JP2013051231A - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】効率良く、高いスループットで複数の基板の露光処理を行なう。
【解決手段】基板の一面を複数の区画領域に分けて露光するスキャン型露光装置は、２枚の基板Ｐ１，Ｐ２それぞれの１つの区画領域（一括露光範囲）をそれぞれ保持可能な一対のホルダＰＨＡ、ＰＨＢと、ホルダＰＨＡ、ＰＨＢをスキャン方向（Ｘ方向）に移動させるステージと、基板Ｐ１，Ｐ２をホルダに対してクロススキャン方向（Ｙ方向）に移動させる基板Ｙステップ送り装置とを備えている。露光装置は、ステージを介してホルダＰＨＡをＸ方向に移動させて、基板ホルダＰＨＡ上の一方の基板Ｐ２を露光中（Ｘスキャン中）に、他方の基板Ｐ１をホルダＰＨＢ上で移動（Ｙステップ）させて、他方の基板の未露光領域（未一括露光範囲）をホルダ上に位置させ、さらにはそのホルダに対する基板の位置ずれ量の計測を行う。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法に係り、特に、基板上の複数の領域を露光する露光方法及び露光装置、並びに前記露光方法又は露光装置を用いる、デバイス製造方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。

従来、液晶表示素子、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。

近年、露光装置の露光対象物である基板、特に液晶表示素子用の基板（矩形のガラス基板）は、そのサイズが大型化する傾向にあり、これに伴い露光装置のステージ装置も大型化し、その重量も増大している。かかるステージの大型化に対処することを目的とした露光装置を、発明者は先に提案した（例えば、特許文献１参照）。

しかるに、上記特許文献１に開示される露光装置を含み、従来の露光装置では、基板ホルダとして基板と同じサイズの保持面を有する基板ホルダが用いられていた。これは、仮に、基板より小さなサイズの保持面を有する基板ホルダを用いるものとすると、１枚の基板全面を露光する場合、その露光の途中で、基板を基板ホルダ上で移動させる必要があり、かつその前後で、基板を基板ホルダから一旦取り外し、露光位置に対する基板の位置合わせをその都度行わなければならない等、スループットの低下要因が格段に増加することが一因である。

しかるに、例えば液晶用のガラス基板は、最新の第１０世代では一辺が３メートル以上になるなど一層大型化する傾向にあるため、基板ホルダ及びこれを支持する基板テーブル等の大型化が種々の不都合の要因となってきた。例えば、基板が大型化する程、基板を２次元移動させる基板ステージ装置の重量と移動量は増加した。このため、露光装置が大型になって、製造コストが増え、装置の製造及び運搬に時間が掛かってきた。また、基板の移動に時間が掛かって、タクトタイムが長くなっていた。

米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書

本発明の第１の態様によれば、複数枚の基板を露光する露光方法であって、２枚の基板のそれぞれの一部を一対の基板保持装置に個別に載置し、前記２枚の基板のうち、一方の基板の１つの処理領域を含む一部を前記一対の基板保持装置の一方に保持させて前記一対の基板保持装置を第１方向に移動させて前記処理領域を露光することと、前記露光することと並行して、前記２枚の基板のうち、他方の基板を、前記一対の基板保持装置の他方上で前記第１方向と交差する第２方向に移動させて前記他方の基板の露光対象の処理領域の変更を行うことと、その変更後の処理領域を含む前記他方の基板の一部を前記他方の保持装置に固定することと、固定後に前記他方の基板の前記他方の保持装置に対する位置ずれ量を検出することとを含む準備作業を行うことと、を含む露光方法が、提供される。

これによれば、２枚の基板のうち、一方の基板の１つの処理領域を含む一部を一方の基板保持装置に保持させて前記一対の基板保持装置を第１方向に移動させて前記処理領域を露光するのと並行して、他方の基板を一対の基板保持装置の他方上で第２方向に移動させて他方の基板の露光対象の処理領域の変更、変更後の処理領域を含む他方の基板の一部の他方の保持装置への固定、並びに固定後の他方の基板の他方の保持装置に対する位置ずれ量の検出が行われる。このため、その位置ずれの補正を行った後、直ちに他方の基板の変更後の処理領域に対する露光を開始することが可能になる。これにより、高スループットで基板の露光を行うことが可能になる。

本発明の第２の態様によれば、本発明の露光方法により前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。

本発明の第３の態様によれば、本発明の露光方法により前記基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。

本発明の第４の態様によれば、基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、基板の一部をそれぞれ保持可能な一対の基板保持装置と、前記一対の基板保持装置がその一部に設けられ、第１方向に移動する移動体と、前記一対の基板保持装置を個別に前記移動体の他の部分に対して微少駆動する第１駆動系と、前記移動体と一体的に前記第１方向に移動するとともに、前記基板を前記一対の基板保持装置のそれぞれの上で前記第１方向に交差する第２方向に移動させる一対の第１の基板送り装置と、を備え、前記一対の基板保持装置のそれぞれに２枚の基板のそれぞれの一部を載置して、前記一対の基板保持装置のうちの一方の基板保持装置に保持された前記２枚の基板のうちの一方の基板の一部の処理領域を、前記移動体を前記第１方向に移動して露光し、これと並行して、前記２枚の基板のうちの他方の基板を前記一対の基板保持装置のうちの他方の基板保持装置上で前記第２方向に移動させる第１の露光装置が、提供される。

これによれば、２枚の基板のそれぞれの一部を一対の基板保持装置のそれぞれに載置して、一対の基板保持装置がその一部に設けられた移動体が第１方向に移動して一方の基板の一部の処理領域が走査露光されるのと並行して、他方の基板を第１の基板送り装置により基板保持装置上で第２方向に移動させることが可能になる。これにより、一方の基板について、１つの処理領域（未露光領域）の露光が終了した後に、その基板をステップ移動させて次の処理領域（未露光領域）を露光する、露光及びステップ移動を交互に繰り返して、その基板の露光を行い、他方の基板について、同様の手順で露光を行う場合に比べて、２枚の基板の露光処理に掛かる時間を短縮することが可能になる。また、他方の基板は他方の基板保持装置上で移動するので、一方の基板の一部の処理領域が走査露光に与える影響を考慮することなく、移動させることができる。

本発明の第５の態様によれば、基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、基板をそれぞれ保持可能な一対の基板保持装置と、前記一対の基板保持装置がその一部に設けられ、第１方向に移動する移動体と、前記一対の基板保持装置を個別に前記移動体の他の部分に対して微少駆動する第１駆動系と、前記一対の基板保持装置を、長手方向の一端側の第１位置と他端側の第２位置でチルト自在に、かつ前記第１位置と第２位置の中央に位置する所定の軸を中心に揺動可能に支持するシーソー型支持部材と、前記シーソー型支持部材を前記軸回りに駆動する第２駆動系と、を備える第２の露光装置が、提供される。

これによれば、一対の基板保持装置を、シーソー型支持部材により長手方向の一端側の第１位置と他端側の第２位置でチルト自在に支持し、かつ前記第１位置と第２位置の中央に位置する所定の軸を中心に揺動可能に支持するようにしたので、一対の基板保持装置がお互いの重量を打ち消しあい、従来の露光装置が備えている重量キャンセル装置を設ける必要がなくなる。また、上記のシーソー型支持部材は、フットプリントが小さいので、露光装置全体を小型化できる。

本発明の第６の態様によれば、上記第１、第２の露光装置のいずれかにより基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。

本発明の第７の態様によれば、上記第１、第２の露光装置のいずれかにより基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。

第１の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 第１の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。 第１の実施形態に係る露光装置を図１の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。 第１の実施形態に係る露光装置が備えるシーソー型支持装置を示す側面図である。 図２の平面図の一部を取り出して拡大して示す図である。 第１の実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その３）である。 図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）は、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ１の露光と基板Ｐ１のＹステップ動作との並行処理を説明するための図である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その４）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その５）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その６）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その７）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その８）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その９）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１０）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１１）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１２）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１３）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１４）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１５）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１６）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１７）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１８）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１９）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２０）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２１）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２２）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２３）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２４）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２５）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２６）である。 第１の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２７）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その３）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その４）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その５）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その６）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その７）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その８）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その９）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１０）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１１）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１２）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１３）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１４）である。 第１の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１５）である。 レベリング装置が微動ステージ側に設けられた変形例に係る基板ステージ装置を示す図である。 レベリングセンサのターゲットの変形例を示す図である。 第２の実施形態に係る露光装置の一部省略した平面図である。 第２の実施形態に係る露光装置を図５２の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。 第２の実施形態に係る露光装置の効果を説明するための図である。 第２の実施形態の変形例に係る露光装置を示す概略側面図である。 第２の実施形態の変形例に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。

《第１の実施形態》
以下、第１の実施形態について、図１〜図３４に基づいて説明する。

図１には、第１の実施形態に係る露光装置１００の構成が、後述するエア浮上ユニット群等を省略して、概略的に示され、図２には、露光装置１００の一部省略した平面図が示されている。図２は、図１の投影光学系ＰＬより下方の部分（後述する鏡筒定盤より下方の部分）の平面図に相当する。露光装置１００は、例えばフラットパネルディスプレイ、液晶表示装置（液晶パネル）などの製造に用いられる。露光装置１００は、液晶表示装置の表示パネルなどに用いられる矩形（角型）のガラス基板（以下、単に基板と称する）を露光対象物とする投影露光装置である。

露光装置１００は、照明系ＩＯＰ、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴ、投影光学系ＰＬ、マスクステージＭＳＴ及び投影光学系ＰＬなどが搭載されたボディＢＤ（図１等ではその一部のみが図示されている）、２枚の基板（図１では、基板Ｐ１及び基板Ｐ２が示されている）のそれぞれの一部を個別に保持可能な一対の微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ（基板テーブル）を含む基板ステージ装置ＰＳＴ、及びこれらの制御系等を備えている。以下においては、露光時にマスクＭと基板（例えばＰ１又はＰ２）とが投影光学系ＰＬに対してそれぞれ相対走査される方向をＸ軸方向（Ｘ方向）とし、水平面内でこれに直交する方向をＹ軸方向（Ｙ方向）、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向をＺ軸方向（Ｚ方向）とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。

照明系ＩＯＰは、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。すなわち、照明系ＩＯＰは、図示しない光源（例えば、水銀ランプ）から射出された光を、それぞれ図示しない反射鏡、ダイクロイックミラー、シャッタ、波長選択フィルタ、各種レンズなどを介して、露光用照明光（照明光）ＩＬとしてマスクＭに照射する。照明光ＩＬとしては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）などの光（あるいは、上記ｉ線、ｇ線、ｈ線の合成光）が用いられる。また、照明光ＩＬの波長は、波長選択フィルタにより、例えば要求される解像度に応じて適宜切り替えることが可能になっている。

マスクステージＭＳＴには、回路パターンなどがそのパターン面（図１における下面）に形成されたマスクＭが、例えば真空吸着（あるいは静電吸着）により固定されている。マスクステージＭＳＴは、ボディＢＤの一部を構成する不図示のマスク定盤上に、例えばその底面に固定された不図示のエアベアリングを介して非接触状態で支持されている。マスクステージＭＳＴは、例えばリニアモータを含むマスクステージ駆動系１２（図１では図示せず、図６参照）により、走査方向（Ｘ軸方向）に所定のストロークで駆動されるとともに、Ｙ軸方向、及びθｚ方向にそれぞれ適宜微少駆動される。マスクステージＭＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、マスクステージＭＳＴに設けられた（又は形成された）反射面に測長ビームを照射する複数のレーザ干渉計を含むマスクレーザ干渉計システム（以下、「マスク干渉計システム」という）１４により計測される。

投影光学系ＰＬは、マスクステージＭＳＴの図１における下方において、ボディＢＤの一部である鏡筒定盤１６に支持されている。投影光学系ＰＬは、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書に開示されている投影光学系と同様に構成されている。すなわち、投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像の投影領域が例えば千鳥状に配置された複数の投影光学系（マルチレンズ投影光学系）を含み、Ｙ軸方向を長手方向とする単一の長方形状（帯状）のイメージフィールドを持つ投影光学系と同等に機能する。本実施形態では、複数の投影光学系のそれぞれとしては、例えば両側テレセントリックな等倍系で正立正像を形成するものが用いられている。また、以下では投影光学系ＰＬの千鳥状に配置された複数の投影領域をまとめて露光領域ＩＡと呼ぶ。

このため、照明系ＩＯＰからの照明光ＩＬによってマスクＭ上の照明領域が照明されると、マスクＭを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のマスクＭの回路パターンの投影像（部分正立像）が、投影光学系ＰＬの像面側に配置される、表面にレジスト（感応剤）が塗布された基板（例えばＰ１又はＰ２）上の照明領域に共役な照明光ＩＬの照射領域（露光領域）ＩＡに形成される。そして、マスクステージＭＳＴと基板（例えばＰ１又はＰ２）を後述する基板ホルダ（ＰＨＡ又はＰＨＢ）を介して保持する微動ステージ（２６Ａ又は２６Ｂ）との同期駆動によって、照明領域（照明光ＩＬ）に対してマスクＭを走査方向（Ｘ軸方向）に相対移動させるとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対して基板（例えばＰ１又はＰ２）を走査方向（Ｘ軸方向）に相対移動させることで、基板（例えばＰ１又はＰ２）上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクＭのパターンが転写される。すなわち、露光装置１００では、照明系ＩＯＰ及び投影光学系ＰＬによって基板（例えばＰ１又はＰ２）上にマスクＭのパターンが生成され、照明光ＩＬによる基板（例えばＰ１又はＰ２）上の感応層（レジスト層）の露光によって基板（例えばＰ１又はＰ２）上にそのパターンが形成される。

ボディＢＤは、図１、図２及び露光装置１００を＋Ｘ方向から見た概略側面図を一部省略して示す図３に示されるように、床面Ｆ上にＸ軸方向に所定距離離間して互いに平行にかつ長手方向をＹ軸方向として配置された直方体部材から成る一対（２つ）の基板ステージ架台（以下、架台と略記する）１８と、一対の架台１８上に一対のサイドフレーム２０（図１では不図示、図２、図３参照）を介して水平に支持された鏡筒定盤１６と、不図示のマスク定盤とを備えている。なお、架台１８は、２つに限らず、１つあるいは３つ以上設けられていても良い。

各架台１８は、複数の防振装置２２を介して床面Ｆ上に設置されている（図１及び図３参照）。一対のサイドフレーム２０は、図２及び図３に示されるように、それぞれの下端が一対の架台１８上面のＹ軸方向の一端部と他端部に接続されている。鏡筒定盤１６は、ＸＹ平面に平行に配置されたＹ軸方向を長手方向とする直方体状の部材から成り、一対のサイドフレーム２０により一対の架台１８上でＹ軸方向の両端部が下方から支持されている。

基板ステージ装置ＰＳＴは、図１に示されるように、粗動ステージ部２４、一対の微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ、及びシーソー型テーブル支持装置（以下、シーソー型支持装置と略記する）２８等を有している。シーソー型支持装置２８は、図１及び図３に示されるように、一対の架台１８の上に配置されたＸガイド８２のＸＹ平面に平行な上面上に配置されている。

粗動ステージ部２４は、図３に示されるように、２本（一対）のＸビーム３０Ａ，３０Ｂと、粗動テーブル３２Ａ、３２Ｂと、２本のＸビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれを床面Ｆ上で支持する複数の脚部３４と、を有している。

Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向の中央にリブ部を有しＹＺ断面が矩形枠状でＸ軸方向に延びる中空部材から成り、Ｙ軸方向に所定間隔で互いに平行に配置されている（図１〜図３参照）。Ｘビーム３０Ａ、３０Ｂのそれぞれは、図１中でＸビーム３０Ａについて示されるように、長手方向（Ｘ軸方向）両端部で、２つの脚部３４によって下方から床面Ｆ上で、一対の架台１８に対して非接触で支持されている。これにより、粗動ステージ部２４は、一対の架台１８に対して振動的に分離されている。なお、脚部３４の配置及び個数は、任意で良い。また、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂは、中空部材に限らず中実部材であっても良いし、ＹＺ断面がI型の棒状部材であっても良い。

Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上面には、図２及び図３に示されるように、Ｘ軸方向に延びるＸリニアガイド３６が、Ｙ軸方向に所定間隔で複数本（例えば２本（一対））、互いに平行に固定されている。また、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上面であって、一対のＸリニアガイド３６間の領域には、Ｘ軸方向に延びるＸ固定子３８Ａ，３８Ｂが固定されている。Ｘ固定子３８Ａ，３８Ｂのそれぞれは、例えばＸ軸方向に所定間隔で配列された複数の永久磁石を含む磁石ユニットを有している。本実施形態では、図２及び図３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂの断面形状は、＋Ｙ側のＸビーム３０Ａの方が−Ｙ側のＸビーム３０Ｂよりも幅広、すなわちＹ軸方向の長さが長くなっているが、同じ形状でも構わない。

粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂは、図３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上方に個別に配置されている。−Ｙ側に位置する粗動テーブル３２Ｂは、平面視矩形の板状部材から成り、＋Ｙ側に位置する粗動テーブル３２Ａは、−Ｙ側の端部に凹部を有する平面視Ｕ字形状の板状部材から成る。図３では、粗動テーブル３２Ａは、後述するシーソー型支持装置２８とともに、部分的に断面図にて示されている。粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの下面には、図３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれに固定されたＸ固定子３８Ａ，３８Ｂに所定の隙間（ギャップ、クリアランス）を介して対向するＸ可動子４０Ａ，４０Ｂが固定されている。Ｘ可動子４０Ａ，４０Ｂのそれぞれは、例えば不図示のコイルユニットを含み、Ｘ固定子３８Ａ，３８Ｂと共に、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂを、Ｘ軸方向に所定のストロークで駆動するＸリニアモータ４２Ａ，４２Ｂを、それぞれ構成している。

また、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの下面には、図３に示されるように、不図示の転動体（例えば、複数のボールなど）を含み、各Ｘリニアガイド３６に対してスライド可能に係合するスライダ４４が複数固定されている。スライダ４４は、各Ｘリニアガイド３６に対して、Ｘ軸方向に所定間隔で、例えば４個設けられており（図１参照）、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの下面には、例えば合計８個のスライダ４４が固定されている。粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれは、Ｘリニアガイド３６とスライダ４４とを含む複数のＸリニアガイド装置により、Ｘ軸方向に直進案内される。

なお、図１〜図３では不図示であるが、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれには、Ｘ軸方向を周期方向とするＸスケールが固定され、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれには、Ｘスケールを用いて粗動テーブル３２Ａ，３２ＢのＸ軸方向に関する位置情報を求めるＸリニアエンコーダシステム４６Ａ，４６Ｂ（図６参照）を構成するエンコーダヘッドが固定されている。

粗動テーブル３２Ａ，３２ＢのＸ軸方向に関する位置は、上記エンコーダヘッドの出力に基づいて主制御装置５０（図６参照）により制御される。また、同様に図１ないし図３では不図示であるが、粗動テーブル３２Ａには、粗動テーブル３２Ａに対する微動ステージ２６Ａ、２６ＢのＸ軸及びＹ軸方向に関する相対移動量（相対変位量）を計測するためのギャップセンサ４８Ａ，４８Ｂ（図６参照）などが取り付けられている。主制御装置５０は、ギャップセンサ４８Ａ，４８Ｂによって計測される相対移動量が所定の制限値に達した場合に、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ及び粗動テーブル３２Ａを直ちに停止する。ギャップセンサ４８Ａ，４８Ｂに代えて、あるいは加えて、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂの粗動テーブル３２Ａに対する移動可能量をメカ的に制限するメカストッパ部材を設けても良い。

ここで、説明は前後するが、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ及びこれらを支持するシーソー型支持装置２８について説明する。微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれは、図１及び図３から分かるように、平面視矩形の板状（又は箱形）部材から成り、その上面に一対の基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢが個別に搭載されている。一対の基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのそれぞれは、図２からわかるように、Ｘ軸方向の長さが基板（Ｐ１、Ｐ２）の約１／２であり、Ｙ軸方向の幅（長さ）は基板（Ｐ１、Ｐ２）の約１／３である。

基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのそれぞれは、互いに独立して、基板Ｐ１、Ｐ２の一部（ここでは、基板Ｐ１，Ｐ２のＹ軸方向に関する約１／３の部分であって、＋Ｘ側又は−Ｘ側半部であるそれぞれの基板の１／６の領域）を、例えば真空吸着（又は静電吸着）により吸着保持するとともに、加圧気体（例えば高圧空気）を上向きに噴き出してその噴き出し圧力によって基板Ｐ１、Ｐ２の一部（それぞれの基板の約１／６の領域）を下方から非接触（浮上）支持することができる。

基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢによる各基板に対する高圧空気の噴き出しと真空吸着との切り替えは、不図示の真空ポンプと高圧空気源とに基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢを個別に切り替え接続するホルダ吸排気切替装置５１Ａ、５１Ｂ（図６参照）を介して、主制御装置５０によって行われる。

微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれの下面中央部は、図１及び図４に示されるように、それぞれスラスト型のエアベアリング（シーリングパッドという）７７Ａ、７７Ｂによって非接触で（浮上）支持されている。シーリングパッド７７Ａ、７７Ｂのそれぞれは、軸受面を上に向け、シーソー型支持装置２８の一部を構成するレバー６４の長手方向の両端部上面に図１及び図４中に球状部材で模式的に示されている球面軸受、あるいは擬似球面軸受構造体から成るレベリング装置７８Ａ、７８Ｂを介してチルト自在（θｘ及びθｙ方向に揺動自在）に取り付けられている。レバー６４は、長手方向の中心位置に回転軸（揺動軸）６５（図３及び図４参照）が設けられ、該回転軸６５を中心としてＸＺ平面に平行な面内で回動（揺動）自在に、側面視（−Ｙ方向から見て）逆Ｔ字状のベース部材６６に支持されている。レバー６４の長手方向の中央部は、レバー６４を天秤のように釣り合う位置（軸６５の位置）において、ベース部材６６に対し、Ｙ軸に平行な軸回りに揺動自在に支持されている。ベース部材６６の下端部は、１つ（あるいは複数）のエアベアリング（ベースパッドと呼ぶ）７０によって構成されており、該ベースパッド７０を介してベース部材６６、レバー６４及びシーリングパッド７７Ａ、７７Ｂを含むシーソー型支持装置２８が、Ｘガイド８２の上に浮上支持されている。

Ｘガイド８２は、図１及び図３に示されるように、Ｘ軸方向を長手方向とする直方体形状を有している。Ｘガイド８２は、上述した一対の架台１８の上面（＋Ｚ側面）に、一対の架台１８を横断するように配置され固定されている。Ｘガイド８２の長手方向（Ｘ軸方向）の寸法は、Ｘ軸方向に所定間隔で配置された一対の架台１８のそれぞれのＸ軸方向寸法と、一対の架台１８間の隙間のＸ軸方向寸法との和よりも幾分短く（ほぼ同等に）設定されている。Ｘガイド８２の上面（＋Ｚ側の面）は、ＸＹ平面に平行で平坦度が非常に高く仕上げられている。Ｘガイド８２上には、図１及び図３に示されるように、シーソー型支持装置２８が搭載され、ベースパッド７０を介して浮上支持（非接触状態で支持）されている。Ｘガイド８２の上面は、水平面（ＸＹ平面）とほぼ平行となるように調整されており、シーソー型支持装置２８が移動する際のガイド面として機能する。Ｘガイド８２の長手方向の寸法は、シーソー型支持装置２８（すなわち粗動テーブル３２Ａ）のＸ軸方向の移動可能量よりも幾分長く設定されている。Ｘガイド８２の上面の幅方向寸法（Ｙ軸方向寸法）は、ベースパッド７０の軸受面と対向可能な寸法に設定されている（図３参照）。Ｘガイド８２の材質、及び製造方法は特に限定されないが、例えば、鋳鉄などの鋳造により形成される場合、石材（例えば、斑レイ岩）により形成される場合、セラミックス、あるいはＣＦＲＰ（Carbon Fiver Reinforced Plastics）材などにより形成される場合などがある。また、Ｘガイド８２は、中実の部材、又は内部にリブをもつ中空の部材であってその形状が直方体の部材により形成されている。なお、Ｘガイド８２は直方体部材に限らず、ＹＺ断面がＩ型の棒状部材であっても良い。

微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれは、複数のボイスコイルモータ（あるいはリニアモータ）を含む微動ステージ駆動系５２Ａ、５２Ｂ（図６参照）により、粗動テーブル３２Ａ上で個別に６自由度方向（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向）に微少駆動される。

詳述すると、図１に示されるように、粗動テーブル３２Ａの＋Ｘ側の端部の上面には、支持部材３３を介して固定子５６が設けられ、これに対向して、微動ステージ２６Ａの＋Ｘ側の側面には、固定子５６とともにＸボイスコイルモータ５４Ｘを構成する可動子５８が固定されている。同様に、粗動テーブル３２Ａの−Ｘ側の端部の上面には、支持部材３３を介して固定子５６が設けられ、これに対向して、微動ステージ２６Ｂの−Ｘ側の側面には、固定子５６とともにＸボイスコイルモータ５４Ｘを構成する可動子５８が固定されている。ここで、実際には、同様の構成のＸボイスコイルモータ５４Ｘが、Ｙ軸方向に所定距離離間して、各一対、すなわち、微動ステージ２６Ａに対して一対、微動ステージ２６Ｂに対して一対、それぞれ設けられている。

また、図３に示されるように、粗動テーブル３２Ａの上面には、支持部材３５を介して固定子６０が設けられ、これに対向して、微動ステージ２６Ａの＋Ｙ側の側面には、固定子６０とともに、Ｙボイスコイルモータ５４Ｙを構成する可動子６２が固定されている。ここで、実際には、同様の構成のＹボイスコイルモータ５４Ｙが、Ｘ軸方向に所定距離離間して一対設けられている。

また、図示は省略されているが、粗動テーブル３２Ａと微動ステージ２６Ｂとの間にも、微動ステージ２６Ｂ駆動用の一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙが、設けられている。

上記の各２対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＹボイスコイルモータ５４Ｙのぞれぞれは、それぞれのボイスコイルモータによって水平方向に駆動される被駆動体（微動ステージ及び基板ホルダ等を含む）の重心とＺ軸方向に関してほぼ同一高さの位置に取り付けられ、Ｘ軸又はＹ軸方向に関して、いわゆる重心駆動が行なえるようになっている。

微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれは、後述するシーソー型支持装置２８によって支持された状態で、主制御装置５０によって、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘを用いて、粗動テーブル３２Ａに同期駆動（粗動テーブル３２Ａと同方向に同速度で駆動）されることにより、粗動テーブル３２Ａと共にＸ軸方向に所定のストロークで移動し、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙを用いて、駆動されることにより、粗動テーブル３２Ａに対しＹ軸方向にも微少ストロークで移動する。

また、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれは、主制御装置５０によって、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘのそれぞれ、又は一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙのそれぞれに、互いに逆方向の駆動力が発生させられることにより、粗動テーブル３２Ａに対しθｚ方向に移動する。

本実施形態では、上述したＸリニアモータ４２Ａ，４２Ｂと、微動ステージ駆動系５２Ａ、５２Ｂの一部をそれぞれ構成する各一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＹボイスコイルモータ５４Ｙと、によって、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂは、投影光学系ＰＬ（図１参照）に対し、Ｘ軸方向に長ストロークで移動（粗動）可能、かつＸＹ平面内の３自由度方向（Ｘ軸，Ｙ軸及びθｚの各方向）に微少移動（微動）可能となっている。

また、微動ステージ駆動系５２Ａ、５２Ｂは、図１に示されるように、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂをチルト方向（θｘ及びθｙの各方向）に微少駆動するための複数、例えば各２つ、合計４つのレベリングボイスコイルモータ５４Ｚを有している。複数のレベリングボイスコイルモータ５４Ｚのそれぞれは、粗動テーブル３２Ａ上面に固定された固定子５９と、微動ステージ２６Ａ又は２６Ｂの下面に固定された可動子５７とから成り、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂの下面のシーリングパッド７７Ａ、７７Ｂのそれぞれのレベリング中心（レベリング装置７８Ａ、７８Ｂによるθｘ及びθｙ方向の回転中心）を通るＸ軸に平行な直線上、Ｙ軸に平行な直線上に各１つ、配置されている（図１では、４つのレベリングボイスコイルモータ５４Ｚのうち２つのみが示され、他の２つは図示省略。また、図３では４つのレベリングボイスコイルモータ５４Ｚのうち１つのみが示され、他の３つは図示省略）。

また、レバー６４の一端（あるいは両端）には、図１に示されるように、レバー６４をＹ軸回りに揺動（回動）させるためのＺボイスコイルモータ５５Ｚの可動子６１が１つ（又は２つ以上）設けられており、該可動子６１とともにＺボイスコイルモータ５５Ｚを構成する１つ（又は２つ以上）の固定子６３が、粗動テーブル３２Ａに支持部材を介して固定されている。

上記各ボイスコイルモータ５４Ｘ，５４Ｙ，５４Ｚ及び５５Ｚの固定子は、粗動テーブル３２Ａにすべて取付けられている。また、各ボイスコイルモータ５４Ｘ，５４Ｙ，５４Ｚ、５５Ｚは、ムービングマグネット型、ムービングコイル型のいずれでも良い。

また、前記一対のシーリングパッド７７Ａ、７７Ｂとレバー６４とベース部材６６とを含むシーソー型支持装置２８は、粗動テーブル３２Ａと複数対の連結部材８０で繋がれている。各連結部材８０は、フレクシャとも称される。各対の連結部材８０のそれぞれは、シーソー型支持装置２８の＋Ｘ側と−Ｘ側とに互いに対峙して配置されている。連結部材８０は、シーソー型支持装置２８の重心のＺ位置とほぼ同一の高さの水平面内に配置されており、水平方向以外の力の伝達が極めて弱くなるように薄板、リンク機構、あるいはロープなどで構成されている。このため、シーソー型支持装置２８、及びシーソー型支持装置２８にシーリングパッド７７Ａ、７７Ｂを介して支持された上部構成部分（微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ及び基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ等）は、各対の連結部材８０のいずれかを介して粗動テーブル３２Ａに牽引されることにより、粗動テーブル３２Ａと一体的にＸ軸方向に移動する。このとき、シーソー型支持装置２８（及び微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ）は、Ｘガイド８２上を非接触で滑らかに移動する。この際、シーソー型支持装置２８には、そのＺ軸方向に関する重心位置を含むＸＹ平面に平行な平面内で牽引力が作用するので、移動方向（Ｘ軸）に直交する軸（Ｙ軸）周りのモーメント（ピッチングモーメント）が作用しない。また、粗動テーブル３２ＡからのＸ軸方向以外の方向の外乱がシーソー型支持装置２８に、ひいてはシーソー型支持装置２８を介して微動ステージ２６Ａ、２６Ｂに伝わり難くなっている。

また、一対の微動ステージ２６Ａ，２６Ｂは、１つのシーソー型支持装置２８の上に揺動自在にほぼバランスさせて搭載するので、一対の微動ステージ２６Ａ，２６Ｂがお互いの自重をキャンセルし、小さな力で微動ステージ２６Ａ，２６Ｂを上下に移動させることができる。これにより、上述したＺボイスコイルモータ５５Ｚ、及び複数のレベリングボイスコイルモータ５４Ｚの負荷を軽減する。

上述の如く、本実施形態では、粗動テーブル３２Ａ（及び３２Ｂ）、シーソー型支持装置２８、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ、及び基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ等を含んで、基板（Ｐ１、Ｐ２）と一体でＸ軸方向に移動する移動体（以下、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）と表記する）が構成されている。

粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの上方には、図２及び図３に示されるように、平面視矩形の支持面（上面）を有する複数、ここでは各８つのエア浮上ユニット８４Ａが配置され、支持部材８６をそれぞれ介して粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂの上面に固定されている。各８つのエア浮上ユニット８４Ａは、それぞれ、露光領域ＩＡ（投影光学系ＰＬ）の＋Ｙ側、−Ｙ側で、Ｙ軸方向に関して基板Ｐ１、Ｐ２のサイズの２／３、かつＸ軸方向に関して基板Ｐ１とＰ２とのＸ軸方向の合計サイズとほぼ同等のサイズの領域内に、２次元配列されている。各エア浮上ユニット８４Ａの上面は中立位置（互いに釣り合った位置）にある基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。以下の説明では、上記各８つのエア浮上ユニット８４Ａをそれぞれ、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａと称する。

また、基板ホルダＰＨＡの＋Ｘ側、及び基板ホルダＰＨＢの−Ｘ側には、図２に示されるように、各一対のエア浮上ユニット８４Ｂが配置されている。各一対のエア浮上ユニット８４Ｂは、図１に示されるように、その上面が中立位置にある基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢとほぼ同等（僅かに低い）の高さとなるように、ＸＺ断面がＬ字状の支持部材１１２を介して粗動テーブル３２Ａ、３２Ｂのそれぞれの上面に固定されている。各エア浮上ユニット８４Ｂは、例えばＹ軸方向の長さが基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの１／２よりも幾分短く、Ｘ軸方向の長さが基板ホルダＰＨＡ，ＰＨＢとほぼ同等である。

Ｘビーム３０Ａの＋Ｙ側、及びＸビーム３０Ｂの−Ｙ側には、図３に示されるように、一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれが、架台１８に接触しないように床面Ｆ上に設置されている。一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれの上面には、複数、例えば各４つのエア浮上ユニット８４Ｃが設置されている（図２参照）。

各４つのエア浮上ユニット８４Ｃは、図２及び図３に示されるように、前述の＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの＋Ｙ側、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの−Ｙ側に、それぞれ配置されている。各４つのエア浮上ユニット８４Ｃのそれぞれは、図２に示されるように、Ｙ軸方向の幅が基板Ｐ１，Ｐ２のＹ軸方向の長さのほぼ１／３で、Ｘ軸方向の長さが、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのＸ軸方向の長さとほぼ同等である。以下の説明では、上記各４つのエア浮上ユニット８４Ｃをそれぞれ、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｃ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｃと称する。＋Ｙ側及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｃのそれぞれは、Ｙ軸方向のサイズが基板ＰのＹ軸方向の長さのほぼ１／３で、かつＸ軸方向のサイズが基板Ｐ１とＰ２とのＸ軸方向の合計サイズとほぼ同等のサイズの領域内にＸ軸方向に配列されている。露光領域ＩＡの中心と＋Ｙ側及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｃの中心とのＸ位置はほぼ一致している。各エア浮上ユニット８４Ｃの上面は中立位置にある基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。

上述したエア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂ、及び８４Ｃのそれぞれの支持面（上面）は、多孔質体や機械的に複数の微小な穴を有するスラスト型のエアベアリング構造になっている。各エア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂ、及び８４Ｃは、気体供給装置８５（図６参照）からの加圧気体（例えば高圧空気）の供給により、基板（例えばＰ１、Ｐ２）の一部を浮上支持することができるようになっている。各エア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂ、及び８４Ｃに対する高圧空気の供給のオン・オフは、図６に示される主制御装置５０によって制御される。ここで、図６では、作図の便宜上、単一の気体供給装置８５が図示されているが、これに限らず、各エア浮上ユニットに対して個別に高圧空気を供給するエア浮上ユニットと同数の気体供給装置を用いても良いし、あるいは、複数のエア浮上ユニットにそれぞれ接続された２つ以上の気体供給装置を用いても良い。図６では、これらの全てを代表して、単一の気体供給装置８５が示されている。いずれにしても、主制御装置５０によって、気体供給装置８５からの各エア浮上ユニットに対する高圧空気の供給のオン・オフが個別に制御される。

上述の説明から明らかなように、本実施形態では、＋Ｙ側又は−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａ及び８４Ｃによって２枚の基板の全体を浮上支持することができる。また、基板ホルダＰＨＡと＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと＋Ｙ側又は−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４Ａとによって１枚の基板の全体を浮上支持することができる。また、基板ホルダＰＨＢと−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと＋Ｙ側又は−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４Ａとによって１枚の基板の全体を浮上支持することができる。さらに、基板ホルダＰＨＡ及び基板ホルダＰＨＢとこれらの＋Ｙ側又は−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４Ａとによって１枚の基板の全体を浮上支持することができる。

なお、エア浮上ユニット群８４Ａ、８４Ｃは、それぞれ、上述した各矩形領域とほぼ同等の総支持面積を有していれば、単一の大型のエア浮上ユニットに置き換えても良いし、個々のエア浮上ユニットの大きさを、図２の場合と異ならせて、上記矩形領域内に分散配置しても良い。一対のエア浮上ユニット８４Ｂに代えて、支持面の面積が２倍の単一のエア浮上ユニットを用いても良い。エア浮上ユニットは、基板を浮上させるものなので、全面に敷き詰める必要はなく、エア浮上ユニットの浮上能力（負荷容量）に応じて、適切に所定の間隔で所定の位置に配置すれば良い。

＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと基板ホルダＰＨＡとの間、及び−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと基板ホルダＰＨＢとの間には、図２及び図５に示されるように、一対の基板Ｙステップ送り装置８８のそれぞれが配置されている。

各基板Ｙステップ送り装置８８は、基板（例えばＰ１又はＰ２）を保持（例えば吸着）してＹ軸方向に移動させるための装置であり、前述の支持部材１１２の上面に固定されている（図１参照）。各基板Ｙステップ送り装置８８は、図１及び図５に示されるように、支持部材１１２を介して粗動テーブル３２Ａ又は３２Ｂに固定されたＹ軸方向に伸びる固定部８８ｂと、基板（例えばＰ１又はＰ２）の裏面を吸着してＹ軸方向に固定部８８ｂに沿って移動する可動部８８ａと、を備えている。可動部８８ａは、一例として可動部８８ａに設けられた可動子と固定部８８ｂに設けられた固定子とから成るリニアモータによって構成される駆動装置９０（図１、図５では不図示、図６参照）によって、固定部８８ｂが固定された粗動テーブル３２Ａ又は３２Ｂに対してＹ軸方向に駆動される。基板Ｙステップ送り装置８８には、可動部８８ａの位置を計測するエンコーダなどの位置読み取り装置９２（図１、図５では不図示、図６参照）が設けられている。なお、駆動装置９０は、リニアモータに限らず、ボールねじ又はベルトを用いた回転モータを駆動源とする駆動機構によって構成しても良い。

各基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａのＹ軸方向の移動ストロークは基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのＹ軸方向の幅と同等である。

各基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａ（基板吸着面）は、基板（例えば、Ｐ１又はＰ２）の裏面を吸着したり、吸着を解除して基板（例えば、Ｐ１又はＰ２）から分離したりする必要があるので、駆動装置９０によってＺ軸方向にも微少駆動可能に構成されている。なお、実際には、可動部８８ａが、基板Ｐを吸着してＹ軸方向に移動するのであるが、以下では、特に区別が必要な場合を除き、基板Ｙステップ送り装置８８と可動部８８ａとを区別することなく用いる。

＋Ｙ側及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａと基板ホルダＰＨＡとの間には、図２及び図５に示されるように、一対の基板Ｘステップ送り装置９１のそれぞれが配置されている。

各基板Ｘステップ送り装置９１は、基板（例えばＰ１又はＰ２）を保持（例えば吸着）してＸ軸方向に移動させるための装置であり、一例として基板ホルダＰＨＡの＋Ｙ側、−Ｙ側に配置された一対のエア浮上ユニット８４Ａのそれぞれの基板ホルダＰＨＡに対向する側の面に支持部材を介して固定されている（図３参照）。

各基板Ｘステップ送り装置９１は、図３及び図５に示されるように、エア浮上ユニット８４Ａとともに粗動テーブル３２Ａ又は３２Ｂに固定されたＸ軸方向に伸びる固定部９１ｂと、基板（例えばＰ１又はＰ２）の裏面を吸着してＸ軸方向に固定部９１ｂに沿って移動する可動部９１ａと、を備えている。可動部９１ａは、例えばリニアモータによって構成される駆動装置９５（図３及び図５では不図示、図６参照）によって、粗動テーブル３２Ａ又は３２Ｂに対してＸ軸方向に駆動される。基板Ｘステップ送り装置９１には、可動部９１ａの位置を計測するエンコーダなどの位置読み取り装置９７（図３及び図５では不図示、図６参照）が設けられている。なお、駆動装置９５は、リニアモータに限らず、ボールねじ又はベルトを用いた回転モータを駆動源とする駆動機構によって構成しても良い。

各基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａのＸ軸方向の移動ストロークは基板ホルダのＸ軸方向長さと同等（幾分長い）である。各固定部９１ｂの−Ｘ側の端部は、それぞれが固定されたエア浮上ユニット８４Ａから、−Ｘ側に所定長さ張り出している。

また、各基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａ（基板吸着面）は基板Ｐの裏面を吸着したり、吸着を解除して基板Ｐから分離したりする必要があるので、駆動装置９５によってＺ軸方向にも微少駆動可能に構成されている。なお、実際には、可動部９１ａが、基板Ｐを吸着してＸ軸方向に移動するのであるが、以下では、特に区別が必要な場合を除き、基板Ｘステップ送り装置９１と可動部９１ａとを区別することなく用いる。

なお、上記説明では、基板Ｙステップ送り装置８８及び基板Ｘステップ送り装置９１のそれぞれの可動部は、基板との分離、接触を行なう必要があるため、Ｚ軸方向にも移動可能であるものとしたが、これに限らず、可動部（基板吸着面）による基板Ｐの吸着及び基板との分離のために、微動ステージ２６Ａ、２６ＢがＺ軸方向に移動しても良い。

また、一対の微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれには、微動ステージ２６Ａ、２６ＢのそれぞれのＺ軸方向の位置及び水平軸回りの傾きを計測するための複数のレベリングセンサ７４が設けられている。レベリングセンサ７４は反射型のセンサであり、光をターゲットに照射し、ターゲットで反射した光を受光器で捉えて距離を計測するものである。そのため、レベリングセンサ７４のターゲット７２がＸガイド８２上面のＹ軸方向の両端部に固定されている（図３参照）。ターゲット７２は、Ｘ軸方向に延びて敷設された反射面を有する一対の帯状部材で構成されている。この他、Ｘガイド８２の上面を鏡面加工してターゲットにしても構わない。レベリングセンサ７４は、実際には、一直線上にない３箇所以上に配置されている。これらの複数のレベリングセンサ７４によって、微動ステージ２６Ａ、２６ＢのそれぞれのＺ軸方向の位置、及びチルト量（θｘ及びθｙ方向の回転量）を計測するＺチルト計測系７６Ａ、７６Ｂ（図６参照）が構成されている。なお、図３では図面の錯綜を避けるためにレベリングセンサ７４は１つのみ示されている。

図１に示されるように、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれの−Ｘ側の面には、それぞれ不図示の移動鏡支持部品を介してＸ軸に直交する反射面を有する平面ミラー（あるいはコーナーキューブ）から成る各一対のＸ移動鏡９４Ｘが、Ｙ軸方向に離間して取り付けられている。この場合、微動ステージ２６ＡのＹ軸方向の幅が、微動ステージ２６ＢのＹ軸方向の幅より幾分広く、微動ステージ２６Ａの−Ｘ側の面のＹ軸方向の両端部に、一対のＸ移動鏡９４Ｘが固定されている。

微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれの−Ｙ側の側面には、図３に微動ステージ２６Ａを取り上げて示されるように、不図示のミラー保持部品を介して、Ｙ軸に直交する反射面を有する長尺の平面ミラーから成るＹ移動鏡９４Ｙが固定されている。Ｙ移動鏡９４ＹのＸ軸方向の長さは、基板ホルダＰＨＡ，ＰＨＢのＸ軸方向の長さより幾分長い。

後述する露光動作中の微動ステージ２６Ａ（基板ホルダＰＨＡ）のＸＹ平面内の位置情報は、微動ステージ２６Ａに取り付けられた一対のＸ移動鏡９４Ｘ、及びＹ移動鏡９４Ｙを用いる第１レーザ干渉計システムよって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で検出される。同様に、露光動作中の微動ステージ２６Ｂ（基板ホルダＰＨＢ）のＸＹ平面内の位置情報は、微動ステージ２６Ｂに取り付けられた一対のＸ移動鏡９４Ｘ、及びＹ移動鏡９４Ｙを用いる第２レーザ干渉計システムによって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で検出される。

第１レーザ干渉計システムと、第２レーザ干渉計システムとを含んで、図６に示される基板ステージ干渉計システム９８が構成されている。

基板ステージ干渉計システム９８は、実際には、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのそれぞれの一対のＸ移動鏡９４Ｘのそれぞれに対応する、２対のＸレーザ干渉計（以下、Ｘ干渉計と略記する）９８ＡＸ_１、９８ＡＸ_２、及び９８ＢＸ_１、９８ＢＸ_２と、Ｘ軸方向に所定間隔で配置された複数、例えば２つのＹレーザ干渉計（以下、Ｙ干渉計と略記する）９８Ｙ_１，９８Ｙ_２とを備えている（図６参照）。

Ｘ干渉計９８ＢＸ_１は、Ｘ軸に平行な計測ビーム（測長ビーム）を微動ステージ２６Ｂに固定された一方のＸ移動鏡９４Ｘに照射し、Ｘ干渉計９８ＡＸ_１は、Ｘ軸に平行な計測ビーム（測長ビーム）を、微動ステージ２６Ａに固定された一方のＸ移動鏡９４Ｘに、微動ステージ２６Ｂの＋Ｙ側を通って照射する。また、Ｘ干渉計９８ＢＸ_２は、例えばＸ軸に平行な計測ビーム（測長ビーム）を微動ステージ２６Ｂに固定された他方のＸ移動鏡９４Ｘに照射し、Ｘ干渉計９８ＡＸ_２は、Ｘ軸に平行な計測ビーム（測長ビーム）を、微動ステージ２６Ａに固定された他方のＸ移動鏡９４Ｘに、微動ステージ２６Ｂの−Ｙ側を通って照射する。

ただし、図２、図５等では、Ｘ干渉計９８ＡＸ_１と９８ＢＸ_１とが纏めて、Ｘ干渉計９８Ｘ_１として示され、Ｘ干渉計９８ＡＸ_２と９８ＢＸ_２とが纏めて、Ｘ干渉計９８Ｘ_２として示されている。なお、Ｘ干渉計９８ＡＸ_１及び９８ＢＸ_１に代えてこれらと同等の機能を有する多軸干渉計によってＸ干渉計９８Ｘ_１を構成し、Ｘ干渉計９８ＡＸ_２及び９８ＢＸ_２に代えてこれらと同等の機能を有する多軸干渉計によってＸ干渉計９８Ｘ_２を構成しても良い。以下では、便宜上、多軸干渉計から成る一対のＸ干渉計９８Ｘ_１、９８Ｘ_２が設けられているものとする。

Ｙ干渉計９８Ｙ_１及び９８Ｙ_２のそれぞれは、例えばＹ軸に平行な複数の測定ビームを射出する多軸干渉計によって構成され、該多軸干渉計の少なくとも１つの測定ビームは、対向する位置にある、微動ステージ２６Ｂに固定されたＹ移動鏡９４Ｙ及び微動ステージ２６Ａに固定されたＹ移動鏡９４Ｙのいずれかに照射される。粗動テーブル３２ＡのＸ軸方向の位置に応じて、Ｙ干渉計９８Ｙ_１及び９８Ｙ_２のそれぞれから少なくとも１つの測定ビームが、微動ステージ２６Ｂ及び２６ＡのいずれかのＹ移動鏡９４Ｙに同時に照射される場合、あるいは、微動ステージ２６Ｂ、２６ＡのそれぞれのＹ移動鏡９４Ｙに個別に照射される場合が生じ得る。すなわち、Ｙ干渉計９８Ｙ_１及び９８Ｙ_２のそれぞれは、微動ステージ２６Ｂ、２６ＡのＹ軸方向の位置に応じて、前述した第１レーザ干渉計システム及び第２レーザ干渉計システムのいずれかを構成する。

Ｘ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２、及びＹ干渉計９８Ｙ_１，９８Ｙ_２の計測結果は、主制御装置５０に供給されている（図６参照）。

一対のＸ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２のそれぞれは、図１に示されるように、−Ｘ側の架台１８にそれぞれの一端部（下端部）が固定された直方体状のフレーム（Ｘ干渉計フレーム）１０２Ａ，１０２Ｂの他端（上端）に個別に固定されている。一対のＸ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２は、各一対のＸ移動鏡９４Ｘに対向して、基板ホルダＰＨＡ，ＰＨＢの上面よりも低い位置に配置されている。

また、Ｙ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２は、図３に示されるように、エア浮上ユニット８４Ａの下方に、Ｘ軸方向に所定間隔で配置されている。Ｙ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２は、支持部材１０４をそれぞれ介して一対の架台１８のそれぞれに固定されている。

本実施形態では、Ｘ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２、及びＹ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２は、Ｚ軸方向に関して基板の表面（露光の際には、この面が投影光学系ＰＬの像面に一致するように、基板のフォーカス・レベリング制御が行われる）よりも低い位置にあるため、Ｘ位置の計測結果、及びＹ位置の計測結果にＸ軸方向の移動時の微動ステージ２６Ａ、２６Ｂの姿勢変化（ピッチング又はローリング）によるアッベ誤差が含まれる。主制御装置５０は、Ｘ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２、及びＹ干渉計９８Ｙ_１又は９８Ｙ_２の計測結果に基づいて、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのピッチング量及びローリング量を検出し、該検出結果に基づいて、Ｘ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２によるＸ位置の計測結果及びＹ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２よるＹ位置の計測結果に含まれる上記アッベ誤差の補正を行うようにしている。すなわち、かかるアッベ誤差の補正のため、Ｘ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２の少なくとも一方、Ｙ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２の少なくとも一方として、Ｚ軸方向に離間した２本の干渉計ビーム（計測ビーム）を対応する移動鏡（９４Ｘ又は９４Ｙ）に照射する多軸干渉計が用いられている。

また、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報は、前述したＺチルト計測系７６Ａ、７６Ｂ（微動ステージ２６Ａ、２６Ｂの下面に固定された一直線上にない３箇所以上のレベリングセンサ７４）により、前述のターゲット７２を用いて求められる。従って、Ｘ干渉計９８Ｘ_１、９８Ｘ_２として微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのピッチング量を検出しないタイプの干渉計を用いる場合、あるいはＹ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２として微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのローリング量を検出しないタイプの干渉計を用いる場合などには、主制御装置５０は、Ｚチルト計測系７６によって求められた、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂのθｘ方向に関する位置情報（ローリング量）又はθｙ方向に関する位置情報（ピッチング量）に基づいて、Ｘ干渉計９８Ｘ_１，９８Ｘ_２によるＸ位置の計測結果又はＹ干渉計９８Ｙ_１、９８Ｙ_２よるＹ位置の計測結果に含まれる上記アッベ誤差の補正を行うようにしても良い。

この他、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ単体のθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報を計測せず、投影光学系ＰＬと一体とみなせる微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ上方の部材（ボディの一部、例えば鏡筒定盤１６）に固定された不図示の斜入射方式の多点焦点位置検出系（フォーカスセンサ）により、上方から直接基板のθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報を計測するのみでも良い。勿論、基板と微動ステージ２６Ａ、２６Ｂとのθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報を計測しても良い。

さらに、本実施形態では、図１に示されるように、微動ステージ２６Ｂの＋Ｘ側の面には、基板のアライメントマークを検出するアライメント検出系ＡＬＧが固定されている。アライメント検出系ＡＬＧは、実際には、Ｙ軸方向に所定距離離れて複数、例えば２つ設けられている。この２つのアライメント検出系ＡＬＧに対向する基板ホルダＰＨＢの位置（アライメント検出系ＡＬＧの真上の位置）には、各アライメント検出系からの検出光が透過可能な開口（又は光透過部）１２０が、それぞれ形成されている。不図示ではあるが、微動ステージ２６Ａの−Ｘ側の面にも、２つのアライメント検出系が、上記２つのアライメント検出系ＡＬＧのそれぞれに対向して固定され、基板ホルダＰＨＡにも同様の位置関係で開口（又は光透過部）が形成されている。なお、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂではなく、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢにアライメント系ＡＬＧを設けても良い。以下の説明では、図５に示されるように、基板ホルダＰＨＡ，ＰＨＢの上記各開口の位置にアライメント検出系ＡＬＧが設けられているものとする。

各アライメント検出系ＡＬＧは、例えば、ＣＣＤカメラを備える顕微鏡を有しており、予め基板（Ｐ１、Ｐ２）の裏面の所定の位置に設けられたアライメントマークが顕微鏡の視野内に入ると画像処理によってアライメント計測が実行され、アライメントマークの位置情報（ＸＹ平面内の位置ずれ情報）が、主制御装置５０に送られるようになっている。本実施形態では、基板（例えばＰ１、Ｐ２など）の裏面に、少なくとも２つのアライメントマークが前記アライメント検出系に対応した所定の位置に予め設けられている。

本実施形態では、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が移動中であっても、基板のアライメント計測が可能である。このため、後述するように、一方の基板のスキャン中に他方の基板をスキャンしながらアライメント計測を行い、他方の基板を基板ホルダに吸着固定した状態で基板ホルダ及び微動ステージ毎、位置修正を行なうことができる。この結果、一方の基板のスキャンが終わった後、直ちに他方の基板のスキャン露光を開始することができるようになり、スループットが向上する。

図６には、露光装置１００の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置５０の入出力関係を示すブロック図が示されている。図６では、基板ステージ系に関連する構成各部が示されている。主制御装置５０は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等を含み、露光装置１００の構成各部を統括制御する。

次に、上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置１００で行われる基板の露光処理のための一連の動作について説明する。ここでは、一例として複数枚の基板に対して第２層目以降の露光を行う場合について、基板の露光処理のための一連の動作手順（すなわち、露光手順）を説明するための露光手順説明図（その１〜その２７）に相当する図７〜図９、図１１〜図３４、及び一方の基板のショット領域の露光と他方の基板のＹステップ動作との並行動作を示す図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）に基づいて説明する。なお、図７〜図３４には、説明を分かりやすくするために、図５をさらに簡略化して基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ、及び基板のみが図示されている。また、図７〜図３４において示される露光領域ＩＡは、露光時に照明光ＩＬが投影光学系ＰＬを介して照射される照明領域であり、実際には、露光時以外に形成されることはないが、基板Ｐと投影光学系ＰＬとの位置関係を明確にするため常に図示されている。また、ここでは、各基板に対し、Ｘ軸方向に２面（２スキャン）、Ｙ軸方向に３面（３スキャン）の６面取り（合計６スキャン）の露光を行なう場合について説明する。

まず、主制御装置５０の管理の下、不図示のマスク搬送装置（マスクローダ）によって、マスクステージＭＳＴ上へのマスクＭのロードが行われるとともに、不図示の基板搬入装置によって、基板ステージ装置ＰＳＴ上への２枚の基板Ｐ１、Ｐ２の搬入（投入）が行なわれる。基板Ｐ１、Ｐ２のそれぞれには前層以前の露光の際に、例えば図７等に示されるように、複数、例えばＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に３つ、合計６つのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ６が形成されている。また、基板Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの裏面には、複数のアライメントマークＰＭ（図５参照）が、ショット領域毎に設けられている。なお、図５では、各ショット領域の図示が省略されている。

この場合、基板搬入装置によって、２枚の基板Ｐ２、Ｐ１が、図７中に黒塗り矢印及び白抜き矢印で示されるように、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に搬送され、図５及び図７に示される位置に搬入される。この場合、基板Ｐ２は、基板ホルダＰＨＡと＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部とに跨がって載置され、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨＢと−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部とに跨がって載置されている。このとき、基板Ｐ２は、基板ホルダＰＨＡと＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部とによって浮上支持され、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨＢと−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂと＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部とによって浮上支持されている。なお、基板の搬入は必ずしも図７中の各矢印の方向から進入させなくても良い。例えば、上方又はＸ軸方向の外側から搬入しても良い。

そして、主制御装置５０により一対の基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢが、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのそれぞれに基板Ｐ２、Ｐ１の一部（基板全体の約１／６）が吸着固定され、一対のエア浮上ユニット８４Ｂとエア浮上ユニット群８４Ａの一部とにより基板Ｐ２，Ｐ１の一部（基板全体の残りの約５／６）が浮上支持された状態となる。

その後、主制御装置５０により、従来と同様のアライメント計測の方法によって投影光学系ＰＬに対する微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ（基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ）の位置が求められる。また、主制御装置５０により、基板Ｐ１の裏面に予め設けられていた複数のアライメントマークを基板ホルダＰＨＢ（又はその下方）に設けられた複数のアライメント検出系ＡＬＧを用いて計測する、基板ホルダに対する基板のアライメント計測が実行され、基板ホルダＰＨＢ（微動ステージ２６Ｂ）に対する基板Ｐ１の位置（位置ずれ量）が求められる。

そして、主制御装置５０は、上記の投影光学系ＰＬに対する微動ステージ２６Ｂ（基板ホルダＰＨＢ）の位置の計測結果、及び基板ホルダＰＨＢ（微動ステージ２６Ｂ）に対する基板Ｐ１の位置（位置ずれ量）の計測結果に基づいて、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置に基板Ｐ１を位置決めする。ここで、露光のためのスキャンは、走査露光時の等速移動区間の前後に加速区間及び減速区間を含むので、スキャン開始位置は、厳密に言えば加速開始位置である。そして、主制御装置５０は、粗動テーブル３２Ａ、３２Ｂを駆動するとともに微動ステージ２６Ｂを微小駆動して、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ１を位置決めする。このとき、微動ステージ２６Ｂ（基板ホルダＰＨＢ）の粗動テーブル３２Ａに対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図８には、このようにして、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨＢ）が位置決めされた直後の状態が示されている。

そして、図８の状態から、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）は、図８中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向へ駆動され、基板Ｐ１のＸスキャン動作が行われる。このとき、主制御装置５０により、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴが、基板ホルダＰＨＢ（微動ステージ２６Ｂ）と同期して−Ｘ方向へ駆動されており、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ１が、投影光学系ＰＬによるマスクＭのパターンの投影領域である露光領域ＩＡを通過するので、その際に、ショット領域ＳＡ１に対する走査露光が行われる。主制御装置５０は、Ｘスキャン動作に際し、実際には、微動ステージ２６Ｂ（基板ホルダＰＨＢ）と同期して、マスク干渉計システム１４の計測結果に基づいて、マスクステージＭＳＴを、Ｘ軸方向に走査駆動するとともに、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微小駆動する。

走査露光は、微動ステージ２６Ｂ（基板ホルダＰＨＢ）の−Ｘ方向へ加速後の等速移動中に、マスクＭ、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ１に照明光ＩＬが照射されることで行われる。

上述のＸスキャン動作に際し、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨＢに基板Ｐ１の一部（基板Ｐ１全体の約１／６）を吸着固定させてその平面度を矯正し、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部及び−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂに基板Ｐ１の一部（基板Ｐ１全体の約５／６）を浮上支持させ、かつ基板ホルダＰＨＡに基板Ｐ２の一部（基板Ｐ２全体の約１／６）を吸着固定させ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部及び＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂに基板Ｐ２の一部（基板Ｐ２全体の約５／６）を浮上支持させた状態で、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）を駆動する。

この際、主制御装置５０は、Ｘリニアエンコーダシステム４６Ａ、４６Ｂの計測結果に基づいて、Ｘリニアモータ４２Ａ、４２Ｂをそれぞれ介して粗動テーブル３２Ａ、３２ＢをＸ軸方向に駆動するとともに、基板ステージ干渉計システム９８の一部を構成する前述の第２レーザ干渉計システム及びギャップセンサ４８Ｂの計測結果に基づいて、微動ステージ駆動系５２Ｂの一部を構成するＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＹボイスコイルモータ５４Ｙを駆動する。これにより、基板Ｐ１は、微動ステージ２６Ｂと一体となって、シーソー型支持装置２８上でシーリングパッド７７Ｂにより非接触で（浮上）支持された状態で、粗動テーブル３２Ａに牽引されてＸ軸方向にスキャン移動するとともに、粗動テーブル３２Ａからの相対駆動によって、ＸＹ平面内の３自由度方向（Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚの各方向）に関して精密に位置制御される。また、主制御装置５０は、上記の基板Ｐ１のスキャン移動中、基板ステージ干渉計システム９８の一部を構成する前述の第２レーザ干渉計システム及びＺチルト計測系７６Ｂ（複数のレベリングセンサ７４）の計測結果に基づいて、微動ステージ駆動系５２Ｂの一部を構成する複数のレベリングボイスコイルモータ５４Ｚ、及び前述のＺボイスコイルモータ５５Ｚを駆動する。これにより、微動ステージ２６Ｂは、シーソー型支持装置２８上で、シーリングパッド７７Ｂをチルト自在に支持するレベリング装置７８Ｂ（揺動機構）とレバー６４をベース部材６６に対して揺動可能に支持する揺動機構の働きにより、残りの３自由度方向（Ｚ軸、θｘ、θｙの各方向）に関して高精度に位置決め制御される。

さらに、主制御装置５０は、上述の微動ステージ２６Ｂの位置制御と並行して、基板ステージ干渉計システム９８の一部を構成する前述の第１レーザ干渉計システム及びギャップセンサ４８Ａの計測結果に基づいて、微動ステージ駆動系５２Ａの一部を構成するＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＹボイスコイルモータ５４Ｙを駆動する。これにより、基板Ｐ２は、微動ステージ２６Ａと一体となって、シーソー型支持装置２８上でシーリングパッド７７Ａによって非接触で（浮上）支持された状態で、粗動テーブル３２Ａに牽引されてＸ軸方向にスキャン移動するとともに、粗動テーブル３２Ａからの相対駆動によって、ＸＹ平面内の３自由度方向（Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚの各方向）に関して精密に（露光対象の基板Ｐ１を保持する微動ステージ２６Ｂほどの精度は必要ないが）位置制御される。また、主制御装置５０は、上記の基板Ｐ１のスキャン移動と並行して、基板Ｐ２の裏面に予め設けられていた複数のアライメントマークを基板ホルダＰＨＡ（又はその下方）に設けられた複数のアライメント検出系ＡＬＧを用いて計測する基板ホルダＰＨＡに対する基板Ｐ１のアライメント計測を実行し、基板ホルダＰＨＡ（微動ステージ２６Ａ）に対する基板Ｐ２の位置（位置ずれ量）を求め、微動ステージ２６Ａ（及び基板ホルダＰＨＡ）をＸＹ平面内の３自由度方向に微少駆動してその位置ずれを補正する。

図９には、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。

基板Ｐ１のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了すると、主制御装置５０は、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＡ）を、図９中に白抜き矢印で示されるように、少し＋Ｘ方向へ駆動する基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＡ）のＸステップ動作を行う。基板Ｐ２のＸステップ動作は、主制御装置５０が、Ｘスキャン動作と同様の状態で基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）を駆動して（但し、移動中の位置偏差はスキャン動作ほど厳密に規制しないで）行なう。主制御装置５０は、基板Ｐ２のＸステップ動作と並行して、マスクステージＭＳＴを加速開始位置に戻している。図１１には、このようにして、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。

そして、Ｘステップ動作後、主制御装置５０は、図１１中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ２（基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との−Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にして基板Ｐ２のショット領域ＳＡ１に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、図１１中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨＢ上で−Ｙ方向に送って基板Ｐ１のＹステップ動作を行う。この基板Ｐ１のＹステップ動作は、主制御装置５０が、基板ホルダＰＨＢを吸引から排気に切り替えて、基板Ｐ１の吸着を解除し、−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐ１を、例えば一定速度で、ショット領域のＹ軸方向の幅とほぼ等しいＹステップ距離だけ−Ｙ方向に搬送することで行われる。ここで、基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ホルダＰＨＢが吸引から排気に切り替えられた時点では、基板Ｐ１を吸着保持している。

図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）には、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ１の露光と基板Ｐ１のＹステップ動作とが並行して行われているときの、時間の経過に応じた各基板の位置等の変化が示されている。図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）から視覚的にわかるように、本実施形態では、一方の基板（Ｐ２）の走査露光と、他方の基板（Ｐ１）のＹステップ動作とを、並行して行うことができる。これは、Ｙステップに用いられる基板Ｙステップ送り装置８８が、基板ホルダＰＨＢとともに移動する（粗動テーブル３２Ａに固定されている）からである。この場合において、主制御装置５０は、一方の基板の走査露光中には、他方の基板のＹステップ動作が一方の基板の露光動作より先に終了するように、Ｙステップの速度を設定する。このとき、例えばＹステップの開始から終了まで基板を停止することなく、ほぼ一定速度で基板を−Ｙ方向に搬送する。このようにしても、基板ホルダＰＨＡとＰＨＢとは、それぞれ別の微動ステージ２６Ａ，２６Ｂに搭載されているので、他方の基板のＹステップ動作が、一方の基板の走査露光に悪影響を与えることを確実に回避できる。

主制御装置５０は、他方の基板（Ｐ１）のＹステップ動作が終了すると、基板ホルダＰＨＢを排気から吸引に切り替え、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ２を含む１／６の部分を、基板ホルダＰＨＢに吸着固定する。このとき、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。また、基板（Ｐ１）のＹステップ動作が終了した時点では、基板Ｐ１は、その裏面に予め設けられている次のショット領域ＳＡ２用の例えば２つのアライメントマークを２つのアライメント検出系ＡＬＧで検出可能な位置にある。そこで、主制御装置５０は、その２つのアライメントマークを２つのアライメント検出系ＡＬＧで検出する基板Ｐ１のアライメント計測（基板Ｐ１の基板ホルダＰＨＢに対する位置ずれ量の計測）を行うとともに、微動ステージ２６Ｂ（及び基板ホルダＰＨＢ）をＸＹ平面内の３自由度方向に微少駆動して、その位置ずれを補正する。

図１０（Ｄ）及び図１２には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ２が基板ホルダＰＨＢ上に位置している。また、基板Ｐ１のアライメント計測及びその結果に基づく位置ずれ補正（以下では、適宜、この２つの動作をアライメント動作と称する）は終了している。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ２の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（基板ホルダＰＨＢ）の位置決め（図１２中の白抜き矢印参照）、及び微動ステージ２６Ｂの粗動テーブル３２Ａに対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図１３には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。ここで、前述の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光と並行して、基板Ｐ１のＹステップ動作と基板Ｐ１のアライメント計測とを行い、アライメント結果に基づく位置ずれ補正は、基板Ｐ１上の次のショット領域（ＳＡ２）の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（基板ホルダＰＨＢ）の位置決めと同時に行うようにしても良い。なお、以下の説明では、微動ステージ（２６Ｂ又は２６Ａ）の粗動テーブル３２Ａに対する精密な微少位置決め駆動については、その記載を省略する。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図１３中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ１のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１３中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨＡ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＡの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ２のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ２用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が前述と同様に行われる。

図１４には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ２が基板ホルダＰＨＡ上に位置している。また、基板Ｐ２のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ２を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＡに吸着固定され、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ２の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＡ）の位置決めが行われる（図１４中の白抜き矢印参照）。図１５には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図１５中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１５中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨＢ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＢの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ１のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ３用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が前述と同様に行われる。

図１６には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ３が基板ホルダＰＨＢ上に位置している。また、基板Ｐ１のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ３を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＢに吸着固定され、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ３の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨＢ）の位置決めが行われる（図１６中の白抜き矢印参照）。図１７には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図１７中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ３に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１７中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨＡ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＡの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ２のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ３用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図１８には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ３が基板ホルダＰＨＡ上に位置している。また、基板Ｐ２のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ３を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＡに吸着固定され、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ３の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＡ）の位置決めが行われる（図１８中の白抜き矢印参照）。図１９には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図１９中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ３に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１９中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨＢ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作が行われる。このＹステップ動作により、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨＢ上から完全に外れ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｃの一部によって全体が浮上支持されるようになる。

図２０には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨＢ上から退避している。

その後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨＡを吸引から排気に切り替えるとともに、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図５参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図２０中に白抜き矢印で示されるように−Ｘ方向にＸステップ距離（ショット領域のＸ軸方向の長さのほぼ２倍の距離）搬送する。これと並行して、主制御装置５０は、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図５参照）によって基板Ｐ１を吸着保持して、図２０中に黒塗り矢印で示されるように＋Ｘ方向にＸステップ距離搬送する。ここで、基板Ｐ１の＋Ｘ方向への搬送と、基板Ｐ２の−Ｘ方向への搬送とは、両者を干渉させることなく、行われる。

図２１には、上記の基板Ｐ１と基板Ｐ２とのＸステップ距離の搬送が終了したときの両基板Ｐ１、Ｐ２が、基板ホルダＰＨＢ、ＰＨＡとともに示されている。

図２１の状態から、主制御装置５０により、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐ１が吸着保持されるとともに、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１による基板Ｐ１の吸着が解除される。そして、図２１中の黒塗り矢印で示されるように、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８によって、基板Ｐ１の＋Ｙ方向のステップ移動が行なわれる。これにより、基板Ｐ１と基板Ｐ２とは、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ上での互いの位置は逆転しているが、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ上で図７と同じ位置関係になる（図２２参照）。

そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢが、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢに基板Ｐ１、Ｐ２の一部（基板全体の約１／６）が個別に吸着固定され、一対のエア浮上ユニット８４Ｂとエア浮上ユニット群８４Ａの一部とにより基板Ｐ１，Ｐ２の一部（基板全体の残りの約５／６）が浮上支持された状態となる。

続いて、主制御装置５０により、基板Ｐ１の裏面に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ４）用のアライメントマークの計測、すなわち基板ホルダＰＨＡに対する基板Ｐ１のアライメント計測、及びこの結果に基づく基板Ｐ１の位置ずれの補正が、前述と同様に実行される。

図２２には、このようにして、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ４の露光のためのアライメント動作が行われた直後の状態が示されている。

そして、主制御装置５０は、図２２中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ１（基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、前述と同様の基板Ｐ２のアライメント動作、すなわち基板Ｐ２の裏面に予め設けられている次のショット領域ＳＡ４用の例えば２つのアライメントマークを２つのアライメント検出系ＡＬＧを用いて計測する基板ホルダＰＨＢに対する基板Ｐ２のアライメント計測（基板Ｐ２の基板ホルダＰＨＢに対する位置ずれ量の計測）及びこの結果に基づく位置ずれの補正を実行する。

図２３には、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。

基板Ｐ１のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了すると、主制御装置５０は、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）を、図２３中に白抜き矢印で示されるように、少し−Ｘ方向へ駆動する基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）のＸステップ動作を前述と同様に行う。図２４には、このようにして、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）が位置決めされた直後の状態が示されている。

そして、主制御装置５０は、図２４中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ２（基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、図２４中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨＡ上で＋Ｙ方向に送って基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＡの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ１のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ５用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）を、前述と同様に行う。

図２５には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ５が基板ホルダＰＨＡ上に位置している。また、基板Ｐ１のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ５を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＡに吸着固定され、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ５の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨＡ）の位置決めが行われる（図２５中の白抜き矢印参照）。図２６には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図２６中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ１のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図２６中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨＢ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＢの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ２のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ５用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図２７には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５が基板ホルダＰＨＢ上に位置している。また、基板Ｐ２のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＢに吸着固定され、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）の位置決めが行われる（図２７中の白抜き矢印参照）。図２８には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図２８中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図２８中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨＡ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＡの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ１のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ６用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図２９には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ６が基板ホルダＰＨＡ上に位置している。また、基板Ｐ１のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ６を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＡに吸着固定され、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ６の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨＡ）の位置決めが行われる（図２９中の白抜き矢印参照）。図３０には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図３０中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ６に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図３０中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨＢ上で−Ｙ方向に送る、基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＢの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ２のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ６用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図３１には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ６に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６が基板ホルダＰＨＢ上に位置している。また、基板Ｐ２のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＢに吸着固定され、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）の位置決めが行われる（図３１中の白抜き矢印参照）。図３２には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図３２中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。

図３３には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。

その後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢを吸引から排気に切り替えるとともに、−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（図５参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図３３中に黒塗り矢印で示されるように−Ｙ方向に搬出（搬送）する。これと並行して、主制御装置５０は、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（図５参照）によって基板Ｐ１を吸着保持して図３３中に白抜き矢印で示されるように＋Ｙ方向に搬出（搬送）する。

そして、図３４に示されるように、露光済みの基板Ｐ１、Ｐ２は搬出され、新しい基板Ｐ３、Ｐ４が、図７と同様に基板ホルダＰＨ上に搬入される。この場合も、各基板の搬入及び搬出方向は、必ずしも図３４中の矢印の方向でなくても良い。例えば、上方又はＸ軸方向から搬入及び／又は搬出しても良い。

以上説明したように、本実施形態に係る露光装置１００では、一対の小型（基板の１／６のサイズ）の基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢを個別に搭載した微動ステージ２６Ａ，２６Ｂを１軸（Ｘ軸）方向に移動させ、基板のみを２軸（Ｘ軸とＹ軸）方向に移動させるようにしたので、基板ステージ装置ＰＳＴを小型軽量化でき、コストを抑えることができる。さらに、本実施形態に係る露光装置１００では、主制御装置５０が、２枚の基板のそれぞれの一部を一対の基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢにそれぞれ載置して、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢがその一部を構成する基板ステージがＸ軸方向に移動して基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの一方に吸着固定される一方の基板の一部のショット領域が走査露光されるのと並行して、他方の基板を基板Ｙステップ送り装置８８により基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの他方に対してＹ軸方向に移動させることが可能になる。また、本実施形態では、２枚の基板の露光を交互に行い、一方の基板のＹステップ時間を、他方の基板のＸスキャン時間に完全にオーバーラップさせることができる。

さらに、本実施形態によると、一方の基板の露光のための基板ステージのＸスキャンと並行して、他方の基板のＹステップのみならず、裏面計測による基板のアライメント計測、及びその結果に基づく位置ずれの補正、すなわち他方の基板のアライメント動作を行うことが可能になり、他方の基板の次のショット領域の露光のための加速開始位置への他方の基板の位置決め及びその他方の基板の次のショット領域の露光動作を、一方の基板のスキャン露光動作後、直ちに開始することが可能になる。従って、１枚の基板について考えると、（１ショット領域の走査露光に要する時間＋次のショット領域の露光のための加速開始位置への位置決めのための移動時間）×スキャン回数（ショット領域の数）という時間、すなわち基板の基板ホルダ上での持ち替えを行わない従来のステップ・アンド・スキャン方式で露光処理するのとほぼ同程度以下の時間（従来のステップ・アンド・スキャン方式では、基板上のショット領域の露光に先立ってアライメント時間が必要になる）で、露光処理が可能になる。

なお、一方の基板の露光のための基板ステージのＸスキャンと並行して、他方の基板のＹステップ、裏面計測による基板のアライメント計測、及びその結果に基づく位置ずれの補正を行っても良いが、他方の基板の次のショット領域の露光のための加速開始位置への他方の基板の位置決めの際に、上記のアライメント計測の結果に基づいて、他方の基板を基板ホルダに吸着固定した状態で基板ホルダ及び微動ステージごと、位置修正を行っても勿論良い。この場合も、１枚の基板の露光処理に要する時間は、上記実施形態と同等である。

さらに、本実施形態に係る露光装置１００によると、一対の微動ステージ２６Ａ，２６Ｂは、1つのシーソー型支持装置２８の上に揺動自在にほぼバランスさせて搭載するので、小さな力で微動ステージ２６Ａ，２６Ｂを上下に移動させることができる（図４参照）。このため、前述の米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書に開示される重量キャンセル装置、あるいは大きな力を発生させるアクチュエータなどは設けなくても良い。

また、シーソー型支持装置２８は、フットプリントが小さいので、基板ステージ装置ＰＳＴ、ひいては露光装置１００全体を小型化できる。

《第１の実施形態の変形例》
上記第１の実施形態では、２枚の基板を、同時に基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ（基板ステージ装置ＰＳＴ）上に搬入して、同時に基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ（基板ステージ装置ＰＳＴ）上から搬出するようにしたが、第１の実施形態の変形例では、２枚の基板を1枚ずつ交互に、基板ホルダＰＨＡ又はＰＨＢに対して搬入及び搬出する。

図３５は、前述の第1実施形態における露光手順説明図（その１３）である図２０に相当するものであるが、主制御装置５０の指示に応じて、搬出装置（不図示）によって、基板Ｐ１は、この時点で基板ステージ装置ＰＳＴの外部に搬出される（図３５中の黒塗り太矢印参照）。基板Ｐ１の−Ｘ側半分は、図３５に示されるように未露光のままでも良いし、予め露光されていても良い。

主制御装置５０は、基板Ｐ１が、搬出の途中で、基板ホルダＰＨＢ上から完全に退避すると、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図５参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図３５中に白抜き矢印で示されるように−Ｘ方向にＸステップ距離（ショット領域のＸ軸方向の長さのほぼ２倍の距離）搬送する。

図３６には、上記の基板Ｐ２のＸステップ距離の搬送が終了したときの基板Ｐ２の基板ホルダＰＨＢに対する位置関係が示されている。このとき、新しい基板Ｐ３が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａ及び８４Ｃの上に搬入されている。

図３６の状態から、主制御装置５０により、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐ３が吸着保持され、図３６中の黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ３の＋Ｙ方向のステップ移動が行なわれる。これにより、図３７に示される状態となり、基板Ｐ２と基板Ｐ３とは、基板ホルダＰＨＢ及びＰＨＡに対し図７における基板Ｐ１と基板Ｐ２と同様の位置関係になる。

そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢが、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢに基板Ｐ３、Ｐ２の一部（基板全体の約１／６）が吸着固定され、一対のエア浮上ユニット８４Ｂとエア浮上ユニット群８４Ａの一部とにより基板Ｐ３，Ｐ２の一部（基板全体の残りの約５／６）が浮上支持された状態となる。

続いて、主制御装置５０により、基板Ｐ１上に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ１）用のアライメントマークの計測、すなわち基板ホルダＰＨＡに対する基板Ｐ３のアライメント計測が前述と同様に実行され、基板ホルダＰＨＡ（微動ステージ２６Ａ）に対する基板Ｐ３の位置（位置ずれ量）が求められる。

そして、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨＡに対する基板Ｐ３のアライメント計測の結果に基づいて、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に、基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨＡ）を、位置決めする。図３７には、このようにして、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨＡ）が位置決めされた直後の状態が示されている。

そして、主制御装置５０は、図３７中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ３（基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ１に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、基板Ｐ２の裏面に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４）用のアライメントマークの計測、すなわち基板ホルダＰＨＢに対する基板Ｐ２のアライメント計測を実行し、基板ホルダＰＨＢ（微動ステージ２６Ｂ）に対する基板Ｐ２の位置（位置ずれ量）を求め、この結果に基づく前述と同様の位置ずれ補正を実行する。

図３８には、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。

基板Ｐ２のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了すると、主制御装置５０は、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）を、図３８中に白抜き矢印で示されるように、少し−Ｘ方向へ駆動する基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）のＸステップ動作を前述と同様に行う。図３９には、このようにして、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）が位置決めされた直後の状態が示されている。

そして、主制御装置５０は、図３９中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ２（基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、図３９中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ３を基板ホルダＰＨＡ上で＋Ｙ方向に送って基板Ｐ３の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＡの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ３のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ２用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）を行う。

図４０には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ３は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ２が基板ホルダＰＨＡ上に位置している。また、基板Ｐ３のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ２を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＡに吸着固定され、基板Ｐ３は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ２の露光のための加速開始位置への基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨＡ）の位置決めが行われる（図４０中の白抜き矢印参照）。図４１には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ３とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図４１中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ３のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図４１中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨＢ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＢの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ２のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ５用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図４２には、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５が基板ホルダＰＨＢ上に位置している。また、基板Ｐ２のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＢに吸着固定され、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）の位置決めが行われる（図４２中の白抜き矢印参照）。図４３には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図４３中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図４３中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ３を基板ホルダＰＨＡ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ３の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＡの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ３のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ３用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図４４には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ３は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ３が基板ホルダＰＨＡ上に位置している。また、基板Ｐ３のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ３を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＡに吸着固定され、基板Ｐ３は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ３の露光のための加速開始位置への基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨＡ）の位置決めが行われる（図４４中の白抜き矢印参照）。図４５には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板ＰとマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図４５中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ３に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図４５中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る、基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作、基板ホルダＰＨＢの排気から吸引への切り替え、並びに基板Ｐ２のアライメント動作（次のショット領域ＳＡ６用の例えば２つのアライメントマークの計測、及びこの結果に基づく位置ずれ補正）が行われる。

図４６には、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６が基板ホルダＰＨＢ上に位置している。また、基板Ｐ２のアライメント動作は終了している。このとき、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６を含む１／６の部分が、基板ホルダＰＨＢに吸着固定され、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｂによって浮上支持されている。

そして、主制御装置５０により、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨＢ）の位置決めが行われる（図４６中の白抜き矢印参照）。図４７には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。

次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図４７中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。

図４８には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。

その後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢを吸引から排気に切り替えるとともに、−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（図５参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図４８中に黒塗り矢印で示されるように−Ｙ方向に搬出（搬送）する。これと並行して、主制御装置５０は、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図５参照）によって基板Ｐ３を吸着保持する。そして、基板Ｐ２が基板ホルダＰＨ上から完全に退避した時点で、主制御装置５０は、図４８中に白抜き矢印で示されるように−Ｘ方向に基板Ｐ３をＸステップ距離搬送する。

その後、図４９に示されるように、基板全面の露光が終了した基板Ｐ２は搬出され、基板ホルダＰＨＡ上に新しい基板Ｐ４が搬入される。

以後、３つのショット領域の露光が終了した基板Ｐ３及び未露光の基板Ｐ４に対して、前述の基板Ｐ１と基板Ｐ２と同様の処理が繰り返される。

このように、本変形例では、基板の２枚同時交換（搬入・搬出）を行なわないので、露光対象のショット領域変更及び基板交換作業の効率が良い。具体的には、上記第1の実施形態の露光手順・その１３及び１４（図２０及び図２１）に示される、基板Ｐ１で実施していたような、Ｘ軸とＹ軸の２軸移動がなくなる。また、基板の搬入と搬出が１枚ずつ行なわれるので、基板の搬入及び搬出にかかわる不図示の搬入装置及び搬出装置が１台ずつでも交換作業を短時間で行なうことができる。

なお、上記第１の実施形態及び変形例では、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ（の基板載置面）を、それぞれ基板の約１／６の面積とし、Ｘ軸方向２面（２スキャン）かつＹ軸方向３面（３スキャン）の６面取り（露光スキャン数）に対応する場合について例示したが、これに限らず、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのそれぞれを、基板の約１／４の面積に設定しても良い。この場合、Ｘ軸方向２面（２スキャン）かつＹ軸方向２面（２スキャン）の４面取りにも対応できる。

また、上述した基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ上に配置する２枚の基板の配置関係や露光領域変更の順番は、一例に過ぎず、これに限定されるものではない。例えば、上記第１の実施形態及び変形例では、２枚の基板の一方と他方に対する走査露光を交互に行う（従って、他方の基板と一方の基板とのＹステップ動作、Ｙステップ動作後の基板の基板ホルダへの固定、並びにその基板のアライメント動作）が、これと並行して、交互に行われる）場合について説明したが、２枚の基板の一方と他方に対する走査露光を必ずしも交互に行う必要はない。ただし、２枚の基板を基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢに載置して、一方の基板の１つのショット領域の走査露光と、他方の基板のＹステップ動作（露光対象のショット領域の変更）、Ｙステップ動作後の基板の基板ホルダへの固定、並びにその基板のアライメント動作のうちの基板ホルダに対する位置ずれ量の計測）とが、２枚の基板のうち、一方の基板の露光が開始されてから終了するまでの間に、並行して、少なくとも１回行われることが望ましい。かかる場合には、基板ホルダに対する位置ずれ量の計測が行われた他方の基板の位置ずれの補正を行った後、直ちにその他方の基板の変更後のショット領域に対する露光を開始することが可能になる。これにより、高スループットで基板の露光を行うことが可能になる。この場合において、一方の基板の１つのショット領域の走査露光と、他方の基板のＹステップ動作、Ｙステップ動作後の基板の基板ホルダへの固定、並びにその基板のアライメント動作の全てが、並行して行われることが、一層望ましい。かかる場合には、一方の基板の１つのショット領域の走査露光後、直ちにその他方の基板の変更後のショット領域に対する露光を開始することが可能になる。

また、基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの周辺に配置したが、２枚の基板を上述と同様の位置関係になるように基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢに対して移動させることができるのであれば、基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８の配置、数等は任意で良い。ただし、基板Ｙステップ送り装置８８は、一方の基板上のショット領域に対するスキャン露光と他方の基板のＹステップ送りとを並行して行う必要から、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢと一体的に（又は同期して）移動する移動体上に設ける必要がある。

また、上記第１の実施形態及びその変形例では、一対の微動ステージ２６Ａ，２６Ｂを浮上支持する一対のシ−リングパッド７７Ａ、７７Ｂをレバー６４の両端部で揺動自在に支持したが、これに限らず、図５０に示される変形例のように、微動ステージ２６Ａ，２６Ｂに揺動機構（レベリング装置）７８Ａ’、７８Ｂ’が設けられていても良いし、シーリングパッド７７Ａ’、７７Ｂ’は微動ステージ２６Ａ，２６Ｂ側に設けられた、下向きのエアベアリングであっても良い。かかる場合には、微動ステージ２６Ａ，２６Ｂのレベリングの回転中心（すなわち、シーリングパッド７７Ａ’、７７Ｂ’の揺動中心）と微動ステージ２６Ａ，２６Ｂに対するＸ軸方向及びＹ軸方向の駆動力の作用点とのＺ軸方向の位置が近くなり、制御性が向上する。但し、レバー６４の傾きによって、シーリングパッド７７Ａ’、７７Ｂ’の軸受面が傾くので、重力の影響を受けやすくなり、Ｘ軸方向及び／又は／Ｙ軸方向の駆動力が変化する。

また、上記第１の実施形態及びその変形例では、レベリングセンサ７４のターゲット７２がＸガイド８２上面のＹ軸方向の両端部に設けられるものとしたが、これに限らず、レベリングセンサのターゲットは、Ｘガイド８２とは分離された別のビーム上に設けられても良い。レベリングセンサのターゲットがＸガイドと分離されることによって、シーソー型支持装置２８の自重（に起因する静荷重又は移動荷重）の作用によるＸガイド８２の撓みの影響を、レベリングセンサによる計測結果が受けないようにすることができる。

この他、レベリングセンサ７４のターゲット７２’は、例えば図５１に示される変形例のように、シーソー型支持装置２８に設けても良い。図５１の変形例では、シーソー型支持装置２８のベース部材６６に、Ｘ軸方向に細長い矩形のプレート６８が、ＸＹ平面に平行に取り付けられている。プレート６８の上面には、前述の微動ステージ２６Ａ，２６Ｂの下面に固定された複数のレベリングセンサ７４のそれぞれに対向して、複数のターゲット７２’が固定されている。かかる場合には、各ターゲット７２’は、シーソー型支持装置２８及び微動ステージ２６Ａ，２６Ｂ、並びに微動ステージ２６Ａ，２６Ｂに固定されたレベリングセンサ７４とともに、Ｘ軸方向に移動するので、ターゲット７２’として帯状のターゲット７２に比べて小型のターゲットを用いることができる。

また、基板ステージ干渉計システム９８の各干渉計の配置は、上記実施形態の配置に限定されるものではない。例えば、微動ステージ２６ＢのＸ位置計測用のＸ干渉計を微動ステージ２６Ｂの−Ｘ側に配置し、微動ステージ２６ＡのＸ位置計測用のＸ干渉計を微動ステージ２６Ａの＋Ｘ側に配置しても良い。あるいは、基板ステージ干渉計システム９８を構成する複数の干渉計の少なくとも１つに代えて、スケール部とヘッド部とから成るリニアエンコーダを用いても良い。

また、これまでは、シーソー型支持装置２８の底面にベースパッド（エアベアリング）７０を設け、Ｘガイド８２上に浮上支持する場合、すなわちエアガイドを採用する場合について説明したが、これに限らず、Ｘガイド８２にレールを設け、シーソー型支持装置２８にスライダを配したころがりガイドを採用しても良い。

《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態について、図５２〜図５４に基づいて説明する。ここで、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。

図５２には、第２の実施形態に係る露光装置２００の一部省略した平面図が示されている。また、図５３には、露光装置２００を＋Ｘ方向から見た概略側面図が一部省略して示されている。但し、図５３では、前述の図３と同様に、粗動テーブル３２は、シーソー型支持装置２８とともに、部分的に断面図にて示されている。

本第２の実施形態に係る露光装置２００では、前述した基板ステージ装置ＰＳＴに代えて、基板ステージ装置ＰＳＴａが設けられている点が、前述の第１の実施形態と相違するが、その他の部分の構成等は、前述した第１の実施形態と同様である。

基板ステージ装置ＰＳＴａでは、図５２及び図５３からわかるように、前述の基板ステージ装置ＰＳＴが備える２つの粗動テーブル３２Ａ及び３２Ｂに代えて、これらを一体化してかつＹ軸方向のサイズを小さくしたような形状の１つの粗動テーブル３２が設けられ、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのＹ軸方向両側のエア浮上ユニットが、粗動テーブル３２とは分離され、床面Ｆ上に設置されている。さらには、これらに伴って、一対の基板Ｙステップ送り装置８８及び一対の基板Ｘステップ送り装置９１が、微動ステージ２６Ａに取り付けられている。基板ステージ装置ＰＳＴａは、これらの点が、前述の基板ステージ装置ＰＳＴと相違している。以下、相違点を中心として、第２の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴａについて説明する。

基板ステージ装置ＰＳＴａの一部を構成する粗動ステージ部２４’は、図５３に示されるように、２本（一対）のＸビーム３０Ａ’，３０Ｂ’と、粗動テーブル３２と、２本のＸビーム３０Ａ’，３０Ｂ’のそれぞれを床面Ｆ上で支持する複数の脚部３４と、を有している。

Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’のそれぞれは、Ｘ軸方向に延びるＹＺ断面が矩形枠状の中空部材から成り、Ｙ軸方向に所定間隔で互いに平行に配置されている（図５３参照）。Ｙ軸方向のサイズが小さくされた粗動テーブル３２に対応して、Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’のそれぞれは、第１の実施形態のＸビーム３０Ａ、３０Ｂに比べてＹ軸方向の幅が狭いものが用いられている。Ｘビーム３０Ａ’、３０Ｂ’のそれぞれは、前述と同様に、長手方向（Ｘ軸方向）両端部近傍で、脚部３４によって下方から床面Ｆ上で、一対の架台１８に対して非接触で支持されている。これにより、粗動ステージ部２４’は、一対の架台１８に対して振動的に分離されている。なお、脚部３４の配置及び個数は、任意で良い。また、Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’は、中空部材に限らず中実部材であっても良いし、ＹＺ断面がI型の棒状部材であっても良い。

Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’のそれぞれの上面には、図５３に示されるように、Ｘ軸方向に延びるＸリニアガイド３６が、Ｙ軸方向の中央に固定されている。本第２の実施形態では、Ｘリニアガイド３６は、Ｘ軸方向に所定間隔で配列された複数の永久磁石を含む磁石ユニットを有し、Ｘ固定子を兼ねている。なお、Ｘリニアガイド３６とは別に、磁石ユニットを有するＸ固定子を設けても良い。また、Ｘリニアガイドを、Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’上に複数本、例えば２本設けても良い。

粗動テーブル３２は、図５３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’の上に配置されている。粗動テーブル３２は、中央にＺ軸方向に貫通する開口が形成された平面視矩形の板状部材から成る。粗動テーブル３２の下面には、Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’のそれぞれに固定されたＸリニアガイド３６に不図示の気体静圧軸受（例えばエアベアリング）などを介して非接触で（所定の隙間（ギャップ、クリアランス）を介して）係合するスライダ４４が複数固定されている。スライダ４４は、各Ｘリニアガイド３６に対して、Ｘ軸方向に所定間隔で複数設けられている。粗動テーブル３２は、Ｘリニアガイド３６とスライダ４４とを含む複数のＸリニアガイド装置により、Ｘ軸方向に直進案内される。

また、この場合、各スライダ４４は、コイルユイットを含み、各スライダ４４が有するコイルユニットによって、前述のＸ固定子とともに、粗動テーブル３２を、Ｘ軸方向に所定のストロークで駆動する前述のＸリニアモータが構成されている。

なお、スライダ４４とは、別にＸ可動子を設けても良く、この場合には、スライダ４４は、転動体（例えば、複数のボールなど）を含み、各Ｘリニアガイド３６に対してスライド可能に係合しても良い。

なお、不図示であるが、Ｘビーム３０Ａ’，３０Ｂ’の所定の一方、例えばＸビーム３０Ａ’には、Ｘ軸方向を周期方向とするＸスケールが固定され、粗動テーブル３２には、Ｘスケールを用いて粗動テーブル３２のＸ軸方向に関する位置情報を求めるＸリニアエンコーダシステムを構成するエンコーダヘッドが固定されている。粗動テーブル３２のＸ軸方向に関する位置は、上記エンコーダヘッドの出力に基づいて主制御装置５０により制御される。

シーソー型支持装置２８は、粗動テーブル３２の開口内に配置され、Ｘガイド８２のＸＹ平面に平行な上面上に配置されている。シーソー型支持装置２８は、その上半部が粗動テーブル３２より上方に露出し、その下半部が粗動テーブル３２より下方に露出している。

Ｘビーム３０Ａ’の＋Ｙ側、及びＸビーム３０Ｂ’の−Ｙ側には、図５３に示されるように、一対のフレーム１１０Ａ’，１１０Ｂ’のそれぞれが、架台１８に接触しないように床面Ｆ上に設置されている。一対のフレーム１１０Ａ’，１１０Ｂ’の上面には、一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’のそれぞれが設置されている。

一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’のそれぞれは、図５２及び図５３に示されるように、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのＹ軸方向の両側に配置されている。一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’のそれぞれは、図５２に示されるように、Ｙ軸方向の幅が基板（例えばＰ１又はＰ２）のＹ軸方向の幅より幾分短く、Ｘ軸方向の長さが、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢと後述する一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’との露光シーケンスにおける移動範囲とほぼ同等の長さの矩形領域内に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に所定の隙間を空けて分散配置された複数のエア浮上ユニットによって構成されている。露光領域ＩＡの中心と一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’のそれぞれの中心とのＸ位置はほぼ一致している。一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’の各エア浮上ユニットの上面は基板ホルダＰＨの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。

また、基板ステージ装置ＰＳＴａでは、基板ホルダＰＨＡの＋Ｘ側及び基板ホルダＰＨＢの−Ｘ側には、前述の各一対のエア浮上ユニット８４Ｂに代えて、一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’のそれぞれが配置されている。一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’のそれぞれは、図５２に示されるように、Ｘ軸方向に所定間隔で配置された複数、例えば３つのＹ軸方向に細長い矩形のエア浮上ユニットから成る。各エア浮上ユニットのＹ軸方向の長さは、一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’相互間の間隔より幾分短い。一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’のそれぞれは、エア浮上ユニット８４Ｂと同様にして、粗動テーブル３２の上面に固定されている。

一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’、及び一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’を、それぞれ構成する各エア浮上ユニットの支持面（上面）は、前述のエア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂ、８４Ｃと同様に、多孔質体や機械的に複数の微小な穴を有するスラスト型のエアベアリング構造になっている。各エア浮上ユニットは、前述の気体供給装置からの加圧気体（例えば高圧空気）の供給により、基板の一部を浮上支持することができるようになっている。各エア浮上ユニットに対する高圧空気の供給のオン・オフは、主制御装置５０によって制御される。

本第２の実施形態では、上述の一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’、及び一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’によって、基板が基板ステージ（ＰＨＡ、ＰＨＢ、２６Ａ、２６Ｂ、２８、３２）によってＸ軸方向に、例えばフルストローク移動したときであっても、基板の垂れ下がりを防いで、基板を浮上支持することができる。

なお、一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’は、それぞれ、上記の矩形領域とほぼ同等の総支持面積を有していれば、単一の大型のエア浮上ユニットに置き換えても良いし、個々のエア浮上ユニットの形状又は大きさを、図５２の場合と異ならせて、上記矩形領域内に分散配置しても良い。同様に、一対のエア浮上ユニット群８４Ｂ’も、個々のエア浮上ユニットの形状又は大きさを、図５２の場合と異ならせても良い。

また、基板ステージ装置ＰＳＴａでは、図５３に示されるように、一対の基板Ｘステップ送り装置９１が、基板ホルダＰＨＡのＹ軸方向の両側に配置され、支持部材を介して微動ステージ２６Ａに固定されている。同様に、一対の基板Ｙステップ送り装置８８が、基板ホルダＰＨＡの＋Ｘ側及び基板ホルダＰＨＢの−Ｘ側に配置され、それぞれ支持部材を介して微動ステージ２６Ａ及び２６Ｂに固定されている（図５２参照）。

さらに、一対のＹ干渉計９８Ｙ_１，９８Ｙ_２は、図５２に示されるように、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａ’を構成する、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢに近い第１列の複数のエア浮上ユニットのうちのＸ軸方向中心近傍に位置する隣接するエア浮上ユニット相互間の２箇所の隙間に対向する位置で、サイドフレーム２０に固定されている。２箇所の隙間は、露光領域ＩＡの中心を通るＹ軸に関して対称な隙間である。本実施形態では、一対のＹ干渉計９８Ｙ_１，９８Ｙ_２から、上述の２箇所の隙間をそれぞれ介して、計測ビーム（測長ビーム）が微動ステージ２６Ａ、２６Ｂに固定された一対のＹ移動鏡９４Ｙのいずれかに照射されるようになっている。

基板ステージ装置ＰＳＴａのその他の部分の構成は、前述の基板ステージ装置ＰＳＴと同様になっている。

なお、一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’の近くに、前述した基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８とは別の基板送り装置（不図示）を設け、この装置によって基板の搬入や搬出を行なうこととしても良い。

露光装置２００では、露光装置１００と同様の手順で、基板交換、アライメント及び露光等の一連の動作が行われる。

以上説明した本第２の実施形態に係る露光装置２００によると、前述した第１の実施形態と同等の効果を得ることができる。これに加え、露光装置２００では、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのＹ軸方向の両側のエア浮上ユニット群８４Ａ’が固定で、Ｘ軸方向に関して広い範囲で配置された複数のエア浮上ユニットによって構成されているので、基板交換に際して、基板を固定のエア浮上ユニット群８４Ａ’の上に予め待機させておくことが可能になり、基板交換を、効率的にかつ短時間で行なうことが可能になる。図５４には、一例として、前述の変形例における露光手順説明図（その１５）に示される基板交換（図４９参照）を、本第２実施形態に係る露光装置２００で行う場合の平面図が示されている。この場合、図５４と図４８とを比較して明らかなように、図４８に示した状態に対して図５４に示す状態では、新しい基板Ｐ４を、図示される位置に待機させておくことができる。また、前述した第１の実施形態における露光手順説明図（その２７）に示される２枚同時基板交換（図３４参照）を行う場合にも、予め新しい基板を２枚、一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’の上で待機させておくことができるので、基板交換を効率的にかつ高速で行うことが可能になる。

また、本第２の実施形態に係る露光装置２００によると、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢのＹ軸方向両側のエア浮上ユニット群８４Ａ’を基板ステージ（粗動テーブル３２）から分離したので、基板ステージ（粗動テーブル３２）の負荷が減り、基板ステージの制御性が向上する。また、エア浮上ユニット群８４Ａ’の各エア浮上ユニットは動かないので、微動ステージ２６のＹ軸方向位置を計測するＹ干渉計９８Ｙ_１，９８Ｙ_２の計測ビームがエア浮上ユニットによって遮られる虞がない。このため、Ｙ干渉計９８Ｙ_１，９８Ｙ_２をエア浮上ユニット群８４Ａ’より外側（−Ｙ側）の装置本体のサイドフレーム２０に設置することが可能になっている（図５２、図５３参照）。

なお、本第２の実施形態に係る露光装置２００では、可動のエア浮上ユニット、基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ（すなわち微動ステージ２６Ａ，２６Ｂ）とは機械的に分離した粗動テーブル３２に取り付けても良いし、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ又は微動ステージ２６Ａ、２６Ｂに一体的に取り付けても良い。

《第２の実施形態の変形例》
また、第２の実施形態において、一対のエア浮上ユニット群８４Ａ’を構成する複数のエア浮上ユニットの一部を基板ステージ（粗動テーブル３２又は微動ステージ２６）に取り付けて、前述の第1実施形態のように、可動のエア浮上ユニットにしても良い。例えば、図５５及び図５６に示される変形例のように、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａ’を固定のエア浮上ユニットによって構成し、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢの＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ａを基板ステージ（粗動テーブル３２）に搭載して可動にしても良い。また、固定のエア浮上ユニット群８４Ａ’は、図５５では、基板ステージを搭載するボディＢＤ（露光装置本体）から機械的及び振動的に分離して床面Ｆ上に設置しているが、ボディＢＤ上に設置しても良い。

なお、上記各実施形態に係る露光装置では、粗動テーブル上に搭載されたエア浮上ユニット、基板Ｙステップ送り装置、基板Ｘステップ送り装置などを、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂ上に搭載しても良いし、あるいは粗動テーブルに追従して移動する別の移動体を設け、該別の移動体上にエア浮上ユニットを搭載して、Ｘ軸方向に可動な構成としても良い。この場合、エア浮上ユニットが搭載された、粗動テーブルに追従して移動する別の移動体上に、前述の基板Ｙステップ送り装置８８を設けても良い。また、上記各実施形態において、基板Ｘステップ送り装置９１は、基板ステージの外部に配置しても良い。

なお、上記各実施形態では、基板の撓みを防止する目的で、複数のエア浮上ユニットを用いる場合について説明したが、これに限らず、コロ又はボール等を用いた接触型の転がり軸受を備えた基板の垂れ下がり防止装置を、上記各実施形態のエア浮上ユニットの少なくとも一部と入れ替えても良い。基板の撓みを防止する目的で、エア浮上ユニット、転がり軸受以外の軸受部材を備えた基板の垂れ下がり防止装置を用いても良い。

また、上記各実施形態では、微動ステージ２６Ａ、２６Ｂに基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢが搭載された場合について説明したが、これに限らず、微動ステージの素材としてセラミックスなどを用いる場合には、その上部にエッチング加工等を施して、基板を保持する上記基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢと同等の機能を有する保持部を微動ステージと一体で構成しても良い。

また、上記各実施形態が共通に備えている構成部分にも、露光装置が必ずしも備えていなくても良いものもある。例えば、シーソー型支持装置２８は、必須ではない。この場合、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢを移動させるための移動ステージが必要になるが、その移動ステージは、いわゆる粗微動ステージであっても良いし、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢと一体でかつ互いに独立して６自由度方向に移動する一対の６ＤＯＦステージであっても良い。要は、移動ステージは、基板ホルダＰＨＡ、ＰＨＢ（及びこれが搭載された可動体）をＸＹ平面内で（少なくともＸ軸方向に）駆動できれば良く、６自由度方向に駆動可能でれば、一層望ましい。

なお、上記各実施形態では、露光装置が、基板のステップ・アンド・スキャン動作を伴う走査型露光を行う投影露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステップ・アンド・スティッチ方式の投影露光装置、さらには投影光学系を用いないプロキシミティ方式の露光装置にも、上記各実施形態は適用が可能である。

また、上記各実施形態の露光装置では、照明光は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光、Ｆ₂レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ（波長：３５５ｎｍ、２６６ｎｍ）などを使用しても良い。

また、上記各実施形態では、投影光学系ＰＬが、複数の投影光学系（投影光学ユニット）を備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学ユニットの数はこれに限らず、１つ以上あれば良い。また、マルチレンズ方式の投影光学系に限らず、例えばオフナー型の大型ミラーを用いた投影光学系などであっても良い。

また、上記各実施形態では投影光学系ＰＬとして、投影倍率が等倍のものを用いる場合について説明したが、これに限らず、投影光学系は縮小系及び拡大系のいずれでも良い。

なお、上記各実施形態においては、光透過性のマスク基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク）、例えば、非発光型画像表示素子（空間光変調器とも呼ばれる）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）を用いる可変成形マスクを用いても良い。

なお、上記各実施形態に係る露光装置は、サイズ（外径、対角線、一辺の少なくとも１つを含む）が５００ｍｍ以上の基板、例えば液晶表示素子などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の大型基板を露光する露光装置に対して適用することが特に有効である。

また、上記各実施形態に係る露光装置を用いて、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造することができる。まず、パターン像を感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に形成する、いわゆる光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成される。その後、カラーフィルタ形成工程、セル組み立て工程、及びモジュール組立工程等を経ることによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることができる。

本発明の露光方法及び露光装置は、大型基板の露光に適している。また、本発明のデバイス製造方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法は、液晶表示素子等の製造に適している。

２６Ａ、２６Ｂ…微動ステージ、２８…シーソー型支持装置、３２Ａ，３２Ｂ…粗動テーブル、５２Ａ、５２Ｂ…微動ステージ駆動系、５５Ｚ…Ｚボイスコイルモータ、６４…レバー、７７Ａ、７７Ｂ…シーリングパッド、７８Ａ、７８Ｂ…レベリング装置、８４Ａ…エア浮上ユニット群、８４Ｂ…エア浮上ユニット、８４Ｃ…エア浮上ユニット群、８８…基板Ｙステップ送り装置、９１…基板Ｘステップ送り装置、１００…露光装置、ＰＨＡ，ＰＨＢ…基板ホルダ、Ｐ１，Ｐ２…基板、ＡＬＧ…アライメント検出系、ＳＡ１〜ＳＡ６…ショット領域。

Claims (24)

1. 複数枚の基板を露光する露光方法であって、
   ２枚の基板のそれぞれの一部を一対の基板保持装置に個別に載置し、前記２枚の基板のうち、一方の基板の１つの処理領域を含む一部を前記一対の基板保持装置の一方に保持させて前記一対の基板保持装置を第１方向に移動させて前記処理領域を露光することと、
   前記露光することと並行して、前記２枚の基板のうち、他方の基板を、前記一対の基板保持装置の他方上で前記第１方向と交差する第２方向に移動させて前記他方の基板の露光対象の処理領域の変更を行うことと、その変更後の処理領域を含む前記他方の基板の一部を前記他方の保持装置に固定することと、固定後に前記他方の基板の前記他方の保持装置に対する位置ずれ量を検出することとを含む準備作業を行うことと、を含む露光方法。
2. 前記準備作業は、前記検出された位置ずれを補正することをさらに含む請求項１に記載の露光方法。
3. 前記一方の基板の前記処理領域の露光と、前記他方の基板の前記処理領域の露光とは、交互に行われ、
   これと並行して、前記他方の基板に対する前記一連の準備作業と、前記一方の基板に対する前記一連の準備作業と、が、交互に行われる請求項１又は２に記載の露光方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光方法により前記基板を露光することと、
   露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光方法により前記基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、
   露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
6. 基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、
   基板の一部をそれぞれ保持可能な一対の基板保持装置と、前記一対の基板保持装置がその一部に設けられ、第１方向に移動する移動体と、前記一対の基板保持装置を個別に前記移動体の他の部分に対して微少駆動する第１駆動系と、前記移動体と一体的に前記第１方向に移動するとともに、前記基板を前記一対の基板保持装置のそれぞれの上で前記第１方向に交差する第２方向に移動させる一対の第１の基板送り装置と、を備え、
   前記一対の基板保持装置のそれぞれに２枚の基板のそれぞれの一部を載置して、前記一対の基板保持装置のうちの一方の基板保持装置に保持された前記２枚の基板のうちの一方の基板の一部の処理領域を、前記移動体を前記第１方向に移動して露光し、これと並行して、前記２枚の基板のうちの他方の基板を前記一対の基板保持装置のうちの他方の基板保持装置上で前記第２方向に移動させる露光装置。
7. 前記一対の基板保持装置のそれぞれには、載置された前記基板の位置を検出する複数のセンサが設けられ、
   前記他方の基板が前記相対移動後に前記他方の基板保持装置に保持された状態で、前記複数のセンサにより、前記他方の基板の位置が検出される請求項６に記載の露光装置。
8. 前記他方の基板保持装置に保持された前記他方の基板の次の被処理領域の露光のための前記移動体の前記第１方向の移動が開始される前に、前記他方の基板の位置の検出結果に基づいて、前記第１駆動系により前記他方の基板保持装置と一体で前記他方の基板の前記面内の位置ずれが調整される請求項７に記載の露光装置。
9. 前記一対の基板保持装置を、お互いの自重が打ち消し合うように所定の軸を中心に揺動可能に、かつチルト自在に支持するシーソー型支持部材と、
   前記シーソー型支持部材を前記軸回りに駆動する第２駆動系と、をさらに備える請求項６〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
10. 基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、
    基板をそれぞれ保持可能な一対の基板保持装置と、
    前記一対の基板保持装置がその一部に設けられ、第１方向に移動する移動体と、
    前記一対の基板保持装置を個別に前記移動体の他の部分に対して微少駆動する第１駆動系と、
    前記一対の基板保持装置を、長手方向の一端側の第１位置と他端側の第２位置でチルト自在に、かつ前記第１位置と第２位置の中央に位置する所定の軸を中心に揺動可能に支持するシーソー型支持部材と、
    前記シーソー型支持部材を前記軸回りに駆動する第２駆動系と、
    を備える露光装置。
11. 前記シーソー型支持部材は、前記一対の基板保持装置の自重を支持し、前記第１方向に前記移動体とともに移動する請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記一対の基板保持装置は、前記基板の１つの被処理領域を含む一部をそれぞれ保持し、
    前記移動体と一体的に前記第１方向に移動するとともに、前記基板を前記一対の基板保持装置のそれぞれに対して前記第１方向に交差する第２方向に移動させる一対の第１の基板送り装置をさらに備える請求項１０又は１１に記載の露光装置。
13. 前記基板保持装置の前記第１、第２の保持領域には、２枚の基板のそれぞれの一部が載置され、
    前記移動体の移動を妨げることなく、前記２枚の基板のそれぞれの残りの部分を支持する複数の支持装置をさらに備える請求項１２に記載の露光装置。
14. 前記複数の支持装置は、前記移動体に搭載されている請求項１３に記載の露光装置。
15. 前記複数の支持装置の一部は、前記移動体に搭載され、前記複数の支持装置の一部は、前記移動体とは分離して設置されている請求項１３に記載の露光装置。
16. 前記複数の支持装置は、前記移動体とは分離して設置されている請求項１３に記載の露光装置。
17. 前記基板を前記第１方向へ移動させる第２の基板送り装置をさらに備える請求項６〜９、１２〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
18. 前記第２の基板送り装置は、前記一対の基板保持装置のそれぞれに対応して一対設けられている請求項１７に記載の露光装置。
19. 前記第２の基板送り装置は、前記移動体上に搭載されている請求項１７又は１８に記載の露光装置。
20. 前記移動体上に前記第１の基板送り装置が搭載されている請求項６〜９、１２〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
21. 前記一対の基板保持装置のそれぞれは、独立して前記基板を吸着しかつ前記基板を浮上させる請求項６〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
22. 前記一対の基板保持装置のそれぞれに設けられ、基板の裏面に設けられたマークを計測する複数のマーク検出系をさらに備える請求項６〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
23. 請求項６〜２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
24. 請求項６〜２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。

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