JP2012244324A - High frequency device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency device that can monitor a high frequency signal transmitted through a transmission line and that is advantageous in downsizing.SOLUTION: A high frequency device includes: a transmission line for transmitting a high frequency signal; a chip inductor close to the transmission line so as to be electromagnetically coupled with the transmission line; and a monitor port connected to one end of the chip inductor.

Description

本発明は、例えば携帯電話の高周波信号を伝送する高周波装置に関する。   The present invention relates to a high-frequency device that transmits a high-frequency signal of, for example, a mobile phone.

特許文献１には、高周波信号を伝送する伝送線路、及びこれに電磁結合した副伝送線路を有する高周波装置が開示されている。副伝送線路は、伝送線路を伝送する高周波信号をモニタするために設けられている。   Patent Document 1 discloses a high-frequency device having a transmission line for transmitting a high-frequency signal and a sub-transmission line electromagnetically coupled thereto. The sub transmission line is provided to monitor a high frequency signal transmitted through the transmission line.

特開平８−３０７１１７号公報JP-A-8-307117

伝送線路を伝送する高周波信号をモニタするためには、伝送線路と副伝送線路を長くして副伝送線路を伝送線路に十分に電磁結合させる必要がある。ところが、伝送線路と副伝送線路を長くすると高周波装置が大型化してしまう。   In order to monitor a high-frequency signal transmitted through the transmission line, it is necessary to lengthen the transmission line and the sub-transmission line so that the sub-transmission line is sufficiently electromagnetically coupled to the transmission line. However, if the transmission line and the sub-transmission line are lengthened, the high-frequency device becomes large.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、伝送線路を伝送する高周波信号をモニタでき、かつ小型化に有利な高周波装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a high-frequency device that can monitor a high-frequency signal transmitted through a transmission line and is advantageous for downsizing.

本願の発明に係る高周波装置は、高周波信号を伝送する伝送線路と、該伝送線路と電磁結合するように近接したチップインダクタと、該チップインダクタの一端と接続されたモニタポートと、を備えたことを特徴とする。   The high-frequency device according to the present invention includes a transmission line for transmitting a high-frequency signal, a chip inductor close to the transmission line so as to be electromagnetically coupled, and a monitor port connected to one end of the chip inductor. It is characterized by.

本願の発明に係る他の高周波装置は、高周波信号を伝送する第１伝送線路と、該高周波信号を伝送する第２伝送線路と、一端が該第１伝送線路と接続され、他端が該第２伝送線路と接続され、該第１伝送線路から該第２伝送線路へ該高周波信号を伝送するチップインダクタと、該チップインダクタと電磁結合するように近接したモニタ用伝送線路と、該モニタ用伝送線路の一端と接続されたモニタポートと、を備えたことを特徴とする。   Another high-frequency device according to the present invention includes a first transmission line that transmits a high-frequency signal, a second transmission line that transmits the high-frequency signal, one end connected to the first transmission line, and the other end connected to the first transmission line. A chip inductor connected to two transmission lines and transmitting the high-frequency signal from the first transmission line to the second transmission line; a monitor transmission line close to the chip inductor so as to be electromagnetically coupled; and the monitor transmission And a monitor port connected to one end of the track.

本発明によれば、チップインダクタを用いて伝送線路の高周波信号をモニタするので、伝送線路の高周波信号をモニタ可能としつつ、小型化に有利な高周波装置を提供できる。   According to the present invention, since the high-frequency signal of the transmission line is monitored using the chip inductor, it is possible to provide a high-frequency device advantageous for downsizing while allowing the high-frequency signal of the transmission line to be monitored.

本発明の実施の形態１に係る高周波装置を示す図である。It is a figure which shows the high frequency apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。1 is a perspective view of a stripline and a film type chip inductor according to a first embodiment of the present invention. フィルム型チップインダクタの底面図である。It is a bottom view of a film type chip inductor. 本発明の実施の形態２に係る高周波装置を示す図である。It is a figure which shows the high frequency apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. ソルダーレジストの上にフィルム型チップインダクタを形成することを示す図である。It is a figure which shows forming a film type chip inductor on a soldering resist. 本発明の実施の形態２に係る高周波装置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the high frequency device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３に係る高周波装置を示す図である。It is a figure which shows the high frequency apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態３に係る高周波装置のカプラ回路の底面図である。It is a bottom view of the coupler circuit of the high frequency device concerning Embodiment 3 of the present invention. 本発明の実施の形態４に係る高周波装置を示す図である。It is a figure which shows the high frequency apparatus which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態４に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。It is a perspective view of the stripline and film type chip inductor which concern on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態４に係る高周波装置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the high frequency device which concerns on Embodiment 4 of this invention.

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波装置を示す図である。高周波装置１０は、ＲＦ入力ポート１２を備えている。ＲＦ入力ポート１２には増幅器１４が接続されている。増幅器１４はＲＦ入力ポートから入力された高周波信号を増幅して出力するものである。増幅器１４の出力にはストリップライン１６の一端が接続されている。ストリップライン１６の他端にはＲＦ出力ポート１８が接続されている。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a high-frequency device according to Embodiment 1 of the present invention. The high frequency device 10 includes an RF input port 12. An amplifier 14 is connected to the RF input port 12. The amplifier 14 amplifies and outputs a high frequency signal input from the RF input port. One end of a strip line 16 is connected to the output of the amplifier 14. An RF output port 18 is connected to the other end of the strip line 16.

高周波装置１０はフィルム型チップインダクタ２０を備えている。フィルム型チップインダクタ２０は電極２０ａと電極２０ｂを備えている。電極２０ａはランド２２に固定され、電極２０ｂはランド２６に固定されている。これらの固定には例えばはんだを用いる。ランド２２とランド２６は導電性材料で形成されている。フィルム型チップインダクタ２０は、ストリップライン１６と電磁結合するようにこれと近接している。図１から分かるように、フィルム型チップインダクタ２０はストリップライン１６と交差している。フィルム型チップインダクタ２０とストリップライン１６は接触していない。   The high frequency device 10 includes a film type chip inductor 20. The film type chip inductor 20 includes an electrode 20a and an electrode 20b. The electrode 20 a is fixed to the land 22, and the electrode 20 b is fixed to the land 26. For example, solder is used for these fixations. Land 22 and land 26 are formed of a conductive material. The film type chip inductor 20 is close to the strip line 16 so as to be electromagnetically coupled. As can be seen from FIG. 1, the film type chip inductor 20 intersects the strip line 16. The film type chip inductor 20 and the strip line 16 are not in contact with each other.

ランド２２には、モニタポート２４が接続されている。ランド２６は、終端抵抗２８を介して接地されている。フィルム型チップインダクタ２０、ランド２２及び２６、モニタポート２４、並びに終端抵抗２８はカプラ回路を形成している。   A monitor port 24 is connected to the land 22. The land 26 is grounded via a termination resistor 28. The film type chip inductor 20, lands 22 and 26, monitor port 24, and termination resistor 28 form a coupler circuit.

図２は、本発明の実施の形態１に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。フィルム型チップインダクタ２０の底面は、ストリップライン１６に最近接している。ランド２２及び２６は、ストリップライン１６より厚く形成されており、フィルム型チップインダクタ２０の底面がストリップライン１６と離間できるようになっている。   FIG. 2 is a perspective view of the stripline and the film type chip inductor according to Embodiment 1 of the present invention. The bottom surface of the film type chip inductor 20 is closest to the strip line 16. The lands 22 and 26 are formed thicker than the strip line 16, and the bottom surface of the film type chip inductor 20 can be separated from the strip line 16.

図３は、フィルム型チップインダクタの底面図である。フィルム型チップインダクタ２０の底面にはスパイラル状のコイルパターン２０ｃが形成されている。フィルム型チップインダクタ２０のコイルパターン２０ｃが形成された面（底面）がストリップライン１６と対向している。   FIG. 3 is a bottom view of the film type chip inductor. A spiral coil pattern 20 c is formed on the bottom surface of the film type chip inductor 20. The surface (bottom surface) on which the coil pattern 20 c of the film type chip inductor 20 is formed is opposed to the strip line 16.

次に高周波装置１０の動作について説明する。ＲＦ入力ポート１２に高周波信号の入力があると、増幅器１４で当該高周波信号が増幅される。増幅器１４で増幅された高周波信号はストリップライン１６を伝送し、ＲＦ出力ポート１８へ至る。ここで、ストリップライン１６とフィルム型チップインダクタ２０は電磁結合しているので、ストリップライン１６の高周波信号の一部はフィルム型チップインダクタ２０に取り出される。フィルム型チップインダクタ２０で取り出された電力をモニタポート２４に接続された外部機器でモニタする。   Next, the operation of the high frequency device 10 will be described. When a high-frequency signal is input to the RF input port 12, the amplifier 14 amplifies the high-frequency signal. The high frequency signal amplified by the amplifier 14 is transmitted through the strip line 16 to the RF output port 18. Here, since the strip line 16 and the film type chip inductor 20 are electromagnetically coupled, a part of the high frequency signal of the strip line 16 is taken out by the film type chip inductor 20. The power taken out by the film type chip inductor 20 is monitored by an external device connected to the monitor port 24.

本発明の実施の形態１に係る高周波装置１０によれば、ストリップライン１６と電磁結合したフィルム型チップインダクタ２０を用いて、ストリップライン１６の高周波信号をモニタすることができる。ストリップライン１６の高周波信号は増幅器１４の出力信号であるので、増幅器１４の出力をモニタできる。   According to the high frequency device 10 according to the first embodiment of the present invention, the high frequency signal of the strip line 16 can be monitored using the film type chip inductor 20 electromagnetically coupled to the strip line 16. Since the high-frequency signal on the strip line 16 is the output signal of the amplifier 14, the output of the amplifier 14 can be monitored.

また、フィルム型チップインダクタ２０のコイルパターン２０ｃをストリップライン１６と対向させて両者を近接させるので、フィルム型チップインダクタ２０をストリップライン１６に十分に電磁結合させることができる。そのため、ストリップライン１６の高周波信号をモニタすることができる。さらに、カップリング回路の部品としてフィルム型チップインダクタ２０を用いているので小型化に有利な高周波装置を提供できる。   In addition, since the coil pattern 20c of the film type chip inductor 20 is opposed to the strip line 16 so as to be close to each other, the film type chip inductor 20 can be sufficiently electromagnetically coupled to the strip line 16. Therefore, the high frequency signal of the strip line 16 can be monitored. Furthermore, since the film type chip inductor 20 is used as a component of the coupling circuit, a high frequency device advantageous for miniaturization can be provided.

増幅器１４の出力を伝送する線路はストリップライン１６としたが、高周波を伝送する伝送線路を用いる限りにおいて特に限定されない。例えば、ガラスエポキシ基板上のプリントパターン（マイクロストリップライン）で伝送線路を形成してもよい。また、増幅器１４の出力以外の出力を伝送線路に伝送してもよい。   Although the line for transmitting the output of the amplifier 14 is the strip line 16, it is not particularly limited as long as a transmission line for transmitting a high frequency is used. For example, the transmission line may be formed by a printed pattern (microstrip line) on a glass epoxy substrate. Moreover, you may transmit outputs other than the output of the amplifier 14 to a transmission line.

ストリップライン１６と電磁結合する要素をフィルム型チップインダクタ２０としたが、チップインダクタである限り高周波装置の小型化をなし得る。例えば、巻線型、又は積層型などのチップインダクタを用いても良い。   Although the element that electromagnetically couples to the stripline 16 is the film-type chip inductor 20, the high-frequency device can be downsized as long as it is a chip inductor. For example, a wound type or multilayer type chip inductor may be used.

フィルム型チップインダクタ２０は、ストリップライン１６と交差するように設けたが、ストリップライン１６と十分に電磁結合できれば交差して設けなくてもよい。また、十分な電磁結合を得るために、フィルム型チップインダクタ２０とストリップライン１６を接触させてもよい。   Although the film type chip inductor 20 is provided so as to intersect with the strip line 16, it may not be provided so as to intersect with the strip line 16 as long as it can be sufficiently electromagnetically coupled. In order to obtain sufficient electromagnetic coupling, the film type chip inductor 20 and the strip line 16 may be brought into contact with each other.

実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係る高周波装置を示す図である。既に説明した構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。今後の実施の形態についても同様である。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a high-frequency device according to Embodiment 2 of the present invention. Constituent elements already described are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The same applies to future embodiments.

本発明の実施の形態２に係る高周波装置は、ストリップライン１６上に形成されたソルダーレジスト４０を備えている。ソルダーレジスト４０はストリップライン１６にはんだが付着することを防止し、かつストリップライン１６を異物などから保護するものである。フィルム型チップインダクタ２０はソルダーレジスト４０と重なるように形成されている。   The high frequency device according to the second embodiment of the present invention includes a solder resist 40 formed on the strip line 16. The solder resist 40 prevents the solder from adhering to the strip line 16 and protects the strip line 16 from foreign matters. The film type chip inductor 20 is formed so as to overlap with the solder resist 40.

図５は、ソルダーレジストの上にフィルム型チップインダクタ２０を形成することを示す図である。電極２０ａはランド２２にはんだ付けされ、電極２０ｂはランド２６にはんだ付けされる。このはんだ付けにより、ソルダーレジスト４０とフィルム型チップインダクタ２０を接触させる。   FIG. 5 is a diagram showing that the film type chip inductor 20 is formed on the solder resist. The electrode 20 a is soldered to the land 22, and the electrode 20 b is soldered to the land 26. By this soldering, the solder resist 40 and the film type chip inductor 20 are brought into contact with each other.

本発明の実施の形態２に係る高周波装置によれば、ストリップライン１６とフィルム型チップインダクタ２０との距離はソルダーレジスト４０の膜厚で規定される。よって、ソルダーレジスト４０の膜厚を調整することにより所望の電磁結合を実現できる。また、ソルダーレジスト４０がストリップライン１６の一部を覆っているので、はんだによるストリップライン１６とランド２２又は２６の導通を回避できる。   In the high frequency device according to the second embodiment of the present invention, the distance between the strip line 16 and the film type chip inductor 20 is defined by the film thickness of the solder resist 40. Therefore, desired electromagnetic coupling can be realized by adjusting the film thickness of the solder resist 40. Further, since the solder resist 40 covers a part of the strip line 16, conduction between the strip line 16 and the land 22 or 26 by solder can be avoided.

なお、フィルム型チップインダクタ２０はソルダーレジスト４０と接触することとしたが、両者を離間させてもよい。   Although the film type chip inductor 20 is in contact with the solder resist 40, they may be separated from each other.

ストリップライン１６の上にソルダーレジスト４０を形成したが、ストリップライン１６上に非導電性の保護膜を形成する限りこれに限定されない。例えば、ストリップライン１６上にオーバーガラス（オーバーガラスコート）を形成してもよい。   Although the solder resist 40 is formed on the strip line 16, the present invention is not limited to this as long as a non-conductive protective film is formed on the strip line 16. For example, an over glass (over glass coat) may be formed on the strip line 16.

図６は、本発明の実施の形態２に係る高周波装置の変形例を示す図である。この高周波装置は、ランド５０及び５２の厚みをストリップライン１６の厚みよりも厚くすることでフィルム型チップインダクタ２０のストリップライン１６に対する電磁結合を最適化したものである。ランド５０及び５２の厚みを調整することで、容易に電磁結合の結合量を最適化できる。なお、本発明の実施の形態２に係る高周波装置は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。   FIG. 6 is a diagram showing a modification of the high-frequency device according to Embodiment 2 of the present invention. In this high-frequency device, the lands 50 and 52 are made thicker than the stripline 16 so that the electromagnetic coupling of the film type chip inductor 20 to the stripline 16 is optimized. By adjusting the thickness of the lands 50 and 52, the amount of electromagnetic coupling can be easily optimized. Note that the high-frequency device according to Embodiment 2 of the present invention can be modified at least as much as in Embodiment 1.

実施の形態３．
図７は、本発明の実施の形態３に係る高周波装置を示す図である。本発明の実施の形態３に係る高周波装置は、ストリップライン１６と交差するように設けられたフィルム型チップインダクタ６０を備えている。フィルム型チップインダクタ６０の一端には電極６０ａが形成され、他端には電極６０ｂが形成されている。電極６０ａはランド６４に固定され、電極６０ｂはランド６６に固定されている。これらの固定には例えばはんだを用いる。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 7 is a diagram showing a high-frequency device according to Embodiment 3 of the present invention. The high-frequency device according to Embodiment 3 of the present invention includes a film-type chip inductor 60 provided so as to intersect with the stripline 16. An electrode 60a is formed at one end of the film type chip inductor 60, and an electrode 60b is formed at the other end. The electrode 60 a is fixed to the land 64, and the electrode 60 b is fixed to the land 66. For example, solder is used for these fixations.

フィルム型チップインダクタ６０の隣にはフィルム型のサブチップインダクタ６２が形成されている。サブチップインダクタ６２は一端に電極６２ａが形成され他端に電極６２ｂが形成されている。電極６２ａはランド６８に固定され、電極６２ｂはランド６６に固定されている。これらの固定には例えばはんだを用いる。サブチップインダクタ６２の電極６２ａはランド６８を介して終端抵抗２８に接続されている。   Next to the film-type chip inductor 60, a film-type sub-chip inductor 62 is formed. The subchip inductor 62 has an electrode 62a formed at one end and an electrode 62b formed at the other end. The electrode 62 a is fixed to the land 68, and the electrode 62 b is fixed to the land 66. For example, solder is used for these fixations. The electrode 62 a of the sub chip inductor 62 is connected to the termination resistor 28 via the land 68.

すなわち、サブチップインダクタ６２の電極６２ｂは、ランド６６を介してフィルム型チップインダクタ６０の他端と接続されている。この接続によりサブチップインダクタ６２とフィルム型チップインダクタ６０とはカプラ回路に直列に接続されている。サブチップインダクタ６２は、ストリップライン１６と交差しており、これと電磁結合するように近接している。   That is, the electrode 62 b of the sub chip inductor 62 is connected to the other end of the film type chip inductor 60 through the land 66. With this connection, the sub chip inductor 62 and the film type chip inductor 60 are connected in series to the coupler circuit. The sub chip inductor 62 intersects with the strip line 16 and is close to the sub chip inductor 62 so as to be electromagnetically coupled thereto.

図８は、本発明の実施の形態３に係る高周波装置のカプラ回路の底面図である。フィルム型チップインダクタ６０はスパイラル状のコイルパターン６０ｃを備えている。サブチップインダクタ６２はスパイラル状のコイルパターン６２ｃを備えている。コイルパターン６０ｃのコイル巻数とコイルパターン６２ｃのコイル巻数は相違している。これにより、サブチップインダクタ６２は、フィルム型チップインダクタ６０のインダクタンスとは異なるインダクタンスを有している。   FIG. 8 is a bottom view of the coupler circuit of the high-frequency device according to Embodiment 3 of the present invention. The film type chip inductor 60 includes a spiral coil pattern 60c. The subchip inductor 62 includes a spiral coil pattern 62c. The number of coil turns of the coil pattern 60c is different from the number of coil turns of the coil pattern 62c. Thereby, the sub chip inductor 62 has an inductance different from that of the film type chip inductor 60.

本発明の実施の形態３に係る高周波装置によれば、インダクタンスの異なるフィルム型チップインダクタ６０とサブチップインダクタ６２がそれぞれストリップライン１６と電磁結合している。従って、フィルム型チップインダクタ６０で第１の周波数の高周波信号をモニタしつつ、サブチップインダクタ６２で第２の周波数の高周波信号をモニタできる。換言すればカプラ回路の広帯域化ができる。なお、本発明の実施の形態３に係る高周波装置は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。   According to the high frequency device according to the third embodiment of the present invention, the film type chip inductor 60 and the sub chip inductor 62 having different inductances are electromagnetically coupled to the strip line 16 respectively. Therefore, it is possible to monitor the high frequency signal of the second frequency with the sub chip inductor 62 while monitoring the high frequency signal of the first frequency with the film type chip inductor 60. In other words, the bandwidth of the coupler circuit can be increased. Note that the high-frequency device according to the third embodiment of the present invention can be modified at least as much as the first embodiment.

実施の形態４．
図９は、本発明の実施の形態４に係る高周波装置を示す図である。本発明の実施の形態４に係る高周波装置は、高周波信号を伝送する第１伝送線路７０と、高周波信号を伝送する第２伝送線路７２を備えている。フィルム型チップインダクタ８０の一端（電極８０ａ）は第１伝送線路７０と接続され、他端（電極８０ｂ）は第２伝送線路７２と接続されている。こうして、フィルム型チップインダクタ８０は、第１伝送線路７０から第２伝送線路７２へ高周波信号を伝送できるように接続されている。なお、これらの接続には例えばはんだを用いる。 Embodiment 4 FIG.
FIG. 9 is a diagram showing a high-frequency device according to Embodiment 4 of the present invention. The high-frequency device according to Embodiment 4 of the present invention includes a first transmission line 70 that transmits a high-frequency signal and a second transmission line 72 that transmits the high-frequency signal. One end (electrode 80 a) of the film-type chip inductor 80 is connected to the first transmission line 70, and the other end (electrode 80 b) is connected to the second transmission line 72. Thus, the film type chip inductor 80 is connected so as to transmit a high-frequency signal from the first transmission line 70 to the second transmission line 72. For these connections, for example, solder is used.

次に、カプラ回路について説明する。カプラ回路はモニタ用ストリップライン９０を備えている。モニタ用ストリップライン９０の一端にはモニタポート２４が接続されている。モニタ用ストリップライン９０の他端には終端抵抗２８が接続されている。モニタ用ストリップライン９０は、フィルム型チップインダクタ８０の下にこれと交差するように形成されている。これにより、モニタ用ストリップライン９０はフィルム型チップインダクタ８０と電磁結合するように近接して形成されている。   Next, the coupler circuit will be described. The coupler circuit includes a monitor strip line 90. A monitor port 24 is connected to one end of the monitor strip line 90. A terminating resistor 28 is connected to the other end of the monitor strip line 90. The monitor strip line 90 is formed under the film type chip inductor 80 so as to intersect therewith. Thus, the monitor strip line 90 is formed close to the film type chip inductor 80 so as to be electromagnetically coupled.

図１０は、本発明の実施の形態４に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。実施の形態１のフィルム型チップインダクタと同様に、フィルム型チップインダクタ８０の底面には、スパイラル状にコイルパターンが形成されている。   FIG. 10 is a perspective view of a stripline and a film type chip inductor according to Embodiment 4 of the present invention. Similar to the film type chip inductor of the first embodiment, a coil pattern is formed in a spiral shape on the bottom surface of the film type chip inductor 80.

本発明の実施の形態４に係る高周波装置によれば、モニタ用ストリップライン９０がフィルム型チップインダクタ８０と電磁結合しているので、増幅器１４の出力をモニタできる。また、フィルム型チップインダクタ８０は高周波信号（増幅器１４の出力）を伝送する回路の一部を構成しているので、整合回路の一部としても機能させることができる。   According to the high-frequency device according to the fourth embodiment of the present invention, since the monitor strip line 90 is electromagnetically coupled to the film type chip inductor 80, the output of the amplifier 14 can be monitored. In addition, since the film type chip inductor 80 constitutes a part of a circuit that transmits a high-frequency signal (output of the amplifier 14), it can also function as a part of a matching circuit.

図１１は、本発明の実施の形態４に係る高周波装置の変形例を示す図である。モニタ用ストリップライン９０の上には保護膜９２が形成されている。保護膜９２はソルダーレジストなどである。フィルム型チップインダクタ８０は保護膜９２と重なるように、これと接触して形成されている。保護膜９２の厚みを調整することでモニタ用ストリップライン９０とフィルム型チップインダクタ８０の距離を調整できる。なお、本発明の実施の形態４に係る高周波装置は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。   FIG. 11 is a diagram showing a modification of the high-frequency device according to Embodiment 4 of the present invention. A protective film 92 is formed on the monitor strip line 90. The protective film 92 is a solder resist or the like. The film-type chip inductor 80 is formed in contact with the protective film 92 so as to overlap. The distance between the monitor strip line 90 and the film type chip inductor 80 can be adjusted by adjusting the thickness of the protective film 92. Note that the high-frequency device according to Embodiment 4 of the present invention can be modified at least as much as in Embodiment 1.

１０ 高周波装置、 １２ ＲＦ入力ポート、 １４ 増幅器、 １６ ストリップライン（伝送線路）、 １８ ＲＦ出力ポート、 ２０ フィルム型チップインダクタ、 ２０ａ，２０ｂ 電極、 ２２，２６ ランド、 ２４ モニタポート、 ２８ 終端抵抗   10 RF device, 12 RF input port, 14 amplifier, 16 strip line (transmission line), 18 RF output port, 20 film type chip inductor, 20a, 20b electrode, 22, 26 lands, 24 monitor port, 28 termination resistor

Claims (7)

高周波信号を伝送する伝送線路と、
前記伝送線路と電磁結合するように近接したチップインダクタと、
前記チップインダクタの一端と接続されたモニタポートと、を備えたことを特徴とする高周波装置。 A transmission line for transmitting high-frequency signals;
A chip inductor in close proximity to be electromagnetically coupled to the transmission line;
And a monitor port connected to one end of the chip inductor. 前記チップインダクタは、スパイラル状に形成されたコイルパターンを有するフィルム型チップインダクタで形成され、
前記フィルム型チップインダクタの前記コイルパターンが形成された面は、前記伝送線路と対向することを特徴とする請求項１に記載の高周波装置。 The chip inductor is formed of a film type chip inductor having a coil pattern formed in a spiral shape,
The high-frequency device according to claim 1, wherein a surface of the film-type chip inductor on which the coil pattern is formed is opposed to the transmission line. 前記伝送線路上に形成された非導電性の保護膜を備え、
前記チップインダクタは、前記保護膜と重なるように形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波装置。 Comprising a non-conductive protective film formed on the transmission line;
The high-frequency device according to claim 1, wherein the chip inductor is formed so as to overlap the protective film. 前記チップインダクタの他端と接続され、かつ前記伝送線路と電磁結合するように近接した、前記チップインダクタのインダクタンスとは異なるインダクタンスであるサブチップインダクタを備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波装置。   4. A sub-chip inductor that is connected to the other end of the chip inductor and is close to the transmission line so as to be electromagnetically coupled, and having an inductance different from the inductance of the chip inductor. The high frequency device according to any one of the above. 高周波信号を伝送する第１伝送線路と、
前記高周波信号を伝送する第２伝送線路と、
一端が前記第１伝送線路と接続され、他端が前記第２伝送線路と接続され、前記第１伝送線路から前記第２伝送線路へ前記高周波信号を伝送するチップインダクタと、
前記チップインダクタと電磁結合するように近接したモニタ用伝送線路と、
前記モニタ用伝送線路の一端と接続されたモニタポートと、を備えたことを特徴とする高周波装置。 A first transmission line for transmitting a high-frequency signal;
A second transmission line for transmitting the high-frequency signal;
A chip inductor having one end connected to the first transmission line, the other end connected to the second transmission line, and transmitting the high-frequency signal from the first transmission line to the second transmission line;
A monitor transmission line close to the chip inductor so as to be electromagnetically coupled;
A high-frequency device comprising: a monitor port connected to one end of the monitor transmission line. 前記チップインダクタは、スパイラル状に形成されたコイルパターンを有するフィルム型チップインダクタで形成され、
前記フィルム型チップインダクタの前記コイルパターンが形成された面は、前記モニタ用伝送線路と対向することを特徴とする請求項５に記載の高周波装置。 The chip inductor is formed of a film type chip inductor having a coil pattern formed in a spiral shape,
6. The high frequency device according to claim 5, wherein a surface of the film type chip inductor on which the coil pattern is formed is opposed to the monitor transmission line. 前記モニタ用伝送線路上に形成された非導電性の保護膜を備え、
前記チップインダクタは、前記保護膜と重なるように形成されたことを特徴とする請求項５又は６に記載の高周波装置。 A non-conductive protective film formed on the monitor transmission line;
The high-frequency device according to claim 5, wherein the chip inductor is formed so as to overlap the protective film.
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