JP2013021527A - Sensitivity-temperature characteristic adjustment circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、対象となる物理量に応じた値の電圧信号を出力するセンサの感度温度特性を調整する感度温度特性調整回路に関する。 The present invention relates to a sensitivity temperature characteristic adjustment circuit that adjusts a sensitivity temperature characteristic of a sensor that outputs a voltage signal having a value corresponding to a target physical quantity.
従来より、対象となる物理量に応じた値の電圧信号を出力するセンサと接続されて、このセンサの感度温度特性を調整する感度温度特性調整回路が知られている。例えば、特許文献1に記載されたセンサ用温度特性補正回路装置は、感度温度係数(感度温度特性)調整回路に加えて、センサ部(圧力センサ)の感度を補正する感度調整回路と、感度調整回路のゲイン(増幅率)を切り換えるためのアナログスイッチとを備えている。また、このセンサ用温度特性補正回路装置は、上記の感度温度係数調整回路内のオペアンプの入力抵抗値と帰還抵抗値の比を切り換えることにより、感度温度係数調整回路のゲイン温度特性(増幅率の温度特性)を切り換えるためのアナログスイッチを備えている。
Conventionally, there is known a sensitivity temperature characteristic adjustment circuit that is connected to a sensor that outputs a voltage signal having a value corresponding to a target physical quantity and adjusts the sensitivity temperature characteristic of the sensor. For example, a sensor temperature characteristic correction circuit device described in
上記のセンサ部に物理量(外部からの圧力)が加わると、センサ部から物理量に応じた値の電圧信号が出力される。上記の温度特性補正回路装置は、この電圧信号を、上記の感度調整回路及び感度温度係数調整回路を用いて補正し、補正後の電圧信号を出力する。これにより、センサ部を構成する回路素子のばらつきに起因して、センサ部の感度や感度温度特性が変化した場合でも、ラッチメモリ等からの出力信号でアナログスイッチを切り換えることにより、センサ部の感度をほぼ一定に保てる。 When a physical quantity (external pressure) is applied to the sensor unit, a voltage signal having a value corresponding to the physical quantity is output from the sensor unit. The temperature characteristic correction circuit device corrects the voltage signal using the sensitivity adjustment circuit and the sensitivity temperature coefficient adjustment circuit, and outputs a corrected voltage signal. As a result, even if the sensitivity or sensitivity temperature characteristics of the sensor unit changes due to variations in the circuit elements constituting the sensor unit, the sensitivity of the sensor unit can be changed by switching the analog switch with an output signal from a latch memory or the like. Can be kept almost constant.
しかし、上記のセンサ部の感度温度特性を補正するために、感度温度係数調整回路のゲイン温度特性(抵抗温度係数)をアナログスイッチで切り換えた場合には、この回路内の入力抵抗値と帰還抵抗値の比も変化するため、この回路のゲインの値が変化してしまう。このため、この感度温度係数調整回路を有する温度特性補正回路装置全体のゲインの値が変化してしまう。従って、たとえ事前に感度調整回路によりセンサ部の感度(装置全体のゲイン)の調整が完了していたとしても、その後に感度温度係数調整回路により感度温度特性を補正(調整)した場合には、感度調整回路により装置全体のゲインを再調整する必要がある。 However, when the gain temperature characteristic (resistance temperature coefficient) of the sensitivity temperature coefficient adjustment circuit is switched with an analog switch in order to correct the sensitivity temperature characteristic of the sensor unit, the input resistance value and feedback resistance in this circuit Since the value ratio also changes, the gain value of this circuit changes. For this reason, the gain value of the entire temperature characteristic correction circuit device having this sensitivity temperature coefficient adjustment circuit changes. Therefore, even if adjustment of the sensitivity of the sensor unit (gain of the entire device) is completed in advance by the sensitivity adjustment circuit, if the sensitivity temperature characteristic is corrected (adjusted) by the sensitivity temperature coefficient adjustment circuit after that, It is necessary to readjust the gain of the entire apparatus by the sensitivity adjustment circuit.
本発明は、上記課題を解決するものであり、センサの感度温度特性を調整した場合でも、その後にゲインを再調整する必要のない感度温度特性調整回路を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a sensitivity temperature characteristic adjustment circuit that does not require readjustment of the gain after adjustment of the sensitivity temperature characteristic of the sensor.
上記課題を解決するために、本発明の感度温度特性調整回路は、対象となる物理量に応じた値の電圧信号を出力するセンサの感度温度特性を調整する感度温度特性調整回路において、前記センサから入力された電圧信号を増幅して出力するオペアンプと、このオペアンプに接続された帰還抵抗部と入力抵抗とを備え、前記帰還抵抗部は、互いに異なる温度特性を有し、並列に接続された、複数の同じ抵抗値を持つ同値抵抗と、これら複数の同値抵抗のうち、前記オペアンプの帰還抵抗として用いる同値抵抗を選択的に切り換えるための切換スイッチとを含むことを特徴とする。ここで、「同値抵抗」とは、基準温度において同じ抵抗値を持つ抵抗を意味する。 In order to solve the above problems, a sensitivity temperature characteristic adjustment circuit of the present invention is a sensitivity temperature characteristic adjustment circuit that adjusts a sensitivity temperature characteristic of a sensor that outputs a voltage signal having a value corresponding to a target physical quantity. An operational amplifier that amplifies and outputs an input voltage signal, and includes a feedback resistor unit and an input resistor connected to the operational amplifier, the feedback resistor unit having different temperature characteristics and connected in parallel. It includes a plurality of equivalent resistors having the same resistance value, and a changeover switch for selectively switching an equivalent resistor used as a feedback resistor of the operational amplifier among the plurality of equivalent resistors. Here, “equivalent resistance” means resistors having the same resistance value at the reference temperature.
この感度温度特性調整回路において、前記帰還抵抗部を複数備え、これら複数の帰還抵抗部が直列に接続されていることが望ましい。 In this sensitivity temperature characteristic adjusting circuit, it is preferable that a plurality of the feedback resistor units are provided, and the plurality of feedback resistor units are connected in series.
本発明の感度温度特性調整回路によれば、並列に接続された、複数の異なる温度特性を有する同値抵抗のうち、オペアンプの帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチで選択的に切り換えることにより、回路のゲイン温度特性を調整して、センサの感度温度特性を調整(補正)するようにした。これにより、この調整回路のゲイン温度特性を調整する(センサの感度温度特性を調整する)ために、オペアンプの帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチで切り換えた場合でも、この調整回路内のオペアンプの(基準温度における)入力抵抗値と帰還抵抗値が変化しないので、基準温度における感度温度特性調整回路の増幅率(ゲインの値)が変化しない。従って、センサの感度温度特性の調整後に、この調整回路のゲインを調整する必要性を減じることができる。 According to the sensitivity temperature characteristic adjusting circuit of the present invention, the equivalent resistance used as the feedback resistance of the operational amplifier among a plurality of equivalent resistances having different temperature characteristics connected in parallel is selectively switched by the changeover switch. The sensitivity temperature characteristic of the sensor is adjusted (corrected) by adjusting the gain temperature characteristic. As a result, in order to adjust the gain temperature characteristic of this adjustment circuit (adjust the sensitivity temperature characteristic of the sensor), even when the equivalent resistance used as the feedback resistance of the operational amplifier is switched by the changeover switch, the operational amplifier in this adjustment circuit Since the input resistance value and the feedback resistance value (at the reference temperature) do not change, the amplification factor (gain value) of the sensitivity temperature characteristic adjustment circuit at the reference temperature does not change. Therefore, it is possible to reduce the necessity of adjusting the gain of the adjusting circuit after adjusting the sensitivity temperature characteristic of the sensor.
以下、本発明を具体化した実施形態による感度温度特性調整回路について、図面を参照して説明する。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態による感度温度特性調整回路(以下、「調整回路」と略す)の回路構成を示す。この調整回路1は、対象となる物理量に応じた値の電圧信号を出力するセンサ(例えば、外部からの圧力に応じた値の電圧信号を出力する圧力センサ)と電気的に接続されて、このセンサの感度温度特性を調整する回路である。この調整回路1は、センサから入力された電圧信号を増幅して出力するオペアンプ2と、このオペアンプ2に接続された帰還抵抗部3と入力抵抗4とを備え、オペアンプ2と帰還抵抗部3と入力抵抗4とにより構成された反転増幅回路である。
Hereinafter, a sensitivity temperature characteristic adjusting circuit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 shows a circuit configuration of a sensitivity temperature characteristic adjusting circuit (hereinafter abbreviated as “adjusting circuit”) according to a first embodiment of the present invention. The
上記の帰還抵抗部3は、互いに異なる温度特性を有し、並列に接続された、複数の同じ抵抗値Rを持つ同値抵抗5、6と、これら2つの同値抵抗5、6のうち、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗を選択的に切り換えるための切換スイッチSa,Sbを含む。これらの切換スイッチSa,Sbは、例えばMOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor)等で構成されている。なお、上記の「同値抵抗」とは、基準温度において同じ抵抗値を持つ抵抗を意味する。
The feedback resistor section 3 has different temperature characteristics, and is connected in parallel and has a plurality of
上記のオペアンプ2の正相(+)側の入力ピンには、基準電圧Vrefが入力される。また、オペアンプ2の逆相(−)側の入力ピンは、入力抵抗4を介して、センサに接続されており、この逆相側の入力ピンには、基準電圧Vrefにセンサからの電圧信号Viを重畳した電圧(Vref+Vi)が入力される。オペアンプ2は、上記の正相側の入力ピンに入力される基準電圧Vrefと、入力抵抗4を介して逆相側の入力ピンに入力される電圧(Vref+Vi)との差分の電圧である入力電圧信号Viを、入力抵抗値と帰還抵抗値との比で決定される電圧増幅率AVで増幅する。そして、この入力電圧信号Viを電圧増幅率AVで増幅した信号を出力電圧信号VOとして出力する。
The reference voltage Vref is input to the positive-phase (+) side input pin of the operational amplifier 2. The negative-phase (−) side input pin of the operational amplifier 2 is connected to the sensor via the
入力抵抗4の抵抗温度係数TCR0、及び帰還抵抗部3内の同値抵抗5の抵抗温度係数TCRaを考慮すると、上記の電圧増幅率AV(調整回路1のゲインG)は、切換スイッチSaがオンの場合には、下記の(1)式のように表される。
G=R(1+TCRa・T)/R0(1+TCR0・T)
≒(R/R0){1+(TCRa−TCR0)・T}・・・(1)
ただし、上式におけるR0、Rは、それぞれ入力抵抗4、同値抵抗5の基準温度における抵抗値を表し、Tは、基準温度からの温度差を表す。また、TCRa<<1、TCR0<<1とする。
Considering the resistance temperature coefficient TCR0 of the
G = R (1 + TCRa · T) / R0 (1 + TCR0 · T)
≒ (R / R0) {1+ (TCRa-TCR0) · T} (1)
However, R0 and R in the above equation represent resistance values at the reference temperature of the
また、入力抵抗4の抵抗温度係数TCR0、及び帰還抵抗部3内の同値抵抗6の抵抗温度係数TCRbを考慮すると、上記の電圧増幅率AV(調整回路1のゲインG)は、切換スイッチSbがオンの場合には、下記の(2)式のように表される。
G=R(1+TCRb・T)/R0(1+TCR0・T)
≒(R/R0){1+(TCRb−TCR0)・T}・・・(2)
ただし、上式におけるR0、Rは、それぞれ入力抵抗4、同値抵抗5の基準温度における抵抗値を表し、Tは、基準温度からの温度差を表す。また、TCRb<<1、TCR0<<1とする。
Further, considering the resistance temperature coefficient TCR0 of the
G = R (1 + TCRb · T) / R0 (1 + TCR0 · T)
≈ (R / R0) {1+ (TCRb−TCR0) · T} (2)
However, R0 and R in the above equation represent resistance values at the reference temperature of the
上記の(1)式と(2)式より、切換スイッチSaがオンのときの調整回路1のゲイン温度特性は、{1+(TCRa−TCR0)・T}であり、切換スイッチSbがオンのときの調整回路1のゲイン温度特性は、{1+(TCRb−TCR0)・T}である。本調整回路1は、上記の2種類のゲイン温度特性を用いて、センサの感度温度特性を補正(調整)する。より詳細に言うと、本調整回路1では、切換スイッチSa,Sbで、調整回路1自体のゲイン温度特性を切り換える(変更する)ことにより、センサの感度温度特性を設計値に近づけるように補正することができる。従って、上記の調整回路1のゲイン温度特性({1+(TCRa−TCR0)・T}、又は{1+(TCRb−TCR0)・T})は、センサの感度温度特性に対する補正値でもある。このことから、本調整回路1は、センサの感度温度特性に対する補正値を切換スイッチSa,Sbで変更することができるようにしたものであるとも言える。
From the above equations (1) and (2), the gain temperature characteristic of the
第1の実施形態の調整回路1によれば、並列に接続された、複数の異なる温度特性を有する同値抵抗5、6のうち、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチSa,Sbで切り換えることにより、調整回路1のゲイン温度特性を調整して、センサの感度温度特性を調整(補正)するようにした。これにより、調整回路1のゲイン温度特性を調整する(センサの感度温度特性を調整する)ために、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗5、6を切り換えた場合でも、調整回路1内のオペアンプ2の(基準温度における)入力抵抗値R0と帰還抵抗値Rが変化しないので、基準温度における調整回路1のゲインの値(R/R0)が変化しない。従って、調整回路1のゲイン温度特性の調整(センサの感度温度特性の調整)後に、調整回路1のゲインを調整する必要性を減じることができる。
According to the
<第2の実施形態>
図2は、本発明の第2の実施形態による調整回路1の回路構成を示す。本実施形態の調整回路1は、2つの帰還抵抗部31、32を備え、これら2つの帰還抵抗部31、32が直列に接続されている点が、上記第1の実施形態と異なっている。本実施形態における他の構成については、上記第1の実施形態と同様である。
<Second Embodiment>
FIG. 2 shows a circuit configuration of the
上記の帰還抵抗部31は、互いに異なる温度特性を有し、並列に接続された、複数の同じ抵抗値R1を持つ同値抵抗51、61を有している。また、帰還抵抗部31は、2つの同値抵抗51、61のうち、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切り換えるための切換スイッチSa1,Sb1を含んでいる。
The
上記の帰還抵抗部32は、互いに異なる温度特性を有し、並列に接続された、複数の同じ抵抗値R2を持つ同値抵抗52、62を有している。また、帰還抵抗部32は、2つの同値抵抗52、62のうち、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗を選択的に切り換えるための切換スイッチSa2,Sb2を含んでいる。
The
オペアンプ2は、正相側の入力ピンに入力される基準電圧Vrefと、入力抵抗4を介して逆相側の入力ピンに入力される電圧(Vref+Vi)との差分の電圧である入力電圧信号Viを、入力抵抗値と帰還抵抗値との比で決定される電圧増幅率AVで増幅する。そして、この入力電圧信号Viを電圧増幅率AVで増幅した信号を出力電圧信号VOとして出力する。ただし、図2中の反転増幅回路では、帰還抵抗が、2つの直列に接続された帰還抵抗部31、32から構成されている。このため、その帰還抵抗値Rは、帰還抵抗部31における同値抵抗51又は同値抵抗61の抵抗値R1と、帰還抵抗部32における同値抵抗52又は同値抵抗62の抵抗値R2とを加算した抵抗値(R1+R2)になる。
The operational amplifier 2 has an input voltage signal Vi that is a difference voltage between the reference voltage Vref input to the positive phase side input pin and the voltage (Vref + Vi) input to the negative phase side input pin via the
上記の電圧増幅率AV(調整回路1のゲインG)は、入力抵抗4の抵抗温度係数TCR0、及び同値抵抗51、52の抵抗温度係数TCRaを考慮すると、切換スイッチSa1、Sa2がオンの場合には、下記の(3)式のように表される。
G={R1(1+TCRa・T)+R2(1+TCRa・T)}/R0(1+TCR0・T)
≒(R/R0){1+(TCRa−TCR0)・T}・・・(3)
ただし、上式におけるR0、R1、R2は、それぞれ入力抵抗4、同値抵抗51、同値抵抗52の基準温度における抵抗値を表し、Tは、基準温度からの温度差を表す。また、R=R1+R2であり、TCRa<<1、TCR0<<1とする。
The voltage amplification factor A V (gain G of the adjustment circuit 1) is determined when the changeover switches Sa1 and Sa2 are turned on in consideration of the resistance temperature coefficient TCR0 of the
G = {R1 (1 + TCRa · T) + R2 (1 + TCRa · T)} / R0 (1 + TCR0 · T)
≒ (R / R0) {1+ (TCRa-TCR0) · T} (3)
However, R0, R1, and R2 in the above equation represent resistance values at the reference temperature of the
また、上記の電圧増幅率AV(調整回路1のゲインG)は、入力抵抗4の抵抗温度係数TCR0、及び同値抵抗61、62の抵抗温度係数TCRbを考慮すると、切換スイッチSb1、Sb2がオンの場合には、下記の(4)式のように表される。
G={R1(1+TCRb・T)+R2(1+TCRb・T)}/R0(1+TCR0・T)
≒(R/R0){1+(TCRb−TCR0)・T}・・・(4)
ただし、上式におけるR0、R1、R2は、それぞれ入力抵抗4、同値抵抗61、同値抵抗62の基準温度における抵抗値を表し、Tは、基準温度からの温度差を表す。また、R=R1+R2であり、TCRb<<1、TCR0<<1とする。
The voltage amplification factor A V (the gain G of the adjustment circuit 1) is set so that the changeover switches Sb1 and Sb2 are turned on in consideration of the resistance temperature coefficient TCR0 of the
G = {R1 (1 + TCRb · T) + R2 (1 + TCRb · T)} / R0 (1 + TCR0 · T)
≈ (R / R0) {1+ (TCRb−TCR0) · T} (4)
However, R0, R1, and R2 in the above equation represent resistance values at the reference temperature of the
また、上記の電圧増幅率AV(調整回路1のゲインG)は、入力抵抗4の抵抗温度係数TCR0、及び同値抵抗51、62の抵抗温度係数TCRa、TCRbを考慮すると、切換スイッチSa1、Sb2がオンの場合には、下記の(5)式のように表される。
G={R1(1+TCRa・T)+R2(1+TCRb・T)}/R0(1+TCR0・T)
≒(R/R0)[1+{(R1/R)・TCRa+(R2/R)・TCRb−TCR0}・T]・・・(5)
ただし、上式におけるR0、R1、R2は、それぞれ入力抵抗4、同値抵抗51、同値抵抗62の基準温度における抵抗値を表し、Tは、基準温度からの温度差を表す。また、R=R1+R2であり、TCRa<<1、TCRb<<1、TCR0<<1とする。
The voltage amplification factor A V (the gain G of the adjustment circuit 1) is set so that the changeover switches Sa1 and Sb2 take into account the resistance temperature coefficient TCR0 of the
G = {R1 (1 + TCRa · T) + R2 (1 + TCRb · T)} / R0 (1 + TCR0 · T)
≈ (R / R0) [1 + {(R1 / R) · TCRa + (R2 / R) · TCRb−TCR0} · T] (5)
However, R0, R1, and R2 in the above equation represent resistance values at the reference temperature of the
また、上記の電圧増幅率AV(調整回路1のゲインG)は、入力抵抗4の抵抗温度係数TCR0、及び同値抵抗61、52の抵抗温度係数TCRa、TCRbを考慮すると、切換スイッチSb1、Sa2がオンの場合には、下記の(6)式のように表される。
G={R1(1+TCRb・T)+R2(1+TCRa・T)}/R0(1+TCR0・T)
≒(R/R0)[1+{(R1/R)・TCRb+(R2/R)・TCRa−TCR0}・T]・・・(6)
ただし、上式におけるR0、R1、R2は、それぞれ入力抵抗4、同値抵抗61、同値抵抗52の基準温度における抵抗値を表し、Tは、基準温度からの温度差を表す。また、R=R1+R2であり、TCRa<<1、TCRb<<1、TCR0<<1とする。
The voltage amplification factor A V (the gain G of the adjustment circuit 1) is set so that the changeover switches Sb1 and Sa2 take into account the resistance temperature coefficient TCR0 of the
G = {R1 (1 + TCRb · T) + R2 (1 + TCRa · T)} / R0 (1 + TCR0 · T)
≈ (R / R0) [1 + {(R1 / R) · TCRb + (R2 / R) · TCRa−TCR0} · T] (6)
However, R0, R1, and R2 in the above equation represent resistance values at the reference temperature of the
上記の(3)式より、切換スイッチSa1、Sa2がオンのときの調整回路1のゲイン温度特性は、{1+(TCRa−TCR0)・T}である。上記の(4)式より、切換スイッチSb1、Sb2がオンのときの調整回路1のゲイン温度特性は、{1+(TCRb−TCR0)・T}である。上記の(5)式より、切換スイッチSa1、Sb2がオンのときの調整回路1のゲイン温度特性は、[1+{(R1/R)・TCRa+(R2/R)・TCRb−TCR0}・T]である。上記の(6)式より、切換スイッチSb1、Sa2がオンのときの調整回路1のゲイン温度特性は、[1+{(R1/R)・TCRb+(R2/R)・TCRa−TCR0}・T]である。
From the above equation (3), the gain temperature characteristic of the
本調整回路1は、上記の4種類のゲイン温度特性を用いて、センサの感度温度特性を補正(調整)する。より詳細に言うと、本調整回路1では、切換スイッチSa1、Sa2、Sb1、Sb2を用いて、調整回路1自体のゲイン温度特性を切り換える(変更する)ことにより、センサの感度温度特性を設計値に近づけるように補正することができる。従って、上記の調整回路1の4種類のゲイン温度特性は、センサの感度温度特性に対する補正値でもある。このことから、本調整回路1は、センサの感度温度特性に対する補正値を切換スイッチSa1、Sa2、Sb1、Sb2で変更することができるようにしたものであるとも言える。
The
第2の実施形態の調整回路1によれば、上記第1の実施形態の調整回路1に比べて、切換スイッチSa1、Sa2、Sb1、Sb2により切り換え可能な(調整回路1の)ゲイン温度特性の種類が増すので、センサの感度温度特性に対する補正値の種類も増す。このため、上記第1の実施形態の調整回路1に比べて、センサの感度温度特性に対する補正をより精度良く行うことが可能になる。
According to the
さらにまた、第2の実施形態の調整回路1によれば、帰還抵抗部31において、並列に接続された、2つの異なる温度特性を有する同値抵抗51、61のうち、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチSa1,Sb1で切り換えるようにした。また、帰還抵抗部32において、並列に接続された、2つの異なる温度特性を有する同値抵抗52、62のうち、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチSa2,Sb2で切り換えるようにした。これらの帰還抵抗として用いる同値抵抗の切り換えにより、調整回路1のゲイン温度特性を調整して、センサの感度温度特性を調整(補正)することができる。これにより、調整回路1のゲイン温度特性を調整する(センサの感度温度特性を調整する)ために、オペアンプ2の帰還抵抗として用いる同値抵抗51、61、52、62を切り換えた場合でも、調整回路1内のオペアンプ2の(基準温度における)入力抵抗値R0と帰還抵抗値R(=R1+R2)が変化しないので、基準温度における調整回路1のゲインの値(R/R0)が変化しない。従って、調整回路1のゲイン温度特性の調整(センサの感度温度特性の調整)後に、調整回路1のゲインを調整する必要性を減じることができる。
Furthermore, according to the
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限られず、発明の趣旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、上記第1及び第2の実施形態では、並列に接続された2つの異なる温度特性を有する同値抵抗のうち、オペアンプの帰還抵抗として用いる同値抵抗を切り換えるようにした。けれども、並列に接続された3つ以上の異なる温度特性を有する同値抵抗のうち、オペアンプの帰還抵抗として用いる同値抵抗を切り換えるようにしてもよい。これにより、上記第1及び第2の実施形態の調整回路に比べて、切り換え可能な(調整回路の)ゲイン温度特性の種類が増すので、センサの感度温度特性に対する補正値の種類も増す。このため、上記第1及び第2の実施形態の調整回路に比べて、センサの感度温度特性に対する補正をより精度良く行うことが可能になる。 In addition, this invention is not restricted to the structure of the said embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not change the meaning of invention. For example, in the first and second embodiments, the equivalent resistor used as the feedback resistor of the operational amplifier is switched among the two equivalent resistors having different temperature characteristics connected in parallel. However, among the equivalent resistors having three or more different temperature characteristics connected in parallel, the equivalent resistor used as the feedback resistor of the operational amplifier may be switched. As a result, the types of gain temperature characteristics that can be switched (of the adjustment circuit) are increased compared to the adjustment circuits of the first and second embodiments, and the types of correction values for the sensitivity temperature characteristics of the sensor are also increased. For this reason, it is possible to perform the correction with respect to the sensitivity temperature characteristic of the sensor more accurately than the adjustment circuits of the first and second embodiments.
また、上記第2の実施形態では、オペアンプの帰還抵抗が、2つの直列に接続された帰還抵抗部により構成されている場合の例を示したが、3つ以上の直列に接続された帰還抵抗部により構成されていてもよい。この構成においても、上記第2の実施形態の調整回路に比べて、切り換え可能な(調整回路の)ゲイン温度特性の種類が増すので、センサの感度温度特性に対する補正値の種類も増す。このため、上記第2の実施形態の調整回路に比べて、センサの感度温度特性に対する補正をより精度良く行うことが可能になる。 In the second embodiment, an example in which the feedback resistor of the operational amplifier is configured by two feedback resistor units connected in series is shown. However, three or more feedback resistors connected in series are shown. You may be comprised by the part. Also in this configuration, since the types of gain temperature characteristics that can be switched (of the adjustment circuit) are increased as compared with the adjustment circuit of the second embodiment, the types of correction values for the sensitivity temperature characteristics of the sensor are also increased. For this reason, it is possible to perform the correction with respect to the sensitivity temperature characteristic of the sensor more accurately than the adjustment circuit of the second embodiment.
1 調整回路(感度温度特性調整回路)
2 オペアンプ
3、31、32 帰還抵抗部
4 入力抵抗
5、6、51、52、61、62 同値抵抗
Sa、Sb、Sa1、Sa2、Sb1、Sb2 切換スイッチ
1 Adjustment circuit (Sensitivity temperature characteristic adjustment circuit)
2 Op-
Claims (2)
前記センサから入力された電圧信号を増幅して出力するオペアンプと、このオペアンプに接続された帰還抵抗部と入力抵抗とを備え、
前記帰還抵抗部は、互いに異なる温度特性を有し、並列に接続された、複数の同じ抵抗値を持つ同値抵抗と、これら複数の同値抵抗のうち、前記オペアンプの帰還抵抗として用いる同値抵抗を選択的に切り換えるための切換スイッチとを含むことを特徴とする感度温度特性調整回路。 In the sensitivity temperature characteristic adjustment circuit that adjusts the sensitivity temperature characteristic of the sensor that outputs a voltage signal of a value according to the target physical quantity,
An operational amplifier that amplifies and outputs the voltage signal input from the sensor, a feedback resistor section connected to the operational amplifier, and an input resistance,
The feedback resistor unit has a plurality of equivalent resistors having different temperature characteristics and connected in parallel, and an equivalent resistor used as a feedback resistor of the operational amplifier is selected from the plurality of equivalent resistors. A sensitivity temperature characteristic adjusting circuit including a changeover switch for automatically switching.
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2011
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