JP2012244060A - Organic electroluminescent element and manufacturing method therefor - Google Patents
Organic electroluminescent element and manufacturing method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012244060A JP2012244060A JP2011114935A JP2011114935A JP2012244060A JP 2012244060 A JP2012244060 A JP 2012244060A JP 2011114935 A JP2011114935 A JP 2011114935A JP 2011114935 A JP2011114935 A JP 2011114935A JP 2012244060 A JP2012244060 A JP 2012244060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal member
- organic electroluminescent
- light emitting
- electroluminescent element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 163
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 12
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 268
- -1 (gold) Chemical class 0.000 description 64
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 55
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 43
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 43
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 36
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 29
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005334 azaindolyl group Chemical class N1N=C(C2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N beryllium(2+) Chemical compound [Be+2] PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dipyridin-2-ylpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJXNZCVIGCGRDN-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,4-dihydroimidazo[4,5-b]pyridin-5-one Chemical compound N=1C2=NC(O)=CC=C2NC=1C1=CC=CC=C1 WJXNZCVIGCGRDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJJXCBIOYBUVBH-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazol-4-ol Chemical compound N1C=2C(O)=CC=CC=2N=C1C1=CC=CC=C1 HJJXCBIOYBUVBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEPQKEJONUPZGD-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazol-5-ol Chemical compound N1C(O)=CN=C1C1=CC=CC=C1 CEPQKEJONUPZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVGHUTIRZIAMAI-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-pyrrol-3-ol Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=C1O VVGHUTIRZIAMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N alpha-methylcyclopentanone Natural products CC1CCCC1=O ZIXLDMFVRPABBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940054051 antipsychotic indole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N heptane - octane Natural products CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005368 heteroarylthio group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-M isobutyrate Chemical compound CC(C)C([O-])=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N methyl acetate Chemical compound COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940094933 n-dodecane Drugs 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical class C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- UWBHMRBRLOJJAA-UHFFFAOYSA-N oxaluric acid Chemical compound NC(=O)NC(=O)C(O)=O UWBHMRBRLOJJAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940031826 phenolate Drugs 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005554 pyridyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005030 pyridylthio group Chemical group N1=C(C=CC=C1)S* 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N thianaphthalene Natural products C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical compound Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the organic electroluminescent device.
金属微粒子等の金属部材を有機電界発光素子の発光層と電極の間に導入することで、金属部材の表面プラズモン共鳴により発光層からの放射が促進され、有機電界発光素子の発光効率と耐久性を向上できることが知られている。例えば、発光層近傍に金ナノ粒子を導入することにより、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)のEL発光が20倍向上することが報告されている(非特許文献1参照)。
このようなプラズモン効果は、有機電界発光素子の発光層の近傍に金属部材を配置することにより、金属部材表面にプラズモンを誘起し、エネルギーを吸収したのちに再放射する新たな発光が加わり、有機電界発光素子の持つ発光過程に新たなプラズモン共鳴による発光遷移が付け加わり、励起子寿命を短縮する効果が発現できる。このプラズモン共鳴を利用することにより、発光効率の向上と共に、励起子寿命の短縮化による耐久性の向上効果を備えるものである。
By introducing a metal member such as metal fine particles between the light emitting layer and the electrode of the organic electroluminescent element, the emission from the light emitting layer is promoted by the surface plasmon resonance of the metal member, and the luminous efficiency and durability of the organic electroluminescent element. It is known that can be improved. For example, it has been reported that the EL emission of tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) is improved 20 times by introducing gold nanoparticles in the vicinity of the light emitting layer (see Non-Patent Document 1).
Such a plasmon effect is achieved by arranging a metal member in the vicinity of the light emitting layer of the organic electroluminescent element, inducing plasmon on the surface of the metal member, adding new light emission that is re-radiated after absorbing energy, and organic An emission transition due to a new plasmon resonance is added to the light emission process of the electroluminescent element, and the effect of shortening the exciton lifetime can be exhibited. By utilizing this plasmon resonance, the luminous efficiency is improved and the durability is improved by shortening the exciton lifetime.
しかし、発光層近傍への金属部材の導入が、有機電界発光素子の特性に付加的に負の影響を与え、発光効率を低下させることがある。この負の影響として、金属部材による凹凸の導入により発光層の厚みが薄い部分が生じると、電子又は正孔が発光層を突き抜けて発光層以外の部分で再結合して、発光効率が低下してしまうことがある。このような発光効率の低下は、内部量子効率が高い燐光発光材料において特に顕著になると考えられる。
前記課題を解決するため、例えば、特許文献1には、粒径が0.1nm〜10nmの金属微粒子を用いて超薄膜とすることで、金属微粒子の凹凸を抑制し、発光効率の向上を図ることが提案されている。
しかし、非特許文献2では、粒径が0.1nm〜10nmの金属微粒子では非放射のフェルスター過程により金属消光が強く起こるため、プラズモン効果が有効に得られないことが示唆されている。
However, the introduction of the metal member in the vicinity of the light emitting layer may additionally have a negative effect on the characteristics of the organic electroluminescent element and may reduce the light emission efficiency. As a negative effect, when a thin portion of the light emitting layer is formed due to the introduction of irregularities by the metal member, electrons or holes penetrate the light emitting layer and recombine at portions other than the light emitting layer, resulting in a decrease in luminous efficiency. May end up. Such a decrease in light emission efficiency is considered to be particularly remarkable in a phosphorescent material having a high internal quantum efficiency.
In order to solve the above problem, for example, Patent Document 1 discloses that an ultrathin film is formed using metal fine particles having a particle diameter of 0.1 nm to 10 nm, thereby suppressing unevenness of the metal fine particles and improving luminous efficiency. It has been proposed.
However, Non-Patent Document 2 suggests that the metal plasmon having a particle size of 0.1 nm to 10 nm is strongly quenched by a non-radiating Forster process, and thus the plasmon effect cannot be obtained effectively.
したがって、金属部材の凹凸に起因する発光層での電子及び正孔の突き抜けなどによる発光効率の低下を防止し、発光効率及び耐久性が飛躍的に向上した有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法の提供が強く求められているのが現状である。 Therefore, it is possible to prevent a decrease in light emission efficiency due to penetration of electrons and holes in the light emitting layer due to unevenness of the metal member, and to improve the organic light emitting element and the organic electroluminescent element in which the light emission efficiency and the durability are dramatically improved. At present, the provision of manufacturing methods is strongly demanded.
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、金属部材と発光層との間に隣接層を設けることにより、金属部材の凹凸に起因する発光層での電子及び正孔の突き抜けなどによる発光効率の低下を防止することができ、発光効率及び耐久性が飛躍的に向上した有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, according to the present invention, by providing an adjacent layer between the metal member and the light emitting layer, it is possible to prevent a decrease in light emission efficiency due to penetration of electrons and holes in the light emitting layer due to unevenness of the metal member. It is possible to provide an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the organic electroluminescent device, which are capable of dramatically improving luminous efficiency and durability.
前記課題を解決するため本発明者が鋭意検討を重ねた結果、陽極及び陰極からなる一対の電極の少なくとも一方の電極に隣接して前記発光層側に金属部材を配置することにより、前記金属部材のプラズモン共鳴による発光遷移によって上準位寿命(励起子寿命)を短縮する効果を得ることができ、発光効率の向上、及び励起子寿命の短縮化による耐久性を向上させることを知見した。また、前記金属部材と前記発光層との間に平均高さ15nm以下の隣接層を設け、金属部材の平均高さを20nm以上とすることで、金属部材の凹凸に起因する発光層での電子及び正孔の突き抜けなどによる発光効率の低下を抑制できると共に、好ましくは、金属部材の平均高さの分散2σを30nm以下とすることで、金属部材と発光層の距離が最適化され、更にプラズモン共鳴による発光効率と耐久性の向上の効果が高まることを知見した。 As a result of intensive studies by the inventor in order to solve the above problems, the metal member is disposed on the light emitting layer side adjacent to at least one electrode of a pair of electrodes composed of an anode and a cathode. It has been found that the effect of shortening the upper level lifetime (exciton lifetime) can be obtained by the luminescence transition due to plasmon resonance, improving the emission efficiency and improving the durability by shortening the exciton lifetime. Further, an adjacent layer having an average height of 15 nm or less is provided between the metal member and the light emitting layer, and the average height of the metal member is set to 20 nm or more, whereby electrons in the light emitting layer due to the unevenness of the metal member. In addition, it is possible to suppress a decrease in light emission efficiency due to penetration of holes and holes, and preferably, by setting the dispersion 2σ of the average height of the metal member to 30 nm or less, the distance between the metal member and the light emitting layer is optimized, and plasmon It has been found that the effect of improving the luminous efficiency and durability by resonance increases.
本発明は、本発明者による前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に発光層とを有する有機電界発光素子であって、
少なくとも一方の前記電極に隣接して前記発光層側に平均高さが20nm以上の金属部材と、
前記金属部材と前記発光層との間に、平均高さが15nm以下の隣接層と、
を有することを特徴とする有機電界発光素子である。
<2> 金属部材が発光層からの発光光によるプラズモン共鳴を生じる前記<1>に記載の有機電界発光素子である。
<3> 金属部材の平均高さの分散2σが、30nm以下である前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<4> 金属部材がパターン状及びドット状の少なくともいずれかに配置されている前記<1>から<3>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<5> 金属部材の面積率が5%以上である前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<6> 金属部材が隣接する電極が、ITO電極である前記<1>から<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<7> 隣接層が液相成膜法で作製される前記<1>から<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<8> 発光層が燐光発光材料を含有する前記<1>から<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<9> 前記<1>から<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子を製造する方法であって、
電極上に金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記金属部材上に液相成膜法により隣接層を形成する隣接層形成工程と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
This invention is based on the said knowledge by this inventor, and as a means for solving the said subject, it is as follows. That is,
<1> An organic electroluminescent device having a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and a light emitting layer between the pair of electrodes,
A metal member having an average height of 20 nm or more on the light emitting layer side adjacent to at least one of the electrodes;
An adjacent layer having an average height of 15 nm or less between the metal member and the light emitting layer;
It is an organic electroluminescent element characterized by having.
<2> The organic electroluminescent element according to <1>, wherein the metal member causes plasmon resonance due to light emitted from the light emitting layer.
<3> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <2>, wherein the dispersion 2σ of the average height of the metal member is 30 nm or less.
<4> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <3>, wherein the metal member is disposed in at least one of a pattern shape and a dot shape.
<5> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <4>, wherein the area ratio of the metal member is 5% or more.
<6> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <5>, wherein the electrode adjacent to the metal member is an ITO electrode.
<7> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <6>, wherein the adjacent layer is produced by a liquid phase film forming method.
<8> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <7>, wherein the light emitting layer contains a phosphorescent material.
<9> A method for producing the organic electroluminescent element according to any one of <1> to <8>,
A metal member forming step of forming a metal member on the electrode;
An adjacent layer forming step of forming an adjacent layer on the metal member by a liquid phase film forming method;
It is the manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by including.
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、金属部材と発光層との間に隣接層を設けることにより、金属部材の凹凸に起因する発光層での電子及び正孔の突き抜けなどによる発光効率の低下を防止することができ、発光効率及び耐久性が飛躍的に向上した有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, various problems in the prior art can be solved, and by providing an adjacent layer between the metal member and the light emitting layer, luminous efficiency due to penetration of electrons and holes in the light emitting layer due to the unevenness of the metal member, etc. Can be prevented, and the organic electroluminescence device and the method for manufacturing the organic electroluminescence device can be provided in which the luminous efficiency and durability are remarkably improved.
(有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法)
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に発光層とを有してなり、少なくとも一方の前記電極に隣接して前記発光層側に金属部材と、前記金属部材と前記発光層との間に隣接層とを有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、本発明の前記有機電界発光素子を製造する方法であって、
電極上に金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記金属部材上に液相成膜法により隣接層を形成する隣接層形成工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
以下、本発明の有機電界発光素子の説明を通じて、本発明の有機電界発光素子の製造方法の詳細についても明らかにする。
(Organic electroluminescent device and organic electroluminescent device manufacturing method)
The organic electroluminescent element of the present invention comprises a pair of electrodes comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer between the pair of electrodes, and a metal member on the light emitting layer side adjacent to at least one of the electrodes. And an adjacent layer between the metal member and the light emitting layer, and another layer as necessary.
The method for producing an organic electroluminescent element of the present invention is a method for producing the organic electroluminescent element of the present invention,
A metal member forming step of forming a metal member on the electrode;
An adjacent layer forming step of forming an adjacent layer on the metal member by a liquid phase film forming method, and further including other steps as necessary.
Hereinafter, through the description of the organic electroluminescent element of the present invention, details of the method for producing the organic electroluminescent element of the present invention will be clarified.
<金属部材>
前記金属部材は、少なくとも一方の電極に隣接して配置される。即ち、陽極及び陰極からなる一対の電極のうちのどちらの電極に隣接させてもよいが、光の出射側の電極であることが好ましく、陽極がより好ましい。
前記金属部材としては、発光層からの発光光によるプラズモン共鳴を生じるものが好ましい。前記金属部材が、発光層からの発光光によりプラズモン共鳴が生じていることは、発光層の励起子寿命を測定することにより確認することができる。
<Metal member>
The metal member is disposed adjacent to at least one of the electrodes. That is, the electrode may be adjacent to either of the pair of electrodes including the anode and the cathode, but is preferably an electrode on the light emission side, and more preferably an anode.
The metal member is preferably one that causes plasmon resonance due to light emitted from the light emitting layer. It can be confirmed by measuring the exciton lifetime of the light emitting layer that the metal member has plasmon resonance caused by the light emitted from the light emitting layer.
前記金属部材の構造、形状、大きさなどについては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記金属部材としては、金属微粒子からなる金属膜であることが好ましい。前記金属膜としては、ベタ膜であってもよいし、粒状膜(発光光の波長よりも小さい凹凸構造を有する膜)であってもよいが、平均粒径5nm以上の金属微粒子をランダムに、あるいは周期配列パターンに膜状に分散されてなる島状構造膜が好ましい。ここで、前記平均粒径は、金属微粒子の最大長の平均値をいうものとする。即ち、金属微粒子が球状である場合にはその直径の平均値、金属微粒子の長径とそれに垂直な短径のアスペクト比が1より大きい細長い形状(ロッド状)の金属微粒子の場合にはその長径の平均値をいう。
前記金属微粒子の平均粒径は、5nm以上が好ましく、20nm〜500nmがより好ましい。
前記金属微粒子の平均粒径は、例えば、走査型電子顕微鏡(日立製作所製、S4100)で表面観察を行うことにより測定することができる。
There is no restriction | limiting in particular about the structure of the said metal member, a shape, a magnitude | size, etc., It can select suitably according to the objective. The metal member is preferably a metal film made of fine metal particles. The metal film may be a solid film or a granular film (a film having a concavo-convex structure smaller than the wavelength of emitted light), but metal fine particles having an average particle diameter of 5 nm or more are randomly selected. Or the island-shaped structure film | membrane disperse | distributed to a periodic-arrangement pattern at a film | membrane form is preferable. Here, the average particle diameter means an average value of the maximum length of the metal fine particles. That is, when the metal fine particles are spherical, the average value of the diameter thereof, and when the metal fine particles are elongated (rod-shaped) metal particles whose aspect ratio of the long diameter and the short diameter perpendicular to the metal fine particles is greater than 1, Mean value.
The average particle diameter of the metal fine particles is preferably 5 nm or more, and more preferably 20 nm to 500 nm.
The average particle diameter of the metal fine particles can be measured, for example, by observing the surface with a scanning electron microscope (S4100, manufactured by Hitachi, Ltd.).
前記金属部材の平均高さは、20nm以上であり、20nm〜100nmが好ましく、20nm〜60nmが更に好ましい。前記平均高さが、20nm未満であると、非放射のフェルスター過程による金属消光が強く起こることがあり、好ましくない。
前記金属部材の平均高さは、例えば、原子間力顕微鏡(SPA−400、セイコーインスツルメンツ株式会社製)を用いて、金属部材の高さの測定を行い、測定した100個の金属部材の高さの平均値を、金属部材の平均高さとした。
The average height of the metal member is 20 nm or more, preferably 20 nm to 100 nm, and more preferably 20 nm to 60 nm. If the average height is less than 20 nm, metal quenching due to a non-radiative Forster process may occur strongly, which is not preferable.
The average height of the metal members is, for example, the height of 100 metal members measured by measuring the height of the metal members using an atomic force microscope (SPA-400, manufactured by Seiko Instruments Inc.). Was the average height of the metal members.
前記金属部材の平均高さの分散2σは、30nm以下が好ましく、10nm以下がより好ましく、5nm以下が更に好ましい。前記金属部材の平均高さの分散2σが、30nmを超えると、発光層と金属部材との距離が最適でなくなり、プラズモン共鳴による励起子寿命の短縮が小さくなることがある。
前記金属部材の平均高さの分散2σは、測定した100個の金属部材の高さの値から算出することができる。
前記金属部材の面積率(密度)は、5%以上が好ましく、10%以上がより好ましく、15%〜60%が更に好ましい。前記面積率が、5%未満であると、プラズモン共鳴の効果が小さく、励起子寿命の変化が小さくなることがある。
前記面積率は、例えば、電極付き基板上に金属部材を形成したサンプルについて、走査型電子顕微鏡(日立製作所製、S4100)で表面観察を行い、金属部材がある部分の面積Aと、金属部材がない部分の面積Bとを求め、次式、〔A/(A+B)〕×100%から、金属部材の面積率を求めることができる。
The average height dispersion 2σ of the metal member is preferably 30 nm or less, more preferably 10 nm or less, and still more preferably 5 nm or less. If the dispersion 2σ of the average height of the metal member exceeds 30 nm, the distance between the light emitting layer and the metal member may not be optimal, and the exciton lifetime may be shortened by plasmon resonance.
The average height variance 2σ of the metal members can be calculated from the measured height values of 100 metal members.
The area ratio (density) of the metal member is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and further preferably 15% to 60%. When the area ratio is less than 5%, the effect of plasmon resonance is small, and the exciton lifetime change may be small.
The area ratio is obtained by, for example, observing the surface of a sample in which a metal member is formed on a substrate with an electrode with a scanning electron microscope (manufactured by Hitachi, S4100). The area B of the non-existing portion is obtained, and the area ratio of the metal member can be obtained from the following formula [A / (A + B)] × 100%.
前記金属部材を構成する金属材料としては、発光層からの発光光によりプラズモン共鳴が生じる材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Pt(白金)等の金属、又はこれらの金属を主成分とする合金などが挙げられる。ここで、前記「主成分」とは、含量80質量%以上の成分と定義する。これらの中でも、Ag又はAuが特に好ましい。特に、発光光が可視域波長であれば、Agが好ましい。プラズマ周波数から、Agは可視域での表面プラズモン共鳴が起こせるためである。また、発光光が可視域以外の波長、例えば、赤外であれば、Au、Agが好ましい。 The metal material constituting the metal member is not particularly limited as long as plasmon resonance is generated by light emitted from the light emitting layer, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, Ag (silver), Au Examples thereof include metals such as (gold), Cu (copper), Al (aluminum), Pt (platinum), and alloys containing these metals as main components. Here, the “main component” is defined as a component having a content of 80% by mass or more. Among these, Ag or Au is particularly preferable. In particular, Ag is preferable if the emitted light is a visible wavelength. This is because Ag can cause surface plasmon resonance in the visible range from the plasma frequency. In addition, if the emitted light has a wavelength other than the visible range, for example, infrared, Au and Ag are preferable.
前記金属部材の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(1)EBリソグラフィーによる方法、(2)金属材料を成膜した後、アニールする方法、(3)金属材料を成膜する方法、などが挙げられる。これらの中でも、金属部材と発光層との距離を均一に制御でき、発光効率を向上させることができる観点から、前記(1)EBリソグラフィーによる方法が特に好ましい。 There is no restriction | limiting in particular as a formation method of the said metal member, According to the objective, it can select suitably, For example, (1) The method by EB lithography, (2) The method of annealing after forming a metal material into a film, (3) A method of forming a film of a metal material can be used. Among these, the method by (1) EB lithography is particularly preferable from the viewpoint that the distance between the metal member and the light emitting layer can be controlled uniformly and the light emission efficiency can be improved.
前記(1)EBリソグラフィーによる方法によると、図2に示すような規則的に配列した金属部材が形成され、図3に示すように、金属部材4と発光層3との距離d1を均一に制御できる。
ここで、金属部材4と発光層との距離d1は、金属部材の最高高さと発光層との間の距離を意味し、5nm〜30nmが好ましい。前記距離d1が、5nm未満であると、発光層から直接電荷移動が生じ、発光の減衰が生じてしまうことがあり、30nmを超えると、発光光によるプラズモン共鳴が生じず、発光増強効果が得られなくなることがある。
According to the method of (1) EB lithography, regularly arranged metal members are formed as shown in FIG. 2, and the distance d1 between the metal member 4 and the light emitting layer 3 is uniformly controlled as shown in FIG. it can.
Here, the distance d1 between the metal member 4 and the light emitting layer means a distance between the maximum height of the metal member and the light emitting layer, and is preferably 5 nm to 30 nm. If the distance d1 is less than 5 nm, charge transfer may occur directly from the light emitting layer and light emission may be attenuated. If the distance d1 exceeds 30 nm, plasmon resonance due to emitted light does not occur and an emission enhancement effect is obtained. It may not be possible.
前記(1)EBリソグラフィーによる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ITO電極付きガラス基板上に、電子線(EB)ポジ化学増幅型レジストを塗布する。次に、電子線描画装置にて、所定のパターンを描画する。描画に続いて現像を行う。現像後、電子線蒸着装置にて純度99.99%の金属材料を蒸着する。次に、基板ごとアセトン溶液に浸すことで不要部のレジスト及び金属材料を除去することにより、図2に示すような規則的に配列した金属部材が得られる。 The method by (1) EB lithography is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, an electron beam (EB) positive chemically amplified resist is applied onto a glass substrate with an ITO electrode. . Next, a predetermined pattern is drawn by the electron beam drawing apparatus. Development is performed after drawing. After development, a metal material having a purity of 99.99% is vapor-deposited with an electron beam vapor deposition apparatus. Next, the resist and metal material in unnecessary portions are removed by immersing the whole substrate in an acetone solution, thereby obtaining regularly arranged metal members as shown in FIG.
前記(2)金属材料を成膜した後、アニールする方法によると、図4に示すような大きさ及び配列がランダムな金属部材が形成され、図5に示すように、金属部材4と発光層3との距離d2、d3、d4は不均一となる。
前記金属材料の成膜方法としては、電子線蒸着、熱蒸着が好ましい。
前記アニールの温度としては、200℃〜500℃が好ましく、250℃〜350℃がより好ましい。
前記金属材料を成膜した後、アニールする方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電極付きガラス基板上に、電子線蒸着装置にて金属材料を蒸着する。その後、電子線蒸着装置の基板加熱機構を用いて300℃にてアニールを行うことにより、図4に示すような大きさ及び配列がランダムな構造の金属部材が得られる。
(2) According to the method of annealing after forming the metal material, a metal member having a random size and arrangement as shown in FIG. 4 is formed. As shown in FIG. 5, the metal member 4 and the light emitting layer are formed. The distances d2, d3, d4 with respect to 3 are not uniform.
As a method for forming the metal material, electron beam evaporation or thermal evaporation is preferable.
The annealing temperature is preferably 200 ° C to 500 ° C, more preferably 250 ° C to 350 ° C.
The method of annealing after forming the metal material is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the metal material is deposited on an electrode-attached glass substrate by an electron beam deposition apparatus. To do. Thereafter, annealing is performed at 300 ° C. using the substrate heating mechanism of the electron beam evaporation apparatus, thereby obtaining a metal member having a structure with a random size and arrangement as shown in FIG.
前記(3)金属材料を成膜する方法によると、大きさ及び配列がランダムな金属部材が形成される。前記(2)金属材料を成膜した後、アニールする方法と比べて、大きさの分散はより大きくなる。前記成膜は、前記(2)と同様の方法で行うことが好ましい。 According to the method of (3) depositing a metal material, a metal member having a random size and arrangement is formed. Compared with the method of annealing after (2) depositing the metal material, the size dispersion becomes larger. The film formation is preferably performed by the same method as in (2).
<隣接層>
前記隣接層は、前記金属部材と前記発光層との間に設けられ、平均高さが15nm以下であり、10nm以下が好ましい。前記平均高さが、15nmを超えると、発光層の厚みに薄い部分が生じ、電子又は正孔が発光層を突き抜けて発光層以外の部分で再結合し、発光効率が低下することがある。
ここで、前記隣接層の平均高さは、20箇所で測定した「最大高さ」の平均値であり、「最大高さ」は、図1に示すように、隣接層の表面での最も高い位置と最も低い位置での高さの差になり、図1中Ryが最大高さとなる。前記隣接層の平均高さが小さいほど、隣接層が平坦であることを示す。
具体的には、例えば、原子間力顕微鏡(SPA−400、セイコーインスツルメンツ株式会社製)にて、1μm×1μmの領域で隣接層の表面形状の観察を行い、その最大値と最小値の差をこの領域での最大高さとする。20領域で測定を行い、それぞれの領域での最大高さの算術平均値を、隣接層の平均高さとした。
<Adjacent layer>
The adjacent layer is provided between the metal member and the light emitting layer, and has an average height of 15 nm or less, preferably 10 nm or less. When the average height exceeds 15 nm, a thin portion is generated in the light emitting layer, and electrons or holes may penetrate through the light emitting layer and recombine at portions other than the light emitting layer, resulting in a reduction in light emission efficiency.
Here, the average height of the adjacent layer is an average value of the “maximum height” measured at 20 locations, and the “maximum height” is the highest on the surface of the adjacent layer as shown in FIG. The height is the difference between the position and the lowest position, and Ry in FIG. 1 is the maximum height. It shows that an adjacent layer is flat, so that the average height of the said adjacent layer is small.
Specifically, for example, the surface shape of the adjacent layer is observed in an area of 1 μm × 1 μm with an atomic force microscope (SPA-400, manufactured by Seiko Instruments Inc.), and the difference between the maximum value and the minimum value is determined. The maximum height in this area. The measurement was performed in 20 regions, and the arithmetic average value of the maximum height in each region was defined as the average height of the adjacent layer.
前記隣接層は、液相成膜法で作製されることが好ましい。これにより、前記金属部材による凹凸を効率よく平坦化することができる。
前記液相成膜法の場合、前記隣接層材料を溶媒に溶解乃至分散させて塗布液とし、該塗布液を公知の塗布方法により塗布し、乾燥することにより、隣接層を形成することができる。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒、炭素数4以上のアルキル置換芳香族系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記芳香族系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどが挙げられる。
前記ハロゲン系溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタンなどが挙げられる。
前記エーテル系溶媒としては、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。
前記アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール、ベンジルアルコールなどが挙げられる。
前記ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。
前記パラフィン系溶媒としては、例えば、n−デカン、n−ドデカン、n−テトラデカン、n−ヘキサデカンなどが挙げられる。
前記エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、エタン酸メチル、プロパン酸メチルなどが挙げられる。
前記炭素数4以上のアルキル置換芳香族系溶液としては、例えば、n−ブチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ブチルベンゼン、ドデシルベンゼンなどが挙げられる。
前記アミド系溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドンなどが挙げられる。
The adjacent layer is preferably manufactured by a liquid phase film forming method. Thereby, the unevenness | corrugation by the said metal member can be planarized efficiently.
In the case of the liquid phase film forming method, the adjacent layer material can be formed by dissolving or dispersing the adjacent layer material in a solvent to form a coating solution, applying the coating solution by a known coating method, and drying. .
The solvent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include aromatic solvents, halogen solvents, ether solvents, ester solvents, alcohol solvents, ketone solvents, paraffin solvents. Examples thereof include a solvent, an alkyl-substituted aromatic solvent having 4 or more carbon atoms, and an amide solvent. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Examples of the aromatic solvent include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, anisole, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene and the like.
Examples of the halogen solvent include dichloromethane, dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, tetrachloroethane, and trichloroethane.
Examples of the ether solvent include dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane and the like.
Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, butanol, pentanol, hexanol, octanol, nonanol, cyclohexanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol, and benzyl alcohol.
Examples of the ketone solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, and cyclohexanone.
Examples of the paraffinic solvent include n-decane, n-dodecane, n-tetradecane, n-hexadecane and the like.
Examples of the ester solvent include ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, methyl ethanoate, and methyl propanoate.
Examples of the alkyl-substituted aromatic solution having 4 or more carbon atoms include n-butylbenzene, cyclohexylbenzene, butylbenzene, and dodecylbenzene.
Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone and the like.
前記塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、インクジェット法、スピンコート法、ニーダーコート法、バーコート法、ブレードコート法、キャスト法、ディップ法、カーテンコート法などが挙げられる。これらの中でも、スピンコート法が特に好ましい。 The coating method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, the inkjet method, spin coating method, kneader coating method, bar coating method, blade coating method, casting method, dip method, curtain Examples include a coating method. Among these, the spin coat method is particularly preferable.
前記金属部材が陽極上に設けられる場合(陽極側から光を取り出す場合)には、前記隣接層は、正孔注入層又は正孔輸送層であることが好ましい。 When the metal member is provided on the anode (when light is extracted from the anode side), the adjacent layer is preferably a hole injection layer or a hole transport layer.
−正孔注入層又は正孔輸送層−
前記正孔注入層又は正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
-Hole injection layer or hole transport layer-
The hole injection layer or hole transport layer is a layer having a function of receiving holes from the anode or anode side and transporting them to the cathode side. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
前記正孔注入層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スターバーストアミン(4,4’,4”−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン:m−MTDATA)、2−TNATA(4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)、銅フタロシアニン、ポリアニリンなどが挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as a material of the said positive hole injection layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a starburst amine (4,4 ', 4 "-tris [3-methylphenyl (phenyl) amino) ] Triphenylamine: m-MTDATA), 2-TNATA (4,4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine), copper phthalocyanine, polyaniline and the like.
前記正孔輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー及びポリマー、カーボン膜などが挙げられる。 The material for the hole transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include aromatic amine compounds, carbazole, imidazole, triazole, oxazole, oxadiazole, polyarylalkane, and pyrazoline. , Pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline compounds Examples thereof include conductive polymer oligomers and polymers such as copolymers, thiophene oligomers, thiophene polymers, and polythiophenes, and carbon films.
前記正孔注入層及び正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属;五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物などが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物;キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、F4TCNQ(2,3,5,6−tetrafluoro−7,7,8,8−tetracyanoquinodimethane)などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して0.01質量%〜50質量%が好ましく、0.05質量%〜30質量%がより好ましく、0.1質量%〜30質量%が更に好ましい。
The hole injection layer and the hole transport layer may contain an electron accepting dopant.
As the electron-accepting dopant, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.
The inorganic compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride and antimony pentachloride; vanadium pentoxide And metal oxides such as molybdenum trioxide.
The organic compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a compound having a nitro group, a halogen, a cyano group, a trifluoromethyl group or the like as a substituent; a quinone compound, an acid anhydride Physical compounds, fullerenes, F4TCNQ (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The amount of the electron-accepting dopant used is not particularly limited and varies depending on the type of material, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass with respect to the hole transport layer material or the hole injection material, 0.05 The mass% to 30 mass% is more preferable, and 0.1 mass% to 30 mass% is still more preferable.
前記正孔注入層の材料としては、2−TNATA(4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)にF4TCNQ(2,3,5,6−tetrafluoro−7,7,8,8−tetracyanoquinodimethane)をドープしたものが特に好ましい。 As the material of the hole injection layer, 2-TNATA (4,4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine) and F4TCNQ (2,3,5,6-tetrafluor-7,7 , 8,8-tetracyanoquinodimethane) is particularly preferable.
前記正孔注入層及び正孔輸送層の平均厚みは、1nm〜500nmが好ましく、5nm〜250nmがより好ましく、10nm〜200nmが更に好ましい。 The average thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 250 nm, and still more preferably 10 nm to 200 nm.
前記金属部材が陰極上に設けられる場合(陰極側から光を取り出す場合)には、前記隣接層は、電子注入層又は電子輸送層であることが好ましい。 When the metal member is provided on the cathode (when light is extracted from the cathode side), the adjacent layer is preferably an electron injection layer or an electron transport layer.
−電子注入層又は電子輸送層−
前記電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
前記電子輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バソクプロイン;BCP)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、BAlq等の8−キノリノール乃至その誘導体を配位子とする有機金属錯体等のキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、下記構造式で表される化合物2などが挙げられる。
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side.
The material for the electron transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (basocuproin; BCP), Quinoline derivatives such as organometallic complexes using tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3), BAlq and the like as their ligands, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives , Pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, compound 2 represented by the following structural formula, and the like.
前記電子注入層及び電子輸送層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下が好ましい。
前記電子輸送層の平均厚みとしては、1nm〜500nmが好ましく、5nm〜200nmがより好ましく、10nm〜100nmが更に好ましい。また、前記電子注入層の平均厚みとしては、0.1nm〜200nmが好ましく、0.2nm〜100nmがより好ましく、0.5nm〜50nmが更に好ましい。
前記電子注入層及び前記電子輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
There is no restriction | limiting in particular as average thickness of the said electron injection layer and an electron carrying layer, According to the objective, it can select suitably, From a viewpoint of reducing a drive voltage, 500 nm or less is respectively preferable.
The average thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm. The average thickness of the electron injection layer is preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.2 nm to 100 nm, and still more preferably 0.5 nm to 50 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure made of one or two or more materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極の間に少なくとも発光層を含む有機層を有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層を有してなる。
前記有機層は、少なくとも前記発光層を有し、必要に応じて電子輸送層、電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層などを有していてもよく、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる少なくとも1層を有することが好ましい。
なお、前記電子輸送層、前記電子注入層、前記正孔注入層、及び前記正孔輸送層については、上述したものを用いることができる。
The organic electroluminescent element of the present invention has an organic layer including at least a light emitting layer between an anode and a cathode, and further has other layers appropriately selected as necessary.
The organic layer may include at least the light emitting layer, and may include an electron transport layer, an electron injection layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole block layer, an electron block layer, and the like as necessary. It is preferable to have at least one layer selected from an electron transport layer, an electron injection layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole block layer, and an electron block layer.
In addition, about the said electron carrying layer, the said electron injection layer, the said positive hole injection layer, and the said positive hole transport layer, what was mentioned above can be used.
<一対の電極>
前記一対の電極は、陽極と陰極とからなり、前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
<A pair of electrodes>
The pair of electrodes includes an anode and a cathode, and at least one of the pair of electrodes is preferably transparent.
<<陽極>>
前記陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
<< Anode >>
The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and the shape, structure, size and the like are not particularly limited, and the use and purpose of the organic electroluminescence device Depending on the case, it can be appropriately selected from known electrode materials. The anode is usually provided as a transparent anode.
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとITOとの積層物などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが特に好ましい。 Suitable examples of the material for the anode include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples of anode materials include conductive metals such as antimony, fluorine-doped tin oxide (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. Metals such as oxides, gold, silver, chromium, nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc. Or a laminate of these and ITO. Among these, a conductive metal oxide is preferable, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
前記陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、前記陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。 Examples of the anode include a printing method, a wet method such as a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical method such as a CVD method and a plasma CVD method. It can be formed on the substrate in accordance with a method appropriately selected in consideration of suitability with the constituent material. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.
本発明の有機電界発光素子において、前記陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、前記陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。 In the organic electroluminescent element of the present invention, the formation position of the anode is not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting element, but it is preferably formed on the substrate. In this case, the anode may be formed on the entire one surface of the substrate, or may be formed on a part thereof.
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着、スパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。 The patterning for forming the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching such as a laser, or vacuum deposition or sputtering with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method.
前記陽極の平均厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、10nm〜50μmが好ましく、50nm〜20μmがより好ましい。 The average thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material constituting the anode, and cannot be generally defined, but is preferably 10 nm to 50 μm, and more preferably 50 nm to 20 μm.
前記陽極の抵抗値としては、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。 The resistance value of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less. When the anode is transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい The transparent anode is described in detail in the book “New Development of Transparent Electrode Films” published by CMC (1999), supervised by Yutaka Sawada, and the matters described here can be applied to the present invention. When using a plastic substrate with low heat resistance, a transparent anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.
<<陰極>>
前記陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
<< Cathode >>
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the organic electroluminescence device. Thus, it can be appropriately selected from known electrode materials.
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属(例えば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えば、Mg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。 Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy, lithium-aluminum alloy, Examples include magnesium-silver alloys, rare earth metals such as indium and ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料がより好ましい。前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金等)をいう。 Among these, as the material constituting the cathode, alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injection, and materials mainly composed of aluminum are more preferable from the viewpoint of excellent storage stability. The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum). Alloy).
なお、前記陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。 The materials for the cathode are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and the materials described in these publications can also be applied to the present invention.
前記陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。 There is no restriction | limiting in particular about the formation method of the said cathode, According to a well-known method, it can carry out. For example, the cathode described above is configured from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. It can be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material. For example, when a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like.
前記陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着、スパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。 The patterning for forming the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like. Alternatively, it may be performed by a lift-off method or a printing method.
本発明において、陰極形成位置は、特に制限はなく、有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、前記陰極と前記有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
In the present invention, the cathode formation position is not particularly limited, and may be formed on the entire organic layer or a part thereof.
Further, a dielectric layer made of an alkali metal or alkaline earth metal fluoride or oxide may be inserted between the cathode and the organic layer in a thickness of 0.1 nm to 5 nm. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer. The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.
前記陰極の平均厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、10nm〜5μmが好ましく、50nm〜1μmがより好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚みに薄く成膜し、更にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
The average thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is preferably 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 nm to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.
<発光層>
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
<Light emitting layer>
The light-emitting layer receives holes from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from a cathode, an electron injection layer, or an electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing a field to emit light.
前記発光層は、発光性ドーパントとホスト化合物とを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記発光性ドーパントとホスト化合物としては、一重項励起子からの発光(蛍光)が得られる蛍光発光材料とホスト化合物との組み合せでも、三重項励起子からの発光(燐光)が得られる燐光発光材料とホスト化合物との組み合せでもよいが、これらの中でも、発光効率の観点から、燐光発光材料とホスト化合物との組み合せであることが特に好ましい。
なお、前記発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために2種類以上の発光性ドーパントを含有することができる。
The light emitting layer contains a light emitting dopant and a host compound, and further contains other components as necessary.
As the luminescent dopant and the host compound, a phosphorescent light emitting material capable of obtaining light emission (phosphorescence) from triplet excitons even in a combination of a fluorescent light emitting material capable of obtaining light emission (fluorescence) from singlet excitons and the host compound. Of these, a combination of a phosphorescent material and a host compound is particularly preferable from the viewpoint of luminous efficiency.
In addition, the said light emitting layer can contain 2 or more types of luminescent dopants in order to improve color purity and to expand the light emission wavelength range.
−発光性ドーパント−
前記発光性ドーパントとしては、燐光発光材料及び蛍光発光材料のいずれも用いることができる。
-Luminescent dopant-
As the luminescent dopant, either a phosphorescent material or a fluorescent material can be used.
−−燐光発光材料−−
前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。
前記遷移金属原子としては、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
--Phosphorescent material--
There is no restriction | limiting in particular as said phosphorescence-emitting material, According to the objective, it can select suitably, For example, the complex etc. which contain a transition metal atom and a lanthanoid atom are mentioned.
Examples of the transition metal atom include ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, and the like. Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.
前記ランタノイド原子としては、例えば、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムなどが挙げられる。これらの中でも、ネオジム、ユーロピウム、ガドリニウムが特に好ましい。
前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry,Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社、1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオン等)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリン等)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトン等)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子等)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子等)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。
Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these, neodymium, europium, and gadolinium are particularly preferable.
Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. The ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" Springer-Verlag, published in 1987, Akio Yamamoto, "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" Can be mentioned.
Specific ligands include halogen ligands (preferably chlorine ligands), aromatic carbocyclic ligands (eg, cyclopentadienyl anion, benzene anion, naphthyl anion, etc.), nitrogen-containing hetero Ring ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline), diketone ligands (eg, acetylacetone, etc.), carboxylic acid ligands (eg, acetate ligands, etc.), alcoholates Examples include ligands (eg, phenolate ligands), carbon monoxide ligands, isonitrile ligands, cyano ligands, and the like. Among these, a nitrogen-containing heterocyclic ligand is particularly preferable.
前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有する、いわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。これらの中でも、燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。 The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time. Among these, examples of the phosphorescent light emitting material include the following, but are not limited thereto.
前記燐光発光材料の含有量は、前記発光層を形成する化合物の全質量に対して、0.5質量%〜40質量%が好ましく、1質量%〜30質量%がより好ましく、3質量%〜20質量%が更に好ましい。前記含有量が、0.5質量%未満であると、発光効率が小さくなることがあり、40質量%を超えると、燐光発光材料自身の会合により、発光効率が低下することがある。 The content of the phosphorescent material is preferably 0.5% by mass to 40% by mass, more preferably 1% by mass to 30% by mass, and more preferably 3% by mass to the total mass of the compound forming the light emitting layer. 20 mass% is still more preferable. When the content is less than 0.5% by mass, the light emission efficiency may be reduced, and when it exceeds 40% by mass, the light emission efficiency may be reduced due to association of the phosphorescent material itself.
−−蛍光発光材料−−
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、ペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン又はこれらの誘導体などが挙げられる。
--Fluorescent material--
The fluorescent material is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, Coumarin, pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compound, condensed polycyclic aromatic compound (anthracene) , Phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, pentacene, etc.), metal complexes of 8-quinolinol, various metal complexes represented by pyromethene complexes and rare earth complexes, polythiophene Polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compound, and an organic silane or a derivative thereof.
これらの中でも、前記蛍光発光材料の具体例としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記蛍光発光材料の含有量は、前記発光層を形成する化合物の全質量に対して、0.1質量%〜30質量%が好ましく、耐久性、発光効率の観点から0.5質量%〜20質量%がより好ましく、1質量%〜15質量%が更に好ましい。 The content of the fluorescent light emitting material is preferably 0.1% by mass to 30% by mass with respect to the total mass of the compound forming the light emitting layer, and 0.5% by mass to 20% from the viewpoint of durability and light emission efficiency. % By mass is more preferable, and 1% by mass to 15% by mass is even more preferable.
−ホスト化合物−
前記ホスト化合物としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト化合物及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物を用いることができる。
-Host compound-
As the host compound, a hole transporting host compound having excellent hole transportability and an electron transporting host compound having excellent electron transportability can be used.
−−正孔輸送性ホスト化合物−−
前記正孔輸送性ホスト化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体などが挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格、又は芳香族第三級アミン骨格を有するものがより好ましく、カルバゾール骨格を有する化合物が特に好ましい。
また、前記ホスト化合物の水素を一部又はすべて重水素に置換したホスト材料を用いることができる(特開2009−277790号公報、特表2004−515506号公報)。
--Hole transporting host compound--
The hole transporting host compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.For example, pyrrole, indole, carbazole, azaindole, azacarbazole, pyrazole, imidazole, polyarylalkane, pyrazoline, Pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidin compound, porphyrin compound, polysilane compound, poly Examples thereof include (N-vinylcarbazole), aniline-based copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, carbon films, or derivatives thereof.
Among these, indole derivatives, carbazole derivatives, azaindole derivatives, azacarbazole derivatives, aromatic tertiary amine compounds, and thiophene derivatives are preferable, and indole skeleton, carbazole skeleton, azaindole skeleton, azacarbazole skeleton, or aromatic in the molecule Those having an aromatic group tertiary amine skeleton are more preferred, and compounds having a carbazole skeleton are particularly preferred.
Alternatively, a host material in which part or all of the hydrogen in the host compound is substituted with deuterium can be used (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-277790, Japanese Translation of PCT International Publication No. 2004-515506).
このような正孔輸送性ホスト化合物としての具体的化合物としては、例えば、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記正孔輸送性ホスト化合物の含有量は、前記発光層を形成する化合物の全質量に対して、10質量%〜99.9質量%が好ましく、20質量%〜99.5質量%がより好ましく、30質量%〜99質量%が更に好ましい。 The content of the hole transporting host compound is preferably 10% by mass to 99.9% by mass, and more preferably 20% by mass to 99.5% by mass with respect to the total mass of the compound forming the light emitting layer. 30 mass% to 99 mass% is more preferable.
−−電子輸送性ホスト化合物−−
前記電子輸送性ホスト化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、オキサール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、又はそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体などが挙げられる。
--Electron transporting host compound--
The electron transporting host compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, pyrazole, triazole, oxal, oxadiazole, fluorenone, anthraquinodi Heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as methane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, naphthaleneperylene, phthalocyanine, or derivatives thereof (others And a metal ring of a 8-quinolinol derivative, metal phthalocyanine, benzoxazole, and various metal complexes represented by metal complexes having benzothiazole as a ligand.
前記電子輸送性ホスト化合物としては、例えば、金属錯体、アゾール誘導体(ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等)、アジン誘導体(ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等)などが挙げられる。これらの中でも、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましい。前記金属錯体化合物は、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
前記金属錯体中の金属イオンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンなどが挙げられる。これらの中でも、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンが特に好ましい。
Examples of the electron transporting host compound include metal complexes, azole derivatives (such as benzimidazole derivatives and imidazopyridine derivatives), and azine derivatives (such as pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, and triazine derivatives). Among these, a metal complex compound is preferable from the viewpoint of durability. The metal complex compound is more preferably a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom coordinated to a metal.
There is no restriction | limiting in particular as a metal ion in the said metal complex, According to the objective, it can select suitably, For example, beryllium ion, magnesium ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, indium ion, tin ion, platinum Ion or palladium ion, more preferably beryllium ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, platinum ion, or palladium ion. Among these, aluminum ion, zinc ion, or palladium ion is particularly preferable.
前記金属錯体中に含まれる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、Springer−Verlag社、H.Yersin著、1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。 As the ligand contained in the metal complex, there are various known ligands. For example, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, Springer-Verlag, H.C. Examples include the ligands described in Yersin, published in 1987, “Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications”, Sakai Hanafusa, Yamamoto Akio, published in 1982, and the like.
前記配位子としては、例えば、含窒素ヘテロ環配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数3〜15であり、単座配位子であっても2座以上の配位子であってもよい。好ましくは2座以上6座以下の配位子である。また、2座以上6座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい)、アジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる)、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、4−ビフェニルオキシなどが挙げられる)、ヘテロアリールオキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる)、アルキルチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられる)、アリールチオ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる)、ヘテロアリールチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば。ピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる)、シロキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数3〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。)、芳香族炭化水素アニオン配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えばフェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられる)、芳香族ヘテロ環アニオン配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜25、特に好ましくは炭素数2〜20であり、例えば、ピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、ベンゾチオフェンアニオン等が挙げられる)、インドレニンアニオン配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、又はシロキシ配位子が好ましく、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、又は芳香族ヘテロ環アニオン配位子が特に好ましい。 Examples of the ligand include a nitrogen-containing heterocyclic ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 3 to 15 carbon atoms. Or a bidentate or higher ligand, preferably a bidentate or higher and hexadentate or lower ligand, or a bidentate or higher and lower 6 or lower ligand and a monodentate mixed ligand. Are also preferred), azine ligands (eg, pyridine ligands, bipyridyl ligands, terpyridine ligands, etc.), hydroxyphenylazole ligands (eg, hydroxyphenylbenzimidazole ligands, hydroxyphenyl). Benzoxazole ligands, hydroxyphenylimidazole ligands, hydroxyphenylimidazopyridine ligands, etc.), alkoxy ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms) Preferably it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C10, for example, a methoxy, an ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy etc. are mentioned, An aryloxy ligand (preferably C6-C30) More preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 2,4,6-trimethylphenyloxy, 4-biphenyloxy, etc. A heteroaryloxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, and Quinolyloxy, etc.), alkylthio ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferred) Or having 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio, and arylthio ligands (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 6 carbon atoms). 20, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example, phenylthio and the like, a heteroarylthio ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon numbers). 1 to 12, for example, pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like, siloxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, and more). Preferably it has 3 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms. For example, triphenylsiloxy group, triethoxysiloxy group, triiso Examples thereof include a propylsiloxy group. ), An aromatic hydrocarbon anion ligand (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms, such as a phenyl anion, a naphthyl anion, an anthranyl anion, etc. Aromatic heterocyclic anion ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 25 carbon atoms, particularly preferably 2 to 20 carbon atoms, such as pyrrole anion, pyrazole anion, Pyrazole anion, triazole anion, oxazole anion, benzoxazole anion, thiazole anion, benzothiazole anion, thiophene anion, benzothiophene anion, etc.) and indolenine anion ligand. Among these, a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, a heteroaryloxy group, or a siloxy ligand is preferable, a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, a siloxy ligand, Aromatic hydrocarbon anion ligands or aromatic heterocyclic anion ligands are particularly preferred.
前記金属錯体電子輸送性ホスト化合物としては、例えば、特開2002−235076号公報、特開2004−214179号公報、特開2004−221062号公報、特開2004−221065号公報、特開2004−221068号公報、特開2004−327313号公報等に記載の化合物などが挙げられる。 Examples of the metal complex electron transporting host compound include Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-235076, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-214179, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221106, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221105, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221068. And the compounds described in JP-A No. 2004-327313 and the like.
このような電子輸送性ホスト化合物としては、例えば、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
前記電子輸送性ホスト化合物の含有量は、前記発光層を形成する化合物の全質量に対して、10質量%〜99.9質量%が好ましく、20質量%〜99.5質量%がより好ましく、30質量%〜99質量%が更に好ましい。 The content of the electron transporting host compound is preferably 10% by mass to 99.9% by mass, more preferably 20% by mass to 99.5% by mass with respect to the total mass of the compound forming the light emitting layer. 30 mass%-99 mass% is still more preferable.
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
The light-emitting layer receives holes from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from a cathode, an electron injection layer, or an electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing a field to emit light.
The light emitting layer is not particularly limited and can be formed according to a known method. For example, by a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an ink jet method, or the like. It can form suitably.
前記発光層の平均厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、2nm〜500nmが好ましく、発光効率の観点から、3nm〜200nmがより好ましく、10nm〜200nmが更に好ましい。また、前記発光層は1層であっても2層以上であってもよい。 There is no restriction | limiting in particular in the average thickness of the said light emitting layer, According to the objective, it can select suitably, 2 nm-500 nm are preferable, 3 nm-200 nm are more preferable from a viewpoint of luminous efficiency, and 10 nm-200 nm are still more preferable. The light emitting layer may be a single layer or two or more layers.
−正孔ブロック層、電子ブロック層−
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物としては、例えば、BAlq3等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体などが挙げられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば、前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
-Hole blocking layer, electron blocking layer-
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. .
The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
Examples of the compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq3, triazole derivatives, and phenanthroline derivatives such as BCP.
As a compound which comprises the said electron block layer, what was mentioned as the above-mentioned hole transport material can be utilized, for example.
前記電子ブロック層及び正孔ブロック層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができ、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の平均厚みは、1nm〜200nmが好ましく、1nm〜50nmがより好ましく、3nm〜10nmが更に好ましい。また、前記正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The electron block layer and the hole block layer are not particularly limited and can be formed according to a known method. For example, a vapor deposition method, a dry film forming method such as a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, It can be suitably formed by an inkjet method or the like.
The average thickness of the hole blocking layer and the electron blocking layer is preferably 1 nm to 200 nm, more preferably 1 nm to 50 nm, and still more preferably 3 nm to 10 nm. The hole blocking layer and the electron blocking layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Also good.
−基板−
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料などが挙げられる。
-Board-
The organic electroluminescent element of the present invention is preferably provided on a substrate, and may be provided in such a manner that the electrode and the substrate are in direct contact with each other, or may be provided in an intermediate layer. .
There is no restriction | limiting in particular as a material of the said board | substrate, According to the objective, it can select suitably, For example, inorganic materials, such as a yttria stabilized zirconia (YSZ) and glass (an alkali free glass, soda-lime glass, etc.); Polyethylene Examples thereof include polyesters such as terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate; organic materials such as polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene).
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。前記基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。 There is no restriction | limiting in particular about the shape of the said board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. . The substrate may be transparent or opaque, and if transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent.
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、例えば、窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
The substrate may be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
Examples of the material of the moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) include inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide.
The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
−その他の構成−
前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などが挙げられる。
前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などの内容としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開2009−152572号公報等に記載の事項を適用することができる。
-Other configurations-
There is no restriction | limiting in particular as said other structure, According to the objective, it can select suitably, For example, a protective layer, a sealing container, a resin sealing layer, a sealing adhesive etc. are mentioned.
There is no restriction | limiting in particular as contents, such as the said protective layer, the said sealing container, the said resin sealing layer, and the said sealing adhesive agent, According to the objective, it can select suitably, for example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-152572. The matters described in the gazette can be applied.
本発明の有機電界発光素子の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その層構成としては、例えば、以下の(1)〜(13)の層構成、即ち、(1)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、(2)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、(3)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、(5)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極、(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/陰極、(7)陽極/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/電子注入層/陰極、(8)陽極/正孔輸送層/発光層兼電子輸送層/陰極、(9)陽極/正孔注入層/正孔輸送層兼発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、(10)陽極/正孔注入層/正孔輸送層兼発光層/電子輸送層/陰極、(11)陽極/正孔輸送層兼発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、(12)陽極/正孔輸送層兼発光層/電子輸送層/陰極、(13)陽極/正孔輸送層兼発光層兼電子輸送層/陰極、などが好適に挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as a structure of the organic electroluminescent element of this invention, Although it can select suitably according to the objective, As its layer structure, the following (1)-(13) layer structure, That is, (1) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, (2) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport Layer / cathode, (3) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, (4) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode, (5) anode / Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, (6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode, (7 ) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, (8) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode, (9) positive / Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, (10) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode, (11 ) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, (12) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode, (13) Anode / hole transport layer combined A light emitting layer / electron transport layer / cathode and the like are preferable.
−駆動−
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ(TFT)によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えば、国際公開2005/088726号パンフレット、特開2006−165529号公報、米国特許出願公開2008/0237598号明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
-Drive-
The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Can be obtained.
The organic electroluminescent element of the present invention can be applied to an active matrix by a thin film transistor (TFT). As the active layer of the thin film transistor, amorphous silicon, high temperature polysilicon, low temperature polysilicon, microcrystalline silicon, oxide semiconductor, organic semiconductor, carbon nanotube, or the like can be used.
For example, the thin film transistors described in International Publication No. 2005/088726, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-165529, US Patent Application Publication No. 2008/0237598, and the like can be applied to the organic electroluminescent device of the present invention.
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する(例えば微細な凹凸パターンを形成する)、基板、ITO層、有機層の屈折率を制御する、基板、ITO層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
There is no restriction | limiting in particular in the organic electroluminescent element of this invention, Light extraction efficiency can be improved by various well-known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate, ITO layer, organic layer, controlling the thickness of the substrate, ITO layer, organic layer, etc. It is possible to improve the external quantum efficiency.
The light extraction method from the organic electroluminescence device of the present invention may be a top emission method or a bottom emission method.
本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、第1の態様では、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返して共振する。
第2の態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返して共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。
前記第1の態様の場合の計算式は、例えば、特開平9−180883号公報に記載されている。
前記第2の態様の場合の計算式は、例えば、特開2004−127795号公報に記載されている。
The organic electroluminescent element of the present invention may have a resonator structure. For example, in the first aspect, a multilayer mirror composed of a plurality of laminated films having different refractive indexes, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are superimposed on a transparent substrate. The light generated in the light emitting layer resonates by repeatedly reflecting between the multilayer mirror and the metal electrode as a reflector.
In the second aspect, the transparent or translucent electrode and the metal electrode each function as a reflector on the transparent substrate, and the light generated in the light emitting layer repeats reflection between them and resonates.
In order to form a resonant structure, the optical path length determined from the effective refractive index of the two reflectors and the refractive index and thickness of each layer between the reflectors is adjusted to the optimum value to obtain the desired resonant wavelength. Is done.
The calculation formula in the case of the first aspect is described in, for example, JP-A-9-180883.
The calculation formula in the case of the second aspect is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-127795.
−用途−
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
-Application-
The organic electroluminescent element of the present invention is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the display element, display, backlight, electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, label It can be suitably used for signboards, interiors, optical communications, and the like.
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
下記実施例及び比較例において、金属部材の平均高さの分散2σ、金属部材の平均高さ、及び隣接層の平均高さについては、以下のようにして測定した。
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
In the following examples and comparative examples, the average height dispersion 2σ of metal members, the average height of metal members, and the average height of adjacent layers were measured as follows.
<金属部材の平均高さの分散2σの測定方法>
原子間力顕微鏡(SPA−400、セイコーインスツルメンツ株式会社製)にて、金属部材の高さの測定を行った。測定した100個の金属部材の高さから、金属微粒子の平均高さの分散2σを算出した。
<Measuring method of dispersion 2σ of average height of metal member>
The height of the metal member was measured with an atomic force microscope (SPA-400, manufactured by Seiko Instruments Inc.). The dispersion 2σ of the average height of the metal fine particles was calculated from the measured heights of 100 metal members.
<金属部材の平均高さの測定方法>
原子間力顕微鏡(SPA−400、セイコーインスツルメンツ株式会社製)にて、金属部材の高さの測定を行った。測定した100個の金属部材の高さの平均値を、金属部材の平均高さとした。
<Measuring method of average height of metal member>
The height of the metal member was measured with an atomic force microscope (SPA-400, manufactured by Seiko Instruments Inc.). The average height of the 100 metal members measured was defined as the average height of the metal members.
<隣接層の平均高さの測定方法>
原子間力顕微鏡(SPA−400、セイコーインスツルメンツ株式会社製)にて、1μm×1μmの領域で隣接層の表面形状の観察を行い、その最大値と最小値の差をこの領域での最大高さとした(図1中、Ry)。20領域で測定を行い、それぞれの領域での最大高さの算術平均値を、隣接層の平均高さとした。
<Measuring method of average height of adjacent layer>
With an atomic force microscope (SPA-400, manufactured by Seiko Instruments Inc.), the surface shape of the adjacent layer is observed in a 1 μm × 1 μm region, and the difference between the maximum value and the minimum value is determined as the maximum height in this region. (Ry in FIG. 1). The measurement was performed in 20 regions, and the arithmetic average value of the maximum height in each region was defined as the average height of the adjacent layer.
(実施例1)
<基板の準備>
酸化インジウム錫(以下、ITOと略記する)を100nmの厚みに蒸着した0.5mm厚み、2.5cm角のITO電極付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
Example 1
<Preparation of substrate>
A 0.5 mm thick, 2.5 cm square glass substrate with an ITO electrode deposited with indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO) to a thickness of 100 nm was placed in a cleaning container, and ultrasonically cleaned in 2-propanol. UV-ozone treatment was performed for 30 minutes.
<金属部材の作製>
−金属部材の作製(1)(EBリソグラフィー法)−
準備したITO電極付きガラス基板上に、電子線(EB)ポジ化学増幅型レジスト(FEP171、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製)を1,200rpmの回転数で1分間スピンコートを行い、120℃で1分間の加熱処理を実施した。
次に、電子線描画装置(JBX−6000FS/E、日本電子株式会社製)にて、直径(φ)100nmの円形の形状を、400nmの周期で描画した。描画に続いて120℃で1分間の加熱処理を実施した後、現像液(FHD−5、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製)により現像を行った。
現像後、電子線蒸着装置(EBX−8C、アルバックテクノ社製)にて純度99.99%のAgを蒸着した。蒸着速度は0.1nm/秒であった。
次に、基板ごとアセトン溶液に浸すことで不要部のレジスト及びAgを除去し、図4に示すような規則的に配列した金属部材を得た。得られた金属部材の平均高さは60nm、金属部材の平均高さの分散2σは5.2nm、ドットの直径は126nm、間隔(ピッチ)は400nmであった。
<Production of metal member>
-Production of metal member (1) (EB lithography method)-
An electron beam (EB) positive chemically amplified resist (FEP171, manufactured by FUJIFILM Electronics Materials Co., Ltd.) is spin-coated at 1,200 rpm for 1 minute on the prepared glass substrate with ITO electrode at 120 ° C. Heat treatment for 1 minute was performed.
Next, a circular shape having a diameter (φ) of 100 nm was drawn with a period of 400 nm using an electron beam drawing apparatus (JBX-6000FS / E, manufactured by JEOL Ltd.). Following drawing, a heat treatment was performed at 120 ° C. for 1 minute, and then development was performed with a developer (FHD-5, manufactured by Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd.).
After development, Ag having a purity of 99.99% was vapor-deposited with an electron beam vapor deposition device (EBX-8C, manufactured by ULVAC TECHNO). The deposition rate was 0.1 nm / second.
Next, the resist and Ag in unnecessary portions were removed by immersing the whole substrate in an acetone solution to obtain regularly arranged metal members as shown in FIG. The average height of the obtained metal member was 60 nm, the average height dispersion 2σ of the metal member was 5.2 nm, the dot diameter was 126 nm, and the interval (pitch) was 400 nm.
<隣接層の形成>
窒素ガスで置換したグローブボックス中にて、下記構造式で表される2−TNATA(4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)40mg、及び下記構造式で表されるF4TCNQ(2,3,5,6−tetrafluoro−7,7,8,8−tetracyanoquinodimethane)1mgを、トルエン(関東化学株式会社製)4mLに溶解し、得られた溶液を、前記金属部材を形成したITO電極付きガラス基板上に、回転数1,000rpmで1分間のスピンコートを行い、平均高さ10nmの隣接層を形成した。
In a glove box substituted with nitrogen gas, 40 mg of 2-TNATA (4,4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine) represented by the following structural formula and the following structural formula 1 mg of F4TCNQ (2,3,5,6-tetrafluor-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) dissolved in 4 mL of toluene (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) On the formed glass substrate with an ITO electrode, spin coating was performed at 1,000 rpm for 1 minute to form an adjacent layer having an average height of 10 nm.
<有機電界発光素子の作製>
作製した隣接層上に、以下のようにして、有機層及び金属層を真空蒸着した。蒸着速度は特に断りのない場合は0.2nm/秒であり、蒸着速度は、水晶振動子を用いて測定を行った。
次に、作製した隣接層上に、下記構造式で表されるNPDを真空蒸着法により成膜して平均厚みが5nmの正孔輸送層を形成した。
On the prepared adjacent layer, an organic layer and a metal layer were vacuum-deposited as follows. The vapor deposition rate was 0.2 nm / second unless otherwise specified, and the vapor deposition rate was measured using a quartz resonator.
Next, an NPD represented by the following structural formula was formed on the formed adjacent layer by a vacuum deposition method to form a hole transport layer having an average thickness of 5 nm.
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウム(Al)を平均厚み100nmとなるように真空蒸着した。
実施例1の有機電界発光素子の構成としては、以下のとおりである。
<ITO(100nm)/金属部材/2−TNATA+1質量%F4TCNQ(隣接層)/NPD(5nm)/BAlq+10質量%化合物1(10nm)/化合物2(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)>
( )内の数字は平均厚みを表す。
Next, a mask patterned as a cathode (a mask having a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the electron injection layer, and metal aluminum (Al) was vacuum deposited so as to have an average thickness of 100 nm.
The configuration of the organic electroluminescent element of Example 1 is as follows.
<ITO (100 nm) / metal member / 2-TNATA + 1 mass% F4TCNQ (adjacent layer) / NPD (5 nm) / BAlq + 10 mass% Compound 1 (10 nm) / Compound 2 (80 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (100 nm )>
Numbers in () represent average thickness.
(比較例1)
−有機電界発光素子の作製−
実施例1において、金属部材を作製したITO電極付きガラス基板上に、回転数2,000rpmで1分間のスピンコートを行い、平均高さ27nmの隣接層を形成した以外は、実施例1と同様にして、比較例1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Example 1, similar to Example 1 except that spin coating was performed for 1 minute at a rotational speed of 2,000 rpm on the glass substrate with an ITO electrode on which the metal member was prepared, and an adjacent layer having an average height of 27 nm was formed. Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 1 was produced.
(比較例2)
−有機電界発光素子の作製−
実施例1において、金属部材を形成したITO電極付きガラス基板上に、回転数3,000rpmで1分間のスピンコートを行い、平均高さ41nmの隣接層を形成した以外は、実施例1と同様にして、比較例2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 2)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
Example 1 is the same as Example 1 except that an ITO electrode-attached glass substrate on which a metal member is formed is spin-coated at 3,000 rpm for 1 minute to form an adjacent layer having an average height of 41 nm. Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 2 was produced.
(比較例3)
−有機電界発光素子の作製−
実施例1において、金属部材を形成したITO電極付きガラス基板上に、真空蒸着法により平均高さ57nmの隣接層を形成した以外は、実施例1と同様にして、比較例3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 3)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Example 1, the organic electroluminescence of Comparative Example 3 was made in the same manner as in Example 1 except that an adjacent layer having an average height of 57 nm was formed on the glass substrate with an ITO electrode on which the metal member was formed by vacuum deposition. An element was produced.
(比較例4)
−有機電界発光素子の作製−
実施例1において、ITO電極付きガラス基板上に金属部材を設けなかった以外は、実施例1と同様にして、比較例4の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 4)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Example 1, the organic electroluminescent element of the comparative example 4 was produced like Example 1 except not having provided a metal member on the glass substrate with an ITO electrode.
(実施例2)
<有機電界発光素子の作製>
実施例1において、金属部材の作製(1)を、以下に示す金属部材の作製(2)(Ag蒸着及びアニールによる自己組織化)に代えた以外は、実施例1と同様にして、実施例2の有機電界発光素子を作製した。
−金属部材の作製(2)(Ag蒸着及びアニールによる自己組織化)−
ITO電極付きガラス基板上に、電子線蒸着装置(EBX−8C、アルバックテクノ社製)にて純度99.9%のAgを蒸着した。その後、電子線蒸着装置の基板加熱機構を用いて300℃で60分間アニールを行い、図4に示すような大きさ及び配列がランダムな構造の金属部材を作製した。
(Example 2)
<Production of organic electroluminescence device>
Example 1 Example 1 was carried out in the same manner as Example 1 except that production (1) of the metal member was replaced with production (2) of the metal member shown below (self-organization by Ag vapor deposition and annealing). 2 organic electroluminescent elements were produced.
-Production of metal member (2) (Self-organization by Ag deposition and annealing)-
On the glass substrate with an ITO electrode, Ag having a purity of 99.9% was vapor-deposited with an electron beam vapor deposition apparatus (EBX-8C, manufactured by ULVAC TECHNO). Thereafter, annealing was performed at 300 ° C. for 60 minutes using the substrate heating mechanism of the electron beam evaporation apparatus, and a metal member having a random size and arrangement as shown in FIG. 4 was produced.
(実施例3)
<有機電界発光素子の作製>
実施例1において、金属部材の作製(1)を、以下に示す金属部材の作製(3)(Ag蒸着)に代えた以外は、実施例1と同様にして、実施例3の有機電界発光素子を作製した。
−金属部材の作製(3)(Ag蒸着)−
ITO電極付きガラス基板上に、電子線蒸着装置(EBX−8C、アルバックテクノ社製)にて純度99.9%のAgを蒸着し、大きさ及び配列がランダムな構造の金属部材を作製した。
(Example 3)
<Production of organic electroluminescence device>
In Example 1, the organic electroluminescent element of Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the production (1) of the metal member was replaced with the production (3) (Ag vapor deposition) of the metal member shown below. Was made.
-Production of metal member (3) (Ag vapor deposition)-
On a glass substrate with an ITO electrode, Ag having a purity of 99.9% was vapor-deposited with an electron beam vapor deposition apparatus (EBX-8C, manufactured by ULVAC TECHNO) to produce a metal member having a structure with a random size and arrangement.
次に、ITO電極付きガラス基板上に金属部材を形成した各サンプルについて、以下のようにして、金属部材の面積率を求めた。結果を表1に示す。また、作製した各有機電界発光素子について、以下のようにして、外部量子効率、及び耐久性を測定した。結果を表1に示す。 Next, about each sample which formed the metal member on the glass substrate with an ITO electrode, the area ratio of the metal member was calculated | required as follows. The results are shown in Table 1. Moreover, about each produced organic electroluminescent element, the external quantum efficiency and durability were measured as follows. The results are shown in Table 1.
<金属部材の面積率(密度)>
ITO電極付きガラス基板上に金属部材を形成したサンプルについて、走査型電子顕微鏡(日立製作所製、S4100)で表面観察を行い、金属部材がある部分の面積Aと、金属部材がない部分の面積Bとを求め、次式、〔A/(A+B)〕×100%から、金属部材の面積率を求めた。
<Area ratio (density) of metal member>
About the sample which formed the metal member on the glass substrate with an ITO electrode, surface observation is performed with a scanning electron microscope (manufactured by Hitachi, Ltd., S4100), and the area A where the metal member is present and the area B where the metal member is not present And the area ratio of the metal member was determined from the following formula [A / (A + B)] × 100%.
<外部量子効率(EQE)の測定方法>
東陽テクニカ株式会社製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電流を各有機電界発光素子に通電し、発光させた。そのときの発光スペクトルを、トプコン社製分光放射輝度計SR−3を用いて測定した。得られたスペクトルを基に、有機電界発光素子の電流密度が0.25mA/cm2における外部量子効率(EQE)を、波長ごとの強度換算法により算出した。
<Method for measuring external quantum efficiency (EQE)>
Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica Co., Ltd., a direct current was applied to each organic electroluminescent element to emit light. The emission spectrum at that time was measured using a spectral radiance meter SR-3 manufactured by Topcon Corporation. Based on the obtained spectrum, the external quantum efficiency (EQE) at a current density of the organic electroluminescent element of 0.25 mA / cm 2 was calculated by an intensity conversion method for each wavelength.
<耐久性の測定方法>
各有機電界発光素子を輝度2,000cd/m2になる直流電流を測定し、その電流値でそれぞれの有機電界発光素子を連続駆動して輝度が1,000cd/m2になるまでの時間を測定した。
<Durability measurement method>
Each organic electroluminescent device measures the DC current becomes the luminance 2,000 cd / m 2, the time until the respective organic electroluminescent device in its current continuous driving to the luminance becomes 1,000 cd / m 2 It was measured.
(実施例4〜6及び比較例5〜7)
実施例1〜3及び比較例1〜3において、金属部材の作製における金属の蒸着時間を変えることによって金属部材の平均高さ、金属部材の平均高さの分散2σ、及び隣接層の平均高さを表2に示すように変えた以外は、実施例1〜3及び比較例1〜3と同様にして、実施例4〜6及び比較例5〜7の有機電界発光素子を作製した。なお、実施例4は実施例1に、比較例5は比較例1に、比較例6は比較例2に、比較例7は比較例3に、実施例5は実施例2に、実施例6は実施例3にそれぞれ対応する。
作製した各有機電界発光素子について、実施例1〜3及び比較例1〜4と同様にして、面積率、外部量子効率、及び耐久性を測定した。結果を表2に示す。
(Examples 4-6 and Comparative Examples 5-7)
In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the average height of the metal member, the dispersion 2σ of the average height of the metal member, and the average height of the adjacent layer by changing the metal deposition time in the production of the metal member Except having changed as shown in Table 2, it carried out similarly to Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3, and produced the organic electroluminescent element of Examples 4-6 and Comparative Examples 5-7. In addition, Example 4 is in Example 1, Comparative Example 5 is in Comparative Example 1, Comparative Example 6 is in Comparative Example 2, Comparative Example 7 is in Comparative Example 3, Example 5 is in Example 2, and Example 6 is. Corresponds to Example 3, respectively.
About each produced organic electroluminescent element, it carried out similarly to Examples 1-3 and Comparative Examples 1-4, and measured the area rate, the external quantum efficiency, and durability. The results are shown in Table 2.
(実施例7〜11及び比較例8〜11)
実施例1〜3及び比較例1〜3において、金属部材の作製における金属の蒸着時間を変えることによって金属部材の平均高さ、金属部材の平均高さの分散2σ、及び隣接層の平均高さを表3に示すように変えた以外は、実施例1〜3及び比較例1〜3と同様にして、実施例7〜11及び比較例8〜11の有機電界発光素子を作製した。なお、実施例7は実施例1に、実施例8は比較例1に、実施例9は比較例2に、比較例8は比較例3に、実施例10は実施例2に、実施例11は実施例3に、比較例9は比較例4に、比較例10は比較例8に、比較例11は比較例8に、それぞれ対応する。
作製した各有機電界発光素子について、実施例1〜3及び比較例1〜4と同様にして、面積率、外部量子効率、及び耐久性を測定した。結果を表3に示す。
(Examples 7 to 11 and Comparative Examples 8 to 11)
In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the average height of the metal member, the dispersion 2σ of the average height of the metal member, and the average height of the adjacent layer by changing the metal deposition time in the production of the metal member Except having changed as shown in Table 3, it carried out similarly to Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3, and produced the organic electroluminescent element of Examples 7-11 and Comparative Examples 8-11. In addition, Example 7 is in Example 1, Example 8 is in Comparative Example 1, Example 9 is in Comparative Example 2, Comparative Example 8 is in Comparative Example 3, Example 10 is in Example 2, and Example 11 is. Corresponds to Example 3, Comparative Example 9 corresponds to Comparative Example 4, Comparative Example 10 corresponds to Comparative Example 8, and Comparative Example 11 corresponds to Comparative Example 8.
About each produced organic electroluminescent element, it carried out similarly to Examples 1-3 and Comparative Examples 1-4, and measured the area rate, the external quantum efficiency, and durability. The results are shown in Table 3.
本発明の有機電界発光素子は、例えば、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用することができる。 The organic electroluminescent element of the present invention can be suitably used for display elements, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communications, and the like. it can.
1 電極
2 隣接層
3 発光層
4 金属部材
1 Electrode 2 Adjacent layer 3 Light emitting layer 4 Metal member
Claims (9)
少なくとも一方の前記電極に隣接して前記発光層側に平均高さが20nm以上の金属部材と、
前記金属部材と前記発光層との間に平均高さが15nm以下の隣接層と、
を有することを特徴とする有機電界発光素子。 An organic electroluminescent device having a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and a light emitting layer between the pair of electrodes,
A metal member having an average height of 20 nm or more on the light emitting layer side adjacent to at least one of the electrodes;
An adjacent layer having an average height of 15 nm or less between the metal member and the light emitting layer;
An organic electroluminescent device comprising:
電極上に金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記金属部材上に液相成膜法により隣接層を形成する隣接層形成工程と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 A method for producing the organic electroluminescent device according to claim 1,
A metal member forming step of forming a metal member on the electrode;
An adjacent layer forming step of forming an adjacent layer on the metal member by a liquid phase film forming method;
The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by including.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011114935A JP2012244060A (en) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | Organic electroluminescent element and manufacturing method therefor |
PCT/JP2012/062911 WO2012161154A1 (en) | 2011-05-23 | 2012-05-21 | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011114935A JP2012244060A (en) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | Organic electroluminescent element and manufacturing method therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012244060A true JP2012244060A (en) | 2012-12-10 |
Family
ID=47217231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011114935A Withdrawn JP2012244060A (en) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | Organic electroluminescent element and manufacturing method therefor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012244060A (en) |
WO (1) | WO2012161154A1 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165284A (en) * | 2005-11-18 | 2007-06-28 | Seiko Instruments Inc | Electroluminescent device and display using same |
JP5312146B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-10-09 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | Light emitting element |
JP5312145B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-10-09 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | Electroluminescence element |
JP5306038B2 (en) * | 2009-04-24 | 2013-10-02 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | Organic electroluminescence device |
US20120313129A1 (en) * | 2009-11-27 | 2012-12-13 | Osaka University | Organic electroluminescent element, and method for manufacturing organic electroluminescent element |
-
2011
- 2011-05-23 JP JP2011114935A patent/JP2012244060A/en not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-05-21 WO PCT/JP2012/062911 patent/WO2012161154A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012161154A1 (en) | 2012-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5324513B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP5063007B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
KR102238719B1 (en) | Organic electroluminescence element | |
JP2007141736A (en) | Organic electroluminescent element | |
WO2010137411A1 (en) | Organic electroluminescence element | |
JP2007200938A (en) | Organic electroluminescence light emitting device | |
JP2011199174A (en) | Light-emitting layer forming solid material, organic electroluminescent element, and method for producing the same | |
JP5586254B2 (en) | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device manufacturing method, display device and lighting device | |
JP2011044365A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP5833322B2 (en) | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
JP5670223B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP2007242600A (en) | Organic electroluminescent element, and its manufacturing method | |
JP5649327B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP5717944B2 (en) | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
JP2011192829A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2011228238A (en) | White color organic electroluminescence element | |
JP5761962B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP4554721B1 (en) | Organic electroluminescence device and evaluation method thereof | |
JP4523666B1 (en) | Composition for forming organic electroluminescent element and method for producing vapor-deposited film | |
JP4516624B1 (en) | Inspection method for organic electroluminescence device and inspection method for material for organic electroluminescence device | |
JP5912224B2 (en) | White organic electroluminescence device | |
WO2012161154A1 (en) | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof | |
JP6169556B2 (en) | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
JP2007208218A (en) | Organic electroluminescence device | |
JP2008108712A (en) | Organic luminescent element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140805 |