JP2013074159A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に間隔を空けて形成されるソース領域およびドレイン領域と、絶縁層を介してソース領域およびドレイン領域に隣接するように、半導体基板上に形成されるゲート領域と、ソース領域とドレイン領域との間の静電結合による容量を制御する容量制御部と、を備える。
【選択図】 図1
Description
図1は、一の実施形態に係る電界効果トランジスタの一種である単電子トランジスタの構成を示す。図1(a)〜(c)は、単電子トランジスタを真上(Z軸方向)から見た図、Y軸方向から見た図、図1(a)のY1−Y2間における断面図をそれぞれ示す。図2は、図1に示す領域Aを拡大したものである。
《一の実施形態の変形例》
図5は、本発明の一の実施形態の変形例に係る単電子トランジスタの構成を示す。図5(a)〜(c)は、単電子トランジスタをZ軸方向から見た図、Y軸方向から見た図、図5(a)のY3−Y4間における断面図をそれぞれ示す。なお、本実施形態の単電子トランジスタにおいて、図1に示す一の実施形態の単電子トランジスタの構成要素と同一のものについては、同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
《他の実施形態》
図6は、他の実施形態に係る単電子トランジスタの構成を示す。図6(a)〜(c)は、単電子トランジスタをZ軸方向から見た図、Y軸方向から見た図、図6(a)のY5−Y6間における断面図をそれぞれ示す。図7は、本実施形態の単電子トランジスタの等価回路を示す。なお、本実施形態の単電子トランジスタにおいて、図1に示す一の実施形態の単電子トランジスタの構成要素と同一のものについては、同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
《実施形態の補足事項》
(1)上記実施形態では、電界効果トランジスタとして単電子トランジスタを用いたが、本発明はこれに限定されず、他の電界効果トランジスタに対しても本発明を適用することができる。
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に間隔を空けて形成されるソース領域およびドレイン領域と、
絶縁層を介して前記ソース領域およびドレイン領域に隣接するように、前記半導体基板上に形成されるゲート領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の静電結合による容量を制御する容量制御部と、
を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域に形成され、前記ソース領域および前記ドレイン領域それぞれとトンネル接合して接続される電荷島を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1または請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記容量制御部は、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域と前記半導体基板面の垂直方向で対向して配置され、外部からの作用に応じて前記垂直方向に撓み、前記容量を変化させる支持部と、
前記支持部の一端が固定され、前記支持部の他端から前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域までの距離を設定する距離設定部と、をさらに備える
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項3に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記容量制御部は、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記ゲート領域を含む前記半導体基板と異なる筐体に配置されることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項3に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記容量制御部は、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記ゲート領域を含む前記半導体基板と同一の基板上に配置されることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1または請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記容量制御部は、
前記半導体基板のうち、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記ゲート領域と絶縁された領域に形成される溝部と、
前記溝部を橋渡しするように配置され、外部からの作用に応じて前記半導体基板面の垂直方向に撓み、前記容量を変化させるワイヤ部と、をさらに備える
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0771953A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Canon Inc | 原子間力顕微鏡、磁力顕微鏡、再生装置及び記録再生装置 |
JPH11274260A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 半導体素子検査装置及び半導体素子検査方法 |
JP2003535444A (ja) * | 2000-05-25 | 2003-11-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 可動部分をもつセンサー構造体を使用する粒子検出方法および装置 |
JP2006303018A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界変調型単電子トランジスタ |
WO2011102864A2 (en) * | 2009-11-19 | 2011-08-25 | University Of Pittsburgh -- Of The Commonwealth System Of Higher Education | On-demand nanoelectronics platform |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0771953A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Canon Inc | 原子間力顕微鏡、磁力顕微鏡、再生装置及び記録再生装置 |
JPH11274260A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 半導体素子検査装置及び半導体素子検査方法 |
JP2003535444A (ja) * | 2000-05-25 | 2003-11-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 可動部分をもつセンサー構造体を使用する粒子検出方法および装置 |
JP2006303018A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界変調型単電子トランジスタ |
WO2011102864A2 (en) * | 2009-11-19 | 2011-08-25 | University Of Pittsburgh -- Of The Commonwealth System Of Higher Education | On-demand nanoelectronics platform |
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