JP2013051331A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method of manufacturing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013051331A JP2013051331A JP2011189129A JP2011189129A JP2013051331A JP 2013051331 A JP2013051331 A JP 2013051331A JP 2011189129 A JP2011189129 A JP 2011189129A JP 2011189129 A JP2011189129 A JP 2011189129A JP 2013051331 A JP2013051331 A JP 2013051331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- alcohol
- solution
- liquid
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 82
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 36
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims abstract description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 60
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical group CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710137710 Thioesterase 1/protease 1/lysophospholipase L1 Proteins 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
Description
本発明は、例えば半導体レーザなどに用いられる半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device used for a semiconductor laser, for example.
特許文献１には、Ｂｒをアルコールで希釈したエッチング液（Ｂｒ−アルコール液という）にウエハを浸漬し、ウエハをエッチングする技術が開示されている。 Patent Document 1 discloses a technique of immersing a wafer in an etching solution in which Br is diluted with alcohol (referred to as a Br-alcohol solution) and etching the wafer.
Ｂｒ−アルコール液を用いると、時間の経過とともにアルコールが揮発する。アルコールが揮発すると、Ｂｒ−アルコール液におけるＢｒ濃度が上昇してエッチングレートが経時変化することがあった。 When a Br-alcohol solution is used, the alcohol volatilizes over time. When the alcohol volatilizes, the Br concentration in the Br-alcohol solution increases and the etching rate may change over time.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、Ｂｒ−アルコール液を有するエッチング液のエッチングレートを安定させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can stabilize the etching rate of an etching solution having a Br-alcohol solution.
本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、Ｂｒをアルコールで希釈した溶液に、該アルコールよりも比重が小さく、かつ該アルコールに難溶解性の液体である封止液を加えたエッチング液に、ウエハを浸漬させて該ウエハをエッチングするエッチング工程を備えたことを特徴とする。 The manufacturing method of the semiconductor device according to the invention of the present application is an etching solution in which a sealing solution which is a liquid having a specific gravity smaller than the alcohol and hardly soluble in the alcohol is added to a solution obtained by diluting Br with an alcohol. An etching process for etching the wafer by immersing the wafer is provided.
本発明によれば、封止液によりアルコールの揮発を防止するため、エッチング液のエッチングレートを安定させることができる。 According to the present invention, since the volatilization of alcohol is prevented by the sealing liquid, the etching rate of the etching liquid can be stabilized.
実施の形態．
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。容器１０には、Ｂｒ−アルコール液１２が入れられている。Ｂｒ−アルコール液１２とは、Ｂｒをアルコールで希釈した溶液である。
Embodiment.
FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the
Ｂｒ−アルコール液１２としては、Ｂｒをメタノールで希釈したＢｒ−メタノール液や、Ｂｒをエタノールで希釈したＢｒ−エタノール液を採用できる。しかしながら、メタノールやエタノール以外のアルコールを用いてもよい。
As the Br-
容器１０の中には、Ｂｒ−アルコール液１２に加えて、封止液１４も入れられている。封止液１４は、アルコールよりも比重が小さく、かつアルコールに難溶解性の液体である。Ｂｒ−アルコール液１２と封止液１４をまとめてエッチング液１５と称する。封止液１４はアルコールよりも比重が小さいので、エッチング液１５中においてＢｒ−アルコール液１２よりも上層を占める。Ｂｒ−アルコール液１２は、封止液１４により封止されて、外部への露出がなくなる。
In the
封止液１４としては、アルカンの有機溶剤を採用することが好ましい。アルカンは、単結合のみを持つ炭化水素であって、直鎖アルカンで言えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等がある。さらに、構造異性体を含めると数多くのアルカンが存在する。表１にアルカンの特性を比較したものを示す。
As the sealing
ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカンはメタノールに比べて比重が小さく、ヘプタン、オクタン、デカンはメタノールよりも蒸気圧が低い傾向にある。また、アルカンは炭素数が増えるにつれてメタノールに溶解しにくくなる。これらを考慮して、封止液１４としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカンのいずれか１つを選択することが好ましい。
Hexane, heptane, octane, and decane have a lower specific gravity than methanol, and heptane, octane, and decane tend to have a lower vapor pressure than methanol. Also, alkanes become less soluble in methanol as the number of carbons increases. Considering these, it is preferable to select any one of hexane, heptane, octane, and decane as the sealing
上述のエッチング液１５にウエハ１６を浸漬してエッチング工程を実施する。ウエハ１６はＢｒでエッチング可能なＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰなどの化合物半導体で形成されている。また、ウエハ１６は、Ｂｒでエッチングされるものであれば特に限定されないので、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ基板上にエピタキシャル層を形成したものでもよい。
An etching process is performed by immersing the
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、封止液１４によりＢｒ−アルコール液１２のアルコールの揮発を抑制できる。よって、エッチング液１５の成分が経時変化することを防止し、安定したエッチングレートでウエハをエッチングできる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, the volatilization of the alcohol in the Br-
特に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体レーザにおけるＩｎＰ系の結晶とＧａＡｓ系の結晶を同時にエッチングしてメサ構造を形成するのに有効である。本発明の実施の形態に係るＢｒ−アルコール液１２により安定したエッチングレートでメサ構造を形成できる。その他、例えば、ＭＯＣＶＤ装置を用いてウエハ上にエピタキシャル層を成長させた際にウエハ裏面に回りこんだ不要な結晶の除去にもエッチング液１５を用いることができる。
In particular, the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention is effective for forming a mesa structure by simultaneously etching an InP-based crystal and a GaAs-based crystal in a semiconductor laser. The mesa structure can be formed at a stable etching rate by the Br-
ところで、ウエハをエッチング液１５に浸漬するときにウエハ１６表面に封止液１４が吸着し、エッチングレートをばらつかせることがある。そこで、ウエハに封止液１４が吸着しないように、エッチング工程の前に、ウエハに有機溶剤を付着させるとよい。ウエハに封止液が吸着するのを防止するためにウエハに付着させる有機溶剤を「保護用有機溶剤」と称する。保護用有機溶剤としては、封止液１４と混じりにくいものを選択する。封止液１４として非極性溶媒であるアルカンの有機溶剤を採用した場合は、保護用有機溶剤としては極性溶媒を採用すると保護用有機溶剤と封止液１４の混合を防止できる。保護用有機溶剤として、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールのいずれか１つを用いることができる。
By the way, when the wafer is immersed in the
保護用有機溶剤をウエハに付着させるために、ウエハを、保護用有機溶剤に浸漬する。これによりウエハ１６の表面に封止液１４が吸着することを防止し、エッチング工程におけるエッチングレートを安定させることができる。
In order to attach the protective organic solvent to the wafer, the wafer is immersed in the protective organic solvent. Thereby, the sealing
保護用有機溶剤は、封止液との混合を防止するものに限定されず、封止液にもアルコールにも溶解する溶剤を選択してもよい。この場合、保護用有機溶剤として、例えば、アセトンを用いることができる。 The protective organic solvent is not limited to those that prevent mixing with the sealing liquid, and a solvent that dissolves in both the sealing liquid and alcohol may be selected. In this case, for example, acetone can be used as the protective organic solvent.
アルカンは、σ結合のみでできているため非常に反応性の低い化合物であるが、ＣｌやＢｒ等とハロゲン化反応を起こす事が知られている。この反応は、高温又は光の存在下でのみ起こる。そのため、エッチング液１５は低温、遮光の環境下で保管することが好ましい。エッチング液１５の遮光は、例えば、容器１０に蓋をすればよい。
Alkane is a compound having a very low reactivity because it is composed only of σ bonds, but is known to cause a halogenation reaction with Cl, Br and the like. This reaction occurs only at high temperatures or in the presence of light. Therefore, it is preferable to store the
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to an Example.
（実施例）
体積比で９５％のメタノールと５％のＢｒの混合液３００ｍｌ、メタノール１８００ｍｌ、及びｎ−デカン３００ｍｌを１５０×１７０×１９０ｍｍ３のパイレックス（登録商標）ガラス製容器に入れて攪拌して、エッチング液Ａを作製した。図２は、容器に入れられたエッチング液Ａの写真である。エッチング液Ａは、封止液であるｎ−デカンとＢｒ−メタノール液とが分離した状態を呈した。ｎ−デカンは、メタノールよりも比重が小さいので、Ｂｒ−メタノール液の上層に位置した。これによりＢｒ−メタノール液は封止液であるｎ−デカンにより封止されて、外部への露出がなくなった。
(Example)
Etching solution: 300 ml of a mixture of 95% methanol and 5% Br by volume, 1800 ml of methanol, and 300 ml of n-decane are placed in a 150 × 170 × 190 mm 3 Pyrex (registered trademark) glass container and stirred. A was produced. FIG. 2 is a photograph of the etching solution A placed in the container. Etching solution A exhibited a state in which n-decane and Br-methanol solution, which are sealing solutions, were separated. Since n-decane has a specific gravity smaller than that of methanol, n-decane was positioned in the upper layer of the Br-methanol solution. As a result, the Br-methanol solution was sealed with n-decane, which is a sealing solution, and was not exposed to the outside.
エッチング液Ａは、イエロークリーンルーム内のプッシュプル型換気装置（いわゆるドラフト）の中で、常温保管した。また、エッチング液Ａを入れた容器には蓋をせずに、開放状態で保管した。 The etching solution A was stored at room temperature in a push-pull type ventilator (so-called draft) in a yellow clean room. The container containing the etching solution A was stored in an open state without being covered.
エッチング液Ａを用いてエッチングするウエハとして、２インチの化合物半導体ウエハであるＩｎＰ基板を用いた。エッチング工程では、このＩｎＰ基板を常温のメタノール液（保護用有機溶剤）に１０秒間浸漬させた後、エッチング液Ａに３０分間浸漬させた。その後、純水洗浄を１０分間行い、最後に窒素ブローによりＩｎＰ基板を乾燥させた。 As a wafer to be etched using the etching liquid A, an InP substrate that is a 2-inch compound semiconductor wafer was used. In the etching step, the InP substrate was immersed in a methanol solution at room temperature (protective organic solvent) for 10 seconds and then immersed in the etching solution A for 30 minutes. Then, pure water cleaning was performed for 10 minutes, and finally the InP substrate was dried by nitrogen blowing.
ＴＥＳＡ製の両面ダイヤルゲージを用いてエッチング工程前後のウエハの厚みを測定し、エッチング液Ａのエッチングレートを算出した。 The thickness of the wafer before and after the etching process was measured using a double-sided dial gauge made of TESA, and the etching rate of the etching solution A was calculated.
（比較例）
体積比で９５％のメタノールと５％のＢｒの混合液３００ｍｌ、及びメタノール１８００ｍｌを１５０×１７０×１９０ｍｍ３のパイレックス（登録商標）ガラス製容器に入れて攪拌して、エッチング液Ｂを作製した。エッチング液Ｂの保管やエッチング工程は上記の実施例で示した内容と同じとした。また、実施例の場合と同様にエッチング液Ｂのエッチングレートを算出した。
(Comparative example)
Etching solution B was prepared by placing 300 ml of a mixture of 95% methanol and 5% Br in a volume ratio and 1800 ml of methanol in a 150 × 170 × 190 mm 3 Pyrex (registered trademark) glass container and stirring. The storage of the etchant B and the etching process were the same as those shown in the above examples. Further, the etching rate of the etching solution B was calculated in the same manner as in the example.
（評価）
エッチング液Ａ、Ｂについて、ＩｎＰ基板のエッチングレートの経時変化を評価した。図３は、実施例のエッチング液Ａを用いた場合のエッチングレートの経時変化と比較例のエッチング液Ｂを用いた場合のエッチングレートの経時変化を示すグラフである。比較例のエッチング液Ｂは、エッチング液を作製してから２４時間を経過すると急激にエッチングレートが上昇した。そして、５０時間経過後にはメタノールが完全に揮発したため、エッチングレートを評価する事ができなかった。比較例のエッチング液Ｂを用いたときにエッチングレートが上昇したのは、メタノールの揮発によってエッチング液Ｂの中のＢｒ濃度が高まったためと考えている。
(Evaluation)
With respect to the etching solutions A and B, the change over time in the etching rate of the InP substrate was evaluated. FIG. 3 is a graph showing the change with time of the etching rate when the etching solution A of the example is used and the change with time of the etching rate when the etching solution B of the comparative example is used. The etching rate of the etching solution B of the comparative example rapidly increased after 24 hours had elapsed since the etching solution was produced. And after 50 hours, since the methanol was completely volatilized, the etching rate could not be evaluated. The reason why the etching rate was increased when the etching solution B of the comparative example was used is considered to be that the Br concentration in the etching solution B was increased by the volatilization of methanol.
一方、エッチング液Ａについては、エッチング液を作製してから１２０時間経過後もエッチングレートが変化しなかった。これは、封止液として用いたｎ−デカンが、メタノールの揮発を抑制しエッチング液Ａ中のＢｒ濃度を長時間に渡って安定させているためと考えている。 On the other hand, for the etching solution A, the etching rate did not change even after 120 hours had elapsed since the etching solution was produced. This is considered because n-decane used as the sealing liquid suppresses the volatilization of methanol and stabilizes the Br concentration in the etching liquid A for a long time.
エッチング液Ｂに比べてエッチング液Ａの方が、エッチング液作製直後のエッチングレートが低くなった。これはエッチング液中のＢｒ濃度の違いによるものと考えている。すなわち、エッチング液Ａでは、ほとんどのｎ−デカンはメタノールと分離しているが、少量のｎ−デカンはメタノール液中に溶解する。それによってエッチング液ＡのＢｒ濃度が低下すると考えている。 Compared with the etching solution B, the etching solution A has a lower etching rate immediately after the preparation of the etching solution. This is considered to be due to the difference in Br concentration in the etching solution. That is, in the etching solution A, most n-decane is separated from methanol, but a small amount of n-decane is dissolved in the methanol solution. It is believed that this reduces the Br concentration of the etching solution A.
なお、封止液として、ヘキサン、ｎ−オクタン、２,２,４−トリメチルペンタンを用いた実験を行い、Ｂｒ−メタノール液の封止液として利用する事が出来る事を確認した。図４は、ヘキサンがＢｒ−メタノール液の封止液として機能することを示す写真である。図５は、ｎ−オクタンがＢｒ−メタノール液の封止液として機能することを示す写真である。図６は、２,２,４−トリメチルペンタンがＢｒ−メタノール液の封止液として機能することを示す写真である。 An experiment using hexane, n-octane, 2,2,4-trimethylpentane as a sealing liquid was performed, and it was confirmed that it could be used as a sealing liquid for Br-methanol liquid. FIG. 4 is a photograph showing that hexane functions as a Br-methanol liquid sealing liquid. FIG. 5 is a photograph showing that n-octane functions as a sealing liquid for Br-methanol liquid. FIG. 6 is a photograph showing that 2,2,4-trimethylpentane functions as a Br-methanol liquid sealing liquid.
以上のように本発明によればＢｒ−アルコール液のエッチングレートを安定させることができる。 As described above, according to the present invention, the etching rate of the Br-alcohol solution can be stabilized.
１０ 容器、 １２ Ｂｒ−アルコール液、 １４ 封止液、 １５ エッチング液、 １６ ウエハ 10 containers, 12 Br-alcohol liquid, 14 sealing liquid, 15 etching liquid, 16 wafer
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011189129A JP5742599B2 (en) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011189129A JP5742599B2 (en) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013051331A true JP2013051331A (en) | 2013-03-14 |
| JP5742599B2 JP5742599B2 (en) | 2015-07-01 |
Family
ID=48013164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011189129A Active JP5742599B2 (en) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5742599B2 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137800A (en) * | 1988-11-15 | 1990-05-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Etching solution of znse single crystal |
| JPH02256237A (en) * | 1988-12-26 | 1990-10-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Manufacture of compound semiconductor device |
| JPH03181133A (en) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for etching compound semiconductor |
| JPH0758412A (en) * | 1993-08-10 | 1995-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Buried semiconductor laser |
| JP2008047668A (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processor |
-
2011
- 2011-08-31 JP JP2011189129A patent/JP5742599B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137800A (en) * | 1988-11-15 | 1990-05-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Etching solution of znse single crystal |
| JPH02256237A (en) * | 1988-12-26 | 1990-10-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Manufacture of compound semiconductor device |
| JPH03181133A (en) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for etching compound semiconductor |
| JPH0758412A (en) * | 1993-08-10 | 1995-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Buried semiconductor laser |
| JP2008047668A (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5742599B2 (en) | 2015-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102509446B1 (en) | Wet etching method and etching solution | |
| Guo et al. | Comparative study of etching high crystalline quality AlN and GaN | |
| JP5471001B2 (en) | Indium phosphide substrate manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, indium phosphide substrate, and epitaxial wafer | |
| US9064810B2 (en) | Mesa etch method and composition for epitaxial lift off | |
| Li et al. | Metalorganic chemical vapor deposition grown n-InGaN/n-GaN tunnel junctions for micro-light-emitting diodes with very low forward voltage | |
| TWI413161B (en) | Compound semiconductor substrate, epitaxial substrate, processes for producing compoung semiconductor substrate, and epitaxial substrate | |
| Cuypers et al. | Wet chemical etching of InP for cleaning applications: I. An oxide formation/oxide dissolution model | |
| JP5742599B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| KR950701582A (en) | METHOD OF FABRICATING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES USING SELECTIVE ETCHING | |
| Yamamoto et al. | Metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlGaN directly on reactive-ion etching-treated GaN surfaces to prepare AlGaN/GaN heterostructures with high electron mobility (∼ 1500 cm2 V− 1 s− 1): Impacts of reactive-ion etching-damaged layer removal | |
| US4256520A (en) | Etching of gallium stains in liquid phase epitoxy | |
| JP2681117B2 (en) | Method for stabilizing compound semiconductor surface | |
| KR101969401B1 (en) | Etchant and method of fabricating semiconductor device using the same | |
| CA2193098C (en) | Preparation of semiconductor substrates | |
| JPH05166785A (en) | Storing method for semiconductor wafer | |
| JP5418922B2 (en) | Compound semiconductor substrate, epitaxial substrate, compound semiconductor substrate manufacturing method, and epitaxial substrate manufacturing method | |
| Lundin et al. | Influence of the carrier gas composition on metalorganic vapor phase epitaxy of gallium nitride | |
| EP0414457B1 (en) | Selective etching process | |
| JPS5881973A (en) | Method for etching gold-germanium alloy film | |
| JP3045912B2 (en) | Etching method of AlGaAs semiconductor layer | |
| JP5925848B2 (en) | Indium phosphide substrate and semiconductor epitaxial wafer | |
| CN117431068A (en) | Etching solution for III-V semiconductor compound isolation layer, preparation and application thereof | |
| US20140154826A1 (en) | Etch stop layers in nitride semiconductors created by polarity inversion | |
| JP5626955B2 (en) | Epitaxial growth substrate manufacturing method and semiconductor epitaxial wafer manufacturing method | |
| JP2004087666A (en) | Method for washing semiconductor wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140610 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150217 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150311 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150407 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150420 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5742599 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |