JP2005241776A - Production and driving method for display element - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 241000269627 Amphiuma means Species 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は表示素子に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELと略)素子より成る表示素子、詳しくは、長期にわたって駆動可能な高い信頼性を有する有機EL素子に関する。 The present invention relates to a display element, and more particularly to a display element composed of an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) element, and more particularly to a highly reliable organic EL element that can be driven for a long period of time.
Light Emitting Diode(以下LEDと略)や近年注目されている有機EL素子などが注目されている。 Light Emitting Diode (hereinafter abbreviated as LED) and organic EL elements that have been attracting attention in recent years are attracting attention.
有機EL素子は、高輝度発光が可能な薄膜積層の面状の自発光が得られることを特徴とする。このEL素子は有機層の機能積層数を増やすことにより(非特許文献1)、低電圧で高効率な発光を可能としている。 The organic EL element is characterized in that planar self-emission of a thin film stack capable of high luminance emission is obtained. This EL element enables high-efficiency light emission at a low voltage by increasing the number of functional layers of organic layers (Non-Patent Document 1).
ここで基本となる発光素子構成は、陽極/正孔輸送層/EL発光層/陰極という構成でなりたっている。その後、図8の様に陽極/正孔輸送層/EL発光層/電子輸送層/陰極の構成で高効率が図られてきた。更に、EL発光層を通過するキャリアを阻止する為にEL発光層と電子輸送層の間にブロッキング層が設けられたり、低電圧でキャリアの注入が可能となるよう陰極と電子輸送層の間に電子注入層としての金属薄膜が設けられたりして、発光効率の改善が試みられてきた。 The basic light-emitting element configuration here is a configuration of anode / hole transport layer / EL light-emitting layer / cathode. Thereafter, as shown in FIG. 8, high efficiency has been achieved by the configuration of anode / hole transport layer / EL light emitting layer / electron transport layer / cathode. Furthermore, a blocking layer is provided between the EL light emitting layer and the electron transport layer to block carriers passing through the EL light emitting layer, or between the cathode and the electron transport layer so that carriers can be injected at a low voltage. An attempt has been made to improve luminous efficiency by providing a metal thin film as an electron injection layer.
次に、有機EL素子の発光駆動について述べる。 Next, light emission driving of the organic EL element will be described.
有機EL素子の発光性制御手段としては、図9に示される様な電圧、または電流により駆動する手段が知られている。実際に単純マトリクス型では、電圧、電流による発光制御が行なわれている。 As a light emission control means of the organic EL element, means driven by a voltage or current as shown in FIG. 9 is known. Actually, in the simple matrix type, light emission is controlled by voltage and current.
然しながら、有機EL素子は電流注入により発光を得るに適したデバイスであり、液晶ディスプレイなどの電界デバイスと異なり電流を発光素子に流す方が線形な輝度特性を利用できる。このために、アクティブマトリクス型の有機EL素子では各画素単位にTFTで構成される電流駆動回路を有している。 However, the organic EL element is a device suitable for obtaining light emission by current injection, and unlike an electric field device such as a liquid crystal display, a linear luminance characteristic can be used by passing a current through the light emitting element. For this purpose, the active matrix organic EL element has a current drive circuit composed of TFTs for each pixel.
例えば、図5に示すように電圧入力で発光輝度信号をコンデンサ162に蓄積して、それを、TFT163のゲートに与えることにより、TFT163のソース・ドレイン間電流を一定にして有機EL発光素子164に供給する方法。更に図6で示される如き各画素に作製されるTFTの閾値電圧を入力電流によるゲート電圧決定法でキャンセルする画素回路として特許文献1や特許文献2などが提案されている。
For example, as shown in FIG. 5, the light emission luminance signal is accumulated in the
なお、有機EL発光素子は薄膜の積層デバイスであり、製造後の素子の1部画素に短絡が発生することがある。このような製造後の有機EL素子の短絡の修復方法としては、高電圧を加えて短絡部を修復する方法などが知られている。また、各画素単位にTFTで構成される電流駆動回路を有する有機EL素子などでは、駆動用のTFTの故障などにより画素が常に発光状態となる場合がある。
上述したように、薄膜積層により有機EL素子を製造する場合には、その膜厚の極薄化により短絡するモードで故障する場合が多い。実際のEL素子に用いられる有機層は数十〜数百nm以下と薄く、ダストの付着や性膜工程などで発生する短絡画素を皆無とすることは工業的には困難である。図2は1つの画素の一部の拡大写真である。丸は短絡個所を示す。このような短絡個所が、電気的にはプロセス中の、前記、ダストなどにより、いくつかの画素に存在している。短絡個所とは一方の電極と他方のコモン電極間で短絡が発生している個所である。 As described above, when an organic EL element is manufactured by thin film lamination, it often fails in a short-circuiting mode due to the extremely thin film thickness. An organic layer used in an actual EL element is as thin as several tens to several hundreds of nanometers or less, and it is industrially difficult to eliminate short-circuited pixels generated due to dust adhesion or sex film processes. FIG. 2 is an enlarged photograph of a part of one pixel. Circles indicate short-circuit points. Such a short-circuit portion is electrically present in some pixels due to dust or the like during the process. The short-circuited part is a part where a short circuit occurs between one electrode and the other common electrode.
そして、この短絡によるこのリーク電流は、無駄に消費されるだけでなく、図3の様に短絡配線からジュール熱を発生させる。図3は図2の画素部をサーモトロフィーにより観察した写真である。グラデーションは温度分布を示す。サーもトロフィーにより観察すると短絡部の位置が明瞭に特定できる。また、駆動用のTFTの故障などにより画素が常に発光状態となる場合には、導通電流の消費や電流故障TFTや過電流配線の発熱により上記と同様な作用に及ぶ場合がある。 And this leak current due to this short circuit is not only wasted, but also generates Joule heat from the short circuit wiring as shown in FIG. FIG. 3 is a photograph of the pixel portion of FIG. 2 observed with a thermotrophy. The gradation shows the temperature distribution. When the sir is also observed with a trophy, the position of the short circuit can be clearly identified. Further, when the pixel is always in a light emitting state due to a failure of the driving TFT or the like, the same action as described above may be caused by the consumption of the conduction current or the heat generation of the current failure TFT or the overcurrent wiring.
したがって、短絡により消費電力を増大させるばかりでなく、熱的に比較的弱い有機薄膜層を変質させ短絡部分から周辺画素へ特性劣化拡大を招く恐れがある。 Therefore, not only the power consumption is increased due to the short circuit, but there is a possibility that the organic thin film layer which is relatively weak thermally is denatured and the characteristic deterioration is expanded from the short circuit part to the peripheral pixels.
このような課題を鑑みて本発明の表示素子では、
a.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
b.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
a.およびb.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項1に記載の表示素子の製造方法。
In view of such a problem, in the display element of the present invention,
a. Means for detecting a pixel that is less than or equal to the amount of light of a normal pixel and / or has a higher temperature than the surroundings;
b. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
a. And b. 2. The method of manufacturing a display element according to
c.電圧、電流印加の制御を行なわない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
d.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
c.およびd.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項2に記載の表示素子の製造方法。
c. Means for detecting pixels that emit light or / and have a higher temperature than the surroundings even when voltage and current application are not controlled;
d. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
c. And d. 3. The method of manufacturing a display element according to claim 2, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.
b.およびd.の手段が支燃性の雰囲気中で用いられ該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。 b. And d. A method for manufacturing a display element, characterized in that a part of the circuit of the pixel is cut off in a flame-supporting atmosphere.
上記の手段により、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法、および、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光している画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法を用いて課題を解決しようとしている。 In the display element including the organic thin-film light emitting layer between the first electrode and the second electrode arranged in a matrix on the substrate by the above means, the normal element characteristics can be obtained even when voltage or current is controlled to be applied. Of the organic thin-film light-emitting layer of a pixel whose temperature is lower than or equal to or higher than that of the surroundings, and a method of manufacturing a display element characterized by blocking a voltage or current, and a matrix arrangement on a substrate In a display element including an organic thin film light emitting layer between the first electrode and the second electrode, the voltage or the organic thin film light emitting layer of the pixel that emits light even when no current is applied and controlled, Alternatively, an attempt is made to solve the problem by using a display element manufacturing method characterized by cutting off current.
さらに、
e.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
f.該画素の位置を記憶する手段、
g.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
e.およびf.および/または、g.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にすることを特徴とする表示素子の駆動方法。
further,
e. Means for measuring and determining the amount of light by a photodetector to detect a pixel below the light amount of a normal pixel or / and at a higher temperature than the surroundings
f. Means for storing the position of the pixel;
g. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
e. And f. And / or g. A method for driving a display element, characterized in that the voltage or current of the pixel is made substantially zero using the above means.
h.電圧、電流印加の制御を行なわず発光する画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
i.該画素の位置を記憶する手段、
j.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
h.およびi.および/または、j.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にする表示素子の駆動方法。
h. Means for measuring and judging the amount of light by a photodetector to detect pixels that emit light without controlling voltage and current application;
i. Means for storing the position of the pixel;
j. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
h. And i. And / or j. A method for driving a display element in which the voltage or current of the pixel is made substantially zero by using the above means.
f.およびi.の手段は、前記、表示素子の駆動装置に設けられた記憶装置への該画素位置として記憶されることを特徴とする表示素子の駆動方法。 f. And i. The means is stored as the pixel position in the storage device provided in the display element driving apparatus.
g.およびj.の手段は該駆動装置のビデオ・メモリの該画素位置に電圧、または、電流が略0となる値を書き込むことを特徴とする表示素子の駆動方法。 g. And j. Means for writing a value at which the voltage or current is substantially zero to the pixel position of the video memory of the driving device.
上記の手段により、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法、および、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法を用いて課題を解決しようとしている。 In the display element including the organic thin-film light emitting layer between the first electrode and the second electrode arranged in a matrix on the substrate by the above means, the normal element characteristics can be obtained even when voltage or current is controlled to be applied. The display element driving method is characterized in that the voltage or current is cut off from the organic thin-film light-emitting layer of the pixel whose temperature is less than or equal to or higher than the surrounding temperature, and is arranged in a matrix on the substrate In a display element including an organic thin-film light-emitting layer between a first electrode and a second electrode, even if voltage or current is not applied and controlled, the organic thin-film of a pixel having a higher temperature than the surroundings An object is to solve the problem by using a display element driving method characterized in that voltage or current is cut off from the light emitting layer.
薄膜積層により有機EL素子を製造する場合には、その膜厚の極薄化により短絡するモードで故障する場合が多い。実際のEL素子に用いられる有機層は数十〜数百nm以下と薄く、ダストの付着や性膜工程などで発生する短絡画素を皆無とすることは工業的には困難である。電気的にはプロセス中の、前記、ダストなどにより、いくつかの画素に一方の電極と他方のコモン電極間で短絡が発生する。本発明によりこのような短絡によるこのリーク電流が無駄に消費される事なく、またジュール熱を発生による熱的に比較的弱い有機薄膜層の変質や短絡部分から周辺画素への特性劣化拡大を防ぐことが可能となる。 When manufacturing an organic EL element by thin film lamination, it often fails in a short-circuiting mode due to the extremely thin film thickness. An organic layer used in an actual EL element is as thin as several tens to several hundreds of nanometers or less, and it is industrially difficult to eliminate short-circuited pixels generated due to dust adhesion or sex film processes. Electrically, a short circuit occurs between one electrode and the other common electrode in some pixels due to dust or the like during the process. According to the present invention, the leakage current due to such a short circuit is not wasted, and the deterioration of the thermally relatively weak organic thin film layer due to the generation of Joule heat and the expansion of the characteristic deterioration from the short circuit portion to the peripheral pixels are prevented. It becomes possible.
さらに、駆動用のTFTの故障などにより画素が常に発光状態となった場合に常時の短絡電流を遮断でき、無効電流の削減と素子の熱劣化を未然に防ぐことができる。 Further, when the pixel is always in a light emitting state due to a failure of the driving TFT or the like, the normal short-circuit current can be cut off, and the reactive current can be reduced and the element can be prevented from being thermally deteriorated.
(実施例1)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
(Example 1)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。 First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.
図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。
8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer,
これらの発光素子は、図10の有機EL発光素子223に示されるようにマトリクス上に配置されている。列電極220と行電極221には電圧、または、電流が印加されこれらの透明電極に狭持された有機EL発光素子223に電流が流れる。それぞれ列電極220と行電極221には時分割で所定の輝度になるようなタイミングで電圧、または、電流が印加される。
These light emitting elements are arranged on a matrix as shown in the organic EL
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に有機EL発光素子223の積層膜内へダストの如き微小異物が付着すると有機EL発光素子223からなる画素はショート状態となる。この場合に、有機EL発光素子223に流れる電流は無効となるばかりでなく、行電極221や接続部221が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
In the display element having such a matrix configuration, when a minute foreign matter such as dust adheres to the laminated film of the organic EL
このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、CCD光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加しても1/2以下、略0cd/m2となる画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素の回路の1部222をレーザーにより遮断した。これにより有機EL発光素子223からなる非点灯画素の無効電流と行電極221や接続部221の発熱は観られなくなった。
Such pixel defects were detected using a CCD photodetector during the device manufacturing process. Even when a voltage and a current were applied, a pixel that was 1/2 or less and substantially 0 cd / m 2 could be easily identified. After completion of the organic film formation, a
なお、この遮断のための製造プロセスには図1に示される装置を用いた。ここで1は支燃性の雰囲気の容器、2は有機EL発光素子223の如き画素輝度を測定するためのCCD光検出器、または/および、熱検出器、さらに、3は欠陥画素の回路の一部を電気的に遮断するためのレーザーである。
In addition, the apparatus shown in FIG. 1 was used for the manufacturing process for this interruption | blocking. Here, 1 is a container having a flame-supporting atmosphere, 2 is a CCD photodetector or / and a thermal detector for measuring pixel luminance such as the organic EL
(実施例2)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
(Example 2)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。 First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.
図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図7の表示部180に示されるようにマトリクス上に配置されている。
8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer,
図7で180は上記発光素子189がマトリクス状に配置された表示部である。また、Vシフトレジスタ182、タイミング変換回路183、Hシフトレジスタ185、ラッチ184は、表示部180と同一面に設けられ、発光素子189に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略)に映像信号、および、走査信号を供給する。画素189内の回路を図5に示す。画素169内では、Pチャネル型のTFT163のソースが電源に、発光素子164の陰極は接地電位に接続される。他方の陽極はTFT163のドレインに接続されている。また、Nチャネル型のTFT161のゲートは垂直走査の保持信号線に接続され、ソースは画像信号線に接続され、残りのドレイン線は保持容量162、および、TFT163のゲートに接続されている。画素の発光は、先ず、垂直走査の保持信号線を選択状態とし、画像信号線に水平ラッチ回路184にラッチされた映像信号が電圧として印加される。TFT161のソースとドレインは導通し、保持容量162が充電または放電される。そして、TFT163のゲート電位は、映像信号の電位に一致する。垂直走査の保持信号を非選択状態とすると、TFT161がオフとなる。このとき、TFT163は画像信号から切り離されるが、TFT163のゲートに接続された保持容量162により該電位は安定に保持される。こうして、TFT163のゲート、ソース間の保持容量162に応じた電流が発光素子164に供給される。
In FIG. 7,
これらの表示駆動装置には、表示制御部186からタイミング信号、および、映像信号が供給される。
A timing signal and a video signal are supplied from the
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に有機EL発光素子189の積層膜内へダストの如き微小異物が付着すると有機EL発光素子189からなる画素はショート状態となる。この場合に、有機EL発光素子189に流れる電流は無効となるばかりでなく、TFT163や発光素子164までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
In a display element having such a matrix configuration, when a minute foreign matter such as dust adheres to the laminated film of the organic EL
このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、CCD光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加しても1/2以下、略0cd/m2となる画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素189のTFT163から発光素子164までの配線回路の1部をレーザーにより遮断した。これにより有機EL発光素子163からなる非点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。
Such pixel defects were detected using a CCD photodetector during the device manufacturing process. Even when a voltage and a current were applied, a pixel that was 1/2 or less and substantially 0 cd / m 2 could be easily identified. After the organic film was formed, a part of the wiring circuit from the TFT 163 to the
(実施例3)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
(Example 3)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。 First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.
図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図7の表示部180に示されるようにマトリクス上に配置されている。
8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer,
図7で180は上記発光素子189がマトリクス状に配置された表示部である。また、Vシフトレジスタ182、タイミング変換回路183、Hシフトレジスタ185、ラッチ184は、表示部180と同一面に設けられ、発光素子189に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略)に映像信号、および、走査信号を供給する。画素189内の回路を図179に示す。図6は各画素のTFT特性のばらつき補償機能を有する駆動回路の一例である。ここで、発光素子173は定電流で発光させられる。
In FIG. 7,
図11のタイミング図を交えて、この駆動回路の動作を説明する。先ず、輝度信号idataが設定される。その後、Vg1が低レベルになりPチャネル型TFT174がオンする。同時に、Vg2は高レベルになりNチャネル型TFT175はオンしidataの電流をTFT171のソース・ドレイン間に流す、また、Pチャネル型TFT172はオフして発光素子173への電流を遮断する。この間に、コンデンサ177へは、ソース・ドレイン間にidataの電流を流されたTFT171のゲート電圧が蓄積される。上記の一連の動作によりPチャネル型TFT171がidataをコピーして定電流動作を行う。従って、Pチャネル型TFT12のゲート電圧が図11のVg2で示されるように、TFT172のオン状態を作り出すと、発光素子173を発光させるためにidataと同量の電流が流れる。
The operation of this drive circuit will be described with reference to the timing chart of FIG. First, the luminance signal idata is set. Thereafter, Vg 1 becomes low level and the P-
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に表示部180にダメージが加わり有機EL発光素子189からなる画素の駆動回路のTFT171とTFT172が短絡状態なってしまった。この場合に、有機EL発光素子189には電源から常時電流が流れて点灯状態となっていた。この電流は無効となるばかりでなく、TFT171から発光素子173までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
In the display element having such a matrix configuration, the
このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、CCD光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加せずにEL素子の電源だけを投入した時に常時点灯している画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素189のTFT171から発光素子173までの配線回路の1部をレーザーにより遮断した。これにより有機EL発光素子163からなる常時点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。
Such pixel defects were detected using a CCD photodetector during the device manufacturing process. It was possible to easily identify a pixel that was always lit when only the EL element was turned on without applying voltage or current. After the organic film was formed, a part of the wiring circuit from the
(実施例4)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
Example 4
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。 First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.
図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図7の表示部180に示されるようにマトリクス上に配置されている。
8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer,
図7で180は上記発光素子189がマトリクス状に配置された表示部である。また、Vシフトレジスタ182、タイミング変換回路183、Hシフトレジスタ185、ラッチ184は、表示部180と同一面に設けられ、発光素子189に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略)に映像信号、および、走査信号を供給する。画素189内の回路を図179に示す。図6は各画素のTFT特性のばらつき補償機能を有する駆動回路の一例である。ここで、発光素子173は定電流で発光させられる。
In FIG. 7,
図11のタイミング図を交えて、この駆動回路の動作を説明する。先ず、輝度信号idataが設定される。その後、Vg1が低レベルになりPチャネル型TFT174がオンする。同時に、Vg2は高レベルになりNチャネル型TFT175はオンしidataの電流をTFT171のソース・ドレイン間に流す、また、Pチャネル型TFT172はオフして発光素子173への電流を遮断する。この間に、コンデンサ177へは、ソース・ドレイン間にidataの電流を流されたTFT171のゲート電圧が蓄積される。上記の一連の動作によりPチャネル型TFT171がidataをコピーして定電流動作を行う。従って、Pチャネル型TFT12のゲート電圧が図11のVg2で示されるように、TFT172のオン状態を作り出すと、発光素子173を発光させるためにidataと同量の電流が流れる。
The operation of this drive circuit will be described with reference to the timing chart of FIG. First, the luminance signal idata is set. Thereafter, Vg 1 becomes low level and the P-
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に表示部180にダメージが加わり有機EL発光素子189からなる画素の駆動回路のTFT171とTFT172が短絡状態なってしまった。この場合に、有機EL発光素子189には電源から常時電流が流れて点灯状態となっていた。この電流は無効となるばかりでなく、TFT171から発光素子173までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
In the display element having such a matrix configuration, the
このような画素の欠陥を製造、点灯検査後に図4のビデオメモリ120の有機EL発光素子189の電流制御に対応する画素メモリ121に常時電流0に相当するコードを記憶させた。これにより有機EL発光素子163からなる常時点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。
A code corresponding to current 0 is always stored in the pixel memory 121 corresponding to the current control of the organic EL
1 支燃性ガス雰囲気の容器
2 検出器
3 レーザー
120 ビデオメモリ
121 画素メモリ
151 ガラス基板
152 陽極
153 正孔輸送層
154 発光層
155 電子輸送層
156 陰極
157 電源
158 正孔
158 電子
161 N型TFT
162 コンデンサ
163 P型TFT
164 発光素子
171 P型TFT
172 P型TFT
173 発光素子
174 P型TFT
175 N型TFT
180 表示部
182 Vシフトレジスタ
183 タイミング変換回路
184 ラッチ
185 Hシフトレジスタ
186 表示制御装置
187 コントローラ
188 タイミングジェネレータ
220 列電極
221 行電極
220 コンタクト電極
230 発光素子
DESCRIPTION OF
162 Capacitor 163 P-type TFT
164 Light Emitting Element 171 P-type TFT
172 P-type TFT
173 Light-emitting element 174 P-type TFT
175 N-type TFT
180 Display Unit 182
Claims (11)
a.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
b.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
a.およびb.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項1に記載の表示素子の製造方法。 In the display element,
a. Means for detecting a pixel that is less than or equal to the amount of light of a normal pixel and / or has a higher temperature than the surroundings;
b. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
a. And b. 2. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.
c.電圧、電流印加の制御を行なわない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
d.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
c.およびd.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項2に記載の表示素子の製造方法。 In the display element,
c. Means for detecting pixels that emit light or / and have a higher temperature than the surroundings even when voltage and current application are not controlled;
d. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
c. And d. 3. The method of manufacturing a display element according to claim 2, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.
e.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
f.該画素の位置を記憶する手段、
g.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
e.およびf.および/または、g.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にすることを特徴とする請求項7に記載の表示素子の駆動方法。 In the display element,
e. Means for measuring and determining the amount of light by a photodetector to detect a pixel below the light amount of a normal pixel or / and at a higher temperature than the surroundings;
f. Means for storing the position of the pixel;
g. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
e. And f. And / or g. The method of driving a display element according to claim 7, wherein the voltage or current of the pixel is made substantially zero using the means.
h.電圧、電流印加の制御を行なわず発光する画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
i.該画素の位置を記憶する手段、
j.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
h.およびi.および/または、j.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にすることを特徴とする請求項8に記載の表示素子の駆動方法。 In the display element,
h. Means for measuring and judging the amount of light by a photodetector to detect pixels that emit light without controlling voltage and current application;
i. Means for storing the position of the pixel;
j. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
h. And i. And / or j. 9. The method of driving a display element according to claim 8, wherein the voltage or current of the pixel is made substantially zero by using the means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=35023597
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008068925A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Single-color el display element, single-color el backlight, display device and method for manufacturing single-color el display element |
CN110070814A (en) * | 2019-05-31 | 2019-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | OLED display panel and its optical attenuation detection method, display device |
-
2004
- 2004-02-25 JP JP2004048969A patent/JP2005241776A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008068925A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Single-color el display element, single-color el backlight, display device and method for manufacturing single-color el display element |
US8432096B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Single-color EL element, single-color EL backlight, display device, and method for manufacturing single-color EL element |
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