JP2012250033A - クライオスタット熱負荷を低減するための貫通チューブアセンブリ - Google Patents

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Abstract

【課題】貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷を有利に低減させる一方で、クライオクーラの寿命を強化している貫通チューブアセンブリを提供する。
【解決手段】クライオスタット向けの貫通アセンブリは、第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された外側壁部材であって、チューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている外側壁部材を含む。さらに本貫通アセンブリは、複数のチューブを互いの内部にネスト構造にして備えるテレスコープ式内側壁部材を含んでおり、かつ該複数のチューブのうちの各チューブは少なくとも1つの別のチューブと直列に動作可能に結合されている。
【選択図】図2

Description

本開示の実施形態はクライオスタットに関し、またより詳細にはクライオスタット内で用いるための貫通チューブアセンブリであって、貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷を低減するように構成された貫通チューブアセンブリの設計に関する。
磁気共鳴撮像(MRI)システムや核磁気共鳴(NMR)撮像システムのための超伝導マグネットを収容するためには、例えば液体冷媒を包含した周知のクライオスタットが使用される。典型的にはクライオスタットは、内側クライオスタット容器と、複数の超伝導コイルを含んだマグネットカートリッジを囲繞するヘリウム容器と、を含む。さらにマグネットカートリッジを囲繞するヘリウム容器は典型的には、マグネットを冷却するための液体ヘリウムで満たされている。さらにこのヘリウム容器を熱放射シールドが囲繞している。さらにこの高温熱放射シールドを外側クライオスタット容器、真空容器が囲繞している。さらに外側クライオスタット容器は一般に排気されている。
さらにクライオスタットは一般に、容器壁を通過する少なくとも1つの貫通を含んでおり、該貫通はヘリウム容器に対する様々な接続を容易にするように構成されている。これらの貫通は、真空容器とヘリウム容器の間の真空を維持しながら真空容器とヘリウム容器の間の熱伝導を最小化するように設計されることに留意されたい。さらにこうした貫通は、真空容器とヘリウム容器の熱膨張及び収縮の差を補償することが望ましい。さらにこうした貫通によって、マグネットクエンチの場合にヘリウムガスのフロー経路も提供できる。
貫通があると潜在的に、室温から極低温までクライオスタットに対する熱負荷が増加する。熱負荷のメカニズムには典型的には、熱伝導、マクロ及びマイクロの熱対流、熱放射が含まれる。さらに熱負荷メカニズムにはまた、材料の熱伝導、コールドヘッドへの熱リンク、ヘリウムカラムの熱伝導、クライオスタットのサイドから上部への熱放射、及びクライオクーラへの熱接触リンクが含まれる。大気に対して開かれておりかつヘリウムガスのフローが逃げることにより冷却を受けるクライオスタット貫通と異なり、クライオスタット上の閉鎖式またはハーメチック封止式の貫通はクライオスタットにとって主要な熱入力源となる。さらに貫通には一般に、マグネットの突然のエネルギーダンプやクエンチあるいは真空不良や結氷閉塞(ice blockage)の場合における冷媒気体の迅速かつ安全な放出を保証するための安全手段が装備されている。
従来における初期のNMR及びMRIシステムは、クライオスタットのヘリウム浴からのボイルオフを利用すると共に、このボイルオフ気体を貫通の周りまたはその中を通過させて熱交換をしていた。貫通内部に熱交換気体を存在させることは、効率のよい冷却に利用することが可能である。具体的には、設計が適正であれば、熱交換気体が存在することによって冷媒システムに対する熱負荷が実質的に最小化される。しかしNMR及びMRIマグネットシステム並びに別の冷媒用途では、コストの理由から貫通を通じた気体の大気への放出が許容されない。さらにヘリウムコストのかなりの上昇のために、冷媒システムはボイルオフ気体を完全に再凝縮させている。
米国特許第7791229号
しかしながら、気体ストリームの冷却が利用可能でないことにより、貫通は全熱負荷予算をかなり増大させる。さらに、貫通に関する寄生(parasitic)熱負荷は、クライオスタットに対する総熱負荷の20〜40%程度の高さになる可能性がある。この熱負荷は、クライオクーラに対する不都合かつ高価な早期の交換や改装に繋がるので不利である。クライオクーラ交換があると次いで、例えばMRIマグネットの寿命サイクルコストが増大する。
さらに、貫通チューブアセンブリにより生じるクライオスタット熱負荷を低減するために目下利用可能な別のある技法では、ヒートシンクの役割をするコールドヘッド冷却段とリンクさせたヒートステーションを用いて貫通チューブアセンブリを冷却することが必要である。しかしながら、これらの技法を用いるとコールドヘッドの冷却力が低下する。さらに別の技法は貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタット熱負荷の冷却の問題に対して、貫通チューブアセンブリの物理的寸法を最小化することによって対処している。しかし貫通チューブアセンブリの寸法の最小化は、内部圧力が設計圧力よりかなり高くまで増大するに至ることによって高いクエンチレートでクライオスタットにマイナスの影響を及ぼす可能性がある。さらに従来では貫通チューブとしてべローズを用いており、べローズの回旋部によって追加の熱的長さが提供されていた。しかし、追加の熱的長さがある場合であっても、べローズからヘリウム容器までの熱伝導負荷は有意となる可能性がある。
したがって貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷を有利に低減させる一方で、クライオクーラの寿命を強化している貫通チューブアセンブリのロバストな設計を開発することが望ましい。
本技法の態様によるクライオスタット向けの貫通アセンブリを提示する。本貫通アセンブリは、第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された外側壁部材を含んでおり、チューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている。さらに本貫通アセンブリは、複数のチューブを互いの内部にネスト構造にして備えたテレスコープ式内側壁部材を含んでおり、また該複数のチューブのうちの各チューブは少なくとも1つの別のチューブと直列と動作可能に結合されている。
本技法の別の態様によるクライオスタット向けの貫通アセンブリを提示する。本貫通アセンブリは、第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された波形付き外側壁部材を含んでおり、チューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている。さらに本貫通アセンブリは、第1の端部及び第2の端部を有すると共に該波形付き外側壁部材の近傍に配置させた内側壁部材を含む。
本技法のさらに別の態様では、磁気共鳴撮像のためのシステムを提示する。本システムは、画像データ標本を収集するように構成された収集サブシステムを含んでおり、該収集サブシステムはその内部に患者を受け入れるように構成された超伝導マグネット及び該超伝導マグネットをその内部に包含する冷媒容器を備えたクライオスタットを含んでおり、該クライオスタットは、第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された外側壁部材であってチューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている外側壁部材並びに該外側壁部材の近傍に配置された内側壁部材を含んでいる熱負荷最適化貫通アセンブリを含む。さらに本システムは、収集サブシステムと動作可能に関連付けされると共に収集画像データを処理するように構成された処理サブシステムを含む。
本開示に関するこれらの特徴、態様及び利点、並びにその他の特徴、態様及び利点については、同じ参照符号が図面全体を通じて同じ部分を表している添付の図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことによってより理解が深まるであろう。
クライオスタット構造の部分断面図である。 本技法の態様による図1のクライオスタット内で用いるための貫通チューブアセンブリの壁部材の一実施形態の軸方向断面像の一部を表した概要図である。 本技法の態様による図1のクライオスタット内で用いるための貫通チューブアセンブリの壁部材の別の実施形態の軸方向断面像の一部を表した概要図である。
本明細書の以下で詳細に説明することにするが、クライオスタット内で用いるための貫通チューブアセンブリに関して該貫通チューブアセンブリの熱有効長を増強するように構成させた様々な実施形態を提示する。具体的には、貫通チューブアセンブリに関するこの様々な実施形態によれば、貫通チューブアセンブリの熱有効長の増強によって貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷が低減される。以下に記載する貫通アセンブリの利用によって、貫通によって生じるクライオスタット熱負荷を劇的に低減することができる。
図1を参照すると、クライオスタット101を含んだ磁気共鳴撮像(MRI)システムの断面像100を表した概要図を示している。クライオスタット101は超伝導マグネット102を含む。さらにクライオスタット101は、マグネットカートリッジ102を囲繞すると共にマグネットの冷却のための冷媒118で満たされている環状冷媒容器104を含む。冷媒容器104はまた、クライオスタット101の内側壁と呼ぶこともある。クライオスタット101はさらに、冷媒容器104を囲繞している環状熱放射シールド106を含む。さらにクライオスタット101は、熱放射シールド106を囲繞すると共に典型的には排気されている環状真空容器または外側真空チェンバー(OVC)108を含む。OVCはまた、クライオスタット101の外側壁と呼ぶこともある。さらにクライオスタット101は、冷媒容器104と外側真空チェンバー108と熱放射シールド106とを貫通し、これによって電気リード線向けのアクセスを提供している貫通チューブアセンブリ110を含む。図1に示した実施形態では貫通チューブアセンブリ110は、ある種の実施形態においてカバープレート112を有する閉鎖型の貫通アセンブリである。さらに参照番号126は全体として貫通チューブアセンブリ110内の開口部を示している。
さらに参照番号114は全体として貫通チューブアセンブリ110の壁部材を示している。壁部材114の第1の端部をOVC108と動作可能に結合させることがある一方、壁部材114の第2の端部を冷媒容器104と動作可能に結合させることがあることに留意されたい。したがって、壁部材114の第1の端部を約300度ケルビン(K)の第1の温度とすることがある一方、壁部材114の第2の端部を約4度Kの温度とすることがある。
さらに冷媒容器104内の冷媒118は、ある種の実施形態においてヘリウムを含むことがある。しかしある種の別の実施形態ではその冷媒118は、液体水素、液体ネオン、液体窒素、あるいはこれらの組み合わせを含むことがある。本明細書において様々な実施形態を冷媒118としたヘリウムに関連して記載することに留意されたい。したがって、冷媒容器とヘリウム容器という用語を区別なく用いることがある。
さらに図1に示したように、MRIシステム100はスリーブ116を含む。ある種の実施形態では、このスリーブ116内にクライオクーラ120を配置させることがある。クライオクーラ120は、冷媒容器104内の冷媒118を冷却するために利用される。さらに参照番号122は全体として患者ボアを示している。スキャン手技の間に患者ボア124内部に患者124が位置決めされるのが典型的である。
上で指摘したように、何らかの貫通があると室温から極低温までのクライオスタットに対する熱負荷の増加に繋がる可能性がある。本技法の態様では、図1のクライオスタット101などのクライオスタット内に用いられる貫通チューブアセンブリに関してクライオスタット101に対する熱負荷を低減するように構成された様々な実施形態を提示する。具体的には、本明細書の以下に提示する貫通チューブアセンブリは、貫通チューブアセンブリの熱有効長を増強することによってクライオスタットに対する熱負荷を低減するように構成されている。
図2には、図1のクライオスタット101などのクライオスタット内で用いるための例示的な貫通チューブアセンブリ200の一実施形態を表している。具体的に図2(a)は、クライオスタット101内で用いるための貫通チューブアセンブリの壁部材206の一実施形態の軸方向断面像202の一部を表した概要図である。より具体的に図2は、貫通チューブアセンブリ200のうち貫通チューブアセンブリの対称軸204の一方の側に配置された部分を表している。本技法の態様では例示的な貫通チューブアセンブリ200は、壁部材206の熱有効長を増強するように構成された壁部材206を含んでおり、これにより貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタット101に対する熱負荷の低減が支援される。熱有効長(effective thermal length)という用語は一般に、壁部材206の熱伝導経路の長さを示すために用いている。一実施形態ではその貫通チューブアセンブリ200は、熱伝導経路の有効長を約50mmから約300mmの範囲で増強するように構成されることがある。
本技法の態様では、貫通チューブアセンブリ200の壁部材206は、貫通チューブアセンブリ200の熱有効長を変更する(またさらに具体的には、増強する)ように構成されている。熱有効長と熱伝導経路長という用語は区別なく用いていることに留意されたい。このために図2の例示的実施形態では、壁部材206は外側壁部材208及び内側壁部材220を含む。
外側壁部材208は薄壁のチューブを含む。さらにある種の実施形態では、外側壁部材208は薄壁のステンレス鋼チューブである。一例として一実施形態ではその貫通チューブアセンブリは、薄壁の円形断面を有する円筒状のチューブを含むことがある。
図2に示した実施形態では、外側壁部材208は第1の端部210及び第2の端部212を有する。図2に関する目下企図される構成では、外側壁部材208の第1の端部210を波形付きチューブ部材218に結合させることがある。波形付きチューブ部材218は一方、第1のフランジ214を介してクライオスタット101のOVC108(図1参照)に結合させている。ある種の実施形態ではその第1のフランジ214を、ステンレス鋼またはアルミニウムを用いて形成させることがある。
さらに、外側壁部材208の第2の端部212は、クライオスタット101の冷媒容器104(図1参照)に結合させることがある。一実施形態ではその外側壁部材208の第2の端部212を、第2のフランジ216を用いて冷媒容器104に結合させることがある。一実施形態では、第2のフランジ212はステンレス鋼フランジを含むことがある。しかし、第2のフランジ216の形成のために銅及び/またはアルミニウムを用いることもある。
上で指摘したように、外側壁部材208の第1の端部210は波形付きチューブ部材218及び第1のフランジ214を介してOVC108に結合させている。したがって、外側壁部材208の第1の端部210は高温領域と連絡可能に結合されている。同様に、外側壁部材208の第2の端部212はクライオスタット101の冷媒容器104の内部に配置させた冷媒118(図1参照)と連絡可能に結合されているため、外側壁部材208の第2の端部212は低温領域に連絡可能に結合されている。さらに高温領域は、約250度ケルビン(K)〜約300度Kの範囲の温度を有することがある。したがって、高温領域に連絡可能に結合された外側壁部材208の第1の端部210は、約250度K〜約300度Kの範囲の温度とすることがある。
冷媒は、液体ヘリウム、液体水素、液体ネオン、液体窒素、あるいはこれらの組み合わせを含み得ることに留意されたい。さらに、外側壁部材208の第2の端部212がクライオスタット101の冷媒容器104の内部に配置させた冷媒118と動作可能に関連付けされているため、外側壁部材208の第2の端部212を低温領域に結合させることができる。この低温領域は、ある種の用途では使用する冷媒に基づいて約4度K〜約80度Kの範囲の温度とすることがある。一例として、その冷媒が液体水素であれば、低温側の領域を約20度Kの温度とすることがある。さらにその冷媒が液体ネオンであれば、低温側の領域を約27度Kの温度とすることがある。さらに別の冷媒では、低温側の領域を約4度K〜約80度Kの範囲の温度とすることがある。
冷媒118(図1参照)としてヘリウムが用いられる場合、クライオスタットの通常動作時に貫通チューブアセンブリの長さ全体わたって約300度Kから約4度Kまでの温度勾配が存在することが理解されよう。しかしクエンチ中ではこの温度勾配が衰退し、このため貫通チューブアセンブリの長さ全体にわたって実質的に均一の温度が存在することになり、貫通チューブアセンブリの温度は約5度K〜約15度Kの範囲まで低下する。温度勾配のこの消失は、貫通チューブアセンブリの応力及び歪みを増大させるので不利であると共に、マグネットのクエンチ中に外側壁部材208の薄壁のチューブの収縮を生じさせことになりかねない。図2の実施形態では波形付きチューブ部材218は、外側壁部材208の熱有効長の増強を支援するように構成されている。具体的には波形付きチューブ部材218は、クエンチ時の薄壁のチューブ208の収縮を補償するために利用される。より具体的には波形付きチューブ部材218がクエンチの際に膨張し、これにより薄壁のチューブ208のクエンチ時の収縮が補償されると共に、貫通チューブアセンブリ内部の軸方向応力集中が実質的に最小化される。
本技法の例示的な態様ではその壁部材206はテレスコープ式内側壁部材220を含む。テレスコープ式内側壁部材220は、壁部材206の(特に、クエンチ中における)圧力支持力を増強するように構成されている。具体的にはテレスコープ式内側壁部材220は、互いの内部にネスト構造にした複数のチューブを含む。具体的に一実施形態ではそのテレスコープ式内側壁部材220は、互いの内部にネスト構造を成した直径の異なる複数の同心性チューブを含む。図2に示した例ではテレスコープ式内側壁部材220は、第1のチューブ222、第2のチューブ224、第3のチューブ226及び第4のチューブ228を互いの内部に同心性にネスト構造にして含む。具体的には各チューブは、少なくとも1つの別のチューブと直列に動作可能に結合されている。一例として、第1のチューブ222の第2の端部は第2のチューブ224の第1の端部と動作可能に結合される一方、第2のチューブ224の第2の端部は第3のチューブ226の第1の端部と動作可能に結合されている。同様の方式で、第3のチューブ226の第2の端部を第4のチューブ228の第1の端部と動作可能に結合させている。さらに第4のチューブ228の第2の端部を外側壁部材208の第2の端部212に結合させている。チューブ222、224、226、228のこの結合によって1つの直列接続が形成される。したがってチューブ222、224、226、228は、長い1本のチューブではなく互いの内部に来るように直列にしたネスト構造を成している。さらに一実施形態ではそのチューブ220、224、226、228は、直径の異なるステンレス鋼チューブを含むことがある。しかしチューブ222、224、226、228の形成のためには、チタン合金、インコネル(Inconel)、非金属エポキシ及び炭素繊維強化チューブ(ただし、これらに限らない)などの別の材料を用いることもある。図2の構成は互いの内部に来るようにネスト構造を成した4つの同心性チューブ222、224、226、228を含むようなテレスコープ式内側壁部材220を示しているが、別の数の同心性チューブを用いることも想定される。
一実施形態では、テレスコープ式内側壁部材220の複数の同心性チューブにおける各チューブの少なくとも1つの別のチューブに対する結合を支援するために、結合用素子またはストッパー246を利用することがある。さらに本技法の態様によるテレスコープ式内側壁部材220は一般に、押込み収納(collapsed)構成(図2(c)参照)で位置決めされている。しかしマグネットのクエンチの際はテレスコープ式内側壁部材220が図2(c)の押込み収納構成から展開式構成(図2(a)及び図2(b)参照)まで遷移する。このためにストッパー246は例えば、チューブ224、226及び228の第1の端部の近くに位置決めされている。クエンチ中にテレスコープ式内側壁部材220が押込み収納構成から展開式構成まで遷移する間に、内側にあるチューブは隣にある同心性チューブに対応したストッパー246に当たるまで滑り上がる。一例として第3のチューブ226は、第4のチューブ228に対応したストッパー246に当たるまで滑り上がる。ある種の別の実施形態では、チューブの互いに対する結合を支援するためにチューブのそれぞれの上に環状のリム(図2では図示せず)を用いることがある。別法として、チューブ上に垂直スロット(図2では図示せず)を設けることがある。さらにチューブの結合を支援するために、摺動式の同心性チューブ上に係合用突起(図2では図示せず)を設けることがある。
さらに複数のチューブのうちの最内側チューブの第1の端部に対して、ベント用素子232を結合させている。一例としてベント用素子232を第1のチューブ222の第1の端部に結合させることがある。ある種の実施形態ではそのベント用素子232は、バーストディスク(burst disk)を含むことがある。別法として、第1のチューブ222の第1の端部にバルブを結合させることがある。ある種の実施形態ではそのバーストディスクを交換式のバーストディスクとすることがある一方、そのバルブをクエンチバルブとすることがあることに留意されたい。
さらに、バーストディスク232の使用によって冷媒容器104のハーメチック式閉鎖が支援されることに留意されたい。開口部を開いたままにするのではなくバーストディスク232またはバルブを用いることによって冷媒容器104を完全に閉鎖することによれば、冷媒容器104の上方の空間の排気が可能となり、これによりヘリウムガスカラムが排除される。具体的には、バーストディスク232を用いると、貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタット101に対する熱負荷の低減が支援される。一例として貫通チューブアセンブリの設計に基づいて、約50mW〜150mWの範囲における総熱冷媒予算の低減を達成することが可能である。
引き続き図2を参照すると、貫通チューブアセンブリ200をベントライン236と動作可能に結合させることがある。一実施形態ではそのベントライン236を外側壁部材208の第1の端部210と動作可能に結合させることがある。ベントライン236はマグネットのクエンチ中における冷媒の流路形成を支援する。さらにベントライン236は一般に、ヘリウムガスなどの冷媒で満たされている。ベントライン236をヘリウムガスで満たすことによって、貫通チューブアセンブリが確実に周囲大気に曝露されないことが支援される。さらに、ベントライン236はフラップバルブ240を含む。さらにフラップバルブ240は、ベントライン236を空気の進入から保護するように構成されている。さらに、フラップバルブ240の開放及び閉鎖を支援するためにOリング封止244を利用することがある。Oリング封止したバネ起動式フラップバルブ240は典型的には、図2に示したような閉じた位置にあると共にクエンチ中にのみ開放される。フラップバルブ240は典型的にはクエンチ中に気体フロー方向248に開放されることに留意されたい。
さらに一実施形態では、ベントライン236はベントラインポート238を含む。ベントラインポート238はベントライン236の排気を支援する。具体的には、ベントラインポート238に対して真空が引き入れられると、フラップバルブ240は気体フロー方向248と反対方向に移動する。このために、貫通チューブアセンブリ及びベントライン236が排気される。具体的には貫通チューブアセンブリとベントライン236のフラップバルブ240の位置に至る部分242とを排気させることがある。ベントラインポート238は、ベントライン236の部分242の排気に用いられ、次いでこの部分がフラップバルブ242を閉じた位置まで押すことがある。
貫通チューブアセンブリ並びにベントライン236を図2に示したように実現すると共に、バーストディスク232を用いて冷媒容器104をハーメチック式閉鎖することによって、貫通チューブアセンブリの排気が可能となり、これがヘリウムガスカラムを排除することによりクライオスタット101に対する熱負荷の低減が得られる。
さらに、内側壁部材220にバーストディスクを全く結合させない場合は、内側壁部材220の比較的小さい直径が開放のままとなり、これによりヘリウムガスカラムの形成が生じることになる。この状況では、ベントライン236内のフラップバルブ240によってベントライン236及び/または貫通チューブアセンブリが空気の進入から保護される。しかし、内側壁部材に結合させたバーストディスクを含まないような貫通チューブアセンブリの実施形態では、ヘリウムガスカラムによる約300度Kから約4度Kへの熱伝導のためにクライオスタットに対する熱負荷が高くなる。
さらに、第4のチューブ228などのテレスコープ式内側壁部材220の最外側チューブを外側壁部材208に結合させることがあることに留意されたい。一実施形態では、第4のチューブ228を外側壁部材208の第2の端部212に結合させることがある。
ここで図2(b)を見ると、図2(a)のテレスコープ式内側壁部材220が展開式構成となったときの軸方向断面像250の一部を表した概要図を表している。具体的に図2(b)は、マグネットのクエンチ中のテレスコープ式内側壁部材220の展開式構成を表している。
ここで図2(c)を参照すると、図2(a)のテレスコープ式内側壁部材220を押込み収納構成とした上面図252を表している。通常動作時においてテレスコープ式内側壁部材220は図2(c)に示したような押込み収納構成にある。しかしクエンチ時には冷媒容器104の圧力が上昇する。冷媒容器104内の圧力上昇の結果として、テレスコープ式内側壁部材220は図2(c)の押込み収納構成からクエンチ中の図2(a)及び図2(b)の展開式構成まで遷移する。具体的にはテレスコープ式チューブ222、224、226、228は図2(a)に示したように膨張すると共に、貫通チューブアセンブリに結合させたベントライン236を通してヘリウムなどの冷媒を逃がしかつベントすることが可能である。一例として冷媒118は、貫通チューブアセンブリ内の開口部234を通って冷媒容器104からベントライン236まで逃がされベントされる。
引き続き図2を参照すると本技法の例示的な態様では、複数のチューブ222、224、226、228の直列接続によって、クエンチ中における壁部材206の圧力支持力(またさらに具体的には、内側壁部材220の圧力支持力)が増強される。具体的にはチューブ222、224、226、228の直列結合によって、内側壁部材220の図2(c)の押込み収納構成から図2(a)及び図2(b)の展開構成までの遷移が可能となる。クエンチ後に圧力が低下した後、チューブ220、224、226、228は自動的に押し込まれ、内側壁部材220が押込み収納構成まで戻される。
本明細書の上で記載したように、テレスコープ式内側壁部材220は複数の同心性チューブを含む。内側壁部材220として、押込み収納式鋼鉄製及び/またはプラスチック製カップ、押込み収納式テレスコープ、押込み収納式アンテナ、あるいはこれらの組み合わせを用いることも想定されることに留意されたい。
図2を参照して記載したようにして貫通アセンブリを実現すると(特に、クエンチ中において)長さを増強した有効熱伝導経路が提供され、これにより貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷が低減される。具体的には、図2に示したような貫通チューブアセンブリ200のテレスコープ式内側壁部材220によれば、図2(c)の押込み収納構成からクエンチ中の図2(a)及び2(b)の展開構成への遷移によって貫通チューブアセンブリ200の熱有効長が増強される。貫通チューブアセンブリ200の壁部材206の熱有効長のこの増加は次いで、貫通チューブアセンブリ200の開放表面積の増加に繋がる。このため、マグネットのクエンチ時の貫通チューブアセンブリ200の利用可能断面積を追加の熱負荷ペナルティなしに増大させている。貫通チューブアセンブリ200の利用可能断面積のこの増加によって次いで、熱放散の増強を容易しこれにより貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷を低減することができる。
さらに、図2を参照して記載したようにして貫通アセンブリを実現すると、内側壁部材220向けに薄壁のチューブの利用が可能となる。さらに内側壁部材220はクエンチ中にのみ強化される。さらに内側壁部材220は、クエンチ後は貫通チューブアセンブリの開口部234を部分的に閉鎖する。
ここで図3を参照すると、図1のクライオスタット101などのクライオスタット内で用いるように構成した貫通チューブアセンブリの例示的な壁部材302の別の実施形態300を表している。具体的に図3は、クライオスタット内で用いるための貫通チューブアセンブリの壁部材302に関する別の実施形態の軸方向断面像の一部を表した概要図である。さらに参照番号304は全体として貫通チューブの対称軸を示している。
本技法の例示的な態様では、壁部材302は外側壁部材306及び内側壁部材318を有する。外側壁部材306は、第1の端部310及び第2の端部312を有する。同様の方式で内側壁部材318は、対応する第1の端部314及び第2の端部316を有する。外側壁部材306は薄壁の波形付きチューブを含む。波形付きチューブは、ある種の実施形態ではステンレス鋼から形成させることがある。ある種の別の実施形態ではその波形付きチューブはさらに、ガラス繊維強化プラスチック(GRP)を用いて形成かつ/または強化されることがある。さらに、外側壁部材306の第1の端部310を第1のフランジ320を介してOVC108(図1参照)に結合させる一方、外側壁部材306の第2の端部312を第2のフランジ322を介して冷媒容器104(図1参照)に結合させている。第1及び第2のフランジ320、322をステンレス鋼フランジとし得ることに留意されたい。別法としてその第1及び第2のフランジ320、322を銅及び/またはアルミニウムを用いて形成させることもある。
さらに内側壁部材318は、ベント用素子326が備えられた薄壁のチューブである。一実施形態ではそのベント用素子326は、バーストディスクを含むことがある。別法としてバーストディスク326ではなく、バルブを利用することがある。具体的には、バーストディスク326を、内側壁部材318の第1の端部314に結合させている。さらに薄壁の内側壁部材318は、比較的小さい直径を有することがある。一例としてある種の実施形態ではその薄壁の内側壁部材318は、約50mmから約100mmの範囲の直径を有することがある。さらに、薄壁の内側壁部材318の直径は、冷媒在庫体積及び/またはマグネットクエンチエネルギーに基づいて選択されることに留意されたい。内側壁部材318は、一実施形態ではステンレス鋼を用いて形成させることがある。ある種の別の実施形態ではその内側壁部材308は、GRPまたは炭素繊維複合材(CFC)を用いて強化されることがある。
さらにある種の実施形態では、内側壁部材318をクライオスタット101の冷媒容器104に結合させることがある。さらに内側壁部材318は、排気可能なベントライン330にも結合させることがある。一実施形態ではその内側壁部材318を貫通アセンブリの底部プレートに結合させることがある。したがって、「固定の」内側壁部材318は、クエンチ後の迅速かつ簡便なバーストディスク交換を可能にするような所望の高さに維持される。さらに内側壁部材318の長さは、内側壁部材318の選択した長さによってバーストディスク326が室温に維持されるようにして選択される。さらに内側壁部材318の第2の端部316は、クエンチ中における入口圧力降下の低下を支援するような平滑で丸みのあるエントリ部328を含む。
クライオスタットの通常動作には貫通チューブアセンブリの長さ方向にわたって約300度Kから約4度Kまでの温度勾配が存在することが理解されよう。しかしクエンチ中ではこの温度勾配が衰退し、このため貫通チューブアセンブリの長さ全体にわたって実質的に均一の温度が存在することになり、これにより貫通チューブアセンブリの温度は約5度K〜約15度Kの範囲まで低下する。温度勾配のこの消失は貫通チューブアセンブリの応力及び歪みを増大させるので不利であると共に、マグネットのクエンチ中に外側壁部材306の収縮を生じさせことになりかねない。図3の実施形態では波形付き外側壁部材306は、壁部材302の熱有効長の増強を支援するように構成されている。具体的には波形付きチューブ部材306は、クエンチの際に膨張すると共に、チューブ内部の軸方向応力集中が実質的に最小化される。
クエンチの間に冷媒容器104の圧力は上昇する。冷媒118(図1参照)は丸みのあるエントリ部328を通って内側壁部材318に入る。冷媒容器104の圧力が上昇すると、バーストディスク326が開いて冷媒が逃がされ、これにより冷媒容器内の圧力蓄積が緩和される。
図2を参照しながら上で指摘したように、バーストディスク326を用いることによって冷媒容器104のハーメチック式閉鎖が支援される。開口部を開いたままにするのではなくバーストディスク326またはバルブを用いることによって冷媒容器104を完全に閉鎖することによれば、冷媒容器104の上方の空間の排気が可能となり、これによりヘリウムガスカラムが排除される。具体的にはバーストディスク326を用いると、貫通チューブアセンブリにより生じるクライオスタット101に対する熱負荷の低減が支援される。一例として貫通チューブアセンブリの設計に基づいて、約50mW〜150mWの範囲における総熱冷媒予算の低減を達成することが可能である。
引き続き図3を参照すると、貫通チューブアセンブリ300をベントライン330と動作可能に結合させることがある。一実施形態ではそのベントライン330を外側壁部材306の第1の端部310と動作可能に結合させることがある。ベントライン230はマグネットのクエンチ中における冷媒の流路形成を支援する。さらに一実施形態では、ベントライン330はベントラインポート332を含む。ベントラインポート332はベントライン330の排気を支援する。さらにベントライン330は、Oリング封止したバネ起動式フラップバルブ334を含む。さらにフラップバルブ334は、ベントライン330を空気の進入から保護するように構成されている。フラップバルブ334は典型的には図3に示したように閉じた位置にある。フラップバルブ334は典型的にはクエンチ中に開かれることに留意されたい。参照番号338は全体としてOリング封止を示している。
さらにベントライン330は一般に、ヘリウムガスなどの冷媒で満たされている。ベントライン330をヘリウムガスで満たすことによって、貫通チューブアセンブリが確実に周囲大気に曝露されないことが支援される。さらにフラップバルブ334は典型的には、閉じた位置にあると共にクエンチ中にのみ開放される。
しかしある種の実施形態では、貫通チューブアセンブリ及びベントライン330を排気させることがある。具体的には貫通チューブアセンブリとベントライン330のフラップバルブ334の位置に至る部分336とを排気させることがある。ベントラインポート332は、ベントライン330の部分336の排気に用いられ、次いでこれがフラップバルブ336を閉じた位置まで押すことがある。
貫通チューブアセンブリ並びにベントライン330を図3に示したように実現すると共に、バーストディスク326を用いて冷媒容器104をハーメチック式閉鎖することによって、貫通チューブアセンブリの排気が可能となり、これがヘリウムガスカラムを排除することによりクライオスタット101に対する熱負荷の低減が得られる。
さらに、内側壁部材318にバーストディスクを全く結合させない場合は、内側壁部材318の比較的小さい直径が開放のままとなり、これによりヘリウムガスカラムの形成が生じることになる。この状況では、ベントライン330内のフラップバルブ334によってベントライン330及び/または貫通チューブアセンブリが空気の進入から保護される。しかし、内側壁部材に結合させたバーストディスクを含まないような貫通チューブアセンブリの実施形態では、ヘリウムガスカラムにより約300度Kから約4度Kまで熱が伝わるためクライオスタットに対する熱負荷が高くなる。
図3を参照して記載したようにして貫通アセンブリを実現すると、長さが増強された有効熱伝導経路が提供される。具体的には、図3に示したような貫通チューブアセンブリ300の波形付き外側壁部材306によれば、貫通チューブアセンブリ300の熱有効長が増強される。貫通チューブアセンブリ300の外側壁部材306の熱有効長のこの増大によって一方、貫通チューブアセンブリ300の開放表面積が増加することになる。このため、マグネットのクエンチ時における貫通チューブアセンブリ300の利用可能断面積が追加の熱負荷ペナルティを伴わずに拡大される。
さらに図3の実施形態によれば、OVC108から内側冷媒容器104への振動伝達の大幅な低減が可能となる。具体的には図3の実施形態では、貫通チューブアセンブリの壁部材302の比較的自由な動きが可能となり、これにより運搬中やクライオスタット101の静止位置決め時におけるOVC108から冷媒容器104への振動の伝達が低減される。さらに、波形付き外側壁部材306の波形部同士の間の空間を排気させることがある。したがって、直径が比較的大きな冷媒ガスカラムの使用に由来する伝達を上で指摘したようにして回避することができる。
さらに、波形付き外側壁部材306の長さが比較的長いため、熱伝導が実質的に最小化される。さらに内側壁部材318をバーストディスク326と共に用いることにより、貫通チューブアセンブリの圧力支持力が増強される。さらに貫通アセンブリに対して上方からアクセス可能であるため、バーストディスク326の容易な交換が可能になる。
本明細書の上で記載したクライオスタット内で使用するように構成された貫通チューブアセンブリの例示的な壁部材の様々な実施形態によれば、貫通チューブアセンブリの壁部材の熱有効長が増強されることによって貫通チューブアセンブリが生じさせるクライオスタットに対する熱負荷が劇的に低減される。クライオスタットに対する熱負担のこの低下によって、ライドスルー時間の増大、コールドヘッドサービス時間の延長及びコスト削減が得られるので有利である。一例としてこの貫通チューブアセンブリの簡略設計によればシステム全体のコストが低減される。さらにこの例示的な貫通チューブアセンブリを用いると、ある例ではコールドヘッドへの熱リンクが不要になる。さらに上で指摘したようにこうした貫通は、システムの熱負荷の少なくとも30〜40%を占める。本明細書の上で記載した例示的な貫通チューブアセンブリの利用に由来するクライオスタットに対する低熱負荷のため、クライオスタット内で要求される総ヘリウム在庫の低減の支援も可能となる。したがって本明細書の上で記載した貫通チューブアセンブリの様々な実施形態によって、好結果なクライオスタット設計にとっての主要因の1つである熱負荷を最適化した貫通が提示される。
本開示のある種の特徴についてのみ本明細書において図示し説明してきたが、当業者によって多くの修正や変更がなされるであろう。したがって添付の特許請求の範囲が、本開示の真の精神の範囲に属するこうした修正や変更のすべてを包含させるように意図したものであることを理解されたい。
100 MRIシステム
101 クライオスタット
102 超伝導マグネット
104 冷媒容器
106 熱シールド
108 外側真空チェンバー
110 貫通チューブアセンブリ
112 カバープレート
114 壁部材
116 スリーブ
118 冷媒
120 クライオクーラ
122 患者ボア
124 患者
200 貫通チューブアセンブリ
202 貫通チューブアセンブリの断面図
204 貫通チューブの対称軸
206 壁部材
208 外側壁部材
210 壁部材の第1の端部
212 壁部材の第2の端部
214 フランジ
216 フランジ
218 波形付きチューブ部材
220 テレスコープ式内側壁部材
222 第1のチューブ
224 第2のチューブ
226 第3のチューブ
228 第4のチューブ
232 バーストディスク
234 開口部
236 ベントライン
238 ベントラインポート
240 フラップバルブ
242 ベントラインのフラップバルブに至る部分
244 Oリング封止
246 ストッパー
248 気体フロー方向
250 展開構成時のテレスコープ式内側壁部材の断面図
252 押込み収納構成時のテレスコープ式内側壁部材の上面図
300 貫通チューブアセンブリ
302 壁部材
304 貫通チューブの対称軸
306 外側壁部材
310 外側壁部材の第1の端部
312 外側壁部材の第2の端部
314 内側壁部材の第1の端部
316 内側壁部材の第2の端部
318 テレスコープ式内側壁部材
320 フランジ
322 フランジ
326 バーストディスク
328 内側壁部材内の開口部
330 ベントライン
332 ベントラインポート
334 フラップバルブ
336 ベントラインのフラップバルブに至る部分
338 Oリング封止

Claims (23)

  1. クライオスタット向けの貫通アセンブリであって、
    第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された外側壁部材であって、チューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている外側壁部材と、
    複数のチューブを互いの内部にネスト構造にして備えているテレスコープ式内側壁部材であって、該複数のチューブのうちの各チューブは少なくとも1つの別のチューブと直列に動作可能に結合されている内側壁部材と、
    を備える貫通アセンブリ。
  2. 前記高温領域は約250度K〜約300度Kの範囲の温度を有する、請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  3. 前記冷媒は、液体ヘリウム、液体水素、液体ネオン、液体窒素、あるいはこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  4. 複数の同心性チューブのうちの最内側チューブの第1の端部と動作可能に結合させたベント用素子をさらに備える請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  5. 前記ベント用素子は、バーストディスク、バーストバルブあるいはこれらの組み合わせを含む、請求項4に記載の貫通アセンブリ。
  6. 前記テレスコープ式内側壁部材内の複数のチューブは、互いの内部にネスト構造となった複数の同心性チューブを含む、請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  7. 前記テレスコープ式内側壁部材内の複数のチューブは、ステンレス鋼チューブ、TiAl64チューブ、アルミニウムチューブ、あるいはこれらの組み合わせを含む、請求項6に記載の貫通アセンブリ。
  8. 前記外側壁部材はさらに、外側壁部材の第1の端部に、第2の端部に、あるいはこれら第1の端部と第2の端部の両方に動作可能に結合させた波形付き区画を備える、請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  9. 前記波形付き区画は、壁部材の熱有効長を約50mmから約300mmの範囲で変更するように構成されている、請求項8に記載の貫通アセンブリ。
  10. 前記テレスコープ式内側壁部材は、押込み収納構成となるように構成されている、請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  11. 前記テレスコープ式内側壁部材は、クエンチ時に押込み収納構成から展開構成まで遷移するように構成されている、請求項10に記載の貫通アセンブリ。
  12. 前記テレスコープ式内側壁部材は、クエンチ後に押込み収納構成に復帰するように構成されている、請求項11に記載の貫通アセンブリ。
  13. 外側壁部材と動作可能に結合されると共にマグネットのクエンチ中における冷媒の流路形成を支援するように構成されたベントラインをさらに備える請求項1に記載の貫通アセンブリ。
  14. 前記ベントラインは、
    ベントラインの排気を支援するように構成されたベントラインポートと、
    ベントライン内への空気の進入を防止するように構成されたフラップバルブと、
    を備えている、請求項13に記載の貫通アセンブリ。
  15. クライオスタット向けの貫通アセンブリであって、
    第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された波形付き外側壁部材であって、チューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている波形付き外側壁部材と、
    第1の端部及び第2の端部を有すると共に前記波形付き外側壁部材の近傍に配置させた内側壁部材と、
    を備える貫通アセンブリ。
  16. 前記内側壁部材の第1の端部と動作可能に結合されたベント用素子をさらに備える請求項15に記載の貫通アセンブリ。
  17. 前記波形付き外側壁部材は、該外側壁部材の熱有効長を約50mmから約300mmの範囲で変更するように構成されている、請求項15に記載の貫通アセンブリ。
  18. 前記内側壁部材はガラス強化プラスチックで強化された薄壁のチューブを含む、請求項15に記載の貫通アセンブリ。
  19. 前記内側壁部材の第2の端部は貫通チューブアセンブリの底部プレートに結合されている、請求項15に記載の貫通アセンブリ。
  20. 前記内側壁部材と波形付き外側壁部材の間の領域は排気された領域を含む、請求項15に記載の貫通アセンブリ。
  21. 前記外側壁部材と動作可能に結合されると共にマグネットのクエンチ中において冷媒の流路形成を支援するように構成されたベントラインをさらに備える請求項15に記載の貫通アセンブリ。
  22. 前記ベントラインは、
    ベントラインの排気を支援するように構成されたベントラインポートと、
    ベントライン内への空気の進入を防止するように構成されたフラップバルブと、
    を備えている、請求項21に記載の貫通アセンブリ。
  23. 画像データ標本を収集するように構成された収集サブシステムであって、該収集サブシステムは、
    その内部に患者を受け入れるように構成された超伝導マグネットと、
    前記超伝導マグネットをその内部に包含する冷媒容器を備えている、熱負荷を最適化した貫通アセンブリを備えたクライオスタットであって、
    第1の端部及び第2の端部を有すると共にその熱有効長を変更するように構成された外側壁部材であって、チューブの第1の端部は高温領域と連絡可能に結合されておりかつチューブの第2の端部はクライオスタットの冷媒容器内部に配置された冷媒と連絡可能に結合されている外側壁部材と、
    前記外側壁部材の近傍に配置された内側壁部材と、
    を備えているクライオスタットと、
    を備えている収集サブシステムと、
    前記収集サブシステムと動作可能に関連付けされると共に収集した画像データを処理するように構成された処理サブシステムと、
    を備える磁気共鳴撮像向けのシステム。
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