JP2013084338A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. センサースタックと、
   前記センサースタックに隣接して形成されたハード磁気バイアス構造と、
   を備え
   前記ハード磁気バイアス構造が、第１の下層と、前記第１の下層の上に形成された第２の下層と、前記第２の下層の上に形成された磁気材料とを備え、
   前記第１の下層が、磁気シールドの上に形成され、前記磁気シールドと実質的に平行である第１の部分と、前記センサースタックの側面に隣接する第２の部分とを有し、前記第１の下層の前記第１の部分が連続膜として形成され、前記第２の部分が別個の島として形成される、磁気読み出しセンサー。
2. 前記第１の下層が０．２５ｎｍ〜０．７５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
3. 前記第１の下層がＮｉＴａを含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
4. 前記第１の下層がＮｉＴａを含み、０．２５〜０．７５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
5. 前記第１の下層が、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
6. 前記第１の下層が、０．２５ｎｍ〜０．７５ｎｍの厚さを有し、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
7. 前記第１の下層がＮｉＴａを含み、前記第２の下層がＣｏＭｏを含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
8. 前記第１の下層が、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含み、前記第２の下層がＣｒＭｏを含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
9. 前記磁気材料がＣｏＰｔを含む、請求項１に記載の磁気センサー。
10. 前記磁気材料がＣｏＰｔＣｒを含む、請求項１に記載の磁気センサー。
11. 前記センサースタックが磁化自由層を含み、前記ハード磁気バイアス構造の磁性層が、前記磁化自由層と実質的に平行の向きである前記センサースタックに隣接する磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気センサー。
12. 前記センサースタックが、磁気シールドの上に形成され、
    前記センサースタックが、前記ハード磁気バイアス構造を、前記センサースタックおよび前記磁気シールドから分離させる電気絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の磁気センサー。
13. 磁気データ記録システムであって、
    磁気メディアと、
    サスペンションアセンブリと、
    前記サスペンションアセンブリに取り付けられた磁気読み出しヘッドと、
    を備え、
    前記磁気読み出しヘッドが、
    センサースタックと、
    前記センサースタックに隣接して形成されたハード磁気バイアス構造と、
    を備え、
    前記ハード磁気バイアス構造が、第１の下層と、第２の下層の上に形成された磁気材料とを備え、
    前記第１の下層が、磁気シールドの上に形成され、前記磁気シールドと実質的に平行である第１の部分と、前記センサースタックの側面に隣接する第２の部分とを有し、前記第１の下層の前記第１の部分が連続膜として形成され、前記第２の部分が別個の島として形成される、磁気データ記録システム。
14. 前記第１の下層が０．２５ｎｍ〜０．７５ｎｍの厚さを有する、請求項１３に記載の磁気読み出しセンサー。
15. 前記第１の下層がＮｉＴａを含む、請求項１３に記載の磁気読み出しセンサー。
16. 前記第１の下層が、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含む、請求項１３に記載の磁気読み出しセンサー。
17. 前記センサースタックが磁化自由層を含み、前記ハード磁気バイアス構造の磁性層が、前記磁化自由層と実質的に平行の向きである前記センサースタックに隣接する磁気異方性を有する、請求項１３に記載の磁気センサー。