JP2012241233A - Vapor deposition boat and vapor deposition apparatus using the same - Google Patents

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Akiyoshi Oshima
章義 大島
Hiroteru Kamiguchi
洋輝 上口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To create an electrode foil with large capacity, which has a little variation in capacitance.SOLUTION: In a vapor deposition boat 13, a recessed groove 17 is composed of: a recessed groove for supply 19A to which at least a vapor deposition material is supplied; a recessed groove for evaporation 20 in communication with the recessed groove for supply 19A; and a recessed groove for diffusion 19B in communication with the recessed groove for evaporation 20. A ratio of a resistance value of a region of a substrate 18 on which surface the recessed groove for evaporation 20 is formed to the respective resistance values of the regions of the substrate 18 on which surface the recessed groove for supply 19A and the recessed groove for diffusion 19B are formed is not less than the value obtained by dividing the boiling point of the vapor deposition material by the melting point of the vapor deposition material. Thus, the temperature near the recessed groove for supply 19A is decreased, melt and oxidization of the vapor deposition material near the recessed groove for supply 19A is suppressed, and the amount of evaporation is stabilized. Also, the vapor deposition material can uniformly reach the end of the recessed groove 17, so that an uniform layer of a coarse film 7 can be formed.

Description

本発明は蒸着用ボートとこれを用いた蒸着装置に関する。   The present invention relates to a vapor deposition boat and a vapor deposition apparatus using the same.

図10は電解コンデンサの電極箔1を模式的に表した断面図である。   FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the electrode foil 1 of the electrolytic capacitor.

この電極箔1は、アルミニウム箔からなる基材2と、この基材2上に形成された粗膜層3とを備えている。粗膜層3は、アルミニウムからなる微粒子4が不規則に積み重なって枝分かれし、内部に多数の空孔を有する疎な構造である。そして粗膜層3は、膜厚が20〜40μm程度の厚い膜である。このように粗膜層3を疎で厚い膜とすることによって、電極箔1の表面積を増やし、大容量のコンデンサを実現することができる。   The electrode foil 1 includes a base material 2 made of an aluminum foil and a rough film layer 3 formed on the base material 2. The rough film layer 3 has a sparse structure in which fine particles 4 made of aluminum are irregularly stacked and branched, and have a large number of pores inside. The coarse film layer 3 is a thick film having a thickness of about 20 to 40 μm. Thus, by making the rough film layer 3 into a sparse and thick film, the surface area of the electrode foil 1 can be increased and a large-capacity capacitor can be realized.

そしてこのような疎で厚い粗膜層3を形成するための蒸着装置は、真空ポンプに連結された真空槽を備えている。この真空槽内には、基材2の表面と対向する位置に配置されるとともに、両端がそれぞれ正または負の電極に接続された蒸着用ボート(図11の図番113)と、この蒸着用ボート113に蒸着材料を供給する供給部と、真空槽内にガスを導入するガス管とが設けられている。蒸着用ボート113は、凹溝117が形成された基体118からなり、その材料はBN(窒化ホウ素)、W(タングステン)、PBN(熱分解窒化ホウ素)などの抵抗発熱体からなる。   The vapor deposition apparatus for forming such a sparse and thick coarse film layer 3 includes a vacuum chamber connected to a vacuum pump. In this vacuum chamber, a vapor deposition boat (diagram 113 in FIG. 11) which is disposed at a position facing the surface of the substrate 2 and whose both ends are respectively connected to positive or negative electrodes, and for this vapor deposition A supply unit for supplying the vapor deposition material to the boat 113 and a gas pipe for introducing gas into the vacuum chamber are provided. The vapor deposition boat 113 is composed of a base 118 having a concave groove 117 formed, and the material thereof is composed of a resistance heating element such as BN (boron nitride), W (tungsten), PBN (pyrolytic boron nitride).

またガス管からは不活性ガスとしてのアルゴンガスと、活性ガスとしての酸素ガスとをバランスよく供給し、疎な粗膜層3を形成する。   Further, from the gas pipe, an argon gas as an inert gas and an oxygen gas as an active gas are supplied in a balanced manner to form a sparse rough film layer 3.

なお、この出願の発明に近似する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。また蒸着用ボートに関連する先行技術文献情報としては特許文献2〜4が挙げられる。   For example, Patent Document 1 is known as prior art document information that approximates the invention of this application. Moreover, patent document 2-4 is mentioned as prior art document information relevant to the boat for vapor deposition.

特開2008−258355号公報JP 2008-258355 A 特開2007−39809号公報JP 2007-39809 A 特開昭60−75574号公報JP-A-60-75574 特開平5−26633号公報JP-A-5-26633

従来の電極箔は、図12のSEM写真から分かるように、粗膜層3の膜厚や密度が不均一で、静電容量がバラつくことがあった。   In the conventional electrode foil, as can be seen from the SEM photograph of FIG. 12, the film thickness and density of the rough film layer 3 are not uniform, and the capacitance may vary.

その理由は、粗膜層3を形成する際、蒸着材料が蒸着用ボート113から均一に蒸発していないからと考えられる。   The reason is considered that the vapor deposition material is not uniformly evaporated from the vapor deposition boat 113 when the rough film layer 3 is formed.

すなわち供給部から供給される蒸着材料は、蒸着用ボート113からの輻射熱や蒸発した微粒子4からの潜熱を受け、蒸着用ボート113に到達する前に過剰に溶融してしまうことがある。このように過剰に溶融すると、蒸着材料が凹溝117内に一定した速度で安定して充填されず、凹溝117から蒸発材料が均一に蒸発しない。また凹溝117の端部は蒸着材料が均一に行き渡らず、凹溝117から蒸発材料が均一に蒸発しないことがある。   That is, the vapor deposition material supplied from the supply unit may receive radiant heat from the vapor deposition boat 113 or latent heat from the evaporated fine particles 4 and may melt excessively before reaching the vapor deposition boat 113. Thus, when it melt | dissolves excessively, a vapor deposition material will not be stably filled with the constant speed in the ditch | groove 117, and an evaporation material will not evaporate from the ditch | groove 117 uniformly. Further, the vapor deposition material does not spread uniformly at the end of the concave groove 117, and the evaporation material may not uniformly evaporate from the concave groove 117.

そしてその結果、粗膜層3が不均一となり、静電容量がバラつくのであった。   As a result, the rough film layer 3 becomes non-uniform and the capacitance varies.

そこで本発明は、均一な粗膜層を有し、静電容量のバラツキの少ない電極箔を形成する事を目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to form an electrode foil having a uniform rough film layer and less variation in capacitance.

そしてこの目的を達成するため本発明は、凹溝が、少なくとも一方の端部に配置され、蒸着材料が供給される供給用凹溝と、この供給用凹溝と連通し、蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝と、この蒸発用凹溝と連通するとともに、凹溝の他方の端部に配置された拡散用凹溝とで構成され、表面に供給用凹溝および拡散用凹溝が形成された領域のそれぞれの基体の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝が形成された領域の基体の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。   In order to achieve this object, according to the present invention, a groove is disposed at at least one end, and a supply groove to which a vapor deposition material is supplied communicates with the supply groove to evaporate the vapor deposition material. The groove is composed of an evaporation groove and a diffusion groove that communicates with the evaporation groove and is disposed at the other end of the groove. The supply groove and the diffusion groove are formed on the surface. The ratio of the resistance value of the substrate in the region where the groove for evaporation is formed on the surface to the resistance value of each substrate in the region is not less than the value obtained by dividing the boiling point of the vapor deposition material by the melting point of the vapor deposition material. .

これにより本発明は、均一な粗膜層を有し、静電容量のバラツキの少ない電極箔を形成できる。   Accordingly, the present invention can form an electrode foil having a uniform rough film layer and less variation in capacitance.

その理由は、上記蒸着用ボートの構成により、供給用凹溝および拡散用凹溝が形成された領域の基体の発熱を抑えることができるからである。   The reason is that the structure of the vapor deposition boat can suppress the heat generation of the substrate in the region where the supply groove and the diffusion groove are formed.

これにより供給用凹溝近傍からの輻射熱を抑制できるとともに、供給用凹溝からの蒸着材料の蒸発量を抑え、微粒子の潜熱による影響を低減することができる。また凹溝の両端がいずれも低温化されるため、溶融した蒸着材料が両端へと引っ張られ、凹溝内での濡れ性が均質化される。   This can suppress radiant heat from the vicinity of the supply groove, suppress the evaporation amount of the vapor deposition material from the supply groove, and reduce the influence of the latent heat of the fine particles. Further, since both ends of the groove are lowered in temperature, the melted vapor deposition material is pulled to both ends, and the wettability in the groove is homogenized.

そしてその結果、蒸発用凹溝から蒸着材料を均一に蒸発させ、粗膜層が均一で、静電容量のバラツキの少ない電極箔を製造する事ができる。   As a result, it is possible to uniformly evaporate the vapor deposition material from the evaporation concave groove, and to manufacture an electrode foil having a uniform rough film layer and less variation in capacitance.

本発明の実施例1における電極箔の断面図Sectional drawing of the electrode foil in Example 1 of this invention 本発明の実施例1における蒸着装置の模式図The schematic diagram of the vapor deposition apparatus in Example 1 of this invention (a)本発明の実施例1における蒸着用ボートの上面図、(b)同蒸着用ボートの長軸方向における垂直断面図、(c)同蒸着用ボートを抵抗加熱用電源に接続した回路図(A) Top view of vapor deposition boat in Example 1 of the present invention, (b) Vertical sectional view in the major axis direction of the vapor deposition boat, (c) Circuit diagram in which the vapor deposition boat is connected to a resistance heating power source 本発明の実施例1における電極箔のSEM写真SEM photograph of electrode foil in Example 1 of the present invention 本発明の実施例1と従来の電極箔の静電容量のバラツキを示す図The figure which shows the dispersion | variation in the electrostatic capacitance of Example 1 of this invention and the conventional electrode foil 比較例の電極箔のSEM写真SEM photograph of electrode foil of comparative example (a)比較例の蒸着用ボートの上面図、(b)同蒸着用ボートの長軸方向における垂直断面図(A) Top view of vapor deposition boat of comparative example, (b) Vertical sectional view in the major axis direction of the vapor deposition boat. (a)本発明の実施例2における蒸着用ボートの上面図、(b)同蒸着用ボートの長軸方向における垂直断面図(A) Top view of vapor deposition boat in Example 2 of the present invention, (b) Vertical sectional view in the major axis direction of the vapor deposition boat (a)本発明の実施例3における蒸着用ボートの上面図、(b)同蒸着用ボートの長軸方向における垂直断面図(A) Top view of vapor deposition boat in Example 3 of the present invention, (b) Vertical sectional view in the major axis direction of the vapor deposition boat 従来の電極箔の断面図Cross section of conventional electrode foil (a)従来の蒸着用ボートの上面図、(b)同蒸着用ボートの長軸方向における垂直断面図(A) Top view of a conventional vapor deposition boat, (b) Vertical sectional view in the major axis direction of the vapor deposition boat 従来の電極箔のSEM写真SEM photo of conventional electrode foil

(実施例1)
以下、本実施例では、固体電解コンデンサや電解液を用いた電解コンデンサなどに用いる電極箔を製造する蒸着装置と、この装置に用いられる蒸着用ボートについて説明する。
Example 1
Hereinafter, a vapor deposition apparatus which manufactures electrode foil used for a solid electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor using electrolytic solution, etc., and a boat for vapor deposition used for this apparatus are explained in this example.

図1に示すように、本実施例の電極箔5は、アルミニウムからなる基材6と、この基材6上に形成された粗膜層7とからなる。粗膜層7は、基材6の表面からアルミニウムからなる微粒子8が不均一に積層し、複数に枝分かれした疎な構造体である。この粗膜層7は、内部に多数の空孔が形成され、これらの空孔は外部と繋がっているため、粗膜層7の表面積は非常に大きくなっている。このような粗膜層7は、蒸着によって形成することができる。   As shown in FIG. 1, the electrode foil 5 of this example is composed of a base material 6 made of aluminum and a rough film layer 7 formed on the base material 6. The coarse film layer 7 is a sparse structure in which fine particles 8 made of aluminum are laminated non-uniformly from the surface of the substrate 6 and are branched into a plurality of branches. The rough film layer 7 has a large number of holes formed therein, and these holes are connected to the outside. Therefore, the surface area of the rough film layer 7 is very large. Such a rough film layer 7 can be formed by vapor deposition.

基材6の膜厚は30μm程度、粗膜層7の厚みは片面で20μm〜80μm程度であり、粗膜層7は、基材6の片面あるいは両面に形成されていてもよい。粗膜層7は、20μm以上の厚い膜とすることで表面積を拡大し、大容量化を実現できる。なお、80μm以下としたのは、この厚みが本実施例における蒸着プロセスで精度よく形成できる限界厚みだからである。   The base material 6 has a thickness of about 30 μm, and the rough film layer 7 has a thickness of about 20 μm to 80 μm on one side. The rough film layer 7 may be formed on one side or both sides of the base material 6. The rough film layer 7 is a thick film having a thickness of 20 μm or more, thereby increasing the surface area and realizing a large capacity. The reason why the thickness is 80 μm or less is that this thickness is a limit thickness that can be accurately formed by the vapor deposition process in this embodiment.

微粒子8は、直径が0.01μm〜0.3μm程度であり、空孔径の最頻値は、0.01μm〜0.2μm程度である。このように微細な微粒子8を積み上げるとともに、微細な空孔を多数形成することによって、粗膜層7の表面積を拡大することができる。   The fine particles 8 have a diameter of about 0.01 μm to 0.3 μm, and the mode of pore diameter is about 0.01 μm to 0.2 μm. The surface area of the rough film layer 7 can be increased by accumulating the fine particles 8 and forming a large number of fine holes.

基材6の材料は、アルミニウムに限定されず、その他チタン、タンタルなどの弁金属やその合金材料、銅、銀など種々の導電性材料を用いることができる。本実施例では、膜厚30μm、幅10cm程度のものを用いた。   The material of the substrate 6 is not limited to aluminum, and various other conductive materials such as valve metals such as titanium and tantalum, alloy materials thereof, copper, and silver can be used. In this example, a film having a thickness of about 30 μm and a width of about 10 cm was used.

また粗膜層7の材料もアルミニウムに限定されず、その他弁金属材料やその合金材料をはじめ、種々の導電性材料を用いることができる。   The material of the coarse film layer 7 is not limited to aluminum, and other conductive materials including other valve metal materials and alloy materials thereof can be used.

なお、複数の微粒子8が結合する部分が電気的に導通していれば電極として機能するため、これらの結合部分を除き、それぞれの微粒子8の一部は、酸化物あるいは窒化物などの絶縁性の金属化合物で構成されていてもよい。   In addition, since the portion where the plurality of fine particles 8 are bonded is functioning as an electrode if they are electrically connected, a part of each of the fine particles 8 excluding these bonded portions is made of an insulating material such as oxide or nitride. You may be comprised with the metal compound of.

基材6と微粒子8の材料は、異なるものを用いてもよいが、主成分を同一にする方が、両者の親和性が高く、また微粒子8の蒸着時の熱で基材6も軟化し、密着性を高めることができる。   Different materials may be used for the base material 6 and the fine particles 8, but when the main components are the same, the affinity between the two is higher, and the base material 6 is also softened by the heat during deposition of the fine particles 8. Adhesion can be improved.

また蒸着材料は、アルミニウムのように比較的融点の低い金属材料を用いることによって、生産性を高めることができる。   In addition, as a vapor deposition material, productivity can be increased by using a metal material having a relatively low melting point such as aluminum.

次に、本実施例の電極箔5を製造する蒸着装置9について説明する。図2に示すように、本実施例の蒸着装置9は、基材6を所定方向(矢印X)に連続的に移送させながら、基材6の表面に沸騰した蒸着材料を蒸着させ、基材6上に粗膜層7を形成するものである。   Next, the vapor deposition apparatus 9 which manufactures the electrode foil 5 of a present Example is demonstrated. As shown in FIG. 2, the vapor deposition apparatus 9 of the present embodiment vaporizes the vapor deposited material on the surface of the base material 6 while continuously transporting the base material 6 in a predetermined direction (arrow X). A coarse film layer 7 is formed on 6.

この蒸着装置9は、真空ポンプ(図示せず)に連結された真空槽10を備え、この真空槽10内には帯状の基材6が巻かれている巻き出しローラー11と、この巻き出しローラー11から移送されてきた基材6を巻き取る巻き取りローラー12と、これらの巻き出しローラー11と巻き取りローラー12との間で基材6の表面と対向する位置に設けられ、両端がそれぞれ抵抗加熱用電源の正負の電極(図示せず)の接続された蒸着用ボート13と、この蒸着用ボート13に蒸着材料を供給する供給部14と、真空槽10内に不活性ガスおよび活性ガスを導入するガス管(図示せず)とが少なくとも設けられている。   The vapor deposition apparatus 9 includes a vacuum chamber 10 connected to a vacuum pump (not shown), and an unwinding roller 11 around which a strip-shaped substrate 6 is wound, and the unwinding roller. 11 is provided at a position facing the surface of the substrate 6 between the take-up roller 12 and the take-up roller 11 and the take-up roller 12, and both ends of the take-up roller 12 are wound up. A vapor deposition boat 13 to which positive and negative electrodes (not shown) of a heating power source are connected, a supply unit 14 for supplying a vapor deposition material to the vapor deposition boat 13, and an inert gas and an active gas in the vacuum chamber 10. A gas pipe (not shown) to be introduced is provided at least.

蒸着材料とは、本実施例では細い線状に加工されたアルミニウム線からなる。供給部14は、アルミニウム線が巻かれているボビン15と、アルミニウム線を蒸着用ボート13へ導く供給管16とを備えている。   In this embodiment, the vapor deposition material is made of an aluminum wire processed into a thin line shape. The supply unit 14 includes a bobbin 15 around which an aluminum wire is wound, and a supply pipe 16 that guides the aluminum wire to the vapor deposition boat 13.

蒸着用ボート13は、図3(a)(b)に示すように、表面に凹溝17が形成された基体18からなり、凹溝17は、供給部14側に配置され、この供給部14から蒸着材料が供給される供給用凹溝19Aと、この供給用凹溝19Aと連通し、蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝20と、この蒸発用凹溝20と連通する拡散用凹溝19Bとを少なくとも備えている。供給用凹溝19Aと拡散用凹溝19Bとは、それぞれ凹溝17の相反する端部に配置される。ここでいう端部とは、基材6の送り方向に対して垂直な方向の端部となる。   As shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), the vapor deposition boat 13 is composed of a base body 18 having a concave groove 17 formed on the surface, and the concave groove 17 is disposed on the supply unit 14 side. The supply groove 19A to which the vapor deposition material is supplied from, the evaporation groove 20 for communicating with the supply groove 19A and evaporating the vapor deposition material, and the diffusion groove 19B for communicating with the evaporation groove 20 And at least. The supply groove 19 </ b> A and the diffusion groove 19 </ b> B are respectively disposed at opposite ends of the groove 17. Here, the end portion is an end portion in a direction perpendicular to the feeding direction of the base material 6.

なお、蒸着用ボート13は、長手方向が基材の送り方向Xに対して垂直になるように配置される。   The vapor deposition boat 13 is arranged so that the longitudinal direction is perpendicular to the feed direction X of the substrate.

そして供給用凹溝19Aは、蒸発用凹溝20よりも蒸着用ボート13の長手方向(供給用凹溝19Aと蒸発用凹溝20との連結方向)に対して垂直方向の幅が狭く(d1<d2)、表面に供給用凹溝19Aが形成された領域の基体18の抵抗値(以下R1と言う)は、表面に蒸発用凹溝20が形成された領域の基体18の抵抗値(以下R2と言う)よりも小さくなっている。 The supply groove 19A is narrower than the evaporation groove 20 in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of the vapor deposition boat 13 (the connecting direction between the supply groove 19A and the evaporation groove 20) (d). 1 <d 2 ), the resistance value of the substrate 18 in the region where the supply groove 19A is formed on the surface (hereinafter referred to as R1) is the resistance value of the substrate 18 in the region where the evaporation groove 20 is formed on the surface. (Hereinafter referred to as R2).

同様に拡散用凹溝19Bも、蒸発用凹溝20よりも蒸着用ボート13の長手方向(拡散用凹溝19Bと蒸発用凹溝20との連結方向)に対して垂直方向の幅が狭く(d3<d2)、表面に拡散用凹溝19Bが形成された領域の基体18の抵抗値(以下R3と言う)は、表面に蒸発用凹溝20が形成された領域の基体18の抵抗値R2よりも小さくなっている。 Similarly, the diffusion groove 19B is narrower in the vertical direction than the evaporation groove 20 in the longitudinal direction of the vapor deposition boat 13 (the connecting direction between the diffusion groove 19B and the evaporation groove 20) ( d 3 <d 2 ), the resistance value of the substrate 18 in the region where the diffusion groove 19B is formed on the surface (hereinafter referred to as R3) is the resistance of the substrate 18 in the region where the evaporation groove 20 is formed on the surface. It is smaller than the value R2.

本実施例では、幅d1および幅d3を10mm、幅d2を20mm程度とし、供給用凹溝19Aと拡散用凹溝19B、蒸発用凹溝20の長さは合計で基材6の幅(10cm)とほぼ同じとなるように設計した。 In this embodiment, the width d 1 and the width d 3 are about 10 mm, the width d 2 is about 20 mm, and the total length of the supply groove 19A, the diffusion groove 19B, and the evaporation groove 20 is that of the substrate 6. It was designed to be almost the same as the width (10 cm).

ここで抵抗値とは、図3(c)に示すように、蒸着用ボート13の長手方向の両端を、それぞれ抵抗加熱用電源Zに接続した場合の基体18の抵抗値である。抵抗値R1、R2、R3は、直列に繋がっている。これらの抵抗値R1、R2、R3は、R=ρ・l/S(ρ;抵抗係数、l;基体の長さ、S;基体の垂直断面積)から求めることができる。ρ、l、Sの値は、それぞれの凹溝(供給用凹溝19A、あるいは蒸発用凹溝20、あるいは拡散用凹溝19B)が形成された領域の基体18の値である。なお、供給用凹溝19A、拡散用凹溝19Bあるいは蒸発用凹溝20の底面に傾斜をつけるなど、基体18の垂直断面積が変化する場合は、その平均値をSとする。   Here, the resistance value is a resistance value of the base 18 when both ends in the longitudinal direction of the vapor deposition boat 13 are connected to the resistance heating power supply Z as shown in FIG. The resistance values R1, R2, and R3 are connected in series. These resistance values R1, R2, and R3 can be obtained from R = ρ · l / S (ρ: resistance coefficient, l: length of substrate, S: vertical cross-sectional area of substrate). The values of ρ, l, and S are the values of the substrate 18 in the region where the respective concave grooves (the supply concave groove 19A, the evaporation concave groove 20, or the diffusion concave groove 19B) are formed. When the vertical cross-sectional area of the substrate 18 changes, for example, when the bottom surface of the supply groove 19A, the diffusion groove 19B, or the evaporation groove 20 is inclined, the average value is S.

そして本実施例の蒸着用ボート13は、蒸着領域を広くとるため、蒸発用凹溝20の長さl2の方が、供給用凹溝19Aの長さl1や拡散用凹溝19Bの長さl3よりも長くなるように形成している。したがって、抵抗値R1およびR3をR2より下げるためには、供給用凹溝19Aが形成された領域および拡散用凹溝19Bが形成された領域のそれぞれの基体18の垂直断面積の平均値は、蒸発用凹溝20が形成された領域の基体18の垂直断面積の平均値よりも大きくなるものである。 The deposition boat 13 of the present embodiment, since a wider deposition region, towards the long l 2 of the evaporation concave grooves 20, the length of the length l 1 and diffusion groove 19B of the supply concave grooves 19A It is formed to be longer than l 3 . Therefore, in order to lower the resistance values R1 and R3 below R2, the average value of the vertical cross-sectional areas of the bases 18 in the region where the supply groove 19A is formed and the region where the diffusion groove 19B is formed is This is larger than the average value of the vertical sectional areas of the substrate 18 in the region where the evaporation grooves 20 are formed.

本実施例では、抵抗値R1およびR3を1とした場合に、抵抗値R2は3倍〜4倍とした。   In this embodiment, when the resistance values R1 and R3 are 1, the resistance value R2 is 3 to 4 times.

この抵抗値の比率は、この値に制限されないが、少なくとも蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した(割った)値以上とすることで、供給用凹溝19A近傍で過剰に蒸着材料(アルミニウム線)が溶融してしまうのを低減できる。   The ratio of the resistance value is not limited to this value, but at least the value obtained by dividing (dividing) the boiling point of the vapor deposition material by the melting point of the vapor deposition material is excessively increased in the vicinity of the supply groove 19A. It is possible to reduce melting of the (aluminum wire).

なお、本実施例では、10Pa条件下において、蒸着材料となるアルミニウムの融点は約660℃、沸点は1300℃前後であり、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値は約2である。   In this example, under the condition of 10 Pa, the melting point of aluminum as a vapor deposition material is about 660 ° C., the boiling point is around 1300 ° C., and the value obtained by dividing the boiling point of the vapor deposition material by the melting point of the vapor deposition material is about 2. .

またこの抵抗値の比率は、5倍以下とすることが望ましい。すなわち、供給用凹溝19Aが設けられた領域の基体18は、後述の蒸着プロセスにおいて、蒸着材料の融点以上に加熱される必要がある。したがって、上述の抵抗値の比率を5倍よりも大きくすると、蒸発用凹溝20が設けられた領域の基体18の温度は、非常に高温になることになり、蒸着材料が蒸発用凹溝20の全体に行き渡る前に蒸発してしまい、均一な粗膜層7を形成するのが難しくなる。また基材6への輻射熱が大きくなり、微粒子8が成長してしまい、空孔の小さな粗膜層7を形成するのが難しくなる。   The ratio of the resistance values is desirably 5 times or less. That is, the substrate 18 in the region where the supply groove 19A is provided needs to be heated to the melting point or higher of the vapor deposition material in the vapor deposition process described later. Therefore, when the ratio of the resistance values is larger than 5 times, the temperature of the base 18 in the region where the evaporation groove 20 is provided becomes very high, and the evaporation material becomes the evaporation groove 20. It evaporates before reaching the entire surface of the film, making it difficult to form a uniform rough film layer 7. Moreover, the radiant heat to the base material 6 increases, and the fine particles 8 grow, making it difficult to form the rough film layer 7 having small pores.

また本実施例では、供給用凹溝19Aと拡散用凹溝19Bを、凹溝17の両端に対称に形成している。すなわち、抵抗値R1とR3とを、ほぼ同程度の値となるように設計した。これにより凹溝17の両端が同様の温度分布で低温化され、蒸発用凹溝20で溶融したアルミニウムは、凹溝17の両端へと引っ張られる。   In this embodiment, the supply groove 19A and the diffusion groove 19B are formed symmetrically at both ends of the groove 17. That is, the resistance values R1 and R3 are designed to be approximately the same value. As a result, both ends of the groove 17 are lowered in temperature with a similar temperature distribution, and the aluminum melted in the evaporation groove 20 is pulled to both ends of the groove 17.

なお、蒸着用ボート13は、BN(窒化ホウ素)やW(タングステン)、PBN(熱分解窒化ホウ素)、グラファイト、あるいはこれらの複合体からなる抵抗発熱材料を用いることができる。   Note that the evaporation boat 13 can use a resistance heating material made of BN (boron nitride), W (tungsten), PBN (pyrolytic boron nitride), graphite, or a composite thereof.

以下、本実施例の電極箔5の製造方法について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the electrode foil 5 of a present Example is demonstrated.

本実施例では、上述の蒸着装置9を用いた抵抗加熱式蒸着法によって、下記のように粗膜層7を形成した。なお、本実施例では、活性ガスとして酸素ガスを用い、不活性ガスとしてアルゴンガスを用いている。
(1)図2に示す真空槽10の内部を0.01〜0.001Paの真空に保つ。
(2)基材6の周辺に、酸素ガスと、酸素ガスに対して流量が2〜6倍のアルゴンガスを、ガス管を介して導入させ、基材6の周辺の圧力を10〜30Paの状態にする。
(3)基材6の温度を150〜300℃の範囲に保つ。
(4)図3(a)に示す蒸着用ボート13の供給用凹溝19Aに、図2に示す供給部14からアルミニウム線を供給する。
(5)蒸着用ボート13を抵抗加熱により加熱し、供給用凹溝19Aでアルミニウム線を溶融させて蒸発用凹溝20に流し込む。流れ込んだアルミニウム線は、拡散用凹溝19Bの端部にも引っ張られるように行き渡る。
(6)蒸発用凹溝20に充填されたアルミニウムを沸騰させ、蒸発させて、アルミニウムの微粒子8を基材6の表面に蒸着させる。基材6は巻き出しローラー11から巻き取りローラー12へと矢印X方向に移送させ、微粒子8を基材6の表面に、順次連続的に蒸着していく。
In this example, the rough film layer 7 was formed by the resistance heating vapor deposition method using the vapor deposition apparatus 9 described above. In this embodiment, oxygen gas is used as the active gas, and argon gas is used as the inert gas.
(1) The inside of the vacuum chamber 10 shown in FIG. 2 is kept at a vacuum of 0.01 to 0.001 Pa.
(2) Oxygen gas and argon gas whose flow rate is 2 to 6 times that of the oxygen gas are introduced to the periphery of the substrate 6 through a gas pipe, and the pressure around the substrate 6 is set to 10 to 30 Pa. Put it in a state.
(3) The temperature of the substrate 6 is kept in the range of 150 to 300 ° C.
(4) An aluminum wire is supplied from the supply unit 14 shown in FIG. 2 to the supply groove 19A of the vapor deposition boat 13 shown in FIG.
(5) The vapor deposition boat 13 is heated by resistance heating, and the aluminum wire is melted by the supply groove 19A and poured into the evaporation groove 20. The aluminum wire that has flowed in spreads so as to be pulled also at the end of the diffusion groove 19B.
(6) The aluminum filled in the evaporating groove 20 is boiled and evaporated to deposit aluminum fine particles 8 on the surface of the substrate 6. The substrate 6 is transferred from the unwinding roller 11 to the take-up roller 12 in the direction of the arrow X, and the fine particles 8 are successively deposited on the surface of the substrate 6 sequentially.

上記の圧力やガス圧、温度などの条件は一例であるが、以上のプロセスで粗膜層7を形成することができる。   The above conditions such as pressure, gas pressure, and temperature are examples, but the rough film layer 7 can be formed by the above process.

図4、図5を用いて本実施例の効果を以下に説明する。   The effect of the present embodiment will be described below with reference to FIGS.

図4は本実施例の蒸着用ボート13を用いた場合の電極箔5を上面から写したSEM写真であり、図12は従来の蒸着用ボート(図11(a)の図番113)を用いて蒸着した場合の電極箔1の上面SEM写真である。図11(a)(b)に示すように、従来の蒸着用ボート113は、基体118に幅、深さともに一定の凹溝117が形成されている。   FIG. 4 is an SEM photograph showing the electrode foil 5 taken from above when the vapor deposition boat 13 of this embodiment is used, and FIG. 12 uses a conventional vapor deposition boat (number 113 in FIG. 11A). It is the upper surface SEM photograph of the electrode foil 1 at the time of vapor-depositing. As shown in FIGS. 11A and 11B, in the conventional vapor deposition boat 113, a groove 118 having a constant width and depth is formed in a base 118. FIG.

図4および図12を比較すれば、目視でも粗膜層7のムラが低減できていることが分かる。また図5は、従来と本実施例における電極箔について、基材の長さ方向、すなわち基材の送り方向(図2の矢印X方向)における位置を横軸に、単位面積当たりの容量バラツキを計測したものである。この図5では、従来の電極箔1(図12の電極箔)は、単位面積当たりの容量バラツキが最大で±40%前後あるのに対し、本実施例の電極箔5は、±5%程度に抑えられたことが分かる。   Comparing FIG. 4 and FIG. 12, it can be seen that the unevenness of the rough film layer 7 can be reduced visually. Further, FIG. 5 shows the capacity variation per unit area with respect to the electrode foil in the conventional example and the present embodiment, with the position in the length direction of the base material, that is, the feed direction of the base material (arrow X direction in FIG. It is measured. In FIG. 5, the conventional electrode foil 1 (electrode foil of FIG. 12) has a maximum capacity variation of about ± 40% per unit area, whereas the electrode foil 5 of the present embodiment has about ± 5%. You can see that it was suppressed.

このように本実施例では、均一な粗膜層7を有し、静電容量のバラツキの少ない電極箔5を製造できる。   Thus, in this embodiment, it is possible to manufacture the electrode foil 5 having the uniform rough film layer 7 and less variation in capacitance.

その理由は、蒸着用ボート13の凹溝17を、上記構成としたことにより、供給用凹溝19A周辺の発熱を抑えることができるからである。   The reason is that heat generation around the supply ditch 19A can be suppressed by configuring the ditch 17 of the vapor deposition boat 13 as described above.

また供給用凹溝19Aが形成された領域では、基体18の抵抗が低いため、発熱を抑えることができ、近傍の輻射熱も抑制できる。したがって、供給部14から供給された蒸着材料が蒸着ボートに到達する前に過剰に溶融するのを抑制でき、蒸発用凹溝20に一定量を一定の速度で安定して供給することができる。また蒸着材料が蒸着用ボート13に到達する前に、アルミニウムが溶融し難くなるため、表面の熱酸化による酸化アルミニウム皮膜の発生を低減できる。なお、この酸化アルミニウム皮膜が形成されると、沸点が上昇してしまうため、アルミニウムが露出している部分との蒸発速度が変わる。したがって、酸化アルミニウム皮膜の形成を抑制することは、均一な蒸発に有用である。   Further, in the region where the supply groove 19A is formed, since the resistance of the base 18 is low, heat generation can be suppressed and radiant heat in the vicinity can also be suppressed. Therefore, the vapor deposition material supplied from the supply unit 14 can be prevented from being excessively melted before reaching the vapor deposition boat, and a constant amount can be stably supplied to the evaporation concave groove 20 at a constant speed. Moreover, since it becomes difficult for aluminum to melt | dissolve before a vapor deposition material reaches the vapor deposition boat 13, generation | occurrence | production of the aluminum oxide film by the thermal oxidation of the surface can be reduced. When this aluminum oxide film is formed, the boiling point rises, so that the evaporation rate with the exposed aluminum part changes. Therefore, suppressing the formation of the aluminum oxide film is useful for uniform evaporation.

さらに供給用凹溝19Aが形成された領域では、基体18の抵抗が低いため、発熱を抑制でき、供給用凹溝19Aにおける蒸着材料の蒸発量を抑えることができる。また本実施例では、供給用凹溝19Aの開口部は幅が狭いため、更に効果的に蒸発量を抑えることができる。したがって、供給部14から供給される蒸着材料が、蒸発した微粒子8からの潜熱によって加熱されるのを抑制できる。よって蒸着材料が蒸着用ボート13に到達する前に過剰に溶融するのを抑制でき、凹溝17内に均一に蒸着材料を供給できる。また熱酸化も抑制でき、蒸着材料の表面に酸化皮膜が形成されるのを抑制できる。   Furthermore, since the resistance of the base 18 is low in the region where the supply groove 19A is formed, heat generation can be suppressed, and the evaporation amount of the vapor deposition material in the supply groove 19A can be suppressed. In the present embodiment, the opening of the supply groove 19A is narrow, so that the evaporation amount can be more effectively suppressed. Therefore, it can suppress that the vapor deposition material supplied from the supply part 14 is heated by the latent heat from the evaporated fine particle 8. FIG. Therefore, the evaporation material can be prevented from being excessively melted before reaching the evaporation boat 13, and the evaporation material can be supplied uniformly into the concave groove 17. Moreover, thermal oxidation can also be suppressed and it can suppress that an oxide film is formed on the surface of vapor deposition material.

以上のように本実施例では、蒸着用ボート13からの輻射熱と、蒸着微粒子8からの潜熱を低減することができ、蒸発用凹溝20から蒸発材料を均一に蒸発させ、粗膜層7が均一で、静電容量のバラツキの少ない電極箔5を製造する事ができる。   As described above, in the present embodiment, the radiant heat from the vapor deposition boat 13 and the latent heat from the vapor deposition fine particles 8 can be reduced. A uniform electrode foil 5 with little variation in capacitance can be produced.

なお、酸素ガスを導入する場合、酸化皮膜が形成されやすいことから、本実施例のように供給用凹溝19A近傍における蒸着材料の溶融を抑制することは、均一な膜形成に有効である。   When oxygen gas is introduced, an oxide film is easily formed. Therefore, suppressing the melting of the vapor deposition material in the vicinity of the supply groove 19A as in this embodiment is effective for forming a uniform film.

また本実施例のように、活性ガス、不活性ガスを導入し、比較的高圧条件下で蒸着をする場合、微粒子8が結合して大きな潜熱を持ちやすいことから、供給用凹溝19A近傍における蒸発量を低減することは、均一な膜形成に有効である。   Further, as in this embodiment, when active gas or inert gas is introduced and vapor deposition is performed under a relatively high pressure condition, the fine particles 8 are likely to combine and have a large latent heat. Reducing the evaporation amount is effective for forming a uniform film.

さらに本実施例では、図4の上面図から目視でわかるように、基材6の送り方向と垂直な方向Yのムラも低減できる。その理由を、比較例を用いながら以下に説明する。   Furthermore, in this embodiment, as can be seen from the top view of FIG. 4, the unevenness in the direction Y perpendicular to the feeding direction of the substrate 6 can also be reduced. The reason will be described below using a comparative example.

図6は比較の為の電極箔の上面図であり、図7(a)(b)に示す蒸着用ボート213を用いて形成したものである。蒸着用ボート213は、本実施例1と同様に供給用凹溝219Aと蒸発用凹溝220とを有しているが、拡散用凹溝19Bが形成されていない。このような比較例の蒸着用ボート213を用いると、図6で示すように、蒸着用ボート213の長手方向、すなわち基材6の送り方向Xと垂直な方向Yでムラができる場合がある。   FIG. 6 is a top view of an electrode foil for comparison, which is formed using a vapor deposition boat 213 shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b). The vapor deposition boat 213 includes the supply groove 219A and the evaporation groove 220 as in the first embodiment, but the diffusion groove 19B is not formed. When the vapor deposition boat 213 of such a comparative example is used, unevenness may occur in the longitudinal direction of the vapor deposition boat 213, that is, in the direction Y perpendicular to the feed direction X of the base material 6, as shown in FIG.

この理由は、凹溝217全体に溶融したアルミニウムが行き渡っていないからと考えられる。すなわち、図7(a)(b)に示す比較例の構成では、供給用凹溝219Aが形成されている側と反対側の端部にまでアルミニウムが均一に充填されず、Y方向のムラとなることがある。   The reason for this is considered that molten aluminum is not spread over the entire groove 217. That is, in the configuration of the comparative example shown in FIGS. 7A and 7B, aluminum is not uniformly filled up to the end opposite to the side where the supply groove 219A is formed, and unevenness in the Y direction is caused. May be.

これに対し本実施例では、蒸着用ボート13に拡散用凹溝19Bを形成したため、拡散用凹溝19B側が低温になり、溶融したアルミニウムが引っ張られる。そしてその結果、アルミニウムが凹溝17内で均一に溶融し、基材6のY方向に対して均一に蒸着できるのである。   On the other hand, in this embodiment, since the diffusion groove 19B is formed in the vapor deposition boat 13, the diffusion groove 19B side becomes a low temperature, and the molten aluminum is pulled. As a result, aluminum is uniformly melted in the groove 17 and can be uniformly deposited in the Y direction of the substrate 6.

さらに本実施例では、供給用凹溝19Aと拡散用凹溝19Bとを対称に形成した為、いずれの端部も同様の温度分布を示す。そして供給用凹溝19A、拡散用凹溝19Bのいずれの端部にも溶融したアルミニウムが行き渡り、より蒸着の均一性を確実に高めることができる。   Further, in this embodiment, the supply groove 19A and the diffusion groove 19B are formed symmetrically, so that both end portions show the same temperature distribution. Then, the molten aluminum spreads over both ends of the supply groove 19A and the diffusion groove 19B, and the uniformity of the deposition can be improved more reliably.

(実施例2)
本実施例では、図8(a)に示すように、蒸着用ボート21の供給用凹溝22Aと蒸発用凹溝23、拡散用凹溝22Bの幅をいずれも同じ幅とし、基体24自体の幅を変えたものである。
(Example 2)
In this embodiment, as shown in FIG. 8A, the widths of the supply groove 22A, the evaporation groove 23, and the diffusion groove 22B of the vapor deposition boat 21 are all the same, and the substrate 24 itself The width is changed.

すなわち本実施例では、表面に供給用凹溝22A、拡散用凹溝22Bが形成された領域のそれぞれの基体24の幅t1および幅t3は、表面に蒸発用凹溝23が形成された領域の基体24の幅t2よりも幅が広く、表面に供給用凹溝22A、拡散用凹溝22Bが形成された領域のそれぞれの基体24の抵抗値は、表面に蒸発用凹溝23が形成された領域の基体24の抵抗値よりも小さくなるように形成した。 That is, in this embodiment, the width t 1 and the width t 3 of the base 24 in the region where the supply groove 22A and the diffusion groove 22B are formed on the surface are the evaporation grooves 23 formed on the surface. wider than the width t 2 of the substrate 24 in the region, the supply concave groove 22A on the surface, the resistance value of each of the substrate 24 in the region where the diffusion concave groove 22B is formed, evaporating grooves 23 on the surface It formed so that it might become smaller than the resistance value of the base | substrate 24 of the formed area | region.

なお本実施例でも、実施例1と同様に、表面に供給用凹溝22A、拡散用凹溝22Bが形成された領域の基体24のそれぞれ抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝23が形成された領域の基体24の抵抗値の比は、(蒸着材料の沸点)/(蒸着材料の融点)以上であって5以下となることが好ましく、本実施例でもこの比は3〜4程度である。   Also in this embodiment, as in the first embodiment, evaporation grooves 23 are formed on the surface for the respective resistance values of the substrate 24 in the region where the supply grooves 22A and the diffusion grooves 22B are formed on the surface. The ratio of the resistance values of the substrate 24 in the region is preferably (boiling point of vapor deposition material) / (melting point of vapor deposition material) or more and 5 or less, and this ratio is also about 3 to 4 in this embodiment. .

これにより本実施例では、供給用凹溝22A周辺の発熱を抑えるとともに、供給用凹溝22Aからの蒸発量を抑えることができる。したがって、供給部(図2の14)から供給された蒸着材料が蒸着用ボート21に到達する前に過剰に溶融するのを抑制でき、また蒸着材料の表面の熱酸化を防ぐことができる。そしてその結果、基材の送り方向において粗膜層7を均一に形成し、容量バラツキの少ない電極箔5を形成できる。   Thus, in this embodiment, it is possible to suppress the heat generation around the supply ditch 22A and to suppress the evaporation amount from the supply ditch 22A. Therefore, it can suppress that the vapor deposition material supplied from the supply part (14 of FIG. 2) melt | dissolves excessively before reaching the vapor deposition boat 21, and can prevent the thermal oxidation of the surface of vapor deposition material. As a result, the rough film layer 7 can be formed uniformly in the feed direction of the base material, and the electrode foil 5 with little capacity variation can be formed.

また拡散用凹溝22B内も低温化することによって、凹溝25の両端まで溶融したアルミニウムを行き渡らせることができる。そしてその結果、基材の送り方向(図2のX方向)と垂直方向においても粗膜層7を均一に形成し、容量バラツキの少ない電極箔5を形成できる。   Further, by lowering the temperature of the diffusion groove 22B, the molten aluminum can be spread to both ends of the groove 25. As a result, the rough film layer 7 can be formed uniformly in the direction perpendicular to the feed direction of the substrate (X direction in FIG. 2), and the electrode foil 5 with less capacity variation can be formed.

なお本実施例では、図8(b)に示すように、供給用凹溝22Aと蒸発用凹溝23、拡散用凹溝22Bの深さは同一としたが、例えば供給用凹溝22Aは、一方の端部側から蒸発用凹溝23と連通する他方の端部に向かって段階的に深くなる構造としてもよく、この場合は供給用凹溝22Aから蒸発用凹溝23へと蒸着材料をより速やかに移動させることができる。   In this embodiment, as shown in FIG. 8B, the supply groove 22A, the evaporation groove 23, and the diffusion groove 22B have the same depth. For example, the supply groove 22A It may be a structure that gradually increases from one end side toward the other end communicating with the evaporation groove 23, and in this case, the vapor deposition material is supplied from the supply groove 22 A to the evaporation groove 23. It can be moved more quickly.

その他実施例1と同様の構成および効果については説明を省略する。   Description of other configurations and effects similar to those of the first embodiment will be omitted.

(実施例3)
本実施例では、図9(a)に示すように、蒸着用ボート26の供給用凹溝27Aと蒸発用凹溝28、拡散用凹溝27Bの幅を同じ幅としている。また供給用凹溝27Aと蒸発用凹溝28、拡散用凹溝27Bがそれぞれ形成された基体29の幅も同じである。そして図9(b)に示すように供給用凹溝27Aと拡散用凹溝27Bとは、それぞれの端部から蒸発用凹溝28に向かって段階的に深くなる構造とした。
(Example 3)
In this embodiment, as shown in FIG. 9A, the widths of the supply groove 27A, the evaporation groove 28, and the diffusion groove 27B of the vapor deposition boat 26 are the same. Further, the width of the base 29 on which the supply groove 27A, the evaporation groove 28, and the diffusion groove 27B are respectively formed is also the same. As shown in FIG. 9B, the supply groove 27 </ b> A and the diffusion groove 27 </ b> B have a structure that gradually deepens from the respective end portions toward the evaporation groove 28.

供給用凹溝27Aの端部から蒸発用凹溝28側へと溝を深くしていくことで、蒸着材料を蒸発用凹溝28へと速やかに流し込むことができる。また蒸発用凹溝28から拡散用凹溝27Bの端部に向かって底面に上向きの傾斜をつけることで、蒸着材料の這い上がりを抑制できる。   By deepening the groove from the end of the supply groove 27A toward the evaporation groove 28, the vapor deposition material can be quickly poured into the evaporation groove 28. Further, the upward slope of the vapor deposition material can be suppressed by providing an upward slope on the bottom surface from the evaporation groove 28 toward the end of the diffusion groove 27B.

本実施例においても、実施例1と同様に、供給用凹溝27Aおよび拡散用凹溝27Bが形成された領域のそれぞれの基体29の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝28が形成された領域の基体29の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であり、5以下となることが好ましく、本実施例でもこの比は3〜4程度である。   Also in the present embodiment, as in the first embodiment, the evaporation grooves 28 are formed on the surface with respect to the resistance values of the respective substrates 29 in the regions where the supply grooves 27A and the diffusion grooves 27B are formed. The ratio of the resistance values of the substrate 29 in the region is not less than a value obtained by dividing the boiling point of the vapor deposition material by the melting point of the vapor deposition material, and is preferably 5 or less, and this ratio is also about 3 to 4 in this embodiment.

なお、本実施例においては、供給用凹溝27Aと拡散用凹溝27Bが形成された領域の基体29の抵抗値および断面積は徐徐に変化するため、その平均値を用いた。   In this embodiment, since the resistance value and the cross-sectional area of the substrate 29 in the region where the supply groove 27A and the diffusion groove 27B are formed gradually change, the average value is used.

その他実施例1と同様の構成および効果については説明を省略する。   Description of other configurations and effects similar to those of the first embodiment will be omitted.

本発明は、均一な大容量の電極箔の量産性を高めることができ、電解コンデンサの陽極箔、あるいは陰極箔として用いることができる。   The present invention can increase the mass productivity of uniform and large-capacity electrode foils, and can be used as an anode foil or a cathode foil of an electrolytic capacitor.

5 電極箔
6 基材
7 粗膜層
8 微粒子
9 蒸着装置
10 真空槽
11 巻き出しローラー
12 巻き取りローラー
13 蒸着用ボート
14 供給部
15 ボビン
16 供給管
17 凹溝
18 基体
19A 供給用凹溝
19B 拡散用凹溝
20 蒸発用凹溝
21 蒸着用ボート
22A 供給用凹溝
22B 拡散用凹溝
23 蒸発用凹溝
24 基体
25 凹溝
26 蒸着用ボート
27A 供給用凹溝
27B 拡散用凹溝
28 蒸発用凹溝
29 基体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Electrode foil 6 Base material 7 Coarse film layer 8 Fine particle 9 Deposition apparatus 10 Vacuum tank 11 Unwinding roller 12 Winding roller 13 Deposition boat 14 Supply part 15 Bobbin 16 Supply pipe 17 Concave groove 18 Base 19A Concave groove 19B Diffusion Groove 20 for evaporation 21 Groove 21 for evaporation 22B Groove for supply 22B Groove for diffusion 23 Groove for evaporation 24 Substrate 25 Groove 26 Deposition groove 27A Groove for supply 27B Groove for diffusion 28 Groove for evaporation 28 Groove 29 Base

Claims (6)

表面に凹溝が形成された基体からなる蒸着用ボートであって、
前記凹溝は、
少なくとも一方の端部に配置され、蒸着材料が供給される供給用凹溝と、
この供給用凹溝と連通し、前記蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝と、
この蒸発用凹溝と連通するとともに、前記凹溝の他方の端部に配置された拡散用凹溝と、で構成され、
表面に前記供給用凹溝および前記拡散用凹溝が形成された領域のそれぞれの前記基体の抵抗値に対する、表面に前記蒸発用凹溝が形成された領域の前記基体の抵抗値の比は、前記蒸着材料の沸点を前記蒸着材料の融点で除した値以上である、蒸着用ボート。
A boat for vapor deposition consisting of a substrate having a concave groove formed on the surface,
The groove is
A supply ditch that is disposed at at least one end and to which a vapor deposition material is supplied;
An evaporation groove that communicates with the supply groove and evaporates the vapor deposition material;
A communicating groove with the evaporation groove, and a diffusion groove disposed at the other end of the groove,
The ratio of the resistance value of the substrate in the region where the groove for evaporation is formed on the surface to the resistance value of the substrate in the region where the supply groove and the diffusion groove are formed on the surface is: A vapor deposition boat that is equal to or greater than a value obtained by dividing the boiling point of the vapor deposition material by the melting point of the vapor deposition material.
前記供給用凹溝および前記拡散用凹溝はいずれも、前記蒸発用凹溝よりも幅が狭いものとした請求項1に記載の蒸着用ボート。 2. The vapor deposition boat according to claim 1, wherein both of the supply ditch and the diffusion ditch are narrower than the evaporation ditch. 表面に前記供給用凹溝および前記拡散用凹溝が形成された領域はいずれも、表面に前記蒸発用凹溝が形成された領域よりも基体の幅が広いものとした請求項1に記載の蒸着用ボート。 2. The substrate according to claim 1, wherein each of the regions in which the supply grooves and the diffusion grooves are formed on the surface has a width wider than that of the region in which the evaporation grooves are formed on the surface. Deposition boat. 表面に前記供給用凹溝および前記拡散用凹溝が形成された領域のそれぞれの前記基体の垂直断面積の平均値は、
表面に前記蒸発用凹溝が形成された領域の前記基体の垂直断面積の平均値よりも大きいものとした請求項1に記載の蒸着用ボート。
The average value of the vertical cross-sectional area of each of the substrates in the region where the supply ditch and the diffusion ditch are formed on the surface,
The evaporation boat according to claim 1, wherein the evaporation boat according to claim 1 is larger than an average value of a vertical cross-sectional area of the substrate in a region where the groove for evaporation is formed on the surface.
前記供給用凹溝および前記拡散用凹溝は、それぞれ凹溝の外端部から前記蒸発用凹溝側に向かって段階的に深くなる構造とした請求項1に記載の蒸着用ボート。 2. The vapor deposition boat according to claim 1, wherein each of the supply groove and the diffusion groove has a structure that gradually increases from an outer end of the groove toward the evaporation groove side. 真空槽内で基材の表面に溶融した蒸着材料を蒸着させる蒸着装置であって、
前記真空槽内には、
前記基材の表面と対向する位置に配置されるとともに、両端がそれぞれ抵抗加熱用電源に接続された蒸着用ボートと、
この蒸着用ボートに蒸着材料を供給する供給部と、
前記真空槽内にガスを導入するガス管と、が少なくとも設けられ、
前記蒸着用ボートは、
表面に凹溝が形成された基体からなり、
前記凹溝は、
少なくとも一方の端部に配置され、蒸着材料が供給される供給用凹溝と、
この供給用凹溝と連通し、前記蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝と、
この蒸発用凹溝と連通するとともに、前記凹溝の他方の端部に配置された拡散用凹溝と、で構成され、
表面に前記供給用凹溝および前記拡散用凹溝が形成された領域のそれぞれの前記基体の抵抗値に対する、表面に前記蒸発用凹溝が形成された領域の前記基体の抵抗値の比は、前記蒸着材料の沸点を前記蒸着材料の融点で除した値以上である、蒸着装置。
A vapor deposition apparatus for depositing a molten vapor deposition material on the surface of a substrate in a vacuum chamber,
In the vacuum chamber,
The deposition boat is disposed at a position facing the surface of the substrate, and both ends are connected to a resistance heating power source, and
A supply unit for supplying a deposition material to the deposition boat;
A gas pipe for introducing gas into the vacuum chamber is provided at least,
The evaporation boat is
It consists of a substrate with a concave groove formed on the surface,
The groove is
A supply ditch that is disposed at at least one end and to which a vapor deposition material is supplied;
An evaporation groove that communicates with the supply groove and evaporates the vapor deposition material;
A communicating groove with the evaporation groove, and a diffusion groove disposed at the other end of the groove,
The ratio of the resistance value of the substrate in the region where the groove for evaporation is formed on the surface to the resistance value of the substrate in the region where the supply groove and the diffusion groove are formed on the surface is: The vapor deposition apparatus which is more than the value which remove | divided the boiling point of the said vapor deposition material by melting | fusing point of the said vapor deposition material.
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