JP2013083982A - マルチモード光ファイバ - Google Patents

Abstract

【課題】通信帯域が拡大されるとともに安定的に製造可能なマルチモード光ファイバを提供する。
【解決手段】マルチモード光ファイバに関し、直径２ａを有するコア部には、ＧｅＯ_２と塩素が添加されている。コア部における塩素濃度分布２５０は、コア部の中心において最小となり、コア部の中心からその半径方向に距離０．９ａから１．０ａだけ離れた範囲内において最大となる。コア部はＧｅＯ_２の添加濃度の変化が特に大きく、コア部の外周を含む周辺領域であってコア部の中心を取り囲む環状領域において特に変化が大きくなるように塩素濃度を意図的に制御している。
【選択図】図２

Description

本発明は、マルチモード光ファイバに関するものである。

マルチモード光ファイバは、構造上、長距離光通信用のシングルモード光ファイバと比較して、伝送損失が大きいことが知られている。一方、ファイバ間接続が容易であること、また、要求性能の低い機器を利用して容易にネットワークの構築が可能になることから、ＬＡＮ（Local Area Network）などの近距離情報通信の用途に広く使用されている。例えば特許文献１、２には、曲げ耐性が改善されたマルチモード光ファイバが開示されている。

近年、上述の近距離情報通信の信号品質の改善を目的として、上述のマルチモード光ファイバの伝送損失の低減技術や通信帯域の拡大（広帯域化）も盛んに研究されるようになってきた。

米国特開２０１１−００５８７８１号公報 米国特許第７７８７７３１号

発明者らは、広帯域マルチモード光ファイバを安定して製造するための技術について以下のように検討した。なお、本明細書において、特に言及することなく単に「光ファイバ」と表現する場合は、「マルチモード光ファイバ」を意味するものとする。

すなわち、広帯域マルチモード光ファイバを安定して製造するためには、その径方向の屈折率分布が所望の形状に正確に一致していることが必要になる。屈折率分布の形状は、第一にはＧｅＯ_２をコア部の径方向に正確な濃度で添加することが必要になるが、必ずしもそれだけでは充分ではない。例えば、母材線引き後に得られる光ファイバでは、当該光ファイバ内部の残留応力の影響によっても屈折率分布がわずかに変化してしまう。この場合、いかに屈折率変動に対する残留応力の影響を低減するか、又は、常に同じ分布に保つかが光ファイバ製造において重要になる。残留応力は、母材線引き時に加わる光ファイバへの張力、線引きされた光ファイバの固化条件などが影響している。望ましくは残留応力をゼロにすることができれば良いが、実際には難しい。例えば線引き後の光ファイバの冷却工程において、光ファイバの温度は該光ファイバの表面からその内部に向かって低下していき、ファイバ冷却が進むに従ってファイバ材料であるガラスが固化するが、この固化する様子により応力が光ファイバ内に残ることになる。また、特にコア部にはＧｅＯ_２が添加されており、膨張係数がクラッド部と比較して大きいため、ファイバ冷却時の当該コア部の収縮が大きく、それに起因した応力も、得られた光ファイバ内に残留する。

発明者らは、上述の状況を考慮し、製造されるマルチモード光ファイバ内における塩素濃度分布を有意に制御することで、ガラス固化のタイミングを径方向に沿った各部間で極力近づけることができることを見出し、本発明に至った。

そこで本発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、従来よりも通信帯域が拡大された状態で、安定的に製造可能な構造を備えたマルチモード光ファイバを提供することを目的としている。なお、マルチモード光ファイバには、高屈折率のコア部と低屈折率のクラッド部から構成される一般的な構造のマルチモード光ファイバの他、コア部とクラッド部との間に設けられた低屈折率のトレンチ部を備えた、耐曲げマルチモード光ファイバも含まれる。

本発明は、ＧＩ（Graded Index）型のマルチモード光ファイバに関し、当該マルチモード光ファイバは、構造上、長距離伝送用のシングルモード光ファイバとは明確に区別される。

すなわち、本発明に係るマルチモード光ファイバは、所定軸に沿って伸びるとともに、ＧｅＯ_２（二酸化ゲルマニウム）が添加されたコア部と、コア部の外周に設けられ、該コア部よりも低い屈折率を有するクラッド部を備える。また、当該マルチモード光ファイバの径方向の屈折率分布のうちコア部に相当する部分のα値は１．９〜２．２、クラッド部の基準領域に対するコア部中心の比屈折率差Δ（コア部の最大比屈折率差）は０．８〜１．２％、コア部の直径２ａは４７．５〜５２．５μｍである。なお、マルチモード光ファイバの屈折率ｎ（ｒ）は、コア中心屈折率をｎ_１、コア中心からの距離をｒとしたとき、一般的に下記式
ｎ（ｒ）＝ｎ_１（１−２Δ（ｒ/ａ）^α）^1/2
で表される。

上述のような構造を備えた当該マルチモード光ファイバにおいて、コア部には塩素が添加されており、当該マルチモード光ファイバの径方向に沿った、該コア部における塩素濃度分布は、コア部の中心からその半径方向に距離ａ／２だけ離れた第１測定位置の塩素濃度よりも、コア部の中心からその半径方向に距離０．９ａから１．０ａだけ離れた範囲内の第２測定位置で塩素濃度が高くなる形状を有する。

すなわち、当該マルチモード光ファイバのコア部は、ＧｅＯ_２の添加濃度の変化が特に大きい、該コア部の外周を含む領域であって該コア部の中心（比屈折率差が最大となる位置）を取り囲む環状領域において塩素濃度が意図的に制御されている。具体的には、よりコア部の中心に近い環状領域の内側部分の塩素濃度よりもコア部の外周面により近い外側部分の塩素濃度を高くすることで、コア部の中心部分と周辺部分とでのガラス粘度差を低減することができる。その結果、母材の線引き後に得られるマルチモード光ファイバ内の残留応力が低減され、残留応力による光弾性効果を介した屈折率変動が小さくなり、所望の屈折率分布の実現がより容易になることにより、通信帯域の拡大を実現することができる。

また、本発明に係るマルチモード光ファイバにおいて、コア部における塩素濃度分布は、第１測定位置と第２測定位置に挟まれた範囲において、該コア部の半径方向に沿って塩素濃度が単調増加する形状を有するのが好ましい。

上述のように、本発明に係るマルチモード光ファイバは、母材の線引き前後において屈折率分布の変化が小さく抑えられているため、特に広帯域マルチモード光ファイバへの適用が可能である。具体的には、国際規格ＩＳＯ／ＩＥＣ１１８０１で規定されるＯＭ３、ＯＭ４と呼ばれる広帯域マルチモード光ファイバへの適用が可能である。ここで、例えばＯＭ３マルチモード光ファイバは、最小実効帯域と呼ばれる帯域が２０００ＭＨｚ・ｋｍ以上、全モード励振での帯域（国際規格ＩＥＣ６０７９３−１−４１で規定されるＯＦＬ帯域）が８５０ｎｍで１５００ＭＨｚ・ｋｍ以上、１３００ｎｍで５００ＭＨｚ・ｋｍ以上のファイバを指す。

なお、この発明に係る各実施形態は、以下の詳細な説明及び添付図面によりさらに十分に理解可能となる。これら実施形態は単に例示のために示されるものであって、この発明を限定するものと考えるべきではない。

また、この発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明から明らかになる。しかしながら、詳細な説明及び特定の事例はこの発明の好適な実施形態を示すものではあるが、例示のためにのみ示されているものであって、この発明の範囲における様々な変形および改良はこの詳細な説明から当業者には自明であることは明らかである。

本発明によれば、母材の線引き前後で屈折率分布の変化を小さく抑えることが可能となるため、特に広帯域のマルチモード光ファイバに適用可能である。具体的には、国際規格ＩＳＯ／ＩＥＣ１１８０１で規定されるＯＭ３、ＯＭ４と呼ばれる広帯域マルチモード光ファイバに適用可能になる。

（ａ）は、本発明に係るマルチモード光ファイバの代表的な断面構造を示し、（ｂ）は、その屈折率分布である。 本発明に係るマルチモード光ファイバに適用される、コア部における塩素濃度分布である。 図２に示された塩素濃度分布の許容可能な形状変化を説明するための図である。 （ａ）は、ＯＶＤ法及び装置構成を説明するための図、（ｂ）は、脱水工程（塩素添加工程）及び装置工程を説明するための図、（ｃ）は、焼結（透明化）工程及び装置構成を説明するための図である。 （ａ）は、本実施形態に係るマルチモード光ファイバを得るための焼結（図４（ｃ））後の透明ガラス体（線引き後にコア部となる部分）の塩素濃度分布であり、（ｂ）は、本実施形態と比較するために発明者らが新たに製造した、比較例に係るマルチモード光ファイバを得るための焼結（図４（ｃ））後の母材中心部（線引き後にコア部となる部分）の塩素濃度分布である。 延伸後のコア母材の構造を示す図である。 ＶＡＤ法及び装置構成を説明するための図である。 光ファイバ母材の線引き工程及び装置構成を説明するための図である。

以下、本発明に係るマルチモード光ファイバの各実施形態を、図１〜図８を参照しながら詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一部位、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。

図１（ａ）は、本発明に係るマルチモード光ファイバの代表的な断面構造を示す図であり、図１（ｂ）は、その屈折率分布である。特に、本実施形態に係るマルチモード光ファイバ１００（図１（ａ））は、石英ガラスを主材料とするＧＩ型のマルチモード光ファイバであり、所定軸（光軸ＡＸに一致）に沿って延びたコア部１１０と、コア部１１０の外周に設けられたクラッド部１２０と、を少なくとも備える。また、図１（ａ）に示されたマルチモード光ファイバ１００において、コア部１１０は、屈折率分布の形状を調整するために、主たる成分としてＧｅＯ_２が添加されており、直径２ａと最大屈折率ｎ２を有する。クラッド部１２０は、コア部１１０よりも低い屈折率ｎ１を有する。コア部１１０には、上記ＧｅＯ_２の他、所望の濃度分布形状が形成されるようコア部１１０内の各部において濃度調整された塩素も添加されている。

さらに、本実施形態に係るマルチモード光ファイバ１００は、図１（ｂ）に示された屈折率分布１５０を有する。なお、図１（ｂ）に示された屈折率分布１５０は、図１（ａ）中において、光軸ＡＸと直交する線Ｌ（当該マルチモード光ファイバ１００の径方向に一致）上の各部の屈折率を示しており、より具体的には、領域１５１は線Ｌに沿ったコア部１１０の各部の屈折率、領域１５２は線Ｌに沿ったクラッド部１２０の各部の屈折率をそれぞれ示す。

特に、図１（ｂ）の屈折率分布１５０における領域１５１は、光軸ＡＸに一致するコア部１１０の中心において屈折率が最大となるようドーム形状を有する。したがって、屈折率調整用に添加されるＧｅＯ_２の濃度も、コア部１１０の中心からクラッド部１２０に向かって急激に低下している。このドーム形状を規定するためのα値は１．９〜２．２である。クラッド部（図１（ａ）の例では単一層であり、比屈折率差を規定する基準領域となる）１２０に対するコア部１１０の中心の比屈折率差Δは（クラッド部１２０に対するコア部１１０の最大比屈折率差）は、０．８〜１．２％であり、コア部１１０の直径２ａは４７．５〜５２．５μｍである。

コア部１１０に、ＧｅＯ_２とともに添加される塩素の濃度分布は、図２に示されたような形状を有する。なお、図２において、横軸は、直径２ａのコア部１１０の線Ｌ上の各部に対応しており、光軸との交点を原点とした座標を表している。

図２に示された塩素濃度分布２５０は、当該マルチモード光ファイバ１００の径方向（光軸ＡＸに直交する方向）に沿った分布であり、その形状は、コア部１１０の中心において最小となり、コア部１１０の中心から半径方向に距離０．９ａから１．０ａ（コア部１１０のほぼ半径となる距離）だけ離れた範囲内において最大となる。なお、図２では、便宜上１．０ａの位置で塩素濃度が最大となる図としている。すなわち、コア部１１０は、ＧｅＯ_２の添加濃度の変化が特に大きい、該コア部１１０の外周を含む周辺領域であって該コア部１１０の中心を取り囲む環状領域において特に変化が大きくなるように、塩素濃度が意図的に制御されている。

具体的には、光軸ＡＸに一致するコア部１１０の中心からその半径方向に距離ａ／２だけ離れた第１測定位置の塩素濃度（単位：ｐｐｍ）がＰ_Ｃ２に設定されているのに対し、塩素濃度（単位：ｐｐｍ）Ｐ_Ｃ１（＞Ｐ_Ｃ２）となる部分が、光軸ＡＸに一致するコア部１１０の中心から半径方向に距離０．９ａから１．０ａだけ離れた範囲内の第２測定位置にあるように設定されている。このように、コア部１１０の中心からの距離ａ／２〜ａの範囲において、よりコア部１１０の中心に近い部分の塩素濃度に対し、よりクラッド部１２０に近い周辺部分の塩素濃度を高くすることで、コア部１１０の中心領域と周辺領域でガラス粘度差を低減することができる。その結果、母材の線引き後に得られるマルチモード光ファイバ内の残留応力が低減され、通信帯域の拡大を実現することができる。

なお、コア部１１０の中心からの距離ａ／２〜ａの範囲における塩素濃度分布の形状は、図２に示された形状には限定されない。コア部１１０における塩素濃度分布は、上記の距離ａ／２〜ａの範囲において、該コア部１１０の半径方向に沿って塩素濃度が単調増加する形状を有していれば、図３に示されたような種々の形状であってもよい。

例えば、図３に示された濃度分布２５１は図２の濃度分布２５０に一致した形状を有する。濃度分布２５２は、コア部１１０の中心からクラッド部１２０に近づくほど塩素濃度（Ｃｌ濃度）の増加率が減少する形状を有する。濃度分布２５３は、コア部１１０の中心からクラッド部１２０に向かって塩素濃度（Ｃｌ濃度）の増加率が増加、減少、増加の順に変化する形状を有する。濃度分布２５４は、コア部１１０の中心からクラッド部１２０に向かって塩素濃度（Ｃｌ濃度）の増加率が減少、増加、減少の順に変化する形状を有する。コア部１１０における塩素濃度分布として、いずれの濃度分布２５１〜２５４が採用されてもよい。なお、図３は、図２と同様に、便宜上１．０ａの位置で塩素濃度が最大となる図としている。

次に、本実施形態に係るマルチモード光ファイバ１００の製造方法について説明する。なお、以下ではＯＶＤ（Outside Vapor phase Deposition）法によりコア部材を製造し、ＶＡＤ（Vapor phase Axial Deposition）法により周辺部分を製造することを例に説明するが、ガラス微粒子を堆積する方法としてはこれらの方法に限定されず、コア部材をＶＡＤ法、ＭＣＶＤ（Modified Chemical Vapor Deposition）法、ＰＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor phase Deposition）法などを用いて製造しても良いし、周辺部分をＯＶＤ法、ＰＣＶＤ法などで製造しても良い。

マルチモード光ファイバ１００を得るため、まず、光ファイバ母材６００（図８参照）が製造される。この光ファイバ母材６００は、まず、ＯＶＤ法によりＧｅＯ_２（二酸化ゲルマニウム）が添加されたコア母材を製造し、脱水、焼結、延伸などの工程を経た後、さらに、得られたコア母材の外周にＶＡＤ法により周辺部分を製造することで得られる。なお、ＯＶＤ法により製造されるコア母材は、線引き後にα値が１．９〜２．２の屈折率分布を持つコア部１１０となるべき部分である。また、ＶＡＤ法により製造される周辺部分は、線引き後にクラッド部１２０となるべき部分である。

ＯＶＤ法による最初の製造工程では、図４（ａ）に示されたスス付け装置により多孔質母材５１０が製造される。このスス付け装置は、中心棒３１０（又は中空のガラス管でもよい）を矢印Ｓ１で示された方向に回転可能な状態で保持する構造を有する。また、スス付け装置は、多孔質母材５１０を中心棒３１０に沿って成長させるためのバーナー３２０と、原料ガスを供給するためのガス供給システム３３０を備える。また、バーナー３２０は、所定の移動機構により、図４（ａ）中の矢印Ｓ２ａ及びＳ２ｂで示された各方向に移動可能である。

多孔質母材５１０の製造中、バーナー３２０の火炎中では、ガス供給システム３３０から供給された原料ガスの加水分解反応によりガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が中心棒３１０の側面に堆積していく。この間、中心棒３１０は矢印Ｓ１で示された方向に回転する一方、バーナー３２０は矢印Ｓ２ａ、Ｓ２ｂで示された方向に沿って移動する。この動作により、多孔質ガラス体が中心棒３１０に沿って成長していき、コア部１１０となるべき多孔質母材５１０（スート・プリフォーム）が得られる。

続いて、上述のようにＯＶＤ法で製造された多孔質体母材５１０に対し、図４（ｂ）に示された脱水工程（塩素添加工程）が実施される。なお、脱水工程の実施前には、得られた多孔質母材５１０から中心棒３１０が抜き取られるが、中心棒３１０が中空ガラス管の場合は、脱水、焼結工程後に該中空ガラス管内にエッチングガスを流すことにより除去することとしてもよい。このように前処理が施された多孔質母材５１０は、図４（ｂ）に示された、ヒータ３６０を備えた加熱容器３５０内に設置され、塩素を含む雰囲気中で脱水処理が施される。なお、この加熱容器３５０には塩素を含むガスを供給するための導入口３５０ａと排気口３５０ｂが設けられている。また、この脱水工程中、支持機構３４０は、多孔質母材５１０を該多孔質母材５１０の中心軸を中心に矢印Ｓ４で示された方向に回転させながら、さらに、該多孔質母材５１０全体を矢印Ｓ３ａ、Ｓ３ｂで示された方向に移動させることにより、ヒータ３６０に対する多孔質母材５１０の相対位置を変えている。この工程を経て、所定量の塩素が添加された多孔質母材５２０が得られる。

なお、脱水工程は、効果的に塩素を母材内に添加するため、二段階で行われる。すなわち、第１段階では、容器３５０内の温度は１１５０℃（ヒータ温度）に設定され、導入口３５０ａから濃度４％の塩素ガス（Ｃｌ_２）とＨｅガスの混合ガスが容器３５０内に供給され、多孔質母材５１０の脱水が行われる。第２段階では、容器３５０内の温度は１３５０℃（ヒータ温度）に再設定され、導入口３５０ａから濃度７％の塩素ガス（Ｃｌ_２）とＨｅガスの混合ガスが容器３５０内に供給され、所定量の塩素が添加された多孔質母材５２０が得られる。

上述の脱水工程（塩素添加工程）を経て得られた多孔質母材５２０は、引続き上述された加熱容器３５０内で焼結される（透明化）。すなわち、図４（ｃ）に示されたように、支持機構３４０によって支持された状態で多孔質母材５２０が容器３５０内に収納される。このとき、容器３５０内の温度（ヒータ温度）は１５００℃に設定され、導入口３５０ａを介して容器３５０の内部にはＨｅガス、若しくはＨｅと塩素の混合ガスが供給されている。

この焼結工程中、支持機構３４０は、多孔質母材５２０を該多孔質母材５２０の中心軸を中心に矢印Ｓ４で示された方向に回転させながら、さらに、該多孔質母材５２０全体を矢印Ｓ３ａで示された方向に移動させることにより、ヒータ３６０に対する多孔質母材５２０の相対位置を変えている。この工程の後、中心穴の内部を減圧して加熱することで該中心穴をつぶす工程を経て、中実化された直径Ｄ１の透明ガラス体５３０が得られる。

図５（ａ）は、上述の各工程を経て得られた透明ガラス体５３０の塩素濃度分布２６０（透明ガラス体５３０の中心軸に直交する当該透明ガラス体５３０の径方向に沿った分布）である。この図５（ａ）において、横軸は、透明ガラス体５３０の中心軸（ＡＸ）に直交する線Ｄ上の、該透明ガラス体５３０の各部の位置を示す。得られた透明ガラス体５３０における平均塩素濃度は１５００ｐｐｍであり、図５（ａ）からも分かるように、透明ガラス体５３０の中心（便宜上、図ではＡＸで示す）から半径方向にＤ１／４（透明ガラス体５３０の半径Ｄ１／２の中間値）だけ離れた位置の塩素濃度Ｐ_Ｃ２に対し、該中心（便宜上、図ではＡＸで示す）から半径方向にＤ１／２（透明ガラス体５３０の表面）だけ離れた位置の塩素濃度Ｐ_Ｃ１が高くなっている。

なお、発明者らは、上述のような塩素濃度分布２６０を有する透明ガラス体を利用して最終的に製造される本実施形態に係るマルチモード光ファイバの光学特性と比較する、比較例に係るマルチモード光ファイバを製造するため、図５（ｂ）に示されたように、中心軸ＡＸに一致した中心で最大濃度Ｐ_Ｃ３となり、周辺領域で塩素濃度が急激に低下する塩素濃度分布を有する透明ガラス体も製造した。このような透明ガラス体は、脱水工程において、上述の第１段階のみ行うことで製造される。

以上のように製造された透明ガラス体５３０をその長手方向に直径Ｄ２（本実施形態では２０ｍｍ）となるまで延伸することにより、コア母材５４０が得られる。

なお、上述の多孔質母材の製造工程、脱水工程、及び焼結工程は同一の容器内で行うことも可能である。

さらに、上述の各工程を経て得られたコア母材５４０の表面に、ＶＡＤ法によりさらにガラス領域を形成することで、最終的にマルチモード光ファイバ用の母材が製造される。

具体的に、ＶＡＤ法による製造工程では、図７に示されたスス付け装置により多孔質ガラス体５５０がコア母材５４０の表面に形成される。このスス付け装置は、少なくとも排気口４５０ｂを備えた容器４５０と、コア母材５４０を支持するための支持機構４４０を備えている。すなわち、支持機構４４０には矢印Ｓ６で示された方向に回転可能な支持棒が設けられており、この支持棒の先端には多孔質ガラス体５５０（スス体）をその表面に成長させるためのコア母材５４０が取り付けられている。

図７のスス付け装置には、コア母材５４０の表面に多孔質ガラス体５５０（スス体）を堆積させるためのバーナー４６０が設けられており、ガス供給システム４７０からはバーナー４６０に対して所望の原料ガス（例えばＳｉＣｌ_４等）、燃焼ガス（Ｈ_２及びＯ_２）、及びＡｒやＨｅ等のキャリアガスが供給される。

多孔質ガラス体５５０の製造中、バーナー４６０の火炎中では、ガス供給システム４９０から供給された原料ガスの加水分解反応によりガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子がコア母材５４０の表面に堆積していく。この間、支持機構４４０は、一旦、その先端に設けられたコア母材５４０を矢印Ｓ５ａで示された方向に移動させた後、矢印Ｓ６で示された方向に回転させながら矢印Ｓ５ｂで示された方向（コア母材５４０の長手方向）に沿ってコア母材５４０を引き上げる動作を行っている。この動作により、多孔質ガラス体５５０がコア母材５４０の表面に、該コア母材５４０の下方に向かって成長していき、最終的に、該コア母材５４０の表面においてクラッド部１２０となるべき多孔質母材（スート・プリフォーム）が得られる。

以上の工程を経て得られた多孔質母材に対し、再度、脱水工程（図４（ｂ））及び焼結工程（図４（ｃ））が実行され、マルチモード光ファイバ用の母材６００が得られる。

この光ファイバ母材６００は、図８に示されたように、線引き後にコア部１１０となるべき領域と、クラッド部１２０となるべき周辺領域を備える。そして、図８に示された線引き工程において、光ファイバ母材６００の一端が、ヒータ６３０により加熱されながら矢印Ｓ７で示された方向に線引きされることにより、図１Ａに示された断面構造を有するマルチモード光ファイバ１００が得られる。

なお、図５（ａ）に示された塩素濃度分布２６０を有する透明ガラス体５３０から最終的に得られた、本実施形態に係るマルチモード光ファイバは、最小実効帯域が５６００ＭＨｚ・ｋｍ、８５０ｎｍにおけるＯＦＬ帯域が４７２０ＭＨｚ・ｋｍである広帯域のマルチモード光ファイバ（ＯＭ３のマルチモード光ファイバ）であることが確認できた。

一方、図５（ｂ）に示された塩素濃度分布を有する透明ガラス体から最終的に得られた、比較例に係るマルチモード光ファイバは、最小実効帯域が１５２０ＭＨｚ・ｋｍ、８５０ｎｍにおけるＯＦＬ帯域は１２５０ＭＨｚ・ｋｍとなり、結果的に、ＯＭ３のマルチモード光ファイバは得られなかった。

以上の本発明の説明から、本発明を様々に変形しうることは明らかである。そのような変形は、本発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めることはできず、すべての当業者にとって自明である改良は、以下の請求の範囲に含まれるものである。

１００…マルチモード光ファイバ、１１０…コア部、１２０…クラッド部。

Claims (2)

1. 所定軸に沿って伸びるとともに、ＧｅＯ_２が添加されたコア部と、前記コア部の外周に設けられ、前記コア部よりも低い屈折率を有するクラッド部を備えたマルチモード光ファイバであって、
   当該マルチモード光ファイバの径方向の屈折率分布のうち前記コア部に相当する部分のα値が１．９〜２．２、前記クラッド部の基準領域に対する前記コア部の最大比屈折率差Δが０．８〜１．２％、前記コア部の直径２ａが４７．５〜５２．５μｍであり、
   前記コア部には塩素が添加されており、当該マルチモード光ファイバの径方向に沿った、前記コア部における塩素濃度分布が、前記コア部の中心からその半径方向に距離ａ／２だけ離れた第１測定位置の塩素濃度よりも、前記コア部の中心からその半径方向に距離０．９ａから１．０ａだけ離れた範囲内の第２測定位置で塩素濃度が高くなる形状を有するマルチモード光ファイバ。
2. 前記コア部における塩素濃度分布は、前記第１測定位置と前記第２測定位置に挟まれた範囲において、前記コア部の半径方向に沿って塩素濃度が単調増加する形状を有することを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。

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