KR20130033159A - Cmos power amplifier using power combiner - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) power amplifier using a power combiner is provided to reduce manufacturing costs while miniaturizing a power amplifier and satisfying an RF characteristic. CONSTITUTION: A CMOS power amplifier using a power combiner includes a signal amplifying unit(100) and a power combining unit(400). The signal amplifying unit amplifies an inputted radio frequency signal. The power combiner is combined to an output signal for transmitting an amplified signal to a load and is formed by a first coil(210) formed at an integrated circuit element and a second coil(310) formed at a printed circuit board. The signal amplifying unit and the integrated circuit element are formed on a base substrate.

Description

전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기{CMOS POWER AMPLIFIER USING POWER COMBINER}CMOS POWER AMPLIFIER USING POWER COMBINER

본 발명은 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 집적 수동 소자와 PCB를 사용하여 전력 증폭기의 모듈 사이즈를 축소할 수 있도록 형성된 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기에 관한 것이다.
The present invention relates to a CMOS power amplifier using a power combiner, and more particularly, to a CMOS power amplifier using a power combiner formed to reduce the module size of the power amplifier using an integrated passive device and a PCB.

일반적으로 이동 통신 단말기와 같은 무선 통신 시스템에서 무선으로 신호를 송수신하기 위해 전력 증폭기가 사용된다. In general, a power amplifier is used to transmit and receive a signal wirelessly in a wireless communication system such as a mobile communication terminal.

여기서, 전력 증폭기란 미세한 신호를 일그러짐이 적고 효율적으로 큰 신호로 증폭하여 안테나를 통해 부하에 공급하는 장치로서, 무선전송을 위해 병렬 신호 증폭기의 출력 신호를 하나의 고전력 RF출력 신호에 결합하는 전력 결합기(Power combiner)를 포함한다. Here, the power amplifier is a device that amplifies minute signals into large signals with low distortion and efficiently, and supplies them to the load through an antenna. The power combiner combines the output signal of the parallel signal amplifier into one high power RF output signal for wireless transmission. (Power combiner).

이러한 전력 증폭기는 신호 증폭기에 의해 신호가 증폭되고, 증폭된 신호가 전력 결합기에 의해 출력 신호에 결합되어 전송을 위한 결합 증폭 신호를 생성한다. 이때, 회로 구조 및 이용된 신호 형태에 따라, 결합기의 입력 신호들의 분리 달성과 전력 손실 감소(Reducing power loss) 사이에 절충(trade off)을 행하는 것이 필요하다. Such a power amplifier is amplified by a signal amplifier, and the amplified signal is coupled to the output signal by a power combiner to produce a combined amplified signal for transmission. It is then necessary to trade off between achieving separation of the input signals of the combiner and reducing power loss, depending on the circuit structure and the type of signal used.

상기와 같은 전력 증폭기는 특수 반도체인 갈륨-아세나이드(GaAs) 공정에서 범용적인 씨모스(CMOS) 공정으로 설계한 씨모스 전력 증폭기로 형성될 수 있는데, 상기와 같은 씨모스 전력 증폭기는 대량 생산이 가능하므로 원가가 저렴해지고 기능이 다양한 장점이 있다. Such a power amplifier may be formed of a CMOS power amplifier designed by a general CMOS process in a gallium-arsenide (GaAs) process, which is a special semiconductor. This makes the cost cheaper and has a variety of features.

그러나, 상기와 같은 씨모스 전력 증폭기를 집적하는 것에는 매우 많은 어려움이 있다. 특히, 전력 결합기는 충분한 인덕턴스의 확보를 위하여 넓은 면적이 요구된다. However, there are many difficulties in integrating such CMOS power amplifiers. In particular, the power combiner requires a large area to ensure sufficient inductance.

종래의 전력 결합기는 1차 및 2차 코일을 동일한 평면상에서 구현하는데, 1차 및 2차 코일을 동일한 평면상에서 구현할 경우, 결합 계수가 작아지는 문제점이 있으며, 결합 계수가 작아질수록 전력 전송 효율이 낮아지는 문제점이 있다. The conventional power combiner implements the primary and secondary coils on the same plane, but when the primary and secondary coils are implemented on the same plane, there is a problem in that the coupling coefficient is small. There is a problem of being lowered.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 인쇄회로기판(PCB)을 이용한 전력 결합기가 제안 되었다. 인쇄회로기판을 이용한 전력 결합기는 복층으로 형성된 적어도 2개 이상의 유전체층에 일부에 나선형상의 도전성 패턴이 형성되어 서로 연결되도록 구성된 것이다. 그러나, 인쇄회로기판을 이용한 전력 결합기의 경우 각각의 유전체층 에 형성될 수 있는 권선사이즈의 제약으로 인하여 충분한 인덕턴스 확보가 어려운 구조로써, 커플링량이 작아서 출력전력 열화가 발생하는 문제가 있다.
In order to solve this problem, a power combiner using a printed circuit board (PCB) has been proposed. A power combiner using a printed circuit board is configured such that a spiral conductive pattern is formed on at least two dielectric layers formed in a plurality of layers and connected to each other. However, in the case of a power combiner using a printed circuit board, it is difficult to secure sufficient inductance due to the limitation of the winding size that can be formed in each dielectric layer, and there is a problem in that output power is deteriorated due to a small coupling amount.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 본 발명은 전력 결합기의 1차 및 2차 코일의 구조를 개선하여 1차 및 2차 코일을 각각 집적 수동 소자 및 인쇄회로기판에 형성함으로써, 소형화 및 RF특성을 만족할 수 있는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 제공함에 있다.
The present invention proposed to solve the above problems by improving the structure of the primary and secondary coils of the power combiner to form the primary and secondary coils in the integrated passive element and the printed circuit board, respectively, miniaturization and RF characteristics To provide a CMOS power amplifier using a power combiner that can satisfy the.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기는 입력되는 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하는 신호 증폭부 및 증폭된 신호를 부하에 전달하기 위한 출력 신호에 결합하며, 집적 회로 소자에 형성된 제1차 코일과, 인쇄회로기판에 형성된 제2차 코일로 형성된 전력 결합기를 포함하는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 제공한다. CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a signal amplifier for amplifying the input radio frequency (RF) signal and to the output signal for transmitting the amplified signal to the load The present invention provides a CMOS power amplifier using a power combiner, the power combiner including a primary coil formed in the integrated circuit device and a secondary coil formed in the printed circuit board.

여기서, 상기 신호 증폭부 및 집적 회로 소자는 베이스기판에 형성될 수 있다. The signal amplifier and the integrated circuit device may be formed on a base substrate.

또한, 상기 베이스기판과 인쇄회로기판은 제1차 코일과 제2차 코일이 대응되도록 상하로 적층되도록 형성될 수 있다. In addition, the base substrate and the printed circuit board may be formed to be stacked up and down so that the primary coil and the secondary coil correspond.

그리고 상기 베이스기판과 인쇄회로기판은 연결부를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. The base substrate and the printed circuit board may be electrically connected through a connection part.

이때, 상기 연결부는 와이어 또는 솔더 범프 중 하나로 형성될 수 있다. In this case, the connection part may be formed of one of a wire or a solder bump.

한편, 상기 제1차 코일과 제2차 코일은 서로 이격되어 전자기 유도를 통해 결합될 수 있다. Meanwhile, the primary coil and the secondary coil may be spaced apart from each other and coupled through electromagnetic induction.

여기서, 상기 전력 증폭부는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 공정을 이용하여 형성되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
Here, the power amplifier unit CMOS power amplifier using a power combiner is formed using a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 전력 결합기를 이용한 전력 증폭기는 전력 결합기의 1차 및 2차 코일을 집적 수동 소자 및 인쇄회로기판에 대응되도록 형성함으로써, 전력 증폭기의 소형화 및 RF특성을 만족시키면서 생산 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
As described above, the power amplifier using the power combiner according to the embodiment of the present invention forms the primary and secondary coils of the power combiner to correspond to the integrated passive element and the printed circuit board, thereby satisfying the miniaturization and RF characteristics of the power amplifier. While reducing the production cost is effective.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 도시한 회로도.1 is a schematic diagram illustrating a CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram illustrating a CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하기로 한다. 그러나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, this is merely an example and the present invention is not limited thereto.

본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 후술 되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. Terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, and may be changed according to intentions or customs of users or operators. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 도시한 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 도시한 단면도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 도시한 회로도이다. 1 is a schematic diagram showing a CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing a CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention, Figure 3 Is a circuit diagram illustrating a CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기에 있어서, 제1차 코일 및 제2차 코일을 각각 집적 수동 소자 및 인쇄회로기판에 형성하여 전자기 유도를 통해 결합함으로써, 소형화 및 RF 성능을 만족하면서 제조 원가를 절감할 수 있는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기에 대한 것이다. In the CMOS power amplifier using a power combiner, the primary coil and the secondary coil are formed on the integrated passive element and the printed circuit board, respectively, and coupled through electromagnetic induction, thereby miniaturizing and manufacturing the RF performance. It is a CMOS power amplifier using a power combiner that can reduce cost.

구체적으로 도면을 참고하여 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기를 설명하면, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기는 입력되는 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하는 신호 증폭부(100) 및 증폭된 신호를 부하에 전달하기 위한 출력 신호에 결합하며, 집적 회로 소자(200)에 형성된 제1차 코일(210)과, 인쇄회로기판(300)에 형성된 제2차 코일(310)로 형성된 전력 결합부(400)를 포함한다. Specifically, referring to the CMOS power amplifier using a power combiner, as shown in Figures 1 and 2, the CMOS power amplifier using a power combiner according to an embodiment of the present invention is a radio frequency (RF) The first amplifier 210 and the printed circuit board 300 are coupled to the signal amplification unit 100 for amplifying a signal and an output signal for transferring the amplified signal to a load, and formed in the integrated circuit device 200. It includes a power coupling unit 400 formed of the secondary coil 310 formed in.

여기서 신호 증폭부(100)는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS : Complementary Metal-Oxide Semiconductor)로 형성되는 것이 바람직하다. The signal amplifier 100 is preferably formed of a complementary metal oxide semiconductor (CMOS).

또한, 상기 전력 결합부(400)는 상기 신호 증폭부(100)에 의해 증폭된 신호를 출력 신호와 결합하는 것으로 집적 회로 소자(200)에 형성된 제1차 코일(210)과, 인쇄회로기판(300)에 형성된 제2차 코일(310)로 형성될 수 있다. In addition, the power combiner 400 combines the signal amplified by the signal amplifier 100 with an output signal to form a primary coil 210 formed on the integrated circuit device 200 and a printed circuit board ( It may be formed of a secondary coil 310 formed in 300.

여기서, 상기 집적 회로 소자(200)는 베이스 기판(120)의 하부면에 형성되고, 신호 증폭부(100)에서 증폭된 신호를 전송 받을 수 있도록 전기적으로 연결될 수 있다. Here, the integrated circuit device 200 may be formed on the lower surface of the base substrate 120 and may be electrically connected to receive the amplified signal from the signal amplifier 100.

또한, 하나의 베이스 기판(120)에 신호 증폭부(100) 및 집적 회로 소자(200)가 형성될 수 있다. In addition, the signal amplifier 100 and the integrated circuit device 200 may be formed on one base substrate 120.

이때, 베이스 기판(120)은 저저항 실리콘 기판, 금속층과 같은 저임피던스 기판, 세라믹 기판 중 하나로 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the base substrate 120 is preferably formed of one of a low resistance silicon substrate, a low impedance substrate such as a metal layer, and a ceramic substrate.

아울러, 상기 전력 결합부(400)의 제2차 코일(310)은 집적 회로 소자(200)에 형성된 제1차 코일(210)에 대응되도록 인쇄회로기판(300)의 탑층에 형성될 수 있다. In addition, the secondary coil 310 of the power coupling unit 400 may be formed on the top layer of the printed circuit board 300 to correspond to the primary coil 210 formed in the integrated circuit device 200.

즉, 상기 베이스 기판(120)과 인쇄회로기판(300)은 제1차 코일(210)과 제2차 코일(310)이 일정간격 이격되도록 상하로 적층되어 연결부(500)에 의해 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있으며, 이격된 공간에 채워지는 언더필(Under fill)용 유전체에 따라서 커플링양이 결정되므로 사이즈 축소 및 원가 절감의 효과를 얻을 수 있다.That is, the base substrate 120 and the printed circuit board 300 are stacked up and down so that the primary coil 210 and the secondary coil 310 are spaced apart by a predetermined interval so that they are electrically connected by the connection unit 500. Coupling amount can be formed and the coupling amount is determined according to the underfill dielectric to be filled in the space, thereby reducing the size and reducing the cost.

이때, 상기 베이스 기판(120)과 인쇄회로기판(300)을 전기적으로 연결하는 연결부(500)는 와이어 본딩에 사용될 수 있는 와이어로 형성될 수 있으며, 솔더 볼 또는 다른 종류의 도전성 볼을 포함하는 폴 그리드 어레이로 형성될 수 있다. In this case, the connection part 500 for electrically connecting the base substrate 120 and the printed circuit board 300 may be formed of a wire which can be used for wire bonding, and a pole including solder balls or other kinds of conductive balls. It can be formed into a grid array.

또한, 상기 제1차 코일(210)과 제2차 코일(310)의 간격은 40um로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the interval between the primary coil 210 and the secondary coil 310 is preferably formed to 40um.

본 발명의 실시예에서는 제1차 코일(210)이 집적 회로 소자(200)에 형성되고, 제2차 코일(310)이 인쇄회로기판(300)에 형성되는 것으로 설명하였으나, 반대로 제1차 코일(210)이 인쇄회로기판(300)에 형성되고, 제2차 코일(310)이 집적 회로 소자(200)에 형성되는 구조로 제1차 코일(210)과 제2차 코일(310)이 각각 형성되어 대응되는 구조이라면 어떠한 구조로 형성되어도 무방하다.
In the exemplary embodiment of the present invention, the primary coil 210 is formed on the integrated circuit device 200, and the secondary coil 310 is formed on the printed circuit board 300, but the primary coil is reversed. A 210 is formed on the printed circuit board 300, and the secondary coil 310 is formed on the integrated circuit device 200. The primary coil 210 and the secondary coil 310 are respectively formed. Any structure may be used as long as it is formed and corresponding.

상기 신호 증폭부(100) 및 전력 결합부(400)에 대해 더욱 상세하게 설명하면, 도 3에서 보는 바와 같이, 신호 증폭부(100)는 입력되는 신호를 증폭하도록 동작할 수 있으며, 차동 전력 증폭기로 형성될 수 있다. 차동 전력 증폭기는 차동 입력(+신호, -신호)과 같은 하나 또는 그 이상의 입력을 포함할 수 있으며, 출력은 차동 출력을 형성한다. The signal amplifier 100 and the power combiner 400 will be described in more detail. As shown in FIG. 3, the signal amplifier 100 may operate to amplify an input signal, and a differential power amplifier. It can be formed as. The differential power amplifier can include one or more inputs, such as differential inputs (+ signal, -signal), with the output forming a differential output.

또한, 신호 증폭부(100)는 도시된 구성요소에 더하여 CMOS공정을 이용하여 유사하게 집적될 수 있는 다른 RF 기능 회로 및 제어 회로를 포함할 수 있다. In addition, the signal amplifier 100 may include other RF functional circuits and control circuits that may be similarly integrated using a CMOS process in addition to the illustrated components.

여기서, 전력 결합부(400)는 신호 증폭부(100)에서 출력되는 복수의 증폭된 신호를 출력 신호에 결합하도록 하는 것으로, 전력 결합부(400)는 신호 증폭부(100)와 부하(미도시) 사이에 하모닉 제거, 전력 모니터 및/또는 임피던스 변환 중 적어도 하나를 제공할 수 있다. Here, the power combiner 400 is to combine a plurality of amplified signals output from the signal amplifier 100 to the output signal, the power combiner 400 is a signal amplifier 100 and a load (not shown) At least one of a harmonic rejection, a power monitor, and / or an impedance conversion may be provided.

여기서, 전력 결합부(400)는 트랜스포머를 포함할 수 있으며, 복수의 제1차 코일(210) 및 복수의 제2차 코일(310)로 형성되어 유도 결합 될 수 있다. 이때, 제1차 코일(210)은 인덕터로 동작할 수 있으며, 각각 캐패시터(220)가 연결되어 선택적으로 임피던스 변환 기능을 제공하도록 동작할 수 있다. Here, the power coupling unit 400 may include a transformer, and may be formed of a plurality of primary coils 210 and a plurality of secondary coils 310 to be inductively coupled. In this case, the primary coil 210 may operate as an inductor, and each of the capacitors 220 may be connected to selectively provide an impedance conversion function.

또한, 상기 제2차 코일(310)도 인덕터로서 동작할 수 있으며, 필터링 및/또는 임피던스 변환을 위해 캐패시터(320)에 연결될 수 있다. 이때, 상기 캐패시터(320)는 저역 통과 필터(LPF) 기능을 할 수 있다.
In addition, the secondary coil 310 may also operate as an inductor, and may be connected to the capacitor 320 for filtering and / or impedance conversion. In this case, the capacitor 320 may function as a low pass filter (LPF).

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기는 상기 집적 회로 소자(200)에 형성된 제1차 코일(210)과 인쇄회로기판(300)에 형성된 제2차 코일(310)이 일정간격 이격되도록 적층형성됨으로써, 상기 제1차 코일(210)과 제2차 코일(310) 사이에서 전자기 유도 결합을 통하여 증폭된 신호를 출력 신호에 결합할 수 있다. Therefore, the CMOS power amplifier using the power combiner according to the embodiment of the present invention is the primary coil 210 formed on the integrated circuit device 200 and the secondary coil 310 formed on the printed circuit board 300. By stacking the substrates at a predetermined interval, the signals amplified through the electromagnetic inductive coupling between the primary coil 210 and the secondary coil 310 may be coupled to the output signal.

즉, 종래의 집적 회로 소자를 이용한 전력 결합기는 하모닉 성능을 개선하기 위하여 따로 필터가 필요하였으며, 다층으로 형성된 인쇄회로기판을 이용한 전력 결합기는 사이즈 문제로 인하여 인덕턴스 확보가 어려운 구조로 출력 전력 특성이 저하되는 문제가 있는 반면, 상기 집적 회로 소자(200)에 제1차 코일(210)가 형성되고, 인쇄회로기판(300)에 제2차 코일(310)이 형성되어 일정간격 이격되어 적층되도록 형성됨으로써, RF 특성은 효율 55% 이상, 파워 34.9 dBm 이상, 하모닉 -10 dBM 이하의 특성을 만족하면서 생산 원가를 줄일 수 있는 효과가 있다.
That is, a conventional power combiner using an integrated circuit device needs a separate filter to improve harmonic performance, and a power combiner using a multilayer printed circuit board has a structure in which it is difficult to secure inductance due to size problems. On the other hand, the primary coil 210 is formed on the integrated circuit device 200, and the secondary coil 310 is formed on the printed circuit board 300 so as to be stacked at a predetermined interval. In addition, the RF characteristic can reduce the production cost while satisfying the efficiency of 55% or more, power 34.9 dBm or more, harmonic -10 dBM or less.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. I will understand.

그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims, as well as the appended claims.

100 : 신호 증폭부 120 : 베이스기판
200 : 집적 회로 소자 210 : 제1차 코일
220, 320 : 캐패시터 300 : 인쇄회로기판
310 : 제2차 코일 400 : 전력 결합부100: signal amplification unit 120: base substrate
200: integrated circuit device 210: primary coil
220, 320: capacitor 300: printed circuit board
310: secondary coil 400: power coupling portion

Claims (7)

입력되는 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하는 신호 증폭부; 및
증폭된 신호를 부하에 전달하기 위한 출력 신호에 결합하며, 집적 회로 소자에 형성된 제1차 코일과, 인쇄회로기판에 형성된 제2차 코일로 형성된 전력 결합기;를 포함하는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
A signal amplifier for amplifying an input radio frequency (RF) signal; And
CMOS power coupled to the output signal for transmitting the amplified signal to the load, the power combiner formed of a primary coil formed in the integrated circuit device, and a secondary coil formed in the printed circuit board; amplifier.
청구항 1항에 있어서,
상기 신호 증폭부 및 집적 회로 소자는 베이스기판에 형성되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
The method according to claim 1,
The signal amplifier and the integrated circuit device CMOS power amplifier using a power combiner formed on the base substrate.
청구항 2항에 있어서,
상기 베이스기판과 인쇄회로기판은 제1차 코일과 제2차 코일이 대응되도록 상하로 적층되도록 형성되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
The method according to claim 2,
The base substrate and the printed circuit board CMOS power amplifier using a power combiner is formed to be stacked up and down so that the primary coil and the secondary coil correspond.
청구항 1항에 있어서,
상기 베이스기판과 인쇄회로기판은 연결부를 통해 전기적으로 연결되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
The method according to claim 1,
The base substrate and the printed circuit board is a CMOS power amplifier using a power coupler electrically connected through a connection.
청구항 4항에 있어서,
상기 연결부는 와이어 또는 솔더 범프 중 하나로 형성되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
The method according to claim 4,
The connection unit CMOS power amplifier using a power combiner is formed of one of the wire or solder bump.
청구항 1항에 있어서,
상기 제1차 코일과 제2차 코일은 서로 이격되어 전자기 유도를 통해 결합되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
The method according to claim 1,
And the primary coil and the secondary coil are separated from each other, and the CMOS power amplifier using a power combiner coupled through electromagnetic induction.
청구항 1항에 있어서,
상기 전력 증폭부는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 공정을 이용하여 형성되는 전력 결합기를 이용한 씨모스 전력 증폭기.
The method according to claim 1,
The power amplification unit CMOS power amplifier using a power combiner is formed using a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process.
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