JP2013061686A - 横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 横クロストークが抑制された高画質の横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６で画定される画素領域Ｐの各々に、当該画素領域Ｐを画定するドレインバスライン５６に隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極５３を設ける。遮光電極５３は、孤立していると共に、画素電極７１のドレインバスライン５６に隣接して延在する櫛歯状部７１ａと絶縁膜を挟んで重なっており、動作時には電気的にフローティング状態となる。フローティング状態にある遮光電極５３の電位は、画素電極７１のそれに近い値になるので、ドレインバスライン５６と共通電極７２（共通バスライン５２）との結合容量が減少し、横クロストークの発生が抑制される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、さらに言えば、横電界（In-Plane Switching、ＩＰＳ）方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。

一般に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は薄型軽量・低消費電力といった特徴を有する。特に、縦横のマトリックス状に配列した個々の画素を能動素子によって駆動するアクティブマトリックス型液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）は、高画質のフラットパネル・ディスプレイとして認知されており、中でも個々の画素をスイッチングする能動素子として薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor、ＴＦＴ）を用いたもの（ＴＦＴ−ＬＣＤ）が広く普及している。

多くのＡＭ−ＬＣＤでは、ツイステッドネマチック（Twisted Nematic、ＴＮ）型液晶の電気光学効果を利用しており、２枚の基板間に挟持された液晶に当該基板面に概ね垂直な電界を印加して、当該液晶の分子を変位させることにより画像を表示する。これを「縦電界方式」という。一方、当該基板面に概ね平行な電界により、当該基板面に概ね平行な面内で液晶分子を変位させることによって画像を表示する「横電界方式」の液晶表示装置も、以前から知られている。この横電界方式の液晶表示装置についても、縦電界方式と同様に種々の改良がなされて来ており、そのいくつかを例示すると、以下のとおりである。

特許文献１（米国特許第３８０７８３１号明細書、１９７４年発行）には、横電界方式の液晶表示装置において、相互に噛合する櫛歯状電極を用いる構成が開示されている（クレーム１、ＦＩＧ．１〜４、ＦＩＧ．１１を参照）。

特許文献２（特開昭５６−０９１２７７号公報）には、ＴＮ型液晶の電気光学効果を利用したアクティブマトリックス型液晶表示装置において、特許文献１と同様の相互に噛合する櫛歯状電極を用いることにより、共通電極とドレインバスラインの間の寄生容量、あるいは共通電極とゲートバスラインとの間の寄生容量を低減する技術が開示されている（特許請求の範囲第２項、図７、図９〜１３を参照）。

特許文献３（特開平７−０３６０５８号公報）には、ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置において、櫛歯状電極を使用しないで横電界方式を実現する技術が開示されている。この技術では、共通電極と映像信号電極または共通電極と液晶駆動電極を、絶縁膜を介して互いに異なる層に形成すると共に、共通電極または液晶駆動電極の平面形状をリング型、十字型、Ｔ字型、Π字型、エ字型あるいは梯子型といった形に形成している（特許請求の範囲第１項、第５項、図１〜２３を参照）。

特許文献４（特開２００１−２２２０３０号公報）には、液晶を駆動する櫛歯形状の電極（画素電極および共通電極）を、ドレインバスライン（データバスライン）よりも上層（液晶層に近く）に、透明導電体によって構成する技術が開示されている（要約、図３〜５を参照）。

図９は、特許文献４に開示された従来の横電界方式の液晶表示装置に使用された第１基板（アクティブマトリックス基板）の構成例を示す平面図であり、図１０は当該液晶表示装置の図９のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図９および図１０は共に、一つの画素領域の構成を示している。

図９および図１０に示した従来の液晶表示装置は、図９の横方向（水平方向）に延在し且つ同図の縦方向（垂直方向）に等間隔で配置された複数本のゲートバスライン１５５と、図９の縦方向に延在し且つ同図の横方向に等間隔で配置された複数本のドレインバスライン１５６とを有している。これらのゲートバスライン１５５とドレインバスライン１５６によって画定される略矩形領域の各々には、画素領域Ｐが形成されている。これらの画素領域Ｐ（すなわち画素）は、全体として縦横のマトリックス状に配列されている。この従来の液晶表示装置は、さらに、複数のゲートバスライン１５５の各々と平行に延在する複数の共通バスライン１５２を有している。これらの共通バスライン１５２は、画素領域Ｐ毎に形成された共通電極１７２を電気的に相互接続するために設けられたものであり、ゲートバスライン１５５の各々の近傍にそれから所定距離をあけて配置されている。ゲートバスライン１５５とドレインバスライン１５６と共通バスライン１５２は、いずれも不透明の金属膜により形成されている。

各画素領域Ｐの内部において、対応する共通バスライン１５２は、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン１５６に沿ってそれぞれ延在する２本の帯状の遮光部１５２ａを有している。これら遮光部１５２ａは、当該共通バスライン１５２と一体的に形成されている。図９の左側の遮光部１５２ａは、同図の左側にあるドレインバスライン１５６の右側（当該画素領域Ｐの内側）に近接して配置されている。図９の右側の遮光部１５２ａは、同図の右側にあるドレインバスライン１５６の左側（当該画素領域Ｐの内側）に近接して配置されている。これら２本の遮光部１５２ａは、互いに同じ平面形状（パターン）を持っている。

各画素領域Ｐに対しては、対応するゲートバスライン１５５と対応するドレインバスライン１５６との交点の近傍においてＴＦＴ１４５が形成されている。各ＴＦＴ１４５は、対応するゲートバスライン１５５と一体的に形成されたゲート電極（図示せず）と、ゲート絶縁膜１５７を介して当該ゲート電極に重ねて形成されたアイランド状の半導体膜１４３と、対応するドレインバスライン１５６と一体的に形成され且つ当該半導体膜１４３に部分的に重ねて形成されたドレイン電極１５６ａと、当該ドレイン電極１５６ａに対して所定間隔をあけて対向・配置され且つ当該半導体膜１４３に部分的に重ねて形成されたソース電極１４２とから構成されている。ゲート電極、ドレイン電極１５６ａおよびソース電極１４２は、不透明の金属膜により形成されている。

各画素領域Ｐの内部には、液晶駆動電界を発生させる画素電極１７１および共通電極１７２が形成されている。画素電極１７１および共通電極１７２は、いずれも、透明導電体によって形成されており、その平面形状は櫛形である。

画素電極１７１は、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ１４５の側に配置された帯状の基部１７１ｂと、基部１７１ｂからＴＦＴ１４５の反対側に向かって（図９では上方に向かって）突出する４本の櫛歯状部１７１ａとから形成されている。４本の櫛歯状部１７１ａは、ドレインバスライン１５６と平行に延在しており、基部１７１ｂに沿って（図９では横方向に）等間隔に配置されている。各櫛歯状部１７１ａの先端は、対応する共通バスライン１５２の近傍まで達している。画素電極１７１の外側にある２本の櫛歯状部１７１ａは、それぞれ、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン１５６の近傍にある遮光部１５２ａと部分的に重なっている。画素電極１７１は、その基部１７１ｂにおいて、コンタクトホール１６１を介してＴＦＴ１４５のソース電極１４２に電気的に接続されている。

共通電極１７２は、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ１４５とは反対側に配置された帯状の基部１７２ｂと、基部１７２ｂからＴＦＴ１４５の側に向かって（図９では下方に向かって）突出する３本の櫛歯状部１７２ａとから形成されている。３本の櫛歯状部１７２ａは、ドレインバスライン１５６と平行に延在しており、基部１７２ｂに沿って（図９では横方向に）等間隔に配置されている。各櫛歯状部１７２ａの先端は、画素電極１７１の基部１７１ｂの近傍まで達している。３本の櫛歯状部１７２ａは、画素電極１７１の４本の櫛歯状部１７１ａに対して交互に配置されている。従って、これらの櫛歯状部１７２ａと櫛歯状部１７１ａとは、相互に噛み合った状態にある。共通電極１７２は、その基部１７２ｂにおいて、コンタクトホール１６２を介して共通バスライン１５２に電気的に接続されている。

図１０に示すように、この液晶表示装置は、第１基板（アクティブマトリックス基板）１１１と、これに所定間隔をおいて対向せしめられた第２基板（対向基板）１１２と、両基板１１１および１１２の間に配置された液晶層１２０とを備えている。

第１基板１１１のガラス基板１１１ａの表面には、ゲートバスライン１５５と、共通バスライン１５２と、遮光部１５２ａと、ＴＦＴ１４５のゲート電極とが形成されており、それらを覆うようにゲート絶縁膜１５７が形成されている（図１０では遮光部１５２ａのみが示されている）。ゲート電極は、対応するゲートバスライン１５５と一体的に形成されている。ゲート絶縁膜１５７の上には、ドレインバスライン１５６と、ＴＦＴ１４５の半導体膜１４３、ドレイン電極１５６ａおよびソース電極１４２とが形成されており、これらは保護絶縁膜１５９で覆われている（図１０ではドレインバスライン１５６のみが示されている）。保護絶縁膜１５９の上には、画素電極１７１と共通電極１７２が形成されている（図１０では画素電極１７１の櫛歯状部１７１ａと共通電極１７２の櫛歯状部１７１ａのみが示されている）。

このように、共通バスライン１５２はガラス基板１１１ａの表面に形成され、ドレインバスライン１５６はゲート絶縁膜１５７の上に形成されているので、共通バスライン１５２はドレインバスライン１５６よりも下層に（液晶層１２０から遠い層に）配置されていることになる。また、ゲートバスライン１５５も、ガラス基板１１１ａの表面に形成されているので、ゲートバスライン１５５もドレインバスライン１５６よりも下層に（液晶層１２０から遠い層に）配置されている。画素電極１７１および共通電極１７２は、保護絶縁膜１５９の上に形成されているので、ドレインバスライン１５６よりも上層に（液晶層１２０に近い層に）配置されている。

以上の構成を持つ第１基板１１１の表面（内面）、すなわち保護絶縁膜１５９の上には、有機高分子膜からなる配向膜１３１が形成されている。従って、画素電極１７１と共通電極１７２は、配向膜１３１によって覆われている。この配向膜１３１の表面には、所定の配向処理が施されている。

他方、第２基板１１２のガラス基板１１２ａの表面には、各画素領域Ｐに対応してＲＧＢの３原色からなる色層１８２が形成されており、各画素領域Ｐに対応する領域以外の領域には遮光用のブラックマトリックス層１８１が形成されている。色層１８２は、所定形状にパターン化された赤色層１８２Ｒと緑色層１８２Ｇと青色層１８２Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス層１８１の平面形状（パターン）は、第１基板１１１上に不透明金属で形成されている構成要素、すなわちゲートバスライン１５５、ドレインバスライン１５６、共通バスライン１５２、遮光部１５２ａおよびＴＦＴ１４５を覆うと共に、各画素領域Ｐの内部に矩形の開口領域（透光領域）を形成するように設定されている。色層１８２は、これら開口部（透光部）内に配置されている。

色層１８２とブラックマトリックス層１８１は、オーバーコート層１８５によって覆われている。このオーバーコート層１８５は、ガラス基板１１２ａの表面全体に形成されており、色層１８２とブラックマトリックス層１８１を保護するため、またそれらにより生じる段差を平坦化するために設けられている。ブラックマトリックス層１８１の上には、基板間隔を制御するための柱状スペーサ（図示せず）が形成されている。

以上の構成を持つ第２基板１１２の表面（内面）、すなわちオーバーコート層１８５の上には、有機高分子膜からなる配向膜１３２が形成されている。この配向膜１３２の表面には、所定の配向処理が施されている。

第１基板（アクティブマトリックス基板）１１１と第２基板（対向基板）１１２は、配向膜１３１および１３２が形成された面を内側にして所定間隔をおいて重ね合わされている。両基板１１１と１１２の間には液晶が封入され、液晶層１２０を形成している。換言すれば、液晶層１２０は両基板１１１と１１２によって挟持されている。第１基板１１１と第２基板１１２の外側（ガラス基板１１１ａと１１２ａの裏面）には、一対の偏光板（図示せず）がそれぞれ配置されている。

配向膜１３１および１３２の表面の配向処理により、無電界時には、図９に矢印で示すように、液晶層１２０の液晶分子１２１は、同図の縦方向（垂直方向）から一定角度（一例として時計回り方向に１５度程度）ずれた方向に沿って平行に配向せしめられる。つまり、液晶分子１２１の初期配向方位は、図９に矢印で示す方向とされている。また、前記一対の偏光板の透過軸の方向は、互いに直交せしめられており、これら偏光板の一方の透過軸は、液晶分子１２１の無電界時の配向方向（初期配向方位）に一致している。

次に、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置の製造方法について説明する。

第１基板１１１は次のようにして製造される。まず、ガラス基板１１１ａの表面全体にクロム（Ｃｒ）膜を形成し、その後このＣｒ膜を所定形状にパターン化して、複数のゲートバスライン１５５と、複数の共通バスライン１５２と、複数の遮光部１５２ａとをガラス基板１１１ａの表面に形成する。ゲート電極は、対応するゲートバスライン１５５と一体的に形成される。次に、ガラス基板１１１ａの表面全体に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）からなるゲート絶縁膜１５７を形成し、ゲート電極とゲートバスライン１５５と共通バスライン１５２と遮光部１５２ａとを覆う。

続いて、ゲート絶縁膜１５７上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成してからこれをアイランド状にパターン化し、ＴＦＴ１４５用の複数の半導体膜１４３を形成する。これら半導体膜１４３の各々は、ゲート絶縁膜１５７を挟んで対応するゲートバスライン１５５と重なる位置に配置される。さらに、ゲート絶縁膜１５７上にＣｒ膜を形成してからこれをパターン化し、ゲート絶縁膜１５７上に複数のドレインバスライン１５６と複数のドレイン電極１５６ａと複数のソース電極１４２を形成する。その後、ガラス基板１１１ａの表面全体にわたってＳｉＮ_ｘからなる保護絶縁膜１５９を形成し、ドレインバスライン１５６、ドレイン電極１５６ａおよびソース電極１４２を覆う。

続いて、各ソース電極１４２と重なる所定の位置で保護絶縁膜１５９を選択的に除去し、各ソース電極１４２に達する複数のコンタクトホール１６１を形成する、また、各共通バスライン１５２と重なる所定の位置で保護絶縁膜１５９とゲート絶縁膜１５７を選択的に除去し、各共通バスライン１５２に達する複数のコンタクトホール１６２を形成する。

その後、保護絶縁膜１５９上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明導電体膜を形成してからこれを所定形状にパターン化し、複数の櫛歯状の画素電極１７１と複数の櫛歯状の共通電極１７２を形成する。この時、各画素電極１７１は、対応するコンタクトホール１６１を介して対応するソース電極１４２に接続され、各共通電極１７２は、対応するコンタクトホール１６２を介して対応する共通バスライン１５２に接続される。こうして第１基板１１１が完成する。

第２基板１１２は、次のようにして製造される。まず、ガラス基板１１２ａの表面に、所定形状（パターン）を持つブラックマトリックス層１８１と色層１８２を形成する。色層１８２を形成する際には、それぞれ所定形状を持つ赤色層１８２Ｒと緑色層１８２Ｇと青色層１８２Ｂを適当な順序で順次形成すればよい。次に、ガラス基板１１２ａの表面全体にオーバーコート層１８５を形成し、ブラックマトリックス層１８１と色層１８２を覆う。その後、オーバーコート層１８５上に柱状スペーサー（図示せず）を形成する。こうして第２基板１１２が完成する。

続いて、このようにして製造された第１基板（アクティブマトリックス基板）１１１と第２基板（対向基板）１１２の表面に、それぞれ、ポリイミドからなる配向膜１３１と１３２が形成される。配向膜１３１と１３２の表面には、一様に、所定の配向処理が施される。

その後、両基板１１１および１１２は、例えば４．０μｍの間隔をあけて重ね合わせられる。そして、真空チャンバー（図示せず）内で、両基板１１１および１１２の間の隙間に例えば屈曲率異方性が０．０７５のネオマチック液晶を注入してから、この空間を封止する。その後、両基板１１１および１１２の外側にそれぞれ偏光板（図示せず）を貼り合わせると、液晶表示パネルが完成する。

この液晶表示パネルに所定の駆動用ＬＳＩ（Large-Scale Integrated Circuit）とバックライト装置を装着すると、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置が完成する。

図９および図１０に示した従来の液晶表示装置では、電圧印加時の液晶駆動電界は、おおよそ同図の横方向（水平方向）に一様に発生する。このため、無電界時に初期配向方向（図９の矢印の方向）に一様に配向していた液晶分子１２１は、前記液晶駆動電界によって時計回り方向に回転せしめられ、配向状態が変化する。この配向状態の変化により各画素領域Ｐ（画素）の透過率が変調せしめられるため、所望の画像を表示することが可能となる。

また、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置では、液晶駆動電界を発生させる画素電極１７１と共通電極１７２がいずれも透明導電体によって形成されているため、画素電極１７１と共通電極１７２が存在する領域においても光が透過する。このため、画素電極１７１と共通電極１７２を不透明金属によって形成した場合と比較して、開口率および透過率が向上する。

また、このようにしてブラックマトリックス層１８１の開口領域に存在する不透明金属部分が減少しているため、不透明金属部分のエッジによる光散乱や、当該エッジの近傍での段差による液晶配向の乱れが抑制される。この光散乱や液晶配向の乱れは、黒表示時の光漏れの原因となるが、この液晶表示装置ではこれらが抑制されるため、表示コントラストが向上する。

また、不透明金属部分がブラックマトリックス層１８１の開口領域内に存在すると、比較的明るい環境で使用した時に入射光を不透明金属が反射するために「明所コントラスト」の低下が顕著となる。しかし、この液晶表示装置では不透明金属部分が存在しないため、明所コントラストの低下が抑制される。

さらに、各ドレインバスライン１５６の近傍にそれに沿って、対応する共通バスライン１５２と一体的に形成された遮光部１５２ａが設けられていると共に、これら遮光部１５２ａとそれらに隣接するドレインバスライン１５６の間の領域は、ブラックマトリックス層１８１で覆われているため、各ドレインバスライン１５６から漏洩する電界によって生じる光漏れや縦クロストークの発生が抑制される。
米国特許第３８０７８３１号公報 特開昭５６−０９１２７７号公報 特開平７−０３６０５８号公報 特開２００１−２２２０３０号公報

図９および図１０に示した従来の液晶表示装置では、上述したような利点があるが、その反面、共通バスライン１５２と一体的に形成された遮光部１５２ａの各々が、長い距離にわたって対応するドレインバスライン１５６に隣接して延在するため、各ドレインバスライン１５６と対応する共通バスライン１５２（共通電極１７２）との結合容量（寄生容量）が大きい。このため、ドレインバスライン１５６の電位変動（信号電圧の変化）の影響が共通バスライン１５２を介して共通電極１７２に伝達される、換言すれば、ドレインバスライン１５６の電位変動に起因して、共通バスライン１５２に電気的に接続された共通電極１７２の電位（これは本来、一定電位に保持されるべきである）に変動が生じる。その結果、横クロストークが発生するという問題がある。

本発明は、上記従来の液晶表示装置の持つこの問題を解決すべくなされたものであって、その目的とするところは、各ドレインバスラインとそれに対応する共通バスラインとの結合容量（寄生容量）に起因する横クロストークを、簡単な構成で抑制することができる横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある。

本発明の他の目的は、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置よりも画質が改善された横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある。

ここに明記しない本発明の他の目的は、以下の説明及び添付図面から明らかであろう。

（１） 本発明の第１の液晶表示装置は、
複数のゲートバスライン、当該ゲートバスラインに平行な複数の共通バスライン、および前記ゲートバスラインと前記共通バスラインに交差する複数のドレインバスラインを有する第１基板と、
所定間隔をあけて前記第１基板に対向して保持された第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインによって画定されると共に、マトリックス状に配置された複数の画素領域とを備え、
前記画素領域の各々は、薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、対応する前記共通バスラインに電気的に接続された共通電極とを備えており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される前記第１基板の表面に略平行な電界により、前記画素領域の各々において前記液晶層の液晶分子を前記第１基板に平行な面内で回転させることによって表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記画素領域の各々には、当該画素領域を画定する前記ドレインバスラインに隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極が設けられており、
前記遮光電極は、電気的に孤立していると共に、当該画素領域に対応する前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する部分と絶縁膜を挟んで重なっていることを特徴とするものである。

本発明の第１の液晶表示装置では、前記画素領域の各々に、当該画素領域を画定する前記ドレインバスラインに隣接し且つそれに沿って延在する前記遮光電極が設けられている。そして、前記遮光電極は、電気的に孤立していると共に、当該画素領域に対応する前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する部分と前記絶縁膜を挟んで重なっている。この時、前記遮光電極の電位は、対応する前記画素電極の電位（信号電圧に相当する電位）に近い値になる。これは、孤立している前記遮光電極が、前記絶縁膜を挟んで、当該画素領域に対応する前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する前記部分と重なっているからである。このため、前記ドレインバスラインと対応する前記遮光電極との電位差は非常に小さい、すなわち、前記ドレインバスラインと対応する前記遮光電極との結合容量（寄生容量）が非常に小さいものとなる。

他方、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置では、前記遮光部は対応する前記共通バスラインと一体的に形成されているので、前記共通電極の電位に等しい。したがって、前記ドレインバスラインと対応する前記共通バスラインとの電位差は、前記ドレインバスラインに供給される信号電圧に相当する電位と前記共通電極の電位との差に等しくなる。これは、前記ドレインバスラインと対応する前記遮光部との結合容量（寄生容量）がかなり大きいことを意味している。

このように、本発明の第１の液晶表示装置における前記ドレインバスラインと対応する前記遮光電極との結合容量（寄生容量）は、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置における前記ドレインバスラインと対応する前記共通バスライン（遮光部）との結合容量（寄生容量）に比べて小さくなるため、横クロストークの発生を抑制することができる。また、横クロストークの抑制により、画質が改善される。

（２） 本発明の第２の液晶表示装置は、
複数のゲートバスライン、当該ゲートバスラインに平行な複数の共通バスライン、および前記ゲートバスラインと前記共通バスラインに交差する複数のドレインバスラインを有する第１基板と、
所定間隔をあけて前記第１基板に対向して保持された第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインによって画定されると共に、マトリックス状に配置された複数の画素領域とを備え、
前記画素領域の各々は、薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、対応する前記共通バスラインに電気的に接続された共通電極とを備えており、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される前記第１基板の表面に略平行な電界により、前記画素領域の各々において前記液晶層の液晶分子を前記第１基板に平行な面内で回転させることによって表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記画素領域の各々には、当該画素領域を画定する前記ドレインバスラインに隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極が設けられており、
前記遮光電極は、当該画素領域に対応する前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する部分と部分的に重なっていると共に、当該画素領域内のいずれかの箇所において前記画素電極に電気的に接続されていることを特徴とするものである。

本発明の第２の液晶表示装置は、前記遮光電極が、孤立しておらず、当該画素領域内のいずれかの箇所において前記画素電極に電気的に接続されている点で、上述した本発明の第１の液晶表示装置と異なっており、それ以外は同一である。

本発明の第２の液晶表示装置では、このように、前記遮光電極が当該画素領域内のいずれかの箇所において前記画素電極に電気的に接続されているので、前記遮光電極の電位が常に前記画素電極の電位と等しくなる。他方、本発明の第１の液晶表示装置で述べたように、電気的にフローティングである前記遮光電極の電位は、前記画素電極の電位に近い値となるため、本発明の第２の液晶表示装置の前記遮光電極は本発明の第１の液晶表示装置の前記遮光電極と同様に作用する。

よって、本発明の第２の液晶表示装置においても、前記ドレインバスラインと対応する前記遮光電極との結合容量（寄生容量）が、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置における前記ドレインバスラインと対応する前記共通バスライン（遮光部）との結合容量（寄生容量）に比べて小さくなり、その結果、横クロストークの発生を抑制することができる。また、横クロストークの抑制により、画質が改善される。

（３） 本発明の第１および第２の液晶表示装置の好ましい例では、前記遮光電極が、絶縁膜を挟んで前記ドレインバスラインとは異なる層に形成される。この場合、前記遮光電極が、前記ドレインバスラインよりも前記液晶層から遠い層に形成され、あるいは、前記ゲートバスラインと同じ層に形成されるのがより好ましい。

（４） 本発明の第１および第２の液晶表示装置の他の好ましい例では、前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する前記部分が、櫛歯状とされ、前記遮光電極が、前記ドレインバスラインに沿って延在する帯状とされる。

（５） 本発明の第１および第２の液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記画素電極が、前記ドレインバスラインに沿って延在する複数の櫛歯状部を有していると共に、前記画素電極の外側にある２本の前記櫛歯状部が、それぞれ、当該画素領域を画定する２本の前記ドレインバスラインに隣接して延在する前記部分とされており、
前記遮光電極が帯状であって、２本の前記遮光電極が、当該画素領域を画定する２本の前記ドレインバスラインにそれぞれ沿って延在するように形成される。

（６） 本発明の第１および第２の液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記画素領域の各々に対応して、前記ドレインバスラインが略Ｖ字状に屈曲せしめられ、それに対応して前記画素電極と前記共通電極が略Ｖ字状に屈曲せしめられる。

（７） 本発明の第１および第２の液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記画素電極が、絶縁膜を挟んで前記ドレインバスラインとは異なる層に形成される。この場合、前記画素電極が、前記ドレインバスラインよりも前記液晶層に近い層に形成されるのがより好ましい。

（８） 本発明の第１および第２の液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記共通電極が前記画素電極と同じ層に形成される。

（９） 本発明の第１および第２の液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記画素電極および前記共通電極の少なくとも一方が、透明導電体により形成される。

本発明の第１および第２の液晶表示装置では、（ａ）各ドレインバスラインとそれに対応する共通バスラインとの結合容量（寄生容量）に起因する横クロストークを、簡単な構成で抑制することができる、そして（ｂ）図９および図１０に示した従来の液晶表示装置よりも画質が改善される、という効果が得られる。

以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面を参照しながら説明する。

（第１実施形態の構成）
図１〜図３は、本発明の第１実施形態に係る横電界（ＩＰＳ）方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置を示す。図１は当該液晶表示装置に使用された第１基板（アクティブマトリックス基板）の平面図であり、図２はその画素電極と共通電極の平面形状（パターン）を示す説明図であり、図３は当該液晶表示装置の図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。これらの図はいずれも、一つの画素領域の構成を示している。

図１〜図３に示したように、本発明の第１実施形態の液晶表示装置の構成は、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置と多くの点で共通しているが、ドレインバスラインに沿って配置された遮光電極５３が、その周囲の電極やバスラインとは電気的に接続されておらず、孤立している（換言すれば、遮光電極５３がフローティング電極となっている）点が異なっている。以下、この液晶表示装置の構成について詳述する。

本第１実施形態の液晶表示装置は、図１の横方向（水平方向）に延在し且つ同図の縦方向（垂直方向）に等間隔で配置された複数本のゲートバスライン５５と、図１の縦方向に延在し且つ同図の横方向に等間隔で配置された複数本のドレインバスライン５６とを有している。これらのゲートバスライン５５とドレインバスライン５６によって画定される略矩形領域の各々には、画素領域Ｐが形成されている。これらの画素領域Ｐ（すなわち画素）は、全体として縦横のマトリックス状に配列されている。

この液晶表示装置は、さらに、複数のゲートバスライン５５の各々と平行に延在する複数の共通バスライン５２を有している。これらの共通バスライン５２は、各画素領域Ｐに形成された共通電極７２を電気的に相互接続するために設けられたものであり、ゲートバスライン５５の各々の近傍にそれから所定距離をあけて配置されている。

ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６と共通バスライン５２は、いずれも、不透明の金属膜により形成されている。

各画素領域Ｐの内部には、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６に沿ってそれぞれ配置された２本の帯状（ストライプ状）の遮光電極５３が形成されている。これらの遮光電極５３は、いずれも、周囲にある電極やバスラインとは電気的に接続されておらず、孤立している。

図１の画素領域Ｐについて言えば、左側の遮光電極５３は、同図の左側にあるドレインバスライン５６の右側（当該画素領域Ｐの内側）に近接して配置されており、当該ドレインバスライン５６から所定間隔をおいてそれに対して平行に延在している。この遮光電極５３は、当該画素領域Ｐに対応する共通バスライン５２およびゲートバスライン５５とは重なっていない。

図１の画素領域Ｐの右側の遮光電極５３は、同図の右側にあるドレインバスライン５６の左側（当該画素領域Ｐの内側）に近接して配置されており、当該ドレインバスライン５６から所定間隔をおいてそれに対して平行に延在している。この遮光電極５３も、当該画素領域Ｐに対応する共通バスライン５２およびゲートバスライン５５とは重なっていない。

各画素領域Ｐに対しては、ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６との交点の各々の近傍にＴＦＴ４５が形成されている。各ＴＦＴ４５は、対応するゲートバスライン５５と一体的に形成されたゲート電極（図示せず）と、ゲート絶縁膜５７を介して当該ゲート電極に重ねて形成されたアイランド状の半導体膜４３と、対応するドレインバスライン５６と一体的に形成され且つ当該半導体膜４３に部分的に重ねて形成されたドレイン電極５６ａと、当該ドレイン電極５６ａに対して所定間隔をあけて対向・配置され且つ当該半導体膜４３に部分的に重ねて形成されたソース電極４２とから構成されている。

さらに、各画素領域Ｐの内部には、図１および図２に示すように、液晶駆動電界を発生させる画素電極７１および共通電極７２が形成されている。画素電極７１および共通電極７２は、いずれも、透明導電体によって形成されており、その平面形状は櫛形である。

図１の画素領域Ｐについて言えば、画素電極７１は、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ４５の側に配置された帯状の基部７１ｂと、基部７１ｂからＴＦＴ４５の反対側に向かって（図１では上方に向かって）突出する４本の櫛歯状部７１ａとから形成されている。基部７１ｂは、対応するゲートバスライン５５とは重なっていないが、ＴＦＴ４５のソース電極４２と重なっている。これらの櫛歯状部７１ａは、いずれも、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６と平行に延在しており、基部７１ｂに沿って（図１では横方向に）等間隔に配置されている。各櫛歯状部７１ａの先端は、対応する共通バスライン５２の近傍まで達している。画素電極７１の左右外側にある２本の櫛歯状部７１ａは、それぞれ、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６の近傍にある２本の帯状の遮光電極５３と部分的に重なっている。櫛歯状部７１ａの幅は、遮光電極５３の幅よりも少し小さい。画素電極７１は、その基部７１ｂにおいて、コンタクトホール６１を介してＴＦＴ４５のソース電極４２に電気的に接続されている。

共通電極７２は、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ４５とは反対側に配置された帯状の基部７２ｂと、基部７２ｂからＴＦＴ４５の側に向かって（図１では下方に向かって）突出する３本の櫛歯状部７２ａとから形成されている。基部７２ｂは、その全体が対応する共通バスライン５２と重なっている。これらの櫛歯状部７２ａは、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６と平行に延在しており、基部７２ｂに沿って（図１では横方向に）等間隔に配置されている。従って、これらの櫛歯状部７２ａは、画素電極７１の櫛歯状部７１ａおよびドレインバスライン５６と平行である。また、各櫛歯状部７２ａの先端は、画素電極７１の基部７１ｂの近傍まで達している。３本の櫛歯状部７２ａは、画素電極７１の４本の櫛歯状部７１ａに対して交互に配置されている。従って、３本の櫛歯状部７２ａと４本の櫛歯状部７１ａとは、相互に噛み合った状態にある。共通電極７２は、その基部７２ｂにおいて、コンタクトホール６２を介して共通バスライン５２に電気的に接続されている。

図３に示すように、本第１実施形態の液晶表示装置は、第１基板（アクティブマトリックス基板）１１と、これに所定間隔をおいて対向せしめられた第２基板（対向基板）１２と、両基板１１および１２の間に配置された液晶層２０とを備えている。

第１基板１１のガラス基板１１ａの表面には、ゲートバスライン５５と、共通バスライン５２と、遮光電極５３と、ＴＦＴ４５のゲート電極とが形成されており、それらを覆うようにゲート絶縁膜５７が形成されている（図３では遮光電極５３のみが示されている）。各ゲート電極は、対応するゲートバスライン５５と一体的に形成されている。ゲート絶縁膜５７の上には、ドレインバスライン５６と、ＴＦＴ４５の半導体膜４３、ドレイン電極５６ａおよびソース電極４２とが形成されており（図３ではドレインバスライン５６のみが示されている）、これらは保護絶縁膜５９で覆われている。保護絶縁膜５９の上には、画素電極７１と共通電極７２が形成されている（図３では画素電極７１の櫛歯状部７１ａと共通電極７２の櫛歯状部７２ａのみが示されている）。

このように、共通バスライン５２はガラス基板１１ａの表面に形成され、ドレインバスライン５６はゲート絶縁膜５７の上に形成されているので、共通バスライン５２はドレインバスライン５６よりも下層に（液晶層２０から遠い層に）配置されていることになる。同様に、ゲートバスライン５５は、ガラス基板１１ａの表面に形成されているので、ゲートバスライン５５もドレインバスライン５６よりも下層に（液晶層２０から遠い層に）配置されている。画素電極７１および共通電極７２は、保護絶縁膜５９上に形成されているので、ドレインバスライン５６よりも上層に（液晶層２０に近い層に）配置されている。

以上の構成を持つ第１基板１１の表面（内面）、すなわち保護絶縁膜５９の上には、有機高分子膜からなる配向膜３１が形成されている。従って、画素電極７１と共通電極７２は、配向膜３１によって覆われている。この配向膜３１の表面には、所定の配向処理が施されている。

他方、第２基板１２のガラス基板１２ａの表面には、各画素領域Ｐに対応して、例えばＲＧＢの３原色からなる色層８２が形成されており、各画素領域Ｐに対応する領域以外の領域には遮光用のブラックマトリックス層８１が形成されている。色層８２は、所定形状にパターン化された赤色層８２Ｒと緑色層８２Ｇと青色層８２Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス層８１の平面形状（パターン）は、第１基板１１上に不透明金属で形成されている構成要素、すなわちゲートバスライン５５、ドレインバスライン５６、共通バスライン５２ａおよび５２ｂ、遮光電極５３およびＴＦＴ４５を覆うと共に、各画素領域Ｐの内部に矩形の開口領域（透光領域）を形成するように設定されている。色層８２は、これら開口部（透光部）内に配置されている。

色層８２とブラックマトリックス層８１は、オーバーコート層８５によって覆われている。このオーバーコート層８５は、ガラス基板１２ａの表面全体に形成されており、色層８２とブラックマトリックス層８１を保護するため、またそれらにより生じる段差を平坦化するために設けられている。ブラックマトリックス層８１の上には、基板間隔を制御するための柱状スペーサ（図示せず）が形成されている。

以上の構成を持つ第２基板１２の表面（内面）、すなわちオーバーコート層８５の上には、有機高分子膜からなる配向膜３２が形成されている。従って、柱状スペーサは、配向膜３２によって覆われている。この配向膜３２の表面には、所定の配向処理が施されている。

第１基板（アクティブマトリックス基板）１１と第２基板（対向基板）１２は、配向膜３１および３２が形成された面を内側にして所定間隔をおいて重ね合わされている。両基板１１と１２の間には液晶が封入され、液晶層２０を形成している。換言すれば、液晶層２０は両基板１１と１２によって挟持されている。第１基板１１と第２基板１２の外側（ガラス基板１１ａと１２ａの裏面）には、一対の偏光板（図示せず）がそれぞれ配置されている。

配向膜３１および３２の表面の配向処理により、無電界時には、図１に矢印で示すように、液晶層２０の液晶分子２１は、同図の縦方向（垂直方向）から一定角度（一例として時計回り方向に１５度程度）ずれた方向に沿って平行に配向せしめられる。つまり、液晶分子２１の初期配向方位は、図１に矢印で示す方向とされている。また、前記一対の偏光板の透過軸の方向は、互いに直交せしめられており、これら偏光板の一方の透過軸は、液晶分子２１の無電界時の配向方向（すなわち初期配向方位）に一致している。

（第１実施形態の製法）
次に、図１〜図３に示した本第１実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。

まず、第１基板１１のガラス基板１１ａの表面全体にＣｒ膜を形成し、その後このＣｒ膜を所定形状にパターン化して、複数のゲート電極と、複数のゲートバスライン５５と、複数の共通バスライン５２と、複数の遮光電極５３とをガラス基板１１ａの表面に形成する。次に、ガラス基板１１ａの表面全体にＳｉＮ_ｘからなるゲート絶縁膜５７を形成し、ゲート電極とゲートバスライン５５と共通バスライン５２と遮光電極５３とを覆う。

続いて、ゲート絶縁膜５７上にａ−Ｓｉ膜を形成してからこれを島状にパターン化し、ＴＦＴ４５用の複数の半導体膜４３を形成する。これら半導体膜４３の各々は、ゲート絶縁膜５７を介して対応するゲート電極と重なる位置に配置される。さらに、Ｃｒ膜を形成してからこれをパターン化して、ゲート絶縁膜５７上に複数のドレインバスライン５６と複数のドレイン電極５６ａと複数のソース電極４２とを形成する。その後、ガラス基板１１ａの表面全体にわたってＳｉＮ_ｘからなる保護絶縁膜５９を形成し、ドレインバスライン５６、ドレイン電極５６ａおよびソース電極４２を覆う。

続いて、各ソース電極４２と重なる所定の位置で保護絶縁膜５９を選択的に除去し、各ソース電極４２に達する複数のコンタクトホール６１を形成する。また、各共通バスライン５２と重なる所定の位置で保護絶縁膜５９とゲート絶縁膜５７とを選択的に除去し、各共通バスライン５２に達する複数のコンタクトホール６２を形成する。

その後、保護絶縁膜５９上にＩＴＯ等からなる透明導電体膜を形成してからこれを所定形状にパターン化し、複数の櫛歯状の画素電極７１と複数の櫛歯状の共通電極７２を形成する。この時、各画素電極７１は、対応するコンタクトホール６１を介して対応するソース電極４２に接続される。各共通電極７２は、対応するコンタクトホール６２を介して対応する共通バスライン５２に接続される。こうして第１基板１１が製造される。

第２基板１２は、次のようにして製造される。最初に、ガラス基板１２ａの表面にブラックマトリックス層８１と色層８２を形成する。色層８２を形成する際には、それぞれ所定形状（パターン）を持つ赤色層８２Ｒと緑色層８２Ｇと青色層８２Ｂを適当な順序で順次形成すればよい。次に、ガラス基板１２ａの表面全体にオーバーコート層８５を形成し、ブラックマトリックス層８１と色層８２を覆う。その後、オーバーコート層８５上に柱状スペーサー（図示せず）を形成する。こうして第２基板１２が製造される。

続いて、このようにして製造された第１基板（アクティブマトリックス基板）１１および第２基板（対向基板）１２の表面に、それぞれ、ポリイミドからなる配向膜３１と３２が形成される。配向膜３１と３２の表面には、一様に所定の配向処理が施される。

その後、両基板１１および１２が例えば４．０μｍの間隔をあけて重ね合わせられる。そして、真空チャンバー（図示せず）内で、両基板１１および１２の間の隙間に例えば屈曲率異方性が０．０７５のネオマチック液晶を注入してから、この空間を封止する。その後、両基板１１および１２の外側にそれぞれ偏光板（図示せず）を貼り合わせると、液晶表示パネルが完成する。

この液晶表示パネルに所定の駆動用ＬＳＩとバックライト装置を装着すると、図１〜図３に示した本第１実施形態の液晶表示装置が完成する。

図１〜図３に示した本第１実施形態の液晶表示装置では、電圧印加時の液晶駆動電界は、おおよそ同図の横方向（水平方向）に一様に発生する。このため、無電界時に初期配向方向（図１の矢印の方向）に一様に配向していた液晶分子２１は、前記液晶駆動電界によって時計回り方向に回転するように配向状態を変化させる。この配向状態の変化により、各画素領域Ｐ（画素）の透過率が変調せしめられるため、所望の画像を表示することが可能となる。

また、本第１実施形態の液晶表示装置では、液晶駆動電界を発生させる画素電極７１と共通電極７２がいずれも透明導電体によって形成されているため、画素電極７１と共通電極７２が存在する領域においても光が透過する。このため、画素電極７１と共通電極７２を不透明金属によって形成した場合と比較して、開口率および透過率が向上する。

また、ブラックマトリックス層８１の開口領域内に存在する不透明金属部分が少なくなるため、不透明金属部分のエッジによる光散乱や、当該エッジの近傍での段差による液晶配向の乱れが抑制される。この光散乱や液晶配向の乱れは、黒表示時の光漏れの原因となるが、この液晶表示装置ではこれらが抑制されるため、表示コントラストが向上する。

また、不透明金属部分がブラックマトリックス層８１の開口領域内に存在すると、比較的明るい環境で使用した時に入射光を不透明金属が反射するために「明所コントラスト」の低下が顕著となる。しかし、当該開口領域内に不透明金属部分が存在しないこの液晶表示装置では、明所コントラストの低下が抑制される。

さらに、各ドレインバスライン５６の近傍にそれに沿って遮光電極５３が設けられていると共に、これら遮光電極５３と対応するドレインバスライン５６の間の領域は、第２基板１２上に形成されたブラックマトリックス層８１で覆われているため、各ドレインバスライン５６から漏洩する電界によって生じる光漏れや縦クロストークが抑制される。

これらの点については上述した従来の液晶表示装置と同様である。しかし、本第１実施形態の液晶表示装置は、画素領域Ｐの各々に設けられた遮光電極５３が、周囲の電極やバスラインとは電気的に接続されておらず孤立している点で、当該従来の液晶表示装置とは異なっている。

すなわち、遮光電極５３は、上述した従来の液晶表示装置と同様に、当該画素領域Ｐを画定するドレインバスライン５６に隣接し且つそれに沿って延在しているが、周囲の電極やバスラインから孤立していると共に、当該画素領域Ｐに対応する画素電極７１のドレインバスライン５６に隣接して延在する櫛歯状部分７１ａと重なっていて、動作時には電気的にフローティング状態となる。この時、遮光電極５３の電位は、対応する画素電極７１の電位（信号電圧に相当する電位）に近い値になる。これは、孤立している遮光電極５３が、ゲート絶縁膜５７を挟んで、当該画素領域Ｐに対応する画素電極７１のドレインバスライン５６に隣接して延在する櫛歯状部分７１ａと重なっているからである。このため、ドレインバスライン５６と対応する遮光電極５３との電位差は非常に小さい、すなわち、ドレインバスライン５６と対応する遮光電極５３との結合容量（寄生容量）が非常に小さいものとなる。

他方、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置では、遮光部１５２ａは対応する共通バスライン１５２と一体的に形成されているので、共通電極１７２の電位に等しい。したがって、ドレインバスライン１５６と対応する共通バスライン１５２との電位差は、ドレインバスライン１５６に供給される信号電圧に相当する電位と共通電極１７２の電位との差に等しくなる。これは、ドレインバスライン１５６と対応する遮光部１５２ａとの結合容量（寄生容量）がかなり大きいことを意味している。

このように、本第１実施形態の液晶表示装置におけるドレインバスライン５６と対応する遮光電極５３との結合容量（寄生容量）は、図９および図１０に示した従来の液晶表示装置におけるドレインバスライン１５６と対応する共通バスライン１５２（遮光部１５２ａ）との結合容量（寄生容量）に比べて小さくなるため、横クロストークの発生を抑制することができる。また、横クロストークの抑制により、画質が改善される。

なお、ドレインバスライン５６に沿って配置された遮光電極５３は、動作時には電気的にフローティングとなるが、画素電極７１の左右外側にある櫛型状部分７１ａとゲート絶縁膜５７を挟んで重なっているため、動作時の遮光電極５３の電位は画素電極７１の電位に近い値となる。したがって、当該櫛型状部分７１ａと遮光電極５３との間には液晶の配向を初期配向方向から強く変化させるような電界は発生せず、安定な表示を行うことができる。

（第２実施形態の構成）
図４〜図６は、本発明の第２実施形態に係る横電界（ＩＰＳ）方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置を示す。図４は当該液晶表示装置に使用されたアクティブマトリックス基板の平面図であり、図５はその画素電極と共通電極の平面形状（パターン）を示す説明図であり、図６はその共通バスラインとソース電極と補助電極の平面形状（パターン）を示す説明図である。これらの図はいずれも、一つの画素領域の構成を示している。

本第２実施形態の液晶表示装置の構成は、図１〜図３に示した上記第１実施形態の液晶表示装置と多くの点で共通しているが、本第２実施形態の液晶表示装置では、横電界を発生させる画素電極７１および共通電極７２と、ドレインバスライン５６とを、それらの中央部で略Ｖ字状に屈曲させており、電界作用時の液晶駆動（回転）方向をその屈曲部の両側で意図的に異ならせるようにしている点で、上記第１実施形態の液晶表示装置とは異なっている。また、画素電極７１および共通電極７２とソース電極４２の形状も少し異なっている。

したがって、以下では主としてこれらの相違点について説明し、両液晶表示装置に共通する構成については、上記第１実施形態の液晶表示装置において使用したのと同じ符号を付してその説明を省略する。

本第２実施形態の液晶表示装置は、図４の横方向（水平方向）に延在し且つ同図の縦方向（垂直方向）に等間隔で配置された複数本のゲートバスライン５５と、図４の縦方向に延在し且つ同図の横方向に等間隔で配置された複数本のドレインバスライン５６とを有している。これらのゲートバスライン５５とドレインバスライン５６によって画定される略矩形領域の各々は、画素領域Ｐとされており、全体として縦横のマトリックス状に配列されている。ゲートバスライン５５の平面形状は、上記第１実施形態の液晶表示装置と同じである。ドレインバスライン５６の平面形状は、上記第１実施形態の液晶表示装置とは異なっており、画素領域Ｐの各々において、中央部で略Ｖ字状に屈曲していて、その屈曲部において画素領域Ｐを図４の上位にある第１サブ領域１と同図の下位にある第２サブ領域２とに分割している。ドレインバスライン５６の傾き方向は、第１サブ領域１においては図５の縦（上下）方向に対して時計回りとされ、第２サブ領域２においては反時計回りとされている。第１サブ領域１での傾斜角度と第２サブ領域２でのドレインバスライン５６の傾斜角度の大きさは同じである。

この液晶表示装置は、さらに、複数のゲートバスライン５５の各々と平行に延在する複数の共通バスライン５２ａおよび５２ｂを有している。共通バスライン５２ａおよび５２ｂは、各画素領域Ｐを画定する２本のゲートバスライン５５の各々の近傍にあって、各画素領域Ｐの内側に対応するゲートバスライン５５から所定距離をあけて配置されている。

図４の画素領域Ｐについて言えば、下位にある共通バスライン５２ａは、下位にあるゲートバスライン５５の上方に近接してそれに平行に延在している。上位にある共通バスライン５２ｂは、上位にあるゲートバスライン５５の下方に近接してそれに平行に延在している。これらの共通バスライン５２ａおよび５２ｂは、各画素領域Ｐに形成された共通電極７２を電気的に相互接続するために設けられている。

共通バスライン５２ａの平面形状は、図６（ａ）に示すとおりであり、各画素領域Ｐの内部において幅広部を有していると共に、その幅広部の内側の端縁が鋸歯状になっている。共通バスライン５２ｂの平面形状は、図６（ｃ）に示すとおりであり、共通バスライン５２ａと同様に、各画素領域Ｐの内部において幅広部を有していると共に、その幅広部の内側の端縁が鋸歯状になっている。共通バスライン５２ａと５２ｂの平面形状は、それらの設置個所の構造に応じて少し異なっている。

ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６と共通バスライン５２ａおよび５２ｂは、いずれも、不透明の金属膜により形成されている。

各画素領域Ｐの内部には、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６に沿ってそれぞれ配置された２本の帯状（ストライプ状）の遮光電極５３を有している。これら遮光電極５３は、いずれも、ドレインバスライン５６と同じように中央部で略Ｖ字状に屈曲されており、また、周囲にある電極やバスラインとは電気的に接続されておらず、孤立している。遮光電極５３は、いずれも同じ平面形状（パターン）を持っている。各遮光電極５３の屈曲部から上半分は、第１サブ領域１に属し、その下半分は第２サブ領域２に属している。

図４の画素領域Ｐについて言えば、左側の遮光電極５３は、同図の左側にあるドレインバスライン５６（Ｖ字状に屈曲している）の右側（当該画素領域Ｐの内側）に近接して配置されており、当該ドレインバスライン５６から所定間隔をおいてそれに対して平行に延在している。この遮光電極５３は、当該画素領域Ｐに対応する共通バスライン５２ａおよび５２ｂとゲートバスライン５５とは交差していない。

図４の右側の遮光電極５３は、同図の右側にあるドレインバスライン５６（Ｖ字状に屈曲している）の左側（当該画素領域Ｐの内側）に近接して配置されており、当該ドレインバスライン５６から所定間隔をおいてそれに対して平行に延在している。この遮光電極５３も、当該画素領域Ｐに対応する共通バスライン５２ａおよび５２ｂとゲートバスライン５５とは交差していない。

また、各画素領域Ｐに対しては、対応するゲートバスライン５５と対応するドレインバスライン５６との交点の近傍においてＴＦＴ４５が形成されている。各ＴＦＴ４５は、対応するゲートバスライン５５と一体的に形成されたゲート電極（図示せず）と、ゲート絶縁膜５７を介して当該ゲート電極に重ねて形成されたアイランド状の半導体膜４３と、対応するドレインバスライン５６と一体的に形成され且つ当該半導体膜４３に部分的に重ねて形成されたドレイン電極５６ａと、当該ドレイン電極５６ａに対して所定間隔をあけて対向・配置され且つ当該半導体膜４３に部分的に重ねて形成されたソース電極４２とから構成されている。

ソース電極４２の平面形状は、図６（ｂ）に示すとおりであり、第１実施形態の液晶表示装置よりも大きく、共通バスライン５２ａと重なる程度まで拡大されており、また、その内側の端縁が鋸歯状になっている。

各画素領域Ｐの内部の共通バスライン５２ｂと重なる箇所には、ソース電極４２に似た形状の補助電極４６が形成されている。補助電極４６は、ソース電極４２と同じ層に配置されており、ソース電極４２と同じ材料で形成されている。補助電極４６の平面形状は、図６（ｄ）に示すとおりであり、ソース電極４２と同様に、その内側の端縁が鋸歯状になっている。ソース電極４２と補助電極４６の平面形状は、それらの設置個所の構造に応じて少し異なっている。補助電極４６は、コンタクトホール６３を介して、後述する画素電極７１の基部７１ｃに電気的に接続されている。

各画素領域Ｐの内部には、図４および図５に示すように、液晶駆動電界を発生させる画素電極７１および共通電極７２が形成されている。画素電極７１および共通電極７２は、いずれも、透明導電体によって形成されており、その平面形状はドレインバスライン５６と同様の略Ｖ字状に屈曲された櫛形である。

図５の画素領域Ｐについて言えば、画素電極７１は、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ４５の側に配置された帯状の基部７１ｂと、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ４５と反対側に配置された帯状の基部７１ｃと、基部７１ｂからＴＦＴ４５の反対側に向かって（図５では上方に向かって）突出する３本の略Ｖ字状の櫛歯状部７１ａと、基部７１ｃからＴＦＴ４５の側に向かって（図５では下方に向かって）突出する１本の略Ｖ字状の櫛歯状部７１ａとから形成されている。基部７１ｃは、基部７１ｂから突出する３本の櫛歯状部７１ａのうち右側にあるものの先端部に接合されている。基部７１ｂは、対応するゲートバスライン５５とは重なっていないが、ＴＦＴ４５のソース電極４２と重なっている。画素電極７１の合計４本の櫛歯状部７１ａは、当該画素領域Ｐを画定する略Ｖ字状のドレインバスライン５６と平行に延在しており、基部７１ｂおよび７１ｃに沿って（図５では横方向に）等間隔に配置されている。基部７１ｂから突出している各櫛歯状部７１ａの先端は、対応する共通バスライン５２ｂの近傍まで達している。基部７１ｃから突出している櫛歯状部７１ａの先端は、対応する共通バスライン５２ａの近傍まで達している。画素電極７１の左右の外側にある櫛歯状部７１ａは、それぞれ、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６の近傍にある２本の遮光電極５３と部分的に重なっている。櫛歯状部７１ａの幅は、遮光電極５３の幅よりも少し小さい。画素電極７１は、その基部７１ｂにおいて、コンタクトホール６１を介してＴＦＴ４５のソース電極４２に電気的に接続されている。

共通電極７２は、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ４５とは反対側に配置された略Ｌ字状の基部７２ｂと、当該画素領域Ｐの内部でＴＦＴ４５の側に配置された略Ｌ字状の基部７２ｃと、基部７２ｂからＴＦＴ４５の側に向かって（図５では下方に向かって）突出する２本の櫛歯状部７２ａと、基部７２ｃからＴＦＴ４５とは反対側に向かって（図５では上方に向かって）突出する１本の櫛歯状部７２ａとから形成されている。基部７２ｂは、その全体が対応する共通バスライン５２ｂと重なっている。基部７２ｃは、対応する共通バスライン５２ａおよびゲートバスライン５５と重なっている。合計３本の櫛歯状部７２ａは、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６と平行に延在しており、基部７２ｂおよび７２ｃに沿って（図５では横方向に）等間隔に配置されている。従って、これらの櫛歯状部７２ａは、画素電極７１の櫛歯状部７１ａおよびドレインバスライン５６と平行である。また、各櫛歯状部７２ａの先端は、画素電極７１の基部７１ｂの近傍まで達している。３本の櫛歯状部７２ａは、画素電極７１の４本の櫛歯状部７１ａに対して交互に配置されている。従って、３本の櫛歯状部７２ａと４本の櫛歯状部７１ａとは、相互に噛み合った状態にある。共通電極７２は、その基部７２ｂにおいてコンタクトホール６５を介して共通バスライン５２ｂに電気的に接続されていると共に、その基部７２ｃにおいてコンタクトホール６４を介して共通バスライン５２ａに電気的に接続されている。なお、図５から分かるように、基部７２ｂと基部７２ｃとは、図５の上下方向に隣接する画素領域Ｐの境界部において相互に接続されている。

画素電極７１に電気的に接続されていてそれと同じ電位になるソース電極４２および補助電極４６は、それぞれ鋸歯状部分を有している。また、共通電極７２に電気的に接続されていてそれと同じ電位となる共通バスライン５２ａおよび５２ｂも、それぞれ鋸歯状部分を有している。そして、ソース電極４２および補助電極４６の鋸歯状部分と、共通バスライン５２ａおよび５２ｂの鋸歯状部分は、ゲートバスライン５５に沿って（図５の横方向に）交互に配置されている。これは、液晶分子２１を第１サブ領域１および第２サブ領域２のそれぞれの内部において一様かつ互いに反対方向に回転させるようにするためである。つまり、このような構成とすることにより、第１サブ領域１と第２サブ領域２の各々において、画素電極７１の櫛歯状部７１ａと共通電極７２の櫛歯状部７１ａの先端部の近傍での液晶分子２１の回転方向を、それ以外の領域における液晶分子２１の回転方向と略一致させることができる。

本第２実施形態の液晶表示装置も、第１実施形態の液晶表示装置と同様に、第１基板（アクティブマトリックス基板）１１と第２基板（対向基板）１２と液晶層２０とを備えているが、第２基板１２と液晶層２０の構成は第１実施形態の液晶表示装置と同じであるから、それらについての説明は省略し、本第２実施形態の液晶表示装置の第１基板１１について説明する。

なお、本第２実施形態の液晶表示装置のＡ−Ａ線に沿った断面構造は、上記第１実施形態の液晶表示装置のそれと同じであるので、以下の説明は適宜、図３を参照して行うことにする。

第１基板１１のガラス基板１１ａの表面には、ゲートバスライン５５と、共通バスライン５２ａおよび５２ｂと、遮光電極５３と、ＴＦＴ４５のゲート電極とが形成されており、それらを覆うようにゲート絶縁膜５７が形成されている（図３では遮光電極５３のみが示されている）。各ゲート電極は、対応するゲートバスライン５５と一体的に形成されている。ゲート絶縁膜５７の上には、ドレインバスライン５６と、ＴＦＴ４５の半導体膜４３、ドレイン電極５６ａおよびソース電極４２と、補助電極４６とが形成されており（図３ではドレインバスライン５６のみが示されている）、これらは保護絶縁膜５９で覆われている。保護絶縁膜５９の上には、画素電極７１と共通電極７２が形成されている（図３では画素電極７１の櫛歯状部７１ａと共通電極７２の櫛歯状部７２ａのみが示されている）。

このように、共通バスライン５２ａおよび５２ｂはガラス基板１１ａの表面に形成され、ドレインバスライン５６はゲート絶縁膜５７の上に形成されているので、共通バスライン５２ａおよび５２ｂはドレインバスライン５６よりも下層に（液晶層２０から遠い層に）配置されていることになる。また、ゲートバスライン５５は、ガラス基板１１ａの表面に形成されているので、ゲートバスライン５５もドレインバスライン５６よりも下層に（液晶層２０から遠い層に）配置されている。画素電極７１および共通電極７２は、保護絶縁膜５９上に形成されているので、ドレインバスライン５６よりも上層に（液晶層２０に近い層に）配置されている。

以上の構成を持つ第１基板１１の表面（内面）、すなわち保護絶縁膜５９の上には、有機高分子膜からなる配向膜３１が形成されている。従って、画素電極７１と共通電極７２は、配向処理を施された配向膜３１によって覆われている。

配向膜３１および３２の表面の配向処理により、無電界時には、図４に矢印で示すように、液晶層２０の液晶分子２１は、同図の縦方向（垂直方向）に沿って平行に配向せしめられる。つまり、液晶分子２１の初期配向方位は、図４に矢印で示す方向とされている。

（第２実施形態の製法）
次に、図４〜図６に示した本第２実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。

まず、第１基板１１のガラス基板１１ａの表面全体にＣｒ膜を形成し、その後このＣｒ膜を所定形状にパターン化して、ガラス基板１１ａの表面に複数のゲート電極と、複数のゲートバスライン５５と、複数の共通バスライン５２ａおよび５２ｂと、複数の遮光電極５３とを形成する。次に、ガラス基板１１ａの表面全体にＳｉＮ_ｘからなるゲート絶縁膜５７を形成し、ゲート電極とゲートバスライン５５と共通バスライン５２と遮光電極５３とを覆う。

続いて、ゲート絶縁膜５７上にａ−Ｓｉ膜を形成してからこれを島状にパターン化し、ＴＦＴ４５用の複数の半導体膜４３を形成する。これら半導体膜４３の各々は、ゲート絶縁膜５７を介して対応するゲート電極と重なる位置に配置される。さらに、ゲート絶縁膜５７上にＣｒ膜を形成してからこれをパターン化して、ゲート絶縁膜５７上に複数のドレインバスライン５６と複数のドレイン電極５６ａと複数のソース電極４２と複数の補助電極４６を形成する。その後、ガラス基板１１ａの表面全体にわたってＳｉＮ_ｘからなる保護絶縁膜５９を形成し、ドレインバスライン５６、ドレイン電極５６ａ、ソース電極４２および補助電極４６を覆う。

続いて、各ソース電極４２と重なる所定の位置で保護絶縁膜５９を選択的に除去し、各ソース電極４２に達する複数のコンタクトホール６１と、各補助電極４６に達する複数のコンタクトホール６５とを形成する。また、各共通バスライン５２ａおよび５２ｂと重なる所定の位置で保護絶縁膜５９とゲート絶縁膜５７とを選択的に除去し、各共通バスライン５２ａおよび５２ｂに達する複数のコンタクトホール６３および６４を形成する。

その後、保護絶縁膜５９上にＩＴＯ等からなる透明導電体膜を形成してからこれを所定形状にパターン化し、複数の櫛歯状の画素電極７１と複数の櫛歯状の共通電極７２を形成する。この時、各画素電極７１は、対応するコンタクトホール６１と６５を介して、対応するソース電極４２と補助電極４６にそれぞれ接続される。各共通電極７２は、対応するコンタクトホール６３と６４を介して対応する共通バスライン５２ｂと５２ａにそれぞれ接続される。こうして第１基板１１が製造される。

第２基板１２は、上述した第１実施形態の液晶表示装置と同様にして製造される。

そこで、こうして製造された第１基板１１と第２基板１２を用いて、上述した第１実施形態の液晶表示装置と同様にして液晶表示パネルを形成した後、この液晶表示パネルに所定の駆動用ＬＳＩとバックライト装置を装着すると、図４〜図６に示した本第２実施形態の液晶表示装置が完成する。

以上説明したように、本第２実施形態の液晶表示装置は、各ドレインバスライン５６の近傍において、画素電極７１の櫛歯状部７１ａに沿って延在する遮光電極５３を周囲の電極やバスラインから孤立させて設けた点は、上述した第１実施形態の液晶表示装置と同じであるから、上述した第１実施形態の液晶表示装置と同じ効果が得られることは明らかである。

しかし、本第２実施形態の液晶表示装置では、電圧印加時の液晶駆動電界は、第１サブ領域１では、図４の横方向に対して時計回りに若干傾いた方向に発生し、第２サブ領域２では、同図の横方向に対して反時計回りに若干傾いた方向に発生するため、無電界時の図４の縦方向（垂直方向）に沿って一様に初期配向していた液晶分子２１は、前述の液晶駆動電界により、第１サブ領域１では時計回りに、第２サブ領域２では反時計回りに、それぞれ回転する。このように、２つのサブ領域１，２における液晶分子の回転方向が逆になるため、視角変化による表示の色づきを抑制することができる、という利点がある。

また、本第２実施形態の液晶表示装置では、各画素領域Ｐに設けられた共通電極７２が、共通バスライン５２ａおよび５２ｂによって図４の横（左右）方向に相互接続されていると共に、基部７２ｂおよび７２ｃによってゲートバスライン５５を跨ぐように同図の縦（上下）方向にも相互接続されており、全体として網目状の構造を持っているため、各画素領域Ｐの共通電極７２は、ドレインバスライン５６の電位変動の影響を受けにくい。よって、横クロストークの発生を上述した第１実施形態の液晶表示装置よりも確実に抑制することが可能となり、結果として、画質がいっそう改善される、という利点がある。

（第３実施形態）
図７〜図８は、本発明の第３実施形態に係る横電界（ＩＰＳ）方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置を示す。図７は当該液晶表示装置に使用されたアクティブマトリックス基板の平面図であり、図８はその画素電極と共通電極の平面形状（パターン）を示す説明図である。これらの図はいずれも、一つの画素領域の構成を示している。

本第３実施形態の液晶表示装置の構成は、各画素領域Ｐ内の２本の遮光電極５３が相互接続され、さらに対応する画素電極７１に電気的に接続されている（フローティング電極ではない）点が異なるのみであり、それ以外の点は図１〜図３に示した上記第１実施形態の液晶表示装置と同じである。よって、同一の構成については、上記第１実施形態の液晶表示装置において使用したのと同じ符号を付してその説明を省略する。

本第３実施形態では、各画素領域Ｐに設けられた２本の帯状（ストライプ状）の遮光電極５３は、上記第１実施形態の液晶表示装置と同様に、当該画素領域Ｐを画定する２本のドレインバスライン５６の近傍にそれらに沿ってそれぞれ配置されているが、周囲の電極やバスラインから孤立していない。すなわち、これら２本の遮光電極５３は、ＴＦＴ４５の近傍に形成された略帯状の連結部５４によって相互に接続されている。連結部５４は、ゲートバスライン５５の近傍に位置していてそれに平行に延在している。連結部５４は、その一部が下方（ＴＦＴ４５の側に）に突出して画素電極７１の基部７１ｂと重なっており、その箇所でゲート絶縁膜５７を貫通するコンタクトホール６６を介して画素電極７１に接続されている。共通電極７２の櫛歯状部７２ａは、連結部５４と重ならないように、上記第１実施形態の液晶表示装置よりも少し短くされている。

本第３実施形態の液晶表示装置では、このように、各画素領域Ｐに設けられた２本の遮光電極５３が、当該画素領域の内部において対応する画素電極７１の基部７１ｂと電気的に接続されているので、遮光電極５３は常に画素電極７１と同じ電位になる。上記第１実施形態の液晶表示装置において述べたように、電気的にフローティングである遮光電極５３の電位は、対応する画素電極７１の電位に近い値となるのであるから、本第３実施形態の液晶表示装置の構成においても、上記第１実施形態の場合とほぼ同様の作用が得られる。よって、上記第１実施形態の液晶表示装置と同じ効果が得られることが明らかである。

なお、ここでは、各画素領域Ｐに設けられた２本の遮光電極５３が、帯状の連結部５４によって相互接続されると共に、コンタクトホール６６を介して画素電極７１に接続されているが、本発明はこれに限定されない。連結部５４を使用せずに、２本の遮光電極５３が直接、個別にコンタクトホール６６を介して画素電極７１に接続されていてもよい。遮光電極５３は、各画素領域Ｐ内のいずれかの箇所において、画素電極７１と電気的に接続されていれば足りる。

（変形例）
上記第１〜３の実施形態は本発明の好適な例を示すものである。したがって、本発明はこれら実施形態に限定されず、種々の変形が可能なことは言うまでもない。
例えば、上記第１〜３の実施形態では遮光電極５３は帯状とされているが、本発明はこれには限定されない。遮光電極５３は、ドレインバスライン５６の近傍にそれに沿って延在していれば足りるのであり、帯状以外の任意の形状であってもよい。

本発明の第１実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置に使用されたアクティブマトリックス基板の平面図である。 図１のアクティブマトリックス基板の画素電極と共通電極の平面形状を示す説明図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った要部断面図である。 本発明の第２実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置に使用されたアクティブマトリックス基板の平面図である。 図４のアクティブマトリックス基板の画素電極と共通電極の平面形状を示す説明図である。 （ａ）は図４のアクティブマトリックス基板の一方の共通バスラインの幅広部の平面形状を示す説明図、（ｂ）はそのソース電極の平面形状を示す説明図、（ｃ）は図４のアクティブマトリックス基板の他方の共通バスラインの幅広部の平面形状を示す説明図、（ｄ）はその補助電極の平面形状を示す説明図である。 本発明の第３実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置に使用されたアクティブマトリックス基板の平面図である。 図７のアクティブマトリックス基板の画素電極と共通電極の平面形状を示す説明図である。 従来の横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置に使用されたアクティブマトリックス基板の平面図である。 図９のＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。

１ 画素領域の第１サブ領域
２ 画素領域の第２サブ領域
１１ 第１基板（アクティブマトリックス基板）
１１ａ ガラス基板
１２ 第２基板（対向基板）
１２ａ ガラス基板
２０ 液晶層
２１ 液晶分子
３１、３２ 配向膜
４２ ソース電極
４３ 半導体膜
４５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
４６ 補助電極
５２、５２ａ、５２ｂ 共通バスライン
５３ 遮光電極
５４ 遮光電極の連結部
５５ ゲートバスライン
５６ ドレインバスライン
５６ａ ドレイン電極
５７ ゲート絶縁膜
５９ 保護絶縁膜
６１、６２、６３、６４、６５、６６ コンタクトホール
７１ 画素電極
７１ａ 画素電極の櫛歯状部
７１ｂ、７１ｃ 画素電極の基部
７２ 共通電極
７２ａ 共通電極の櫛歯状部
７２ｂ、７２ｃ 共通電極の基部
８１ ブラックマトリックス層
８２ 色層
８５ オーバーコート層
Ｐ 画素領域

Claims (8)

1. 複数のゲートバスライン、当該ゲートバスラインに平行な複数の共通バスライン、および前記ゲートバスラインと前記共通バスラインに交差する複数のドレインバスラインを有する第１基板と、
   所定間隔をあけて前記第１基板に対向して保持された第２基板と、
   前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、
   前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインによって画定されると共に、マトリックス状に配置された複数の画素領域とを備え、
   前記画素領域の各々は、薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、対応する前記共通バスラインに電気的に接続された共通電極とを備えており、
   前記画素電極と前記共通電極との間に印加される前記第１基板の表面に略平行な電界により、前記画素領域の各々において前記液晶層の液晶分子を前記第１基板に平行な面内で回転させることによって表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
   前記画素領域の各々には、当該画素領域を画定する前記ドレインバスラインに隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極が設けられており、
   前記遮光電極は、当該画素領域に対応する前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する部分と部分的に重なっていると共に、当該画素領域内のいずれかの箇所において前記画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記遮光電極が、絶縁膜を挟んで前記ドレインバスラインとは異なる層に形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極の前記ドレインバスラインに隣接して延在する前記部分が、櫛歯状とされ、前記遮光電極が、前記ドレインバスラインに沿って延在する帯状とされている請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記画素電極が、前記ドレインバスラインに沿って延在する複数の櫛歯状部を有していると共に、前記画素電極の外側にある２本の前記櫛歯状部が、それぞれ、当該画素領域を画定する２本の前記ドレインバスラインに隣接して延在する前記部分とされており、
   前記遮光電極が帯状であって、２本の前記遮光電極が、当該画素領域を画定する２本の前記ドレインバスラインにそれぞれ沿って延在するように形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記画素領域の各々に対応して、前記ドレインバスラインが略Ｖ字状に屈曲せしめられており、それに対応して前記画素電極と前記共通電極が略Ｖ字状に屈曲せしめられている請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記画素電極が、絶縁膜を挟んで前記ドレインバスラインとは異なる層に形成されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記共通電極が前記画素電極と同じ層に形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記画素電極および前記共通電極の少なくとも一方が、透明導電体により形成されている請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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