JP2012506642A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012506642A5
JP2012506642A5 JP2011533302A JP2011533302A JP2012506642A5 JP 2012506642 A5 JP2012506642 A5 JP 2012506642A5 JP 2011533302 A JP2011533302 A JP 2011533302A JP 2011533302 A JP2011533302 A JP 2011533302A JP 2012506642 A5 JP2012506642 A5 JP 2012506642A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sum
antireflection film
modifying
absorbance
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011533302A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012506642A (ja
JP5699086B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/255,514 external-priority patent/US8153351B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2012506642A publication Critical patent/JP2012506642A/ja
Publication of JP2012506642A5 publication Critical patent/JP2012506642A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5699086B2 publication Critical patent/JP5699086B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (5)

  1. フォトリソグラフィを実行するための方法であって、
    パターニングされるべき材質を覆う、屈折率及び吸光度を有する下層反射防止膜を堆積させるステップと、
    前記下層反射防止膜を修正してその修正のステップの後に前記屈折率及び前記吸光度の値が前記下層反射防止膜の第1の表面での第1の値から前記下層反射防止膜の第2の表面での第2の値まで傾斜型になるようにするステップとを備え、
    前記修正のステップは前記堆積させるステップの後に実行される方法。
  2. 前記修正のステップは、前記下層反射防止膜に約222nm以下の波長を有する光を照射することを備えている請求項1の方法。
  3. 前記修正のステップは、前記光を照射するステップの後に前記下層反射防止膜を加熱することを更に備えている請求項2の方法。
  4. 前記修正のステップは、前記光を照射するステップの間に前記下層反射防止膜を加熱することを更に備えている請求項2の方法。
  5. フォトリソグラフィを実行するための方法であって、
    パターニングされるべき材質を覆う、互いに加算されたときに第1の和をもたらす第1の屈折率及び第1の吸光度を有する下層反射防止膜を堆積させるステップと、
    互いに加算されたときに第2の合計をもたらす第2の屈折率及び第2の吸光度を前記下層反射防止膜の表面が有するように前記下層反射防止膜を修正するステップであって、前記堆積させるステップの後に実行されるステップと、
    前記修正するステップの後に前記下層反射防止膜の前記表面を覆うフォトレジスト層を形成するステップとを備え、
    互いに合算されたときに第3の合計をもたらす第3の屈折率及び第3の吸光度を前記フォトレジスト層は有しており、
    前記第2の和と前記第3の和の差の絶対値は、前記第1の和と前記第3の和の差の絶対値よりも小さい方法。
JP2011533302A 2008-10-21 2009-10-21 傾斜型の光学的特性を有するbarcを用いるフォトリソグラフィを実行するための方法 Active JP5699086B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/255,514 US8153351B2 (en) 2008-10-21 2008-10-21 Methods for performing photolithography using BARCs having graded optical properties
US12/255,514 2008-10-21
PCT/US2009/061516 WO2010048312A1 (en) 2008-10-21 2009-10-21 Methods for performing photolithography using barcs having graded optical properties

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012506642A JP2012506642A (ja) 2012-03-15
JP2012506642A5 true JP2012506642A5 (ja) 2012-11-29
JP5699086B2 JP5699086B2 (ja) 2015-04-08

Family

ID=41436034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011533302A Active JP5699086B2 (ja) 2008-10-21 2009-10-21 傾斜型の光学的特性を有するbarcを用いるフォトリソグラフィを実行するための方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8153351B2 (ja)
EP (1) EP2347304B1 (ja)
JP (1) JP5699086B2 (ja)
KR (1) KR101533762B1 (ja)
CN (1) CN102227683B (ja)
WO (1) WO2010048312A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9128384B2 (en) * 2012-11-09 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a pattern
US9312191B2 (en) 2014-08-14 2016-04-12 Globalfoundries Inc. Block patterning process for post fin
WO2020100633A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN116400566B (zh) * 2023-06-08 2023-08-25 苏州晶晟微纳半导体科技有限公司 一种改善光刻胶图案失真的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3414107B2 (ja) * 1995-02-20 2003-06-09 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
TW388083B (en) * 1995-02-20 2000-04-21 Hitachi Ltd Resist pattern-forming method using anti-reflective layer, resist pattern formed, and method of etching using resist pattern and product formed
JPH09171952A (ja) * 1995-12-21 1997-06-30 Toshiba Corp レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
JPH1131650A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Kokusai Electric Co Ltd 反射防止膜、被処理基板、被処理基板の製造方法、微細パターンの製造方法、および半導体装置の製造方法
US6133618A (en) 1997-08-14 2000-10-17 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device having an anti-reflective layer and a method of manufacture thereof
MY132894A (en) * 1997-08-25 2007-10-31 Ibm Layered resist system using tunable amorphous carbon film as a bottom layer and methods of fabrication thereof
DE60007208T2 (de) * 1999-03-25 2004-11-18 Infineon Technologies Ag Reflexionsvermindernde Schicht zur Kontrolle von kritischen Dimensionen
JP2000319428A (ja) * 1999-05-13 2000-11-21 Sekisui Chem Co Ltd 傾斜機能材料の製造方法
US7816069B2 (en) * 2006-06-23 2010-10-19 International Business Machines Corporation Graded spin-on organic antireflective coating for photolithography
US20080073321A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Tokyo Electron Limited Method of patterning an anti-reflective coating by partial etching
US7300730B1 (en) * 2006-09-26 2007-11-27 Tokyo Electron Limited Creating an optically tunable anti-reflective coating
JP4786636B2 (ja) * 2007-12-26 2011-10-05 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020024467A5 (ja)
JP2012506642A5 (ja)
JPWO2019225737A5 (ja)
EP2881790A3 (en) Photomask blank
JP2009512143A5 (ja)
JP2015531497A5 (ja)
JP2006072326A5 (ja)
TW201129872A (en) Pattern forming method and composition for forming resist underlayer film
JP2009037023A5 (ja)
WO2013049367A3 (en) Plasmonic lithography using phase mask
WO2011126303A3 (ko) 반사 방지 코팅용 조성물, 반사 방지 필름 및 이의 제조 방법
JP2013200577A5 (ja)
JP2010540748A5 (ja)
JP2010107996A5 (ja)
JP2007522673A5 (ja)
JP2016065297A5 (ja)
WO2009118457A8 (en) A coating and a method for producing a coating
WO2009078407A1 (ja) 着色組成物、カラーフィルタの製造方法およびカラーフィルタ
WO2009017197A1 (ja) 反射防止基材の製造方法及び反射防止基材
JP2010054827A (ja) 光学素子及び該光学素子の製造方法
JP2009283456A5 (ja)
JP2013539592A5 (ja)
JP2007179013A5 (ja)
JP2005274527A5 (ja)
Kim et al. Triple-junction InGaP/GaAs/Ge solar cells integrated with polymethyl methacrylate subwavelength structure