JP2013012932A

JP2013012932A - Acoustic wave device and method for manufacturing the same

Info

Publication number: JP2013012932A
Application number: JP2011144708A
Authority: JP
Inventors: Mototsugu Tsuda; 基嗣津田; Hiroshi Yamazaki; 央山崎
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-06-29
Filing date: 2011-06-29
Publication date: 2013-01-17

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an acoustic wave device having excellent reliability.SOLUTION: An acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 10, an IDT electrode 20, pad portions 26a and 26b, and connecting portions 27a and 27b. The IDT electrode 20 is provided on the piezoelectric substrate 10. The IDT electrode 20 has a pair of comb-shaped electrodes 21a and 21b that have a plurality of electrode fingers 22a and 22b and bus bars 23a and 23b, respectively, and interdigitate with each other. The connecting portions 27a and 27b connect the IDT electrode 20 and the pad portions 26a and 26b. At least a surface layer of each of the pad portions 26a and 26b is made of pure Al or pure Au. A surface layer of each of the connecting portions 27a and 27b is made of a constituent material other than pure Al or pure Au.

Description

本発明は、圧電基板上に配されたＩＤＴ電極を有する弾性波装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an acoustic wave device having an IDT electrode disposed on a piezoelectric substrate and a method for manufacturing the same.

近年、フィルタ装置や共振子として、弾性表面波や弾性境界波等の弾性波を利用した弾性波装置が広く利用されるようになってきている。弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に配されたＩＤＴ電極とを有する。ＩＤＴ電極や配線は、弾性波装置の特性や信頼性に大きな影響を及ぼすため、従来、弾性波装置のＩＤＴ電極や配線の構成が種々提案されている。例えば特許文献１には、ＩＤＴ電極のパッド部の上に配された上部電極を、アルミニウム合金からなる第１層と、アルミニウム合金層の上に配されており、アルミニウムからなる第２層との積層体により構成することが記載されている。 In recent years, elastic wave devices using elastic waves such as surface acoustic waves and boundary acoustic waves have been widely used as filter devices and resonators. The acoustic wave device includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode disposed on the piezoelectric substrate. Since the IDT electrode and the wiring greatly affect the characteristics and reliability of the acoustic wave device, various configurations of the IDT electrode and the wiring of the acoustic wave device have been conventionally proposed. For example, in Patent Document 1, an upper electrode disposed on a pad portion of an IDT electrode includes a first layer made of an aluminum alloy and a second layer made of aluminum that is disposed on the aluminum alloy layer. It is described that it is composed of a laminate.

特開２００３−８６６２５号公報JP 2003-86625 A

近年、携帯電話端末等のモバイル機器の普及に伴って、弾性波装置をさらに小型化したいという要望が強まってきている。しかしながら、特許文献１に記載の電極構造を有する弾性波装置では、小型化すると、例えばＩＤＴ電極に高周波電力が印加された際に、ＩＤＴ電極から振動が生じ、ストレスマイグレーションによって配線に断線や短絡が生じる虞がある。従って、信頼性が低くなるという問題がある。 In recent years, with the spread of mobile devices such as mobile phone terminals, there is an increasing demand for further downsizing the acoustic wave device. However, in the acoustic wave device having the electrode structure described in Patent Document 1, when the size is reduced, for example, when high-frequency power is applied to the IDT electrode, vibration is generated from the IDT electrode, and the wiring is disconnected or short-circuited by stress migration. May occur. Therefore, there is a problem that reliability is lowered.

本発明の目的は、優れた信頼性を有する弾性波装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an elastic wave device having excellent reliability.

本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、パッド部と、接続部とを備えている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に配されている。ＩＤＴ電極は、複数の電極指及びバスバーを有し、互いに間挿し合う一対のくし歯状電極からなる。接続部は、ＩＤＴ電極とパッド部とを接続している。パッド部の少なくとも表層はＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕからなる。接続部の表層は、ＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕ以外の構成材料により構成されている。 The acoustic wave device according to the present invention includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode, a pad portion, and a connection portion. The IDT electrode is disposed on the piezoelectric substrate. The IDT electrode has a plurality of electrode fingers and a bus bar, and is composed of a pair of comb-like electrodes that are interleaved with each other. The connection part connects the IDT electrode and the pad part. At least the surface layer of the pad portion is made of PureAl or PureAu. The surface layer of the connection portion is made of a constituent material other than PureAl or PureAu.

なお、本発明において、「ＰｕｒｅＡｌ」には、例えば、０．００１質量％以下の濃度で不純物を含むＡｌが含まれるものとする。「ＰｕｒｅＡｕ」には、例えば、０．００１質量％以下の濃度で不純物を含むＡｕが含まれるものとする。 In the present invention, “PureAl” includes, for example, Al containing impurities at a concentration of 0.001 mass% or less. “PureAu” includes, for example, Au containing impurities at a concentration of 0.001% by mass or less.

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、接続部の表層は、Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ及びＳｉのうちの少なくともひとつを含むＡｌ合金からなる。 In another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, the surface layer of the connection portion is made of an Al alloy containing at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta, and Si.

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、接続部の表層は、Ｃｕの含有率が０．１質量％〜２０質量％であるＡｌＣｕ合金からなる。 In another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, the surface layer of the connection portion is made of an AlCu alloy having a Cu content of 0.1% by mass to 20% by mass.

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、圧電基板は、ＬｉＮｂＯ_３からなる。ＩＤＴ電極の少なくとも一部の圧電基板側の表層はＴｉを含まない。 In still another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, the piezoelectric substrate is made of LiNbO ₃ . At least a part of the surface of the IDT electrode on the piezoelectric substrate side does not contain Ti.

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、ＩＤＴ電極の少なくとも一部の圧電基板側の表層はＮｉＣｒ合金、またはＣｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ及びＳｉのうちの少なくともひとつを含むＡｌ合金からなる。 In still another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, the surface layer of at least a part of the IDT electrode on the piezoelectric substrate side is made of NiCr alloy or at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta, and Si. It consists of Al alloy containing.

本発明に係る弾性波装置のまた他の特定の局面では、弾性波装置は、誘電体層をさらに備えている。誘電体層は、圧電基板の上に複数の電極指を覆うように設けられている。 In another specific aspect of the elastic wave device according to the present invention, the elastic wave device further includes a dielectric layer. The dielectric layer is provided on the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of electrode fingers.

本発明に係る弾性波装置の製造方法では、圧電基板の上に複数の電極指を覆うように誘電体膜をバイアススパッタリング法により形成し、エッチングにより誘電体膜の表面を平坦化することによって誘電体層を形成する。 In the method of manufacturing an acoustic wave device according to the present invention, a dielectric film is formed on a piezoelectric substrate so as to cover a plurality of electrode fingers by a bias sputtering method, and the surface of the dielectric film is planarized by etching. A body layer is formed.

本発明によれば、優れた信頼性を有する弾性波装置を提供することができる。 According to the present invention, an elastic wave device having excellent reliability can be provided.

本発明の一実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。1 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. 図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1. 本発明の一実施形態における弾性波装置の製造工程を説明するための略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the elastic wave apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における弾性波装置の製造工程を説明するための略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the elastic wave apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における弾性波装置の製造工程を説明するための略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the elastic wave apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における弾性波装置の製造工程を説明するための略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the elastic wave apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における弾性波装置の製造工程を説明するための略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the elastic wave apparatus in one Embodiment of this invention.

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。 Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率等は、現実の物体の寸法の比率等とは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。 Moreover, in each drawing referred in embodiment etc., the member which has a substantially the same function shall be referred with the same code | symbol. The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described, and the ratio of the dimensions of the objects drawn in the drawings may be different from the ratio of the dimensions of the actual objects. The dimensional ratio of the object may be different between the drawings. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.

（弾性波装置１の構成）
図１は、本実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。 (Configuration of elastic wave device 1)
FIG. 1 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to this embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.

図１及び図２に示す弾性波装置１は、弾性表面波を利用した弾性表面波装置であり、より詳細には、弾性表面波共振子である。但し、本発明は、これに限定されない。本発明に係る弾性波装置は、弾性表面波フィルタ装置等の弾性表面波共振子以外の弾性波装置であってもよい。また、本発明に係る弾性波装置は、弾性境界波を用いた弾性境界波共振子や弾性境界波フィルタ装置等の弾性境界波装置であってもよい。 The surface acoustic wave device 1 shown in FIGS. 1 and 2 is a surface acoustic wave device using surface acoustic waves, and more specifically, is a surface acoustic wave resonator. However, the present invention is not limited to this. The elastic wave device according to the present invention may be an elastic wave device other than the surface acoustic wave resonator such as a surface acoustic wave filter device. The elastic wave device according to the present invention may be a boundary acoustic wave device such as a boundary acoustic wave resonator using a boundary acoustic wave or a boundary acoustic wave filter device.

弾性波装置１は、圧電基板１０を有する。圧電基板１０は、適宜の圧電材料により構成することができる。具体的には、本実施形態では、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ_３により構成されている例について説明する。但し、本発明において、圧電基板の構成材料は特に限定されない。本発明において、圧電基板は、例えば、ＬｉＴａＯ_３、水晶等により構成されていてもよい。 The acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 10. The piezoelectric substrate 10 can be made of an appropriate piezoelectric material. Specifically, in this embodiment, an example in which the piezoelectric substrate 10 is composed of LiNbO ₃ will be described. However, in the present invention, the constituent material of the piezoelectric substrate is not particularly limited. In the present invention, the piezoelectric substrate may be made of, for example, LiTaO ₃ , quartz, or the like.

圧電基板１０の一主面１０ａの上には、ＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５ａ、２５ｂとが配されている。一対の反射器２５ａ、２５ｂは、ＩＤＴ電極２０の弾性波伝搬方向ｘの両側に配されている。 On one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10, an IDT electrode 20 and a pair of reflectors 25a and 25b are disposed. The pair of reflectors 25 a and 25 b are disposed on both sides of the elastic wave propagation direction x of the IDT electrode 20.

ＩＤＴ電極２０は、一対のくし歯状電極２１ａ、２１ｂを有する。一対のくし歯状電極２１ａ、２１ｂのそれぞれは、複数の電極指２２ａ、２２ｂと、バスバー２３ａ、２３ｂとを有する。バスバー２３ａ、２３ｂは、複数の電極指２２ａ、２２ｂを接続している。くし歯状電極２１ａとくし歯状電極２１ｂとは互いに間挿し合っている。 The IDT electrode 20 has a pair of comb-like electrodes 21a and 21b. Each of the pair of comb-like electrodes 21a and 21b has a plurality of electrode fingers 22a and 22b and bus bars 23a and 23b. The bus bars 23a and 23b connect the plurality of electrode fingers 22a and 22b. The comb-tooth electrode 21a and the comb-tooth electrode 21b are interleaved with each other.

また、圧電基板１０の一主面１０ａの上には、パッド部２６ａ、２６ｂと、接続部２７ａ、２７ｂとが配されている。パッド部２６ａ、２６ｂは、くし歯状電極２１ａ、２１ｂとは離間して配されている。パッド部２６ａ、２６ｂは、接続部２７ａ、２７ｂによりくし歯状電極２１ａ、２１ｂに接続されている。パッド部２６ａ、２６ｂは、例えばＡｕバンプやＡｕワイヤ等の接続部材３１により他の部品と接続される部分である。 In addition, pad portions 26 a and 26 b and connection portions 27 a and 27 b are arranged on one main surface 10 a of the piezoelectric substrate 10. The pad portions 26a and 26b are arranged separately from the comb-like electrodes 21a and 21b. The pad portions 26a and 26b are connected to the comb-like electrodes 21a and 21b by connection portions 27a and 27b. The pad portions 26a and 26b are portions connected to other components by a connection member 31 such as an Au bump or an Au wire.

圧電基板１０の一主面１０ａの上には、少なくとも複数の電極指２２ａ、２２ｂを覆うように誘電体層３０が設けられている。本実施形態では、誘電体層３０は、ＩＤＴ電極２０及び反射器２５ａ、２５ｂの全体を覆うように設けられている。誘電体層３０は、例えば、酸化ケイ素や窒化ケイ素等の材料から構成されている。本実施形態では、誘電体層３０が圧電基板とは逆符号の周波数温度係数（ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＦｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＴＣＦ）を有する酸化ケイ素により構成されている。このため、誘電体層３０は、ＩＤＴ電極２０の保護層としての機能と、弾性波装置１のＴＣＦを小さくする機能とを兼ね備えている。 A dielectric layer 30 is provided on one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 so as to cover at least the plurality of electrode fingers 22a and 22b. In the present embodiment, the dielectric layer 30 is provided so as to cover the entire IDT electrode 20 and the reflectors 25a and 25b. The dielectric layer 30 is made of a material such as silicon oxide or silicon nitride, for example. In the present embodiment, the dielectric layer 30 is made of silicon oxide having a frequency temperature coefficient (TCF) having a sign opposite to that of the piezoelectric substrate. Therefore, the dielectric layer 30 has a function as a protective layer of the IDT electrode 20 and a function of reducing the TCF of the acoustic wave device 1.

また、誘電体層３０の厚みは、ＩＤＴ電極２０により励振される弾性表面波の音速に影響を及ぼすため、誘電体層３０の厚みを調整することにより弾性波装置１の共振周波数を調整することができる。 Further, since the thickness of the dielectric layer 30 affects the speed of sound of the surface acoustic wave excited by the IDT electrode 20, the resonance frequency of the acoustic wave device 1 is adjusted by adjusting the thickness of the dielectric layer 30. Can do.

なお、誘電体層３０は、単一の誘電体膜により構成されていてもよいし、複数の誘電体膜の積層体により構成されていてもよい。具体的には、誘電体層３０は、圧電基板１０の上に配された酸化ケイ素層と、その酸化ケイ素層の上に配された窒化ケイ素層とを含む積層体により構成されていてもよい。 The dielectric layer 30 may be composed of a single dielectric film or a laminate of a plurality of dielectric films. Specifically, the dielectric layer 30 may be configured by a stacked body including a silicon oxide layer disposed on the piezoelectric substrate 10 and a silicon nitride layer disposed on the silicon oxide layer. .

パッド部２６ａ、２６ｂの少なくとも表層はＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕからなる一方、それ以外の部分は、ＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕ以外の構成材料により構成されている。パッド部２６ａ、２６ｂの表層は比較的やわらかいＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕにより構成されているため、接続部材３１の接着強度が高い。但し、パッド部２６ａ、２６ｂの厚みに対する、表層の厚みの比が大きすぎると、パッド部２６ａ、２６ｂの表層が、接続部材３１を形成する際に変形してはみ出す場合があり、小さすぎると、接続部材３１の接着強度が低下する。従って、パッド部２６ａ、２６ｂの厚みに対する、表層の厚みの比（（ＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕにより構成されている層の厚み）／（パッド部２６ａ、２６ｂの厚み））は、１％以上であることが好ましく、５％以上であることがより好ましく、１５％以上であることがさらに好ましい。また、パッド部２６ａ、２６ｂの厚みに対する、表層の厚みの比は、７５％以下であることが好ましく、２５％以下であることがより好ましい。 At least the surface layer of the pad portions 26a and 26b is made of PureAl or PureAu, and the other portions are made of a constituent material other than PureAl or PureAu. Since the surface layers of the pad portions 26a and 26b are made of relatively soft PureAl or PureAu, the adhesive strength of the connection member 31 is high. However, if the ratio of the thickness of the surface layer to the thickness of the pad portions 26a, 26b is too large, the surface layer of the pad portions 26a, 26b may be deformed and protrude when forming the connection member 31, and if too small, The adhesive strength of the connection member 31 is reduced. Therefore, the ratio of the thickness of the surface layer to the thickness of the pad portions 26a, 26b ((thickness of the layer made of PureAl or PureAu) / (thickness of the pad portions 26a, 26b)) may be 1% or more. Preferably, it is 5% or more, more preferably 15% or more. The ratio of the surface layer thickness to the pad portions 26a and 26b is preferably 75% or less, and more preferably 25% or less.

接続部２７ａ、２７ｂの表層は、Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ及びＳｉのうちの少なくともひとつを含むＡｌ合金からなることが好ましい。なかでも、ＡｌＣｕ合金が接続部２７ａ、２７ｂの構成材料として好ましく用いられ、Ｃｕの含有率が０．１質量％〜２０質量％であるＡｌＣｕ合金が接続部２７ａ、２７ｂの構成材料としてより好ましく用いられる。 The surface layers of the connecting portions 27a and 27b are preferably made of an Al alloy containing at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta, and Si. Among them, an AlCu alloy is preferably used as a constituent material of the connection portions 27a and 27b, and an AlCu alloy having a Cu content of 0.1% by mass to 20% by mass is more preferably used as a constituent material of the connection portions 27a and 27b. It is done.

また、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ_３からなる場合、圧電基板１０側の導電層がＴｉを含まないことが好ましい。具体的には、ＩＤＴ電極２０及び反射器２５ａ、２５ｂの圧電基板１０側の導電層は、ＮｉＣｒ合金、またはＣｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ及びＳｉのうちの少なくともひとつを含むＡｌ合金からなることが好ましい。 When the piezoelectric substrate 10 is made of LiNbO _3, it is preferable that the conductive layer on the piezoelectric substrate 10 side does not contain Ti. Specifically, the conductive layer on the piezoelectric substrate 10 side of the IDT electrode 20 and the reflectors 25a and 25b is made of NiCr alloy or Al alloy containing at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta and Si. It is preferable.

図２に示すように、本実施形態の弾性波装置１は、圧電基板１０の一主面１０ａの上に第１〜第３の導電層４１〜４３を有する。電極指２２ａ、２２ｂ及びバスバー２３ａ、２３ｂ並びに反射器２５ａ、２５ｂは、第１の導電層４１により構成されている。接続部２７ａ、２７ｂは、第１の導電層４１と、第１の導電層４１の上に配された第３の導電層４３により構成されている。パッド部２６ａ、２６ｂは、実質的に第２の導電層４２により構成されている。 As shown in FIG. 2, the acoustic wave device 1 of the present embodiment includes first to third conductive layers 41 to 43 on one main surface 10 a of the piezoelectric substrate 10. The electrode fingers 22 a and 22 b, the bus bars 23 a and 23 b, and the reflectors 25 a and 25 b are configured by the first conductive layer 41. The connection portions 27 a and 27 b are configured by a first conductive layer 41 and a third conductive layer 43 disposed on the first conductive layer 41. The pad portions 26 a and 26 b are substantially constituted by the second conductive layer 42.

第１の導電層４１は、複数の導電層の積層体により構成されている。第１の導電層４１を構成している複数の導電層の最も圧電基板１０側の層は、ＮｉＣｒ合金層である。より具体的には、第１の導電層４１は、圧電基板１０側から、ＮｉＣｒ合金層（厚み：１０ｎｍ）、Ｐｔ層（厚み：３０ｎｍ）、Ｔｉ層（厚み：１０ｎｍ）、ＡｌＣｕ合金層（Ｃｕの含有率：１０質量％、厚み：１２０ｎｍ）及びＴｉ層（厚み：１０ｎｍ）がこの順番で積層された積層体により構成されている。 The first conductive layer 41 is composed of a stacked body of a plurality of conductive layers. The layers closest to the piezoelectric substrate 10 among the plurality of conductive layers constituting the first conductive layer 41 are NiCr alloy layers. More specifically, the first conductive layer 41 includes, from the piezoelectric substrate 10 side, a NiCr alloy layer (thickness: 10 nm), a Pt layer (thickness: 30 nm), a Ti layer (thickness: 10 nm), an AlCu alloy layer (Cu Content: 10% by mass, thickness: 120 nm) and a Ti layer (thickness: 10 nm) are constituted by a laminated body laminated in this order.

第２の導電層４２は、複数の導電層の積層体により構成されている。第２の導電層４２を構成している複数の導電層の最も圧電基板１０側の層は、ＡｌＣｕ合金層である。一方、第２の導電層４２の最外層を構成しているのは、ＰｕｒｅＡｕ層である。より具体的には、第２の導電層４２は、圧電基板１０側から、ＡｌＣｕ合金（Ｃｕの含有率：１質量％、厚み：１８００ｎｍ）、Ｔｉ層（厚み：１００ｎｍ）及びＰｕｒｅＡｕ層（厚み５００ｎｍ）がこの順番で積層された積層体により構成されている。 The second conductive layer 42 is composed of a stacked body of a plurality of conductive layers. The layer closest to the piezoelectric substrate 10 among the plurality of conductive layers constituting the second conductive layer 42 is an AlCu alloy layer. On the other hand, the PureAu layer constitutes the outermost layer of the second conductive layer 42. More specifically, the second conductive layer 42 includes an AlCu alloy (Cu content: 1 mass%, thickness: 1800 nm), a Ti layer (thickness: 100 nm), and a PureAu layer (thickness: 500 nm) from the piezoelectric substrate 10 side. ) Is constituted by a laminated body laminated in this order.

第３の導電層４３は、第１の導電層４１の上に配されている。このため、第３の導電層４３は、圧電基板１０とは直接接触していない。第３の導電層は、複数の導電層の積層体により構成されている。第３の導電層４３の圧電基板１０とは反対側の最外層を構成しているのは、ＡｌＣｕ合金層である。より具体的には、第３の導電層４３は、Ｔｉ層（厚み１００ｎｍ）及びＡｌＣｕ合金（Ａｌの含有率：１質量％、厚み：１５００ｎｍ）がこの順番で積層された積層体により構成されている。 The third conductive layer 43 is disposed on the first conductive layer 41. For this reason, the third conductive layer 43 is not in direct contact with the piezoelectric substrate 10. The third conductive layer is composed of a stacked body of a plurality of conductive layers. The outermost layer on the opposite side of the third conductive layer 43 from the piezoelectric substrate 10 is an AlCu alloy layer. More specifically, the third conductive layer 43 is configured by a laminate in which a Ti layer (thickness: 100 nm) and an AlCu alloy (Al content: 1 mass%, thickness: 1500 nm) are laminated in this order. Yes.

（弾性波装置１の製造方法）
図３〜図７は、本実施形態における弾性波装置１の製造工程を説明するための略図的断面図である。但し、ここで説明する製造方法は単なる一例である。本発明は、以下の製造方法に何ら限定されない。 (Method for manufacturing elastic wave device 1)
3-7 is schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the elastic wave apparatus 1 in this embodiment. However, the manufacturing method described here is merely an example. The present invention is not limited to the following manufacturing method.

まず、図３に示すように、圧電基板１０の上に、第１の導電層４１を形成する。その後、図４に示すように、第２の導電層４２をする。第１及び第２の導電層４１，４２の形成は、例えば、スパッタリング法や蒸着法等の成膜方法と、リフトオフ法等のパターニング方法とを適宜組み合わせることにより行うことができる。 First, as shown in FIG. 3, the first conductive layer 41 is formed on the piezoelectric substrate 10. Thereafter, as shown in FIG. 4, a second conductive layer 42 is formed. The first and second conductive layers 41 and 42 can be formed by appropriately combining, for example, a film formation method such as a sputtering method or a vapor deposition method and a patterning method such as a lift-off method.

次に、図５に示すように、複数の電極指２２ａ、２２ｂの上を含め、圧電基板１０の主面１０ａの実質的に全体を覆うように誘電体膜３２を形成する。誘電体膜３２の形成は、例えば、スパッタリング法や蒸着法等により行うことができる。本実施形態では、バイアススパッタリング法によって誘電体膜３２を形成する。しかし、この場合、電極指２２ａ、２２ｂの上方に形成された誘電体膜３２に凹凸ができ、それに起因するノイズが発生する。そのため、エッチバック法を用いて、誘電体膜３２の表面を平坦化する。具体的には、誘電体膜３２に対して、誘電体膜３２とエッチング比率がほぼ等しいレジストを塗布した後、イオンプラズマ等を用いたドライエッチング等のエッチングを行うことにより、誘電体膜３２の表面を平坦化する。 Next, as shown in FIG. 5, a dielectric film 32 is formed so as to cover substantially the entire main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 including the plurality of electrode fingers 22a and 22b. The dielectric film 32 can be formed by, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. In the present embodiment, the dielectric film 32 is formed by bias sputtering. In this case, however, the dielectric film 32 formed above the electrode fingers 22a and 22b is uneven, and noise is generated due to the unevenness. Therefore, the surface of the dielectric film 32 is planarized using an etch back method. Specifically, after applying a resist whose etching ratio is substantially equal to that of the dielectric film 32 to the dielectric film 32, etching such as dry etching using ion plasma or the like is performed to thereby form the dielectric film 32. Flatten the surface.

次に、図６に示すように、たとえば反応性イオンプラズマエッチング等のエッチングにより誘電体膜３２の一部分を除去することにより、第１の導電層４１の接続部２７ａ、２７ｂを構成している部分、第２の導電層４２の少なくとも一部を露出させる。 Next, as shown in FIG. 6, portions constituting the connection portions 27 a and 27 b of the first conductive layer 41 by removing a part of the dielectric film 32 by etching such as reactive ion plasma etching, for example. Then, at least a part of the second conductive layer 42 is exposed.

次に、図７に示すように、第３の導電層４３を形成することにより、弾性波装置１を完成させることができる。なお、第３の導電層４３の形成は、例えば、スパッタリング法や蒸着法等の成膜方法と、リフトオフ法等のパターニング方法とを適宜組み合わせることにより行うことができる。 Next, as shown in FIG. 7, the acoustic wave device 1 can be completed by forming the third conductive layer 43. Note that the third conductive layer 43 can be formed by appropriately combining, for example, a film formation method such as a sputtering method or a vapor deposition method and a patterning method such as a lift-off method.

以上説明したように、弾性波装置１では、パッド部２６ａ、２６ｂの表層は、ＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕにより構成されている。このため、パッド部２６ａ、２６ｂと、ＡｕバンプやＡｕワイヤ等の接続部材３１とを強固に接続することができる。また、接続部２７ａ、２７ｂの表層は、ＰｕｒｅＡｌ，ＰｕｒｅＡｕ以外の構成材料により構成されている。このため、高周波電圧印加時に、くし歯状電極２１ａ、２１ｂから生じる振動により、接続部２７ａ、２７ｂからのストレスマイグレーションが生じ難い。従って、接続部２７ａ、２７ｂが断線したり短絡したりすることを効果的に抑制することができる。その結果、優れた信頼性を実現することができる。 As described above, in the acoustic wave device 1, the surface layers of the pad portions 26a and 26b are made of PureAl or PureAu. For this reason, the pad portions 26a and 26b can be firmly connected to the connection member 31 such as an Au bump or an Au wire. The surface layers of the connecting portions 27a and 27b are made of a constituent material other than PureAl and PureAu. For this reason, when high frequency voltage is applied, stress migration from the connection portions 27a and 27b hardly occurs due to vibration generated from the comb-like electrodes 21a and 21b. Accordingly, it is possible to effectively suppress the connection portions 27a and 27b from being disconnected or short-circuited. As a result, excellent reliability can be realized.

また、接続部２７ａ、２７ｂの表層は、Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ及びＳｉのうちの少なくともひとつを含むＡｌ合金からなることが好ましい。なかでも、ＡｌＣｕ合金が接続部２７ａ、２７ｂの構成材料として好ましく用いられ、Ｃｕの含有率が０．１質量％〜２０質量％であるＡｌＣｕ合金が接続部２７ａ、２７ｂの構成材料としてより好ましく用いられる。 The surface layers of the connecting portions 27a and 27b are preferably made of an Al alloy containing at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta, and Si. Among them, an AlCu alloy is preferably used as a constituent material of the connection portions 27a and 27b, and an AlCu alloy having a Cu content of 0.1% by mass to 20% by mass is more preferably used as a constituent material of the connection portions 27a and 27b. It is done.

また、弾性波装置１では、第１および第２の導電層４１、４２の圧電基板１０側の導電層がＴｉを含んでいない。具体的には、本実施形態では、圧電基板１０側の導電層は、ＮｉＣｒ合金、またはＡｌＣｕ合金からなる。このため、圧電基板側の導電層にＴｉが含まれている場合とは異なり、圧電基板１０がＬｉＮｂＯ_３からなる場合であってもＴｉが拡散することに起因して圧電基板にクラックが生じることを抑制することができる。 In the elastic wave device 1, the conductive layers on the piezoelectric substrate 10 side of the first and second conductive layers 41 and 42 do not contain Ti. Specifically, in the present embodiment, the conductive layer on the piezoelectric substrate 10 side is made of a NiCr alloy or an AlCu alloy. For this reason, unlike the case where the conductive layer on the piezoelectric substrate side contains Ti, even if the piezoelectric substrate 10 is made of LiNbO ₃ , cracks occur in the piezoelectric substrate due to the diffusion of Ti. Can be suppressed.

１…弾性波装置
１０…圧電基板
１０ａ…圧電基板の主面
２０…ＩＤＴ電極
２１ａ、２１ｂ…くし歯状電極
２２ａ、２２ｂ…電極指
２３ａ、２３ｂ…バスバー
２５ａ、２５ｂ…反射器
２６ａ、２６ｂ…パッド部
２７ａ、２７ｂ…接続部
３０…誘電体層
３１…接続部材
３２…誘電体膜
４１…第１の導電層
４２…第２の導電層
４３…第３の導電層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Elastic wave apparatus 10 ... Piezoelectric substrate 10a ... Main surface 20 of piezoelectric substrate ... IDT electrode 21a, 21b ... Comb-like electrode 22a, 22b ... Electrode finger 23a, 23b ... Bus bar 25a, 25b ... Reflector 26a, 26b ... Pad Portions 27a, 27b ... connecting portion 30 ... dielectric layer 31 ... connecting member 32 ... dielectric film 41 ... first conductive layer 42 ... second conductive layer 43 ... third conductive layer

Claims

A piezoelectric substrate;
An IDT electrode comprising a pair of comb-like electrodes disposed on the piezoelectric substrate and having a plurality of electrode fingers and a bus bar and interleaved with each other;
The pad section,
A connecting portion connecting the IDT electrode and the pad portion;
With
At least a surface layer of the pad portion is made of PureAl or PureAu, while a surface layer of the connection portion is made of a constituent material other than PureAl or PureAu.

2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein a surface layer of the connection portion is made of an Al alloy containing at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta, and Si.

3. The acoustic wave device according to claim 2, wherein the surface layer of the connection portion is made of an AlCu alloy having a Cu content of 0.1% by mass to 20% by mass.

The piezoelectric substrate is made of LiNbO ₃ ,
The acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3, wherein at least a part of the surface layer on the piezoelectric substrate side of the IDT electrode does not contain Ti.

5. The acoustic wave according to claim 4, wherein at least a part of the surface of the IDT electrode on the piezoelectric substrate side is made of a NiCr alloy or an Al alloy containing at least one of Cu, W, Ti, Cr, Ta, and Si. apparatus.

The elastic wave device according to claim 1, further comprising a dielectric layer provided on the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of electrode fingers.

It is a manufacturing method of the elastic wave device according to claim 7,
Forming a dielectric film on the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of electrode fingers by bias sputtering, and forming the dielectric layer by planarizing a surface of the dielectric film by etching; Device manufacturing method.