JP2013003758A - Touch screen, touch panel, and display device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of suppressing parasitic capacitance added to a detection wire and suppressing noise from a display device body.SOLUTION: A touch screen is disposed on a display panel 201 of a display device body 200. The touch screen includes a base substrate 7, a detection wire group 16, and a low-dielectric-constant film 13. The base substrate 7 has a first main plane 7a facing the display panel 201, and a second main plane 7b on the opposite side. The detection wire group 16 is formed on the second main plane 7b side of the base substrate 7. The low-dielectric-constant film 13 is an insulation film having a lower dielectric constant than the base substrate 7, and is formed on the second main plane 7b and/or the first main plane 7a below the detection wire group 16 of the base substrate 7.

Description

本発明は、タッチスクリーン、及び、それを備えるタッチパネル及び表示装置に関するものである。   The present invention relates to a touch screen, a touch panel including the touch screen, and a display device.

従来、指などの指示体によるタッチパネルへのタッチを検出し、そのタッチ位置の座標を算出することによりその入力操作を検出するタッチパネルが知られており、優れたインターフェース手段の一つとして注目されている。このようなタッチパネルでは、指などによるタッチの位置を検出する方法として、抵抗膜方式や静電容量方式などの様々な方式が提案されており、それらが適用されたものが製品化されている。   Conventionally, a touch panel that detects a touch on a touch panel by an indicator such as a finger and detects the input operation by calculating the coordinates of the touch position has been known, and has attracted attention as one of excellent interface means. Yes. In such touch panels, various methods such as a resistive film method and a capacitance method have been proposed as methods for detecting the position of a touch with a finger or the like, and products to which these methods are applied have been commercialized.

特許文献１及び２に開示されているように、静電容量方式の一つとしてＰＣＴ（Projected Capacitive Touch screen）方式が知られている。このＰＣＴ方式では、タッチセンサを内蔵したタッチスクリーンの前面側が、数ｍｍ厚程度のガラス板等の保護板で覆われていても、保護板への指などによるタッチを検出することが可能となっている。このＰＣＴ方式を用いたタッチパネルは、保護板を前面に配置した構成を有しているため、堅牢性に優れる点、手袋装着時でもタッチ検出が可能である点、可動部が無いため長寿命である点などの利点を有している。   As disclosed in Patent Documents 1 and 2, a PCT (Projected Capacitive Touch screen) method is known as one of the capacitance methods. In this PCT method, even when the front side of a touch screen incorporating a touch sensor is covered with a protective plate such as a glass plate having a thickness of several millimeters, it is possible to detect a touch with a finger on the protective plate. ing. The touch panel using this PCT system has a structure with a protective plate placed on the front surface, so it has excellent durability, can detect touch even when wearing gloves, and has a long life because there are no moving parts. It has some advantages.

特許文献１には、ＰＣＴ方式を用いたタッチパネルにおけるタッチスクリーンとして、静電容量を検出するための検出導体であって、薄い導電膜で形成された第１導電材料パターン部（導体エレメント）と、それと絶縁膜を隔てて形成された第２導電材料パターン部とを備える構成が開示されている。複数の第１導電材料パターン部と、複数の第２導電材料パターン部とは、互いに電気的接触がない状態で互いに交差して複数の交点を形成されており、出力線、マルチプレクサを介して容量制御オシレータに接続される。その出力は除算器でカウントされて容量検出データとされる。   In Patent Document 1, as a touch screen in a touch panel using a PCT method, a detection conductor for detecting capacitance, a first conductive material pattern portion (conductor element) formed of a thin conductive film, The structure provided with it and the 2nd conductive material pattern part formed through the insulating film is disclosed. The plurality of first conductive material pattern portions and the plurality of second conductive material pattern portions intersect with each other in a state where there is no electrical contact with each other to form a plurality of intersections. Connected to the control oscillator. The output is counted by a divider and used as capacity detection data.

さて、導体エレメントに相当する検出配線群として最適な材料は、誘導性の観点のみからいえば、例えば銀などの一般的に不透明な金属材料である。しかし、タッチパネルは主に表示パネルなどの表示部上に配設されるため、その表示特性として、検出配線群の可視性が問題となることがある。そこで、検出配線群としては、可視性の観点から、酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜が用いられることもある。また、検出配線群としては、導電材料パターン部に変えて、数μｍ〜２０μｍ程度の細い導線が使用されることもある。   The optimum material for the detection wiring group corresponding to the conductor element is a generally opaque metal material such as silver, for example, from the viewpoint of inductivity. However, since the touch panel is mainly disposed on a display unit such as a display panel, the visibility of the detection wiring group may be a problem as its display characteristics. Therefore, a transparent conductive film such as indium oxide (ITO) may be used as the detection wiring group from the viewpoint of visibility. Further, as the detection wiring group, a thin conductive wire of about several μm to 20 μm may be used instead of the conductive material pattern portion.

検出配線群に含まれる検出配線と接続される上述の容量制御オシレータとしては、弛張発振器やヒステリシス発振器を用いることができる。これらの発振器では、抵抗素子及び容量素子の充放電時定数により発振周期が概ね決まるものとなっており、タッチパネルは、当該容量素子の静電容量の一部に、検出配線と指との間に形成される静電容量（以降「タッチ容量」と記載することもある）を含めるように構成されている。このような構成によれば、タッチスクリーンが使用者の指によりタッチされると、検出配線と指との間のタッチ容量に応じて発振器の発振周期が変化することから、この変化を検出することによりタッチの有無やその位置を判定することが可能となる。   A relaxation oscillator or a hysteresis oscillator can be used as the above-described capacitance control oscillator connected to the detection wiring included in the detection wiring group. In these oscillators, the oscillation period is generally determined by the charge and discharge time constants of the resistance element and the capacitive element, and the touch panel has a part of the capacitance of the capacitive element between the detection wiring and the finger. An electrostatic capacitance to be formed (hereinafter, sometimes referred to as “touch capacitance”) is included. According to such a configuration, when the touch screen is touched by the user's finger, the oscillation period of the oscillator changes according to the touch capacitance between the detection wiring and the finger, and thus this change can be detected. This makes it possible to determine the presence or absence of a touch and its position.

特表平９−５１１０８６号公報JP 9-51186 A 特開平９−１６３３０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-16330

以上のようなタッチパネルにおいて検出されるタッチ容量は、概ねサブｐ〜数ｐＦのオーダーと微小であることから、検出配線に付加されている寄生容量が大きい場合には、信号（シグナル）成分と雑音（ノイズ）成分との比率であるＳＮ比が十分に確保できない。したがって、このような場合には、タッチパネルが正常に機能しない場合がある。ここで、検出配線に付加される寄生容量が検出値（ＳＮ比）に与える影響は、検出方式によって異なる。そこで、ＳＮ比を十分に確保すべく、各方式に応じて、検出配線パターン、タッチスクリーン厚など、タッチパネルの全体的な構成を最適化している。しかしながら、このようにしても、寄生容量の抑制は十分ではなく、寄生容量をより抑制することが望まれている。   Since the touch capacitance detected in the touch panel as described above is very small on the order of sub p to several pF, when the parasitic capacitance added to the detection wiring is large, a signal (signal) component and noise The SN ratio, which is the ratio to the (noise) component, cannot be secured sufficiently. Therefore, in such a case, the touch panel may not function normally. Here, the influence of the parasitic capacitance added to the detection wiring on the detection value (S / N ratio) differs depending on the detection method. Therefore, the overall configuration of the touch panel, such as the detection wiring pattern and the touch screen thickness, is optimized according to each method in order to ensure a sufficient SN ratio. However, even in this case, the parasitic capacitance is not sufficiently suppressed, and it is desired to further suppress the parasitic capacitance.

また、ＰＣＴ方式を用いたタッチパネルが、液晶（ＬＣ）パネルなどを表示部として有する表示装置本体上に配設されている場合、一般的に表示装置本体がノイズ源となり、タッチパネルの動作に影響を与える。そのため、タッチスクリーンと表示装置本体とを含む表示装置全体が最適な構成となっていない場合には、誤動作を起こす可能性がある。   In addition, when a touch panel using the PCT method is disposed on a display device body having a liquid crystal (LC) panel or the like as a display unit, the display device body generally becomes a noise source, which affects the operation of the touch panel. give. For this reason, if the entire display device including the touch screen and the display device body is not optimally configured, a malfunction may occur.

これを解決するため、特許文献２には、ディスプレイ上にシールド層を設けた上でタッチセンサを設置する構成が開示されている。しかしながら、この構成では、検出配線とシールド層との間に寄生容量が生じ、検出速度の低下やＳＮ比の悪化を招くと考えられる。   In order to solve this, Patent Document 2 discloses a configuration in which a touch sensor is installed after a shield layer is provided on a display. However, in this configuration, it is considered that parasitic capacitance is generated between the detection wiring and the shield layer, which causes a decrease in detection speed and a deterioration in the SN ratio.

そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、検出配線に付加される寄生容量を抑制するとともに、表示装置本体からのノイズを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and provides a technique capable of suppressing parasitic capacitance added to the detection wiring and suppressing noise from the display device body. The purpose is to do.

本発明に係るタッチスクリーンは、表示装置本体の表示部上に配設されるタッチスクリーンであって、前記表示部に対向する第１主面及びその反対側の第２主面を有する基板と、前記基板の前記第２主面の側に形成された検出配線群と、前記基板よりも低い誘電率を有し、前記基板の前記検出配線群下の前記第２主面上及び／または前記第１主面上に形成された絶縁膜とを備える。   A touch screen according to the present invention is a touch screen disposed on a display unit of a display device body, and includes a substrate having a first main surface facing the display unit and a second main surface opposite to the first main surface, A detection wiring group formed on the second main surface side of the substrate, and a dielectric constant lower than that of the substrate, and on the second main surface under the detection wiring group of the substrate and / or the first And an insulating film formed on one main surface.

本発明によれば、基板よりも低い誘電率を有する絶縁膜が、表示装置本体と検出配線群との間に形成されている。したがって、検出配線群に付加される寄生容量を抑制することができるとともに、表示装置本体から検出配線群へのノイズの影響も抑制することができる。   According to the present invention, the insulating film having a dielectric constant lower than that of the substrate is formed between the display device body and the detection wiring group. Therefore, the parasitic capacitance added to the detection wiring group can be suppressed, and the influence of noise from the display device body to the detection wiring group can also be suppressed.

本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the touch screen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンの構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of the touch screen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る表示装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチパネルの回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the touchscreen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the touch screen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンにおける、検出配線に付加される寄生容量と低誘電率膜厚との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the parasitic capacitance added to a detection wiring, and the low dielectric constant film thickness in the touch screen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the touch screen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the touch screen which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るタッチスクリーンの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the touch screen which concerns on embodiment of this invention.

＜実施の形態＞
はじめに、本発明の実施の形態に係る表示装置及びタッチパネルが備えるタッチスクリーン１の構成について説明する。 <Embodiment>
First, the configuration of the touch screen 1 included in the display device and the touch panel according to the embodiment of the present invention will be described.

図１は、本実施の形態に係るタッチスクリーン１の概略の構成を示した平面図である。図２は、図１に示される領域Ｂを拡大した図である。タッチスクリーン１は、指などの指示体との間に静電容量を形成する検出配線群１６と、外部部品とを電気的に接続するための複数の端子６とを備える。   FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a touch screen 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is an enlarged view of the region B shown in FIG. The touch screen 1 includes a detection wiring group 16 that forms a capacitance with an indicator such as a finger, and a plurality of terminals 6 for electrically connecting external components.

検出配線群１６は、列方向（図１中、ｙ方向）に伸在し、行方向（図１中、ｘ方向）に所定の間隔を有して配列配置された複数の検出配線２と、行方向に伸在し、列方向に所定の間隔を有して配列配置された複数の検出配線３とを含んでいる。各検出配線２，３は、後述する層間絶縁膜により互いに絶縁されている。   The detection wiring group 16 extends in the column direction (y direction in FIG. 1), and has a plurality of detection wirings 2 arranged in a row direction (x direction in FIG. 1) with a predetermined interval. It includes a plurality of detection wires 3 that extend in the row direction and are arranged with a predetermined interval in the column direction. The detection wirings 2 and 3 are insulated from each other by an interlayer insulating film described later.

図２に示されるように、各検出配線２，３は、規則的に配列されたスリットが設けられてなる網目形状の導線４，５で構成されている。ただし、各検出配線２，３のパターンは、これに限られるわけではなく、スリットがないベタパターンや菱形パターンであっても、本発明の効果は同様に得られる。   As shown in FIG. 2, each of the detection wirings 2 and 3 is configured by a mesh-shaped lead wires 4 and 5 provided with regularly arranged slits. However, the pattern of each of the detection wirings 2 and 3 is not limited to this, and the effect of the present invention can be similarly obtained even if the pattern is a solid pattern or a rhombus pattern without a slit.

次に、本実施の形態に係る表示装置の構成について説明する。なお、以下の説明においては、本実施の形態に係る表示装置は、液晶表示装置であるものとして説明するが、これに限ったものではない。例えば、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置や、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）等、他の方式の表示装置であってもタッチスクリーン１を有するものであれば、以下で説明する液晶表示装置と同様に構成することが可能である。   Next, the configuration of the display device according to this embodiment will be described. In the following description, the display device according to the present embodiment is described as a liquid crystal display device, but is not limited thereto. For example, other types of display devices such as an organic EL (Electro-Luminescence) display device and a PDP (Plasma Display Panel) can be used as long as they have the touch screen 1 and are similar to the liquid crystal display device described below. It is possible to configure.

図３は、本実施の形態に係る表示装置の構成を示した平面図である。この図に示されるように、本実施の形態に係る表示装置は、上述のタッチスクリーン１を備えるタッチパネル１００と、表示装置本体２００とを備える。そして、表示装置本体２００の表示部（ここでは、液晶パネルなどの表示パネル）上にはタッチスクリーン１が配設されている。   FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the display device according to the present embodiment. As shown in this figure, the display device according to the present embodiment includes a touch panel 100 including the touch screen 1 and a display device body 200. The touch screen 1 is disposed on a display unit (here, a display panel such as a liquid crystal panel) of the display device body 200.

タッチパネル１００は、上述したタッチスクリーン１を備えるほか、タッチパネルとして機能するための制御を行う複数の部品が実装されたコントローラ基板１１と、タッチスクリーン１（ここでは上述の端子６）とコントローラ基板１１とを電気的に接続するＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）等からなるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１０とを備える。なお、コントローラ基板１１には、タッチスクリーン１での指などの指示体によりタッチされた位置（タッチ位置）を検出し、そのタッチ位置の座標出力を外部のコンピュータ等に対して行う回路ブロック１２が、上述の複数の部品の１つとして搭載されている。   In addition to the touch screen 1 described above, the touch panel 100 includes a controller board 11 on which a plurality of components that perform control to function as a touch panel are mounted, a touch screen 1 (here, the above-described terminals 6), and the controller board 11. And an FPC (Flexible Printed Circuit) 10 made of ACF (Anisotropic Conductive Film) or the like. The controller board 11 has a circuit block 12 that detects a position touched by an indicator such as a finger on the touch screen 1 (touch position) and outputs coordinates of the touch position to an external computer or the like. It is mounted as one of the plurality of components described above.

図４は、本実施の形態に係るタッチパネルの回路構成の一例を示す図である。回路ブロック１２は、検出配線群１６と選択的に順次接続するスイッチ回路２０ａ，２０ｂと、発振回路２１と、第１計数回路２２ａ及び第２計数回路２２ｂからなる検出手段と、タッチ座標算出回路２３と、検出制御回路２４とを含んでいる。   FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of the touch panel according to the present embodiment. The circuit block 12 includes switch circuits 20 a and 20 b that are selectively and sequentially connected to the detection wiring group 16, an oscillation circuit 21, detection means including a first counting circuit 22 a and a second counting circuit 22 b, and a touch coordinate calculation circuit 23. And a detection control circuit 24.

発振回路２１は、検出配線群１６のうち、スイッチ回路２０ａ，２０ｂにより接続された検出配線２，３に発振信号を付与する。この際に、指示体が当該検出配線２，３上に存在する場合には、指示体と当該検出配線２，３との間に静電容量が形成され、当該検出配線２，３及び発振回路２１全体の静電容量が変化する。つまり、当該検出配線２，３上での指示体の有無に応じて、当該発振信号の発振周期が変化する。   The oscillation circuit 21 gives an oscillation signal to the detection wirings 2 and 3 connected by the switch circuits 20 a and 20 b in the detection wiring group 16. At this time, when the indicator is present on the detection wirings 2 and 3, a capacitance is formed between the indicator and the detection wirings 2 and 3, and the detection wirings 2 and 3 and the oscillation circuit are formed. The capacitance of the entire 21 changes. That is, the oscillation period of the oscillation signal changes according to the presence or absence of the indicator on the detection wirings 2 and 3.

第１及び第２計数回路２２ａ，２２ｂからなるタッチ位置演算回路（検出回路）は、この発振周期、つまり検出配線２，３に付与された発振信号の発振周期に基づいて、指示体と当該検出配線２，３との間に形成される静電容量を検出し、当該静電容量に基づいてタッチ位置を算出する。タッチ位置演算回路（第１及び第２計数回路２２ａ，２２ｂ）は、算出したタッチ位置をタッチ座標算出回路２３に出力する。   The touch position calculation circuit (detection circuit) composed of the first and second counting circuits 22a and 22b is based on the oscillation period, that is, the oscillation period of the oscillation signal applied to the detection wirings 2 and 3, and the detection unit. The capacitance formed between the wirings 2 and 3 is detected, and the touch position is calculated based on the capacitance. The touch position calculation circuit (first and second counting circuits 22 a and 22 b) outputs the calculated touch position to the touch coordinate calculation circuit 23.

タッチ座標算出回路２３は、当該タッチ位置を示す座標検出結果を、検出制御回路２４に与える。検出制御回路２４は、当該検出結果の受信に応じて、スイッチ回路２０ａ，２０ｂ、発振回路２１、タッチ位置演算回路（第１及び第２計数回路２２ａ，２２ｂ）、及び、タッチ座標算出回路２３を統括的に制御する。なお、タッチ位置の具体的な検出操作に関しては、例えば特許文献（特開２００９−２９４８１５号公報）に記載されている。   The touch coordinate calculation circuit 23 gives a coordinate detection result indicating the touch position to the detection control circuit 24. In response to reception of the detection result, the detection control circuit 24 includes the switch circuits 20a and 20b, the oscillation circuit 21, the touch position calculation circuit (first and second counting circuits 22a and 22b), and the touch coordinate calculation circuit 23. Control all over. Note that a specific touch position detection operation is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-294815.

図５は、図１に示すタッチスクリーン１の破線Ａ−Ａ’における断面構造を簡略的に示した図である。以下、この図５を用いて、本実施の形態に係るタッチスクリーン１の断面構造について説明する。   FIG. 5 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure taken along the broken line A-A ′ of the touch screen 1 shown in FIG. 1. Hereinafter, the cross-sectional structure of the touch screen 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

タッチスクリーン１は、透明なガラスや樹脂からなり、表示装置本体２００の表示パネルに対向する第１主面７ａ及びその反対側の第２主面７ｂを有する透明基板（以下、「ベース基板７」と呼ぶこともある）と、ベース基板７よりも低い誘電率を有する絶縁膜である低誘電率膜１３と、ベース基板７の第２主面７ｂの側に形成された検出配線群１６（複数の検出配線２，３）と、層間絶縁膜８と、保護膜９と、シールド電極層１４とを備える。なお、タッチスクリーン１背面をなすベース基板７の第１主面７ａに対向して、表示装置本体２００の表示パネル２０１（ここでは液晶パネル）が配設されている。   The touch screen 1 is made of transparent glass or resin, and has a first main surface 7a facing the display panel of the display device body 200 and a second main surface 7b opposite to the first main surface 7a (hereinafter referred to as “base substrate 7”). A low dielectric constant film 13 that is an insulating film having a dielectric constant lower than that of the base substrate 7, and a detection wiring group 16 (a plurality of detection wiring groups 16 formed on the second main surface 7b side of the base substrate 7). Detection wiring 2, 3), an interlayer insulating film 8, a protective film 9, and a shield electrode layer 14. A display panel 201 (here, a liquid crystal panel) of the display device main body 200 is disposed so as to face the first main surface 7a of the base substrate 7 forming the back surface of the touch screen 1.

この図５に示されるように、低誘電率膜１３は、ベース基板７の検出配線群１６下の第２主面７ｂ上に形成されており、複数の検出配線２は、低誘電率膜１３上に形成されている。層間絶縁膜８は、低誘電率膜１３上において複数の検出配線２を覆うように形成されている。複数の検出配線３は、層間絶縁膜８上に形成されている。保護膜９は、層間絶縁膜８上において複数の検出配線３を覆うように形成されている。   As shown in FIG. 5, the low dielectric constant film 13 is formed on the second main surface 7 b below the detection wiring group 16 of the base substrate 7, and the plurality of detection wirings 2 include the low dielectric constant film 13. Formed on top. The interlayer insulating film 8 is formed on the low dielectric constant film 13 so as to cover the plurality of detection wirings 2. The plurality of detection wirings 3 are formed on the interlayer insulating film 8. The protective film 9 is formed on the interlayer insulating film 8 so as to cover the plurality of detection wirings 3.

シールド電極層１４は、表示装置本体２００から検出配線群１６へのノイズを抑制するシールド層であり、例えば、透明な導電性の膜からなる。このシールド電極層１４は、ベース基板７の第１主面７ａ上に形成されている。   The shield electrode layer 14 is a shield layer that suppresses noise from the display device main body 200 to the detection wiring group 16, and is made of, for example, a transparent conductive film. The shield electrode layer 14 is formed on the first main surface 7 a of the base substrate 7.

検出配線２，３は、図５に示すパネル領域の大部分に亘って形成されており、その一方で、同図５に示す端子領域において端子６ａ，６ｂとそれぞれ接続されている。端子６ａ上の層間絶縁膜８及び保護膜９には、上述のＦＰＣ１０と端子６ａとが互いにコンタクトをとるためのコンタクトホールＣＨａが形成されており、端子６ｂ上の保護膜９には、上述のＦＰＣ１０と端子６ｂとが互いにコンタクトをとるためのコンタクトホールＣＨｂが形成されている。   The detection wirings 2 and 3 are formed over most of the panel region shown in FIG. 5, and are connected to the terminals 6a and 6b in the terminal region shown in FIG. The interlayer insulating film 8 and the protective film 9 on the terminal 6a are formed with contact holes CHa for the FPC 10 and the terminal 6a to contact each other, and the protective film 9 on the terminal 6b has the above-described contact hole CHa. A contact hole CHb for making contact between the FPC 10 and the terminal 6b is formed.

図６は、低誘電率膜１３の膜厚が異なるタッチスクリーン１を複数形成し、そのそれぞれにおいて、検出配線群１６に付加されている寄生容量を調べた実験結果を示す図である。なお、図６に係る実験で使用している低誘電率膜１３として、比誘電率が約３である酸化珪素系の膜を塗布法により形成している。図６において、縦軸は、寄生容量を示しており、ここでは、低誘電率膜１３が形成されていないタッチスクリーン１において検出配線群１６に付加されている寄生容量を１００％として示している。   FIG. 6 is a diagram showing experimental results obtained by forming a plurality of touch screens 1 having different film thicknesses of the low dielectric constant film 13 and examining the parasitic capacitance added to the detection wiring group 16 in each of the touch screens 1. As the low dielectric constant film 13 used in the experiment according to FIG. 6, a silicon oxide film having a relative dielectric constant of about 3 is formed by a coating method. In FIG. 6, the vertical axis indicates the parasitic capacitance, and here, the parasitic capacitance added to the detection wiring group 16 in the touch screen 1 on which the low dielectric constant film 13 is not formed is indicated as 100%. .

本実施の形態に係る低誘電率膜１３が１０μｍ程度設けられている場合には、検出配線群１６に付加される寄生容量が、低誘電率膜１３が設けられていない場合と比較して、１０％程度減少している。   When the low dielectric constant film 13 according to the present embodiment is provided with about 10 μm, the parasitic capacitance added to the detection wiring group 16 is compared with the case where the low dielectric constant film 13 is not provided. It has decreased by about 10%.

ここで、当該寄生容量は、ノイズ源である表示装置本体２００と検出配線２，３との間に電気的結合により生じる静電容量と、検出配線２，３とシールド電極層１４との間に電気的結合により生じる静電容量とを含んでおり、両電極間内の領域に満たされている媒質の誘電率が低いほど寄生容量が小さくなっている。本実施の形態では、低誘電率膜１３を上述のように設けることから、上述のように寄生容量が小さくなるという効果が得られる。   Here, the parasitic capacitance is a capacitance generated by electrical coupling between the display device body 200 that is a noise source and the detection wirings 2 and 3, and between the detection wirings 2 and 3 and the shield electrode layer 14. And the capacitance generated by electrical coupling, and the lower the dielectric constant of the medium filled in the region between the two electrodes, the smaller the parasitic capacitance. In the present embodiment, since the low dielectric constant film 13 is provided as described above, the effect of reducing the parasitic capacitance as described above can be obtained.

なお、低誘電率膜１３の膜厚を厚くするほど、寄生容量低減効果は大きくなる。そこで、寄生容量を小さくする効果を高める観点からみれば、ベース基板７と低誘電率膜１３とを備える構成ではなく、ベース基板７の材質を低誘電率材料に変更して低誘電率膜１３のみを備える構成とすれば最もよいと考えられる。しかしながら、低誘電率膜１３を厚く形成することは困難であることから、単純にベース基板７をなくして低誘電率膜１３のみを形成することは生産性などの点から困難である。そこで、本実施の形態では、少なくともベース基板７上に低誘電率膜１３を設けている。これにより、検出配線２，３同士の間、または、検出配線２，３とシールド電極層１４との間における誘電率を実効的に低減することが、生産性を考慮しつつ可能となっている。   As the thickness of the low dielectric constant film 13 is increased, the parasitic capacitance reduction effect is increased. Therefore, from the viewpoint of enhancing the effect of reducing the parasitic capacitance, the low dielectric constant film 13 is not a structure including the base substrate 7 and the low dielectric constant film 13 but the material of the base substrate 7 is changed to a low dielectric constant material. It is considered best to have a configuration with only However, since it is difficult to form the low dielectric constant film 13 thick, it is difficult from the standpoint of productivity to form only the low dielectric constant film 13 without the base substrate 7. Therefore, in this embodiment, the low dielectric constant film 13 is provided on at least the base substrate 7. Accordingly, it is possible to effectively reduce the dielectric constant between the detection wirings 2 and 3 or between the detection wirings 2 and 3 and the shield electrode layer 14 in consideration of productivity. .

次に、本実施の形態に係るタッチパネル１００の製造方法について図５を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing touch panel 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

はじめに、透明なガラスや樹脂からなる透明基板（ベース基板７）を準備する。ここでベース基板７として、その第１主面７ａ側にシールド電極層１４として透明導電性膜が予め設けられたものを用いてもよい。   First, a transparent substrate (base substrate 7) made of transparent glass or resin is prepared. Here, as the base substrate 7, a substrate in which a transparent conductive film is provided in advance as the shield electrode layer 14 on the first main surface 7a side may be used.

次に、ベース基板７の第２主面７ｂ上に、当該ベース基板７よりも低誘電率の膜、例えば酸化珪素膜や酸化珪素膜にフッ素が含まれたＳｉＯＦ（ＦＳＧ：Fluorinated Silicate Glass）膜などを、低誘電率膜１３としてプラズマＣＶＤ法により形成する。あるいは、プロセスを簡略化するために、塗布法で形成可能なＳｉ−Ｈ結合を含有する酸化珪素膜（ＨＳＱ：Hydrogen Silsesquioxane）膜などを、低誘電率膜１３としてベース基板７の第２主面７ｂ上に形成してもよい。   Next, on the second main surface 7b of the base substrate 7, a film having a dielectric constant lower than that of the base substrate 7, such as a SiOF (FSG: Fluorinated Silicate Glass) film in which fluorine is contained in a silicon oxide film or a silicon oxide film. Are formed as a low dielectric constant film 13 by a plasma CVD method. Alternatively, in order to simplify the process, a silicon oxide film (HSQ: Hydrogen Silsesquioxane) film containing a Si—H bond that can be formed by a coating method is used as the low dielectric constant film 13 on the second main surface of the base substrate 7. It may be formed on 7b.

次に、低誘電率膜１３上に、検出配線２となる金属層を、スパッタリング法を用いて例えば１５０〜５００ｎｍの膜厚で形成する。この金属層の材料としては、アルミニウム、またはアルミニウムを主成分とする合金、例えば、Ｎｉを含むＡｌ合金等が用いられる。本実施の形態では、この金属層の材料としてＡｌＮｉＮｄが用いられるものとする。ここでの金属層の成膜条件は、例えば、圧力が０．２〜０．５Ｐａ、ＤＣパワーが１．０〜２．５ｋＷ、パワー密度が０．１７〜０．４３Ｗ／ｃｍ2、成膜温度が室温〜１８０℃とする。 Next, a metal layer to be the detection wiring 2 is formed on the low dielectric constant film 13 with a film thickness of, for example, 150 to 500 nm using a sputtering method. As the material of the metal layer, aluminum or an alloy containing aluminum as a main component, for example, an Al alloy containing Ni is used. In the present embodiment, it is assumed that AlNiNd is used as the material of the metal layer. The metal layer deposition conditions here are, for example, a pressure of 0.2 to 0.5 Pa, a DC power of 1.0 to 2.5 kW, a power density of 0.17 to 0.43 W / cm 2 , and a film deposition. The temperature is from room temperature to 180 ° C.

なお、後工程で用いる現像液との反応を抑えるために、金属層（ＡｌＮｉＮｄ層）の上部を窒化してＡｌＮｉＮｄＮ層を形成してもよい。また、Ａｌ以外にも低抵抗金属材料、例えば、Ｃｕ（銅）またはＣｕ合金、もしくはＭｏまたはＭｏ合金を、上述の金属層の材料として用いることができる。なお、それらからなる金属層もＡｌの金属層と同様にスパッタリング法を用いて成膜することができる。   In order to suppress the reaction with the developer used in the subsequent process, the upper part of the metal layer (AlNiNd layer) may be nitrided to form the AlNiNdN layer. In addition to Al, a low-resistance metal material such as Cu (copper) or Cu alloy, or Mo or Mo alloy can be used as the material for the metal layer. The metal layer made of these can also be formed by sputtering as in the case of the Al metal layer.

次に、この金属層上にレジストを塗布し、レジストが検出配線２を形成するための形状を有するようにフォトリソグラフィ工程を行う。それから、燐酸・硝酸・酢酸の混酸を用いてウェットエッチング工程を行い、先の工程で形成した金属層をパターニングして複数の検出配線２を形成する。この際、各検出配線２の断面形状をテーパ形状にすると、後工程で膜を形成する際に断線などの不良を低減することができる。なお、エッチングには、燐酸・硝酸・酢酸の混酸以外のエッチング液を用いてもよく、あるいは、ドライエッチングを行ってもよい。   Next, a resist is applied on the metal layer, and a photolithography process is performed so that the resist has a shape for forming the detection wiring 2. Then, a wet etching process is performed using a mixed acid of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and the metal layer formed in the previous process is patterned to form a plurality of detection wirings 2. At this time, if the cross-sectional shape of each detection wiring 2 is tapered, defects such as disconnection can be reduced when a film is formed in a subsequent process. Note that an etching solution other than a mixed acid of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid may be used for etching, or dry etching may be performed.

次に、ＣＶＤ法等を用いて、低誘電率膜１３上において複数の検出配線２を覆うように層間絶縁膜８を形成する。本実施の形態では、層間絶縁膜８として、誘電率が低い酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を形成している。これにより、先の工程で形成した下層配線（検出配線２）と、後の工程で形成する上層配線（検出配線３）との間の寄生容量をより低減することができる。ここでの酸化珪素膜の成膜条件は、例えば、ＳｉＨ4流量が１０〜５０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ流量が２００〜５００ｓｃｃｍ、成膜圧力が５０Ｐａ、ＲＦパワーが５０〜２００Ｗ、パワー密度が０．０１５〜０．６７Ｗ／ｃｍ2、成膜温度が２００〜３００℃とする。 Next, an interlayer insulating film 8 is formed on the low dielectric constant film 13 so as to cover the plurality of detection wirings 2 by using a CVD method or the like. In the present embodiment, a silicon oxide (SiO 2 ) film having a low dielectric constant is formed as the interlayer insulating film 8. Thereby, the parasitic capacitance between the lower layer wiring (detection wiring 2) formed in the previous step and the upper layer wiring (detection wiring 3) formed in the subsequent step can be further reduced. The conditions for forming the silicon oxide film are, for example, a SiH 4 flow rate of 10 to 50 sccm, an N 2 O flow rate of 200 to 500 sccm, a film formation pressure of 50 Pa, an RF power of 50 to 200 W, and a power density of 0.015. -0.67 W / cm < 2 > and film-forming temperature shall be 200-300 degreeC.

なお、下層配線（検出配線２）と上層配線（検出配線３）との間で形成される寄生容量をなるべく低減できるように、層間絶縁膜８の膜厚は、生産性等を考慮して可能な限り厚くすることが好ましい。また、層間絶縁膜８は、ＳｉＯ2膜に限られるものではなく、ＳｉＮ膜やＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。これらの膜は、上述した酸化珪素膜を形成するガスに水素、窒素、アンモニア（ＮＨ3）を加えれば形成することができる。 The film thickness of the interlayer insulating film 8 can be considered in consideration of productivity and the like so that the parasitic capacitance formed between the lower layer wiring (detection wiring 2) and the upper layer wiring (detection wiring 3) can be reduced as much as possible. It is preferable to make it as thick as possible. Further, the interlayer insulating film 8 is not limited to the SiO 2 film, and a SiN film, a SiON film, or the like may be used. These films can be formed by adding hydrogen, nitrogen, or ammonia (NH 3 ) to the gas for forming the above-described silicon oxide film.

次に、層間絶縁膜８上に、検出配線３となる金属層を、スパッタリング法を用いて例えば２００〜１０００ｎｍの膜厚で形成する。この金属層の材料としては、アルミニウム、またはアルミニウムを主成分とする合金、例えば、Ｎｉを含むＡｌ合金等が用いられる。本実施の形態では、この金属層の材料としてＡｌＮｉＮｄが用いられるものとする。ここでの金属層の成膜条件は、例えば、圧力が０．２〜０．５Ｐａ、ＤＣパワーが１．０〜２．５ｋＷ、パワー密度が０．１７〜０．４３Ｗ／ｃｍ2、成膜温度が室温〜１８０℃とする。 Next, a metal layer to be the detection wiring 3 is formed on the interlayer insulating film 8 with a film thickness of, for example, 200 to 1000 nm using a sputtering method. As the material of the metal layer, aluminum or an alloy containing aluminum as a main component, for example, an Al alloy containing Ni is used. In the present embodiment, it is assumed that AlNiNd is used as the material of the metal layer. The metal layer deposition conditions here are, for example, a pressure of 0.2 to 0.5 Pa, a DC power of 1.0 to 2.5 kW, a power density of 0.17 to 0.43 W / cm 2 , and a film deposition. The temperature is from room temperature to 180 ° C.

なお、後工程で用いる現像液との反応を抑えるために、金属層（ＡｌＮｉＮｄ層）の上部を窒化してＡｌＮｉＮｄＮ層を形成してもよい。また、Ａｌ以外にも低抵抗金属材料、例えば、Ｃｕ（銅）またはＣｕ合金、もしくはＭｏまたはＭｏ合金を、上述の金属層の材料として用いることができる。なお、それらからなる金属層もＡｌの金属層と同様にスパッタリング法を用いて成膜することができる。ここで、検出配線２となる金属層の材質、及び、検出配線３となる金属層の材質に同じ材料を用いれば、生産効率を向上させることができる。   In order to suppress the reaction with the developer used in the subsequent process, the upper part of the metal layer (AlNiNd layer) may be nitrided to form the AlNiNdN layer. In addition to Al, a low-resistance metal material such as Cu (copper) or Cu alloy, or Mo or Mo alloy can be used as the material for the metal layer. The metal layer made of these can also be formed by sputtering as in the case of the Al metal layer. Here, if the same material is used for the material of the metal layer to be the detection wiring 2 and the material of the metal layer to be the detection wiring 3, the production efficiency can be improved.

次に、この金属層上にレジストを塗布し、レジストが検出配線３を形成するための形状を有するようにフォトリソグラフィ工程を行う。それから、燐酸・硝酸・酢酸の混酸を用いてウェットエッチング工程を行い、先の工程で形成した金属層をパターニングして複数の検出配線３を形成する。なお、エッチングには、燐酸・硝酸・酢酸の混酸以外のエッチング液を用いてもよく、あるいは、ドライエッチングを行ってもよい。   Next, a resist is applied on the metal layer, and a photolithography process is performed so that the resist has a shape for forming the detection wiring 3. Then, a wet etching process is performed using a mixed acid of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and the metal layer formed in the previous process is patterned to form a plurality of detection wirings 3. Note that an etching solution other than a mixed acid of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid may be used for etching, or dry etching may be performed.

次に、ＣＶＤ法等を用いて、層間絶縁膜８上において複数の検出配線３を覆うように保護膜９を形成する。保護膜９としては、視認性を良くするために層間絶縁膜８と同じ種類の膜がよく、本実施の形態では、酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を用いられるものとする。なお、保護膜９の膜厚は、カバレッジと生産性を考慮して決定すればよい。 Next, a protective film 9 is formed on the interlayer insulating film 8 so as to cover the plurality of detection wirings 3 by using a CVD method or the like. The protective film 9 is preferably the same type of film as the interlayer insulating film 8 in order to improve visibility. In this embodiment, a silicon oxide (SiO 2 ) film is used. Note that the thickness of the protective film 9 may be determined in consideration of coverage and productivity.

次に、保護膜９上にレジストを塗布し、レジストが上述のコンタクトホールＣＨａ，ＣＨｂを形成するための形状を有するようにフォトリソグラフィ工程を行う。それから、ＣＦ4とＯ2との混合ガスのプラズマを用いてエッチング工程を行い、先の工程で形成した保護膜９及び層間絶縁膜８を一括してパターニングして、コンタクトホールＣＨａ，ＣＨｂを形成する。 Next, a resist is applied on the protective film 9, and a photolithography process is performed so that the resist has a shape for forming the contact holes CHa and CHb. Then, an etching process is performed using plasma of a mixed gas of CF 4 and O 2, and the protective film 9 and the interlayer insulating film 8 formed in the previous process are patterned at once to form contact holes CHa and CHb. To do.

次に、ベース基板７として、第１主面７ａ側にシールド電極層１４としての透明導電膜が予め設けられたものを用いなかった場合には、その当該第１主面７ａ上にＩＴＯ等の非結晶透明層を、シールド電極層１４としてスパッタリング法により５０〜１００ｎｍ成膜する。その後、アニールによりＩＴＯを結晶化させる。   Next, in the case where the base substrate 7 in which the transparent conductive film as the shield electrode layer 14 is provided in advance on the first main surface 7a side is not used, ITO or the like is formed on the first main surface 7a. An amorphous transparent layer is formed as a shield electrode layer 14 to a thickness of 50 to 100 nm by a sputtering method. Thereafter, the ITO is crystallized by annealing.

ここで、シールド電極層１４としてはＩＴＯ膜を成膜して形成するのに限るわけではなく、例えばＩＴＯフィルムをベース基板７の裏面に貼り付けることで形成してもよい。また、表示装置本体２００上に形成された基準電極をシールド電極層１４とし、タッチスクリーン１を当該基準電極（シールド電極層１４）上に粘着剤を用いて直接ボンディングを行う構成としてもよい。   Here, the shield electrode layer 14 is not limited to being formed by forming an ITO film, and may be formed, for example, by attaching an ITO film to the back surface of the base substrate 7. Alternatively, the reference electrode formed on the display device body 200 may be the shield electrode layer 14, and the touch screen 1 may be directly bonded to the reference electrode (shield electrode layer 14) using an adhesive.

以上のプロセスを経ることで、上述した構成を有するタッチスクリーン１を製造することができる。そして、当該タッチスクリーン１にＦＰＣ１０を介して、各回路を備えたコントローラ基板１１を接続すれば、上述のタッチパネル１００を製造することができる。それから、当該タッチパネル１００のタッチスクリーン１を表示装置本体２００の表示パネル上に配設すれば上述の表示装置を製造することができる。   Through the above processes, the touch screen 1 having the above-described configuration can be manufactured. And if the controller board 11 provided with each circuit is connected to the said touch screen 1 via FPC10, the above-mentioned touch panel 100 can be manufactured. Then, if the touch screen 1 of the touch panel 100 is disposed on the display panel of the display device main body 200, the above-described display device can be manufactured.

ここで、タッチスクリーン１を表示装置本体２００の表示パネル面に直接貼り付けるようにすれば、従来必要であったタッチスクリーン１の保持機構をなくすことができ、表示装置全体を薄くすることができる。また、タッチスクリーン１と表示パネルとが一体化して構成されることから、タッチスクリーン１と表示パネルとの間隙に異物等が混入する可能性が低減され、表示への異物等による悪影響を低減することができる。   Here, if the touch screen 1 is directly affixed to the display panel surface of the display device main body 200, the conventionally required holding mechanism of the touch screen 1 can be eliminated, and the entire display device can be thinned. . In addition, since the touch screen 1 and the display panel are configured integrally, the possibility that foreign matter or the like is mixed into the gap between the touch screen 1 and the display panel is reduced, and adverse effects due to foreign matter or the like on the display are reduced. be able to.

以上のような本実施の形態に係るタッチスクリーン１、タッチパネル１００及び表示装置によれば、ベース基板７よりも低い誘電率を有する低誘電率膜１３が、表示装置本体２００と検出配線群１６との間に形成されている。したがって、検出配線群１６に付加される寄生容量を抑制することができるとともに、表示装置本体２００から検出配線群１６へのノイズの影響も抑制することができる。これにより、検出配線２，３の１本ごとに付加される寄生容量は低減することになるため、ＳＮ比を改善することができる。また、検出速度の低下を抑制することも期待できる。   According to the touch screen 1, the touch panel 100, and the display device according to the present embodiment as described above, the low dielectric constant film 13 having a dielectric constant lower than that of the base substrate 7 includes the display device body 200, the detection wiring group 16, and the like. Is formed between. Therefore, the parasitic capacitance added to the detection wiring group 16 can be suppressed, and the influence of noise from the display device body 200 to the detection wiring group 16 can also be suppressed. As a result, the parasitic capacitance added to each of the detection wirings 2 and 3 is reduced, so that the SN ratio can be improved. It can also be expected to suppress a decrease in detection speed.

なお、この効果は、低誘電率膜１３を設けることによって得られるものである。つまり、図７に示されるように、シールド電極層１４を設けない場合（隣接及び交差した検出配線２，３の間に生じる容量が支配的となる場合）であっても、低誘電率膜１３を設ければ、ノイズ源である表示装置本体２００と検出配線群１６（検出配線２，３）との間の寄生容量を抑制することができるとともに、これらの間に生じるカップリングノイズを低減することができる。   This effect can be obtained by providing the low dielectric constant film 13. That is, as shown in FIG. 7, even when the shield electrode layer 14 is not provided (when the capacitance generated between the adjacent and intersecting detection wirings 2 and 3 becomes dominant), the low dielectric constant film 13 Can suppress the parasitic capacitance between the display device main body 200 that is a noise source and the detection wiring group 16 (detection wirings 2 and 3), and reduce coupling noise generated between them. be able to.

なお、以上の説明では、低誘電率膜１３は、ベース基板７と検出配線群１６下の第２主面７ｂ上に形成した。しかしこれに限ったものではなく、その構成に加えて、図８に示されるように、低誘電率膜１３と同等の低誘電率膜１５が、第１主面７ａ上に形成されてもよい。そして、この場合には、第１主面７ａ上にある低誘電率膜１５上に形成されたシールド電極層１４をさらに加えてもよい。いずれの構成であっても、上述と同様に、検出配線群１６に付加される寄生容量を抑制することができるとともに、表示装置本体２００から検出配線群１６へのノイズの影響も抑制することができる。   In the above description, the low dielectric constant film 13 is formed on the second main surface 7 b below the base substrate 7 and the detection wiring group 16. However, the present invention is not limited to this, and in addition to the configuration, a low dielectric constant film 15 equivalent to the low dielectric constant film 13 may be formed on the first main surface 7a as shown in FIG. . In this case, a shield electrode layer 14 formed on the low dielectric constant film 15 on the first main surface 7a may be further added. In any configuration, the parasitic capacitance added to the detection wiring group 16 can be suppressed and the influence of noise from the display device body 200 to the detection wiring group 16 can also be suppressed, as described above. it can.

また、図９に示されるように、低誘電率膜１３を形成せずに、低誘電率膜１５のみを形成してもよい。そして、この場合にも、第１主面７ａ上にある低誘電率膜１５上に形成されたシールド電極層１４をさらに加えてもよい。いずれの構成であっても、上述と同様の効果を得ることができる。なお、この図９に示される構成において、シールド電極層１４をＩＴＯフィルムで形成する場合には、当該フィルムの粘着材をベース基板７より低い誘電率を有する材料とすることが望ましい。   Further, as shown in FIG. 9, only the low dielectric constant film 15 may be formed without forming the low dielectric constant film 13. In this case, the shield electrode layer 14 formed on the low dielectric constant film 15 on the first main surface 7a may be further added. In any configuration, the same effect as described above can be obtained. In the configuration shown in FIG. 9, when the shield electrode layer 14 is formed of an ITO film, the adhesive material of the film is preferably a material having a dielectric constant lower than that of the base substrate 7.

なお、タッチスクリーン１を、上述したようにシールド電極層１４を備えた構成とした場合には、当該シールド電極層１４のノイズ抑制効果により、表示装置本体２００から検出配線群１６へのノイズの影響をより抑制することができる。また、従来の構成においてシールド電極層１４を形成した場合には、検出配線群１６と当該シールド電極層１４との間に大きな寄生容量が生じていたが、本実施の形態では、検出配線群１６と当該シールド電極層１４との間に低誘電率膜１３（低誘電率膜１５）が形成されているため、当該寄生容量を抑制することもできる。   In addition, when the touch screen 1 is configured to include the shield electrode layer 14 as described above, the influence of noise from the display device body 200 to the detection wiring group 16 due to the noise suppression effect of the shield electrode layer 14. Can be further suppressed. Further, when the shield electrode layer 14 is formed in the conventional configuration, a large parasitic capacitance is generated between the detection wiring group 16 and the shield electrode layer 14, but in the present embodiment, the detection wiring group 16 Since the low dielectric constant film 13 (low dielectric constant film 15) is formed between the shield electrode layer 14 and the shield electrode layer 14, the parasitic capacitance can be suppressed.

また、本実施の形態では、検出配線２と検出配線３とを同じ材質の金属層としたが、これに限られるものではなく、検出配線２と検出配線３とが層間絶縁膜８を隔てて配置されていれば、検出配線２，３は、異なる配線材料層から形成されてもよい。   In the present embodiment, the detection wiring 2 and the detection wiring 3 are made of the same metal layer. However, the present invention is not limited to this, and the detection wiring 2 and the detection wiring 3 are separated from each other by the interlayer insulating film 8. If arranged, the detection wirings 2 and 3 may be formed from different wiring material layers.

また、本実施の形態では、本発明に係る基板を、ベース基板７としており、表示装置本体２００とは別の基板を用いた構成としているが、この構成に限られるものではない。例えば、本発明に係る基板を、表示装置（液晶表示装置）を構成するカラーフィルターとし、当該カラーフィルター上に、当該カラーフィルターよりも低誘電率の膜、及び、検出配線群１６を順に積層して形成する構成であってもよい。   In the present embodiment, the substrate according to the present invention is the base substrate 7 and is configured to use a substrate different from the display device body 200, but is not limited to this configuration. For example, the substrate according to the present invention is used as a color filter constituting a display device (liquid crystal display device), and a film having a dielectric constant lower than that of the color filter and the detection wiring group 16 are sequentially stacked on the color filter. It may be configured to be formed.

また、ベース基板７の全面上に低誘電率膜１３を設けるのではなく、少なくともタッチを検出する領域にのみ低誘電率膜１３を設ける構成としてもよい。   Further, the low dielectric constant film 13 may not be provided on the entire surface of the base substrate 7, but the low dielectric constant film 13 may be provided only at least in a region where a touch is detected.

１ タッチスクリーン、７ ベース基板、１３，１５ 低誘電率膜、１４ シールド電極層、１６ 検出配線群、２０ａ，２０ｂ スイッチ回路、２１ 発振回路、２２ａ 第１計数回路、２２ｂ 第２計数回路、１００ タッチパネル、２００ 表示装置本体、２０１ 表示パネル。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Touch screen, 7 Base board | substrate, 13, 15 Low dielectric constant film | membrane, 14 Shield electrode layer, 16 Detection wiring group, 20a, 20b Switch circuit, 21 Oscillation circuit, 22a 1st count circuit, 22b 2nd count circuit, 100 Touch panel , 200 display device body, 201 display panel.

Claims (4)

表示装置本体の表示部上に配設されるタッチスクリーンであって、
前記表示部に対向する第１主面及びその反対側の第２主面を有する基板と、
前記基板の前記第２主面の側に形成された検出配線群と、
前記基板よりも低い誘電率を有し、前記基板の前記検出配線群下の前記第２主面上及び／または前記第１主面上に形成された絶縁膜と
を備える、タッチスクリーン。 A touch screen disposed on a display unit of a display device body,
A substrate having a first main surface facing the display unit and a second main surface opposite to the first main surface;
A group of detection wires formed on the second main surface side of the substrate;
A touch screen having a dielectric constant lower than that of the substrate and an insulating film formed on the second main surface and / or the first main surface under the detection wiring group of the substrate. 請求項１に記載のタッチスクリーンであって、
前記基板の第１主面上または当該第１主面上にある前記絶縁膜上に形成されたシールド電極層をさらに備える、タッチスクリーン。 The touch screen according to claim 1,
The touch screen further comprising a shield electrode layer formed on the first main surface of the substrate or on the insulating film on the first main surface. 請求項１または請求項２に記載のタッチスクリーンと、
前記検出配線群と選択的に接続するスイッチ回路と、
前記検出配線群のうち、前記スイッチ回路により接続された検出配線に発振信号を付与する発振回路と、
前記検出配線に付与された前記発振信号の発振周期に基づいて、指示体と、当該検出配線との間に形成される静電容量を検出し、当該静電容量に基づいてタッチ位置を算出する検出手段と
を備える、タッチパネル。 The touch screen according to claim 1 or 2,
A switch circuit selectively connected to the detection wiring group;
An oscillation circuit for applying an oscillation signal to the detection wiring connected by the switch circuit in the detection wiring group;
Based on the oscillation period of the oscillation signal applied to the detection wiring, a capacitance formed between the indicator and the detection wiring is detected, and a touch position is calculated based on the capacitance. A touch panel comprising detection means. 請求項３に記載のタッチパネルと、
前記表示部として表示パネルを有する前記表示装置本体とを備え、
前記タッチスクリーン背面をなす前記基板の前記第１主面に対向して、前記表示パネルが配設された表示装置。 A touch panel according to claim 3;
The display device body having a display panel as the display unit,
A display device in which the display panel is disposed so as to face the first main surface of the substrate forming the back surface of the touch screen.
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