JP2012256873A - 温度検知プローブ、バールプレート、リソグラフィ装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液浸リソグラフィ装置内の液浸液と接触する基板及び／又は基板テーブル上で蒸発熱負荷による熱膨張及び／又は収縮による結像エラー、特にオーバレイエラーが引き起こされることを防止するため、ヒータの制御を容易にし、温度勾配が存在する状況で使用可能な温度検知プローブを提供する。
【解決手段】基板を支持するバールプレート内に１つ又は複数のヒータ４００を形成する。さらに温度検知プローブ５００は２つの部分６１０、６２０の平均温度を検知できる。温度検知プローブは第１の方向に細長く、少なくとも一方向に２０℃で少なくとも５００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料からなる細長いハウジング内の温度センサを含む。
【選択図】図７

Description

[0001] 本発明は、温度検知プローブ、バールプレート、リソグラフィ装置及び局所的熱負荷の変動を補償する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0006] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、矢印で表される入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。図４の断面図では、矢印は、出口から入口へ流れる液体の流れの方向を示す。

[0007] 欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0008] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0009] 液浸リソグラフィ装置内の基板上には液体が存在するため、液浸液と接触する１つ又は複数のコンポーネント（基板及び／又は基板テーブル）上で蒸発熱負荷が発生することがある。このような熱負荷は熱膨張及び／又は収縮を引き起こすことがある。このような熱膨張及び／又は収縮の結果、結像エラー、特にオーバレイエラーが引き起こされる可能性がある。

[0010] 蒸発熱負荷のために設定可能な熱勾配によってヒータの制御は困難になる場合がある。

[0011] 例えば、温度勾配が存在する状況で使用可能な温度検知プローブを提供することが望ましい。このような温度検知プローブをバールプレート及び／又は基板テーブル及び／又はリソグラフィ装置内に組み込むことが望ましい。

[0012] 本発明の一態様では、第１の方向に細長く、少なくとも１つの方向に２０℃で少なくとも１００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料からなる細長いハウジング内の温度センサを備える温度検知プローブが提供される。

[0013] 例えば、熱膨張／収縮効果の発生が低減される装置を提供することが望ましい。特に、基板及び／又は基板テーブルの局所区域に液浸流体を提供する供給システムを用いる液浸システム内の熱膨張／収縮効果を低減するように構成されたシステムを提供することが望ましい。

[0014] 本発明の一態様では、基板支持面を有する本体と、基板支持面の反対側の本体の表面上のヒータと、基板支持面と基板支持面の反対側の表面との間の本体の各部の平均温度を測定するように構成された温度センサとを備えるバールプレートが提供される。

[0015] 本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置内の局所的熱負荷を補償する方法であって、バールプレートの第１及び第２の部分の平均温度を示す信号に基づいてヒータを制御するステップを含む方法が提供される。

[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す。 [0020]本発明のある実施形態で液体供給システムとして使用可能なバリア部材の断面図である。 [0021]基板テーブルの中央部分の平面図である。 [0022]ヒータと温度検知プローブの場所を示すバールプレートの断面図である。

[0023] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0024] − 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0025] − パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0026] − 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0027] − パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0028] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0029] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0030] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0031] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0032] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0033] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0034] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0035] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0036] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0037] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0038] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0039] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0040] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
[0041] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0042] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0043] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、基板Ｗの全体とオプションとして基板テーブルＷＴの一部が液体浴内に浸漬される浴タイプ構成と、液体が基板の局所区域にのみ提供される液体供給システムを用いるいわゆる局所液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板Ｗがその領域の下を移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止状態である。本発明のある実施形態が目指す別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもこのようなシステムで使用できる。しかし、封止フィーチャは存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が低いか、又はその他の点で液体を局所区域にのみ封止する効果を持たない。図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上述した。

[0044] 提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め部材を提供するものである。液体閉じ込め部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。このような構成を図５に示す。液体閉じ込め部材は、ＸＹ平面内で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少移動できる。液体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板表面との間に封止が形成されている。封止はガスシールなどの非接触シールであってもよい。そのようなシステムは、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0045] 図５は、バリア部材１２、ＩＨを有する局所液体供給システムを概略的に示す。バリア部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明で基板Ｗの表面と言う場合、特に断りのない限り、追加的に又は代替的に基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）バリア部材１２は、ＸＹ平面内で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少移動できる。ある実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間に封止が形成される。封止は流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよい。

[0046] バリア部材１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成できる。空間は投影システムＰＳの最終要素の下方に位置し、それを取り囲むバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体が液体入口１３によって投影システムＰＳの下方のバリア部材１２内の空間１１に注入される。液体は液体出口１３によって除去できる。バリア部材１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在してもよい。液体のバッファが提供されるように、液面が最終要素の上方に上昇する。ある実施形態では、バリア部材１２は、上端部で投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する内周を有し、内周は例えば円形であってもよい。底部では、内周はイメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0047] ある実施形態では、液体は使用中にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは、入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して取り出される。液体を閉じ込める内側への高速のガスフロー１６が存在するように、ガス入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何学構造が配置される。バリア部材１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的であってもよい。ガスフロー１６は液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムは米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0048] その他の構成も可能であり、以下の説明から分かるように、本発明のある実施形態は任意のタイプの局所液体供給システムに使用できる。本発明のある実施形態は特に液体供給システムとしての任意の局所液体供給システムでの使用に適している。

[0049] 液浸リソグラフィ装置内の基板上には液体の局所的な望ましくない蒸発が発生することがある。その結果として局所冷却が生じることがある。局所冷却は基板テーブルの熱収縮を生じ、それによりオーバレイエラーを引き起こす可能性があるため望ましくない。

[0050] この現象に対処できる１つの方法は、基板テーブルＷＴ内に熱伝達流体のチャネルを提供することである。基板テーブルの温度はこのようにして実質的に一定に維持することができる。さらに、米国特許出願ＵＳ２００８−０１３７０５５号に開示されているように、別のヒータを用いて、基板テーブル内の基板Ｗの周辺部を囲む液体入口付近を加熱することができる。したがって、その地点で発生する余分な熱負荷はこの別のヒータを使用して補償することができる。

[0051] 図６は、１つのそのような構成を示す。図６は、基板テーブルＷＴの基板支持区域の平面図である。入口１１０が示されている。熱伝達流体の中心チャネル２００が提供されている。中心チャネル２００は、基板Ｗの位置の下の経路をたどる。中心チャネル２００の経路は、熱伝達流体をチャネル２００内に通過させることによって均一な熱伝達を加えることが可能な経路である。チャネル２００に流入する熱伝達流体の温度は、第１の温度センサ２１０によって検出される。チャネル２００から流出する熱伝達流体の温度は、第２の温度センサ２２０によって検出される。ある局所地点の温度を検出するために第３の温度センサ２３０をチャネル２００内に提供してもよい。コントローラに温度センサ２１０、２２０、２３０からのデータを提供でき、コントローラは、熱伝達流体がチャネル２００に流入する前に熱伝達流体を加熱し、及び／又は冷却するためのヒータ及び／又は冷却器２４０を使用して熱伝達流体の温度を制御することができる。

[0052] 例えば、基板周辺部を囲む入口によって、又は入口内で発生する可能性がある過剰な冷却に対処するため、１つ又は複数の（例えば、６つの）加熱要素２５０を提供してもよい。加熱要素２５０は、入口に隣接し、入口の周辺部（例えば周縁）の周囲で延在する単一の加熱要素であってもよい。

[0053] 第４の温度センサ２６０が提供される。第４の温度センサ２６０は入口付近に提供される。コントローラは第４の温度センサ２６０から得た情報を用いて加熱要素２５０に供給される電力を制御できる。

[0054] 図６に示すシステムは、特に局所区域液体供給システムが使用される時のいくつかの問題点を実際に緩和するが、入口１１０の周辺部の周囲の冷却は常に均一になるわけではない。したがって、第４の温度センサ２６０の位置は重要である。第４の温度センサ２６０が大量の局所冷却に曝された位置にある場合、その冷却が補償されるとしても、入口１１０の他の領域が過熱する場合がある。センサ２６０の問題は、第２及び第３の温度センサ２２０と２３０との間の温度差に基づいて加熱要素２５０を制御する方が良いということを意味する。コントローラは基板テーブルの縁部にかかる熱負荷の尺度としてこの温度差を使用する。基板テーブルの周辺部全体の一部に熱負荷が加わる場合、周辺部全体にわたって平衡熱負荷が加えられる。その結果、加熱要素による負荷が加わる領域の補償は不足し、負荷が加わらない領域を擾乱する。例えば、基板テーブル縁部の１／３にわたって１Ｗが加わると、縁部全体にわたって１Ｗで補償される。したがって、その局所負荷は０．３３Ｗしか補償されず、残りの０．６６Ｗは縁部の残りを擾乱する。入口１１０の周囲に追加の温度センサを提供したとしても、この問題は緩和されるとは限らない。

[0055] 図６の解決策は以下の欠点を有する。１）ヒータとセンサの組合せの反応時間が遅すぎる（時定数が大きい）。ヒータ及びセンサが基板テーブルＷＴに接着されていて、その結果、比較的高い接触抵抗が生じる。２）ヒータ及びセンサは、基板テーブルの縁部にだけ施され、その中核（中央部）には施されないため、部分的な解決策にとどまる。３）液体（例えば水）の調節は不均一な温度分布を引き起こす最大フローに限られる。液体チャネルの断面が小さく、また相当に長いため、フロー抵抗が大きい。大量のフローの場合、圧力低下が過剰になって、基板テーブル自体の不均一な機械的変形が引き起こされる。大量のフローは高速及び大きな動的な力を生み、また、これが補正不可能な擾乱力を発生させる。（最大フローに限らず）あらゆる流れが不均一な温度分布につながる。液体は入口から出口へ向かって冷たくなる。この温度差が不均一性を生み出す。フローが大きいほど、ｄＴは低くなる。４）水の調節は圧力パルスのために補正不可能な動的擾乱を引き起こす可能性がある。５）水の調節によって、「肉厚の」（例えば、厚さが１０ｍｍの）、したがって、重い基板テーブルＷＴがスキャンアップ−スキャンダウン問題の原因を引き起こすことがある。

[0056] ある実施形態のバールプレート６００を図７に示す。バールプレート６００は、上側の基板支持面及び上側の基板支持面と反対側の下側の基板支持面とに突起を有するプレートから構成される。上側の面上の突起は、使用時に基板Ｗが支持されるバール３２である。下側のバール３４は、基板テーブルＷＴの表面上にバールプレート６００を支持するためのものである。

[0057] 図７では、少なくとも１つのヒータ４００が、バールプレート６００の基板支持面と反対側の表面上でバール３４間に形成されている。ヒータ４００は、バールプレート６００の下向きの表面上にある。これは、バールプレート６００の下向きの表面上のバール３４間の方が、基板を支持するバールプレート６００の反対側の上向きの表面上のバール３２間よりもスペースが広いからである。

[0058] 一実施形態では、１つ又は複数のヒータ４００は薄膜として形成される。しかし、ヒータ４００の他の形態も使用できる。したがって、ヒータ４００は、接着剤、はんだなどの接着物を用いずに、表面に直接装着できる。したがって、ヒータ４００は、例えば表面上に付着される形で表面に直接結合される。一実施形態では、ヒータ４００は白金で形成される。バールプレート６００が導電性材料（ＳｉＳｉＣなど）で製造される場合、ヒータ４００の付着前に、絶縁層及び／又は結合層を付着してもよい。ヒータ４００を付着してから、ヒータ４００の電気的絶縁を確保し、短絡の発生原因になる湿ったガスから保護するために（別の誘電体層で）ヒータ４００をさらにコーティングすることが場合によって必要である。ある実施形態では、ヒータ４００上にさらに絶縁層が提供され、このため熱が表面に侵入する。その結果、本体（例えばバールプレート６００）内部に向けられる熱は増大する。

[0059] 普通、薄膜は総計で４つの層を有する。基板テーブルの頂部（例えばバールプレート６００）には結合層があり、次に、絶縁誘電体層、導電性の（例えば、金属、白金などの）層、さらにその上に短絡を防止する誘電体層がある。ラインの電磁障害を回避するために、２つの追加のシールド層があってもよい。ヒータ及び／又は温度センサの厚さは、例えば１００μｍ未満、ある実施形態では１０μｍ未満、又は１μｍといった薄いものである。

[0060] ヒータ４００は表面に直接結合されるので、ヒータ４００と表面の奥の材料との間で熱が迅速に伝導される。ヒータ４００が与えられる表面がバールプレート６００であるため、それらが基板Ｗに近いため、基板Ｗとの間の熱の伝達は極めて迅速である。

[0061] 本発明のある実施形態を単独で、又は、図６に示すエッジヒータ２５０及び／又は図６に示すような熱調節流体がそこを通過する基板支持区域に隣接するチャネル２００と組み合わせて使用することができる。さらに、ヒータ４００を２相流体によって調節される基板テーブルＷＴと組み合わせて使用できる。そのような実施形態では、気相及び／又は液相の流体を充填された基板テーブルＷＴの本体内にチャンバが提供される。そのような基板テーブル調節システムは、共に参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、２０１０年９月２７出願の米国特許出願ＵＳ１２／８９１，３５４号及び米国特許出願公開ＵＳ２０１１−００７５１１８号に開示されている。

[0062] 基板テーブルエッジヒータ２５０の制御ループは、高速応答時間（数秒程度の）を有してもよい。何故なら、これはセンサ及びヒータが熱負荷の極めて近くに位置するためである。これと比較してチャネル２００の応答時間は極めて遅い。これは基板Ｗ上の液体に起因するいかなる蒸発負荷もまず基板Ｗからバールプレート６００（通常、ＳｉＳｉＣ製である）へ移送され、次にバールプレート６００からチャネル２００内の流体へ、さらに流体が接触する任意のセンサへ移送されなければならないからである。さらに、チャネル２００内の流体のためのヒータ及び／又は冷却器の応答は極めて遅く、ヒータ及び／又は冷却器は普通チャネル２００の遠位側にあり、熱伝達流体がチャネル２００に達するのに時間がかかる。しかし、チャネル２００を介した熱伝達制御は、それが必要な場所での負荷の正確な量を補償できるため、有利である。バールプレート６００上のどこに負荷がかかろうが、負荷はチャネル２００で終了し、検出され、補償される。さらに、チャネル２００は冷却負荷しか補償できないヒータには不可能な冷却及び加熱負荷の両方を補償できるという利点を有する。

[0063] チャネル２００の低速制御ループという欠点を克服するため、より高速のフィードバックを有する補償システムが望ましい。これはバールプレート６００の本体の温度を検知してバールプレート６００の本体に熱を直接印加することで達成できる。基板に面したバールプレート６００の本体の表面に熱を印加することが最良であろう。しかし、バールプレートの頂部のバールの間隔は狭く、バール３２及び本体６００と基板Ｗとの間にヒータ及びセンサを配置することは困難である。したがって、ヒータ４００は、基板Ｗが支持される基板支持面の反対側のバールプレートの表面（すなわち、図７に示す底面）上に配置される。この利点は、基板支持面の反対側の表面の方がバール３４のピッチが大きいということである。

[0064] 基板支持面の反対側の表面上にヒータ４００を配置する難しさとして、バールプレート６００の厚さ（Ｚ方向の）に関して温度勾配が存在するということが挙げられる。バールプレート６００の本体が１つである場合、温度勾配はあまり大きくない。しかし、本体が平面６３０に沿って接合された第１の部分６１０と第２の部分６２０からなるより一般的なケースでは、基板支持面とヒータ４００が配置された基板支持面の反対側の表面との間の温度勾配は極めて大きくなることがある。第１及び第２の部分６１０、６２０は接着剤又はその他の方法で接合できる。ある実施形態では、２つの部分６１０、６２０はガラス接着剤（溶融ガラス）によって接合される。

[0065] 第１の部分６１０内の温度勾配は小さく、第２の部分６２０内の温度勾配も小さい。温度勾配が発生するのは、平面６３０内の第１及び第２の部分６１０、６２０を接合する接着剤の熱伝導率が低く、温度勾配の大半がその接着剤内にあることによる。

[0066] バールプレート６００の平均温度が一定のパラメータ内に維持されている限り、バールプレート６００の変形（及びそれに起因するオーバレイ性能）に関してこのような勾配は問題にならない。これは、第１の部分６１０が第２の部分６２０よりも高温であり、第２の部分６２０に対して第１の部分６１０が収縮するからである。しかし、第１の部分６１０の相対的収縮と第２の部分の相対的な膨張は互いに補償する。

[0067] センサが基板支持面の近くに配置されると、センサはヒータ４００の良好な制御には低過ぎる温度を測定する。これらの状況では、ヒータ４００はバールプレート６００を過熱させる。これはＺ方向の変形に積極的な影響を及ぼす（その理由として、バールプレート６００が基板Ｗとバールプレート６００との間のバイメタリック効果（バールプレート６００の頂部と基板Ｗとの間の異なる熱膨張／収縮に起因する）を打ち消す（温度が異なる上側及び下側部分６１０、６２０の異なる膨張／収縮量によるバールプレート６００の屈曲を引き起こす）バイメタリック効果が挙げられる）。しかし、基板Ｗの変形は大幅には変化しない（基板の温度が大幅に変化しないため）。一方、バールプレート６００は劇的に増大し、ＸＹ方向の変形許容不能なレベルまでに達する。

[0068] センサが基板支持面から遠すぎる位置に（例えば、基板支持面の反対側の表面に）配置されると、ヒータ４００は冷却負荷の補償を十分に行えず、バールプレート６００の温度が低くなり過ぎる。基板Ｗの方が低温になるため、変形効果が増大し、オーバレイ性能が劣化する。

[0069] さらに、温度センサとバールプレート６００の本体との間の接着剤の層が不均一であるか又はセンサが傾いているか又は接着剤の層内に気泡が存在する場合、測定される温度は不正確になる。

[0070] ヒータ４００の制御が実行される１つ又は複数の温度センサを配置して、センサに基板支持面と基板支持面の反対側の表面との間のバールプレート６００の平均温度を測定させることが望ましい。しかし、センサの正確な配置は困難な場合がある。

[0071] 上記又はその他の問題の１つ以上は図７に示す温度検知プローブ５００内で対処される。

[0072] 温度検知プローブ５００は２つの部分６１０、６２０の平均温度を検知することができる。温度検知プローブ５００は、平均温度が検知される２つの部分に対する温度センサ５３０の正確な位置決めに影響されないという利点を有する。さらに、温度検知プローブは、平均温度を測定することが望まれる２つの部分６１０、６２０内に形成された穴５１０内の位置決めにも影響されない。第１の部分内で穴５１０が延在する距離は第２の部分内で穴が延在する距離に実質的に等しい（温度検知プローブ５００の断面の周囲が一定であると仮定して）。

[0073] 図７は、中央の貫通穴５１０と右側の盲穴５４０とを使用する２つの例示的実施形態を示す。これらの実施形態では、距離ａとｂが中央の実施形態で等しいはずであり（プレート６３０の温度を測定すると仮定して）、右側の実施形態で距離ｃとｄが実質的に等しいはずである。温度検知プローブ５００は、温度検知プローブが接触している穴の表面の平均温度を測定する。

[0074] 温度検知プローブ５００の許容差が増大した背景にはハウジング５２０、特に細長いハウジングの使用がある。ハウジング５２０は任意の断面形状を有してもよい。ハウジングは中空であってもよい。ハウジングはパイプであってもよい。ハウジングは熱伝導率が高い材料で構成される。材料は長手方向（第１の方向）で装置の通常の動作温度（例えば、２０℃）において特に導電性が高い。一実施形態では、細長いハウジングの材料の熱伝導率は２０℃で少なくとも３００、４００又は５００Ｗ／ｍＫである。これは、バールプレート６００の本体の通常の材料（例えば、ＳｉＳｉＣ）の熱伝導率１００〜２００Ｗ／ｍＫに匹敵する。これは、細長いハウジングの温度がバールプレートと比較して極めて迅速に平均温度に達するということを意味する。より高い熱伝導率を有することでバールプレート６００と比較して、細長いハウジング内の温度等化の速度が高くなる。

[0075] 温度が測定対象の本体の熱伝導率が低い（例えば、ステンレス鋼の熱伝導率は１５Ｗ／ｍＫである）いくつかの用途（液体供給システムの平均温度の測定など）では、１００又は１５０又は２００Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有する細長いハウジングが有利である。

[0076] 金属の種類によっては、最大約４３０Ｗ／ｍＫ（銀の場合）の熱伝導率を有する。その他、高い熱伝導率を有する金属としては銅（４００Ｗ／ｍＫ）及び金（３００Ｗ／ｍＫ）が挙げられる。細長いハウジングの場合に２０℃で１００Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有するということは、本体（例えば、ステンレス鋼）内部と比較しても細長いハウジング内の方が熱分散がはるかに速いということを意味する。

[0077] 検知プローブ５００が平均温度を最も正確に測定できる（ＳｉＳｉＣの１つの部分から構成されたバールプレート６００の場合でも）５００Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率が最も望ましい。グラファイトなどの材料は結晶層に平行な方向の２０００Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率を有する。したがって、細長いハウジング５１０を構成する材料は熱分解グラファイトなどのグラファイトであってもよい。

[0078] 達成可能な最大熱伝導率は２０℃で２５００Ｗ／ｍＫ又は２０００Ｗ／ｍＫの領域内である。

[0079] 温度センサ５３０は細長いハウジング５２０内の所定位置に接着される。温度センサは温度を測定する位置に近い位置に接着されることが望ましい。しかし、細長いハウジング５２０の高い導電率によって細長い方向に熱伝導率が迅速に伝導されることが確実なため、この条件は必須ではない。したがって、細長いハウジング５２０は実質的に均等な温度を有する。望ましくは、接着剤はエポキシ系接着剤などの熱伝導率が高い接着剤である。

[0080] センサハウジング５２０の温度（したがって、温度センサ５３０によって測定された温度）はバールプレート６００の本体の第１の部分６１０及び第２の部分６２０に接触する表面の割合（及び細長いハウジングとバールプレート６００との間の接着剤層の厚さ）にのみ依存する。接触している表面が等しい場合、測定された温度は第１の部分６１０と第２の部分６２０の温度の正確な平均である。

[0081] 温度センサ５３０は、細長いハウジング５２０内に接着される。細長いハウジング５２０の温度は均等であるため、温度センサ５３０とハウジング５２０との間の接着剤の厚さに関する許容差要件はそれほど厳格ではない。

[0082] ハウジング５２０とバールプレート６００の本体との間の接着剤の厚さはできるだけ均質でなければならない。層の最小の厚さは接着剤に均一なサイズの微粒子を添加することで達成できる。これは、細長いハウジング５２０とバールプレート６００の本体との間の接着剤の最小の厚さが確保されるのを助ける。微粒子は実質的に球体の形状であってもよい。

[0083] 温度検知プローブ５００は温度センサ５３０自体の長さよりもはるかに長いため、不正確な温度測定を引き起こす可能性がある傾いたセンサを有するリスクが低減する。

[0084] 温度センサ５３０は、任意のタイプであってもよい。ある実施形態では、温度センサは、負温度係数センサ（ＮＴＣセンサ）である。ある実施形態では、温度センサは、正温度係数センサである。温度センサは、約０．５ｍｍの直径と、４〜５ｍｍの長さを有してもよい。

[0085] 図７の中央の実施形態では、バールプレート６００の本体を通して貫通穴５１０が存在する。温度検知プローブ５０は、貫通穴５１０内に配置される。頂部６１０の厚さａが底部６２０の厚さｂと実質的に等しい限り、ハウジング５２０接触する頂部６１０と底部６２０との表面は実質的に等しい。その結果、温度センサ５３０は、頂部と底部６１０、６２０の平均温度を測定する。この幾何学構造は、容易に測定し製造できる。

[0086] 図７の右側に別の実施形態を示す。ここでは、盲穴５４０（本体を最後まで貫通しない穴という意味）が使用されている。ここでは、貫通穴が第１の部分６１０内に侵入する距離ｃと、穴が第２の部分内を移動する距離ｄは接触領域が実質的に等しくなるように選択される（穴５４０の端部の壁面に接触する温度検知プローブ５００の上面を考慮して）。寸法ｄが寸法ｃと実質的に確実に等しくなるようにするために、基板支持面の反対側の表面に凹部５５０を形成してもよい。

[0087] 盲穴の実施形態の１つの利点は、バールを除去する必要なしに温度検知プローブ５００をバール３２の下又はその付近に配置できるという点である。

[0088] 図７の中央及び右側の両方の実施形態で、環境（例えば、ガス）に曝されたハウジング５２０の表面の量は重要ではない。これは、ガスの熱伝導率が本体のそれよりもはるかに小さいためである。その結果、ハウジング５２０のガスとの接触は、温度読み取り値に大きく影響することはない。

[0089] 一実施形態では、穴５１０、５４０は、平面６３０に対して垂直である。

[0090] 一実施形態では、バールプレート６００は、１つの温度検知プローブと、１つのヒータ４００とを備える。コントローラ５０は、温度検知プローブ５００から受信した読み取り値に基づいて、ヘッダ４００に印加される電力を制御する。

[0091] ある実施形態では、バールプレート６００は、複数のヒータ４００を備える。複数のヒータは個別に制御可能である。ある実施形態では、バールプレート６００は、複数の温度検知プローブ５００を備える。ある実施形態では、温度検知プローブ５００は各々のヒータ４００に関連付けられ、ヒータ４００の局所的温度を測定する。コントローラ５０は、関連付けられた温度検知プローブ５００から受信した読み取り値に基づいて、ヘッダ４００に印加される電力を制御する。

[0092] 温度検知プローブ５００は、リソグラフィ装置の別の場所で使用できる。特に、２つのコンポーネント間の平均温度又はあるコンポーネントの距離全体の平均温度を測定することが所望される場所で温度検知プローブ５００を使用できる。この温度検知プローブは、温度勾配が存在する場所で平均温度を測定するのに特に有利である。温度勾配が存在する１つの位置は、液体供給システムの上面である。そのような液体供給システムは液体の蒸発による冷却負荷を受けることがあり、その結果、ＸＹ平面内に温度勾配が生じる。上記の温度検知プローブを用いてある方向の平均温度を測定することができる。

[0093] 以上、１つ又は複数のヒータに関連して１つ又は複数の温度検知プローブ５００について説明してきたが、ある実施形態では温度検知プローブに関連付けられた使用に加えて、又は代替的に１つ又は複数の冷却デバイスを有してもよい。

[0094] 本発明のある実施形態を液浸リソグラフィ装置に関連して説明しているが、これはそうでなくてもよい。その他のタイプのリソグラフィ装置も不均一な冷却（又は加熱）をこうむることがある。例えば、ＥＵＶ装置（極端紫外線装置）では、投影ビームの入射による加熱が発生することがある。これによって局所液体供給システム下の基板の縁部通過が冷却効果を与えるとある程度同様に、基板が局所的に加熱する場合がある。チャネル２００内の熱伝達流体に正常動作状態における所望の温度に対するわずかな負の温度オフセットを与えると、すべてのヒータをオンにして所望の温度を得ることができる。次に、ヒータをオフに切り替えることで局所冷却負荷を印加できる。この状況で、基板縁部だけにヒータが局在しており、基板支持区域の中央から半径方向の距離にヒータを追加的に又は代替的に配置してもよい。しかし、この場合でも、上記と同じ原則が適用される。

[0095] したがって、本発明のある実施形態を多くのタイプのリソグラフィ装置で実施できることが理解されよう。例えば、本発明のある実施形態は、Ｉラインリソグラフィ装置で実施することができる。

[0096] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に付与し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0097] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0098] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。

[0099] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00100] 上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。

[00101] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00102] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00103] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. 細長いハウジング内の温度センサを備え、前記ハウジングは、第１の方向に細長く、少なくとも１つの方向に２０℃で少なくとも１００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する材料からなる、温度検知プローブ。
2. 前記少なくとも１つの方向は第１の方向であり、及び／又は前記温度センサは前記第１の方向の細長いハウジングの実質的に中央にある、請求項１に記載の温度検知プローブ。
3. 前記細長いハウジングは、グラファイトから構成される、請求項１又は２に記載の温度検知プローブ。
4. 前記グラファイトは、熱分解グラファイトである、請求項３に記載の温度検知プローブ。
5. 前記温度センサは負温度係数センサであり、及び／又は前記温度センサは接着剤で前記細長いハウジング内に保持され、及び／又は前記熱伝導率は少なくとも１５０、２００、３００、４００又は５００Ｗ／ｍＫである、請求項１から４のいずれか１項に記載の温度検知プローブ。
6. 本体と、請求項１から５のいずれか１項に記載の温度検知プローブとを備える、リソグラフィ装置用のバールプレート。
7. 前記センサは前記本体の穴の内部に挿入され、前記穴の表面の平均温度を測定する、請求項６に記載のバールプレート。
8. 前記本体は２つの部分を有し、前記穴は、前記本体の前記２つの部分が接合される平面に垂直の方向に伸張する、請求項７に記載のバールプレート。
9. 前記穴が前記２つの部分の第１の部分を通って延在する前記距離は、前記穴が前記２つの部分の第２の部分を通って延在する距離に実質的に等しい、請求項８に記載のバールプレート。
10. 前記穴は盲穴であり、及び／又は前記温度検知プローブは前記穴の内部に接着され、及び／又は使用時にその上に基板が配置される表面の反対側の前記本体の表面上にヒータをさらに備え、及び／又は前記温度検知プローブによって検知された温度に応じて前記ヒータを制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項７から９のいずれか１項に記載のバールプレート。
11. 前記接着剤は、前記細長いハウジングと前記本体との間の接着剤の最小の厚さを確保する均一なサイズの微粒子を有する、請求項１０に記載のバールプレート。
12. 前記表面上に少なくとも１つの別のヒータを備える、請求項１０に記載のバールプレート。
13. 請求項１から５のいずれか１項に記載の温度検知プローブをさらに備え、前記各ヒータはそれに関連付けられた温度検知プローブを備える、請求項１２に記載のバールプレート。
14. 請求項６から１３のいずれか１項に記載のバールプレートを備える、リソグラフィ装置。
15. 液浸リソグラフィ装置内の局所的熱負荷を補償する方法であって、バールプレートの第１及び第２の部分の平均温度を示す信号に基づいてヒータを制御するステップを含む、方法。