JP2012247774A - Light-emitting device, display device and drive method of organic electroluminescence element - Google Patents

Light-emitting device, display device and drive method of organic electroluminescence element Download PDF

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啓司 杉
Tomoaki Sawabe
智明 澤部
Kenya Yonehara
健矢 米原
Tomio Ono
富男 小野
Shintaro Enomoto
信太郎 榎本
Tomoko Sugisaki
知子 杉崎
Hiromi Kato
大望 加藤
Akio Amano
昌朗 天野
Nobuo Shibuya
信男 渋谷
Hirokazu Otake
寛和 大武
Keitaro Kosaka
啓太郎 高坂
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device, a display device and a drive method of an organic electroluminescence element capable of preventing a failure due to a leak current and preventing the operating life of the device from being reduced due to such failure.SOLUTION: The light-emitting device comprises: an organic electroluminescence element that includes a first electrode, a luminous layer disposed over the first electrode and a second electrode disposed on the luminous layer; a drive circuit that drives the organic electroluminescence element by supplying a drive current across the first electrode and the second electrode; and drive stop means that stops driving the organic electroluminescence element when the value of the drive current is lower than a predetermined value.

Description

本発明の実施形態は、発光装置、表示装置、及び有機電界発光素子の駆動方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a light emitting device, a display device, and a method for driving an organic electroluminescent element.

近年、照明装置や平面光源などを含む発光装置や、表示装置の用途に有機電界発光素子(以下、有機EL素子、OLEDとも称する)が注目されている。有機電界発光素子は、有機材料からなる発光層を陰極と陽極の一対の電極で挟んだ構成を有する。素子に電圧を印加すると、陰極より電子が、陽極より正孔が発光層へ注入され、発光層において電子と正孔が再結合して励起子を生成し、この励起子が放射失活する際に発光が得られる。   In recent years, organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements and OLEDs) have attracted attention for light emitting devices including illumination devices and flat light sources, and display devices. An organic electroluminescent element has a configuration in which a light emitting layer made of an organic material is sandwiched between a pair of electrodes of a cathode and an anode. When a voltage is applied to the device, electrons are injected from the cathode and holes are injected from the anode into the light-emitting layer, and electrons and holes are recombined in the light-emitting layer to generate excitons. Luminescence is obtained.

特開2010−272271号公報JP 2010-272271 A

有機電界発光素子の製造過程等において素子パネルに埃等の異物が付着することがある。この場合、素子パネルに付着した異物がリーク電流の発生原因となり、不良の発生、ひいては素子破壊につながることが懸念される。したがって、リーク電流による不良の発生を抑止し、そのような不良によって装置寿命が損なわれることのない発光装置、表示装置、及び有機電界発光素子の駆動方法の提供が望まれている。   Foreign matter such as dust may adhere to the element panel during the manufacturing process of the organic electroluminescent element. In this case, there is a concern that the foreign matter adhering to the element panel may cause a leak current, resulting in the occurrence of a defect and eventually the element destruction. Therefore, it is desired to provide a light emitting device, a display device, and a method for driving an organic electroluminescent element that suppress the occurrence of a failure due to a leakage current and does not impair the device life due to such a failure.

上記課題を達成するために、実施形態によれば、第1の電極と、前記第1の電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された第2の電極とを具備する有機電界発光素子と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に駆動電流を供給することにより前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と、前記駆動電流の値が所定値を下回ったら前記有機電界発光素子の駆動を停止する駆動停止手段と、を具備する発光装置が提供される。   In order to achieve the above object, according to the embodiment, a first electrode, a light emitting layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the light emitting layer are provided. An organic electroluminescent element; a driving circuit for driving the organic electroluminescent element by supplying a driving current between the first electrode and the second electrode; and a value of the driving current is lower than a predetermined value. And a driving stop means for stopping the driving of the organic electroluminescent element.

図1は、第1の実施形態に係る発光装置の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of the light emitting device according to the first embodiment. 図2は、実施例1−1に係るOLEDパネルを示す外観図である。FIG. 2 is an external view showing the OLED panel according to Example 1-1. 図3は、実施例1−1に係るOLEDパネルの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the OLED panel according to Example 1-1. 図4は、実施例1−1に係るOLEDパネルにおけるA−A’方向の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view in the A-A ′ direction of the OLED panel according to Example 1-1. 図5は、実施例1−2に係るOLEDパネルを示す外観図である。FIG. 5 is an external view showing the OLED panel according to Example 1-2. 図6は、実施例1−2に係るOLEDパネル40のB−B’方向の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the OLED panel 40 according to Example 1-2 in the B-B ′ direction. 図7は、低電流駆動によるOLED劣化の想定モデルを説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining an assumed model of OLED degradation due to low current driving. 図8は、素子破壊について説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining element destruction. 図9は、正常素子と不良素子の電流―電圧特性、及び電流―輝度特性を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing current-voltage characteristics and current-luminance characteristics of normal and defective elements. 図10は、光学顕微鏡によるリーク発生箇所の観察結果を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an observation result of a leak occurrence portion using an optical microscope. 図11は、第1の実施形態に係る発光装置の外観図である。FIG. 11 is an external view of the light emitting device according to the first embodiment. 図12は、第2の実施形態に係る表示装置を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a display device according to the second embodiment.

以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る発光装置の回路図である。
発光装置1は、有機発光ダイオード(Organic light−emitting diode:OLED)10と、OLED10を駆動する駆動回路と、該駆動回路を駆動する回路電源(Vcc)とを備える。回路電源(Vcc)は、例えば乾電池等のバッテリーを想定する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit diagram of the light emitting device according to the first embodiment.
The light emitting device 1 includes an organic light-emitting diode (OLED) 10, a drive circuit that drives the OLED 10, and a circuit power supply (Vcc) that drives the drive circuit. As the circuit power supply (Vcc), for example, a battery such as a dry battery is assumed.

図1に示す駆動回路は、定電流回路を構成している。特に本実施形態において、OLED10を駆動する駆動回路は、OLED10を駆動する電流(駆動電流)を監視し、該駆動電流の値が所定値を下回ったら駆動を強制的に停止するように構成される。   The drive circuit shown in FIG. 1 constitutes a constant current circuit. In particular, in the present embodiment, the drive circuit that drives the OLED 10 is configured to monitor a current (drive current) that drives the OLED 10 and forcibly stop driving when the value of the drive current falls below a predetermined value. .

具体的には、回路電源(Vcc)の正端子にはトランジスタQ1のエミッタ端子が接続される。トランジスタQ1のコレクタ端子はOLED10の陽極(アノード)が接続される。OLED10の陰極(カソード)はトランジスタQ2のコレクタ端子に接続される。トランジスタQ2のエミッタ端子は抵抗器R1に接続される。抵抗器R1の他端は回路電源(Vcc)の負端子に接続される。トランジスタQ2のベース端子にはオペアンプ(差動増幅器)AMP1の出力端子が接続される。オペアンプAMP1の非反転入力端子は抵抗器R2及びR3に接続される。オペアンプAMP1の反転入力端子はオペアンプAMP2の非反転入力端子に接続される。オペアンプAMP2の反転入力端子には抵抗器R4及びR5が接続される。オペアンプAMP2の出力端子は、トランジスタQ3のベース端子に接続される。トランジスタQ3のエミッタ端子は、抵抗器を介してトランジスタQ1のベース端子に接続される。図1に示される駆動回路において、OLED10の駆動を停止する手段は、少なくとも、トランジスタQ1、トランジスタQ3、及びオペアンプAMP2を含む。   Specifically, the emitter terminal of the transistor Q1 is connected to the positive terminal of the circuit power supply (Vcc). The collector terminal of the transistor Q1 is connected to the anode (anode) of the OLED 10. The cathode (cathode) of the OLED 10 is connected to the collector terminal of the transistor Q2. The emitter terminal of transistor Q2 is connected to resistor R1. The other end of the resistor R1 is connected to the negative terminal of the circuit power supply (Vcc). The output terminal of the operational amplifier (differential amplifier) AMP1 is connected to the base terminal of the transistor Q2. The non-inverting input terminal of the operational amplifier AMP1 is connected to the resistors R2 and R3. The inverting input terminal of the operational amplifier AMP1 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier AMP2. Resistors R4 and R5 are connected to the inverting input terminal of the operational amplifier AMP2. The output terminal of the operational amplifier AMP2 is connected to the base terminal of the transistor Q3. The emitter terminal of the transistor Q3 is connected to the base terminal of the transistor Q1 through a resistor. In the driving circuit shown in FIG. 1, the means for stopping the driving of the OLED 10 includes at least a transistor Q1, a transistor Q3, and an operational amplifier AMP2.

通常点灯時には、オペアンプAMP2の非反転入力端子に入力される基準電圧Vref2とOLED10に流れる電流を検出する抵抗器R1の電圧とが等しくなるようにオペアンプAMP1が動作し、トランジスタQ2の出力電流が一定に制御される。これは、定電流回路としての通常の動作であり、OLED10の端子間に駆動電流が供給される。   During normal lighting, the operational amplifier AMP1 operates so that the reference voltage Vref2 input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier AMP2 is equal to the voltage of the resistor R1 that detects the current flowing through the OLED 10, and the output current of the transistor Q2 is constant. Controlled. This is a normal operation as a constant current circuit, and a drive current is supplied between the terminals of the OLED 10.

回路電源は例えば乾電池等のバッテリーを想定しており、その放電によって電源電圧Vccが次第に低下する。電源電圧Vccの低下に伴い、トランジスタQ2のコレクタ−エミッタ間電圧VCEも徐々に低下する。最終的には、トランジスタQ2は飽和領域に侵入し、完全にONの状態となる。この時点から、当該駆動回路は電圧変動等に対する電流制御機能を失う。 The circuit power supply is assumed to be a battery such as a dry battery, for example, and the power supply voltage Vcc gradually decreases due to the discharge. With the drop in the power supply voltage Vcc, the collector of the transistor Q2 - emitter voltage V CE is gradually lowered. Eventually, transistor Q2 enters the saturation region and is completely turned on. From this point, the drive circuit loses its current control function for voltage fluctuations and the like.

電源電圧Vccがさらに低下すると、OLED10を流れる電流も低下をはじめ、その出力電流を検出するための抵抗器R1の電圧が低下する。オペアンプAMP2は抵抗器R1の電圧を監視することによって電流を監視している。すなわち、オペアンプAMP2の非反転入力端子の電圧は抵抗器R1の電圧に等しく、オペアンプAMP2の反転入力端子の電圧は設定基準電圧Vref1に等しい。また、設定基準電圧Vref1は所定の下限電流に応じてあらかじめ設定される。この下限電流は、OLED10に流れてもよい電流の下限値、すなわち駆動電流の下限値に相当する。駆動電流の下限値を設定することについては後に詳しく説明する。   When the power supply voltage Vcc further decreases, the current flowing through the OLED 10 also begins to decrease, and the voltage of the resistor R1 for detecting the output current decreases. The operational amplifier AMP2 monitors the current by monitoring the voltage of the resistor R1. That is, the voltage at the non-inverting input terminal of the operational amplifier AMP2 is equal to the voltage of the resistor R1, and the voltage at the inverting input terminal of the operational amplifier AMP2 is equal to the set reference voltage Vref1. The set reference voltage Vref1 is set in advance according to a predetermined lower limit current. This lower limit current corresponds to the lower limit value of the current that may flow through the OLED 10, that is, the lower limit value of the drive current. Setting the lower limit value of the drive current will be described in detail later.

オペアンプAMP2は、非反転入力端子と反転入力端子の電位差に応じてHigh又はLow信号(ON/OFF信号)を出力する。抵抗器R1の電圧が設定基準電圧Vref1を下回った時点でオペアンプAMP2はLow信号を出力する。これによりトランジスタQ3がOFFし、さらにトランジスタQ1がOFFする。したがって、駆動回路全体がOFFし、OLED10の駆動が停止される。   The operational amplifier AMP2 outputs a High or Low signal (ON / OFF signal) according to the potential difference between the non-inverting input terminal and the inverting input terminal. When the voltage of the resistor R1 falls below the set reference voltage Vref1, the operational amplifier AMP2 outputs a Low signal. As a result, the transistor Q3 is turned off, and further the transistor Q1 is turned off. Therefore, the entire drive circuit is turned off and the driving of the OLED 10 is stopped.

図1に示した構成はあくまで一例であって、当業者にとって自明な範囲において種々変形することが可能である。例えば、上記構成は、駆動電流の値が所定値を下回ったら駆動を強制的に停止する機能を駆動回路の内部に設けたものであるが、同機能を駆動回路の外部に設けてもよい。また、駆動回路の基本的な構成として定電流回路としたが、OLED10を定電圧駆動する構成としてもよい。すなわち、OLED10を駆動する駆動回路として定電圧回路を用い、OLED10を流れる電流を監視して所定電流以下となったら回路を強制停止する機能を設けてもよい。また、乾電池等のバッテリーから交流電源に切り替えて発光装置1を駆動可能な構成としてもよい。   The configuration shown in FIG. 1 is merely an example, and various modifications can be made within a range obvious to those skilled in the art. For example, in the above configuration, a function for forcibly stopping driving when the value of the driving current falls below a predetermined value is provided inside the driving circuit, but the function may be provided outside the driving circuit. Although the constant current circuit is used as the basic configuration of the drive circuit, the OLED 10 may be driven at a constant voltage. In other words, a constant voltage circuit may be used as a drive circuit for driving the OLED 10, and a function of forcibly stopping the circuit when the current flowing through the OLED 10 is monitored and becomes a predetermined current or less may be provided. Moreover, it is good also as a structure which can drive the light-emitting device 1 by switching from batteries, such as a dry cell, to alternating current power supply.

OLED10の実施例を説明する。以下の実施例1−1は、OLED10を単一の有機電界発光素子によるOLEDパネルとしたものであり、実施例1−2は、OLED10を複数の有機電界発光素子が直列に接続されたOLEDパネルとしたものである。   An embodiment of the OLED 10 will be described. In the following Example 1-1, the OLED 10 is an OLED panel using a single organic electroluminescent element. In Example 1-2, the OLED 10 is an OLED panel in which a plurality of organic electroluminescent elements are connected in series. It is what.

<実施例1−1>
図2は、実施例1−1に係るOLEDパネルを示す外観図である。発光エリア2の端部には、OLED10を駆動するための第1の電極のパッド部28及び第2の電極のパッド部29が設けられる。第1の電極及び第2の電極は一対の電極であり、一方が陽極(アノード)であって他方が陰極(カソード)である。ここでは、第1の電極が陽極であり、第2の電極が陰極であるものとして説明するが、これらは逆であってもよい。素子基板20は、封止基板26を含む他の部材を支持するためのものであるため、その上に形成される層を保持できる程度の強度を有することが好ましい。素子基板20の形状、構造、大きさ等について特に制限はなく、用途、目的等に応じて適宜選択することができる。基板20の厚さは、その他の部材を支持するために十分な強度があれば、特に限定されない。
<Example 1-1>
FIG. 2 is an external view showing the OLED panel according to Example 1-1. A first electrode pad portion 28 and a second electrode pad portion 29 for driving the OLED 10 are provided at the end of the light emitting area 2. The first electrode and the second electrode are a pair of electrodes, one being an anode (anode) and the other being a cathode (cathode). Here, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode. However, these may be reversed. Since the element substrate 20 is for supporting other members including the sealing substrate 26, it is preferable that the element substrate 20 has sufficient strength to hold a layer formed thereon. There is no restriction | limiting in particular about the shape of the element substrate 20, a structure, a magnitude | size, etc., It can select suitably according to a use, an objective, etc. The thickness of the substrate 20 is not particularly limited as long as it has sufficient strength to support other members.

図3は、実施例1−1に係るOLEDパネルの断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the OLED panel according to Example 1-1.

本実施例において、素子基板20には無アルカリガラス基板を用いた。素子基板20の材料の具体的な例としては、透明又は半透明の石英ガラス、アルカリガラス及び無アルカリガラス等の透明ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリエート、ポリプロピレン、ポリエチレン、非晶質ポリオレフィン及びフッ素系樹脂等の透明樹脂からなる高分子フィルム、ならびに透明セラミックスが挙げられる。屈折率が1.6〜1.9程度の高屈折率ガラス基板、プラスチック基板等を用いてもよい。   In this example, an alkali-free glass substrate was used as the element substrate 20. Specific examples of the material of the element substrate 20 include transparent or translucent quartz glass, transparent glass such as alkali glass and non-alkali glass, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polypropylene, polyethylene, and amorphous polyolefin. And a polymer film made of a transparent resin such as a fluororesin, and transparent ceramics. A high refractive index glass substrate or plastic substrate having a refractive index of about 1.6 to 1.9 may be used.

素子基板20の上に、膜厚110nmのインジウムスズ酸化物(ITO)層21(第1の電極)を成膜し、さらに膜厚50nmのモリブデン(Mo)、膜厚600nmのアルミニウム(Al)及び膜厚50nmのMoを積層成膜した(Mo/Al/Mo層28)。ここで、ITO層21の膜厚はその抵抗値、平坦性、及び光取り出しの設計等から決定されるもので、素子設計によって異なる。また、Mo/Al/Mo層28の各層の膜厚も同様に素子設計によって異なる。ここでは層28としてMo/Al/Moを用いたが、Mo:Nb/Al:Nd/Mo:Nbなどの合金を用いてもよい。すなわち、モリブデンに代えてモリブデンとニオブの合金を用い、アルミニウムに代えてアルミニウムとネオジムの合金を用いてもよい。あるいは、モリブデン、アルミニウム及びモリブデンの層28に代えて、チタン、アルミニウム及びチタンの層(Ti/Al/Ti)としてもよい。層28は必ずしも積層膜でなくてもよい。   An indium tin oxide (ITO) layer 21 (first electrode) having a thickness of 110 nm is formed on the element substrate 20, and further, molybdenum (Mo) having a thickness of 50 nm, aluminum (Al) having a thickness of 600 nm, and A 50 nm-thick Mo film was laminated (Mo / Al / Mo layer 28). Here, the film thickness of the ITO layer 21 is determined by its resistance value, flatness, light extraction design, and the like, and varies depending on the element design. Similarly, the film thickness of each layer of the Mo / Al / Mo layer 28 varies depending on the element design. Although Mo / Al / Mo is used as the layer 28 here, an alloy such as Mo: Nb / Al: Nd / Mo: Nb may be used. That is, an alloy of molybdenum and niobium may be used instead of molybdenum, and an alloy of aluminum and neodymium may be used instead of aluminum. Alternatively, instead of the molybdenum, aluminum, and molybdenum layer 28, a layer of titanium, aluminum, and titanium (Ti / Al / Ti) may be used. The layer 28 is not necessarily a laminated film.

素子基板20とITO層21の間にシリコン窒化酸化膜(SiN)などのバリア層や、散乱、屈折、回折などにより光取り出し効率を向上させる層を形成してもよい。さらに、ITO層21とMo/Al/Mo層28の積層順は逆であってもよい。   A barrier layer such as a silicon oxynitride film (SiN) or a layer that improves light extraction efficiency by scattering, refraction, diffraction, or the like may be formed between the element substrate 20 and the ITO layer 21. Further, the stacking order of the ITO layer 21 and the Mo / Al / Mo layer 28 may be reversed.

Mo/Al/Mo層28及びITO層21はフォトリソグラフィー法を用いてパターニングした。続いて、ノボラック系ポジ型レジストで絶縁層22を形成した。ここで用いる絶縁層材料は水分の吸着が少なく、酸素プラズマ処理などの有機EL蒸着の前処理に対する耐性が強い方が望ましく、他のレジストや、ポリイミド、アクリルなどであってもよい。   The Mo / Al / Mo layer 28 and the ITO layer 21 were patterned using a photolithography method. Subsequently, the insulating layer 22 was formed with a novolac positive resist. It is desirable that the insulating layer material used here has less moisture adsorption and is more resistant to pretreatment of organic EL deposition such as oxygen plasma treatment, and may be another resist, polyimide, acrylic, or the like.

UVオゾン洗浄後、有機層23を形成し、続いて膜厚150nmのAl陰極24(第2の電極)を真空蒸着した。ここで、蒸着前に真空中や、窒素雰囲気のグローブボックス中でアニールして絶縁層22が吸着している水分を蒸発させてもよい。さらに、蒸着前に酸素プラズマ処理やアルゴンプラズマ処理を行ってもよい。なお、酸素プラズマ処理やアルゴンプラズマ処理を行う場合、UVオゾン洗浄処理は省略してもよい。   After the UV ozone cleaning, an organic layer 23 was formed, and then an Al cathode 24 (second electrode) having a thickness of 150 nm was vacuum deposited. Here, the moisture adsorbed by the insulating layer 22 may be evaporated by annealing in a vacuum or a glove box in a nitrogen atmosphere before vapor deposition. Further, oxygen plasma treatment or argon plasma treatment may be performed before vapor deposition. Note that the UV ozone cleaning treatment may be omitted when oxygen plasma treatment or argon plasma treatment is performed.

図4は、図3のOLEDパネルにおけるA−A’方向の断面図であって、有機層23の詳細を示している。有機層23は、電子輸送層32、励起子ブロック層33、発光層34、正孔輸送層35、正孔注入層36、などの複数の層を有しており、要求仕様に従って設計される。発光層34は、燐光発光材料や蛍光発光材料を含む。また、電子注入層(LiF)は、Al陰極24に含まれるように示されている。各層の形成方法は真空蒸着法に限らず、インクジェット法や、スリットコーティング法、メニスカス塗布法、グラビア印刷法などの塗布法を用いてもよい。   FIG. 4 is a cross-sectional view in the A-A ′ direction of the OLED panel of FIG. 3 and shows details of the organic layer 23. The organic layer 23 has a plurality of layers such as an electron transport layer 32, an exciton block layer 33, a light emitting layer 34, a hole transport layer 35, and a hole injection layer 36, and is designed according to required specifications. The light emitting layer 34 includes a phosphorescent light emitting material or a fluorescent light emitting material. Also, the electron injection layer (LiF) is shown to be included in the Al cathode 24. The method for forming each layer is not limited to the vacuum deposition method, and an ink jet method, a slit coating method, a meniscus coating method, a gravure printing method, or the like may be used.

Al陰極24の蒸着後、大気暴露しないように窒素雰囲気のグローブボックスへ搬送し、ザグリを入れたガラス26と貼り合せて封止した。シール材27には紫外線硬化樹脂を用いた。封止方法は他の方法でもよく、例えばSiN膜などを用いる膜封止や、フリット封止などでもよい。   After the deposition of the Al cathode 24, the Al cathode 24 was transported to a glove box in a nitrogen atmosphere so as not to be exposed to the atmosphere, and bonded to a glass 26 containing counterbore and sealed. An ultraviolet curable resin was used for the sealing material 27. The sealing method may be other methods, for example, film sealing using a SiN film or the like, frit sealing, or the like.

なお、図3において、25は乾燥材(ゲッター)、30は補助配線を示している。31は、本実施例1−1に係るOLEDパネルの発光エリアである。   In FIG. 3, 25 indicates a desiccant (getter), and 30 indicates auxiliary wiring. Reference numeral 31 denotes a light emitting area of the OLED panel according to Example 1-1.

図示していないが、光取り出し効率を高めるために、素子基板20の有機層23を設けた面とは逆側の面にマイクロレンズシート(オプトメイト社製φ30μmのマイクロレンズアレイ)を貼付した。光取り出しシートとしては、散乱を使ったものなどでもよい。また、光取り出しシートを貼付する代わりにガラス基板を直接加工してもよい。   Although not shown, in order to increase the light extraction efficiency, a microlens sheet (φ30 μm microlens array manufactured by Optmate Co.) was attached to the surface of the element substrate 20 opposite to the surface on which the organic layer 23 was provided. The light extraction sheet may be one using scattering. Moreover, you may process a glass substrate directly instead of sticking a light extraction sheet | seat.

図3に示される第1及び第2の電極のパッド部28,29にハーネスを半田付けし、本実施例のOLEDパネルを図1に示した駆動回路と接続した。なお、フレキシブルプリント基板(FPC)を用いてOLEDパネルと駆動回路とを接続してもよい。   A harness was soldered to the pad portions 28 and 29 of the first and second electrodes shown in FIG. 3, and the OLED panel of this example was connected to the drive circuit shown in FIG. In addition, you may connect an OLED panel and a drive circuit using a flexible printed circuit board (FPC).

<実施例1−2>
図5は、実施例1−2に係るOLEDパネルを示す外観図である。同図に示すように、OLEDパネル40は、複数の有機電界発光素子を直列に接続して一のOLEDパネルとしたものである。この実施例1−2では、4つの有機電界発光素子401〜404を直列に接続した。図6は、本実施例に係るOLEDパネル40のB−B’方向の断面図である。複数の発光部41〜44(セグメント1〜4)は、有機電界発光素子401〜404に対応する。図1に示したOLED10として、本実施例1−2に係るOLED40を適用し、駆動回路において同OLED40を流れる電流を監視し、下限電流以下となったら駆動回路をOFFにし、OLED40の駆動を停止する構成としてもよい。
<Example 1-2>
FIG. 5 is an external view showing the OLED panel according to Example 1-2. As shown in the figure, the OLED panel 40 is a single OLED panel in which a plurality of organic electroluminescent elements are connected in series. In Example 1-2, four organic electroluminescent elements 401 to 404 were connected in series. FIG. 6 is a cross-sectional view of the OLED panel 40 according to the present embodiment in the BB ′ direction. The plurality of light emitting units 41 to 44 (segments 1 to 4) correspond to the organic electroluminescent elements 401 to 404. As the OLED 10 shown in FIG. 1, the OLED 40 according to the embodiment 1-2 is applied, the current flowing through the OLED 40 is monitored in the drive circuit, and when the current falls below the lower limit current, the drive circuit is turned off and the drive of the OLED 40 is stopped. It is good also as composition to do.

発明者らは、OLEDを低電流で駆動する場合に、リーク不良が発生することを見出した。以下、OLED10を低電流で駆動することによるリーク不良の問題について説明する。   The inventors have found that leakage failure occurs when the OLED is driven at a low current. Hereinafter, the problem of leakage failure caused by driving the OLED 10 with a low current will be described.

図7は、低電流駆動によるOLED劣化の想定モデルを説明するための図である。図7(a)に示すように、有機層23は第1の電極(のパッド部)21及び第2の電極(のパッド部)24に挟まれている。上述したように、第1の電極及び第2の電極は一対の電極であり、一方が陽極(アノード)であって他方が陰極(カソード)である。一般に、有機層23は数10〜数100nm程度の薄膜である。図7(b)に示すように、塵や埃等の異物50が有機層23に付着すると、異物50は例えば矢印で示すようなリーク電流の要因となる。すなわち、有機層23は薄膜であることから、第1の電極28と第2の電極29の間が異物50によって容易に導通してしまい、短絡(ショート)不良が発生しやすい。OLEDの面積がより拡大すると(大面積素子化)、製造過程等において異物の混入確率が上がってしまう。このことは、異物によってリーク電流が発生する「リークスポット」の数の増加を引き起こす。   FIG. 7 is a diagram for explaining an assumed model of OLED degradation due to low current driving. As shown in FIG. 7A, the organic layer 23 is sandwiched between the first electrode (the pad portion) 21 and the second electrode (the pad portion) 24. As described above, the first electrode and the second electrode are a pair of electrodes, one being an anode (anode) and the other being a cathode (cathode). In general, the organic layer 23 is a thin film of about several tens to several hundreds of nm. As shown in FIG. 7B, when a foreign substance 50 such as dust or dirt adheres to the organic layer 23, the foreign substance 50 causes a leakage current as indicated by an arrow, for example. That is, since the organic layer 23 is a thin film, the first electrode 28 and the second electrode 29 are easily conducted by the foreign substance 50 and a short circuit (short) defect is likely to occur. If the area of the OLED is further expanded (large-area element is made), the probability of contamination of foreign matters increases in the manufacturing process and the like. This causes an increase in the number of “leak spots” in which a leakage current is generated by foreign matter.

ここで本実施形態では、低電流駆動によるOLEDの劣化を次のように想定する。すなわち、低電流(低電圧)領域において発光時に必要な電流と同オーダーのリーク電流パスが存在すると、有機電界発光素子に電圧が印加されず、リーク電流のみが流れる。一方、一定以上の電流(電圧)によってOLEDが駆動されれば、リーク電流パスが焼き切れるか、なんらかの理由で素子全体に電圧がかかり、リーク現象が消えて発光が始まる。   Here, in this embodiment, deterioration of the OLED due to low current driving is assumed as follows. That is, if there is a leakage current path in the same order as the current required for light emission in the low current (low voltage) region, no voltage is applied to the organic electroluminescence element, and only the leakage current flows. On the other hand, if the OLED is driven by a current (voltage) of a certain level or more, the leakage current path is burned out or voltage is applied to the entire element for some reason, the leakage phenomenon disappears and light emission starts.

低電流駆動時にリーク電流のみが流れる場合、その原因となる異物等の箇所が発熱し、これにより素子が破壊される可能性がある。   When only a leakage current flows when driving at a low current, a part such as a foreign substance that causes the heat generation generates heat, which may destroy the element.

図8は、素子破壊について説明するための図である。同図は、パネル全体の抵抗値の時間的変化をグラフによって示したものである。パネル全体の抵抗は、正常時の抵抗及び/又は不良箇所の抵抗から構成される。同図に示す(1)の時点で不良が発生したとする。これまで、パネルは全面でほぼ均一に発光していたところ、不良が発生すると、その箇所には比較的輝度の高い輝点が観察される。その後、(1)の時点までの正常時の抵抗は、電流上昇から温度上昇の正のフィードバックにより短絡に至る抵抗に変化し始める。そして(2)の時点から(3)までの短時間で不良箇所が短絡し、素子破壊に至って抵抗値が大幅に下がり、パネルは発光しなくなる。   FIG. 8 is a diagram for explaining element destruction. This figure shows the change over time of the resistance value of the whole panel by a graph. The resistance of the entire panel is composed of normal resistance and / or defective part resistance. It is assumed that a defect occurs at the time (1) shown in FIG. Until now, the panel has emitted light almost uniformly over the entire surface. When a defect occurs, a bright spot with relatively high luminance is observed at that location. Thereafter, the normal resistance until the time point (1) starts to change to a resistance that causes a short circuit due to positive feedback of the current rise to the temperature rise. Then, the defective part is short-circuited in a short time from the time point (2) to (3), the element is destroyed, the resistance value is greatly reduced, and the panel does not emit light.

本実施形態では、上述のように低電流駆動時のOLEDの劣化モデルを想定している。本願の発明者らによる具体的な試験結果(後述する)によると、30mA以下の低電流で有機電界発光素子を駆動するとリーク現象が発生しやすいという現象が見出された。リーク要因が上述したように有機層に付着した異物等によるものであるとすると、このような現象は、OLEDパネルの製造過程においてそのような異物等を完全に除去することができれば回避可能であるかもしれない。しかしながら、空気清浄度がそれほど高くないようなクリーンルーム等の低コスト設備によって例えば大型のOLEDパネルを製造するような場合には、異物等を完全に除去することが困難となり得る。   In this embodiment, as described above, a deterioration model of OLED at the time of low current driving is assumed. According to the specific test results (to be described later) by the inventors of the present application, it was found that a leak phenomenon is likely to occur when an organic electroluminescent element is driven at a low current of 30 mA or less. Assuming that the leakage factor is due to foreign matter or the like attached to the organic layer as described above, such a phenomenon can be avoided if such foreign matter or the like can be completely removed in the manufacturing process of the OLED panel. It may be. However, for example, when a large OLED panel is manufactured by a low-cost facility such as a clean room whose air cleanliness is not so high, it may be difficult to completely remove foreign matters.

このような素子破壊を防止するための対策として、一定以上の電流(電圧)によってOLEDを駆動する。図1に示した構成において、OLED10の駆動電流は駆動回路において監視され、下限電流すなわち30mAを下回ったら、OLED10の駆動は停止される。これにより素子破壊を未然に防止することができる。上述したように、図1のように電源として乾電池を想定する場合、定電流回路を構成する駆動回路が乾電池により駆動され、OLED10は該駆動回路により駆動される。乾電池の出力電圧Vccが低下すると、駆動回路は定電流を維持することができなくなり、駆動電流が徐々に低下する。このまま乾電池を交換することなく発光装置10の使用を継続すると、OLED10が30mAより低い電流で駆動されることになり、リーク不良が発生し得る。ところが本実施形態では、駆動電流が下限電流すなわち30mAを下回ったら、OLED10の駆動が強制的に停止される。なお、下限電流としては、厳密に30mAに一致する必要はなく、所定の範囲を持たせて経験的に定めてもよい。すなわち、下限電流は、0mAより大きく30mA以下の値に適宜定めてもよい。   As a countermeasure for preventing such element destruction, the OLED is driven by a current (voltage) of a certain level or more. In the configuration shown in FIG. 1, the driving current of the OLED 10 is monitored in the driving circuit, and when the lower limit current, that is, 30 mA is exceeded, the driving of the OLED 10 is stopped. Thereby, element destruction can be prevented beforehand. As described above, when a dry battery is assumed as a power source as shown in FIG. 1, the drive circuit constituting the constant current circuit is driven by the dry battery, and the OLED 10 is driven by the drive circuit. When the output voltage Vcc of the dry battery decreases, the drive circuit cannot maintain a constant current, and the drive current gradually decreases. If the use of the light emitting device 10 is continued without replacing the dry battery as it is, the OLED 10 will be driven at a current lower than 30 mA, and a leak failure may occur. However, in this embodiment, when the driving current falls below the lower limit current, that is, 30 mA, the driving of the OLED 10 is forcibly stopped. Note that the lower limit current does not need to exactly match 30 mA, and may be determined empirically with a predetermined range. That is, the lower limit current may be appropriately set to a value greater than 0 mA and not greater than 30 mA.

ここで、OLEDを一定電圧(電流)以上で駆動することの意義を素子特性の測定結果に基づいて説明する。
正常素子と不良素子の電流―電圧特性、及び電流―輝度特性を図9に示す。図9のグラフにおいて、曲線Dは不良素子のものであり、曲線Nは正常素子のものである。図9(a)に示すように−5Vから+10Vまで電圧を掃引した場合、不良素子では数百mA/cm程度の大きなリーク電流が流れてしまっている。しかし、参照符号C1に示すように+8V辺りでリーク電流が減少し、正常素子とほぼ同等の電流、及び輝度(図9(c)参照)を示すように変化している。
Here, the significance of driving the OLED at a certain voltage (current) or higher will be described based on the measurement results of the element characteristics.
FIG. 9 shows current-voltage characteristics and current-luminance characteristics of normal and defective elements. In the graph of FIG. 9, the curve D is for a defective element and the curve N is for a normal element. As shown in FIG. 9A, when the voltage is swept from −5 V to +10 V, a large leak current of about several hundred mA / cm 2 flows in the defective element. However, as indicated by reference symbol C1, the leakage current decreases around + 8V, and changes so as to show substantially the same current and luminance (see FIG. 9C) as the normal element.

一方、図9(b)に示すように+10Vから−5Vまで電圧を掃引した場合、正常素子とほぼ同等の電流、輝度を示していたものが、参照符号C2で示すように+4V辺りで数百mA/cm2程度の大きなリーク電流が流れる不良素子特性に戻っている。図9(d)から分かるようにこの時点で輝度は大幅に低下を始めている。このような挙動はクリーン度の低いクリーンルームで有機EL素子を作製した場合に散見される現象である。一般的な電子デバイスの場合、高電圧の場合の方がリーク等の不良は発生しやすい。しかし、クリーン度の低いクリーンルームで作製した有機EL素子では低電圧の方がリーク不良を発生しており、同じ素子でも高電圧になると正常素子と同等の特性を示していることから、有機ELに特徴的な特性である。有機EL素子の電流電圧特性は非線形であり、発光しない低電圧では抵抗が非常に高い。ここで、異物やゴミを起因としたリーク箇所がある場合、リーク箇所以外の抵抗が高いためリーク箇所に電流が集中することになる。一方、有機EL素子の抵抗は発光と共に低下し、高輝度発光時には非常に小さくなる。この時、リーク箇所に比べて、リーク箇所以外の抵抗が低くなり、素子全体に電流が流れ正常素子と同等の特性を示すと考えられる。   On the other hand, when the voltage is swept from + 10V to −5V as shown in FIG. 9B, the current and brightness that are almost the same as those of the normal element are several hundreds around + 4V as indicated by reference numeral C2. It returns to the defective element characteristic in which a large leak current of about mA / cm 2 flows. As can be seen from FIG. 9 (d), the luminance starts to decrease significantly at this point. Such a behavior is a phenomenon often found when an organic EL element is manufactured in a clean room with a low cleanness. In the case of a general electronic device, defects such as leakage are more likely to occur when the voltage is high. However, in organic EL devices manufactured in a clean room with a low degree of cleanliness, low voltage causes leakage defects, and even if the same device has a high voltage, it exhibits the same characteristics as normal devices. It is a characteristic characteristic. The current-voltage characteristics of the organic EL element are non-linear, and the resistance is very high at a low voltage that does not emit light. Here, when there is a leak location due to foreign matter or dust, the current concentrates at the leak location because the resistance other than the leak location is high. On the other hand, the resistance of the organic EL element decreases with light emission, and becomes very small during high luminance light emission. At this time, it is considered that the resistance other than the leaked portion is lower than that of the leaked portion, current flows through the entire element, and the same characteristics as the normal element are exhibited.

発光しない程度から、低輝度で発光する程度の低電圧で駆動し続ける場合、リーク箇所に電流が流れ続けることになる。そうすると、ジュール熱によりリーク箇所の温度が上昇し、周辺の有機層などを変質させ、不可逆なリーク箇所に変化してしまう。有機EL素子は大きな面積を持つ素子であり、特に照明用途では数センチ角〜数十センチ角程度の大面積素子である。そのような大面積の素子に一つでも前記のようなリーク箇所があると不良品となり、歩留まりを著しく低下させる。また、原因となる異物やゴミを低減させるべくクリーンルームのクリーン度を高めるなどの対策をとる場合、製造コストが高くなってしまう。   If driving is continued at a low voltage that does not emit light but emits light with low brightness, current will continue to flow through the leak location. If it does so, the temperature of a leak location will rise with Joule heat, the surrounding organic layer etc. will degenerate and will change to an irreversible leak location. An organic EL element is an element having a large area, and is a large area element of about several centimeters to several tens of centimeters, particularly for lighting applications. If even such a large-area element has such a leak portion, it becomes a defective product and the yield is remarkably reduced. Further, when taking measures such as increasing the cleanliness of the clean room in order to reduce the cause of foreign matter and dust, the manufacturing cost becomes high.

これに対し本実施形態によれば、前記のような発光しない程度から、低輝度で発光する程度の低電圧で素子を駆動することをできるだけ避け、正常に動作する領域で使用することができる。したがって、多少の異物やゴミがある状態の素子でも良品として使用できるようになり、製造コストを低く抑えたままリーク不良を低減し、歩留まりを大幅に向上させることができる。   On the other hand, according to the present embodiment, the device can be used in a normally operating region while avoiding driving the device with a low voltage that does not emit light as described above and that emits light with low luminance. Therefore, an element having some foreign matter or dust can be used as a non-defective product, leakage defects can be reduced while keeping the manufacturing cost low, and the yield can be greatly improved.

本実施形態では、OLEDの駆動電流に下限を定めて駆動を強制停止することのほか、駆動電流の立ち上がり(及び/又は立ち下がり)の速さにも着目する。すなわち、駆動回路によりOLEDを駆動するための駆動電流が一定電流値(本実施形態では30mA以上)まで立ち上がるのに要する時間を遅くとも2ミリ秒以内とすることが好ましい。同様に、消灯により同駆動電流が一定電流値(本実施形態では30mA以上)からゼロに立ち下がるのに要する時間を遅くとも2ミリ秒以内とすることが好ましい。このような構成とすれば、OLEDが低い電流で駆動されることによるリークの発生を抑え、素子破壊を防止することができる。なお、立ち上がり/立ち下り時間は、厳密に2ミリ秒である必要はなく、一定の幅をもってもよい。選定する部品コスト等の兼ね合いにもよるが、ほぼ2ミリ秒程度で動作するように高速に動作するよう駆動回路を構成することが好ましい。図1に示した本実施形態の構成において、トランジスタQ1−Q3及びオペアンプAMP1−2は、2ミリ秒以内で立ち上がり/立ち下がるように構成される。立ち上がり時間または立ち下り時間を2ミリ秒以内とすることにより、リーク電流による不良の発生を抑止することができる。   In this embodiment, in addition to setting a lower limit to the drive current of the OLED and forcibly stopping the drive, attention is also paid to the speed of rise (and / or fall) of the drive current. That is, it is preferable that the time required for the drive current for driving the OLED by the drive circuit to rise to a constant current value (30 mA or more in the present embodiment) is within 2 milliseconds at the latest. Similarly, it is preferable that the time required for the driving current to fall from a constant current value (30 mA or more in the present embodiment) to zero by turning off the light is within 2 milliseconds at the latest. With such a configuration, it is possible to suppress the occurrence of leakage due to the OLED being driven with a low current and prevent element destruction. The rise / fall time need not be strictly 2 milliseconds, and may have a certain width. Although it depends on the cost of the parts to be selected, it is preferable to configure the drive circuit so as to operate at high speed so as to operate in about 2 milliseconds. In the configuration of the present embodiment shown in FIG. 1, the transistors Q1-Q3 and the operational amplifiers AMP1-2 are configured to rise / fall within 2 milliseconds. By setting the rise time or the fall time within 2 milliseconds, it is possible to suppress the occurrence of defects due to leakage current.

なお、従来の照明装置では、むしろ比較的時間かけて立ち上がる/立ち下がるようにするのが一般的である。すなわち、照明が一定時間をかけて緩やかに灯る、あるいは緩やかに消灯する方が好ましいとされている。また、製品コストとの兼ね合いから、照明装置においては駆動回路等に関してできるだけ低コストの部品が選定される。この場合、定電流回路の立ち上がり時間(立ち下り時間)は、一般的に長くなる。   In addition, in the conventional lighting device, it is general that the device rises / falls over a relatively long time. That is, it is preferable that the illumination is gradually turned on over a certain period of time or turned off slowly. Further, in consideration of the product cost, in the lighting device, as low-cost components as possible are selected for the drive circuit and the like. In this case, the rise time (fall time) of the constant current circuit is generally longer.

以下、実施例1−2に示した直列接続素子による150mm径の半透過パネルを用い、点灯駆動の試験を行った結果を示す。試験時間を10分とし、ON(1秒)−OFF(1秒)の点灯駆動を行った。輝度は、BM−7の視野角2.0で測定した。駆動電流[mA]を変更した場合の輝度[cd/m]、実輝度[cd/m]、合否を以下の表に示す。なお、駆動電流の立ち上がり時間は2ミリ秒とした。駆動電流が5.8mA、22.6mAという低駆動電流の場合にリーク電流が発生した(合が丸印、否が×印)。

Figure 2012247774
Hereinafter, the result of having performed the lighting drive test using the 150-mm-diameter transflective panel by the serial connection element shown in Example 1-2 is shown. The test time was set to 10 minutes, and ON (1 second) -OFF (1 second) lighting drive was performed. The brightness was measured at a viewing angle of BM-7 of 2.0. The following table shows luminance [cd / m 2 ], actual luminance [cd / m], and pass / fail when the drive current [mA] is changed. The rise time of the drive current was 2 milliseconds. Leakage current was generated when the driving current was 5.8 mA or 22.6 mA (a circle mark is shown, a no mark is x).
Figure 2012247774

図10に、リーク発生箇所を光学顕微鏡によって観察した結果を示す。同図(a)(b)に示されるように、有機膜の破壊が観察された。これは、リーク電流の発生による電流集中によって素子部が加熱されたことによるものと考えられる。   In FIG. 10, the result of having observed the leak occurrence location with the optical microscope is shown. As shown in FIGS. 4A and 4B, the destruction of the organic film was observed. This is considered to be because the element portion was heated by current concentration due to the generation of leakage current.

図11に、第1の実施形態に係る発光装置の外観図を示す。図11(a)は本発光装置の表面図、同図(b)は裏面図、同図(c)は側面図である。同図において、101は発光領域、102は電源スイッチ、103はスタンド、104はねじ孔、105は電池収納部である。スタンド103は、ねじ孔104に差し込んで筐体を支持可能である。   FIG. 11 shows an external view of the light emitting device according to the first embodiment. 11A is a front view of the light emitting device, FIG. 11B is a back view, and FIG. 11C is a side view. In the figure, 101 is a light emitting area, 102 is a power switch, 103 is a stand, 104 is a screw hole, and 105 is a battery housing part. The stand 103 can be inserted into the screw hole 104 to support the housing.

(第2の実施形態)
有機電界発光素子の用途の例として、上述した発光装置のほかに、表示装置が挙げられる。図12は、第2の実施形態に係る表示装置を示す回路図である。
図12に示す表示装置80は、横方向の制御線(CL)と縦方向の信号線(DL)がマトリックス状に配置された回路の中に、それぞれ画素81を配置した構成をとる。画素81には、有機電界発光素子85及び有機電界発光素子85に接続された薄膜トランジスタ(TFT)86が含まれる。TFT86の一方の端子は制御線に接続され、他方の端子は信号線に接続される。信号線は、信号線駆動回路82に接続されている。また、制御線は、制御線駆動回路83に接続されている。信号線駆動回路82及び制御線駆動回路83は、コントローラ84により制御される。
(Second Embodiment)
As an example of the use of the organic electroluminescent element, there is a display device in addition to the above-described light emitting device. FIG. 12 is a circuit diagram showing a display device according to the second embodiment.
The display device 80 shown in FIG. 12 has a configuration in which pixels 81 are arranged in a circuit in which horizontal control lines (CL) and vertical signal lines (DL) are arranged in a matrix. The pixel 81 includes an organic electroluminescent element 85 and a thin film transistor (TFT) 86 connected to the organic electroluminescent element 85. One terminal of the TFT 86 is connected to the control line, and the other terminal is connected to the signal line. The signal line is connected to the signal line driving circuit 82. The control line is connected to the control line drive circuit 83. The signal line drive circuit 82 and the control line drive circuit 83 are controlled by the controller 84.

有機電界発光素子85を駆動する駆動電流を信号線駆動回路82、制御線駆動回路83及び/又はコントローラ84により監視し、一定電流(例えば第1の実施形態のように30mA)を下回った際に有機電界発光素子85の駆動を停止する。   When the drive current for driving the organic electroluminescent element 85 is monitored by the signal line drive circuit 82, the control line drive circuit 83 and / or the controller 84, and when the current falls below a certain current (for example, 30 mA as in the first embodiment). The driving of the organic electroluminescent element 85 is stopped.

表示装置を駆動するバッテリーの電圧低下に伴い表示装置80が低電流駆動されることによるリーク不良の発生を防止することができる。なお、第1の実施形態と同様に、本実施形態においても、駆動電流の立ち上がり/立ち下り時間を2ミリ秒以内とすることが好ましい。   It is possible to prevent the occurrence of a leak failure due to the display device 80 being driven at a low current as the voltage of the battery driving the display device decreases. As in the first embodiment, in this embodiment, it is preferable that the rising / falling time of the drive current is within 2 milliseconds.

以上説明した実施形態又は実施例によれば、リーク電流による不良の発生を抑止することができ、これにより装置寿命が損なわれることのない発光装置、表示装置、及び有機電界発光素子の駆動方法を提供することができる。   According to the embodiments or examples described above, a light emitting device, a display device, and a method for driving an organic electroluminescent element that can suppress the occurrence of a defect due to a leakage current and do not impair the life of the device. Can be provided.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1…発光装置、Q1−Q3…トランジスタ、AMP1,AMP2…オペアンプ、R1−R5…抵抗器、10…有機発光ダイオード(OLED)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting device, Q1-Q3 ... Transistor, AMP1, AMP2 ... Operational amplifier, R1-R5 ... Resistor, 10 ... Organic light emitting diode (OLED).

Claims (6)

第1の電極と、前記第1の電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された第2の電極とを具備する有機電界発光素子と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に駆動電流を供給することにより前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と、を具備し、
前記駆動電流が立ち上がる際に、前記駆動電流が低い状態である前記有機電界発光素子が発光しない程度から低輝度で発光する程度を含む低電圧領域を通過するのに要する時間、及び、前記駆動電流が立ち下がる際に、前記低電圧領域を通過するのに要する時間のうち少なくとも一方が高速となるように駆動回路が前記駆動電流を制御することを特徴とする発光装置。
An organic electroluminescent device comprising: a first electrode; a light emitting layer disposed on the first electrode; and a second electrode disposed on the light emitting layer;
A driving circuit for driving the organic electroluminescent element by supplying a driving current between the first electrode and the second electrode;
When the drive current rises, the time required to pass through the low voltage region including the extent that the organic electroluminescence element in the state where the drive current is low does not emit light to emit light with low luminance, and the drive current The light-emitting device is characterized in that the drive circuit controls the drive current so that at least one of the time required to pass through the low-voltage region becomes high speed when falling.
前記有機電界発光素子はリーク電流が発生しうるスポットを有し、
前記駆動電流が立ち上がる際に、前記駆動電流が低い状態である前記有機電界発光素子が発光しない程度から低輝度で発光する程度を含む低電圧領域を通過するのに要する時間、及び、前記駆動電流が立ち下がる際に、前記低電圧領域を通過するのに要する時間の少なくとも一方が、前記スポットにリーク電流を発生させない程度に短いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
The organic electroluminescent element has a spot where a leak current can occur,
When the drive current rises, the time required to pass through the low voltage region including the extent that the organic electroluminescence element in the state where the drive current is low does not emit light to emit light with low luminance, and the drive current 2. The light emitting device according to claim 1, wherein at least one of the time required to pass through the low voltage region is short enough not to generate a leakage current in the spot when the light falls.
前記駆動電流が立ち上がる際に、前記駆動電流が低い状態である前記有機電界発光素子が発光しない程度から低輝度で発光する程度を含む低電圧領域を通過するのに要する時間、及び、前記駆動電流が立ち下がる際に、前記低電圧領域を通過するのに要する時間の少なくとも一方は、2ミリ秒以内であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。   When the drive current rises, the time required to pass through the low voltage region including the extent that the organic electroluminescence element in the state where the drive current is low does not emit light to emit light with low luminance, and the drive current 3. The light emitting device according to claim 2, wherein at least one of the time required to pass through the low voltage region is 2 milliseconds or less. 請求項1乃至3に記載の発光装置を用いた表示装置。   A display device using the light emitting device according to claim 1. 第1の電極と、前記第1の電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された第2の電極とを具備する有機電界発光素子の駆動方法であって、
前記駆動電流が立ち上がる際に、前記駆動電流が低い状態である前記有機電界発光素子が発光しない程度から低輝度で発光する程度を含む低電圧領域を通過するのに要する時間が早くなるように前記駆動電流を供給するステップ
を具備することを特徴とする有機電界発光素子の駆動方法。
A method for driving an organic electroluminescent device comprising: a first electrode; a light emitting layer disposed on the first electrode; and a second electrode disposed on the light emitting layer.
When the drive current rises, the organic electroluminescence device in a state where the drive current is low does not emit light, and the time required to pass through a low voltage region including a degree of light emission with low luminance is accelerated. A method for driving an organic electroluminescence device, comprising: supplying a driving current.
第1の電極と、前記第1の電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された第2の電極とを具備する有機電界発光素子の駆動方法であって、
前記駆動電流を立ち上げて前記有機電界素子を発光させるステップと、
前記駆動電流が立ち下がる際に、前記低電圧領域を通過するのに要する時間が早くなるように前記駆動電流を供給するステップと、
を具備することを特徴とする有機電界発光素子の駆動方法。
A method for driving an organic electroluminescent device comprising: a first electrode; a light emitting layer disposed on the first electrode; and a second electrode disposed on the light emitting layer.
Raising the drive current to cause the organic electric field element to emit light;
Supplying the drive current so that the time required to pass through the low voltage region is faster when the drive current falls;
A method for driving an organic electroluminescent element, comprising:
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