JP2013104079A - TARGET, UNDERLYING MATERIAL FOR Co-BASED OR Fe-BASED MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ターゲットに関し、特に粒子の間の結合力を改善することができてかつＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体のための下層材料として用いられるターゲットに関する。 The present invention relates to a target, and more particularly to a target that can improve the bonding force between particles and is used as an underlayer material for a Co-based or Fe-based magnetic recording medium.
ＣｏＣｒベースの複合物が、通常垂直磁化記録媒体の記録層内に用いられる。一般に、記録層の配設されたフィルムが、均一に分散された粒状物、粒状物成長の所望の粗さおよび適切な向きを有するようにするために、記録層の下の下層は通常ルテニウム−酸化物（Ｒｕ−酸化物）およびルテニウム合金（Ｒｕ−Ｘ、Ｘは金属元素を表す）のような、ルテニウムベースの材料およびプラチナ材料から作られる。 CoCr-based composites are usually used in the recording layer of perpendicular magnetization recording media. In general, the lower layer below the recording layer is usually ruthenium--in order to ensure that the film with the recording layer has a uniformly dispersed grain, the desired roughness of grain growth and the appropriate orientation. Made from ruthenium-based materials and platinum materials, such as oxides (Ru-oxides) and ruthenium alloys (Ru-X, X represents a metal element).
高い磁気異方性を備えた鉄ベースの（Ｆｅベースの）またはコバルトベースの（Ｃｏベースの）記録層に関連づけられる多くの調査が、報告されている。従来通りにそれらの磁気的に異方性の記録層は磁気記録密度を向上するために有益である。下層材料は大部分がマグネシウム一酸化物（ＭｇＯ）から作られ、記録層材料が粒状物成長の適切な配向を有し、および、粒子が相互の影響なしで別々に分散することを可能にするために、それは立方結晶構造を有する。しかしながら、マグネシウム一酸化物だけから作られるターゲットは、スパッタリング中に下層の配設されたフィルム内の粒子の落下および次いで欠陥の成形に至る可能性がある。フィルム内の欠陥は、製造の産出率を減少させる。したがって、Ｃｏベースのおよび／またはＦｅベースの磁気記録媒体の従来の下層材料の欠点を克服するために、本発明は上述した問題を緩和するかまたは取り除くターゲットを提供する。 Many studies have been reported relating to iron-based (Fe-based) or cobalt-based (Co-based) recording layers with high magnetic anisotropy. As usual, these magnetically anisotropic recording layers are beneficial for improving the magnetic recording density. The underlying material is mostly made from magnesium monoxide (MgO), the recording layer material has the proper orientation of grain growth, and allows the particles to be dispersed separately without mutual influence Therefore, it has a cubic crystal structure. However, targets made solely of magnesium monoxide can lead to the fall of particles in the underlying disposed film and then the formation of defects during sputtering. Defects in the film reduce the production yield. Thus, in order to overcome the disadvantages of conventional underlayer materials for Co-based and / or Fe-based magnetic recording media, the present invention provides a target that mitigates or eliminates the above-mentioned problems.
本発明の主要な目的は、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料として用いられてかつ粒子の間の結合力を改善することができるターゲットを提供する。本発明に従うターゲットは、スパッタリング中に下層の配設されたフィルム内の粒子の落下および欠陥の形成を克服することができる。 The main object of the present invention is to provide a target that can be used as an underlayer material for a Co-based or Fe-based magnetic recording medium and that can improve the bonding force between particles. The target according to the present invention can overcome the drop of particles and the formation of defects in the underlying disposed film during sputtering.
この目的を達成するために、本発明に従うターゲットはＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であり、このＭｇＯベースの複合物がＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える。 To achieve this object, the target according to the present invention is a MgO-based composite having a cubic crystal structure of MgO, the MgO-based composite comprising MgO and one or more oxides.
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。 Preferably, the oxide or oxides comprise a substance (plural substances) selected from the group consisting of zinc monoxide (ZnO), nickel monoxide (NiO), ferrous oxide (FeO) and combinations thereof. .
本発明の第２の目的は、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を提供し、下層が、前記ターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物から成る。 A second object of the present invention is to provide a Co-based or Fe-based magnetic recording medium underlayer material, the underlayer being a MgO-based composite made from sputtering the target, and the MgO The base composite consists essentially of MgO, one or more oxides and other inevitable impurities.
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。 Preferably, the oxide or oxides comprise a substance (plural substances) selected from the group consisting of zinc monoxide (ZnO), nickel monoxide (NiO), ferrous oxide (FeO) and combinations thereof. .
本発明の第３の目的は、下層および下層上に配設されるコバルトベースのまたは鉄ベースの磁気記録層を備える磁気記録媒体を提供し、下層が、前記ターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物から成る。 A third object of the present invention is to provide a magnetic recording medium comprising a lower layer and a cobalt-based or iron-based magnetic recording layer disposed on the lower layer, the lower layer being made from sputtering the target. And is composed of MgO, one or more oxides and other inevitable impurities.
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。 Preferably, the oxide or oxides comprise a substance (plural substances) selected from the group consisting of zinc monoxide (ZnO), nickel monoxide (NiO), ferrous oxide (FeO) and combinations thereof. .
本発明に従って、「実質的に成る」は、材料が主に指定された物質を備え、一方、材料がさらに他の避けられない不純物を含むことを意味する。具体的には、ＭｇＯベースの複合物は主にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成り、ここで、ＭｇＯベースの複合物は他の避けられない不純物を含有する。 In accordance with the present invention, “consisting essentially of” means that the material comprises primarily the specified substance, while the material further comprises other inevitable impurities. Specifically, the MgO-based composite is mainly composed of MgO and one or more oxides, where the MgO-based composite contains other inevitable impurities.
下層材料を形成するために本発明に従うＭｇＯベースの複合物から成るターゲットを用いることは、粒子の間の結合力を改善して粒子の落下を効果的に減少させることができる。単数または複数の酸化物の各々の格子定数はＭｇＯのそれより小さく、および、単数または複数の酸化物はＭｇＯとの単一固溶体相を形成することができる。したがって、ＭｇＯベースの複合物に単数または複数の酸化物を追加することは、ＭｇＯの元の立方結晶構造を維持し、したがって下層材料の特性および機能を維持することができる。 Using a target composed of MgO-based composites according to the present invention to form the underlying material can improve the bonding force between the particles and effectively reduce particle fall. The lattice constant of each of the oxide or oxides is smaller than that of MgO, and the oxide or oxides can form a single solid solution phase with MgO. Thus, adding one or more oxides to the MgO-based composite can maintain the original cubic crystal structure of MgO, and thus maintain the properties and functions of the underlying material.
本発明の他の目的、利点および新奇な特徴は、添付の図面を参照しながら、以下の詳細な説明からより明白になる。 Other objects, advantages and novel features of the invention will become more apparent from the following detailed description when taken in conjunction with the accompanying drawings.
本発明は、コバルトベースのまたは鉄ベースの磁気記録媒体を形成するための下層材料であるターゲットを提供する。ここで、ターゲットはＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であり、このＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物を備える。 The present invention provides a target that is an underlayer material for forming a cobalt-based or iron-based magnetic recording medium. Here, the target is a MgO-based composite having a cubic crystal structure of MgO, and this MgO-based composite comprises MgO, one or more oxides and other inevitable impurities.
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。 In a preferred embodiment, the oxide or oxides are selected from the group consisting of zinc monoxide (ZnO), nickel monoxide (NiO), ferrous oxide (FeO), and combinations thereof (plural substances). ).
本発明はさらに、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を提供し、下層材料は、ＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る。 The present invention further provides an underlayer material for a Co-based or Fe-based magnetic recording medium, the underlayer material is an MgO-based composite, and the MgO-based composite is substantially MgO and singular or Consists of multiple oxides.
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。 In a preferred embodiment, the oxide or oxides comprise a substance (multiple substances) selected from the group consisting of zinc monoxide, nickel monoxide, ferrous oxide and combinations thereof.
本発明は、下層および下層上に配設されるコバルトベースのまたは鉄ベースの記録層を備える磁気記録媒体を提供し、ここで、下層がＭｇＯベースの複合物であり、および、ＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る。 The present invention provides a magnetic recording medium comprising a lower layer and a cobalt-based or iron-based recording layer disposed on the lower layer, wherein the lower layer is a MgO-based composite and the MgO-based composite The material consists essentially of MgO and one or more oxides.
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。 In a preferred embodiment, the oxide or oxides comprise a substance (multiple substances) selected from the group consisting of zinc monoxide, nickel monoxide, ferrous oxide and combinations thereof.
本発明は、更に以下の例で例示され、本願明細書に記載されている例および実施態様は、例証となる目的だけのためにあって、かつ本願明細書に記載される実施態様を限定するように解釈されるべきでないと理解されるべきである。 The invention is further illustrated in the following examples, and the examples and embodiments described herein are for illustrative purposes only and limit the embodiments described herein. It should be understood that it should not be interpreted as such.
比較例１：ＭｇＯターゲットの製作 Comparative Example 1: Production of MgO target
４００グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）が、１２０分の間４５０°Ｃで焼成された。次いで、粉末が黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮された。圧粉体を伴う黒鉛型はホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体はＭｇＯターゲットを得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。 400 grams of MgO powder (average particle size: 1 μm) was fired at 450 ° C. for 120 minutes. The powder was then filled into a graphite mold and well dispersed and then compressed to form a green compact under a 300 psi hydraulic press. The graphite mold with green compact was placed in a hot press furnace and the green compact was sintered at 1300 ° C. under 381 bar for 240 minutes to obtain a MgO target.
次いで、ＭｇＯサンプルターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材が１０３５秒の間、１５０ワット（Ｗ）で室温で、高周波スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にＭｇＯサンプルターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果が後述するようにテーブル１内に示される。 Then, after placing the three members of the MgO sample target on the first, second and third rotating plates, respectively, each sample member was subjected to high frequency sputtering at 150 watts (W) for 1035 seconds at room temperature. To be tested. A particle counter (KLA Tencor 6420) counts the number of particles falling from the MgO sample target member during sputtering and the results are shown in Table 1 as described below.
図１は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた比較例１のＭｇＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図２はＸ線回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた比較例１のＭｇＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。アルキメデス法で測定されるＭｇＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。 FIG. 1 shows a metallographic microscope image of the MgO target of Comparative Example 1 taken with a scanning electron microscope (Hitachi N-3400 SEM), and FIG. 2 taken with an X-ray diffractometer (Bruker-AXS Siemens). The X-ray powder diffraction image of the MgO target of comparative example 1 was shown. The absolute density divided by the absolute density of the MgO target measured by the Archimedes method is equal to its relative density.
図１に示すように、ＭｇＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図２に示すように、ＭｇＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯターゲットは立方結晶構造を有する。ＭｇＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中にＭｇＯサンプルターゲットの３部材から落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき８３である。
例１：６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲットの製作
As shown in FIG. 1, the MgO target has a high density structure with an average particle size ranging from 5 μm to 25 μm. As shown in FIG. 2, the structure of the MgO target is similar to that of periclase, that is, the MgO target has a cubic crystal structure. The relative density of the MgO target is over 98.5% according to calculations. As shown in Table 1, the average number of particles falling from the three members of the MgO sample target during sputtering is 83 per square inch.
Example 1: Fabrication of 60MgO-40NiO target
１７５．０２グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）、２１６．２３グラムのＮｉＯ粉末（平均粒径：１．５μｍ）が、そのＭｇＯ粉末が１２０分の間４５０°Ｃで焼成された後、１２０分の間ローラー粉末混合機械によって混合された。次いで、それらの粉末が６０−メッシュシーブによってふるいにかけられた。６０−メッシュシーブでふるいにかけられた粉末は、混合物を形成するために均一に混合された。混合物は黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮される。圧粉体を伴う黒鉛型がホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体が６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲット（以下「ＭｇＯ−ＮｉＯターゲット」）を得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。 175.02 grams of MgO powder (average particle size: 1 μm), 216.23 grams of NiO powder (average particle size: 1.5 μm), after the MgO powder was fired at 450 ° C. for 120 minutes, Mixed by roller powder mixing machine for 120 minutes. The powders were then screened through 60-mesh sieves. The powder screened with 60-mesh sieve was mixed uniformly to form a mixture. The mixture can be filled into a graphite mold and dispersed well and then compressed to form a green compact under a 300 psi hydraulic press. A graphite mold with green compact is placed in a hot press furnace and the green compact is 1300 ° C. under 381 bar for 240 minutes to obtain a 60MgO-40NiO target (hereinafter “MgO—NiO target”). Sintered with.
次いで、ＭｇＯ−ＮｉＯサンプルターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材は１０３５秒の間、１５０Ｗで室温で、高周波スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にＭｇＯ−ＮｉＯサンプルターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果が後述するようにテーブル１内に示される。 Then, after placing the three parts of the MgO-NiO sample target on the first, second and third rotating plates, respectively, each sample part was tested by radio frequency sputtering at room temperature at 150 W for 1035 seconds. The A particle counter (KLA Tencor 6420) counts the number of particles falling from the MgO-NiO sample target member during sputtering and the results are shown in Table 1 as described below.
図３は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた例１のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図４はＸ線粉末回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた例１のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの結晶構造は、また、粉末回折規格合同委員会（ＪＣＰＤＳ）のデータベースと比較される。アルキメデス法で測定されるＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。 FIG. 3 shows a metallographic microscope image of the MgO—NiO target of Example 1 taken by a scanning electron microscope (Hitachi N-3400 SEM), and FIG. 4 by an X-ray powder diffractometer (Bruker-AXS Siemens). The X-ray powder diffraction image of the MgO-NiO target of Example 1 taken is shown. The crystal structure of the MgO—NiO target is also compared to the database of the Joint Committee for Powder Diffraction Standards (JCPDS). The absolute density divided by the absolute density of the MgO—NiO target measured by the Archimedes method is equal to its relative density.
テーブル１：ＭｇＯターゲット、６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲットおよび９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲットから落下する粒子の数と粒子の減少するパーセントの比較 Table 1: Comparison of the number of particles falling from the MgO target, 60MgO-40NiO target and 90MgO-10ZnO target and the percentage of particle reduction
図３に示すように、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図４に示すように、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットもまた立方結晶構造を有する。ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中に３サンプル部材のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき５４である。比較例１に従うＭｇＯターゲットと比較して、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子はＭｇＯターゲットから落下するそれらより約３５％少ない（すなわち、パーセントはＭｇＯターゲットとＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の数の間の差割るＭｇＯターゲットから落下する粒子の数によって算出され、ここで、２つのターゲットから落下する粒子の数の間の差異はＭｇＯターゲットから落下する粒子の数引くＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の数である。
例２：９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲットの製作
As shown in FIG. 3, the MgO—NiO target has a high density structure with an average particle size ranging from 5 μm to 25 μm. As shown in FIG. 4, the structure of the MgO—NiO target is similar to that of periclase, ie, the MgO—NiO target also has a cubic crystal structure. The relative density of the MgO—NiO target is over 98.5% according to the calculation. As shown in Table 1, the average number of particles falling from the MgO—NiO target of the three sample members during sputtering is 54 per square inch. Compared to the MgO target according to Comparative Example 1, the particles falling from the MgO—NiO target are about 35% less than those falling from the MgO target (ie, the percentage is the number of particles falling from the MgO target and the MgO—NiO target). Calculated by the number of particles falling from the MgO target divided by the difference between the number of particles falling from the two targets minus the number of particles falling from the MgO target minus the particles falling from the MgO-NiO target Is the number of
Example 2: Fabrication of 90MgO-10ZnO target
３３２グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）、７４．４グラムのＺｎＯ粉末（平均粒径：０．５μｍ）が、そのＭｇＯ粉末が１２０分の間４５０°Ｃで焼成された後、１２０分の間ローラー粉末混合機械によって混合された。次いで、それらの粉末は６０−メッシュシーブによってふるいにかけられた。６０−メッシュシーブでふるいにかけられた粉末は、混合物を形成するために均一に混合された。混合物は黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮される。圧粉体を伴う黒鉛型がホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体が９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲット（以下「ＭｇＯ−ＺｎＯターゲット」）を得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。 332 grams of MgO powder (average particle size: 1 μm), 74.4 grams of ZnO powder (average particle size: 0.5 μm), 120 minutes after the MgO powder was fired at 450 ° C. for 120 minutes During the mixing by a roller powder mixing machine. The powders were then screened through 60-mesh sieves. The powder screened with 60-mesh sieve was mixed uniformly to form a mixture. The mixture can be filled into a graphite mold and dispersed well and then compressed to form a green compact under a 300 psi hydraulic press. A graphite mold with green compact is placed in a hot press furnace and the green compact is 1300 ° C. under 381 bar for 240 minutes to obtain a 90MgO-10ZnO target (hereinafter “MgO—ZnO target”). Sintered with.
次いで、サンプルＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材が１０３５秒の間、１５０Ｗで室温で、スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にサンプルＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果がテーブル１内に示される。 Each sample member is then tested by sputtering at room temperature at 150 W for 1035 seconds after each of the three members of the sample MgO-ZnO target is placed on the first, second and third rotating plates, respectively. . A particle counter (KLA Tencor 6420) counts the number of particles falling from the sample MgO-ZnO target member during sputtering and the results are shown in Table 1.
図５は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた例２のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図６はＸ線粉末回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた例２のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの結晶構造は、また、粉末回折規格合同委員会（ＪＣＰＤＳ）のデータベースと比較される。アルキメデス法で測定されるＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。 FIG. 5 shows a metallographic image of the MgO—ZnO target of Example 2 taken by a scanning electron microscope (Hitachi N-3400 SEM), and FIG. 6 shows an X-ray powder diffractometer (Bruker-AXS Siemens). The X-ray powder diffraction image of the MgO-ZnO target of Example 2 taken is shown. The crystal structure of the MgO—ZnO target is also compared to the database of the Joint Committee for Powder Diffraction Standards (JCPDS). The absolute density divided by the absolute density of the MgO-ZnO target measured by the Archimedes method is equal to its relative density.
図５に示すように、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図５に示すように、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットもまた立方結晶構造を有する。ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中に３サンプル部材のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき６８である。比較例１に従うＭｇＯターゲットと比較して、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子はＭｇＯターゲットから落下するそれらより約１８％少ない（すなわち、パーセントはＭｇＯターゲットとＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子の数の間の差割るＭｇＯターゲットから落下する粒子の数によって算出される。 As shown in FIG. 5, the MgO—ZnO target has a high-density structure with an average particle diameter ranging from 5 μm to 25 μm. As shown in FIG. 5, the structure of the MgO—ZnO target is similar to that of the periclase, that is, the MgO—ZnO target also has a cubic crystal structure. The relative density of the MgO—ZnO target is over 98.5% according to the calculation. As shown in Table 1, the average number of particles falling from the MgO-ZnO target of the three sample members during sputtering is 68 per square inch. Compared to the MgO target according to Comparative Example 1, the particles falling from the MgO—ZnO target are about 18% less than those falling from the MgO target (ie, the percentage is the number of particles falling from the MgO target and the MgO—ZnO target). Calculated by the number of particles falling from the MgO target divided by.
前述の記述に基づいて、本発明はＭｇＯおよび他の金属酸化物を有する複合物から作られるターゲットを提供し、それはＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料として用いられることができる。本発明に従うターゲットから落下する粒子の平均数は、スパッタリング中に非常に減少する。その上、ターゲットの立方結晶構造は安定していることができ、かつＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を製造する際の用途に有益である。 Based on the foregoing description, the present invention provides a target made from a composite having MgO and other metal oxides, which can be used as an underlayer material for Co-based or Fe-based magnetic recording media. The average number of particles falling from the target according to the invention is greatly reduced during sputtering. In addition, the cubic crystal structure of the target can be stable and is useful for applications in producing the underlying material of Co-based or Fe-based magnetic recording media.
たとえ本発明の多数の特性および利点が、本発明の構造および特徴の詳細と共に、前述の記述内に記載されたとはいえ、開示は例証となるだけである。変更が詳細において、特に形状、寸法および部分の配置の事柄において、添付の請求の範囲が表現される用語の幅広い一般的な意味によって示唆される最大限に対して本発明の原理内でなされることができる。 Although many features and advantages of the present invention have been set forth in the foregoing description, along with details of the structure and features of the invention, the disclosure is illustrative only. Changes are made within the principles of the invention to the maximum suggested by the broad general meaning of the terms in which the appended claims are expressed in detail, particularly in matters of shape, dimensions, and arrangement of parts. be able to.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011247616A JP2013104079A (en) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | TARGET, UNDERLYING MATERIAL FOR Co-BASED OR Fe-BASED MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013104079A true JP2013104079A (en) | 2013-05-30 |
Family
ID=48623864
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011247616A Pending JP2013104079A (en) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | TARGET, UNDERLYING MATERIAL FOR Co-BASED OR Fe-BASED MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013104079A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017052983A (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社高純度化学研究所 | Sputtering target |
| CN116768606A (en) * | 2023-06-06 | 2023-09-19 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | Composite nickel magnesium oxide target and preparation method thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139502A (en) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Sharp Corp | Semiconductor device and its manufacture |
| JP2001319314A (en) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium, its manufacturing method and magnetic recorder using the medium |
| JP2007123861A (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2011208198A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Tdk Corp | Sputtering target, method for producing sputtering target and method for producing optical medium |
-
2011
- 2011-11-11 JP JP2011247616A patent/JP2013104079A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139502A (en) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Sharp Corp | Semiconductor device and its manufacture |
| JP2001319314A (en) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium, its manufacturing method and magnetic recorder using the medium |
| JP2007123861A (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2011208198A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Tdk Corp | Sputtering target, method for producing sputtering target and method for producing optical medium |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017052983A (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社高純度化学研究所 | Sputtering target |
| CN116768606A (en) * | 2023-06-06 | 2023-09-19 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | Composite nickel magnesium oxide target and preparation method thereof |
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