JP2013010888A - Semiconductor substrate detergent composition - Google Patents

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聡 大塚
Akiko Hara
顕子 原
Yuta Fujita
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a prewashing agent composition which can solve a problem with conventional preliminary washing (prewashing) techniques for a compound semiconductor substrate, such as insufficient detergency, and is improved in washing stamina properties in repeated use.SOLUTION: The detergent composition includes hydrocarbon, glycol ether, a non-ionic surfactant, and an ethanol amine having a branched carbon chain. According to this, the prewashing agent composition can be provided which can be suitably used to remove dirt such as wax, abrasive or particles (foreign matter such as grinding dust) adhered to a semiconductor substrate after grinding treatment, particularly, to a substrate called a compound semiconductor such as GaAs, sapphire or SiC.

Description

本発明は、研磨処理後の半導体基板、特にGaAs、サファイア、SiCのような化合物半導体と呼ばれる基板から研磨後の汚れを洗浄するための洗浄剤に関する。   The present invention relates to a cleaning agent for cleaning dirt after polishing from a semiconductor substrate after polishing, particularly a substrate called a compound semiconductor such as GaAs, sapphire, and SiC.

一般に、半導体基板は、その基板上に薄膜を形成させたものを加工し利用される。この薄膜形成の為には、基板表面の平坦性と清浄性が求められる。特に発光ダイオード(LED)は、サファイア基板の上にGaN、GaAs等の薄膜結晶を形成させ、製造される。このとき、薄膜が平坦・均一でなければ、LEDの歩留まり低下の原因となる。薄膜を均一に成長させるためには、そのベースとなるサファイア基板が平坦かつ高い清浄度を有する必要がある。 In general, a semiconductor substrate is used by processing a thin film formed on the substrate. In order to form this thin film, flatness and cleanliness of the substrate surface are required. In particular, a light emitting diode (LED) is manufactured by forming a thin film crystal such as GaN or GaAs on a sapphire substrate. At this time, if the thin film is not flat and uniform, it may cause a decrease in the yield of LEDs. In order to grow a thin film uniformly, it is necessary that the sapphire substrate as the base is flat and has high cleanliness.

まず基板を平坦化するために研磨加工するが、その際ワックス(蝋のような油脂の固形物)を用いて基板を一時固定し、コロイダルシリカ等の研磨剤を用いて研磨する。   First, polishing is performed in order to planarize the substrate. At that time, the substrate is temporarily fixed using wax (solid matter of oil and fat such as wax), and then polished using an abrasive such as colloidal silica.

研磨加工して平坦化した基板には、上記ワックスや研磨剤のほか、パーティクル(研削屑等の異物)も付着している。薄膜形成するためには、基板に残るこれらワックス・研磨剤・パーティクルを可能な限り落とす必要がある。そのため、通常は研磨加工後に基板を洗浄する工程を有し、高い清浄目標を達成するために、予備洗浄(プレ洗浄)に加えて、仕上げ洗浄(ファイナル洗浄)が行われている。   In addition to the wax and the abrasive, particles (foreign matter such as grinding scraps) are also attached to the substrate flattened by polishing. In order to form a thin film, it is necessary to remove these wax, abrasive and particles remaining on the substrate as much as possible. For this reason, there is usually a step of cleaning the substrate after the polishing process, and in order to achieve a high cleaning target, finish cleaning (final cleaning) is performed in addition to preliminary cleaning (pre-cleaning).

本願は、予備洗浄(プレ洗浄)に係わる洗浄剤組成物を提供するものである。従来、予備洗浄では有機溶剤が多用されてきた。そのため、作業安全性への不安のみならず、基板への汚れの再付着の発生による洗浄性能の不足が指摘されていた。 The present application provides a cleaning composition for preliminary cleaning (pre-cleaning). Conventionally, organic solvents have been frequently used in preliminary cleaning. For this reason, it has been pointed out that the cleaning performance is insufficient due to the occurrence of redeposition of dirt on the substrate as well as anxiety about work safety.

特開平10−112451号公報JP-A-10-112451 特開平9−36078号公報JP-A-9-36078 特開2003−289060号公報JP 2003-289060 A 特開2002−69492号公報JP 2002-69492 A

特許文献―1および特許文献―2には、ワックス除去を目的とする半導体基板洗浄剤および洗浄方法が開示されている。更に、特許文献―3および特許文献―4にはパーティクル除去を目的とする精密洗浄剤および洗浄方法が開示されている。しかしながら、化合物半導体基板においては、高い清浄度が得られないという課題があった。 Patent Document-1 and Patent Document-2 disclose a semiconductor substrate cleaning agent and a cleaning method for the purpose of removing wax. Further, Patent Document 3 and Patent Document 4 disclose precision cleaning agents and cleaning methods for the purpose of particle removal. However, the compound semiconductor substrate has a problem that high cleanliness cannot be obtained.

本願は、化合物半導体基板のプレ洗浄技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することにある。
The present application provides a pre-cleaning (pre-cleaning) agent composition that solves problems such as insufficient cleaning power, which has been a problem of pre-cleaning technology for compound semiconductor substrates, and has improved cleaning stamina when repeatedly used. There is.

上記課題を解決するために本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、クレーム構成に基づく解決手段に至った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have intensively studied and, as a result, have arrived at a solution means based on the claim structure.

本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、下記構成による洗浄剤組成物を提供する。即ち、
〔1〕
(A)炭素数8〜20の飽和脂肪族炭化水素、及び/又は、不飽和脂肪族炭化水素を1〜20質量%、
(B)一般式(1)で表されるグリコールエーテルを5〜40質量%、

−O−(AO)−R (1)
但し、Rは炭素数4〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基であり、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基であるが構造中に少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれ、nはAOの平均繰り返し数を示し、1〜4の数である。また、Rは水素基、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基である。

(C)一般式(2)で表されるノニオン性界面活性剤を1〜20質量%、

3−O−(AO)−H (2)
但し、Rは炭素数8〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基であり、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基であるが少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれ、nはAOの平均繰り返し数を示し8〜20である。

(D)モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプ
ロパノールアミンから選択される少なくとも1種以上の、分岐炭素鎖を有す
るアルカノールアミンを1〜30質量%、
以上、(A)〜(D)の4成分を含有することを特徴とする半導体基板用液体洗浄剤組成物。
〔2〕
半導体基板が、硬脆材料基板であり、中でもGaAs、サファイア、SiC等のような化合物半導体や酸化物半導体であることを特徴とする請求項1記載の洗浄剤組成物。
This invention was made | formed based on the said knowledge, and provides the cleaning composition by the following structure. That is,
[1]
(A) 1-20 mass% of C8-20 saturated aliphatic hydrocarbon and / or unsaturated aliphatic hydrocarbon,
(B) 5-40% by mass of glycol ether represented by the general formula (1),

R 1 —O— (AO) n —R 2 (1)
However, R 1 is a linear or branched alkyl group, alkenyl group, phenyl group or benzyl group having 4 to 8 carbon atoms, and AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms. At least one unit of oxyethylene group is contained, n represents the average number of AO repeats, and is a number from 1 to 4. R 2 is a hydrogen group, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alkenyl group.

(C) 1-20% by mass of a nonionic surfactant represented by the general formula (2),

R 3 —O— (AO) n —H (2)
R 3 is a linear or branched alkyl group, alkenyl group, phenyl group or benzyl group having 8 to 20 carbon atoms, and AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms, but at least one unit. Oxyethylene groups are included, and n represents the average number of AO repeats and is 8 to 20.

(D) 1-30% by mass of at least one alkanolamine having a branched carbon chain selected from monoisopropanolamine, diisopropanolamine, and triisopropanolamine;
As mentioned above, the liquid cleaning composition for semiconductor substrates characterized by containing four components of (A)-(D).
[2]
The cleaning composition according to claim 1, wherein the semiconductor substrate is a hard and brittle material substrate, and is a compound semiconductor or oxide semiconductor such as GaAs, sapphire, SiC or the like.

本発明によれば、化合物半導体基板の製造工程において付着するワックスを高度に除去でき、さらに除去されたワックスが混入した洗浄剤組成物を繰り返し使用しても、洗浄力低下の少ない、即ちスタミナ洗浄性の観点に優れた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することができる。   According to the present invention, the wax adhering in the manufacturing process of the compound semiconductor substrate can be removed to a high degree, and even if the cleaning composition containing the removed wax is used repeatedly, there is little reduction in cleaning power, that is, stamina cleaning. It is possible to provide a pre-cleaning (pre-cleaning) agent composition that is excellent in terms of properties.

以下、本発明について詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

(A成分)
ここで(A)成分は、炭素数8〜20の飽和脂肪族炭化水素、不飽和脂肪族炭化水素である。(A)成分は、炭素数が8〜20が好ましく、炭素数が10〜16がより好ましい。炭素数が8〜20、特に10〜16であるとワックス汚れに対する洗浄性がより向上する。また炭素数が下限値以上であると引火性が低く、炭素数が上限値以下であると均一で透明な外観の洗浄剤組成物が得られやすい。
(A)成分は、飽和脂肪族炭化水素、不飽和脂肪族炭化水素であれば特に限定されず、具体的にはオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン等の直鎖状又は分岐鎖状のアルカン;オクテン、デセン、ウンデセン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、ペンタデセン、ヘキサデセン、ヘキサデセン、ヘプタデセン、オクタデセン等の直鎖状又は分岐鎖状のアルケン等が挙げられる。(A)成分は、1種単独で、又は2種以上を適宜組み合わせて用いることができる。
具体的な商品例示としては、流動パラフィンNo.30(商品名、中央化成製、炭素数12〜14の混合物)、N12D(商品名、日鉱石油化学製ノルマルパラフィン、炭素数12)、リニアレン14(商品名、出光興産製αオレフィン、炭素数14)等が挙げられる。
本発明品の洗浄剤組成物における(A)成分の割合は、1〜20質量%であることが好ましく、3〜10質量%であることがより好ましい。(A)成分の割合が1%以上であると、ワックスに対する洗浄性が向上する。また、20%以下であれば、均一で透明な外観を呈する組成物が得られる。
(A component)
Here, the component (A) is a C8-20 saturated aliphatic hydrocarbon or unsaturated aliphatic hydrocarbon. The component (A) preferably has 8 to 20 carbon atoms, and more preferably 10 to 16 carbon atoms. When the carbon number is 8 to 20, particularly 10 to 16, the detergency against wax stains is further improved. When the carbon number is at least the lower limit, the flammability is low, and when the carbon number is at most the upper limit, a uniform and transparent appearance of the detergent composition is easily obtained.
The component (A) is not particularly limited as long as it is a saturated aliphatic hydrocarbon or unsaturated aliphatic hydrocarbon, and specifically, octane, decane, undecane, dodecane, tridecane, tetradecane, pentadecane, hexadecane, hexadecane, heptadecane, Examples include linear or branched alkanes such as octadecane; linear or branched alkenes such as octene, decene, undecene, dodecene, tridecene, tetradecene, pentadecene, hexadecene, hexadecene, heptadecene, and octadecene. (A) A component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types as appropriate.
As a specific product example, liquid paraffin No. 30 (trade name, manufactured by Chuo Kasei Co., Ltd., mixture of 12 to 14 carbon atoms), N12D (trade name, normal paraffin manufactured by Nikko Petrochemical Co., Ltd., 12 carbon atoms), linearene 14 (trade name, α olefin produced by Idemitsu Kosan Co., Ltd. ) And the like.
The proportion of the component (A) in the cleaning composition of the present invention is preferably 1 to 20% by mass, and more preferably 3 to 10% by mass. When the proportion of the component (A) is 1% or more, the detergency to wax is improved. Moreover, if it is 20% or less, the composition which exhibits a uniform and transparent external appearance will be obtained.

(B成分)
ここで(B)成分は、一般式(1)として以下に表される化合物である。
−O−(AO)n−R・・・(1)式
は炭素数4〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基である。AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基であり、nはAOの平均繰り返し数を示し、1〜4の数である。ただし、−(AO)−の繰り返し構造中には少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれる。尚、nが2以上の場合、AOはアルキレンオキシドが単独で付加していても、2種以上のアルキレンオキシドが混合して付加していてもよく、また、混合付加の場合の形態もランダム付加でもブロック付加でもどちらでも良い。Rは水素基、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基である。なかでも、当該洗浄剤組成物のワックスに対する洗浄性、液安定性(均一性、透明性)がより向上することから、Rは水素基がより好ましい。
(B)成分は、一般式(1)として表される化合物であれば特に限定されず、具体的なものとして、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリアルキレングリコールモノブチルエーテル(EO1モル、PO2モル付加体)、ジエチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(ヘキシルジグリコール)、エチレングリコールモノ−2−エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ2−エチル−ヘキシルエーテル(2―エチルヘキシルジグリコール)、フェニルグリコール、フェニルジグリコール、フェニルトリグリコール等が挙げられる。中でも、ワックスに対する洗浄性がより向上することから、エチレンオキサイド付加系の、ヘキシルジグリコール、2―エチルヘキシルジグリコール、トリアルキレングリコールモノブチルエーテル(EO1モル、PO2モル付加体)、トリエチレングリコールモノブチルエーテルがより好ましい。
(B)成分は、1種単独で、又は2種以上を適宜組み合わせて用いることができ、具体的な商品例示として、ヘキシルジグリコール(商品名、日本乳化剤製)、2エチルヘキシルジグリコール(商品名、日本乳化剤製)、キョーワノールシリーズ(商品名、協和発酵ケミカル製)レオソルブ703B(商品名、ライオン製)、ブチルトリグリコール(商品名、日本乳化剤製)、ブチセノールシリーズ(商品名、協和発酵ケミカル製)などの市販品を用いることができる。
本発明品の洗浄剤組成物における(B)成分の割合は、5〜40質量%であることが好ましく、16〜25質量%であることがより好ましい。(B)成分の割合が5%以上であると、ワックスに対する洗浄性、均一で透明な外観を呈する液安定性が向上する。40%以下であれば、均一で透明な外観を呈する液安定性が向上する。
(B)成分の主たる配合効果は、(A)成分を可溶化させて、(A)成分と相乗的にワックスの除去性を高める役割を担うものである。
(B component)
Here, the component (B) is a compound represented by the following general formula (1).
R 1 -O- (AO) n- R 2 ··· (1) formula R 1 is a linear or branched alkyl group, an alkenyl group, a phenyl group or a benzyl group having 4 to 8 carbon atoms. AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms, n represents the average number of AO repeats, and is a number of 1 to 4. However, at least one unit of oxyethylene group is contained in the repeating structure of-(AO) n- . When n is 2 or more, AO may be an alkylene oxide added alone or a mixture of two or more alkylene oxides may be added, and the form of mixed addition is also random addition. However, either block addition may be used. R 2 is a hydrogen group, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alkenyl group. Among them, detergency against wax of the detergent composition, liquid stability (uniformity, transparency) because it is improved, R 2 is more preferably hydrogen group.
The component (B) is not particularly limited as long as it is a compound represented by the general formula (1), and specific examples thereof include diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, trialkylene glycol mono Butyl ether (EO 1 mol, PO2 mol adduct), diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether (hexyl diglycol), ethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, diethylene glycol mono-2-ethyl-hexyl ether (2 -Ethylhexyl diglycol), phenyl glycol, phenyl diglycol, phenyl triglycol and the like. Among them, since the detergency to wax is further improved, ethylene oxide addition type hexyl diglycol, 2-ethylhexyl diglycol, trialkylene glycol monobutyl ether (EO 1 mol, PO2 mol adduct), triethylene glycol monobutyl ether are used. More preferred.
(B) A component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types, As a specific product illustration, hexyl diglycol (brand name, product made from a Japanese emulsifier), 2 ethylhexyl diglycol (brand name) , Nippon Emulsifier), Kyowanol Series (trade name, manufactured by Kyowa Hakko Chemical) Leosolve 703B (trade name, manufactured by Lion), Butyl Triglycol (trade name, manufactured by Nippon Emulsifier), Butisenol Series (trade name, Kyowa Hakko) A commercially available product such as a chemical product can be used.
The proportion of the component (B) in the cleaning composition of the present invention is preferably 5 to 40% by mass, and more preferably 16 to 25% by mass. When the proportion of the component (B) is 5% or more, the detergency to the wax and the liquid stability exhibiting a uniform and transparent appearance are improved. If it is 40% or less, the liquid stability which exhibits a uniform and transparent external appearance will improve.
The main blending effect of the component (B) plays a role of solubilizing the component (A) and increasing the wax removability synergistically with the component (A).

(C成分)
ノニオン性界面活性剤とは炭素数8〜20の脂肪族炭化水素或いは芳香族炭化水素に任意のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイドを付加したものであり、一般式(2)として以下に表される化合物である。
−O−(AO)n−H・・・(2)式
ここで、Rは炭素数8〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基である。AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基であり、nはAOの平均繰り返し数を示し、8〜20の数である。ただし、−(AO)−の繰り返し構造中には少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれる。尚、nが2以上の場合、AOはアルキレンオキシドが単独で付加していても、2種以上のアルキレンオキシドが混合して付加していてもよく、また、混合付加の場合の形態もランダム付加でもブロック付加でもどちらでも良い。
(C)成分は、一般式(2)として表される化合物であれば特に限定されず、具体的なものとして、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアリルフェニルエーテル等が挙げられる。中でも、均一で透明な外観を呈する液安定性及び洗浄後のすすぎ性がより向上することから、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルがより好ましい。前記例示の化合物中、ポリオキシアルキレン基は、ポリオキシエチレン基、少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれるポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基であることが好ましく、ポリオキシエチレン基、少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれるポリオキシプロピレン基であることがより好ましい。(C)成分は、1種単独で、又は2種以上を適宜組み合わせて用いることができる。
具体的な商品例示として、ドバノックスシリーズ(商品名、ライオン製)、レオコールシリーズ(商品名、ライオン製)、レオックスシリーズ(商品名、ライオン製)、ニューコールシリーズ(商品名、日本乳化剤製)、ソフタノールシリーズ(商品名、日本触媒製)、ノイゲンシリーズ(商品名、第一工業製薬製)などの市販品を用いることができる。
本発明品の洗浄剤組成物における(C)成分の割合は、1〜20質量%であることが好ましく、6〜10質量%であることがより好ましい。(C)成分の割合が1%以上であると、均一で透明な外観を呈する液安定性及び洗浄後のすすぎ性が向上する。20%以下であれば、ワックスに対する洗浄性、抑泡性が向上する。
(C component)
The nonionic surfactant is a compound obtained by adding arbitrary ethylene oxide or propylene oxide to an aliphatic hydrocarbon or aromatic hydrocarbon having 8 to 20 carbon atoms, and is a compound represented by the following formula (2). is there.
R 3 —O— (AO) n—H (2) where R 3 is a linear or branched alkyl group, alkenyl group, phenyl group or benzyl group having 8 to 20 carbon atoms. is there. AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms, n represents the average number of AO repeats, and is a number of 8 to 20. However, at least one unit of oxyethylene group is contained in the repeating structure of-(AO) n- . When n is 2 or more, AO may be an alkylene oxide added alone or a mixture of two or more alkylene oxides may be added, and the form of mixed addition is also random addition. However, either block addition may be used.
(C) A component will not be specifically limited if it is a compound represented as General formula (2), As a specific thing, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyalkylene alkyl phenyl ether, polyoxyalkylene allyl phenyl ether, etc. Is mentioned. Among these, polyoxyalkylene alkyl ether is more preferable because liquid stability that exhibits a uniform and transparent appearance and rinsing properties after washing are further improved. In the exemplified compounds, the polyoxyalkylene group is preferably a polyoxyethylene group, a polyoxypropylene group containing at least one unit of oxyethylene group, or a polyoxybutylene group, and a polyoxyethylene group, at least one unit. A polyoxypropylene group containing an oxyethylene group is more preferable. (C) A component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types as appropriate.
As specific product examples, the Dovanox series (trade name, made by Lion), Leo Coal series (trade name, made by Lion), Leox series (trade name, made by Lion), New Coal series (trade name, made by Nippon Emulsifier) ), Softanol series (trade name, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), Neugen series (trade name, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku), etc. can be used.
The ratio of the component (C) in the cleaning composition of the present invention is preferably 1 to 20% by mass, and more preferably 6 to 10% by mass. When the ratio of the component (C) is 1% or more, the liquid stability that exhibits a uniform and transparent appearance and the rinsing properties after washing are improved. If it is 20% or less, the detergency and antifoaming properties for wax are improved.

(D成分)
(D)成分は分岐炭素鎖を有するエタノールアミンでありモノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミンである。
これらのうち、ワックスに対する洗浄性(除去性、溶解性)及び研磨剤、パーティクルの分散性がより向上することから、モノイソプロパノールアミンがより好ましい。(D)成分は、1種単独で、又は2種以上を適宜組み合わせて用いることができ、具体的な商品例示として、モノイソプロパノールアミン(NANJING BAOCHUN CHEMICAL CO., LTD製)、ジイソプロパノールアミン(東京化成工業株式会社製)、トリイソプロパノールアミン(東京化成工業株式会社製)などの市販品を用いることができる。
本発明品の洗浄剤組成物における(D)成分の割合は、1〜30質量%であることが好ましく、5〜20質量%であることがより好ましい。(D)成分の割合が1%以上であると、ワックスに対する洗浄性(除去性、溶解性)、pH安定性が向上する。30%以下であれば均一で透明な外観を呈する液安定性が向上する。
(D component)
Component (D) is ethanolamine having a branched carbon chain, and is monoisopropanolamine, diisopropanolamine, or triisopropanolamine.
Of these, monoisopropanolamine is more preferred because it improves the detergency (removability and solubility) of the wax, the abrasive and the dispersibility of the particles. Component (D) can be used singly or in appropriate combination of two or more. As specific product examples, monoisopropanolamine (NANJING BAOCHUN CHEMICAL CO., LTD), diisopropanolamine (Tokyo) Commercial products such as Kasei Kogyo Co., Ltd. and triisopropanolamine (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) can be used.
The proportion of the component (D) in the cleaning composition of the present invention is preferably 1 to 30% by mass, and more preferably 5 to 20% by mass. When the proportion of the component (D) is 1% or more, the detergency (removability and solubility) and pH stability for the wax are improved. If it is 30% or less, the stability of the liquid exhibiting a uniform and transparent appearance is improved.

(任意成分)
本発明の液晶除去用洗浄剤組成物は、上記(A)〜(D)成分以外のその他成分を含有してもよい。その他成分としては、たとえば、キレート剤、酸化防止剤、防錆剤、消泡剤、pH調整剤、アニオン界面活性剤、芳香族化合物等が挙げられる。
キレート剤については、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、トリエチレンテトラ酢酸(TTHA)、メチルグリシン二酢酸(MGDA)、1,3―プロパン―2―ジアミン四酢酸(PDTA)、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸(HEDTA)、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸(HIDA)、ニトリロトリ酢酸(NTA)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)、プロピレンジアミンテトラ酢酸、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、シクロヘキサン―1,2―ジアミンテトラ酢酸、イミノジコハク酸、アスパラギン酸ジ酢酸、β―アラニンジ酢酸、ヒドロキシイミノジコハク酸などの酸またはその塩が挙げられる。塩を形成する場合の塩基としては、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。
酸化防止剤としては、たとえば、フェノール系酸化防止剤[2,6−ジ−t−ブチルフェノール、2−t−ブチル−4−メトキシフェノール及び2,4−ジメチル−6−t−ブチルフェノール等]、アミン系酸化防止剤[モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン;4,4’−ジブチルジフェニルアミン及び4,4’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン;テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン;α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等]、硫黄系化合物[フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−(3−ラウリルチオプロピオネート)及びビス(3,5−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)スルフィド等]並びにリン系酸化防止剤[ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等]等が挙げられる。
防錆剤としては、たとえば、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数2〜10の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数2〜20の炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数2〜20の炭化水素基を有するチアゾール及び2−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤;ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸;ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等が挙げられる。
消泡剤としては、たとえば、シリコーン消泡剤[ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を含む消泡剤等]等が挙げられる。
酸性のpH調整剤としては、上記キレート剤で記載した以外のリン酸、カルボン酸、などが挙げられる。カルボン酸は、たとえば、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ドデカン酸、などの脂肪族カルボン酸類;安息香酸、パラターシャリーブチル安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸などの芳香族カルボン酸類が好ましい。
アルカリ性のpH調整剤としては、アルカノールアミン、第4級アンモニウム水酸化物、無機塩がある。
アルカノールアミンとしては、たとえば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンが挙げられる。
第4級アンモニウム水酸化物としては、たとえば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロオキサイド、等が挙げられる。
無機塩としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。
アニオン界面活性剤としては、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルカンスルホン酸塩,アルファオレフィンスルホン酸塩が挙げられる。塩の塩基としては、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アンモニウム、エタノールアミン等が挙げられる。
芳香族化合物としては、ベンゼン環に2つの置換基を有するものであればよく、具体的には、o−メトキシトルエン、m−メトキシトルエン、p−メトキシトルエン、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、1,4−ジメトキシベンゼン、o−メトキシ−α−メトキシトルエン、m−メトキシ−α−メトキシトルエン、p−メトキシ−α−メトキシトルエン、α−メトキシ−o−キシレン、α−メトキシ−m−キシレン、α−メトキシ−p−キシレン、o−キシレングリコールジメチルエーテル、m−キシレングリコールジメチルエーテル、p−キシレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
(Optional component)
The cleaning composition for removing a liquid crystal of the present invention may contain other components other than the components (A) to (D). Examples of other components include chelating agents, antioxidants, rust inhibitors, antifoaming agents, pH adjusters, anionic surfactants, and aromatic compounds.
For chelating agents, citric acid, tartaric acid, malic acid, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), triethylenetetraacetic acid (TTHA), methylglycine diacetic acid (MGDA), 1,3-propane-2-diaminetetraacetic acid (PDTA) , Hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), hydroxyethyliminodiacetic acid (HIDA), nitrilotriacetic acid (NTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), propylenediaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetrapropionic acid, cyclohexane-1,2-diaminetetra Examples thereof include acids such as acetic acid, iminodisuccinic acid, aspartic acid diacetate, β-alanine diacetate, and hydroxyiminodisuccinic acid, and salts thereof. Examples of the base for forming a salt include sodium, potassium, calcium, magnesium and the like.
Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants [2,6-di-t-butylphenol, 2-t-butyl-4-methoxyphenol and 2,4-dimethyl-6-t-butylphenol], amines, and the like. Antioxidants [monoalkyldiphenylamines such as monooctyldiphenylamine and monononyldiphenylamine; dialkyldiphenylamines such as 4,4′-dibutyldiphenylamine and 4,4′-dipentyldiphenylamine; polyalkyldiphenylamines such as tetrabutyldiphenylamine and tetrahexyldiphenylamine Naphthylamines such as α-naphthylamine and phenyl-α-naphthylamine], sulfur compounds [phenothiazine, pentaerythritol-tetrakis- (3-laurylthiopropionate) and (3,5-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) sulfide and the like] and phosphorus antioxidants [bis (2,4-di-t-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, phenyldiisodecylphosphite, diphenyldi Isooctyl phosphite, triphenyl phosphite, etc.].
Examples of the rust preventive include benzotriazole, tolyltriazole, benzotriazole having a hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, benzimidazole, imidazole having a hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and 2 to 20 carbon atoms. Nitrogen-containing organic rust preventives such as thiazole having a hydrocarbon group and 2-mercaptobenzothiazole; alkyl or alkenyl succinic acids such as dodecenyl succinic acid half ester, octadecenyl succinic anhydride and dodecenyl succinic acid amide; sorbitan monooleate And polyhydric alcohol partial esters such as glycerin monooleate and pentaerythritol monooleate.
Examples of the antifoaming agent include silicone antifoaming agents [antifoaming agents including dimethyl silicone, fluorosilicone, polyether silicone, and the like].
Examples of the acidic pH adjuster include phosphoric acid and carboxylic acid other than those described for the chelating agent. Examples of the carboxylic acid include aliphatic carboxylic acids such as butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, dodecanoic acid; benzoic acid, paratertiary butylbenzoic acid, phthalic acid, Aromatic carboxylic acids such as isophthalic acid and terephthalic acid are preferred.
Examples of alkaline pH adjusters include alkanolamines, quaternary ammonium hydroxides, and inorganic salts.
Examples of the alkanolamine include monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine.
Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, methyltrihydroxyethylammonium hydroxide, dimethyldihydroxyethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and trimethylethylammonium hydroxide. , Etc.
Examples of the inorganic salt include sodium hydroxide and potassium hydroxide.
Examples of the anionic surfactant include linear alkylbenzene sulfonate, alkane sulfonate, and alpha olefin sulfonate. Examples of the salt base include sodium, potassium, calcium, magnesium, ammonium and ethanolamine.
The aromatic compound may be any compound having two substituents on the benzene ring. Specifically, o-methoxytoluene, m-methoxytoluene, p-methoxytoluene, 1,2-dimethoxybenzene, 1, 3-dimethoxybenzene, 1,4-dimethoxybenzene, o-methoxy-α-methoxytoluene, m-methoxy-α-methoxytoluene, p-methoxy-α-methoxytoluene, α-methoxy-o-xylene, α-methoxy -M-xylene, (alpha) -methoxy-p-xylene, o-xylene glycol dimethyl ether, m-xylene glycol dimethyl ether, p-xylene glycol dimethyl ether are mentioned.

(洗浄方法)
前記液体洗浄剤組成物を用いた洗浄方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、浸漬洗浄、噴流洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、超音波洗浄などが挙げられる。特に超音波洗浄によりワックス、研磨剤、パーティクル等の汚れの洗浄剤組成物への分散性を高め、汚れを効果的に除去することができる。
(Cleaning method)
The cleaning method using the liquid cleaning composition is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include immersion cleaning, jet cleaning, spray cleaning, brush cleaning, and ultrasonic cleaning. It is done. In particular, the ultrasonic cleaning improves the dispersibility of dirt such as wax, abrasive and particles in the detergent composition, and the dirt can be effectively removed.

以下、本発明の実施例及び比較例を挙げて本洗浄剤組成物の有効性を説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。尚、下記の例において特に明記のない場合は、組成の「%」は質量%を示し、表中の各成分量は組成物中における純分換算した質量%である。表1に示す組成の洗浄剤組成物を常法により調製した。得られた洗浄剤組成物について下記評価を行った。ここに実施例及び比較例に用いた成分を以下に示す。
(A成分)
n−ドデカン、日鉱石油化学(株)製、N12D(商品名)
1−テトラデセン、出光興産(株)製、リニアレン14(商品名)

(B成分)
ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、日本乳化剤(株)製、ヘキシルジグリコール(商品名)
ジエチレングリコールモノ−2エチルヘキシルエーテル、日本乳化剤(株)製、2エチルへキシルジグリコール(商品名)
トリアルキレングリコールモノブチルエーテル(EO1モル、PO2モル付加体) 、ライオン(株)製、レオソルブ703B(商品名)
トリエチレングリコールモノブチルエーテル、協和発酵ケミカル(株)製、ブチセノール30(商品名)

(C成分)
ポリオキシアルキレン分岐デシルエーテル(C10AO10)、第一工業製薬(株)製、ノイゲンXL−140(商品名)
ポリオキシエチレン2エチルへキシルエーテル(CEO20)、日本乳化剤(株)製、ニューコール1020(商品名)

(D成分)
モノイソプロパノールアミン、NANJING BAOCHUN CHEMICAL CO., LTD製、モノイソプロパノールアミン(商品名)

(D成分比較品)
トリエタノールアミン、関東化学(株)製、2,2’,2’’−ニトリロトリエタノール(商品名)
EXAMPLES Hereinafter, although the Example and comparative example of this invention are given and the effectiveness of this cleaning composition is demonstrated, this invention is not limited to the following Example. In the following examples, unless otherwise specified, “%” of the composition represents mass%, and the amount of each component in the table is mass% in terms of pure content in the composition. A cleaning composition having the composition shown in Table 1 was prepared by a conventional method. The following evaluation was performed about the obtained cleaning composition. The components used in Examples and Comparative Examples are shown below.
(A component)
n-dodecane, manufactured by Nikko Petrochemical Co., Ltd., N12D (trade name)
1-tetradecene, manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., Linearlen 14 (trade name)

(B component)
Diethylene glycol monohexyl ether, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd., hexyl diglycol (trade name)
Diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd., 2-ethylhexyl diglycol (trade name)
Trialkylene glycol monobutyl ether (EO 1 mol, PO 2 mol adduct), Lion Corporation, Leosolv 703B (trade name)
Triethylene glycol monobutyl ether, manufactured by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd., Butisenol 30 (trade name)

(C component)
Polyoxyalkylene branched decyl ether (C 10 AO 10 ), manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Neugen XL-140 (trade name)
Polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether (C 8 EO 20 ), manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd., New Coal 1020 (trade name)

(D component)
Monoisopropanolamine, manufactured by NANJING BAOCHUN CHEMICAL CO., LTD, monoisopropanolamine (trade name)

(D component comparison product)
Triethanolamine, manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., 2,2 ', 2''-nitrilotriethanol (trade name)

(ワックス汚れモデル基板の作成)
1)シフトワックス汚れモデル基板
約90℃に加熱したスライドガラス(76mm×26mm×1mm)表面の端部約20mm×26mmの部分に、均一になるようにシフトワックス679(日化精工(株)製)、を約0.03g程度を溶解塗布した。その後、室温で20分以上放冷したものを、モデル基板とした。
2)アルコワックス汚れモデル基板
約90℃に加熱したスライドガラス(76mm×26mm×1mm)表面の端部約20mm×26mmの部分に、均一になるようにアルコワックス5302(日化精工(株)製)を約0.03g程度を溶解塗布した。その後、室温で20分以上放冷したものを、モデル基板とした。
(Creation of wax dirt model board)
1) Shift wax stain model substrate Shift wax 679 (manufactured by Nikka Seiko Co., Ltd.) so as to be uniform on the end portion of about 20 mm × 26 mm on the surface of the slide glass (76 mm × 26 mm × 1 mm) heated to about 90 ° C. ), About 0.03 g was dissolved and applied. Then, what was left to cool at room temperature for 20 minutes or more was used as a model substrate.
2) Alcowax dirt model substrate Alcowax 5302 (manufactured by Nikka Seiko Co., Ltd.) to be uniform on the end of the glass slide (76mm x 26mm x 1mm) heated to about 90 ° C, about 20mm x 26mm. ) About 0.03 g was dissolved and applied. Then, what was left to cool at room temperature for 20 minutes or more was used as a model substrate.

(液均一性評価)
洗浄剤組成物100gを攪拌調製後、室温で静置し外観を肉眼で目視観察を行った。(評価基準)は以下とした。
○:調製後1日静置で均一透明を維持
×:調製後1日静置で白濁または2層分離
(Liquid uniformity evaluation)
After stirring and preparing 100 g of the cleaning composition, it was allowed to stand at room temperature, and the appearance was visually observed with the naked eye. (Evaluation criteria) was as follows.
○: Maintained uniform transparency after standing for 1 day after preparation ×: Cloudy or separated into two layers after standing for 1 day after preparation

(ワックス除去性)
1)100mLガラスビーカーに各種洗浄剤100mLを入れ、マグネティックスターラーで攪拌しながら液温を50℃に保った。ここにモデル基板を入れ、3分間浸漬し洗浄操作を行なった。3分後、モデル基板を洗浄剤から取り出した。
2)100mLガラスビーカーに水を100mL入れ、マグネティックスターラーで攪拌しながら液温を室温(15〜25℃)に保った。ここに洗浄操作で取り出したモデル基板を2分間浸漬しすすぎ操作を行った。2分後、モデル基板を洗浄剤から取り出した。
3)すすぎ操作後のモデル基板を40℃で30分以上乾燥し、モデル基板表面に付着した水分を飛ばした。
4)洗浄前後の基板の重量と塗布したワックスの重量から、ワックス除去率%を算出した。

ワックス除去率(%)=100×((洗浄前の基板重量)−(洗浄後の基板重量))/ (塗布したワックス重量)
(評価基準)は以下とした。
◎:ワックス除去率:90%以上
○:ワックス除去率:80%以上90%未満
×:ワックス除去率:80%未満
(Wax removability)
1) 100 mL of various cleaning agents were put into a 100 mL glass beaker, and the liquid temperature was kept at 50 ° C. while stirring with a magnetic stirrer. The model substrate was put here, and the washing operation was performed by immersing for 3 minutes. After 3 minutes, the model substrate was removed from the cleaning agent.
2) 100 mL of water was put into a 100 mL glass beaker, and the liquid temperature was kept at room temperature (15 to 25 ° C.) while stirring with a magnetic stirrer. Here, the model substrate taken out by the cleaning operation was immersed for 2 minutes to perform a rinsing operation. After 2 minutes, the model substrate was removed from the cleaning agent.
3) The model substrate after the rinsing operation was dried at 40 ° C. for 30 minutes or more, and the water adhering to the model substrate surface was blown away.
4) The wax removal rate% was calculated from the weight of the substrate before and after cleaning and the weight of the applied wax.

Wax removal rate (%) = 100 × ((substrate weight before cleaning) − (substrate weight after cleaning)) / (weight of applied wax)
(Evaluation criteria) was as follows.
A: Wax removal rate: 90% or more B: Wax removal rate: 80% or more and less than 90% X: Wax removal rate: less than 80%

(ワックス溶解性)
1)シフトワックス679のワックス除去率の評価を行なった後のモデル基板から除去されたシフトワックス679が分散または溶解している洗浄剤100mLを、室温(15〜25℃)で60分静置した。
2)その後、メンブレンフィルター(孔径1μm)を用いて洗浄剤100mLをろ過し、更に、イオン交換水100mLをすすぎ剤としてろ過し、フィルター上の外観を肉眼で目視観察した。
(評価基準)は以下とした。
○:フィルター上に洗浄剤に溶け残ったワックスがない
×:フィルター上に洗浄剤に溶け残ったワックスがある
(Wax solubility)
1) 100 mL of the cleaning agent in which the shift wax 679 removed from the model substrate after the evaluation of the wax removal rate of the shift wax 679 was dispersed or dissolved was allowed to stand at room temperature (15 to 25 ° C.) for 60 minutes. .
2) Thereafter, 100 mL of the cleaning agent was filtered using a membrane filter (pore size: 1 μm), and further 100 mL of ion exchange water was filtered as a rinsing agent, and the appearance on the filter was visually observed with the naked eye.
(Evaluation criteria) was as follows.
○: There is no wax remaining in the cleaning agent on the filter. ×: There is wax remaining in the cleaning agent on the filter.

(洗浄剤すすぎ性)
1)100mLガラスビーカーに各種洗浄剤を100mL入れ、マグネティックスターラーで攪拌しながら液温を室温(15〜25℃)に保った。ここにスライドガラス(76mm×26mm×1mm)を入れ、3分間浸漬しスライドガラスに洗浄剤を付着させた。3分後、スライドガラスを洗浄剤から取り出した。
2)100mLガラスビーカーに水を100mL入れ、マグネティックスターラーで攪拌しながら液温を室温(15〜25℃)に保った。ここに(1)の操作で取り出したスライドガラスを1分間浸漬しすすぎ操作を行った。1分後、モデル基板を洗浄剤から取り出した。
3)すすぎ操作後のモデル基板を40℃で30分以上乾燥し、モデル基板表面に付着した水分を飛ばした。
4)肉眼によりモデル基板に付着した洗浄剤の残渣を以下の基準で確認することですすぎ性を評価した。
(評価基準)は以下とした。
○:洗浄剤残渣が全く無い(すすぎ性100%)
△:洗浄剤残渣がわずかに付着している(すすぎ性50%以上100%未満)
×:洗浄剤残渣が多く付着している(すすぎ性50%未満)
(Cleaning agent rinsability)
1) 100 mL of various cleaning agents were put into a 100 mL glass beaker, and the liquid temperature was kept at room temperature (15 to 25 ° C.) while stirring with a magnetic stirrer. A slide glass (76 mm × 26 mm × 1 mm) was placed here, and immersed for 3 minutes to allow the cleaning agent to adhere to the slide glass. After 3 minutes, the glass slide was removed from the cleaning agent.
2) 100 mL of water was put into a 100 mL glass beaker, and the liquid temperature was kept at room temperature (15 to 25 ° C.) while stirring with a magnetic stirrer. The slide glass taken out by the operation (1) was immersed for 1 minute to perform a rinsing operation. After 1 minute, the model substrate was removed from the cleaning agent.
3) The model substrate after the rinsing operation was dried at 40 ° C. for 30 minutes or more, and the water adhering to the model substrate surface was blown away.
4) The rinsing property was evaluated by checking the residue of the cleaning agent adhered to the model substrate with the naked eye according to the following criteria.
(Evaluation criteria) was as follows.
○: No cleaning agent residue (rinse 100%)
Δ: Detergent residue is slightly adhered (rinse 50% or more and less than 100%)
X: A lot of cleaning agent residue adheres (rinseability is less than 50%)

(スタミナ洗浄性評価)
1)100mLガラスビーカーに各種洗浄剤を100g入れ、更に、シフトワックス679を各種洗浄剤に対して1wt%添加し、マグネティックスターラーで攪拌しながら液温を50℃に保った。ここにシフトワックス汚れモデル基板入れ、3分間浸漬し洗浄操作を行なった。3分後、モデル基板を洗浄剤から取り出した。
2)100mLガラスビーカーに水を100mL入れ、マグネティックスターラーで攪拌しながら液温を室温(15〜25℃)に保った。ここに洗浄操作で取り出したモデル基板を2分間浸漬しすすぎ操作を行った。2分後、モデル基板を洗浄剤から取り出した。
3)すすぎ操作後のモデル基板を40℃で30分以上乾燥し、モデル基板表面に付着した水分を飛ばした。
4)洗浄前後の基板の重量と塗布したワックスの重量から、ワックス除去率%を算出した。
ワックス除去率(%)=100×((洗浄前の基板重量)−(洗浄後の基板重量))/ (塗布したワックス重量)
(評価基準)は以下とした。
◎:ワックス除去率:90%以上
○:ワックス除去率:80%以上90%未満
×:ワックス除去率:80%未満
(Evaluation of stamina cleanability)
1) 100 g of various cleaning agents were put in a 100 mL glass beaker, and 1 wt% of shift wax 679 was added to the various cleaning agents, and the liquid temperature was kept at 50 ° C. while stirring with a magnetic stirrer. Here, a shift wax-stained model substrate was placed and immersed for 3 minutes for washing operation. After 3 minutes, the model substrate was removed from the cleaning agent.
2) 100 mL of water was put into a 100 mL glass beaker, and the liquid temperature was kept at room temperature (15 to 25 ° C.) while stirring with a magnetic stirrer. Here, the model substrate taken out by the cleaning operation was immersed for 2 minutes to perform a rinsing operation. After 2 minutes, the model substrate was removed from the cleaning agent.
3) The model substrate after the rinsing operation was dried at 40 ° C. for 30 minutes or more, and the water adhering to the model substrate surface was blown away.
4) The wax removal rate% was calculated from the weight of the substrate before and after cleaning and the weight of the applied wax.
Wax removal rate (%) = 100 × ((substrate weight before cleaning) − (substrate weight after cleaning)) / (weight of applied wax)
(Evaluation criteria) was as follows.
A: Wax removal rate: 90% or more B: Wax removal rate: 80% or more and less than 90% X: Wax removal rate: less than 80%

表1に実施例、比較例を示す。



Table 1 shows examples and comparative examples.



表1に示すように、本発明品である実施例1〜11は、液均一性、洗浄性、スタミナ洗浄性ともに優れていた。
一方、(A)成分を含有しない比較例1は、アルコワックス5302に対する洗浄性ならびに、スタミナ洗浄性において劣るものであった。(B)成分を含有しない比較例2は、液均一性、洗浄性、スタミナ洗浄性において劣るものであった。
(C)成分を含有しない比較例3は、液均一性、洗浄剤すすぎ性において劣るものであった。(D)成分を含有しない比較例4は、シフトワックス679に対する洗浄性、スタミナ洗浄性において劣るものであった。(D)成分をトリエタノールアミンした比較例5は、スタミナ洗浄性において劣るものであった。
以上の結果から、本発明を適用することで、化合物半導体基板の製造工程において付着するワックスを良好に除去し、さらに除去されたワックスが混入しても洗浄力低下の少ない、即ちスタミナ洗浄性に優れることがわかった。

As shown in Table 1, Examples 1 to 11, which are products of the present invention, were excellent in liquid uniformity, detergency, and stamina detergency.
On the other hand, the comparative example 1 which does not contain (A) component was inferior in the washing | cleaning property with respect to the alcohol wax 5302 and stamina washing | cleaning property. (B) The comparative example 2 which does not contain a component was inferior in liquid uniformity, detergency, and stamina detergency.
Comparative Example 3 containing no component (C) was inferior in liquid uniformity and cleaning agent rinsing properties. The comparative example 4 which does not contain (D) component was inferior in the detergency with respect to the shift wax 679, and a stamina detergency. The comparative example 5 which made the (D) component triethanolamine was inferior in stamina detergency.
From the above results, by applying the present invention, the wax adhering in the manufacturing process of the compound semiconductor substrate is satisfactorily removed, and even when the removed wax is mixed, the detergency is reduced, that is, the stamina detergency is improved. I found it excellent.

Claims (2)

(A)炭素数8〜20の飽和脂肪族炭化水素、及び/又は、不飽和脂肪族炭化水素を1〜20質量%、
(B)一般式(1)で表されるグリコールエーテルを5〜40質量%、

−O−(AO)−R (1)
(但し、Rは炭素数4〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基であり、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基であるが構造中に少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれ、nはAOの平均繰り返し数を示し、1〜4の数である。また、Rは水素基、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基である。)

(C)一般式(2)で表されるノニオン性界面活性剤を1〜20質量%、

3−O−(AO)−H (2)
(但し、Rは炭素数8〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基であり、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基であるが少なくとも1単位のオキシエチレン基が含まれ、nはAOの平均繰り返し数を示し8〜20である。)

(D)モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプ
ロパノールアミンから選択される少なくとも1種以上の、分岐炭素鎖を有するアルカノールアミンを1〜30質量%、

以上、(A)〜(D)の4成分を含有することを特徴とする半導体基板用液体洗浄剤組成物。
(A) 1-20 mass% of C8-20 saturated aliphatic hydrocarbon and / or unsaturated aliphatic hydrocarbon,
(B) 5-40% by mass of glycol ether represented by the general formula (1),

R 1 —O— (AO) n —R 2 (1)
(However, R 1 is a linear or branched alkyl group having 4 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, a phenyl group or a benzyl group, and AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms. Includes at least one unit of oxyethylene group, n represents the average number of AO repeats and is a number of 1 to 4. R 2 is a hydrogen group, a linear or branched chain having 1 to 4 carbon atoms. An alkyl group or an alkenyl group.)

(C) 1-20% by mass of a nonionic surfactant represented by the general formula (2),

R 3 —O— (AO) n —H (2)
(However, R 3 is a linear or branched alkyl group, alkenyl group, phenyl group or benzyl group having 8 to 20 carbon atoms, and AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms, but at least 1 (The unit contains an oxyethylene group, and n represents the average number of AO repeats and is 8 to 20.)

(D) 1-30% by mass of at least one alkanolamine having a branched carbon chain selected from monoisopropanolamine, diisopropanolamine, and triisopropanolamine,

As mentioned above, the liquid cleaning composition for semiconductor substrates characterized by containing four components of (A)-(D).
半導体基板が、化合物半導体或いは酸化物半導体であることを特徴とする請求項1記載の洗浄剤組成物。

The cleaning composition according to claim 1, wherein the semiconductor substrate is a compound semiconductor or an oxide semiconductor.

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140141482A (en) 2013-05-30 2014-12-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Cleaning composition of substrate
EP3240018A1 (en) 2016-04-26 2017-11-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Cleaner composition and preparation of thin substrate
KR20170122137A (en) 2016-04-26 2017-11-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Cleaner composition and preparation of thin substrate
WO2020200803A1 (en) * 2019-04-03 2020-10-08 Chemetall Gmbh Improved method for purging paint circuits and waterborne purge cleaner
WO2022070970A1 (en) 2020-09-30 2022-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing and cleaning method, cleaning agent, and polishing/cleaning set

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140141482A (en) 2013-05-30 2014-12-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Cleaning composition of substrate
US10260027B2 (en) 2013-05-30 2019-04-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Substrate detergent composition
EP3240018A1 (en) 2016-04-26 2017-11-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Cleaner composition and preparation of thin substrate
KR20170122138A (en) 2016-04-26 2017-11-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Cleaner composition and preparation of thin substrate
KR20170122137A (en) 2016-04-26 2017-11-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Cleaner composition and preparation of thin substrate
US10370623B2 (en) 2016-04-26 2019-08-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Cleaner composition and preparation of thin substrate
US10501710B2 (en) 2016-04-26 2019-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Cleaner composition and preparation of thin substrate
WO2020200803A1 (en) * 2019-04-03 2020-10-08 Chemetall Gmbh Improved method for purging paint circuits and waterborne purge cleaner
WO2022070970A1 (en) 2020-09-30 2022-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing and cleaning method, cleaning agent, and polishing/cleaning set
KR20230079131A (en) 2020-09-30 2023-06-05 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 Polishing and cleaning methods, cleaners and sets for abrasive cleaning

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