JP2005241776A - Production and driving method for display element - Google Patents

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修 結城
Shigeki Kondo
茂樹 近藤
Yoshinori Nakajima
芳紀 中島
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem of in-element characteristic variations related to a display element. <P>SOLUTION: An electric voltage or an electric current is shut to an organic thin film light emitting layer of pixels in which a light amount is lower than in a normal element characteristics and/or a temperature is higher than in its surroundings. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は表示素子に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELと略)素子より成る表示素子、詳しくは、長期にわたって駆動可能な高い信頼性を有する有機EL素子に関する。   The present invention relates to a display element, and more particularly to a display element composed of an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) element, and more particularly to a highly reliable organic EL element that can be driven for a long period of time.

Light Emitting Diode(以下LEDと略)や近年注目されている有機EL素子などが注目されている。   Light Emitting Diode (hereinafter abbreviated as LED) and organic EL elements that have been attracting attention in recent years are attracting attention.

有機EL素子は、高輝度発光が可能な薄膜積層の面状の自発光が得られることを特徴とする。このEL素子は有機層の機能積層数を増やすことにより(非特許文献1)、低電圧で高効率な発光を可能としている。   The organic EL element is characterized in that planar self-emission of a thin film stack capable of high luminance emission is obtained. This EL element enables high-efficiency light emission at a low voltage by increasing the number of functional layers of organic layers (Non-Patent Document 1).

ここで基本となる発光素子構成は、陽極/正孔輸送層/EL発光層/陰極という構成でなりたっている。その後、図8の様に陽極/正孔輸送層/EL発光層/電子輸送層/陰極の構成で高効率が図られてきた。更に、EL発光層を通過するキャリアを阻止する為にEL発光層と電子輸送層の間にブロッキング層が設けられたり、低電圧でキャリアの注入が可能となるよう陰極と電子輸送層の間に電子注入層としての金属薄膜が設けられたりして、発光効率の改善が試みられてきた。   The basic light-emitting element configuration here is a configuration of anode / hole transport layer / EL light-emitting layer / cathode. Thereafter, as shown in FIG. 8, high efficiency has been achieved by the configuration of anode / hole transport layer / EL light emitting layer / electron transport layer / cathode. Furthermore, a blocking layer is provided between the EL light emitting layer and the electron transport layer to block carriers passing through the EL light emitting layer, or between the cathode and the electron transport layer so that carriers can be injected at a low voltage. An attempt has been made to improve luminous efficiency by providing a metal thin film as an electron injection layer.

次に、有機EL素子の発光駆動について述べる。   Next, light emission driving of the organic EL element will be described.

有機EL素子の発光性制御手段としては、図9に示される様な電圧、または電流により駆動する手段が知られている。実際に単純マトリクス型では、電圧、電流による発光制御が行なわれている。   As a light emission control means of the organic EL element, means driven by a voltage or current as shown in FIG. 9 is known. Actually, in the simple matrix type, light emission is controlled by voltage and current.

然しながら、有機EL素子は電流注入により発光を得るに適したデバイスであり、液晶ディスプレイなどの電界デバイスと異なり電流を発光素子に流す方が線形な輝度特性を利用できる。このために、アクティブマトリクス型の有機EL素子では各画素単位にTFTで構成される電流駆動回路を有している。   However, the organic EL element is a device suitable for obtaining light emission by current injection, and unlike an electric field device such as a liquid crystal display, a linear luminance characteristic can be used by passing a current through the light emitting element. For this purpose, the active matrix organic EL element has a current drive circuit composed of TFTs for each pixel.

例えば、図5に示すように電圧入力で発光輝度信号をコンデンサ162に蓄積して、それを、TFT163のゲートに与えることにより、TFT163のソース・ドレイン間電流を一定にして有機EL発光素子164に供給する方法。更に図6で示される如き各画素に作製されるTFTの閾値電圧を入力電流によるゲート電圧決定法でキャンセルする画素回路として特許文献1や特許文献2などが提案されている。   For example, as shown in FIG. 5, the light emission luminance signal is accumulated in the capacitor 162 by voltage input, and is applied to the gate of the TFT 163, whereby the current between the source and drain of the TFT 163 is made constant and the organic EL light emitting element 164 is supplied. How to supply. Further, Patent Document 1 and Patent Document 2 have been proposed as pixel circuits for canceling the threshold voltage of TFTs manufactured in each pixel as shown in FIG. 6 by a gate voltage determination method using an input current.

なお、有機EL発光素子は薄膜の積層デバイスであり、製造後の素子の1部画素に短絡が発生することがある。このような製造後の有機EL素子の短絡の修復方法としては、高電圧を加えて短絡部を修復する方法などが知られている。また、各画素単位にTFTで構成される電流駆動回路を有する有機EL素子などでは、駆動用のTFTの故障などにより画素が常に発光状態となる場合がある。
Applied Phisics Letters,51巻 ’87年913、65巻 ’89年3610 特開2001−056667号公報 米国特許公報第6229506号公報
The organic EL light emitting element is a thin film laminated device, and a short circuit may occur in a part of the pixel of the element after manufacture. As a method for repairing a short circuit of such an organic EL element after manufacture, a method of repairing the short circuit part by applying a high voltage is known. In addition, in an organic EL element having a current driving circuit composed of TFTs for each pixel unit, the pixels may always be in a light emitting state due to a failure of the driving TFT.
Applied Phistics Letters, 51 '913, 913, 65,' 3610, '89 JP 2001-056667 A US Patent No. 6229506

上述したように、薄膜積層により有機EL素子を製造する場合には、その膜厚の極薄化により短絡するモードで故障する場合が多い。実際のEL素子に用いられる有機層は数十〜数百nm以下と薄く、ダストの付着や性膜工程などで発生する短絡画素を皆無とすることは工業的には困難である。図2は1つの画素の一部の拡大写真である。丸は短絡個所を示す。このような短絡個所が、電気的にはプロセス中の、前記、ダストなどにより、いくつかの画素に存在している。短絡個所とは一方の電極と他方のコモン電極間で短絡が発生している個所である。   As described above, when an organic EL element is manufactured by thin film lamination, it often fails in a short-circuiting mode due to the extremely thin film thickness. An organic layer used in an actual EL element is as thin as several tens to several hundreds of nanometers or less, and it is industrially difficult to eliminate short-circuited pixels generated due to dust adhesion or sex film processes. FIG. 2 is an enlarged photograph of a part of one pixel. Circles indicate short-circuit points. Such a short-circuit portion is electrically present in some pixels due to dust or the like during the process. The short-circuited part is a part where a short circuit occurs between one electrode and the other common electrode.

そして、この短絡によるこのリーク電流は、無駄に消費されるだけでなく、図3の様に短絡配線からジュール熱を発生させる。図3は図2の画素部をサーモトロフィーにより観察した写真である。グラデーションは温度分布を示す。サーもトロフィーにより観察すると短絡部の位置が明瞭に特定できる。また、駆動用のTFTの故障などにより画素が常に発光状態となる場合には、導通電流の消費や電流故障TFTや過電流配線の発熱により上記と同様な作用に及ぶ場合がある。   And this leak current due to this short circuit is not only wasted, but also generates Joule heat from the short circuit wiring as shown in FIG. FIG. 3 is a photograph of the pixel portion of FIG. 2 observed with a thermotrophy. The gradation shows the temperature distribution. When the sir is also observed with a trophy, the position of the short circuit can be clearly identified. Further, when the pixel is always in a light emitting state due to a failure of the driving TFT or the like, the same action as described above may be caused by the consumption of the conduction current or the heat generation of the current failure TFT or the overcurrent wiring.

したがって、短絡により消費電力を増大させるばかりでなく、熱的に比較的弱い有機薄膜層を変質させ短絡部分から周辺画素へ特性劣化拡大を招く恐れがある。   Therefore, not only the power consumption is increased due to the short circuit, but there is a possibility that the organic thin film layer which is relatively weak thermally is denatured and the characteristic deterioration is expanded from the short circuit part to the peripheral pixels.

このような課題を鑑みて本発明の表示素子では、
a.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
b.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
a.およびb.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項1に記載の表示素子の製造方法。
In view of such a problem, in the display element of the present invention,
a. Means for detecting a pixel that is less than or equal to the amount of light of a normal pixel and / or has a higher temperature than the surroundings;
b. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
a. And b. 2. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.

c.電圧、電流印加の制御を行なわない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
d.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
c.およびd.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項2に記載の表示素子の製造方法。
c. Means for detecting pixels that emit light or / and have a higher temperature than the surroundings even when voltage and current application are not controlled;
d. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
c. And d. 3. The method of manufacturing a display element according to claim 2, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.

b.およびd.の手段が支燃性の雰囲気中で用いられ該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。   b. And d. A method for manufacturing a display element, characterized in that a part of the circuit of the pixel is cut off in a flame-supporting atmosphere.

上記の手段により、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法、および、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光している画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法を用いて課題を解決しようとしている。   In the display element including the organic thin-film light emitting layer between the first electrode and the second electrode arranged in a matrix on the substrate by the above means, the normal element characteristics can be obtained even when voltage or current is controlled to be applied. Of the organic thin-film light-emitting layer of a pixel whose temperature is lower than or equal to or higher than that of the surroundings, and a method of manufacturing a display element characterized by blocking a voltage or current, and a matrix arrangement on a substrate In a display element including an organic thin film light emitting layer between the first electrode and the second electrode, the voltage or the organic thin film light emitting layer of the pixel that emits light even when no current is applied and controlled, Alternatively, an attempt is made to solve the problem by using a display element manufacturing method characterized by cutting off current.

さらに、
e.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
f.該画素の位置を記憶する手段、
g.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
e.およびf.および/または、g.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にすることを特徴とする表示素子の駆動方法。
further,
e. Means for measuring and determining the amount of light by a photodetector to detect a pixel below the light amount of a normal pixel or / and at a higher temperature than the surroundings
f. Means for storing the position of the pixel;
g. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
e. And f. And / or g. A method for driving a display element, characterized in that the voltage or current of the pixel is made substantially zero using the above means.

h.電圧、電流印加の制御を行なわず発光する画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
i.該画素の位置を記憶する手段、
j.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
h.およびi.および/または、j.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にする表示素子の駆動方法。
h. Means for measuring and judging the amount of light by a photodetector to detect pixels that emit light without controlling voltage and current application;
i. Means for storing the position of the pixel;
j. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
h. And i. And / or j. A method for driving a display element in which the voltage or current of the pixel is made substantially zero by using the above means.

f.およびi.の手段は、前記、表示素子の駆動装置に設けられた記憶装置への該画素位置として記憶されることを特徴とする表示素子の駆動方法。   f. And i. The means is stored as the pixel position in the storage device provided in the display element driving apparatus.

g.およびj.の手段は該駆動装置のビデオ・メモリの該画素位置に電圧、または、電流が略0となる値を書き込むことを特徴とする表示素子の駆動方法。   g. And j. Means for writing a value at which the voltage or current is substantially zero to the pixel position of the video memory of the driving device.

上記の手段により、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法、および、基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法を用いて課題を解決しようとしている。   In the display element including the organic thin-film light emitting layer between the first electrode and the second electrode arranged in a matrix on the substrate by the above means, the normal element characteristics can be obtained even when voltage or current is controlled to be applied. The display element driving method is characterized in that the voltage or current is cut off from the organic thin-film light-emitting layer of the pixel whose temperature is less than or equal to or higher than the surrounding temperature, and is arranged in a matrix on the substrate In a display element including an organic thin-film light-emitting layer between a first electrode and a second electrode, even if voltage or current is not applied and controlled, the organic thin-film of a pixel having a higher temperature than the surroundings An object is to solve the problem by using a display element driving method characterized in that voltage or current is cut off from the light emitting layer.

薄膜積層により有機EL素子を製造する場合には、その膜厚の極薄化により短絡するモードで故障する場合が多い。実際のEL素子に用いられる有機層は数十〜数百nm以下と薄く、ダストの付着や性膜工程などで発生する短絡画素を皆無とすることは工業的には困難である。電気的にはプロセス中の、前記、ダストなどにより、いくつかの画素に一方の電極と他方のコモン電極間で短絡が発生する。本発明によりこのような短絡によるこのリーク電流が無駄に消費される事なく、またジュール熱を発生による熱的に比較的弱い有機薄膜層の変質や短絡部分から周辺画素への特性劣化拡大を防ぐことが可能となる。   When manufacturing an organic EL element by thin film lamination, it often fails in a short-circuiting mode due to the extremely thin film thickness. An organic layer used in an actual EL element is as thin as several tens to several hundreds of nanometers or less, and it is industrially difficult to eliminate short-circuited pixels generated due to dust adhesion or sex film processes. Electrically, a short circuit occurs between one electrode and the other common electrode in some pixels due to dust or the like during the process. According to the present invention, the leakage current due to such a short circuit is not wasted, and the deterioration of the thermally relatively weak organic thin film layer due to the generation of Joule heat and the expansion of the characteristic deterioration from the short circuit portion to the peripheral pixels are prevented. It becomes possible.

さらに、駆動用のTFTの故障などにより画素が常に発光状態となった場合に常時の短絡電流を遮断でき、無効電流の削減と素子の熱劣化を未然に防ぐことができる。   Further, when the pixel is always in a light emitting state due to a failure of the driving TFT or the like, the normal short-circuit current can be cut off, and the reactive current can be reduced and the element can be prevented from being thermally deteriorated.

(実施例1)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
(Example 1)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。   First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.

図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。   8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer, Reference numeral 155 denotes an electron transport layer, and 156 denotes a cathode. By applying a positive voltage to the anode 152 side and a negative voltage to the cathode 156 side, holes 158 passing through the hole transport layer 153 and electrons 159 passing through the electron transport layer 155 form excitons in the light emitting layer 154. Emits light upon recombination.

これらの発光素子は、図10の有機EL発光素子223に示されるようにマトリクス上に配置されている。列電極220と行電極221には電圧、または、電流が印加されこれらの透明電極に狭持された有機EL発光素子223に電流が流れる。それぞれ列電極220と行電極221には時分割で所定の輝度になるようなタイミングで電圧、または、電流が印加される。   These light emitting elements are arranged on a matrix as shown in the organic EL light emitting element 223 of FIG. A voltage or a current is applied to the column electrode 220 and the row electrode 221, and a current flows through the organic EL light emitting element 223 sandwiched between these transparent electrodes. A voltage or a current is applied to each of the column electrode 220 and the row electrode 221 at a timing that gives a predetermined luminance in a time division manner.

このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に有機EL発光素子223の積層膜内へダストの如き微小異物が付着すると有機EL発光素子223からなる画素はショート状態となる。この場合に、有機EL発光素子223に流れる電流は無効となるばかりでなく、行電極221や接続部221が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。   In the display element having such a matrix configuration, when a minute foreign matter such as dust adheres to the laminated film of the organic EL light emitting element 223 during the process of manufacturing the element, the pixel including the organic EL light emitting element 223 enters a short state. In this case, the current flowing through the organic EL light-emitting element 223 becomes not only invalid, but the row electrodes 221 and the connecting portions 221 generate heat, and the Joule heat promotes deterioration of the elements.

このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、CCD光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加しても1/2以下、略0cd/m2となる画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素の回路の1部222をレーザーにより遮断した。これにより有機EL発光素子223からなる非点灯画素の無効電流と行電極221や接続部221の発熱は観られなくなった。   Such pixel defects were detected using a CCD photodetector during the device manufacturing process. Even when a voltage and a current were applied, a pixel that was 1/2 or less and substantially 0 cd / m 2 could be easily identified. After completion of the organic film formation, a part 222 of the pixel circuit was cut off with a laser in a flame-supporting atmosphere. As a result, the reactive current of the non-lighting pixel composed of the organic EL light emitting element 223 and the heat generation of the row electrode 221 and the connection portion 221 are not observed.

なお、この遮断のための製造プロセスには図1に示される装置を用いた。ここで1は支燃性の雰囲気の容器、2は有機EL発光素子223の如き画素輝度を測定するためのCCD光検出器、または/および、熱検出器、さらに、3は欠陥画素の回路の一部を電気的に遮断するためのレーザーである。   In addition, the apparatus shown in FIG. 1 was used for the manufacturing process for this interruption | blocking. Here, 1 is a container having a flame-supporting atmosphere, 2 is a CCD photodetector or / and a thermal detector for measuring pixel luminance such as the organic EL light emitting element 223, and 3 is a circuit of a defective pixel. It is a laser to electrically cut off a part.

(実施例2)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
(Example 2)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。   First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.

図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図7の表示部180に示されるようにマトリクス上に配置されている。   8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer, Reference numeral 155 denotes an electron transport layer, and 156 denotes a cathode. By applying a positive voltage to the anode 152 side and a negative voltage to the cathode 156 side, holes 158 passing through the hole transport layer 153 and electrons 159 passing through the electron transport layer 155 form excitons in the light emitting layer 154. Emits light upon recombination. These light emitting elements are arranged on a matrix as shown in the display unit 180 of FIG.

図7で180は上記発光素子189がマトリクス状に配置された表示部である。また、Vシフトレジスタ182、タイミング変換回路183、Hシフトレジスタ185、ラッチ184は、表示部180と同一面に設けられ、発光素子189に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略)に映像信号、および、走査信号を供給する。画素189内の回路を図5に示す。画素169内では、Pチャネル型のTFT163のソースが電源に、発光素子164の陰極は接地電位に接続される。他方の陽極はTFT163のドレインに接続されている。また、Nチャネル型のTFT161のゲートは垂直走査の保持信号線に接続され、ソースは画像信号線に接続され、残りのドレイン線は保持容量162、および、TFT163のゲートに接続されている。画素の発光は、先ず、垂直走査の保持信号線を選択状態とし、画像信号線に水平ラッチ回路184にラッチされた映像信号が電圧として印加される。TFT161のソースとドレインは導通し、保持容量162が充電または放電される。そして、TFT163のゲート電位は、映像信号の電位に一致する。垂直走査の保持信号を非選択状態とすると、TFT161がオフとなる。このとき、TFT163は画像信号から切り離されるが、TFT163のゲートに接続された保持容量162により該電位は安定に保持される。こうして、TFT163のゲート、ソース間の保持容量162に応じた電流が発光素子164に供給される。   In FIG. 7, reference numeral 180 denotes a display portion in which the light emitting elements 189 are arranged in a matrix. Further, the V shift register 182, the timing conversion circuit 183, the H shift register 185, and the latch 184 are provided on the same surface as the display portion 180, and a video signal is supplied to a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) provided in the light emitting element 189. And a scanning signal is supplied. A circuit in the pixel 189 is shown in FIG. In the pixel 169, the source of the P-channel TFT 163 is connected to the power source, and the cathode of the light emitting element 164 is connected to the ground potential. The other anode is connected to the drain of the TFT 163. The gate of the N-channel TFT 161 is connected to a holding signal line for vertical scanning, the source is connected to the image signal line, and the remaining drain line is connected to the holding capacitor 162 and the gate of the TFT 163. In order to emit light from a pixel, first, a holding signal line for vertical scanning is selected, and a video signal latched by a horizontal latch circuit 184 is applied as a voltage to an image signal line. The source and drain of the TFT 161 are conducted, and the storage capacitor 162 is charged or discharged. The gate potential of the TFT 163 matches the potential of the video signal. When the vertical scanning holding signal is set to the non-selected state, the TFT 161 is turned off. At this time, the TFT 163 is separated from the image signal, but the potential is stably held by the holding capacitor 162 connected to the gate of the TFT 163. In this manner, a current corresponding to the storage capacitor 162 between the gate and the source of the TFT 163 is supplied to the light emitting element 164.

これらの表示駆動装置には、表示制御部186からタイミング信号、および、映像信号が供給される。   A timing signal and a video signal are supplied from the display control unit 186 to these display driving devices.

このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に有機EL発光素子189の積層膜内へダストの如き微小異物が付着すると有機EL発光素子189からなる画素はショート状態となる。この場合に、有機EL発光素子189に流れる電流は無効となるばかりでなく、TFT163や発光素子164までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。   In a display element having such a matrix configuration, when a minute foreign matter such as dust adheres to the laminated film of the organic EL light emitting element 189 during a process during the manufacture of the element, the pixel including the organic EL light emitting element 189 enters a short state. In this case, the current flowing through the organic EL light emitting element 189 becomes not only invalid, but the wiring to the TFT 163 and the light emitting element 164 generates heat, and the Joule heat promotes the deterioration of the element.

このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、CCD光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加しても1/2以下、略0cd/m2となる画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素189のTFT163から発光素子164までの配線回路の1部をレーザーにより遮断した。これにより有機EL発光素子163からなる非点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。   Such pixel defects were detected using a CCD photodetector during the device manufacturing process. Even when a voltage and a current were applied, a pixel that was 1/2 or less and substantially 0 cd / m 2 could be easily identified. After the organic film was formed, a part of the wiring circuit from the TFT 163 to the light emitting element 164 of the pixel 189 was cut off with a laser in a flame-supporting atmosphere. As a result, the reactive current of the non-lighting pixel composed of the organic EL light emitting element 163 and the heat generation of the wiring are not observed.

(実施例3)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
(Example 3)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。   First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.

図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図7の表示部180に示されるようにマトリクス上に配置されている。   8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer, Reference numeral 155 denotes an electron transport layer, and 156 denotes a cathode. By applying a positive voltage to the anode 152 side and a negative voltage to the cathode 156 side, holes 158 passing through the hole transport layer 153 and electrons 159 passing through the electron transport layer 155 form excitons in the light emitting layer 154. Emits light upon recombination. These light emitting elements are arranged on a matrix as shown in the display unit 180 of FIG.

図7で180は上記発光素子189がマトリクス状に配置された表示部である。また、Vシフトレジスタ182、タイミング変換回路183、Hシフトレジスタ185、ラッチ184は、表示部180と同一面に設けられ、発光素子189に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略)に映像信号、および、走査信号を供給する。画素189内の回路を図179に示す。図6は各画素のTFT特性のばらつき補償機能を有する駆動回路の一例である。ここで、発光素子173は定電流で発光させられる。   In FIG. 7, reference numeral 180 denotes a display portion in which the light emitting elements 189 are arranged in a matrix. Further, the V shift register 182, the timing conversion circuit 183, the H shift register 185, and the latch 184 are provided on the same surface as the display portion 180, and a video signal is supplied to a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) provided in the light emitting element 189. And a scanning signal is supplied. A circuit in the pixel 189 is shown in FIG. FIG. 6 shows an example of a drive circuit having a function of compensating for variation in TFT characteristics of each pixel. Here, the light emitting element 173 emits light with a constant current.

図11のタイミング図を交えて、この駆動回路の動作を説明する。先ず、輝度信号idataが設定される。その後、Vgが低レベルになりPチャネル型TFT174がオンする。同時に、Vgは高レベルになりNチャネル型TFT175はオンしidataの電流をTFT171のソース・ドレイン間に流す、また、Pチャネル型TFT172はオフして発光素子173への電流を遮断する。この間に、コンデンサ177へは、ソース・ドレイン間にidataの電流を流されたTFT171のゲート電圧が蓄積される。上記の一連の動作によりPチャネル型TFT171がidataをコピーして定電流動作を行う。従って、Pチャネル型TFT12のゲート電圧が図11のVgで示されるように、TFT172のオン状態を作り出すと、発光素子173を発光させるためにidataと同量の電流が流れる。 The operation of this drive circuit will be described with reference to the timing chart of FIG. First, the luminance signal idata is set. Thereafter, Vg 1 becomes low level and the P-channel TFT 174 is turned on. At the same time, Vg 2 becomes high level, the N-channel TFT 175 is turned on, and the current of data flows between the source and the drain of the TFT 171, and the P-channel TFT 172 is turned off to block the current to the light emitting element 173. During this time, the capacitor 177 accumulates the gate voltage of the TFT 171 in which the current of data is passed between the source and the drain. Through the series of operations described above, the P-channel TFT 171 performs a constant current operation by copying data. Therefore, when the gate voltage of the P-channel TFT 12 is indicated by Vg 2 in FIG. 11, when the TFT 172 is turned on, the same amount of current as that of data flows to cause the light emitting element 173 to emit light.

このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に表示部180にダメージが加わり有機EL発光素子189からなる画素の駆動回路のTFT171とTFT172が短絡状態なってしまった。この場合に、有機EL発光素子189には電源から常時電流が流れて点灯状態となっていた。この電流は無効となるばかりでなく、TFT171から発光素子173までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。   In the display element having such a matrix configuration, the display unit 180 is damaged during the process of manufacturing the element, and the TFT 171 and the TFT 172 of the pixel driving circuit including the organic EL light emitting element 189 are short-circuited. In this case, the organic EL light emitting element 189 is always in a lighting state due to a current flowing from the power source. This current not only becomes ineffective, but the wiring from the TFT 171 to the light emitting element 173 generates heat, and the Joule heat promotes deterioration of the element.

このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、CCD光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加せずにEL素子の電源だけを投入した時に常時点灯している画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素189のTFT171から発光素子173までの配線回路の1部をレーザーにより遮断した。これにより有機EL発光素子163からなる常時点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。   Such pixel defects were detected using a CCD photodetector during the device manufacturing process. It was possible to easily identify a pixel that was always lit when only the EL element was turned on without applying voltage or current. After the organic film was formed, a part of the wiring circuit from the TFT 171 to the light emitting element 173 of the pixel 189 was cut off with a laser in a flame-supporting atmosphere. As a result, the ineffective current of the always-lit pixel composed of the organic EL light emitting element 163 and the heat generation of the wiring are not observed.

(実施例4)
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
Example 4
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

先ず、本実施例で用いた有機EL発光素子の構成を説明する。   First, the structure of the organic EL light emitting device used in this example will be described.

図8,20は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、151はガラス基板、152はITOなどの透明な陽極、153は正孔輸送層、154は発光層、155は電子輸送層、156は陰極である。陽極152側に正電圧、陰極156側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層153を通った正孔158と電子輸送層155を通った電子159が発光層154で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図7の表示部180に示されるようにマトリクス上に配置されている。   8 and 20 are diagrams showing a configuration in which a laminated organic thin film is sandwiched between an anode and a cathode, 151 is a glass substrate, 152 is a transparent anode such as ITO, 153 is a hole transport layer, 154 is a light emitting layer, Reference numeral 155 denotes an electron transport layer, and 156 denotes a cathode. By applying a positive voltage to the anode 152 side and a negative voltage to the cathode 156 side, holes 158 passing through the hole transport layer 153 and electrons 159 passing through the electron transport layer 155 form excitons in the light emitting layer 154. Emits light upon recombination. These light emitting elements are arranged on a matrix as shown in the display unit 180 of FIG.

図7で180は上記発光素子189がマトリクス状に配置された表示部である。また、Vシフトレジスタ182、タイミング変換回路183、Hシフトレジスタ185、ラッチ184は、表示部180と同一面に設けられ、発光素子189に設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略)に映像信号、および、走査信号を供給する。画素189内の回路を図179に示す。図6は各画素のTFT特性のばらつき補償機能を有する駆動回路の一例である。ここで、発光素子173は定電流で発光させられる。   In FIG. 7, reference numeral 180 denotes a display portion in which the light emitting elements 189 are arranged in a matrix. Further, the V shift register 182, the timing conversion circuit 183, the H shift register 185, and the latch 184 are provided on the same surface as the display portion 180, and a video signal is supplied to a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) provided in the light emitting element 189. And a scanning signal is supplied. A circuit in the pixel 189 is shown in FIG. FIG. 6 shows an example of a drive circuit having a function of compensating for variation in TFT characteristics of each pixel. Here, the light emitting element 173 emits light with a constant current.

図11のタイミング図を交えて、この駆動回路の動作を説明する。先ず、輝度信号idataが設定される。その後、Vgが低レベルになりPチャネル型TFT174がオンする。同時に、Vgは高レベルになりNチャネル型TFT175はオンしidataの電流をTFT171のソース・ドレイン間に流す、また、Pチャネル型TFT172はオフして発光素子173への電流を遮断する。この間に、コンデンサ177へは、ソース・ドレイン間にidataの電流を流されたTFT171のゲート電圧が蓄積される。上記の一連の動作によりPチャネル型TFT171がidataをコピーして定電流動作を行う。従って、Pチャネル型TFT12のゲート電圧が図11のVgで示されるように、TFT172のオン状態を作り出すと、発光素子173を発光させるためにidataと同量の電流が流れる。 The operation of this drive circuit will be described with reference to the timing chart of FIG. First, the luminance signal idata is set. Thereafter, Vg 1 becomes low level and the P-channel TFT 174 is turned on. At the same time, Vg 2 becomes high level, the N-channel TFT 175 is turned on, and the current of data flows between the source and the drain of the TFT 171, and the P-channel TFT 172 is turned off to block the current to the light emitting element 173. During this time, the capacitor 177 accumulates the gate voltage of the TFT 171 to which the current of data is passed between the source and the drain. Through the series of operations described above, the P-channel TFT 171 performs a constant current operation by copying data. Therefore, when the gate voltage of the P-channel TFT 12 is indicated by Vg 2 in FIG. 11, when the TFT 172 is turned on, the same amount of current as that of data flows to cause the light emitting element 173 to emit light.

このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に表示部180にダメージが加わり有機EL発光素子189からなる画素の駆動回路のTFT171とTFT172が短絡状態なってしまった。この場合に、有機EL発光素子189には電源から常時電流が流れて点灯状態となっていた。この電流は無効となるばかりでなく、TFT171から発光素子173までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。   In the display element having such a matrix configuration, the display unit 180 is damaged during the process of manufacturing the element, and the TFT 171 and the TFT 172 of the pixel driving circuit including the organic EL light emitting element 189 are short-circuited. In this case, the organic EL light emitting element 189 is always in a lighting state due to a current flowing from the power source. This current not only becomes ineffective, but the wiring from the TFT 171 to the light emitting element 173 generates heat, and the Joule heat promotes deterioration of the element.

このような画素の欠陥を製造、点灯検査後に図4のビデオメモリ120の有機EL発光素子189の電流制御に対応する画素メモリ121に常時電流0に相当するコードを記憶させた。これにより有機EL発光素子163からなる常時点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。   A code corresponding to current 0 is always stored in the pixel memory 121 corresponding to the current control of the organic EL light emitting element 189 of the video memory 120 of FIG. As a result, the ineffective current of the always-lit pixel composed of the organic EL light emitting element 163 and the heat generation of the wiring are not observed.

本発明の製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of this invention. 短絡による非点灯画素を示す図。The figure which shows the non-lighting pixel by a short circuit. 短絡による4非点灯画素の発熱を示す図。The figure which shows the heat_generation | fever of 4 non-lighting pixels by a short circuit. 本発明の表示素子の駆動方法を説明するための例図。FIG. 6 is an example for explaining a method for driving a display element of the present invention. アクティブマトリクス型表示素子の電流駆動回路の構成を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a current driving circuit of an active matrix display element. アクティブマトリクス型表示素子のTFT補正型電流駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the TFT correction | amendment type | mold current drive circuit of an active matrix type display element. 従来のアクティブマトリクス型表示素子の駆動装置を示す図。The figure which shows the drive device of the conventional active matrix type display element. 有機EL発光素子の構成を示す図。The figure which shows the structure of an organic electroluminescent light emitting element. 有機EL発光素子の発光原理を示す図。The figure which shows the light emission principle of an organic electroluminescent light emitting element. 単純マトリクス型有機EL発光素子を示す図。The figure which shows a simple matrix type organic electroluminescent light emitting element. 画素回路の動作タイミングを説明するための図。FIG. 5 is a diagram for explaining operation timing of a pixel circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1 支燃性ガス雰囲気の容器
2 検出器
3 レーザー
120 ビデオメモリ
121 画素メモリ
151 ガラス基板
152 陽極
153 正孔輸送層
154 発光層
155 電子輸送層
156 陰極
157 電源
158 正孔
158 電子
161 N型TFT
162 コンデンサ
163 P型TFT
164 発光素子
171 P型TFT
172 P型TFT
173 発光素子
174 P型TFT
175 N型TFT
180 表示部
182 Vシフトレジスタ
183 タイミング変換回路
184 ラッチ
185 Hシフトレジスタ
186 表示制御装置
187 コントローラ
188 タイミングジェネレータ
220 列電極
221 行電極
220 コンタクト電極
230 発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Container of flame support gas atmosphere 2 Detector 3 Laser 120 Video memory 121 Pixel memory 151 Glass substrate 152 Anode 153 Hole transport layer 154 Light emitting layer 155 Electron transport layer 156 Cathode 157 Power source 158 Hole 158 Electron 161 N-type TFT
162 Capacitor 163 P-type TFT
164 Light Emitting Element 171 P-type TFT
172 P-type TFT
173 Light-emitting element 174 P-type TFT
175 N-type TFT
180 Display Unit 182 V Shift Register 183 Timing Conversion Circuit 184 Latch 185 H Shift Register 186 Display Control Device 187 Controller 188 Timing Generator 220 Column Electrode 221 Row Electrode 220 Contact Electrode 230 Light Emitting Element

Claims (11)

基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。   In a display element including an organic thin-film light emitting layer between a first electrode and a second electrode arranged in a matrix on a substrate, even if voltage or current application control is performed, / And a voltage or an electric current is interrupted | blocked with respect to the organic thin film light emitting layer of the pixel whose temperature is higher than the periphery. The manufacturing method of the display element characterized by the above-mentioned. 基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光している画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。   In a display element including an organic thin film light emitting layer between a first electrode and a second electrode arranged in a matrix on a substrate, an organic thin film of a pixel that emits light even when voltage or current is not applied and controlled A method for manufacturing a display element, wherein voltage or current is cut off from a light emitting layer. 前記、表示素子に於いて、
a.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
b.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
a.およびb.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項1に記載の表示素子の製造方法。
In the display element,
a. Means for detecting a pixel that is less than or equal to the amount of light of a normal pixel and / or has a higher temperature than the surroundings;
b. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
a. And b. 2. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.
前記、表示素子に於いて、
c.電圧、電流印加の制御を行なわない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
d.該画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の1部を切断する手段、
c.およびd.の手段を用いて該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項2に記載の表示素子の製造方法。
In the display element,
c. Means for detecting pixels that emit light or / and have a higher temperature than the surroundings even when voltage and current application are not controlled;
d. Means for applying a voltage between the first electrode and the second electrode of the pixel or cutting a part of a circuit for passing a current;
c. And d. 3. The method of manufacturing a display element according to claim 2, wherein a part of the circuit of the pixel is cut off using the means.
b.およびd.の手段が支燃性の雰囲気中で用いられ該画素の回路の1部を遮断することを特徴とする請求項1および2に記載の表示素子の製造方法。   b. And d. 3. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein said means is used in a flame-supporting atmosphere and blocks a part of the circuit of the pixel. 基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法。   In a display element including an organic thin-film light emitting layer between a first electrode and a second electrode arranged in a matrix on a substrate, even if voltage or current application control is performed, / And a method for driving a display element, wherein voltage or current is cut off from an organic thin film light emitting layer of a pixel whose temperature is higher than that of the periphery. 基板上にマトリクス配置された第1の電極と第2の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光、または/および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法。   In a display element including an organic thin-film light emitting layer between a first electrode and a second electrode arranged in a matrix on a substrate, light is emitted even when voltage or current is not controlled, and / or from the periphery A method for driving a display element, wherein voltage or current is cut off from an organic thin film light emitting layer of a pixel having a high temperature. 前記、表示素子に於いて、
e.正常画素の光量以下、または/および、周辺より温度の高い画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
f.該画素の位置を記憶する手段、
g.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
e.およびf.および/または、g.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にすることを特徴とする請求項7に記載の表示素子の駆動方法。
In the display element,
e. Means for measuring and determining the amount of light by a photodetector to detect a pixel below the light amount of a normal pixel or / and at a higher temperature than the surroundings;
f. Means for storing the position of the pixel;
g. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
e. And f. And / or g. The method of driving a display element according to claim 7, wherein the voltage or current of the pixel is made substantially zero using the means.
前記、表示素子に於いて、
h.電圧、電流印加の制御を行なわず発光する画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
i.該画素の位置を記憶する手段、
j.画素の第1の電極と第2の電極との間の電圧、または、電流が略0となるビデオ信号を設定する手段、
h.およびi.および/または、j.の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略0にすることを特徴とする請求項8に記載の表示素子の駆動方法。
In the display element,
h. Means for measuring and judging the amount of light by a photodetector to detect pixels that emit light without controlling voltage and current application;
i. Means for storing the position of the pixel;
j. Means for setting a video signal in which the voltage or current between the first electrode and the second electrode of the pixel is substantially zero;
h. And i. And / or j. 9. The method of driving a display element according to claim 8, wherein the voltage or current of the pixel is made substantially zero by using the means.
f.およびi.の手段は、前記、表示素子の駆動装置に設けられた記憶装置への該画素位置として記憶されることを特徴とする請求項7および8に記載の表示素子の駆動方法。   f. And i. 9. The display element driving method according to claim 7, wherein said means is stored as the pixel position in a storage device provided in the display element driving apparatus. g.およびj.の手段は該駆動装置のビデオ・メモリの該画素位置に電圧、または、電流が略0となる値を書き込むことを特徴とする請求項7および8に記載の表示素子の駆動方法。   g. And j. 9. The display element driving method according to claim 7, wherein said means writes a value at which the voltage or current becomes substantially zero at the pixel position of the video memory of the driving device.
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