JP2012247542A - Liquid crystal display device - Google Patents

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高志 三本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device having both a touch sensing function and a shielding function against an external electric field.SOLUTION: A liquid crystal display device comprises: a first substrate including in an active area displaying an image, a common electrode formed across a plurality of pixels, an insulation film covering the common electrode, a pixel electrode provided for each pixel on the insulation film, facing the common electrode, and having a slit, and a capacitive touch sensing wire; a second substrate including an insulation substrate; an optical element including a polarization plate disposed in the active area on the insulation substrate; a conductive layer disposed in the active area on the optical element; a ground potential pad formed in an extension part of the first substrate which extends outward beyond an end of the second substrate; and a connection member for electrically connecting the pad and the conductive layer exposed out of the optical element.

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a liquid crystal display device.

液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのOA機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。   Liquid crystal display devices are utilized in various fields as display devices for OA equipment such as personal computers and televisions, taking advantage of features such as light weight, thinness, and low power consumption. In recent years, liquid crystal display devices are also used as mobile terminal devices such as mobile phones, display devices such as car navigation devices and game machines.

近年では、画像を表示する液晶表示パネルにタッチセンシング機能を兼ね備えた構成が開示されている。   In recent years, a configuration in which a liquid crystal display panel for displaying an image has a touch sensing function has been disclosed.

特開2010−231773号公報JP 2010-231773 A 特開2011−054199号公報JP 2011-054199 A

本実施形態の目的は、タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供することにある。   An object of the present embodiment is to provide a liquid crystal display device having both a touch sensing function and a shielding function against an external electric field.

本実施形態によれば、
画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第1基板と、絶縁基板を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、前記絶縁基板上において前記アクティブエリアに配置された偏光板を含む光学素子と、前記光学素子上において前記アクティブエリアに配置された導電層と、前記第2基板の端部よりも外方に延在した前記第1基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
According to this embodiment,
In an active area for displaying an image, a common electrode formed over a plurality of pixels, an insulating film covering the common electrode, and formed on each pixel on the insulating film so as to face the common electrode and form a slit A first substrate having a pixel electrode and a capacitance touch sensing wiring, a second substrate having an insulating substrate, and a liquid crystal held between the first substrate and the second substrate An optical element including a layer, a polarizing plate disposed in the active area on the insulating substrate, a conductive layer disposed in the active area on the optical element, and an outer side than an end of the second substrate A pad having a ground potential formed on the extending portion of the first substrate extending to the first substrate, and a connecting member for electrically connecting the conductive layer exposed from the optical element and the pad. The liquid crystal display device is provided, wherein.

本実施形態によれば、
画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第1基板と、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第1基板と対向する内面とは反対側の外面において前記アクティブエリアに配置された導電層と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、前記導電層上において前記アクティブエリアに配置されるとともに前記導電層の一部を露出し、偏光板を含む光学素子と、前記第2基板の端部よりも外方に延在した前記第1基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
According to this embodiment,
In an active area for displaying an image, a common electrode formed over a plurality of pixels, an insulating film covering the common electrode, and formed on each pixel on the insulating film so as to face the common electrode and form a slit A first substrate having a pixel electrode and a capacitance touch sensing wiring; an insulating substrate; and an outer surface of the insulating substrate opposite to the inner surface facing the first substrate. A second substrate having a conductive layer disposed thereon, a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, and disposed in the active area on the conductive layer and the conductive layer An optical element including a part of the layer, including a polarizing plate, a ground potential pad formed on an extending portion of the first substrate extending outward from an end portion of the second substrate, and Optical element The liquid crystal display device comprising: the connecting member for electrically connecting, comprising the there is provided a to the conductive layer exposed and the pad from.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display panel constituting the liquid crystal display device of the present embodiment. 図2は、図1に示したアレイ基板における画素の構造を対向基板の側から見た概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the pixel structure in the array substrate shown in FIG. 1 as viewed from the counter substrate side. 図3は、図2に示した画素をA−B線で切断した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display panel in which the pixel shown in FIG. 2 is cut along the line AB. 図4は、図1に示した液晶表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing the configuration of the liquid crystal display panel shown in FIG. 図5は、図4に示した液晶表示パネルのパッドを含む断面を概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a cross section including the pad of the liquid crystal display panel shown in FIG. 図6は、本実施形態の液晶表示装置における他の液晶表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing the configuration of another liquid crystal display panel in the liquid crystal display device of the present embodiment. 図7は、図6に示した液晶表示パネルのパッドを含む断面を概略的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a cross section including a pad of the liquid crystal display panel shown in FIG.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display panel LPN constituting the liquid crystal display device of the present embodiment.

すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、アレイ基板(第1基板)ARと、アレイ基板ARに対向配置された対向基板(第2基板)CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている(但し、m及びnは正の整数)。   That is, the liquid crystal display device includes an active matrix type liquid crystal display panel LPN. The liquid crystal display panel LPN is held between an array substrate (first substrate) AR, a counter substrate (second substrate) CT arranged to face the array substrate AR, and the array substrate AR and the counter substrate CT. And a liquid crystal layer LQ. Such a liquid crystal display panel LPN includes an active area ACT for displaying an image. The active area ACT is composed of a plurality of pixels PX arranged in a matrix of m × n (where m and n are positive integers).

アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線G(G1〜Gn)及びn本の容量線C(C1〜Cn)、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線S(S1〜Sm)、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたm×n個のスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続されたm×n個の画素電極PE、容量線Cの一部であり画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。保持容量Csは、容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。   In the active area ACT, the array substrate AR includes n gate wirings G (G1 to Gn) and n capacitance lines C (C1 to Cn) that extend in the first direction X in the first direction X, respectively. M source lines S (S1 to Sm) each extending along the intersecting second direction Y, and mxn switching elements electrically connected to the gate line G and the source line S in each pixel PX SW, m × n pixel electrodes PE electrically connected to the switching element SW in each pixel PX, a common electrode CE which is a part of the capacitor line C and faces the pixel electrode PE, and the like. The storage capacitor Cs is formed between the capacitor line C and the pixel electrode PE.

各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第1駆動回路GDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第2駆動回路SDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第3駆動回路CDに接続されている。これらの第1駆動回路GD、第2駆動回路SD、及び、第3駆動回路CDは、アレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。   Each gate line G is drawn outside the active area ACT and is connected to the first drive circuit GD. Each source line S is drawn outside the active area ACT and connected to the second drive circuit SD. Each capacitance line C is drawn outside the active area ACT and connected to the third drive circuit CD. The first drive circuit GD, the second drive circuit SD, and the third drive circuit CD are formed on the array substrate AR and connected to the drive IC chip 2. In the illustrated example, the drive IC chip 2 is mounted on the array substrate AR outside the active area ACT of the liquid crystal display panel LPN.

本実施形態において、駆動ICチップ2は、アクティブエリアACTに画像を表示する画像表示モードにおいて各画素PXの画素電極PEに画像信号を書き込むのに必要な制御を行う画像信号書込回路2Aと、検出面において物体の接触を検出するタッチセンシングモードにおいて静電容量タッチセンシング用配線の静電容量(ここに示した例では、容量線Cとソース配線Sとの間の静電容量)の変化を検出する検出回路2Bと、を備えている。   In the present embodiment, the driving IC chip 2 includes an image signal writing circuit 2A that performs control necessary for writing an image signal to the pixel electrode PE of each pixel PX in an image display mode in which an image is displayed in the active area ACT. In the touch sensing mode in which contact of an object is detected on the detection surface, the capacitance of the capacitive touch sensing wiring (capacitance between the capacitive line C and the source wiring S in the example shown here) is changed. And a detection circuit 2B for detecting.

また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備え、これらの間に形成される横電界(特に、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界)を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングするFringe Field Switching(FFS)モードを適用している。   Further, the liquid crystal display panel LPN of the illustrated example includes the pixel electrode PE and the common electrode CE on the array substrate AR, and is substantially parallel to the main surface of the substrate in the lateral electric field (particularly the fringe electric field) formed therebetween. A fringe field switching (FFS) mode is employed in which the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer LQ are switched using mainly a small electric field.

図2は、図1に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。   FIG. 2 is a schematic plan view of the structure of the pixel PX in the array substrate AR shown in FIG. 1 as viewed from the counter substrate CT side.

ゲート配線Gは、第1方向Xに沿って延出している。ソース配線Sは、第2方向Yに沿って延出している。スイッチング素子SWは、ゲート配線Gとソース配線Sとの交差部近傍に配置され、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)によって構成されている。このスイッチング素子SWは、半導体層SCを備えている。この半導体層SCは、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。   The gate line G extends along the first direction X. The source line S extends along the second direction Y. The switching element SW is disposed in the vicinity of the intersection of the gate line G and the source line S, and is configured by, for example, a thin film transistor (TFT). The switching element SW includes a semiconductor layer SC. The semiconductor layer SC can be formed of, for example, polysilicon or amorphous silicon, and is formed of polysilicon here.

スイッチング素子SWのゲート電極WGは、半導体層SCの直上に位置し、ゲート配線Gに電気的に接続されている(図示した例では、ゲート電極WGは、ゲート配線Gと一体的に形成されている)。スイッチング素子SWのソース電極WSは、ソース配線Sに電気的に接続されている(図示した例では、ソース電極WSは、ソース配線Sと一体的に形成されている)。スイッチング素子SWのドレイン電極WDは、画素電極PEに電気的に接続されている。   The gate electrode WG of the switching element SW is located immediately above the semiconductor layer SC and is electrically connected to the gate wiring G (in the illustrated example, the gate electrode WG is formed integrally with the gate wiring G. ) The source electrode WS of the switching element SW is electrically connected to the source line S (in the illustrated example, the source electrode WS is formed integrally with the source line S). The drain electrode WD of the switching element SW is electrically connected to the pixel electrode PE.

容量線Cは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、容量線Cは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方に延在し、第1方向Xに隣接する複数の画素PX亘って共通に形成されている。この容量線Cは、各画素PXに対応して形成された共通電極CEを含んでいる。   The capacitance line C extends along the first direction X. That is, the capacitor line C is disposed in each pixel PX, extends above the source line S, and is formed in common across a plurality of pixels PX adjacent in the first direction X. The capacitor line C includes a common electrode CE formed corresponding to each pixel PX.

各画素PXの画素電極PEは、共通電極CEの上方に配置されている。各画素電極PEは、各画素PXにおいて画素形状に対応した島状、例えば、略四角形に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。   The pixel electrode PE of each pixel PX is disposed above the common electrode CE. Each pixel electrode PE is formed in an island shape corresponding to the pixel shape in each pixel PX, for example, a substantially square shape. Each pixel electrode PE has a plurality of slits PSL facing the common electrode CE.

図3は、図2に示した画素PXをA−B線で切断した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display panel LPN obtained by cutting the pixel PX shown in FIG. 2 along the line AB.

すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板20を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板20の内面(すなわち対向基板CTに対向する面)にスイッチング素子SWを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。半導体層SCは、第1絶縁基板20の上に形成されている。このような半導体層SCは、ゲート絶縁膜21によって覆われている。また、ゲート絶縁膜21は、第1絶縁基板20の上にも配置されている。   That is, the array substrate AR is formed by using a first insulating substrate 20 having optical transparency such as a glass substrate. The array substrate AR includes a switching element SW on the inner surface of the first insulating substrate 20 (that is, the surface facing the counter substrate CT). The switching element SW shown here is a top-gate thin film transistor. The semiconductor layer SC is formed on the first insulating substrate 20. Such a semiconductor layer SC is covered with the gate insulating film 21. The gate insulating film 21 is also disposed on the first insulating substrate 20.

スイッチング素子SWのゲート電極WGは、ゲート絶縁膜21の上に形成され、半導体層SCの直上に位置している。このようなゲート電極WGは、第1層間絶縁膜22によって覆われている。また、第1層間絶縁膜22は、ゲート絶縁膜21の上にも配置されている。   The gate electrode WG of the switching element SW is formed on the gate insulating film 21 and is located immediately above the semiconductor layer SC. Such a gate electrode WG is covered with a first interlayer insulating film 22. The first interlayer insulating film 22 is also disposed on the gate insulating film 21.

スイッチング素子SWのソース電極WS及びドレイン電極WDは、第1層間絶縁膜22の上に形成されている。これらのソース電極WS及びドレイン電極WDは、ゲート絶縁膜21及び第1層間絶縁膜22を貫通するコンタクトホールを介して半導体層SCにコンタクトしている。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、第2層間絶縁膜23によって覆われている。また、この第2層間絶縁膜23は、第1層間絶縁膜22の上にも配置されている。   The source electrode WS and the drain electrode WD of the switching element SW are formed on the first interlayer insulating film 22. The source electrode WS and the drain electrode WD are in contact with the semiconductor layer SC through contact holes that penetrate the gate insulating film 21 and the first interlayer insulating film 22. The source electrode WS and the drain electrode WD are covered with the second interlayer insulating film 23. The second interlayer insulating film 23 is also disposed on the first interlayer insulating film 22.

容量線Cあるいは共通電極CEは、第2層間絶縁膜23の上に形成されている。容量線Cあるいは共通電極CEは、第3層間絶縁膜24によって覆われている。また、この第3層間絶縁膜24は、第2層間絶縁膜23の上にも配置されている。   The capacitor line C or the common electrode CE is formed on the second interlayer insulating film 23. The capacitor line C or the common electrode CE is covered with the third interlayer insulating film 24. The third interlayer insulating film 24 is also disposed on the second interlayer insulating film 23.

画素電極PEは、第3層間絶縁膜24の上に形成さている。この画素電極PEは、第2層間絶縁膜23及び第3層間絶縁膜24を貫通するコンタクトホールを介してドレイン電極WDに接続されている。容量線Cあるいは共通電極CEと、画素電極PEとは、ともに透明な導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などによって形成されている。第3層間絶縁膜24を介して向かい合う画素電極PEと共通電極CEとは保持容量CSを形成する。また、この画素電極PEには、スリットPSLが形成されている。スリットPSLは、共通電極CEの直上に位置している。画素電極PEは、第1配向膜25によって覆われている。この第1配向膜25は、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。   The pixel electrode PE is formed on the third interlayer insulating film 24. The pixel electrode PE is connected to the drain electrode WD through a contact hole that penetrates the second interlayer insulating film 23 and the third interlayer insulating film 24. Both the capacitor line C or the common electrode CE and the pixel electrode PE are formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The pixel electrode PE and the common electrode CE facing each other through the third interlayer insulating film 24 form a storage capacitor CS. In addition, a slit PSL is formed in the pixel electrode PE. The slit PSL is located immediately above the common electrode CE. The pixel electrode PE is covered with the first alignment film 25. The first alignment film 25 is disposed on the surface in contact with the liquid crystal layer LQ of the array substrate AR.

なお、ソース配線Sは、第1層間絶縁膜22の上に形成され、第2層間絶縁膜23によって覆われている。ソース配線Sの直上には、容量線Cが位置している。   The source wiring S is formed on the first interlayer insulating film 22 and is covered with the second interlayer insulating film 23. A capacitor line C is located immediately above the source line S.

一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面(すなわちアレイ基板ARに対向する面)に、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。   On the other hand, the counter substrate CT is formed using a second insulating substrate 30 having optical transparency such as a glass substrate. The counter substrate CT includes a black matrix 31, a color filter 32, an overcoat layer 33, and the like that partition each pixel PX on the inner surface of the second insulating substrate 30 (that is, the surface facing the array substrate AR).

ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30上において、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の上に形成され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料は赤色画素に対応して配置され、同様に、青色に着色された樹脂材料は青色画素に対応して配置され、緑色に着色された樹脂材料は緑色画素に対応して配置されている。   The black matrix 31 is formed on the second insulating substrate 30 so as to face the gate wiring G and the source wiring S provided on the array substrate AR, and further to the wiring section such as the switching element SW. The color filter 32 is formed on the second insulating substrate 30 and is formed of a resin material colored in a plurality of different colors, for example, three primary colors such as red, blue, and green. The resin material colored red is arranged corresponding to the red pixel. Similarly, the resin material colored blue is arranged corresponding to the blue pixel, and the resin material colored green corresponds to the green pixel. Are arranged.

オーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32の上に形成されている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。オーバーコート層33は、第2配向膜34によって覆われている。この第2配向膜34は、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。   The overcoat layer 33 is formed on the black matrix 31 and the color filter 32. The overcoat layer 33 flattens the unevenness of the surfaces of the black matrix 31 and the color filter 32. The overcoat layer 33 is covered with the second alignment film 34. The second alignment film 34 is disposed on the surface in contact with the liquid crystal layer LQ of the counter substrate CT.

上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜25及び第2配向膜34が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTとの間には、図示しないスペーサ(例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサ)が配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの配向膜25と対向基板CTの配向膜34との間に形成されたギャップに封入された液晶組成物によって構成されている。   The array substrate AR and the counter substrate CT as described above are arranged so that the first alignment film 25 and the second alignment film 34 face each other. At this time, a spacer (not shown) (for example, a columnar spacer integrally formed on one substrate with a resin material) is disposed between the array substrate AR and the counter substrate CT, thereby forming a predetermined gap. Is done. The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together with a sealing material in a state where a predetermined gap is formed. The liquid crystal layer LQ is composed of a liquid crystal composition sealed in a gap formed between the alignment film 25 of the array substrate AR and the alignment film 34 of the counter substrate CT.

このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側にはバックライトBLが配置されている。液晶表示パネルLPNの一方の外面、すなわちアレイ基板ARを構成する第1絶縁基板20の外面には、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、液晶表示パネルLPNの他方の外面、すなわち対向基板CTを構成する第2絶縁基板30の外面には、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。図示した例においては、第1光学素子OD1の上方に配置されたカバーガラスCGの表面が検出面となる。なお、第2絶縁基板30と第2光学素子OD2との間、あるいは、第2光学素子OD2とカバーガラスCGとの間には、後述する導電層が介在しているが、ここではその図示を省略している。   A backlight BL is arranged on the back side of the liquid crystal display panel LPN having such a configuration. A first optical element OD1 including a first polarizing plate PL1 is disposed on one outer surface of the liquid crystal display panel LPN, that is, the outer surface of the first insulating substrate 20 constituting the array substrate AR. The second optical element OD2 including the second polarizing plate PL2 is disposed on the other outer surface of the liquid crystal display panel LPN, that is, the outer surface of the second insulating substrate 30 constituting the counter substrate CT. In the illustrated example, the surface of the cover glass CG disposed above the first optical element OD1 serves as a detection surface. Note that a conductive layer described later is interposed between the second insulating substrate 30 and the second optical element OD2 or between the second optical element OD2 and the cover glass CG. Omitted.

次に、上述した構成の液晶表示パネルLPNを備えた液晶表示装置における画像表示モード及びタッチセンシングモードの一例について簡単に説明する。   Next, an example of the image display mode and the touch sensing mode in the liquid crystal display device including the liquid crystal display panel LPN having the above-described configuration will be briefly described.

画素表示モードでは、画像信号書込回路2Aは、第1駆動回路GDを制御して各ゲート配線Gに対して各画素PXのスイッチング素子SWをオン状態とする制御信号を出力する。また、画像信号書込回路2Aは、第2駆動回路SDを制御して各ソース配線Sに対して画像信号を出力する。ソース配線Sに出力された画像信号は、オン状態のスイッチング素子SWを介して画素電極PEに書き込まれる。一方で、画像信号書込回路2Aは、第3駆動回路CDを制御して各容量線Cに対してコモン電圧を印加する。   In the pixel display mode, the image signal writing circuit 2A controls the first drive circuit GD to output a control signal for turning on the switching element SW of each pixel PX to each gate line G. Further, the image signal writing circuit 2A controls the second drive circuit SD and outputs an image signal to each source line S. The image signal output to the source line S is written to the pixel electrode PE through the switching element SW in the on state. On the other hand, the image signal writing circuit 2A controls the third drive circuit CD to apply a common voltage to each capacitor line C.

これにより、画素電極PEと容量線Cの共通電極CEとの間の液晶層LQに対し、画像信号相当の電圧が印加される。液晶層LQでは、印加された電圧に応じて液晶分子が配向し、液晶層LQを透過する光に対する変調率が変化する。すなわち、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態では、液晶分子は、第1配向膜25及び第2配向膜34の配向規制力により、基板主面と略平行な面内の所定の方位に初期配向している。画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成された状態では、液晶分子は、基板主面と略平行な面内で初期配向とは異なる方位に配向する。液晶層LQを透過する光に対する変調率は、このような液晶分子の配向方位によって変化する。このため、バックライトBLから出射され液晶表示パネルLPNに入射したバックライト光は、画素電極PE−共通電極CE間の電圧に依存して選択的に偏光板PL2を透過する。これにより、表示面に画像信号に対応した画像が表示される。   As a result, a voltage corresponding to an image signal is applied to the liquid crystal layer LQ between the pixel electrode PE and the common electrode CE of the capacitor line C. In the liquid crystal layer LQ, the liquid crystal molecules are aligned according to the applied voltage, and the modulation factor for the light transmitted through the liquid crystal layer LQ changes. That is, in a state where no electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules are substantially parallel to the main surface of the substrate due to the alignment regulating force of the first alignment film 25 and the second alignment film 34. The initial orientation is in a predetermined orientation in the plane. In a state where a fringe electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules are aligned in a direction different from the initial alignment in a plane substantially parallel to the main surface of the substrate. The modulation factor with respect to the light transmitted through the liquid crystal layer LQ varies depending on the orientation direction of the liquid crystal molecules. For this reason, the backlight light emitted from the backlight BL and incident on the liquid crystal display panel LPN selectively passes through the polarizing plate PL2 depending on the voltage between the pixel electrode PE and the common electrode CE. As a result, an image corresponding to the image signal is displayed on the display surface.

本実施形態では、タッチセンシングモードの一例として、容量線Cとソース配線Sとを静電容量タッチセンシング用配線として利用している。すなわち、タッチセンシングモードでは、検出回路2Bは、第3駆動回路CDを制御して容量線Cに対して検出信号を書き込む。ここでは、検出信号は、例えば交流信号である。一方で、検出回路2Bは、第2駆動回路SDを制御して各ソース配線Sをプリチャージする。容量線Cには交流の検出信号が書き込まれるため、ソース配線Sの電位が変動する。検出回路2Bは、このときのソース配線Sの電位変動を読み取る。検出面に物体が接近または接触した場合には、容量線Cとソース配線Sとの間の静電容量が変化する。このような静電容量の変化に伴って、ソース配線Sの電位変動も変化する。このため、検出回路2Bでは、ソース配線Sの電位変動の変化もしくは電流値の変化をモニタすることにより、容量線Cとソース配線Sとの間の静電容量の変化、つまり、検出面への物体の接近または接触が検出される。   In the present embodiment, as an example of the touch sensing mode, the capacitance line C and the source wiring S are used as capacitance touch sensing wiring. That is, in the touch sensing mode, the detection circuit 2B controls the third drive circuit CD to write a detection signal to the capacitance line C. Here, the detection signal is, for example, an AC signal. On the other hand, the detection circuit 2B controls the second drive circuit SD to precharge each source line S. Since an AC detection signal is written into the capacitor line C, the potential of the source wiring S varies. The detection circuit 2B reads the potential fluctuation of the source line S at this time. When an object approaches or comes in contact with the detection surface, the capacitance between the capacitance line C and the source line S changes. Along with such a change in capacitance, the potential fluctuation of the source wiring S also changes. For this reason, in the detection circuit 2B, by monitoring the change in the potential of the source line S or the change in the current value, the change in the capacitance between the capacitance line C and the source line S, that is, the change to the detection surface. An approach or contact of an object is detected.

なお、ここでは、容量線Cに検出信号を書き込み、ソース配線Sから静電容量の変化に伴った電位変動を読み取ったが、ソース配線Sに検出信号を書き込み、容量線Cから静電容量の変化に伴った電位変動を読み取っても良い。また、タッチセンシングモードにおいて、複数本の容量線Cに同時に検出信号を書き込んで、複数本の容量線Cからなる静電容量タッチセンシング用配線のブロックを形成しても良いし、複数本のソース配線Sから同時に電位変動もしくは電流値変動を読み取り、複数本のソース配線Sからなる静電容量タッチセンシング用配線のブロックを形成してもよい。また、ここでは、静電容量タッチセンシング用配線として、容量線C及びソース配線Sを利用したが、この組み合わせに限られるものではなく、液晶表示パネルLPNを構成する他の配線を利用しても良いし、静電容量タッチセンシング用配線として他の配線を設けても良い。   Note that, here, a detection signal is written to the capacitor line C, and a potential variation accompanying a change in capacitance is read from the source line S. However, a detection signal is written to the source line S and the capacitance line C You may read the electric potential fluctuation | variation accompanying a change. In the touch sensing mode, a detection signal may be simultaneously written in a plurality of capacitance lines C to form a capacitive touch sensing wiring block including a plurality of capacitance lines C, or a plurality of sources. A block of capacitance touch sensing wiring composed of a plurality of source wirings S may be formed by simultaneously reading potential fluctuation or current value fluctuation from the wiring S. Further, here, the capacitive line C and the source line S are used as the capacitive touch sensing wiring. However, the capacitive line C and the source line S are not limited to this combination, and other wirings constituting the liquid crystal display panel LPN may be used. Alternatively, another wiring may be provided as the capacitive touch sensing wiring.

図4は、図1に示した液晶表示パネルLPNの構成を概略的に示す平面図である。   FIG. 4 is a plan view schematically showing the configuration of the liquid crystal display panel LPN shown in FIG.

液晶表示パネルLPNを構成するアレイ基板ARは、対向基板CTの端部CTEよりも外方に延在した延在部AREを有している。この延在部AREには、駆動ICチップ2やフレキシブル・プリンテッド・サーキット(FPC)基板3などが実装されている。また、この延在部AREには、接地電位のパッドPDが形成されている。このパッドPDは、詳述しないが、駆動ICチップ2やFPC基板3などを介して接地されている。   The array substrate AR constituting the liquid crystal display panel LPN has an extending part ARE that extends outward from the end part CTE of the counter substrate CT. A driving IC chip 2 and a flexible printed circuit (FPC) substrate 3 are mounted on the extending portion ARE. In addition, a pad PD having a ground potential is formed in the extending portion ARE. Although not described in detail, the pad PD is grounded via the drive IC chip 2 and the FPC board 3.

第2光学素子OD2は、対向基板CTの外面においてアクティブエリアACTの全体に亘って配置されている。このような第2光学素子OD2のX−Y平面内でのサイズは、対向基板CTのX−Y平面内でのサイズよりも小さい場合が多い。この場合、第2光学素子OD2の端部ODEは、対向基板CTの端部CTEの直上には重ならず、対向基板CTの端部CTEよりもアクティブエリアACT側に位置している。図示した例では、X−Y平面において四角形状の第2光学素子OD2の端部ODEは、その四方で対向基板CTの端部CTEよりもアクティブエリアACT側に位置している。つまり、対向基板CTの四方の端部近傍は、第2光学素子OD2から露出している。   The second optical element OD2 is disposed over the entire active area ACT on the outer surface of the counter substrate CT. The size of the second optical element OD2 in the XY plane is often smaller than the size of the counter substrate CT in the XY plane. In this case, the end portion ODE of the second optical element OD2 does not overlap immediately above the end portion CTE of the counter substrate CT, but is positioned closer to the active area ACT side than the end portion CTE of the counter substrate CT. In the illustrated example, the end portion ODE of the second optical element OD2 having a quadrangular shape in the XY plane is positioned on the active area ACT side with respect to the end portion CTE of the counter substrate CT. That is, the vicinity of the four ends of the counter substrate CT is exposed from the second optical element OD2.

導電層CDFは、第2光学素子OD2の上においてアクティブエリアACTの全体に亘って配置されている。図示した例では、導電層CDFは、第2光学素子OD2の表面の略全面に亘って形成されている。つまり、第2光学素子OD2のX−Y平面内でのサイズが導電層CDFのX−Y平面内でのサイズと同等である。図示した例の場合、導電層CDFの端部CDFEは、第2光学素子OD2の端部ODEの直上に位置し、且つ、対向基板CTの端部CTEよりもアクティブエリアACT側に位置している。   The conductive layer CDF is disposed over the entire active area ACT on the second optical element OD2. In the example illustrated, the conductive layer CDF is formed over substantially the entire surface of the second optical element OD2. That is, the size of the second optical element OD2 in the XY plane is equal to the size of the conductive layer CDF in the XY plane. In the case of the illustrated example, the end portion CDFE of the conductive layer CDF is located immediately above the end portion ODE of the second optical element OD2, and is located closer to the active area ACT side than the end portion CTE of the counter substrate CT. .

なお、導電層CDFのX−Y平面内でのサイズが第2光学素子OD2のX−Y平面内でのサイズよりも小さい場合もあり得る。この場合には、導電層CDFの端部CDFEは、第2光学素子OD2の端部ODEよりもアクティブエリアACT側に位置し、且つ、対向基板CTの端部CTEよりもアクティブエリアACT側に位置する。   Note that the size of the conductive layer CDF in the XY plane may be smaller than the size of the second optical element OD2 in the XY plane. In this case, the end portion CDFE of the conductive layer CDF is located on the active area ACT side with respect to the end portion ODE of the second optical element OD2, and is located on the active area ACT side with respect to the end portion CTE of the counter substrate CT. To do.

このような導電層CDFは、接続部材PSTによりパッドPDと電気的に接続されている。   Such a conductive layer CDF is electrically connected to the pad PD by the connection member PST.

図5は、図4に示した液晶表示パネルLPNのパッドPDを含む断面を概略的に示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a cross section including the pad PD of the liquid crystal display panel LPN shown in FIG.

アレイ基板ARについて、対向基板CTと向かい合う内面側の構造については詳細な説明を省略するが、延在部AREにおいては、パッドPDが形成されている。アレイ基板ARを構成する第1絶縁基板20の外面には、第1光学素子OD1が接着されている。なお、第1光学素子OD1を第1絶縁基板20に接着するための接着剤の図示は省略している。   A detailed description of the structure of the array substrate AR on the inner surface facing the counter substrate CT is omitted, but a pad PD is formed in the extended portion ARE. The first optical element OD1 is bonded to the outer surface of the first insulating substrate 20 constituting the array substrate AR. Note that an adhesive for bonding the first optical element OD1 to the first insulating substrate 20 is not shown.

対向基板CTについて、アレイ基板ARと向かい合う内面側の構造については詳細な説明を省略するが、第2絶縁基板30の周辺にはアクティブエリアACTを囲む枠状の周辺遮光層SHDが形成されている。この周辺遮光層SHDは、例えば、上記したブラックマトリクスBMと同一材料によって形成されている。また、対向基板CTを構成する第2絶縁基板30の内面30Aとは反対側の外面30Bには、第2光学素子OD2が接着されている。なお、第2光学素子OD2を第2絶縁基板30に接着するための接着剤の図示は省略している。   Although the detailed description of the structure of the counter substrate CT on the inner surface facing the array substrate AR is omitted, a frame-shaped peripheral light shielding layer SHD surrounding the active area ACT is formed around the second insulating substrate 30. . For example, the peripheral light shielding layer SHD is formed of the same material as that of the black matrix BM. The second optical element OD2 is bonded to the outer surface 30B opposite to the inner surface 30A of the second insulating substrate 30 constituting the counter substrate CT. In addition, illustration of the adhesive agent for adhere | attaching 2nd optical element OD2 on the 2nd insulated substrate 30 is abbreviate | omitted.

これらのアレイ基板ARと対向基板CTとはシール材SEによって貼り合わせされており、これらの間に液晶層LQが保持されている。   The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together by a sealing material SE, and a liquid crystal layer LQ is held between them.

導電層CDFは、第2光学素子OD2の外面ODBにおいてアクティブエリアACTの全体に亘って配置されている。このような導電層CDFは、画像を表示するアクティブエリアACTと重なるため、透明な導電材料、例えば、ITOやIZOなどの酸化物導電材料、有機導電材料によって形成されている。また、このような導電層CDFは、その表面抵抗値が例えば700MΩ/□以下の材料によって形成されることが望ましい。   The conductive layer CDF is disposed over the entire active area ACT on the outer surface ODB of the second optical element OD2. Since such a conductive layer CDF overlaps with the active area ACT for displaying an image, it is formed of a transparent conductive material, for example, an oxide conductive material such as ITO or IZO, or an organic conductive material. Further, such a conductive layer CDF is desirably formed of a material having a surface resistance value of, for example, 700 MΩ / □ or less.

導電層CDFとパッドPDとを接続する接続部材PSTは、例えば、銀などの導電粒子を含む導電ペーストや、導電性シールなどによって形成されている。   The connection member PST that connects the conductive layer CDF and the pad PD is formed of, for example, a conductive paste containing conductive particles such as silver, a conductive seal, or the like.

このような構成によれば、カバーガラスCGの表面で放電が生じた際に、侵入した電荷は、導電層CDFにおいてアクティブエリアACTの面内に拡散し、接続部材PSTを介して接地電位のパッドPDに流れ込む。このため、液晶表示パネルLPNへの電荷の侵入を抑制することが可能となる。   According to such a configuration, when a discharge occurs on the surface of the cover glass CG, the invading charges are diffused in the plane of the active area ACT in the conductive layer CDF, and the ground potential pad is connected via the connection member PST. It flows into PD. For this reason, it is possible to suppress the intrusion of charges into the liquid crystal display panel LPN.

本実施形態で説明したFFSモードなど対向基板CT側に電極などの導電膜が形成されていない構成では、不所望な電荷が液晶表示パネルLPNに入り込みやすい。電荷の侵入により液晶層LQに不所望な電圧が印加されると、表示ムラとして視認されるおそれがある。   In a configuration in which a conductive film such as an electrode is not formed on the counter substrate CT side such as the FFS mode described in this embodiment, undesired charges are likely to enter the liquid crystal display panel LPN. If an undesired voltage is applied to the liquid crystal layer LQ due to the intrusion of electric charges, there is a possibility that it will be visually recognized as display unevenness.

本実施形態によれば、液晶表示パネルLPNの前面側に配置される第2光学素子OD2の表面に導電層CDFが形成されているため、外部から液晶表示パネルLPNに向かって侵入してきた電荷が導電層CDFによってある程度シールドされる、あるいは、たとえ液晶表示パネルLPNの内部に電荷が侵入したとしても導電層CDFを介して放電されるため、視認される表示ムラを短時間で解消することが可能となる。   According to the present embodiment, since the conductive layer CDF is formed on the surface of the second optical element OD2 disposed on the front side of the liquid crystal display panel LPN, the charges that have entered from the outside toward the liquid crystal display panel LPN Even if it is shielded to some extent by the conductive layer CDF, or even if a charge enters the liquid crystal display panel LPN, it is discharged through the conductive layer CDF, so that it is possible to eliminate visible display irregularities in a short time. It becomes.

また、本実施形態によれば、導電層CDFは、比較的高抵抗である。すなわち、FFSモードの液晶表示パネルLPNに対しては、外部電界に対するシールド機能を確保する上で、液晶表示パネルLPNの前面に導電層CDFを配置することが有効であるが、本実施形態のように、アクティブエリアACTにおいて静電容量の変化を利用してタッチセンシングを行う機能を兼ね備えた液晶表示パネルLPNでは、十分な感度を維持することが要求される。このため、アクティブエリアACTを覆う導電層CDFは、高抵抗であることが望ましい。   Further, according to the present embodiment, the conductive layer CDF has a relatively high resistance. That is, for the FFS mode liquid crystal display panel LPN, it is effective to dispose the conductive layer CDF on the front surface of the liquid crystal display panel LPN in order to secure a shielding function against an external electric field. In addition, in the liquid crystal display panel LPN having a function of performing touch sensing using a change in capacitance in the active area ACT, it is required to maintain sufficient sensitivity. For this reason, it is desirable that the conductive layer CDF covering the active area ACT has a high resistance.

発明者は以下の検討を行った。すなわち、表面抵抗値の異なる複数の導電材料を用いて導電層CDFを形成したサンプルを用意し、それぞれのサンプルについて、カバーガラスの表面で放電を生じさせ、表示ムラが解消するまでの時間を測定した。なお、このような測定は、特に表示ムラが顕著に発生する黒表示を行った場合と、低階調のグレー表示を行った場合とでそれぞれ行った。   The inventor conducted the following investigation. That is, a sample in which a conductive layer CDF is formed using a plurality of conductive materials having different surface resistance values is prepared, and discharge is generated on the surface of the cover glass for each sample, and the time until display unevenness is eliminated is measured. did. Note that such measurement was performed respectively when black display in which display unevenness was particularly noticed was performed and when gray display with low gradation was performed.

表面抵抗値が700MΩ/□以下の材料を用いて導電層CDFを形成したサンプルについては、表示ムラ解消時間が1秒以内であることを要求される仕様に対応できることが確認された。   It was confirmed that the sample in which the conductive layer CDF was formed using a material having a surface resistance value of 700 MΩ / □ or less can meet the specifications required that the display unevenness elimination time is within 1 second.

このような知見から、本実施形態によれば、導電層CDFの表面抵抗値は、外部電界に対するシールド機能を確保するとともに、静電容量タッチセンシング機能の感度を維持する観点からその上限値を700MΩ/□とした。   From such knowledge, according to the present embodiment, the surface resistance value of the conductive layer CDF has an upper limit value of 700 MΩ from the viewpoint of ensuring the shielding function against the external electric field and maintaining the sensitivity of the capacitive touch sensing function. / □.

本実施形態では、導電層CDFの配置位置は、図4及び図5に示したような例に限定されるものではない。   In the present embodiment, the arrangement position of the conductive layer CDF is not limited to the examples as shown in FIGS.

図6は、本実施形態の液晶表示装置における他の液晶表示パネルLPNの構成を概略的に示す平面図である。   FIG. 6 is a plan view schematically showing a configuration of another liquid crystal display panel LPN in the liquid crystal display device of the present embodiment.

図6に示した例では、導電層CDFが対向基板CTの上においてアクティブエリアACTの全体に亘って配置されている点で、図4に示した例と相違している。なお、図4に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。   The example shown in FIG. 6 is different from the example shown in FIG. 4 in that the conductive layer CDF is disposed over the entire active area ACT on the counter substrate CT. In addition, about the same structure as the example shown in FIG. 4, the same referential mark is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

図示した例では、導電層CDFは、対向基板CTの表面の略全面に亘って形成されている。つまり、対向基板CTのX−Y平面内でのサイズが導電層CDFのX−Y平面内でのサイズと同等である。   In the illustrated example, the conductive layer CDF is formed over substantially the entire surface of the counter substrate CT. That is, the size of the counter substrate CT in the XY plane is equal to the size of the conductive layer CDF in the XY plane.

第2光学素子OD2は、導電層CDFの上においてアクティブエリアACTの全体に亘って配置されている。また、この第2光学素子OD2は、導電層CDFの一部を露出している。すなわち、このような第2光学素子OD2のX−Y平面内でのサイズは、導電層CDFのX−Y平面内でのサイズよりも小さい。この場合、第2光学素子OD2の端部ODEは、導電層CDFの端部CDFEの直上には重ならず、導電層CDFの端部CDFEよりもアクティブエリアACT側に位置している。図示した例では、X−Y平面において四角形状の第2光学素子OD2の端部ODEは、その四方で導電層CDFの端部CDFEよりもアクティブエリアACT側に位置している。つまり、導電層CDFの端部CDFEの四方の端部近傍は、第2光学素子OD2から露出している。   The second optical element OD2 is disposed over the entire active area ACT on the conductive layer CDF. The second optical element OD2 exposes a part of the conductive layer CDF. That is, the size of the second optical element OD2 in the XY plane is smaller than the size of the conductive layer CDF in the XY plane. In this case, the end portion ODE of the second optical element OD2 does not overlap immediately above the end portion CDFE of the conductive layer CDF, but is positioned closer to the active area ACT than the end portion CDFE of the conductive layer CDF. In the illustrated example, the end portion ODE of the quadrangular second optical element OD2 in the XY plane is located on the active area ACT side with respect to the end portion CDFE of the conductive layer CDF in the four directions. That is, the vicinity of the four ends of the end portion CDFE of the conductive layer CDF is exposed from the second optical element OD2.

また、図示した例の場合、導電層CDFの端部CDFEは、対向基板CTの端部CTEの直上に位置し、且つ、第2光学素子OD2の端部ODEよりも対向基板CTの端部CTE側に位置している。   In the illustrated example, the end portion CDFE of the conductive layer CDF is positioned immediately above the end portion CTE of the counter substrate CT, and the end portion CTE of the counter substrate CT is higher than the end portion ODE of the second optical element OD2. Located on the side.

なお、導電層CDFのX−Y平面内でのサイズが対向基板CTのX−Y平面内でのサイズよりも小さい場合もあり得る。この場合には、導電層CDFの端部CDFEは、対向基板CTの端部CTEよりもアクティブエリアACT側に位置し、且つ、第2光学素子OD2の端部ODEよりも対向基板CTの端部CTE側に位置する。   Note that the size of the conductive layer CDF in the XY plane may be smaller than the size of the counter substrate CT in the XY plane. In this case, the end portion CDFE of the conductive layer CDF is located on the active area ACT side with respect to the end portion CTE of the counter substrate CT, and is the end portion of the counter substrate CT with respect to the end portion ODE of the second optical element OD2. Located on the CTE side.

導電層CDFのうち、第2光学素子OD2から露出した部分は、接続部材PSTによりパッドPDと電気的に接続されている。   A portion of the conductive layer CDF exposed from the second optical element OD2 is electrically connected to the pad PD by the connection member PST.

図7は、図6に示した液晶表示パネルLPNのパッドPDを含む断面を概略的に示す断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a cross section including the pad PD of the liquid crystal display panel LPN shown in FIG.

対向基板CTを構成する第2絶縁基板30の外面30Bにおいては、アクティブエリアACTの全体に亘って導電層CDFが形成されている。このような導電層CDFを形成するための材料については図5を参照しながら説明したとおりである。第2光学素子OD2は、導電層CDFに接着されている。なお、第2光学素子OD2を導電層CDFに接着するための接着剤の図示は省略している。   On the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 constituting the counter substrate CT, the conductive layer CDF is formed over the entire active area ACT. The material for forming such a conductive layer CDF is as described with reference to FIG. The second optical element OD2 is bonded to the conductive layer CDF. In addition, illustration of the adhesive agent for adhere | attaching 2nd optical element OD2 on the conductive layer CDF is abbreviate | omitted.

アクティブエリアACTの外側において、導電層CDFは、第2光学素子OD2から露出している。このように第2光学素子OD2から露出した導電層CDFとパッドPDとは、接続部材PSTによって接続されている。   Outside the active area ACT, the conductive layer CDF is exposed from the second optical element OD2. Thus, the conductive layer CDF exposed from the second optical element OD2 and the pad PD are connected by the connection member PST.

このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。   Also in such a configuration example, the same effect as the above configuration example can be obtained.

以上説明したように、本実施形態によれば、タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供することができる。   As described above, according to this embodiment, it is possible to provide a liquid crystal display device having both a touch sensing function and a shielding function against an external electric field.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   In addition, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

LPN…液晶表示パネル AR…アレイ基板 CT…対向基板
ACT…アクティブエリア PX…画素
PE…画素電極 PSL…スリット
CE…共通電極
LQ…液晶層
OD1…第1光学素子 OD2…第2光学素子
PD…パッド PST…接続部材
CDF…導電層
LPN ... Liquid crystal display panel AR ... Array substrate CT ... Counter substrate ACT ... Active area PX ... Pixel PE ... Pixel electrode PSL ... Slit CE ... Common electrode LQ ... Liquid crystal layer OD1 ... First optical element OD2 ... Second optical element PD ... Pad PST ... Connection member CDF ... Conductive layer

Claims (6)

画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第1基板と、
絶縁基板を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、
前記絶縁基板上において前記アクティブエリアに配置された偏光板を含む光学素子と、
前記光学素子上において前記アクティブエリアに配置された導電層と、
前記第2基板の端部よりも外方に延在した前記第1基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、
前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
In an active area for displaying an image, a common electrode formed over a plurality of pixels, an insulating film covering the common electrode, and formed on each pixel on the insulating film so as to face the common electrode and form a slit A first substrate comprising a pixel electrode and a capacitance touch sensing wiring;
A second substrate comprising an insulating substrate;
A liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate;
An optical element including a polarizing plate disposed in the active area on the insulating substrate;
A conductive layer disposed in the active area on the optical element;
A ground potential pad formed on the extending portion of the first substrate extending outward from the end portion of the second substrate;
A connection member that electrically connects the conductive layer exposed from the optical element and the pad;
A liquid crystal display device comprising:
前記導電層の端部は、前記光学素子の端部の直上もしくは前記光学素子の端部よりも前記アクティブエリア側に位置し、且つ、前記第2基板の端部よりも前記アクティブエリア側に位置することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The end portion of the conductive layer is located immediately above the end portion of the optical element or closer to the active area side than the end portion of the optical element, and closer to the active area side than the end portion of the second substrate. The liquid crystal display device according to claim 1. 画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第1基板と、
絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第1基板と対向する内面とは反対側の外面において前記アクティブエリアに配置された導電層と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、
前記導電層上において前記アクティブエリアに配置されるとともに前記導電層の一部を露出し、偏光板を含む光学素子と、
前記第2基板の端部よりも外方に延在した前記第1基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、
前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
In an active area for displaying an image, a common electrode formed over a plurality of pixels, an insulating film covering the common electrode, and formed on each pixel on the insulating film so as to face the common electrode and form a slit A first substrate comprising a pixel electrode and a capacitance touch sensing wiring;
A second substrate comprising: an insulating substrate; and a conductive layer disposed in the active area on an outer surface of the insulating substrate opposite to the inner surface facing the first substrate;
A liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate;
An optical element disposed on the conductive layer in the active area and exposing a part of the conductive layer, including a polarizing plate;
A ground potential pad formed on the extending portion of the first substrate extending outward from the end portion of the second substrate;
A connection member that electrically connects the conductive layer exposed from the optical element and the pad;
A liquid crystal display device comprising:
前記導電層の端部は、前記第2基板の端部の直上もしくは前記第2基板の端部よりも前記アクティブエリア側に位置し、且つ、前記光学素子の端部よりも前記第2基板の端部側に位置することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。   The end portion of the conductive layer is located immediately above the end portion of the second substrate or closer to the active area than the end portion of the second substrate, and more than the end portion of the optical element. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the liquid crystal display device is located on an end side. 前記導電層は、透明な導電材料によって形成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive layer is formed of a transparent conductive material. 前記導電層の表面抵抗値は、700MΩ/□以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a surface resistance value of the conductive layer is 700 MΩ / □ or less.
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