JP2013022638A - Lead-free solder alloy - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Pb-free solder alloy which includes a high solidus temperature and an appropriate liquidus temperature as a solder material, has excellent wettability and solves specific problems such as Ni-Bi excessive response and Ni diffusion in Bi-based solder.SOLUTION: The lead-free solder alloy contains 0.02 mass% or more and 3.00 mass% or less of Al, 0.001 mass% or more and 1.000 mass% or less of Ge and the balance of Bi with unavoidable impurities. The lead-free solder alloy may be further includes at least one of Zn, P, Ag and Cu.

Description

本発明は、Al、Geを含有するBi基鉛フリーはんだ合金に関する。   The present invention relates to a Bi-based lead-free solder alloy containing Al and Ge.

近年、環境に有害な化学物質に対する規制がますます厳しくなってきており、この規制は半導体パッケージなどをプリント基板に接合する目的で使用されるはんだ材料や、半導体素子をリードフレームなどの基板に接合するはんだ材料に対しても例外ではない。
例えば、はんだ材料には古くからPbが主成分として使われ続けてきたが、Pbは既にRohs指令などで規制対象物質になっている。このため、Pbを含まないはんだ(Pbフリーはんだ又は無鉛はんだ)の開発が盛んに行われている。
半導体素子を基板に接合する際に使用するはんだは、その使用限界温度によって高温用(約260℃〜400℃)と中低温用(約140℃〜230℃)に大別され、そのうち中低温用はんだに関してはSnを主成分とするPbフリーはんだが実用化されている。例えば特許文献1には、Snを主成分とし、Agを1.0〜4.0質量%、Cuを2.0質量%以下、Niを0.5質量%以下、Pを0.2質量%以下含有するPbフリーはんだ合金組成が記載されている。
また、特許文献2には、Agを0.5〜3.5質量%、Cuを0.5〜2.0質量%含有し、残部がSnからなる合金組成の無鉛はんだが記載されている。
In recent years, regulations on chemical substances that are harmful to the environment have become more and more stringent. These regulations can be applied to solder materials used for bonding semiconductor packages to printed circuit boards and bonding semiconductor elements to substrates such as lead frames. It is no exception for the solder material to be used.
For example, Pb has been used as a main component for solder materials for a long time, but Pb has already been a regulated substance under the Rohs Directive. For this reason, development of solder containing no Pb (Pb-free solder or lead-free solder) has been actively conducted.
Solder used when bonding a semiconductor element to a substrate is roughly classified into high temperature (about 260 ° C. to 400 ° C.) and medium / low temperature (about 140 ° C. to 230 ° C.) depending on the limit temperature of use. As for solder, Pb-free solder mainly composed of Sn has been put into practical use. For example, in Patent Document 1, Sn is the main component, Ag is 1.0 to 4.0 mass%, Cu is 2.0 mass% or less, Ni is 0.5 mass% or less, and P is 0.2 mass%. The following Pb-free solder alloy composition is described.
Patent Document 2 describes a lead-free solder having an alloy composition containing 0.5 to 3.5% by mass of Ag, 0.5 to 2.0% by mass of Cu, and the balance being Sn.

一方、Pbを含まない高温用のはんだ材料に関しても、さまざまな提案が行われている。例えば特許文献3には、Biを30〜80質量%含んだ溶融温度が350〜500℃のBi/Agろう材が記載されている。
また、特許文献4には、Biを含む共晶合金に2元共晶合金を加え、更に添加元素を加えた鉛フリーはんだ合金が記載されており、このはんだ合金は4元系以上の多元系はんだではあるものの、液相線温度の調整とばらつきの減少が可能となることが示されている。 更に、特許文献5には、BiにCuとAlとMnを添加するか、あるいはCu又はNiを添加した鉛フリーはんだ合金が記載されている。これらの鉛フリーはんだ合金は、Cu層を表面に備えたパワー半導体素子をCu層が表面に形成された絶縁性基板に搭載するために使用する場合、はんだとの接合界面において不要な反応生成物が形成されにくくなるため、クラックなどの不具合の発生を抑制できることが記載されている。
On the other hand, various proposals have been made regarding high-temperature solder materials that do not contain Pb. For example, Patent Document 3 describes a Bi / Ag brazing material containing 30 to 80% by mass of Bi and having a melting temperature of 350 to 500 ° C.
Patent Document 4 describes a lead-free solder alloy in which a binary eutectic alloy is added to a eutectic alloy containing Bi and an additional element is further added. Although it is a solder, it has been shown that the liquidus temperature can be adjusted and variations can be reduced. Furthermore, Patent Document 5 describes a lead-free solder alloy in which Cu, Al, and Mn are added to Bi or Cu or Ni is added. When these lead-free solder alloys are used to mount a power semiconductor element having a Cu layer on the surface thereof on an insulating substrate having the Cu layer formed on the surface, unnecessary reaction products are formed at the joint interface with the solder. It is described that the occurrence of defects such as cracks can be suppressed.

また、特許文献6には、はんだ組成物100質量%のうち、94.5質量%以上のBiからなる第1金属元素と、2.5質量%のAgからなる第2金属元素と、Sn:0.1〜0.5質量%、Cu:0.1〜0.3質量%、In:0.1〜0.5質量%、Sb:0.1〜3.0質量%、及びZn:0.1〜3.0質量%よりなる群から選ばれる少なくとも1種を合計0.1〜3.0質量%含む第3金属元素とからなる鉛フリーはんだ組成物が示されている。
特許文献7には、副成分としてAg、Cu、Zn及びSbのうちの少なくとも1種を含有するBi基合金に、0.3〜0.5質量%のNiを含有するPbフリーはんだ組成物が開示されている。また、このPbフリーはんだは、固相線温度が250℃以上であり、液相線温度が300℃以下であることが記載されている。
更に特許文献8には、Biを含む2元合金が開示されており、この2元合金ははんだ付け構造体内部において、クラックの発生を抑える効果を有していることが記載されている。
また、特許文献9には、Biを主成分として0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeとを含む接合材料について記載されている。この接合材料は270℃以上の溶融温度を有するため、例えばチップインダクタのような小型の半導体パッケージに用いるのに適しており、Bi−Cu合金の濡れ性の低さ、即ち接合材料の酸化をGeにより抑制しているとの記載がある。
Further, in Patent Document 6, in 100% by mass of the solder composition, a first metal element composed of 94.5% by mass or more of Bi, a second metal element composed of 2.5% by mass of Ag, and Sn: 0.1-0.5 mass%, Cu: 0.1-0.3 mass%, In: 0.1-0.5 mass%, Sb: 0.1-3.0 mass%, and Zn: 0 A lead-free solder composition comprising a third metal element containing at least one selected from the group consisting of 0.1 to 3.0% by mass in a total of 0.1 to 3.0% by mass is shown.
Patent Document 7 discloses a Pb-free solder composition containing 0.3 to 0.5% by mass of Ni in a Bi-based alloy containing at least one of Ag, Cu, Zn and Sb as an accessory component. It is disclosed. Further, it is described that this Pb-free solder has a solidus temperature of 250 ° C. or higher and a liquidus temperature of 300 ° C. or lower.
Further, Patent Document 8 discloses a binary alloy containing Bi, and it is described that this binary alloy has an effect of suppressing the occurrence of cracks in the soldering structure.
Patent Document 9 describes a bonding material containing Bi as a main component and containing 0.2 to 0.8% by weight of Cu and 0.02 to 0.2% by weight of Ge. Since this bonding material has a melting temperature of 270 ° C. or more, it is suitable for use in a small semiconductor package such as a chip inductor, and the low wettability of the Bi—Cu alloy, that is, oxidation of the bonding material is Ge. There is a description that it is suppressed by.

特開平11−077366号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-077366 特開平08−215880号公報Japanese Patent Laid-Open No. 08-215880 特開2002−160089号公報JP 2002-160089 A 特開2006−167790号公報JP 2006-167790 A 特開2007−281412号公報JP 2007-281212 A 特許第3671815号公報Japanese Patent No. 3671815 特開2004−025232号公報JP 2004-025232 A 特開2007−181880号公報JP 2007-181880 A 特許第3886144号公報Japanese Patent No. 3886144

Pbを含まない高温用のはんだ材料に関しては、開発が進んでいるものの、未だ実用化の面で許容できる特性を有するはんだ材料は見つかっていないのが実状である。即ち、一般的にプリント基板には熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などの比較的耐熱温度の低い材料が多用されているため、作業温度を400℃未満、望ましくは370℃以下にする必要がある。しかしながら、例えば特許文献3に記載されているBi/Agろう材では、液相線温度が400〜700℃と高いため、接合時の作業温度も400〜700℃以上になると推測され、接合されるプリント基板の耐熱温度を超えてしまうことになる。
また、高温用はんだに一般的に求められる特性として、高い固相線温度、適度な液相線温度、低温と高温のヒートサイクルに対する高耐久性、良好な熱応力緩和特性、良好な濡れ広がり性などがある。しかし、はんだの主成分がBiの場合には、これらの諸特性に加えて、以下に述べるBiとNiの過剰反応というBi系はんだに特有の課題を解決する必要がある。
Although the development of high-temperature solder materials that do not contain Pb has progressed, no actual solder material having acceptable characteristics in terms of practical use has yet been found. That is, since a material having a relatively low heat-resistant temperature such as a thermoplastic resin or a thermosetting resin is generally used for a printed circuit board, the working temperature needs to be less than 400 ° C., preferably 370 ° C. or less. . However, for example, in the Bi / Ag brazing material described in Patent Document 3, since the liquidus temperature is as high as 400 to 700 ° C., it is estimated that the working temperature at the time of joining is 400 to 700 ° C. or more, and the joining is performed. This will exceed the heat resistance temperature of the printed circuit board.
In addition, the characteristics generally required for high-temperature solder include high solidus temperature, moderate liquidus temperature, high durability against low and high temperature heat cycles, good thermal stress relaxation characteristics, and good wettability. and so on. However, in the case where the main component of the solder is Bi, in addition to these various characteristics, it is necessary to solve a problem peculiar to the Bi-based solder such as an excessive reaction between Bi and Ni described below.

即ち、BiとNiの反応とは、はんだとの接合性を高めるため半導体素子の表面にNi層が形成されている場合、このNi層がはんだに含まれるBiと急激に反応してNiとBiの脆い合金を生成すると共に、Ni層に破壊や剥離が生じてBi中に拡散し、接合強度が著しく低下してしまう問題である。Ni層の上にAgやAuなどの層を設けることもあるが、AgやAuはNi層の酸化防止や濡れ性向上を目的としているため、はんだ中に拡散してしまい、NiとBiの反応を抑制する効果はほとんどない。
さらにBiは他の金属と合金化しづらいため濡れ性が悪く、Niも拡散を抑制するための元素を添加した場合、さらに濡れ性を落とすことがあり、この濡れ性の改善も大きな課題である。
That is, the reaction between Bi and Ni means that when a Ni layer is formed on the surface of the semiconductor element in order to improve the bondability with the solder, this Ni layer reacts abruptly with Bi contained in the solder and Ni and Bi. This is a problem that a brittle alloy is generated and the Ni layer is broken or peeled off and diffuses into Bi, so that the bonding strength is remarkably lowered. A layer such as Ag or Au may be provided on the Ni layer, but Ag and Au are intended to prevent oxidation of the Ni layer and improve wettability, so that it diffuses into the solder and the reaction between Ni and Bi. There is almost no effect of suppressing.
Furthermore, Bi is difficult to be alloyed with other metals, so that the wettability is poor. Ni also adds an element for suppressing diffusion, so that the wettability may be further reduced, and improvement of this wettability is also a major issue.

このように、Pbを含まない高温用のBi系はんだ合金には2つ大きな課題がある。即ち、第1の課題は、半導体素子と基板を接合する際に、半導体素子や基板にNi層が存在すると、はんだ合金中のBiとNiが反応して脆い合金を形成すると共にNiがBiはんだ中に拡散してしまうため、BiとNiの過剰反応やBi中へのNiの拡散を抑制する必要があることであり、第2の課題はBiの他の元素と合金化しづらい性質に起因する濡れ性の悪さを改善することである。
上記した特許文献4〜9のBiを主成分とする高温用はんだ合金では、前記課題の解決は困難であった。例えば、特許文献5においては、はんだとの接合表面がNi層である場合が比較例として記載されており、BiにCu−Al−Mn、Cu又はNiを添加したはんだ合金では接合界面に多量のBiNiが形成され、その周囲には多数の空隙が観察されると記載されている。また、このBiNiは非常に脆い性質を有し、過酷な条件のヒートサイクルに対して信頼性が得られ難いことが確認できたとも記載されている。
As described above, there are two major problems in the high-temperature Bi-based solder alloy containing no Pb. That is, the first problem is that when a Ni layer is present on a semiconductor element or a substrate when the semiconductor element and the substrate are bonded, Bi in the solder alloy reacts with Ni to form a brittle alloy and Ni is a Bi solder. It is necessary to suppress the excessive reaction between Bi and Ni and the diffusion of Ni into Bi, and the second problem is caused by the difficulty of alloying with other elements of Bi. It is to improve the poor wettability.
In the above-described high-temperature solder alloys containing Bi as a main component in Patent Documents 4 to 9, it has been difficult to solve the above problems. For example, in patent document 5, the case where the joining surface with a solder is a Ni layer is described as a comparative example, and a solder alloy in which Cu—Al—Mn, Cu, or Ni is added to Bi has a large amount at the joining interface. It is described that Bi 3 Ni is formed and numerous voids are observed around it. It is also described that this Bi 3 Ni has a very brittle property, and it has been confirmed that it is difficult to obtain reliability with respect to heat cycles under severe conditions.

また、特許文献6に記載のはんだ組成物では、例えばSnを0.5質量%以上及びZnを3.0質量%以上含有しても、BiとNiの反応やBi中へのNiの拡散は抑えることはできず、接合強度が低くて実用に耐えられないことが実験により確認された。
特許文献7に記載されたPbフリーはんだ組成物では、Bi−Niの2元系状態図を見れば分かるように、Biが多く存在する場合、NiBiという脆い合金を作ってしまう。Niを0.3〜0.5質量%含有した場合、非常に脆い合金相がはんだ内に分散することになり、もともと脆いBi系はんだを更に脆化させてしまうことが推測される。
尚、特許文献4、特許文献8及び特許文献9では、Bi中へのNiの拡散の問題やその防止対策に対して何も触れられていない。中でも特許文献8には、Bi−Ag系、Bi−Cu系、Bi−Zn系などが開示されているが、Bi−Ag系には特にNi拡散対策が必要であるにも係わらず何ら記述されていない。また、Bi−Cu系に関しては、CuのBi中への固溶量が微量であるため、融点の高いCu相が析出し、接合性に問題が生じることを本発明者は確認しているが、これに対する対策は述べられていない。更に、Bi−Zn系では還元性の強いZnにより濡れ性が下がり、半導体パッケージ等の接合が困難であることが推測できるが、これに関しても触れられておらず、NiとBiの過剰反応に関する記述もない。
In the solder composition described in Patent Document 6, for example, even if Sn is contained in an amount of 0.5 mass% or more and Zn is contained in an amount of 3.0 mass% or more, the reaction between Bi and Ni and the diffusion of Ni into Bi are not caused. It was not possible to suppress it, and it was confirmed by experiments that the bonding strength was low and could not be put into practical use.
In the Pb-free solder composition described in Patent Document 7, a brittle alloy of NiBi 3 is formed when a large amount of Bi is present, as can be seen from the Bi-Ni binary phase diagram. When Ni is contained in an amount of 0.3 to 0.5% by mass, a very brittle alloy phase is dispersed in the solder, and it is assumed that the originally brittle Bi-based solder is further embrittled.
Note that Patent Document 4, Patent Document 8, and Patent Document 9 do not mention anything about the problem of Ni diffusion into Bi and its prevention measures. In particular, Patent Document 8 discloses Bi—Ag, Bi—Cu, Bi—Zn, etc., but the Bi—Ag system is described in spite of the need for Ni diffusion countermeasures. Not. In addition, regarding the Bi—Cu system, the present inventor has confirmed that a Cu phase having a high melting point precipitates and a problem arises in the bonding property because the amount of Cu dissolved in Bi is very small. No countermeasures are described for this. Furthermore, in Bi—Zn system, wettability decreases due to highly reducible Zn, and it can be presumed that it is difficult to join a semiconductor package or the like. However, this is not also mentioned, and description of excessive reaction between Ni and Bi. Nor.

このようにまずNiとBiの過剰反応を抑えることができていないのが現状である。さらにBiの濡れ性の悪さを改善する必要があるが、Biに各種元素を添加すると濡れ性を一層低下させてしまうことになる場合がある。例えば、Bi−Zn系などではZnが酸化し易いため、Znの含有量によっては濡れ性を極端に低下させてしまい、接合ができなくなってしまったりする。
特許文献9には、0.2〜0.8重量%のCuを含むBi−Cu合金は、270℃未満の温度で溶融しない点で優れた接合材料であるが、一方で濡れ性が低いことが確認され、この対策としてBiよりも優先的に酸化する元素をBi−Cu合金に微量添加することにより抑制できるとの考えに基づいて、Biよりも優先的に酸化する元素としてGeを添加した試料において酸化物の生成が抑制されることが記載されている。このように諸特性を改善するために含有する元素によってはBiより酸化し易いGeなどを添加することにより濡れ性を改善できる場合がある。
本発明はNi−Biの過剰反応を抑えるための元素、そして、濡れ性を向上させる元素の必要特性を満たすように選定することにより、優れたはんだ材料を提供しようとするものである。なお、特許文献9に記載されている合金の場合、すでに述べたようにNi拡散を抑制することは困難であり、NiとBiの過剰反応の問題を解決できていないのが現状である。
Thus, the present situation is that the excessive reaction of Ni and Bi cannot be suppressed first. Further, it is necessary to improve the poor wettability of Bi, but when various elements are added to Bi, the wettability may be further reduced. For example, in a Bi—Zn system or the like, Zn is easily oxidized, and depending on the Zn content, the wettability is drastically reduced and bonding may not be possible.
In Patent Document 9, a Bi—Cu alloy containing 0.2 to 0.8 wt% Cu is an excellent bonding material in that it does not melt at a temperature of less than 270 ° C., but it has low wettability. As a countermeasure, Ge was added as an element preferentially oxidized over Bi based on the idea that it can be suppressed by adding a small amount of an element preferentially oxidized over Bi to the Bi-Cu alloy. It is described that the formation of oxide is suppressed in the sample. Thus, depending on the elements contained in order to improve various characteristics, there are cases where wettability can be improved by adding Ge which is more easily oxidized than Bi.
The present invention intends to provide an excellent solder material by selecting so as to satisfy the necessary characteristics of an element for suppressing excessive reaction of Ni—Bi and an element for improving wettability. In the case of the alloy described in Patent Document 9, it is difficult to suppress Ni diffusion as described above, and the current situation is that the problem of excessive reaction between Ni and Bi cannot be solved.

以上に述べたように、Pbを含まない高温用のBi系はんだ合金には2つ課題ある。すなわち、第1はNi−Biの過剰反応に関する課題、第2はBiの他の元素と合金化しづらい性質に起因する濡れ性の悪さの課題であり、これらの課題を解決する必要がある。
本発明は、はんだ材料として高い固相線温度と適度な液相線温度を有し、良好な濡れ性を具えているだけでなく、Bi系はんだにおける特有の課題、即ちNi−Biの過剰反応やNi拡散を抑制できると同時に、濡れ性に優れたPbフリーはんだ合金を提供することを目的とするものである。
As described above, there are two problems with the high-temperature Bi-based solder alloy that does not contain Pb. That is, the first is a problem related to Ni-Bi excess reaction, and the second is a problem of poor wettability due to the difficulty of alloying with other elements of Bi, and these problems need to be solved.
The present invention has a high solidus temperature and an appropriate liquidus temperature as a solder material, and has not only good wettability but also a unique problem in Bi-based solder, that is, Ni-Bi excess reaction. An object of the present invention is to provide a Pb-free solder alloy that can suppress Ni and Ni diffusion and has excellent wettability.

本発明の第1の発明は、0.02質量%以上3.00質量%以下のAl及び0.001質量%以上1.000質量%以下のGeを含み、残部がBi及び不可避的不純物からなる鉛フリーはんだ合金であることを特徴とするものである。
本発明では、特にAl含有量が0.03質量%以上1.00質量%以下で、Ge含有量が0.003質量%以上0.500質量%以下であることが好ましい。
本発明のはんだ合金は、Alを含んでいるのでNiとBiとの過剰反応を抑制することができる。また、Geを含んでいるので濡れ性が向上する利点を有する。
本発明の第2の発明は、0.03質量%以上1.00質量%以下のAl、0.003質量%以上0.500質量%以下のGeを含み、さらに0.01質量%以上3.00質量%以下のAgもしくは0.01質量%以上1.8質量%以下のCuのうち少なくとも1種を含み、残部がBi及び不可避的不純物からなる鉛フリーはんだ合金である。
1st invention of this invention contains 0.02 mass% or more and 3.00 mass% or less Al, and 0.001 mass% or more and 1.000 mass% or less Ge, and remainder consists of Bi and an unavoidable impurity. It is a lead-free solder alloy.
In the present invention, it is particularly preferable that the Al content is 0.03% by mass to 1.00% by mass and the Ge content is 0.003% by mass to 0.500% by mass.
Since the solder alloy of the present invention contains Al, an excessive reaction between Ni and Bi can be suppressed. Moreover, since Ge is included, it has the advantage that wettability improves.
The second invention of the present invention contains 0.03 mass% or more and 1.00 mass% or less of Al, 0.003 mass% or more and 0.500 mass% or less of Ge, and further 0.01 mass% or more and 3. It is a lead-free solder alloy that contains at least one of Ag of not more than 00 mass% or Cu of not less than 0.01 mass% and not more than 1.8 mass%, with the balance being Bi and unavoidable impurities.

本発明の第3の発明は、0.02質量%以上3.00質量%以下のAl、0.2質量%以上13.5質量%以下のZn、および0.001質量%以上1.000質量%以下のGeを含み、残部がBi及び不可避的不純物からなる鉛フリーはんだ合金である。
ZnはAlと同様にNiとBiとの過剰反応を抑制する効果をさらに助長する。
本発明の第4の発明は、0.03質量%以上1.00質量%以下のAl、0.4質量%以上5.0質量%以下のZn、0.003質量%以上0.500質量%以下のGeを含み、さらに0.01質量%以上3.00質量%以下のAgもしくは0.01質量%以上1.8質量%以下のCuのうち少なくとも1種を含み、残部がBi及び不可避的不純物からなる鉛フリーはんだ合金である。
AgやCuを加えることにより、濡れ性を向上させるとともに接合性を向上させることができる。
According to a third aspect of the present invention, 0.02 mass% to 3.00 mass% Al, 0.2 mass% to 13.5 mass% Zn, and 0.001 mass% to 1.000 mass%. It is a lead-free solder alloy containing not more than% Ge and the balance being Bi and inevitable impurities.
Zn, like Al, further promotes the effect of suppressing excessive reaction between Ni and Bi.
In a fourth aspect of the present invention, 0.03% by mass to 1.00% by mass of Al, 0.4% by mass to 5.0% by mass of Zn, 0.003% by mass to 0.50% by mass. It contains the following Ge, and further contains at least one of 0.01 mass% or more and 3.00 mass% or less of Ag or 0.01 mass% or more and 1.8 mass% or less of Cu, with the balance being Bi and inevitable Lead-free solder alloy consisting of impurities.
By adding Ag or Cu, wettability can be improved and bondability can be improved.

さらに本発明では、0.500質量%未満のPを含んだものであっても良い。
Pを含むことにより濡れ性が向上するとともに、接合性がさらに向上したものとなる。
Furthermore, in this invention, less than 0.500 mass% P may be included.
Inclusion of P improves wettability and further improves bondability.

本発明により、リフロー温度約260℃以上の耐熱温度を有し、Bi系はんだの課題であったNiとBiの過剰反応やBi中へのNiの拡散を抑制することができ、同時に濡れ性にも優れた高温用のPbフリーはんだ合金を提供することができる。   According to the present invention, it has a heat resistance temperature of about 260 ° C. or more, and can suppress excessive reaction between Ni and Bi and diffusion of Ni into Bi, which is a problem of Bi-based solder, and at the same time, improves wettability In addition, an excellent Pb-free solder alloy for high temperature can be provided.

一般的に高温用のPbフリーはんだ合金は、約260℃のリフロー温度に耐える必要があるが、Biを主成分とするBi系はんだ合金の場合には更に特有の2つの課題を解決する必要がある。第1の課題は半導体素子や基板に設けたNi層とBiとの過剰反応を抑制することであり、第2の課題はBi系はんだ材料の濡れ性を改善向上させることである。特にBi系の各種状態図を見れば分かるように、他の金属と固溶しない場合が多く、合金化しづらい。このため、Biは、濡れ性が非常に悪い元素であることから、第2の課題は解決すべき重要な課題である。   In general, high-temperature Pb-free solder alloys need to withstand a reflow temperature of about 260 ° C., but in the case of Bi-based solder alloys containing Bi as a main component, two more specific problems need to be solved. is there. The first problem is to suppress an excessive reaction between the Ni layer provided on the semiconductor element or the substrate and Bi, and the second problem is to improve and improve the wettability of the Bi-based solder material. In particular, as can be seen from the various Bi-based phase diagrams, it is often difficult to form an alloy with other metals, making it difficult to alloy. For this reason, since Bi is an element with very poor wettability, the second problem is an important problem to be solved.

上記第1及び第2の課題に対して、様々な元素をBiに添加して調べた結果、NiとBiの過剰反応の抑制に関してはAlとZnの添加が有効であることを見出し、またBi合金の濡れ性の改善に関してはGeを少量含有させることによりGeが優先的に酸化し良好な濡れ性が得られることが分かった。即ち、本発明のPbフリーはんだ合金は、Biを主成分とし、ZnまたはAlのうち、Alを必須として少なくとも1種を含有すると共に、Geを含有するものである。また、濡れ性及び接合性を一層向上させるために、Ag、CuおよびPの少なくとも1種以上を更に添加含有させることができる。
次に、本発明のPbフリーはんだ合金を構成する必須の元素、必要に応じて含有される任意の元素について具体的に説明する。
As a result of investigating various elements added to Bi for the first and second problems, it was found that the addition of Al and Zn is effective for suppressing the excessive reaction of Ni and Bi. Regarding the improvement of the wettability of the alloy, it was found that Ge is preferentially oxidized by adding a small amount of Ge to obtain good wettability. That is, the Pb-free solder alloy of the present invention contains Bi as a main component, and contains at least one of Zn or Al, essentially containing Al, and containing Ge. Moreover, in order to further improve the wettability and the bondability, at least one of Ag, Cu and P can be further added and contained.
Next, the essential elements constituting the Pb-free solder alloy of the present invention and optional elements contained as necessary will be specifically described.

<Bi>
Biは本発明のPbフリーはんだ合金の主成分である。BiはVa族元素に属し、その結晶構造は対称性の低い三方晶(菱面体晶)で脆い金属であるため、引張試験などを行うと破面は脆性破面であることが容易に見て取れる。さらにBiは他の金属とほとんど固溶せず、合金化しづらい。このため、基板類への濡れ性が悪い。
このBiをVa族元素の中から主成分として選定した理由は、Biは融点が271℃であって、高温はんだの使用条件である約260℃のリフロー温度を超えていること、及びBi以外のVa族元素は半金属ないし非金属に分類され、Biよりも更に脆いためである。
本発明のPbフリーはんだ合金では、Biの濡れ性の克服及びNiとBiの反応抑制などのため後述する各元素を含有させるが、各添加元素の種類や量は改善する特性及びその程度によって異なる。従って、添加元素の種類や添加量に応じて、必然的にBiの含有量は変化する。
<Bi>
Bi is the main component of the Pb-free solder alloy of the present invention. Bi belongs to the Va group element, and its crystal structure is a trigonal crystal (rhombohedral crystal) with a low symmetry and is a brittle metal. Therefore, when a tensile test or the like is performed, it can be easily seen that the fracture surface is a brittle fracture surface. Furthermore, Bi hardly dissolves with other metals and is difficult to alloy. For this reason, the wettability to the substrates is poor.
The reason why Bi is selected as the main component from the Va group elements is that Bi has a melting point of 271 ° C. and exceeds the reflow temperature of about 260 ° C., which is the use condition of high-temperature solder, and other than Bi. This is because the Va group element is classified as a semimetal or a nonmetal and is more brittle than Bi.
In the Pb-free solder alloy of the present invention, each element described later is included for overcoming the wettability of Bi and suppressing the reaction between Ni and Bi. However, the type and amount of each additive element vary depending on the characteristics to be improved and the degree thereof. . Therefore, the Bi content inevitably changes depending on the type and amount of the additive element.

<Al>
Alは本発明のPbフリーはんだ合金の第二元素群の1つであり、必須元素である。Alは還元性が強いため、Bi系はんだに少量含有させると自らが酸化したり、Bi母相を還元したりしてはんだの濡れ性を向上させる。さらにAlは非常に柔らかい金属であり、加工性向上の効果も有する。しかし、Alはその強い還元性を有するが故に含有量が多くなるとはんだ表面に強固な酸化膜を形成し濡れ性を極端に低下させたり、さらにはAlのBiへの固溶量が非常に少ないため、偏析してしまったりして信頼性を低下させてしまう。Alの還元性や柔軟性を十分発揮させるためにはその含有量に十分配慮する必要がある。
すなわち、最適なAlの含有量は0.02質量%以上3.00質量%以下である。0.02質量%未満ではAlの効果が発揮されず、3.00質量%を超えてしまうと上記理由により良好な接合は困難となってしまう。特にAlの含有量が0.03質量%以上1.00質量%以下であれば、その還元性や柔軟性の効果をバランスよく発揮できてさらに好ましい。
<Al>
Al is one of the second element groups of the Pb-free solder alloy of the present invention and is an essential element. Since Al is highly reducible, when it is contained in a small amount in Bi-based solder, it oxidizes itself or reduces the Bi matrix, thereby improving the wettability of the solder. Furthermore, Al is a very soft metal and has an effect of improving workability. However, since Al has its strong reducing ability, if the content is increased, a strong oxide film is formed on the solder surface to drastically reduce wettability, and the amount of Al dissolved in Bi is very small. For this reason, it is segregated and the reliability is lowered. In order to fully exhibit the reducibility and flexibility of Al, it is necessary to give sufficient consideration to its content.
That is, the optimal Al content is 0.02 mass% or more and 3.00 mass% or less. If it is less than 0.02% by mass, the effect of Al is not exhibited. If it exceeds 3.00% by mass, good bonding becomes difficult for the above reason. In particular, if the Al content is 0.03% by mass or more and 1.00% by mass or less, the effect of reducing properties and flexibility can be exhibited in a balanced manner, which is further preferable.

<Ge>
Geは本発明のPbフリーはんだ合金において必須の第三元素である。Geは本発明のはんだ組成において、濡れ性向上の効果を発揮するとともにBiの脆さを改善する役割も果たす。即ち、GeはBiやZn、Alとは殆ど合金を作らないが、はんだ溶融後に冷却されて固まる際に、まず溶融はんだ中のGeが析出し、これが核となってはんだの結晶微細化に寄与し、加工性を向上させる。一方ではんだにZnが含有している場合、GeはZnと共晶合金を作り、特にZn−Geの共晶組成(Zn−6質量%Ge)付近において結晶を微細化し、加工性を向上させる効果を持つ。
<Ge>
Ge is an essential third element in the Pb-free solder alloy of the present invention. In the solder composition of the present invention, Ge exhibits the effect of improving the wettability and also plays the role of improving the brittleness of Bi. In other words, Ge hardly forms an alloy with Bi, Zn, or Al, but when cooled and solidified after the solder is melted, Ge in the molten solder first precipitates, which serves as a nucleus and contributes to the refinement of the solder crystal. And improve workability. On the other hand, when the solder contains Zn, Ge forms a eutectic alloy with Zn, and refines the crystal especially in the vicinity of the eutectic composition of Zn-Ge (Zn-6 mass% Ge) to improve workability. Has an effect.

Geの効果は加工性向上だけに留まらず、本発明のはんだ組成においてはむしろ濡れ性向上効果こそGeに最も期待する効果である。Geを含有させることにより濡れ性が格段に向上するわけであるが、この理由は次のとおりである。
すなわち、GeはBiよりも酸化し易いため自らが酸化することによってはんだ母材の酸化を防ぎ、加えてGeがBiよりも比重が小さいため(比重:Ge=5.4、Bi=9.8)、溶融時にはんだ表面に表出し易く、少量の含有量で還元効果を発揮できるからである。すなわちGeのように溶融はんだ表面に表出しやすく少量の含有量で効果が発揮できると、はんだ中の残留量が多くなり過ぎて他の金属と脆性な金属間化合物などを生成するなどの心配がないのである。
The effect of Ge is not limited to improving workability. In the solder composition of the present invention, the effect of improving wettability is the most expected effect for Ge. By including Ge, the wettability is remarkably improved. The reason for this is as follows.
That is, since Ge is easier to oxidize than Bi, it oxidizes itself to prevent oxidation of the solder base material. In addition, Ge has a lower specific gravity than Bi (specific gravity: Ge = 5.4, Bi = 9.8). This is because it is easy to be exposed on the solder surface during melting, and a reducing effect can be exhibited with a small amount. In other words, if it is easy to be exposed on the surface of the molten solder like Ge and the effect can be exerted with a small amount of content, there is a concern that the residual amount in the solder will increase so much that other metals and brittle intermetallic compounds are generated. There is no.

このような濡れ性や加工性の向上効果を有するGeの含有量は僅かである方が好ましく、具体的には0.001質量%以上1.000質量%以下であり、好ましくは0.003質量%以上0.500質量%以下である。既に述べたようにGeの役割は、溶融はんだ表面に表出しやすい性質と還元効果による濡れ性の向上であったり、はんだの結晶微細化の核であったり、添加元素の1つであるZnとの共晶組成付近での微細化であったりする。このため、多量に添加する必要はないのであるが、Geの含有量が0.001質量%未満では、含有量が少なすぎてこれらの効果が得られない。また、含有量が1.000質量%より多くなると、Ge自身の核が大きくなって微結晶化しなかったり、Znとの共晶組成から大きくずれてしまったり、Geの酸化膜が厚くなり過ぎたりするため好ましくない。さらに好ましくは0.003質量%以上0.500質量%以下であり、この範囲内であればさらにGeの有する優れた効果を発揮しやすい。   The content of Ge having such an effect of improving wettability and workability is preferably small, specifically 0.001% by mass or more and 1.000% by mass or less, preferably 0.003% by mass. % Or more and 0.500 mass% or less. As already stated, the role of Ge is to improve the wettability due to the property of being easily exposed on the surface of the molten solder and the reduction effect, the core of solder crystal refinement, and Zn as one of the additive elements. Or refinement in the vicinity of the eutectic composition. For this reason, it is not necessary to add a large amount, but if the Ge content is less than 0.001% by mass, the content is too small to obtain these effects. Further, when the content exceeds 1.000 mass%, the nucleus of Ge itself becomes large and does not crystallize, deviates greatly from the eutectic composition with Zn, or the Ge oxide film becomes too thick. Therefore, it is not preferable. More preferably, it is 0.003 mass% or more and 0.500 mass% or less, and if it is in this range, the excellent effect of Ge is easily exhibited.

<Zn>
ZnはAlと共に本発明のPbフリーはんだ合金の第二元素群の1つであり、NiとBiの過剰反応を抑制するというAlと同様の重要な効果を有する元素であり、Alの効果を補足するため必要に応じて添加する。ただし、Znは蒸気圧が高く、Alなどに比較すると組成バラツキを起こし易かったり、製造時の作業環境を悪化させたりしてしまうため、Alの効果を補助する形で添加すればよく、このため、必須としない元素である。さらにZnはAlより酸化しづらいが、含有量によってははんだの濡れ性は下げてしまう。この理由はZnが酸素との反応性がAlよりも高いためではないかと推測している。いずれにしても濡れ性向上が課題の一つであるから、濡れ性を低下させる可能性を有するZnは添加しなくて済むのであれば添加しない。当然、ZnはBiよりもNiとの反応性に富むわけでありBi−Niの反応抑制効果を有するため、濡れ性や製造上の問題が起こらない範囲であれば、Znを添加した方がよい。
<Zn>
Zn, together with Al, is one of the second element groups of the Pb-free solder alloy of the present invention, and is an element having the same important effect as Al that suppresses excessive reaction between Ni and Bi, and supplements the effect of Al. Therefore, add as necessary. However, Zn has a high vapor pressure, and it is easy to cause compositional variation compared to Al or the like, or the working environment at the time of manufacture is deteriorated. Therefore, it may be added in a form that assists the effect of Al. It is an element that is not essential. Furthermore, Zn is harder to oxidize than Al, but depending on the content, solder wettability is lowered. It is speculated that this is because Zn is more reactive with oxygen than Al. In any case, since improvement of wettability is one of the problems, Zn having the possibility of reducing wettability is not added if it is not necessary to add it. Naturally, Zn is more reactive with Ni than Bi and has a Bi-Ni reaction suppressing effect, so it is better to add Zn if wettability and manufacturing problems do not occur. .

ZnがBiとNiの過剰反応を抑制し、Bi中へのNiの拡散を抑制する効果についてさらに詳しく述べる。この効果は、Niとの反応においてZnはBiよりも反応性が高く、Ni層の表面に薄いZn−Ni層を作り、これがバリアとなってNiとBiの過剰反応を抑えることによるものである。その結果、脆いBi−Ni合金が生成されず、更にはNiがBi中に拡散することもないため、強固な接合性を実現することができるのである。
加えて、ZnにはBiの加工性を向上させる効果も期待できる。即ち、BiにZnを添加することによって、はんだ組成が微結晶化してBiの脆さを克服することができるうえ、Bi中にZnが固溶することで加工性が改善される。特にZnをBiとの共晶点よりも多く添加すれば、Znリッチな相が発現されることになって、より一層加工性が向上する。
The effect of Zn suppressing the excessive reaction between Bi and Ni and suppressing the diffusion of Ni into Bi will be described in more detail. This effect is due to the fact that Zn is more reactive than Bi in the reaction with Ni, and a thin Zn—Ni layer is formed on the surface of the Ni layer, which acts as a barrier to suppress excessive reaction between Ni and Bi. . As a result, a brittle Bi—Ni alloy is not generated, and further, Ni does not diffuse into Bi, so that strong bondability can be realized.
In addition, Zn can also be expected to improve the workability of Bi. That is, by adding Zn to Bi, the solder composition can be microcrystallized to overcome the brittleness of Bi, and the workability is improved by dissolving Zn in Bi. In particular, if Zn is added in a larger amount than the eutectic point with Bi, a Zn-rich phase is expressed, and the workability is further improved.

Znを含有させる場合の量は、半導体素子や基板に設けたNi層の厚さ、リフロー温度やリフロー時間等に左右されるものの、概ね0.2質量%以上13.5質量%以下である。その理由は、Znの含有量が0.2質量%未満では、NiとBiの反応やBi中へのNiの拡散の抑制が不十分であったり、NiとBiの反応やBi中へのNi拡散の抑制にZnが消費されて良好な加工性が得られなかったりするためである。
一方、Znの含有量が13.5質量%を超えると、液相線温度が400℃を超えてしまうため、良好な接合ができなくなる。更に、Bi−Znの共晶組成付近、即ちZnの含有量が0.4質量%以上5.0質量以下の範囲では、Niの拡散抑制効果、加工性の向上効果、融点などの諸特性のバランスがとれた状態となるため、より一層好ましい。
The amount in the case of containing Zn is generally 0.2% by mass or more and 13.5% by mass or less although it depends on the thickness of the Ni layer provided on the semiconductor element or the substrate, the reflow temperature, the reflow time, and the like. The reason is that when the Zn content is less than 0.2% by mass, the reaction between Ni and Bi and the diffusion of Ni into Bi are not sufficiently suppressed, the reaction between Ni and Bi, and the Ni into Bi. This is because Zn is consumed for suppressing diffusion and good workability cannot be obtained.
On the other hand, when the Zn content exceeds 13.5% by mass, the liquidus temperature exceeds 400 ° C., and thus good bonding cannot be performed. Further, in the vicinity of the eutectic composition of Bi—Zn, that is, in the range where the Zn content is 0.4 mass% or more and 5.0 mass or less, various properties such as Ni diffusion suppression effect, workability improvement effect, melting point, etc. Since it will be in the state where the balance was taken, it is still more preferable.

<P>
Pは必要に応じて添加することによって、本発明のPbフリーはんだ合金の濡れ性及び接合性を更に向上させる効果を有している。Pの添加により濡れ性向上の効果が大きくなる理由は、Pは還元性が強く、自ら酸化してはんだ合金表面の酸化を抑制することによる。当然、Geを含有させることによってはんだの濡れ性が問題ないレベルにあれば、敢えてPを含有させる必要はない。Pは還元性が強く、自らが酸化した後に気化してはんだ中に残存しないという非常に優れた面を持つ一方、Bi系はんだ中に安定して含有させることに工夫を要する。すなわち、Pは発火しやすいため、例えば不活性ガス中ではんだ原料を溶解してもわずかに存在する酸素と反応し、はんだ中に安定して残りづらいのである。さらにPはBiなどの金属より比重が小さく、溶融金属中で表面に浮いてしまうことも発火のし易さに繋がっており、Pをはんだ中に使用しづらい要因となっている。したがって、このようなはんだ中に含有させ易かったり、組成バラツキ等が少ないGeの方が使用し易い。当然、Pの場合は含有量がばらついていてもある適量範囲に入っていれば、接合時に大部分は気化してしまうため、問題にならないことも多く、コスト面から考えればPの方が安価であり有利である。従って、状況に応じて、Pを含有させた方がメリットが大きい場合に含有させればよい。
<P>
P is added as necessary, and has the effect of further improving the wettability and bondability of the Pb-free solder alloy of the present invention. The reason why the effect of improving wettability is increased by the addition of P is that P is highly reducible and is oxidized by itself to suppress oxidation of the solder alloy surface. Of course, if the wettability of the solder is at a level where there is no problem by containing Ge, there is no need to dare to contain P. P has a strong reducibility and has a very excellent surface that it vaporizes after being oxidized and does not remain in the solder. On the other hand, it is necessary to devise stable incorporation in the Bi-based solder. That is, since P is easily ignited, for example, even if the solder raw material is dissolved in an inert gas, it reacts with a slight amount of oxygen and is difficult to remain stably in the solder. Furthermore, P has a specific gravity smaller than that of metals such as Bi, and floating on the surface in molten metal also leads to the ease of ignition, which makes it difficult to use P in solder. Therefore, Ge that is easy to be contained in such solder or has less composition variation is easier to use. Of course, in the case of P, if it is in an appropriate amount range even if the content varies, most of it will be vaporized at the time of joining, so there is often no problem, and P is cheaper in terms of cost. It is advantageous. Therefore, depending on the situation, it may be contained when P is more beneficial.

更に、Pを含有させるメリットとして、はんだの接合時にボイドの発生を低減させる効果を挙げることができる。即ち、前述したようにPは自らが酸化しやすいため、接合時にはんだの主成分であるBiよりも、更にはZnよりも優先的に酸化が進む。その結果、はんだ母相の表面酸化を防ぎ、気泡を包み込むようなことなく接合できるとともに濡れ性を確保することができるため、良好な接合が可能となり、ボイドの生成は起こり難くなるのである。
尚、Pは前述したように非常に還元性が強いため、微量の添加でも濡れ性向上の効果を発揮する。逆に、ある量以上になると添加しても濡れ性向上の効果は変わらず、過剰な添加ではPの酸化物がはんだ表面に生成されたり、Pが脆弱な相を作り脆化したりする恐れがある。従って、Pを添加する場合、その添加量は微量であることが好ましい。
具体的には、本発明のPbフリーはんだ合金におけるPの含有量は、0.500質量%以下とすることが好ましい。Pの含有量が0.500質量%を超えると、Pの酸化物がはんだ表面を覆い、逆に濡れ性を低下させる恐れがある。更に、PはBiへの固溶量が非常に少ないため、含有量が多いと脆いP酸化物が偏析するなどして信頼性を低下させる。特にワイヤに加工する場合には断線の原因になりやすいことを確認している。ただし、Pの含有量が0.001質量%より少なくなると、期待する還元効果が得られない場合がある。
Furthermore, as an advantage of containing P, an effect of reducing the generation of voids at the time of soldering can be given. That is, as described above, since P easily oxidizes itself, the oxidation proceeds more preferentially than Bi, which is the main component of the solder, than Zn. As a result, it is possible to prevent the surface oxidation of the solder mother phase and to join without enclosing bubbles, and to ensure wettability, so that good joining is possible and void formation hardly occurs.
In addition, since P is very reducible as described above, the effect of improving wettability is exhibited even when a small amount is added. On the other hand, when the amount exceeds a certain amount, the effect of improving wettability does not change, and excessive addition may cause P oxide to be generated on the solder surface, or P to form a brittle phase and become brittle. is there. Therefore, when adding P, it is preferable that the addition amount is a trace amount.
Specifically, the P content in the Pb-free solder alloy of the present invention is preferably 0.500% by mass or less. If the P content exceeds 0.500% by mass, the P oxide may cover the solder surface and conversely reduce wettability. Furthermore, since P has a very small amount of solid solution in Bi, if the content is large, brittle P oxide is segregated, and reliability is lowered. In particular, it has been confirmed that wire breakage is likely to occur when processing into a wire. However, if the P content is less than 0.001% by mass, the expected reduction effect may not be obtained.

<Ag>
Agは本発明の第四元素群の一つであり、上記したPと同様に、必要に応じて添加することによって、はんだ合金の濡れ性及び接合性を更に向上させることができる。Agは半導体パッケージやCu基板の最上層に形成されることからも分かるように濡れ性向上の効果が大きく、本発明においてもAgの添加は濡れ性の向上を目的としている。即ち、Agは酸化し難く、はんだ表面の酸化を防ぐことによって濡れ性を向上させる。従って、濡れ性が不足する場合、Agの添加により濡れ性を向上させることができる。
一方、AgはBiとNiの過剰反応を促進してしまうため、添加量には十分配慮しなければならない。Agは濡れを向上させ、はんだと半導体パッケージ等の接合面を合金化しやすくするが、このためにBiとNiの過剰反応も進み易くなると考えられる。しかし、適切な量の含有であれば、BiとNiの過剰反応が抑制された状態で、同時に濡れ性を向上させることが可能となる。
<Ag>
Ag is one of the fourth element groups of the present invention, and as with P described above, the wettability and bondability of the solder alloy can be further improved by adding as necessary. As can be seen from the fact that Ag is formed in the uppermost layer of a semiconductor package or a Cu substrate, the effect of improving wettability is great. In the present invention, addition of Ag is aimed at improving wettability. That is, Ag is difficult to oxidize and improves wettability by preventing oxidation of the solder surface. Therefore, when the wettability is insufficient, the wettability can be improved by adding Ag.
On the other hand, since Ag promotes an excessive reaction between Bi and Ni, the added amount must be sufficiently considered. Ag improves wettability and facilitates alloying of the joint surface between the solder and the semiconductor package, etc., but it is considered that excessive reaction between Bi and Ni is also facilitated. However, if it is contained in an appropriate amount, wettability can be improved at the same time while an excessive reaction between Bi and Ni is suppressed.

具体的には、本発明のPbフリーはんだ合金におけるAgの含有量は、3.00質量%以下とすることが好ましい。Agの含有量が3.00質量%を超えると、ZnやAlが多量に添加されていたとしても、BiとNiの反応が進み、脆いBi−Ni合金を生成したり、NiがBi中に拡散したりする恐れがある。ただし、Agの含有量が0.01質量%より少なくなると、期待する還元効果が得られない場合がある。   Specifically, the Ag content in the Pb-free solder alloy of the present invention is preferably 3.00% by mass or less. When the Ag content exceeds 3.00% by mass, even if a large amount of Zn or Al is added, the reaction between Bi and Ni proceeds to form a brittle Bi—Ni alloy, or Ni is contained in Bi. There is a risk of spreading. However, if the Ag content is less than 0.01% by mass, the expected reduction effect may not be obtained.

<Cu>
CuはAgとともに本発明の第四元素群の一つであり、その効果はAgと同様であり、必要に応じて添加することによって、はんだ合金の濡れ性及び接合性を更に向上させることができる。CuはBiより酸化しづらい。さらにBiより比重が小さく(比重:Cu=8.9、Bi=9.8)、Bi中への固溶量も少ないため、はんだ溶融時には比較的はんだ表面付近に存在する。これらの要因によってはんだ表面の酸化を抑制し濡れ性を向上させるのである。Cuの含有量は0.01質量%以上1.8質量%以下が適当である。Cuの含有量が0.01質量%未満だと含有量が少なすぎてCuの効果が表れず、1.8質量%を超えてしまうと偏析等を起こしてしまい接合性を低下させてしまう。
<Cu>
Cu is one of the fourth element groups of the present invention together with Ag, and the effect thereof is the same as that of Ag. By adding it as necessary, the wettability and bondability of the solder alloy can be further improved. . Cu is harder to oxidize than Bi. Furthermore, since the specific gravity is smaller than Bi (specific gravity: Cu = 8.9, Bi = 9.8) and the amount of solid solution in Bi is small, it exists relatively near the solder surface when solder is melted. These factors suppress the oxidation of the solder surface and improve the wettability. The Cu content is suitably 0.01% by mass or more and 1.8% by mass or less. If the Cu content is less than 0.01% by mass, the Cu content is too small to exhibit the effect of Cu. If the Cu content exceeds 1.8% by mass, segregation or the like occurs and the bonding property is deteriorated.

次に実施例と比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。
先ず、原料として、それぞれ純度99.9質量%以上のBi、Zn、Al、Ge、Ag、Cu及びPを準備した。大きな薄片やバルク状の原料については、溶解後の合金においてサンプリング場所による組成のバラツキがなく、均一になるように留意しながら切断及び粉砕等を行い、3mm以下の大きさに細かくした。
Next, the present invention will be specifically described with reference to examples and comparative examples.
First, Bi, Zn, Al, Ge, Ag, Cu and P having a purity of 99.9% by mass or more were prepared as raw materials. Large flakes and bulk-shaped raw materials were cut and crushed so as to be uniform, taking into account that there was no variation in composition depending on the sampling location in the alloy after melting, and the size was reduced to 3 mm or less.

次に、これらの各原料金属から所定量を秤量して、高周波溶解炉用のグラファイトるつぼに入れた。るつぼを高周波溶解炉に入れ、酸化を抑制するために窒素を原料1kg当たり0.7リットル/分以上の流量で流し、この状態で溶解炉の電源を入れて原料を加熱溶融させた。原料が溶融しはじめたら混合棒でよく撹拌し、局所的な組成のばらつきが起きないように均一に混合した。十分溶融したことを確認した後、高周波電源を切り、速やかにるつぼを取り出し、るつぼ内の溶湯をはんだ合金用の鋳型に流し込んだ。鋳型としては、はんだ合金の製造の際に一般的に使用されている形状と同様のものを使用した。   Next, a predetermined amount was weighed from each of these raw materials and put into a graphite crucible for a high-frequency melting furnace. The crucible was placed in a high-frequency melting furnace, and nitrogen was flowed at a flow rate of 0.7 liter / min or more per kg of raw material in order to suppress oxidation. In this state, the melting furnace was turned on to heat and melt the raw material. When the raw material began to melt, it was thoroughly stirred with a mixing rod and mixed uniformly so as not to cause local compositional variations. After confirming sufficient melting, the high frequency power supply was turned off, the crucible was quickly removed, and the molten metal in the crucible was poured into a solder alloy mold. As the mold, a mold having the same shape as that generally used in the production of a solder alloy was used.

このようにして試料1〜22の各はんだ合金を作製した。得られた試料1〜22の各はんだ合金について、それぞれ組成をICP発光分光分析器(SHIMAZU製、S−8100)を用いて分析した。さらに示差走査熱量計(島津製作所製、型式:DSC−60)によって各試料の固相線温度を測定した。得られた分析結果を下記表1に示した。   Thus, each solder alloy of samples 1-22 was produced. The composition of each of the obtained solder alloys of Samples 1 to 22 was analyzed using an ICP emission spectroscopic analyzer (manufactured by SHIMAZU, S-8100). Furthermore, the solidus temperature of each sample was measured with a differential scanning calorimeter (manufactured by Shimadzu Corporation, model: DSC-60). The analysis results obtained are shown in Table 1 below.

次に、上記表1に示す試料1〜22の各はんだ合金に対して、下記に示すワイヤ加工性の評価、濡れ性評価(接合性評価)、EPMAライン分析(Ni拡散防止効果の評価)、及びヒートサイクル試験、及び最適リフロー温度の測定を行った。
尚、はんだの濡れ性や接合性等の評価については、通常はんだ形状に依存しないため、ワイヤ、ボール、ペーストなどいずれの形状で評価してもよいが、本実施例ではワイヤに成形して評価した。
Next, for each of the solder alloys of Samples 1 to 22 shown in Table 1 above, evaluation of wire processability, wettability evaluation (bondability evaluation), EPMA line analysis (evaluation of Ni diffusion prevention effect), In addition, a heat cycle test and an optimum reflow temperature were measured.
Note that the evaluation of solder wettability and bondability does not usually depend on the shape of the solder, so any shape such as a wire, a ball, or a paste may be evaluated. did.

<ワイヤ加工性の評価>
上記表1に示す試料1〜22の各はんだ合金を、予め各はんだ組成に適した温度に加熱した押出機を使用し、油圧で圧力を上げて外径0.70mmのワイヤに加工した。押出機出口から押し出されるワイヤ状のはんだは、まだ熱く酸化が進行し易いため、押出機出口は密閉構造とし、その内部に不活性ガスを流すことにより、可能な限り酸素濃度を下げて酸化が進まないようにした。ワイヤの押出速度は市販のはんだワイヤが切れたり変形したりしないように予め調整しておいた通常の速度(17m/分)とし、同時に自動巻取機を用いて同じ速度で巻き取るようにした。
このようにしてワイヤ状に加工すると共に自動巻取機で70mを巻き取ったとき、1度も断線しなかった場合を「○」、1〜3回断線した場合を「△」、4回以上断線した場合を「×」としてワイヤ加工性を評価した。
<Evaluation of wire workability>
Each solder alloy of Samples 1 to 22 shown in Table 1 above was processed into a wire having an outer diameter of 0.70 mm by using an extruder preheated to a temperature suitable for each solder composition and increasing the pressure with hydraulic pressure. The wire-like solder extruded from the extruder outlet is still hot and easily oxidized, so the outlet of the extruder has a sealed structure, and by flowing an inert gas inside it, the oxygen concentration is lowered as much as possible to oxidize. I didn't go forward. The extrusion speed of the wire was set to a normal speed (17 m / min) that was adjusted in advance so that the commercially available solder wire was not cut or deformed, and at the same time, it was wound at the same speed using an automatic winder. .
In this way, when processing into a wire shape and winding 70 m with an automatic winder, “○” indicates that the wire has not been broken once, “Δ” indicates that the wire has been broken 1-3 times, “Δ”, 4 times or more The wire workability was evaluated with “×” when the wire was disconnected.

<濡れ性評価(接合性評価)>
濡れ性試験機(装置名:雰囲気制御式濡れ性試験機を起動し、ヒーター部分に2重のカバーをしてヒーター部の周囲4箇所から窒素を流した(窒素流量:各12リットル/分)。その後、ヒーター設定温度を340℃にして加熱した。340℃に設定したヒーター温度が安定した後、表面にNiめっき層(膜厚:0.4μm)を備えたCu基板(板厚:約0.70mm)をヒーター部にセットして25秒間加熱した。
次に、この加熱したCu基板の上に各はんだ合金を載せ、25秒間加熱した。加熱が完了した後、Cu基板をヒーター部から取り上げ、その横の窒素雰囲気が保たれている場所に一旦設置して冷却した。十分に冷却させた後、大気中に取り出して接合部分を目視により確認した。
目視確認により、はんだ合金がCu基板に接合できなかった場合を「×」、接合できたが濡れ広がりが悪かった場合(はんだが盛り上がった状態)を「△」、接合でき且つ濡れ広がった場合(はんだが薄く濡れ広がった状態)を「○」として濡れ性を評価した。
<Wettability evaluation (bondability evaluation)>
Wetability tester (Device name: Atmosphere controlled wettability tester was started, a double cover was applied to the heater part, and nitrogen was flowed from four locations around the heater part (nitrogen flow rate: 12 l / min each) After that, the heater was set at a heater set temperature of 340 ° C. After the heater temperature set at 340 ° C. was stabilized, a Cu substrate having a Ni plating layer (film thickness: 0.4 μm) on the surface (plate thickness: about 0) .70 mm) was set in the heater section and heated for 25 seconds.
Next, each solder alloy was placed on the heated Cu substrate and heated for 25 seconds. After the heating was completed, the Cu substrate was taken up from the heater part, and once installed in a place where the nitrogen atmosphere next to it was kept, it was cooled. After sufficiently cooling, it was taken out into the atmosphere and the joint portion was visually confirmed.
According to visual confirmation, “x” indicates that the solder alloy could not be bonded to the Cu substrate, “△” indicates that the solder alloy was bonded but the wet spread was poor (the solder was swelled), and was able to be bonded and spread wet ( The state where the solder was thinly spread and wet) was evaluated as “◯”, and the wettability was evaluated.

<EPMAライン分析(Ni拡散防止効果の評価)>
Cu基板に設けたNiめっき層がBiと反応して薄くなったり、NiがBi中に拡散したりしていないか確認するため、EPMAによるライン分析を行った。尚、EPMAライン分析は、上記濡れ性評価と同様にして得た試料1〜22のうち、はんだ合金が接合されたCu基板を用いて行った。
即ち、上記濡れ性評価の場合と同様にして得た試料17、19を除く、試料1〜22のはんだ合金が接合された各Cu基板を樹脂に埋め込み、研磨機により粗い研磨紙から順に細かいものを用いて研磨し、最後にバフ研磨を行った。その後、EPMA(SHIMADZU製、EPMA−1600)を用いてライン分析を行い、Niの拡散状態等を調べた。
測定方法は、はんだ合金が接合されたCu基板の断面を見たときのCu基板とNi層の接合面を原点0とし、はんだ側をプラス方向とした。測定においては、任意に5箇所を測定して最も平均的なものを採用した。この測定結果とNiのはんだ中への拡散状態から、Ni層が反応して明らかに薄くなっているか、Niがはんだ中に拡散していたりする場合を「×」、Ni層の厚みが初期状態とほとんど変わらず、Niがはんだ中に拡散していない場合を「○」としてNi拡散防止効果を評価した。
<EPMA line analysis (evaluation of Ni diffusion prevention effect)>
In order to confirm whether the Ni plating layer provided on the Cu substrate was thinned by reacting with Bi or Ni was not diffused into Bi, line analysis by EPMA was performed. In addition, EPMA line analysis was performed using Cu board | substrate with which the solder alloy was joined among the samples 1-22 obtained similarly to the said wettability evaluation.
That is, except for samples 17 and 19 obtained in the same manner as in the case of the wettability evaluation, each Cu substrate to which the solder alloys of samples 1 to 22 are bonded is embedded in a resin, and finer ones in order from coarse abrasive paper by a polishing machine. And finally buffed. Thereafter, line analysis was performed using EPMA (manufactured by SHIMADZU, EPMA-1600) to examine the diffusion state of Ni and the like.
The measurement method was such that when the cross section of the Cu substrate to which the solder alloy was bonded was viewed, the bonding surface of the Cu substrate and the Ni layer was set to the origin 0, and the solder side was set to the plus direction. In the measurement, five points were arbitrarily measured and the average one was adopted. From this measurement result and the state of diffusion of Ni into the solder, the case where the Ni layer reacts and is clearly thinned, or Ni is diffused into the solder is “x”, the thickness of the Ni layer is the initial state The case where Ni was not diffused in the solder was evaluated as “◯”, and the Ni diffusion preventing effect was evaluated.

<ヒートサイクル試験>
はんだ接合の信頼性を評価するために、ヒートサイクル試験を行った。尚、このヒートサイクル試験は、上記濡れ性評価と同様にして得た試料17、19、21を除く、試料1〜21の各はんだ合金が接合されたCu基板を用いて行った。即ち、はんだ合金が接合された各Cu基板に対して、−50℃の冷却と+125℃の加熱を1サイクルとし、このサイクルを300回と500回繰り返した。
上記ヒートサイクル試験終了後、はんだ合金が接合された各Cu基板を樹脂に埋め込み、断面研磨を行い、SEM(HITACHI製、S−4800)により接合面の観察を行った。
接合面に剥がれが生じるか、はんだにクラックが入っていた場合を「×」、そのような不良がなく、初期状態と同様の接合面を保っていた場合を「○」とした。
<Heat cycle test>
In order to evaluate the reliability of solder joints, a heat cycle test was conducted. In addition, this heat cycle test was performed using Cu board | substrate with which each solder alloy of Samples 1-21 except Sample 17, 19, 21 obtained similarly to the said wettability evaluation was joined. That is, with respect to each Cu board | substrate with which the solder alloy was joined, -50 degreeC cooling and +125 degreeC heating were made into 1 cycle, and this cycle was repeated 300 times and 500 times.
After completion of the heat cycle test, each Cu substrate to which the solder alloy was bonded was embedded in a resin, cross-section polishing was performed, and the bonded surface was observed with SEM (manufactured by HITACHI, S-4800).
The case where peeling occurred on the joint surface or the solder was cracked was indicated as “X”, and the case where there was no such defect and the same joint surface as in the initial state was indicated as “◯”.

上記の結果から分かるように、本発明による試料1〜15の各はんだ合金は、各評価項目において良好な特性を示している。即ち、ワイヤに加工しても、切れることなく自動巻取ができ、良好な加工性を有していた。また、試料1〜15の各はんだ合金は、全て濡れ性も非常に良好であり、Cu基板上に薄く濡れ広がった。更に、Niの拡散はなく、信頼性に関するヒートサイクル試験においても500回経過後も不良は現れず、良好な結果が得られた。   As can be seen from the above results, each of the solder alloys of Samples 1 to 15 according to the present invention exhibits good characteristics in each evaluation item. That is, even if it was processed into a wire, it could be automatically wound without being cut and had good workability. In addition, each of the solder alloys of Samples 1 to 15 had very good wettability, and thinly spread on the Cu substrate. Furthermore, there was no diffusion of Ni, and no defect appeared even after 500 times in the heat cycle test relating to reliability, and good results were obtained.

一方、比較例である試料16〜22の各はんだ合金は、ワイヤへの加工性、濡れ性、EPMAライン分析(Ni拡散防止効果)及びヒートサイクル試験をいずれか2つ以上において好ましくない結果となった。特に試料18、19、22は濡れ性が非常に悪く、Cu基板に接合できなかったため、EPMAライン分析とヒートサイクル試験を行わなかった。またヒートサイクル試験を行った試料16、17、20、21の各はんだ合金においても、全て300回までに不良が発生した。   On the other hand, each solder alloy of Samples 16 to 22 as a comparative example has undesirable results in any two or more of wire workability, wettability, EPMA line analysis (Ni diffusion prevention effect) and heat cycle test. It was. In particular, samples 18, 19, and 22 were very poor in wettability and could not be bonded to the Cu substrate, so EPMA line analysis and heat cycle tests were not performed. Also, in each of the solder alloys of Samples 16, 17, 20, and 21 that were subjected to the heat cycle test, defects occurred up to 300 times.

Claims (6)

0.02質量%以上3.00質量%以下のAl及び0.001質量%以上1.000質量%以下のGeを含み、残部がBi及び不可避的不純物からなることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。   A lead-free solder alloy characterized by containing 0.02 mass% or more and 3.00 mass% or less of Al and 0.001 mass% or more and 1.000 mass% or less of Ge, with the balance being Bi and inevitable impurities . Al含有量が0.03質量%以上1.00質量%以下で、Ge含有量が0.003質量%以上0.500質量%以下で、残部がBi及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項1に記載の鉛フリーはんだ合金。   The Al content is 0.03% by mass or more and 1.00% by mass or less, the Ge content is 0.003% by mass or more and 0.50% by mass or less, and the balance is composed of Bi and inevitable impurities. The lead-free solder alloy according to claim 1. 0.03質量%以上1.00質量%以下のAl、0.003質量%以上0.500質量%以下のGeを含み、さらに0.01質量%以上3.00質量%以下のAgもしくは0.01質量%以上1.8質量%以下のCuのうち少なくとも1種を含み、残部がBi及び不可避的不純物からなることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。   0.03 mass% or more and 1.00 mass% or less of Al, 0.003 mass% or more and 0.500 mass% or less of Ge, and 0.01 mass% or more and 3.00 mass% or less of Ag or 0.003 mass% or less. A lead-free solder alloy comprising at least one of Cu of 01 mass% or more and 1.8 mass% or less, the balance being Bi and inevitable impurities. 0.02質量%以上3.00質量%以下のAl、0.2質量%以上13.5質量%以下のZn、および0.001質量%以上1.000質量%以下のGeを含み、残部がBi及び不可避的不純物からなることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。   0.02% by mass to 3.00% by mass of Al, 0.2% by mass to 13.5% by mass of Zn, and 0.001% by mass to 1.000% by mass of Ge, with the balance being A lead-free solder alloy comprising Bi and inevitable impurities. 0.03質量%以上1.00質量%以下のAl、0.4質量%以上5.0質量%以下のZn、0.003質量%以上0.500質量%以下のGeを含み、さらに0.01質量%以上3.00質量%以下のAgもしくは0.01質量%以上1.8質量%以下のCuのうち少なくとも1種を含み、残部がBi及び不可避的不純物からなることを特徴とする鉛フリーはんだ合金。   0.03% by mass to 1.00% by mass of Al, 0.4% by mass to 5.0% by mass of Zn, 0.003% by mass to 0.500% by mass of Ge, Lead containing at least one of Ag of not less than 01% by mass and not more than 3.00% by mass or Cu of not less than 0.01% by mass and not more than 1.8% by mass, the balance being made of Bi and inevitable impurities Free solder alloy. 0.500質量%未満のPを含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の鉛フリーはんだ合金。   The lead-free solder alloy according to any one of claims 1 to 5, characterized by containing P of less than 0.500 mass%.
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