JP2013077628A - Manufacturing method of multi-chip laminated body - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a multi-chip laminated body which manufactures a multi-chip laminated body using TSV mounting process which allows a continuity inspection of a non-board chip laminated body to be conducted in a conventional inspection apparatus.SOLUTION: Multiple test electrodes 130 and multiple exterior electrodes 131 are formed on a surface of a chip 110 formed by dividing a wafer. The chip 110 is provided with multiple silicon through holes 111 which establish electrical continuity between the external electrodes 131 and the test electrodes 130. Next, a non-board chip laminated body 100 is fixed onto an adhesive tape 252 and a filling seal body 150 is formed on the adhesive tape 252. Then, a tape carrier 250 supporting the adhesive tape 252 is fixed to the interior of a wafer test tray 260. In a continuity inspection, the non-board chip laminated body 100 is mounted in the interior of a wafer inspection apparatus 270 with the adhesive tape 252 adhering thereto, the quality of the conduction of the non-board chip laminated body 100 is determined by multiple probes 271 of the wafer inspection apparatus 270.

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にマルチチップ積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a multichip stacked body.

新たな高密度実装技術であるマルチチップ積層実装法では、パッケージ内に多数の積層チップを実装する。このようにして製造されたマルチチップ積層体を検査するとき、チップを1つずつ基板上に積層したのち、チップ上の電極にプローブを当てて導通検査が実施される。このとき、マルチチップ積層体は、チップが積層される基板によってマルチチップ積層体の表面接合面積および厚さが増加するため、体格が大きくなる。特開2011−071441号公報には、マルチチップ積層体の体格を小さくするため、基板を使用しないウエハレベルチップ積層法によって無基板チップ積層体を製造する半導体装置の製造方法が記載されている。   In a multi-chip stacked mounting method, which is a new high-density mounting technology, a large number of stacked chips are mounted in a package. When inspecting the multi-chip laminate manufactured in this way, the chips are stacked one by one on the substrate, and then a continuity test is performed by applying a probe to the electrode on the chip. At this time, the multi-chip laminate increases in size because the surface bonding area and thickness of the multi-chip laminate are increased by the substrate on which the chips are laminated. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-071441 describes a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a substrate-free chip stack by a wafer level chip stacking method that does not use a substrate in order to reduce the size of the multi-chip stack.

特開2011−071441号公報JP 2011-071441 A

しかしながら、特許文献1に記載の半導体装置の製造方法では、ウエハ内に位置が固定されていない不良チップが発生する場合、ウエハ基準の照準方法で検査を行うため、無基板チップ積層体の不良率が高まる。また、マルチチップ積層体では、外部接続電極とテスト電極との間隔が従来の数百μm程度から百μm以下に小さくなるため、従来の検査装置のプローブでは導通検査を実施することができない。これに対して、無基板チップ積層体を基板に設置した後に導通検査を実施する方法が考えられるが、この方法では積層チップ同士の接点の良否を事前に判定することができない。また、無基板チップ積層体を基板に設置する前に無基板チップ積層体をファンアウト回路およびファンイン端子を備えるシリコンからなるトランスファー基板に接合し、導通検査を実施する方法があるが、このような製造方法は工程が複雑となり、かつ高コストになる。   However, in the method of manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 1, when a defective chip whose position is not fixed is generated in the wafer, inspection is performed using a wafer-based aiming method. Will increase. Further, in the multi-chip laminated body, the interval between the external connection electrode and the test electrode is reduced from about several hundred μm to 100 μm or less, so that the continuity test cannot be performed with the probe of the conventional inspection apparatus. On the other hand, although the method of implementing a continuity test after installing a non-substrate chip laminated body on a substrate can be considered, in this method, the quality of the contact between the laminated chips cannot be determined in advance. In addition, there is a method in which the non-substrate chip stack is bonded to a transfer substrate made of silicon having a fan-out circuit and a fan-in terminal before the non-substrate chip stack is installed on the substrate, and a continuity test is performed. Such a manufacturing method has a complicated process and high cost.

本発明の目的は、無基板チップ積層体の導通検査を従来の検査装置で実施可能なTSV(Through Silicon Via)実装プロセスを用いて製造するマルチチップ積層体の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a manufacturing method of a multi-chip stacked body manufactured by using a TSV (Through Silicon Via) mounting process in which a continuity test of a substrate-free chip stacked body can be performed by a conventional inspection apparatus.

本発明のもう1つの目的は、基板に搭載される前の無基板チップ積層体の良否を検査において判定することにより、低コストで規格外れの無基板チップ積層体の使用を防止可能なマルチチップ積層体の製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a multi-chip capable of preventing the use of a non-standard substrate-free chip stack at a low cost by determining the quality of the substrate-free chip stack before being mounted on a substrate. It is providing the manufacturing method of a laminated body.

請求項1に記載のマルチチップ積層体の製造方法は、以下の第1ステップから第5ステップまでの5つのステップを含む。第1ステップでは、積層される複数のチップからなるチップ群の表面上に複数のテスト電極を有し、隣り合うチップの間にチップ積層間隙が形成される無基板チップ積層体を提供する。第2ステップでは、無基板チップ積層体のテスト電極が形成される表面とは反対側の表面に接着テープを固定する。第3ステップでは、接着テープの上にチップ積層間隙を充填するように充填封止体を形成する。第4ステップでは、接着テープを支持する開口を形成するテープキャリアをウエハテストトレーに固定する。第5ステップでは、ウエハ検査装置の複数のプローブを用いて接着テープに接着されたままウエハ検査装置内に導入される無基板チップ積層体上のテスト電極群を探り、無基板チップ積層体の導通検査を実施する。   The manufacturing method of the multichip laminated body according to claim 1 includes the following five steps from the first step to the fifth step. In the first step, there is provided a substrate-free chip stacked body having a plurality of test electrodes on the surface of a chip group consisting of a plurality of stacked chips and forming a chip stacking gap between adjacent chips. In the second step, an adhesive tape is fixed to the surface opposite to the surface on which the test electrode of the substrate-free chip stack is formed. In the third step, a filling sealing body is formed on the adhesive tape so as to fill the chip stacking gap. In the fourth step, a tape carrier that forms an opening for supporting the adhesive tape is fixed to the wafer test tray. In the fifth step, the test electrode group on the substrate-free chip stacked body introduced into the wafer inspection apparatus while being bonded to the adhesive tape using a plurality of probes of the wafer inspection apparatus is searched, and the connection of the substrate-free chip stacked body is conducted. Conduct an inspection.

請求項2に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、さらにテープキャリアをウエハテストトレーから離脱させるステップを含む。   The method for manufacturing a multi-chip laminate according to claim 2 further includes a step of detaching the tape carrier from the wafer test tray.

請求項3に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、ウエハテストトレーはテープキャリアよりも大きく、また、両者の形状は異なっている。   In the manufacturing method of the multichip laminated body according to claim 3, the wafer test tray is larger than the tape carrier, and the shapes of both are different.

請求項4に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、ウエハテストトレーは銅、鉄またはこれらの合金からなるベースを備える。   According to a fourth aspect of the present invention, the wafer test tray includes a base made of copper, iron, or an alloy thereof.

請求項5に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、ウエハテストトレーはベース上に設けられる複数の固定部を有し、固定部群はテープキャリアを所定位置に固定する。   According to a fifth aspect of the present invention, the wafer test tray has a plurality of fixing portions provided on the base, and the fixing portion group fixes the tape carrier at a predetermined position.

請求項6に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、固定部群はテープキャリアの複数の角部を固定する。   In the manufacturing method of the multichip laminated body of Claim 6, a fixing | fixed part group fixes the some corner | angular part of a tape carrier.

請求項7に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、ウエハテストトレーのベースは固定表面と固定表面に形成される開口を有し、開口の形状はテープキャリアの周縁と同じ形状である。   In the manufacturing method of the multichip laminated body according to claim 7, the base of the wafer test tray has a fixed surface and an opening formed in the fixed surface, and the shape of the opening is the same shape as the peripheral edge of the tape carrier.

請求項8に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、充填封止体の形成ステップは、さらに無基板チップ積層体を超える樹脂溢れ部位の充填封止体を除去する溢れ樹脂除去ステップを含む。   In the manufacturing method of the multichip laminated body according to claim 8, the filling sealing body forming step further includes an overflow resin removing step of removing the filling sealing body at the resin overflow portion exceeding the non-substrate chip laminated body.

請求項9に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、溢れ樹脂除去ステップのあと、充填封止体はチップ群の複数の側面を被覆している。   In the manufacturing method of the multichip laminated body according to the ninth aspect, the filling sealing body covers a plurality of side surfaces of the chip group after the overflow resin removing step.

請求項10に記載のマルチチップ積層体の製造方法では、チップ内に複数のシリコン貫通孔が設けられ、かつ無基板チップ積層体のチップ積層間隙群に複数の相互連結電極を設置する。このとき、相互連結電極群はシリコン貫通孔群と電気的に導通する。   In the manufacturing method of the multichip laminated body according to the tenth aspect, a plurality of silicon through holes are provided in the chip, and a plurality of interconnection electrodes are installed in the chip lamination gap group of the non-substrate chip laminated body. At this time, the interconnecting electrode group is electrically connected to the silicon through hole group.

本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the step of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Aの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1A of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Bの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1B of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Cの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1C of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Dの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1D of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Eの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1E of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Fの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1F of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Gの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1G of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法の図1Hの次のステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the next step of FIG. 1H of the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法において使用するウエハテストトレーを示す正面図である。It is a front view which shows the wafer test tray used in the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法において使用するウエハテストトレーを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wafer test tray used in the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法において使用するウエハテストトレーであって図2Aおよび図2Bとは異なるウエハテストトレーを示す正面図である。It is a front view which shows the wafer test tray used in the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention, and is different from FIG. 2A and FIG. 2B. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法において使用するウエハテストトレーであって図2Aおよび図2Bとは異なるウエハテストトレーを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wafer test tray used in the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention, and is different from FIG. 2A and FIG. 2B. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法においてテープキャリアを搭載するウエハテストトレーを示す正面図である。It is a front view which shows the wafer test tray which mounts a tape carrier in the manufacturing method of the multichip laminated body by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体の製造方法において使用するウエハ検査装置を示す立体図である。It is a three-dimensional view showing a wafer inspection apparatus used in a method for manufacturing a multichip laminate according to an embodiment of the present invention.

以下、添付された図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。しかしながら、図面においては、本発明の基本構成や実施方法を示す概略図であり、本発明に係る要素と構成とだけを示し、実際に実施する部材の個数、外形、寸法を一定の比率で記載するものではなく、説明の便宜及び明確性のために簡略または誇張されている。一方、実際に使われる個数、外形、寸法は様々な設計に応じ、部材の配置により複雑になる可能性がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, in the drawings, it is a schematic diagram showing the basic configuration and implementation method of the present invention, showing only the elements and configuration according to the present invention, and describing the number, outer shape, and dimensions of the members actually implemented at a certain ratio. Rather, they are simplified or exaggerated for convenience and clarity of explanation. On the other hand, the number, outer shape, and dimensions actually used may be complicated by the arrangement of members according to various designs.

(一実施形態)
本発明の一実施形態によるマルチチップ積層体としての製造方法を図1A〜図5に基づいて説明する。
図1Aに示すように、「第1ステップ」としての無基板チップ積層体100を提供するステップでは、ウエハを分割して複数のチップ110を形成し、各チップ110の表面に複数のテスト電極130と複数の外部電極131とを形成する。ウエハの分割時および分割後には、チップ110群はウエハダイシングテープ210上に貼り付けられる。ウエハダイシングテープ210は、図示しないウエハ支持リングに貼り付けられ、ウエハ分割時、ウエハダイシングブレード220を用いてウエハのダイシングラインに沿って切り込みを入れることにより、チップ110群は形成される。
(One embodiment)
The manufacturing method as a multichip laminated body by one Embodiment of this invention is demonstrated based on FIG. 1A-FIG.
As shown in FIG. 1A, in the step of providing the substrate-free chip stack 100 as the “first step”, the wafer is divided to form a plurality of chips 110, and a plurality of test electrodes 130 are formed on the surface of each chip 110. And a plurality of external electrodes 131 are formed. During and after the wafer is divided, the group of chips 110 is attached onto the wafer dicing tape 210. The wafer dicing tape 210 is affixed to a wafer support ring (not shown), and a chip 110 group is formed by making a cut along the wafer dicing line using the wafer dicing blade 220 when dividing the wafer.

ウエハレベル検査の後、良好なチップ110は分類および収集され、図1Bに示すように、複数のチップ110をチップキャリア230上に積層し無基板チップ積層体100を形成する。このとき、隣り合うチップ110の間にチップ積層間隙120が形成される。最上層チップの表面には露出するパッド形状のテスト電極130が複数形成されるとともに銅からなる柱状の外部電極131が設けられる。テスト電極130群の間隔は外部電極131群の間隔よりも大きくなる。本実施例において、テスト電極130群は60μmから100μm程度までの間隔で設けられている。また、外部電極131群は30μmから60μm程度までの間隔で設けられている。   After wafer level inspection, good chips 110 are classified and collected, and a plurality of chips 110 are stacked on a chip carrier 230 to form a substrate-free chip stack 100 as shown in FIG. 1B. At this time, a chip stacking gap 120 is formed between adjacent chips 110. A plurality of exposed pad-shaped test electrodes 130 are formed on the surface of the uppermost chip, and columnar external electrodes 131 made of copper are provided. The interval between the test electrode 130 groups is larger than the interval between the external electrode 131 groups. In this embodiment, the test electrode group 130 is provided at intervals of about 60 μm to about 100 μm. The external electrode 131 group is provided at an interval of about 30 μm to 60 μm.

図1Bに示すように、各チップ110には複数のシリコン貫通孔111が設けられる。シリコン貫通孔111は、外部電極131と縦方向に連結して外部電極131群と電気的に接続する。また、シリコン貫通孔111は、図示しない再配線層を介してテスト電極130群と電気的に接続している。無基板チップ積層体100のチップ積層間隙120内には複数の相互連結電極140が設けられている。相互連結電極140群は、チップ110を積層する前に形成されているチップ表面の外部電極131により構成され、シリコン貫通孔111群と電気的に導通する。   As shown in FIG. 1B, each chip 110 is provided with a plurality of silicon through holes 111. The silicon through hole 111 is connected to the external electrode 131 in the vertical direction and is electrically connected to the group of external electrodes 131. Further, the silicon through hole 111 is electrically connected to the test electrode 130 group via a redistribution layer (not shown). A plurality of interconnecting electrodes 140 are provided in the chip stacking gap 120 of the substrate-free chip stack 100. The interconnecting electrode 140 group is constituted by the external electrode 131 on the chip surface formed before the chip 110 is stacked, and is electrically connected to the silicon through hole 111 group.

次に図1Cに示すように、「第2ステップ」として無基板チップ積層体100を接着テープ252の上に固定する。このとき、テスト電極130群は接着テープ252の反対側になるように無基板チップ積層体100を固定する。接着テープ252は、粘着性によって無基板チップ積層体100を固定することができ、テープキャリア250の開口251内に設置される(図1F参照)。テープキャリア250は細長い金属筐体であり、接着テープ252をテープキャリア250に設置するステップは、充填封止体の形成前または形成過程中に実施される。本実施形態では、充填封止体の形成過程中のディスペンシング後と加熱硬化前との間に接着テープ252がテープキャリア250に設置される。これにより、無基板チップ積層体100を加熱炉へ搬送する搭載治具としてテープキャリア250が用いられる。   Next, as shown in FIG. 1C, as a “second step”, the non-substrate chip stack 100 is fixed on the adhesive tape 252. At this time, the substrate-free chip stack 100 is fixed so that the test electrode group 130 is on the opposite side of the adhesive tape 252. The adhesive tape 252 can fix the substrate-free chip stack 100 by adhesiveness, and is installed in the opening 251 of the tape carrier 250 (see FIG. 1F). The tape carrier 250 is an elongated metal housing, and the step of installing the adhesive tape 252 on the tape carrier 250 is performed before or during the formation of the filling sealing body. In the present embodiment, the adhesive tape 252 is installed on the tape carrier 250 after dispensing during the filling sealing body formation process and before heat curing. Thereby, the tape carrier 250 is used as a mounting jig for transporting the substrate-free chip stack 100 to the heating furnace.

次に図1Cに示すように、「第3ステップ」として塗布針240を用いて充填封止体150を接着テープ252上に形成する。このとき、適当な温度および時間をかけることにより、毛管現象によって充填封止体150がチップ積層間隙120群に十分に充填される。充填封止体150は相互連結電極140群を図1Dに示すように密封する。充填された充填封止体150は、加熱によって硬化する。   Next, as shown in FIG. 1C, as a “third step”, the filling sealing body 150 is formed on the adhesive tape 252 using the application needle 240. At this time, by applying an appropriate temperature and time, the filled sealing body 150 is sufficiently filled in the chip stacking gap 120 group by capillary action. Fill seal 150 seals interconnected electrode 140 group as shown in FIG. 1D. The filled sealing body 150 filled is cured by heating.

さらに、図1Dおよび図1Eに示すように、充填封止体150を形成するステップは、溢れ樹脂除去ステップを含む。溢れ樹脂除去ステップでは、無基板チップ積層体100からはみ出る樹脂溢れ部位151の充填封止体150を除去する。これにより、無基板チップ積層体100を立方体形状に近づける。溢れ樹脂除去ステップは、充填封止体150の硬化成形前に実施され、図1Eに示すように溢れ樹脂除去ステップ後に充填封止体150がチップ110群の複数の側面112を被覆するように除去する。これにより、無基板チップ積層体100内のチップ110群を有効に保護する。   Further, as shown in FIGS. 1D and 1E, the step of forming the filling sealing body 150 includes an overflow resin removing step. In the overflow resin removing step, the filling sealing body 150 of the resin overflow portion 151 protruding from the non-substrate chip laminated body 100 is removed. Thereby, the non-substrate chip laminated body 100 is brought close to a cubic shape. The overflow resin removal step is performed before the molding of the filling sealing body 150, and as shown in FIG. 1E, the filling sealing body 150 is removed so as to cover the plurality of side surfaces 112 of the chip 110 group after the overflow resin removal step. To do. This effectively protects the group of chips 110 in the substrate-free chip stack 100.

次に図1Gに示すように、「第4ステップ」としてウエハテストトレー260内にテープキャリア250を固定する。   Next, as shown in FIG. 1G, the tape carrier 250 is fixed in the wafer test tray 260 as the “fourth step”.

次に図1Hに示すように、「第5ステップ」として無基板チップ積層体100を接着テープ252に接着したままウエハ検査装置270内に搭載する。ウエハテストトレー260は図4に示すようにテープキャリア250よりも大きく、またウエハテストトレー260とテープキャリア250との形状は異なっている。ここで、ウエハテストトレー260はテープキャリア250の載置用となっており、モジュール転換治具を構成する。ウエハテストトレー260の形状は円盤状であって、周知のウエハ支持リングの形状と同じである。しかしながら、ウエハテストトレー260には、周知のウエハ支持リングが有する中央の開口が形成されておらず、また、ウエハを接着するためのダイシングテープが設けられていない。また、テープキャリア250を細長い形状とすることにより、基板ストリップ方式のようにストリップ状輸送を行うことができる。   Next, as shown in FIG. 1H, as a “fifth step”, the non-substrate chip stack 100 is mounted in the wafer inspection apparatus 270 while being bonded to the adhesive tape 252. The wafer test tray 260 is larger than the tape carrier 250 as shown in FIG. 4, and the wafer test tray 260 and the tape carrier 250 are different in shape. Here, the wafer test tray 260 is for mounting the tape carrier 250, and constitutes a module conversion jig. The wafer test tray 260 has a disk shape, which is the same as the shape of a well-known wafer support ring. However, the wafer test tray 260 is not formed with a central opening of a known wafer support ring, and is not provided with a dicing tape for bonding the wafers. Further, by making the tape carrier 250 have an elongated shape, strip-like transportation can be performed as in the substrate strip method.

ウエハテストトレー260は、銅、鉄またはこれらの合金からなるベース261を備える。具体的に言えば、図2Aおよび図2Bに示すように、ウエハテストトレー260は複数の固定部262を有し、固定部262群はベース261上に設置されてテープキャリア250を所定位置に固定する。図4に示すように、固定部262群は接着テープ252に貼り付けられる無基板チップ積層体100を固定しているテープキャリア250の複数の角部を固定する。これにより、無基板チップ積層体100は接着テープ252に接着されたままウエハ検査装置270内に搭載される。   The wafer test tray 260 includes a base 261 made of copper, iron, or an alloy thereof. Specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, the wafer test tray 260 has a plurality of fixing portions 262, and the fixing portions 262 are installed on the base 261 to fix the tape carrier 250 at a predetermined position. To do. As shown in FIG. 4, the fixing portion 262 group fixes a plurality of corner portions of the tape carrier 250 that fixes the non-substrate chip stack 100 attached to the adhesive tape 252. As a result, the non-substrate chip stack 100 is mounted in the wafer inspection apparatus 270 while being bonded to the adhesive tape 252.

図3Aおよび3Bには、本実施形態の一変化例として、ウエハテストトレー260の異なる形状を示す。図3Aに示すウエハテストトレー260のベース261は、固定表面263および固定表面263に形成される開口264を有し、開口264の形状はテープキャリア250の周縁と同じ形状である。テープキャリア250が固定表面263上に装着される場合、テープキャリア250の底部は開口264内に一部嵌め込まれることで、ウエハテストトレー260内に固定される。   3A and 3B show different shapes of the wafer test tray 260 as a variation of the present embodiment. The base 261 of the wafer test tray 260 shown in FIG. 3A has a fixed surface 263 and an opening 264 formed in the fixed surface 263, and the shape of the opening 264 is the same shape as the periphery of the tape carrier 250. When the tape carrier 250 is mounted on the fixing surface 263, the bottom of the tape carrier 250 is fixed in the wafer test tray 260 by being partially fitted in the opening 264.

ウエハ検査装置270内では図1Hに示すように、ウエハ検査装置270の複数のプローブ271を用いてテスト電極130群を探り、無基板チップ積層体100の導通検査を実施する。ここで、プローブ271群はプローブカード275に装着されている。図5に示すように、ウエハ検査装置270はロードエリア272、搬送エリア273およびテストエリア274を有する。ロードエリア272内では周知のウエハ位置固定リングがロードまたはアンロードされ、搬送エリア273内での位置合わせ検査を通過した後にテストエリア274へ搬送される。テストエリア274内ではチップ表面の電極のウエハレベルを探るため、プローブ271群を装着したプローブカード275が設けられる。ウエハテストトレー260はウエハ支持リングとの寸法が同じになっており、ロードエリア272内に直接に搭載される。テストエリア274内ではプローブ271群で無基板チップ積層体100のテスト電極130群を探る。   In the wafer inspection apparatus 270, as shown in FIG. 1H, the test electrode 130 group is searched using a plurality of probes 271 of the wafer inspection apparatus 270, and the continuity inspection of the substrate-free chip stack 100 is performed. Here, the probe 271 group is attached to the probe card 275. As shown in FIG. 5, the wafer inspection apparatus 270 has a load area 272, a transfer area 273, and a test area 274. A well-known wafer position fixing ring is loaded or unloaded in the load area 272, and is transferred to the test area 274 after passing the alignment inspection in the transfer area 273. In the test area 274, a probe card 275 equipped with a group of probes 271 is provided to search the wafer level of the electrodes on the chip surface. The wafer test tray 260 has the same dimensions as the wafer support ring, and is mounted directly in the load area 272. In the test area 274, the test electrode 130 group of the substrate-free chip stack 100 is searched with the probe 271 group.

検査が終了した後、図1Iに示すように、テープキャリア250をウエハテストトレー260から取り外す。これにより、ウエハテストトレー260は繰り返し使用される。なお、このあと、無基板チップ積層体100についてはマーキング、包装などの製造工程が行われる。   After the inspection is completed, the tape carrier 250 is removed from the wafer test tray 260 as shown in FIG. 1I. Thereby, the wafer test tray 260 is repeatedly used. Thereafter, for the non-substrate chip laminated body 100, manufacturing processes such as marking and packaging are performed.

(効果)
(A)無基板チップ積層体100の検査において、接着テープ252の剥離による無基板チップ積層体100の再貼り付けおよびテープキャリア250の交換を不要とすることができる。また、無基板チップ積層体100は、従来使用されているファンアウト回路とファンイン端子とを備えるトランスファー基板に搭載しなくても、導通検査を実施することができ、チップ110群間の導通、すなわち相互連結電極140の接合の良否を判定することができる。これにより、接着テープの使用回数を少なくすることができる。したがって、無基板チップ積層体100の検査コストを低減でき、無基板チップ積層体100の検査効率を向上することができる。
(effect)
(A) In the inspection of the non-substrate chip stack 100, it is possible to eliminate the need for reattaching the non-substrate chip stack 100 and removing the tape carrier 250 by peeling the adhesive tape 252. Further, the substrate-free chip stack 100 can perform a continuity test without being mounted on a transfer substrate having a fan-out circuit and a fan-in terminal that are conventionally used. That is, whether or not the interconnecting electrode 140 is bonded can be determined. Thereby, the frequency | count of use of an adhesive tape can be decreased. Therefore, the inspection cost of the non-substrate chip stacked body 100 can be reduced, and the inspection efficiency of the non-substrate chip stacked body 100 can be improved.

(B)本実施形態の無基板チップ積層体100の製造方法では、ウエハ検査装置270内で無基板チップ積層体100の分類を直接行うことができる。これにより、基板に設置される前に無基板チップ積層体100の良否を判定することができ、規格外れの無基板チップ積層体100を除去することができる。したがって、規格外れの無基板チップ積層体100の使用を防止することができる。   (B) In the method for manufacturing the substrate-free chip stack 100 according to this embodiment, the substrate-free chip stack 100 can be directly classified in the wafer inspection apparatus 270. Thereby, the quality of the non-substrate chip laminated body 100 can be determined before being placed on the substrate, and the non-standard non-substrate chip laminated body 100 can be removed. Therefore, it is possible to prevent the use of the non-standard substrate-free chip stack 100.

(C)また、本実施形態の無基板チップ積層体100の製造方法では、従来のウエハ検査装置を用いて導通検査を実施することができ、ファインピッチ探りの要求を満たすことができる。   (C) Moreover, in the manufacturing method of the substrate-free chip laminated body 100 of the present embodiment, the continuity inspection can be performed using a conventional wafer inspection apparatus, and the demand for fine pitch search can be satisfied.

(その他の実施例)
(ア)上述の実施形態では、最上層チップの表面には複数の外部電極が設けられるとした。しかしながら、最上層チップの表面に設けられる電極はこれに限定されない。外部電極は省略してもよいし、テスト電極を外部電極としてもよい。
(Other examples)
(A) In the above-described embodiment, a plurality of external electrodes are provided on the surface of the uppermost chip. However, the electrode provided on the surface of the uppermost chip is not limited to this. The external electrode may be omitted, or the test electrode may be an external electrode.

(イ)上述の実施形態では、テスト電極の形状はパッド形状であるとした。しかしながら、テスト電極の形状はこれに限定されない。バンプ形状であってもよい。   (A) In the above-described embodiment, the test electrode has a pad shape. However, the shape of the test electrode is not limited to this. It may be a bump shape.

(ウ)上述の実施形態では、外部電極は銅からなる柱状形状とした。しかしながら、外部電極の形状及び材料はこれに限定されない。半田ボールまたは金属バンプであってもよい。   (C) In the above embodiment, the external electrode has a columnar shape made of copper. However, the shape and material of the external electrode are not limited to this. Solder balls or metal bumps may be used.

(エ)上述の実施形態では、相互連結電極は、積層前に形成するチップ表面の外部電極から構成されるとした。しかしながら、相互連結電極を構成する部品はこれに限定されない。導通可能な素子でもよいし、金属柱と半田材との組み合わせであってもよい。   (D) In the above-described embodiment, the interconnection electrode is constituted by the external electrode on the chip surface formed before lamination. However, the parts constituting the interconnection electrode are not limited to this. A conductive element may be used, or a combination of a metal column and a solder material may be used.

(オ)上述の実施形態では、溢れ樹脂除去ステップは、充填封止体の硬化成形前に実施されるとした。しかしながら、溢れ樹脂除去ステップが実施されるタイミングはこれに限定されない。充填封止体の硬化成形後に実施してもよい。このとき、樹脂溢れ部位はレーザ分割工具を用いて除去してもよい。   (E) In the above-described embodiment, the overflow resin removing step is performed before the cured molding of the filled sealing body. However, the timing at which the overflow resin removing step is performed is not limited to this. You may implement after hardening molding of a filling sealing body. At this time, the resin overflow portion may be removed using a laser dividing tool.

以上、本発明をその好適な実施例に基づいて説明したが、本発明の保護範囲は特許請求の範囲により限定され、この保護範囲を基準として、本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正は本発明の保護範囲に属する。   Although the present invention has been described based on the preferred embodiments thereof, the protection scope of the present invention is limited by the scope of the claims, and on the basis of this protection scope, any changes or modifications that come within the spirit and scope of the present invention. The modifications belong to the protection scope of the present invention.

100 無基板チップ積層体(マルチチップ積層体)、
110 チップ、
111 シリコン貫通孔、
112 側面、
120 チップ積層間隙、
130 テスト電極、
140 相互連結電極、
150 充填封止体、
151 樹脂溢れ部位、
210 ウエハダイシングテープ、
220 ウエハダイシングブレード、
230 チップキャリア、
240 塗布針、
250 テープキャリア、
251 開口、
252 接着テープ、
253 角部、
260 ウエハテストトレー、
261 ベース、
262 固定部、
263 固定表面、
264 開口、
270 ウエハ検査装置、
271 プローブ、
272 ロードエリア、
273 搬送エリア、
274 テストエリア、
275 プローブカード。
100 Non-substrate chip stack (multi-chip stack),
110 chips,
111 Silicon through hole,
112 sides,
120 chip stacking gap,
130 test electrodes,
140 interconnecting electrodes,
150 filled sealing body,
151 Resin overflow site,
210 wafer dicing tape,
220 wafer dicing blade,
230 chip carrier,
240 application needle,
250 tape carrier,
251 opening,
252 adhesive tape,
253 corner,
260 wafer test tray,
261 base,
262 fixing part,
263 fixed surface,
264 opening,
270 wafer inspection equipment,
271 probe,
272 Road area,
273 transport area,
274 test area,
275 Probe card.

Claims (10)

積層される複数のチップからなるチップ群の表面に複数のテスト電極を有し、隣り合う前記チップの間にチップ積層間隙が形成される無基板チップ積層体を提供する第1ステップと、
前記無基板チップ積層体の前記テスト電極が形成される表面とは反対側の表面に接着テープを固定する第2ステップと、
前記接着テープの上に前記チップ積層間隙を充填するように充填封止体を形成する第3ステップと、
前記接着テープを支持する開口を形成するテープキャリアをウエハテストトレーに固定する第4ステップと、
前記無基板チップ積層体を前記接着テープに接着したままウエハ検査装置内に搭載し、ウエハ検査装置の複数のプローブを用いて前記テスト電極群を探ることにより、前記無基板チップ積層体を検査する第5ステップと、
を含むことを特徴とするマルチチップ積層体の製造方法。
A first step of providing a substrate-free chip stack having a plurality of test electrodes on a surface of a chip group consisting of a plurality of chips to be stacked and having a chip stacking gap formed between adjacent chips;
A second step of fixing an adhesive tape to a surface opposite to the surface on which the test electrode of the substrate-free chip stack is formed;
A third step of forming a filling sealing body so as to fill the chip stacking gap on the adhesive tape;
A fourth step of fixing a tape carrier forming an opening for supporting the adhesive tape to a wafer test tray;
The substrate-free chip stack is mounted in a wafer inspection apparatus while being bonded to the adhesive tape, and the test electrode group is searched using a plurality of probes of the wafer inspection apparatus to inspect the substrate-free chip stack. The fifth step;
The manufacturing method of the multichip laminated body characterized by the above-mentioned.
さらに前記テープキャリアを前記ウエハテストトレーから離脱させるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   The method of manufacturing a multichip laminate according to claim 1, further comprising a step of detaching the tape carrier from the wafer test tray. 前記ウエハテストトレーは前記テープキャリアよりも大きく、前記ウエハテストトレーと前記テープキャリアとの形状は異なっていることを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   2. The method of manufacturing a multi-chip laminate according to claim 1, wherein the wafer test tray is larger than the tape carrier, and the wafer test tray and the tape carrier are different in shape. 前記ウエハテストトレーは銅、鉄、またはこれらの合金からなるベースを備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   The method for manufacturing a multichip laminate according to claim 1, wherein the wafer test tray includes a base made of copper, iron, or an alloy thereof. 前記ウエハテストトレーは前記ベース上に設けられる複数の固定部を有し、前記固定部群は前記テープキャリアを所定位置に固定することを特徴とする請求項4に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   5. The multi-chip laminate manufacturing method according to claim 4, wherein the wafer test tray has a plurality of fixing portions provided on the base, and the fixing portion group fixes the tape carrier at a predetermined position. Method. 前記固定部群は前記テープキャリアの複数の角部を固定することを特徴とする請求項5に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   6. The method of manufacturing a multichip laminate according to claim 5, wherein the fixing part group fixes a plurality of corners of the tape carrier. 前記ウエハテストトレーの前記ベースは固定表面と前記固定表面に形成される開口とを有し、前記開口の形状は前記テープキャリアの周縁と同じ形状であることを特徴とする請求項6に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   The base of the wafer test tray has a fixed surface and an opening formed in the fixed surface, and the shape of the opening is the same shape as the periphery of the tape carrier. A manufacturing method of a multichip laminate. 前記第3ステップは、前記無基板チップ積層体から樹脂が溢れている樹脂溢れ部位の充填封止体を除去する溢れ樹脂除去ステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   2. The multichip laminate according to claim 1, wherein the third step includes an overflow resin removing step of removing a filling sealing body of a resin overflow portion where the resin overflows from the substrate-free chip laminate. Manufacturing method. 前記溢れ樹脂除去ステップのあと、前記充填封止体は前記チップ群の複数の側面を被覆することを特徴とする請求項8に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   9. The method of manufacturing a multi-chip laminate according to claim 8, wherein after the overflow resin removing step, the filling sealing body covers a plurality of side surfaces of the chip group. 前記チップ内に複数のシリコン貫通孔を設置し、かつ前記無基板チップ積層体の前記チップ積層間隙群に複数の相互連結電極を設置し、前記相互連結電極群は前記シリコン貫通孔群と電気的に導通していることを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ積層体の製造方法。   A plurality of silicon through holes are installed in the chip, and a plurality of interconnect electrodes are installed in the chip stack gap group of the substrate-free chip stack, and the interconnect electrode group is electrically connected to the silicon through hole group. The method for producing a multichip laminate according to claim 1, wherein the multichip laminate is electrically connected.
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