JP2013020257A - 有機光学単結晶の損傷を修復する方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 277
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 230000006378 damage Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 83
- YVXDRFYHWWPSOA-BQYQJAHWSA-N 1-methyl-4-[(e)-2-phenylethenyl]pyridin-1-ium Chemical class C1=C[N+](C)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 YVXDRFYHWWPSOA-BQYQJAHWSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 claims description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- -1 stilbazolium cation Chemical class 0.000 claims description 4
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 2
- SEIGJEJVIMIXIU-UHFFFAOYSA-J aluminum;sodium;carbonate;dihydroxide Chemical compound [Na+].O[Al+]O.[O-]C([O-])=O SEIGJEJVIMIXIU-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- CSJLBAMHHLJAAS-UHFFFAOYSA-N diethylaminosulfur trifluoride Substances CCN(CC)S(F)(F)F CSJLBAMHHLJAAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 15
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MUGCNFLYZXKVQB-FHNDMYTFSA-N (2s)-2-amino-5-(diaminomethylideneamino)pentanoic acid;phosphoric acid;hydrate Chemical compound O.OP(O)(O)=O.OC(=O)[C@@H](N)CCCN=C(N)N MUGCNFLYZXKVQB-FHNDMYTFSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 4-nitroaniline Chemical compound NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPTWVCNYOZFENE-UHFFFAOYSA-N CC=1C(=C(C=CC1)C=CC1=CC=C(C=C1)[N+](=O)[O-])OC Chemical compound CC=1C(=C(C=CC1)C=CC1=CC=C(C=C1)[N+](=O)[O-])OC XPTWVCNYOZFENE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- RGBVWCQARBEPPW-UHFFFAOYSA-N cyclobut-3-ene-1,2-dione Chemical compound O=C1C=CC1=O RGBVWCQARBEPPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJUFTIJOISQSKQ-UHFFFAOYSA-N fenoxycarb Chemical compound C1=CC(OCCNC(=O)OCC)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 HJUFTIJOISQSKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- QFCSRGLEMDRBMN-UHFFFAOYSA-N n-(2-methylphenyl)nitramide Chemical compound CC1=CC=CC=C1N[N+]([O-])=O QFCSRGLEMDRBMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 108010067216 glycyl-glycyl-glycine Proteins 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000008832 photodamage Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- GZXOHHPYODFEGO-UHFFFAOYSA-N triglycine sulfate Chemical compound NCC(O)=O.NCC(O)=O.NCC(O)=O.OS(O)(=O)=O GZXOHHPYODFEGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Pyridine Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
【解決手段】 スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。
【選択図】 なし
Description
そして、上記損傷が生じたバルク単結晶の損傷部位の透過性がアニーリング処理により向上することを確認でき、結晶の損傷を修復させることができることを見出し、有機光学単結晶のレーザー照射により結晶内部に損傷が生じた結晶の損傷を修復する方法を発明するに至った。
[1] 有機光学単結晶をアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶内部に損傷が生じた結晶の損傷を修復する方法。
[2] 前記アニーリング処理を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲で処理する上記[1]に記載の方法。
[3] 前記アニーリング処理を、アニーリング温度に結晶中の欠陥を除去するために十分な時間保持した後、徐冷する上記[1]または[2]に記載の方法。
[4] 前記アニーリング処理を、磁場を作用させた条件のもとで行う上記[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
[5] 前記有機光学単結晶が、スチルバゾリウム誘導体からなる結晶である上記[1]〜[4]のいずれかに記載の方法。
[6] 前記有機光学単結晶が、スチルバゾリウムカチオン誘導体であるDAST、DASCまたはMC−PTS結晶のいずれかから選択される少なくとも一つの結晶である上記[1]〜[5]のいずれかに記載の方法。
[7] 上記[1]〜[6]のいずれかに記載された方法により結晶の損傷が修復された有機光学単結晶。
本発明の対象とする有機光学単結晶には、下記式1に示すスチルバゾリウム誘導体結晶がある。このスチルバゾリウム誘導体は、−X、−YおよびZ−の組み合わせで各種誘導体が構成されている。またMMONS(3−メチル−メトキシ−4’−ニトロスチルベン)結晶、DAD((−)4−(4’−ジメチルアミノフェニル)−3−(2’―ヒドロキシプロピルアミノ)シクロブテン−3,4−ジオン)結晶およびLAP(L−アルギニンホスヘート モノ−ハイドレード)結晶、pNA(4−ニトロアニリン)、MNA(2−メチル−ニトロアニリン)結晶等の各種有機非線形光学結晶がある。
また、DASC結晶の場合は、融点を示差走査熱量計(DSC)等での測定値、または文献値(281℃)に基づき、実験的にアニーリング温度を設定することが望ましい。
DAST結晶粉末を210℃から240℃の温度範囲にわたり、各加熱温度における保温時間を表1のとおり変えて、結晶の状態変化を観察した。その結果、結晶状態を保っている状態をアニーリング温度適応性「あり」、結晶の表面が液化(分解溶融)したものをアニーリング温度適応性「限界点」、結晶が液化(分解溶融)したものをアニーリング温度適応性「なし」とした。
また、一定条件のレーザー照射を行ったときに得られるテラヘルツ波出力において、同測定時に観測された最大テラヘルツ波出力を用いて各出力値を割ることで算出した値が、照射開始から5分間以内に、連続して20秒以上、0.5以下に減衰する結晶はテラヘルツ波の発生が安定していない結晶とした。
ここで、0.1THz〜10THzの領域を1回分光するために要する測定時間は5分であり、実用性の観点から1測定以上可能な結晶を評価するためにレーザー照射時間を5分とした。
・入射レーザーのパルス幅:15ns
・ビーム密度:0.48、および1.5 GW/cm2
・レーザー波長:1475nmと1493nm
THz出力は、焦電素子(DTGS(Deuteriated triglycine sulfate))により検出を行った。
図1の「アニーリング効果温度範囲」の状態変化限界点曲線範囲内の215℃から225℃において、アニーリング効果があるかを確認した。用いたDAST結晶の製造方法を以下に示す。
DAST単結晶の育成は、自然核発生法により行った。市販のDAST粉末(純度99.9%以上 第一化学薬品社製)17.7gに400gのメタノールを加えDAST育成溶液を調整した。次いで、この溶液を55.0℃まで攪拌しつつ昇温し、10時間55.0℃を維持し、DAST粉末を完全に溶解させた。その後調整した溶液を280mlずつ分注し結晶育成用溶液とした。調整した結晶育成用溶液は再度55.0℃まで昇温し、10時間55.0℃を維持した。次いで、この溶液を44.8℃まで攪拌しつつ降下させ、その後30分維持し、支持体に付着させた種結晶を投入した。種結晶投入後、速やかに43.3℃まで降下させ、0.1℃/日の速度で溶液温度を降下させながら、40日間支持体に付着させた種結晶を育成したときに容器底面にて自然発生する結晶を同期間育成した後に、容器底面の結晶を回収した。次いで、回収したバルク結晶をアセトンにて20秒間、酢酸エチルにて5分間以上洗浄した。
インキュベータとして、EYELA VACUUM OVEN VOS−201SDを用いた。耐熱性のある敷板としてのSiウェハー上に、DAST結晶を並べ、インキュベータへ入れ、インキュベータ内を一度真空にし、その後不活性ガスとしてのアルゴンガスを装置内に充填する。アニーリング温度として215℃、220℃、225℃まで1℃/minの速度で昇温させ、保持時間として12時間のアニーリング処理を行い、その後、自然徐冷により結晶を室温まで冷却した。
安定したTHz波発生のためのビーム密度依存性およびアニーリング効果の確認試験をおこなった。DAST単結晶の製造は、実施例1と同じ条件で育成した。
得られた各DASTバルク単結晶のサイズを、表4に示す。
条件として、レーザー出力1.5GW/cm2未満の出力に設定したレーザー照射において300秒以内に安定して0.5以上のTHz波が発生できなくなったDAST結晶であるC−1およびC−2、または、300秒以上に安定して0.5以上のTHz波が発生したDAST結晶であるC−3にレーザー出力1.5GW/cm2のレーザーを照射した。また、THz波発生試験のためにレーザーを照射した結晶の部位は、顕微鏡により結晶の内部透過性が良好と確認された部位である。また、事前の評価にてレーザーによる結晶内部の損傷が生じている結晶については、内部損傷によるTHz波出力の減衰を懸念し、損傷発生前後で結晶の内部透過性が同等程度、かつ、レーザー照射により損傷を生じていない部位である。ビーム密度が高いほどTHz波発生時間が短くなるとするならば、上記条件方法によりレーザー出力1.5GW/cm2を照射すると安定してTHz波が発生している時間が早くなるまたは安定してTHz波が発生している結晶でも安定してTHz波が発生している時間が早くなると推測できるからである。その結果を、表5に示す。
各結晶におけるTHz波発生のビーム密度依存性をみてみると、どの結晶においてもビーム密度を上昇させることでTHz波が発生している時間が短くなっている。即ちこのことは、どのDAST結晶においてもビーム密度を上昇させると安定してTHz波を発生させることが困難であることを示している。
以下になるまでの時間
* 条件ロ;ビーム密度1.5GW/cm2において出力値/最大出力の値が0.5以下
になるまでの時間
300秒以内に安定して0.5以上のTHz波が発生できなくなった結晶について、透過像の画像解析を行った。偏光顕微鏡はニコン社製ECLIPSE E600 POLを用い、測定条件としては、偏光板を用いず、結晶を透過させる光は調光ダイヤルを60%の位置に合わせ、顕微鏡視野を全開に設定した。得られた透過像のコントラストは、画像編集ソフト(Photoshop CS、Adobe製)を用い、レーザー照射前後およびアニーリング前後にて変化が現れていない結晶の同一部位について同等程度のRGB平均値を示すようにコントラストを調整した。
上記画像処理を行った結晶透過像について、まず、300秒以内に安定して0.5以上のTHz波が発生できなくなった結晶について、THz波の発生前後での透過像を比較すると、レーザー照射を照射した部位については透過像の変化が確認できた。これは、レーザー照射により結晶中における分子配向の均一性が乱れ、透過光が散乱されたことに起因する。つまり、レーザー照射により欠陥が発生したと考えられる。一方、図5で同一結晶におけるアニーリング前後での透過像を比較すると、欠陥が発生した部位の透過像に変化が見られた。アニーリング前では、光が散乱され黒く示されていたレーザー照射による欠陥部位が、アニーリング後では透明性が増している。これは、結晶中の分子配向の均一性が向上したことにより光が結晶中を透過したものである。このことは、アニーリングを行うことで結晶内部に存在する欠陥が修復または除去されたことを示している。
b.;アニーリング前レーザー照射後
c.;アニーリング後レーザー照射後
* RGB比とは各RGB平均値を条件a.のRGB値で割り100をかけた値である。
Claims (11)
- スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶の結晶内部の損傷の有無を評価する方法において、有機光学単結晶に光を透過することにより得られる透過像解析工程により、有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
- 前記透過像解析工程において、前記透過像データからRGB平均値を算出することを含む、請求項1に記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
- 前記透過像解析工程において、前記有機光学単結晶の透過像と、レーザー照射前の有機光学単結晶の透過像とを比較することにより、前記有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する、請求項1または2に記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
- 前記透過像解析工程が、前記透過像データからRGB平均値を算出することを含み、
前記有機光学単結晶のRGB平均値が、レーザー照射前の有機光学単結晶のRGB平均値よりも低い場合、前記有機光学単結晶が、レーザー照射後に損傷が発生した結晶であると判断する、請求項1〜3のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。 - 前記透過像解析工程において、更に、
前記有機光学単結晶のRGB平均値が、レーザー照射前の有機光学単結晶のRGB平均値よりも低く、かつ、レーザー照射後でアニーリング処理前の有機光学単結晶のRGB平均値よりも高い場合、前記有機光学単結晶において、損傷が修復された結晶であると判断する、請求項1〜4のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。 - 前記スチルバゾリウム誘導体が、下記式1で表されるスチルバゾリウム誘導体である請求項1〜5のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
- 前記有機光学単結晶が、スチルバゾリウムカチオン誘導体であるDAST、DASCおよびMC−PTS結晶からなる群から選択される少なくとも一つの結晶であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
- 有機光学単結晶の製造方法において、請求項1〜7のいずれかに記載の方法により、前記有機光学単結晶の損傷の有無を評価する損傷評価工程を含むことを特徴とする有機光学単結晶の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載された方法により結晶の損傷の有無が評価された有機光学単結晶。
- 請求項9に記載された有機光学単結晶を、構成材料として含むことを特徴とする電気光学素子。
- 前記電気光学素子が、テラヘルツ波発生用、テラヘルツ波検出用、高感度電界センサー用、高速光変調器用、電界プローブ用、電気光学サンプリング用、2次元電界マッピング用あるいは空間電界検出用のいずれかである請求項10に記載の電気光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012174479A JP5519741B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-08-06 | 有機光学単結晶の結晶内部の損傷の有無を評価する方法、および有機光学単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008081979 | 2008-03-26 | ||
JP2008081979 | 2008-03-26 | ||
JP2012174479A JP5519741B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-08-06 | 有機光学単結晶の結晶内部の損傷の有無を評価する方法、および有機光学単結晶の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008211302A Division JP5064333B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-08-20 | 有機光学単結晶の損傷を修復する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013020257A true JP2013020257A (ja) | 2013-01-31 |
JP5519741B2 JP5519741B2 (ja) | 2014-06-11 |
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ID=41384097
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008211302A Active JP5064333B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-08-20 | 有機光学単結晶の損傷を修復する方法 |
JP2012174479A Active JP5519741B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-08-06 | 有機光学単結晶の結晶内部の損傷の有無を評価する方法、および有機光学単結晶の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008211302A Active JP5064333B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-08-20 | 有機光学単結晶の損傷を修復する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5064333B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016008192A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | アークレイ株式会社 | スチルバゾリウム誘導体及びそれを用いた非線形光学材料 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5147064B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-02-20 | アークレイ株式会社 | 有機光学単結晶の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006337364A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-14 | Schott Ag | 光学材料の不可逆性放射線損傷測定方法 |
JP2007232936A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Osaka Univ | 有機光学結晶、差周波発生素子、テラヘルツ波発生装置、有機光学結晶の直線状欠陥発生防止方法および有機光学結晶の製造方法 |
JP2008032747A (ja) * | 2007-10-17 | 2008-02-14 | Hitachi Ltd | フィルム状製品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5147064B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-02-20 | アークレイ株式会社 | 有機光学単結晶の製造方法 |
-
2008
- 2008-08-20 JP JP2008211302A patent/JP5064333B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-06 JP JP2012174479A patent/JP5519741B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006337364A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-14 | Schott Ag | 光学材料の不可逆性放射線損傷測定方法 |
JP2007232936A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Osaka Univ | 有機光学結晶、差周波発生素子、テラヘルツ波発生装置、有機光学結晶の直線状欠陥発生防止方法および有機光学結晶の製造方法 |
JP2008032747A (ja) * | 2007-10-17 | 2008-02-14 | Hitachi Ltd | フィルム状製品 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016008192A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | アークレイ株式会社 | スチルバゾリウム誘導体及びそれを用いた非線形光学材料 |
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Publication number | Publication date |
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JP5519741B2 (ja) | 2014-06-11 |
JP2009256166A (ja) | 2009-11-05 |
JP5064333B2 (ja) | 2012-10-31 |
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