. 前記アナログフロントエンド部は、ゲインが変更可能な増幅アンプを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記増幅アンプのゲインを設定する増幅アンプ設定エリアを表示する、
    請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
11. 前記アナログフロントエンド部は、ゲインが変更可能な増幅アンプを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記増幅アンプのゲインを設定する増幅アンプ設定エリアを表示し、前記コンフィギュラブル・アンプ設定エリアと前記増幅アンプ設定エリアの接続を切り替え可能に表示する、
    請求項２乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
12. 前記増幅アンプ設定エリアは、前記増幅アンプの電源オン／オフを設定する電源設定部を有する、
    請求項１０または１１に記載の半導体装置の開発支援装置。
13. 前記アナログフロントエンド部は、カットオフ周波数が変更可能なフィルタを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記フィルタのカットオフ周波数を設定するフィルタ設定エリアを表示する、
    請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
14. 前記アナログフロントエンド部は、カットオフ周波数が変更可能なフィルタを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記フィルタのカットオフ周波数を設定するフィルタ設定エリアを表示し、前記コンフィギュラブル・アンプ設定エリア、前記増幅アンプ設定エリア及び前記フィルタの接続を切り替え可能に表示する、
    請求項１１に記載の半導体装置の開発支援装置。
15. 前記フィルタは、ローパス・フィルタとハイパス・フィルタを有し、
    前記フィルタ設定エリアは、前記ローパス・フィルタと前記ハイパス・フィルタとの接続順を設定可能に表示する、
    請求項１３または１４に記載の半導体装置の開発支援装置。
16. 前記アナログフロントエンド部は、出力電圧が変更可能な可変レギュレータを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記可変レギュレータの出力電圧を設定する可変レギュレータ設定エリアを表示する、
    請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
17. 前記可変レギュレータ設定エリアは、前記可変レギュレータの電源オン／オフを設定する電源設定部を有する、
    請求項１６に記載の半導体装置の開発支援装置。
18. 前記アナログフロントエンド部は、電源オン／オフを切り替え可能な温度センサを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記温度センサの電源オン／オフを設定する温度センサ設定エリアを表示する、
    請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
19. 前記アナログフロントエンド部は、前記設定情報が書き込まれるレジスタを有し、
    前記ＧＵＩ表示部は、前記制御部を介して前記レジスタに書き込まれている設定情報を取得し、前記取得した設定情報を一覧表示するレジスタ一覧ウィンドウを表示する、
    請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
20. 前記ＧＵＩ表示部は、前記制御部と前記アナログフロントエンド部間のインタフェースのモニタ情報を取得し、前記取得したモニタ情報を表示するモニタ情報表示ウィンドウを表示する、
    請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
21. 前記制御部は、前記アナログフロントエンド部の出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部を有し
    前記ＧＵＩ表示部は、前記制御部から前記Ａ／Ｄ変換の結果情報を取得し、前記取得した結果情報を表示するＡ／Ｄ変換情報表示ウィンドウを表示する、
    請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の半導体装置の開発支援装置。
22. 前記Ａ／Ｄ変換情報表示ウィンドウでは、前記結果情報を数値またはグラフにより表示する、
    請求項２１に記載の半導体装置の開発支援装置。
23. センサの測定信号を入力するアナログフロントエンド部と前記アナログフロントエンド部を介した前記測定信号に応じた制御処理を行う制御部とを有する半導体装置の開発支援方法であって、
    前記アナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩを表示し、
    ユーザによる前記ＧＵＩの操作に基づいて、前記アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成し、
    前記制御部を介して前記アナログフロントエンド部へ前記生成された設定情報を設定する、
    半導体装置の開発支援方法。
24. センサの測定信号を入力するアナログフロントエンド部と前記アナログフロントエンド部を介した前記測定信号に応じた制御処理を行う制御部とを有する半導体装置の開発支援処理をコンピュータに実行させる半導体装置の開発支援プログラムであって、
    前記半導体装置の開発支援処理は、
    前記アナログフロントエンド部の回路構成に対応したＧＵＩを表示し、
    ユーザによる前記ＧＵＩの操作に基づいて、前記アナログフロントエンド部の回路構成及び回路特性を設定する設定情報を生成し、
    前記制御部を介して前記アナログフロントエンド部へ前記生成された設定情報を設定する、
    半導体装置の開発支援プログラム。

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