JP2012516064A5

JP2012516064A5 -

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Publication number: JP2012516064A5
Application number: JP2011548195A
Authority: JP
Filing date: 2010-01-25
Publication date: 2013-03-14

Description

少なくとも1つの利点が1つまたはそれ以上の態様に見られる。例えば、インクは、より高い分解能およびより小さいサイズでパターニングすることができ、また、温度制御により、パターニングが困難なインクをパターニングすることができる。一態様では、改良は、二次元ペンアレイ（2Dナノプリントアレイ（2D nano PrintArray）（商標））の基板に対するレベリングに基づき得る。2Dペンアレイが基板表面に対して適切にレベリングされていないと、一部のペン先端部材が他の先端部材よりも先に表面に接触し、一部のペン先端部材が基板表面に全く接触せず、かつ／またはこれら先端部材により基板表面に作用する負荷が異なる場合があり、パターニングが非均質で一貫性のないものとなり得る。少なくとも1つの改良の利点は、2Dペンアレイの全ての先端部材がほぼ同じ作用力で表面にわずかに接触する時点を確実に判定することであり得る。分化研究および製品化をはじめとする幹細胞研究および製品化などの細胞研究および製品化の結果の改良において1つまたはそれ以上の利点を実現することができる。他の利点は以下に記載する。
[本発明1001]
少なくとも1つの先端部材（tip）および前記先端部材上に沈着した材料を含む少なくとも1つのカンチレバーを提供する工程と、
前記材料が前記先端部材から前記基板上に沈着して材料沈着物を形成するように、前記カンチレバーを基板に接触させる工程とを含む方法であって、
前記基板の温度が、前記材料沈着物のサイズを制御するように適合される、方法。
[本発明1002]
前記基板の温度が25℃未満となるように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1003]
前記材料沈着物のサイズが25℃にて沈着したサイズより小さくなるように、前記基板の温度が25℃未満になるように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1004]
前記基板の温度が25℃を超えるように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1005]
前記基板の温度が、加熱および/または冷却装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1006]
前記基板の温度が、前記基板に直接接触する装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1007]
前記基板の温度が、前記基板に直接接触する装置の使用によって適合され、かつ、前記装置により、少なくとも30分間にわたって基板温度が実質的に一定となる、本発明1001の方法。
[本発明1008]
前記基板の温度が、前記基板に直接接触する装置の使用によって適合され、かつ、前記装置により、少なくとも10時間にわたって基板温度が実質的に一定となる、本発明1001の方法。
[本発明1009]
前記基板の温度が、少なくとも1つのヒートシンクと、加熱または冷却ステージと、前記基板を保持するための真空システムとを含む装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1010]
前記基板の温度が、熱電冷却器または加熱器を含む装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1011]
前記基板の温度が、温度制御のために電圧をパルス的に印加する装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1012]
前記基板の温度が、温度制御のために電圧を連続的に印加する装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1013]
前記基板の温度が、積み重ねられかつ離間した金属ブロックを含む装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1014]
前記基板の温度が、沈着した材料が約500nm以下の横方向寸法を有するように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1015]
前記基板の温度が、沈着した材料が約100nm以下の横方向寸法を有するように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1016]
前記基板の温度が、沈着した材料が約500nm以下の直径を有するドット状となるように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1017]
前記基板の温度が、沈着した材料が約100nm以下の直径を有するドット状となるように適合される、本発明1001の方法。
[本発明1018]
前記カンチレバーがAFMカンチレバーであり、前記先端部材がAFM先端部材である、本発明1001の方法。
[本発明1019]
前記先端部材上に沈着した材料がチオール材料である、本発明1001の方法。
[本発明1020]
前記カンチレバーがAFMカンチレバーであり、前記先端部材がAFM先端部材であり、かつ、前記基板の温度が、少なくとも1つのヒートシンクと、加熱または冷却ステージと、前記基板を保持するための真空システムとを含む装置の使用によって適合される、本発明1001の方法。
[本発明1021]
少なくとも1つのヒートシンクと、
少なくとも1つの加熱または冷却ステージと、
少なくとも1つの真空システムとを含み、
材料沈着に供される基板とともに機能し、沈着中、基板温度を実質的に一定に保持するように適合した、装置。
[本発明1022]
前記ヒートシンクが銅を含む、本発明1021の装置。
[本発明1023]
前記ヒートシンクがフィンを含む、本発明1021の装置。
[本発明1024]
冷却ステージを含む、本発明1021の装置。
[本発明1025]
前記真空システムが前記基板を保持する、本発明1021の装置。
[本発明1026]
ナノリソグラフィ機器における使用に適合した、本発明1021の装置。
[本発明1027]
前記基板のための環境チャンバを含むナノリソグラフィ機器における使用に適合した、本発明1021の装置。
[本発明1028]
前記基板の温度を少なくとも30分間にわたって実質的に一定にするように適合した、本発明1021の装置。
[本発明1029]
前記基板の温度を少なくとも10時間にわたって実質的に一定にするように適合した、本発明1021の装置。
[本発明1030]
温度制御のためのパルス電流または定電流を与えることができる、本発明1021の装置。
[本発明1031]
先端部材から基板への材料の沈着速度を、前記基板に直接取り付けられた装置を用いて該基板の温度を制御することによって制御する工程を含む、方法。
[本発明1032]
前記制御工程が、前記基板の温度を低下させることを含む、本発明1031の方法。
[本発明1033]
前記制御工程が、前記基板の温度を上昇させることを含む、本発明1031の方法。
[本発明1034]
前記制御工程が、前記基板を加熱または冷却するために前記装置においてパルス電流を使用することを含む、本発明1031の方法。
[本発明1035]
前記制御工程が、前記基板を加熱または冷却するために前記装置において連続電流を使用することを含む、本発明1031の方法。
[本発明1036]
前記冷却装置がヒートシンクを含む、本発明1031の方法。
[本発明1037]
前記基板の温度が20℃未満となるように適合される、本発明1031の方法。
[本発明1038]
前記温度制御により、少なくとも10時間にわたって温度が実質的に一定になる、本発明1031の方法。
[本発明1039]
前記制御工程により、100nm未満の直径を有するドットの形成が可能となる、本発明1031の方法。
[本発明1040]
前記制御工程により、100nm未満の直径を有するドットの二次元アレイの形成が可能となる、本発明1031の方法。
[本発明1041]
熱分解黒鉛を含む、本発明1021の装置。
[本発明1042]
熱分解黒鉛を介して接続されたヒートシンクを含む、本発明1021の装置。

Claims

少なくとも1つの先端部材（tip）および前記先端部材上に沈着した材料を含む少なくとも1つのカンチレバーを提供する工程と、
前記材料が前記先端部材から前記基板上に沈着して材料沈着物を形成するように、前記カンチレバーを基板に接触させる工程とを含む方法であって、
前記基板の温度が、前記材料沈着物のサイズを制御するように適合される、方法。