JP2012232947A - Method of producing compound - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a compound free of an ester borate residue and an organotin residue by allowing two or more species of heterocyclic compounds to react with each other.SOLUTION: The method of producing the compound includes allowing a compound represented by formula (1) (in the formula, Arrepresents a heteroarylene compound and H represents a hydrogen atom) and a compound represented by formula (2) (in the formula, Arrepresents a heteroarylene compound and X represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, provided that two X may be the same or different) to react with each other in the presence of an alkaline compound or a phosphine compound.

Description

本発明は、化合物の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a compound.

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子という場合がある)、有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタなどの、機能層として有機層を含む電子素子の開発が盛んに行われている。特に、有機層の機能性材料として高分子化合物を用い、簡易な塗布法により塗布成膜して有機層を形成することにより、電子素子の作製が可能であるため、電子素子の大面積化が可能であり、大幅な製造コスト削減が期待されている。
高分子化合物の製造方法としては、高分子化合物の構造を制御し易く、比較的温和な条件でより分子量の大きい化合物を合成できるので、鈴木カップリング、Stilleカップリングを用いた高分子化合物の製造方法が広く採用されている。
In recent years, electronic devices including an organic layer as a functional layer, such as an organic electroluminescence element (sometimes referred to as an organic EL element), an organic thin film solar cell, and an organic thin film transistor, have been actively developed. In particular, a high molecular compound is used as the functional material of the organic layer, and an electronic device can be produced by forming an organic layer by applying a film by a simple coating method. This is possible, and significant manufacturing cost reduction is expected.
As a method for producing a polymer compound, the structure of the polymer compound can be easily controlled, and a compound having a higher molecular weight can be synthesized under relatively mild conditions. Therefore, production of a polymer compound using Suzuki coupling or Stille coupling is possible. The method is widely adopted.

Suzukiカップリングを用いた高分子化合物の製造方法としては、下記式(A)で表される複素環式化合物と、下記式(B)で表される複素環式化合物とを反応させ、下記式(C)で表されるヘテロアリーレン基を残基として含むポリヘテロアリーレンを製造する方法が提案されている(非特許文献1参照)。   As a method for producing a polymer compound using Suzuki coupling, a heterocyclic compound represented by the following formula (A) is reacted with a heterocyclic compound represented by the following formula (B), and the following formula: A method for producing a polyheteroarylene containing a heteroarylene group represented by (C) as a residue has been proposed (see Non-Patent Document 1).

Figure 2012232947
Figure 2012232947

アドバンスド ファンクショナル マテリアルズ(Adv. Funct. Mater.)、2009年、第19巻、p.3262−3270Advanced Functional Materials (Adv. Funct. Mater.), 2009, Vol. 19, p. 3262-3270

しかしながら、鈴木カップリングを用いた高分子化合物の製造方法ではホウ酸エステル残基を含むモノマーが用いられ、又はStilleカップリングを用いた高分子化合物の製造方法では、有機スズ残基を含むモノマーが用いられるため、製造された高分子化合物中にホウ酸エステル残基又は有機スズ残基に由来する構造が含まれ、これらが電子素子の特性低下の要因となっていた。   However, in the method for producing a polymer compound using Suzuki coupling, a monomer containing a borate ester residue is used, or in the method for producing a polymer compound using Stille coupling, a monomer containing an organotin residue is used. Since it is used, a structure derived from a boric acid ester residue or an organotin residue is included in the produced polymer compound, and these have been a cause of deterioration in characteristics of the electronic device.

そこで、本発明は、ホウ酸エステル残基を含むモノマー及び有機スズ残基を含むモノマーを用いることなく、2種類以上の複素環式化合物同士を反応させて、ヘテロアリーレン基を残基として含む高分子化合物を製造し得る化合物の製造方法を提供することを目的とする。   In view of this, the present invention provides a high-residue containing a heteroarylene group as a residue by reacting two or more kinds of heterocyclic compounds without using a monomer containing a borate ester residue and a monomer containing an organotin residue. It aims at providing the manufacturing method of the compound which can manufacture a molecular compound.

即ち、本発明は、下記[1]〜[10]を提供する。
[1] 下記式(1):

Figure 2012232947
(式(1)中、Arは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基を表す。Hは、水素原子を表す。)
で表される化合物と、
下記式(2):
Figure 2012232947
(式(2)中、Arは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基を表す。Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。2個あるXは、同一でも相異なってもよい。)
で表される化合物とを反応させる、
下記式(3):
Figure 2012232947
(式(3)中、Ar及びArは、前述と同じ意味を表す。nは、1以上の数を表す。)
で表される構造単位を含む化合物の製造方法。
[2] 式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、遷移金属化合物の存在下で反応させる、[1]に記載の化合物の製造方法。
[3] 式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、塩基性化合物の存在下で反応させる、[1]又は[2]に記載の化合物の製造方法。
[4] 式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、ホスフィン化合物の存在下で反応させる、[1]〜[3]のいずれか1つに記載の製造方法。
[5] Arが、1個〜3個の電子吸引性の置換基を有しているヘテロアリーレン基である、[1]〜[4]のいずれか1つに記載の化合物の製造方法。
[6] 電子吸引性の置換基が、フッ素原子である、[5]に記載の製造方法。
[7] Arが、下記式(5)で表される基である、[1]〜[6]のいずれか1つに記載の製造方法。
Figure 2012232947
[式(5)中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、芳香族複素環式化合物又は芳香族炭素環化合物から水素原子を3個取り除いた基を表し、該芳香族複素環式化合物及び芳香族炭素環化合物のうちの少なくとも一方は、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基若しくは1価の有機基で置換されていてもよい。ただし、Ar13及びAr14のうちの少なくとも一方は、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基若しくは1価の有機基で置換されていてもよい芳香族複素環式化合物から水素原子を3個取り除いた基である。Aは、下記式(4−1)〜式(4−12)で表される2価の基を表す。
Figure 2012232947
(式(4−1)〜式(4−12)中、R〜R15は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基を表す。)]
[8] Arが、チオフェン環構造を含むヘテロアリーレン基である、[1]〜[7]のいずれか1つに記載の化合物の製造方法。
[9] [1]〜[8]のいずれか1つに記載の化合物の製造方法により、得ることができる化合物。
[10] 質量分析法で求めた化合物中のスズの含有量と化合物中のホウ素の含有量との和が、1重量ppm未満である、[9]に記載の化合物。 That is, the present invention provides the following [1] to [10].
[1] The following formula (1):
Figure 2012232947
(In Formula (1), Ar 1 represents a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a heteroarylene group optionally substituted with a monovalent organic group. H represents a hydrogen atom.)
A compound represented by
Following formula (2):
Figure 2012232947
(In the formula (2), Ar 2 represents a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group or a heteroarylene group optionally substituted with a monovalent organic group. X represents a chlorine atom, a bromine atom or Represents an iodine atom, and two Xs may be the same or different.)
With a compound represented by
Following formula (3):
Figure 2012232947
(In formula (3), Ar 1 and Ar 2 represent the same meaning as described above. N represents a number of 1 or more.)
The manufacturing method of the compound containing the structural unit represented by these.
[2] The method for producing a compound according to [1], wherein the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are reacted in the presence of a transition metal compound.
[3] The process for producing a compound according to [1] or [2], wherein the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are reacted in the presence of a basic compound.
[4] The production according to any one of [1] to [3], wherein the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are reacted in the presence of a phosphine compound. Method.
[5] The method for producing a compound according to any one of [1] to [4], wherein Ar 1 is a heteroarylene group having 1 to 3 electron-withdrawing substituents.
[6] The production method according to [5], wherein the electron-withdrawing substituent is a fluorine atom.
[7] The production method according to any one of [1] to [6], wherein Ar 2 is a group represented by the following formula (5).
Figure 2012232947
[In the formula (5), Ar 13 and Ar 14 each independently represent a group obtained by removing three hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic compound or an aromatic carbocyclic compound, and the aromatic heterocyclic compound and At least one of the aromatic carbocyclic compounds may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. However, at least one of Ar 13 and Ar 14 contains three hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic compound which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. The removed group. A represents a divalent group represented by the following formula (4-1) to formula (4-12).
Figure 2012232947
(In Formula (4-1) to Formula (4-12), R 1 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. ]]
[8] The method for producing a compound according to any one of [1] to [7], wherein Ar 2 is a heteroarylene group containing a thiophene ring structure.
[9] A compound that can be obtained by the method for producing a compound according to any one of [1] to [8].
[10] The compound according to [9], wherein the sum of the tin content in the compound and the boron content in the compound determined by mass spectrometry is less than 1 ppm by weight.

本発明の製造方法は、ホウ酸エステル残基を含むモノマー及び有機スズ残基を含むモノマーを用いることなく、光電変換素子などの電子素子の機能性材料として有用な高分子化合物を製造し得る。
上記製造方法により製造された本発明の化合物は、ホウ酸エステル残基を含むモノマー及び有機スズ残基を含むモノマーを用いることなく製造することができるため、化合物中のスズの含有量及び化合物中のホウ素の含有量を極めて微量とすることができる。よって本発明の化合物を電子素子の機能性材料として用いた場合に、電子素子の電気的特性のさらなる向上が期待される。
The production method of the present invention can produce a polymer compound useful as a functional material of an electronic device such as a photoelectric conversion device without using a monomer containing a borate ester residue and a monomer containing an organic tin residue.
Since the compound of the present invention produced by the above production method can be produced without using a monomer containing a boric acid ester residue and a monomer containing an organotin residue, the content of tin in the compound and in the compound The boron content of can be made extremely small. Therefore, when the compound of the present invention is used as a functional material for an electronic device, further improvement in the electrical characteristics of the electronic device is expected.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、下記式(1)で表される化合物と、
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The present invention includes a compound represented by the following formula (1):

Figure 2012232947
下記式(2)で表される化合物とを反応させる、
Figure 2012232947
Reacting with a compound represented by the following formula (2):

Figure 2012232947
下記式(3)で表される構造単位を含む化合物の製造方法に関するものである。
Figure 2012232947
The present invention relates to a method for producing a compound containing a structural unit represented by the following formula (3).

Figure 2012232947
Figure 2012232947

式(1)中、Arは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基を表す。Hは、水素原子を表す。
置換基を有していてもよいへテロアリーレン基は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から水素原子を2個取り除いた基である。置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基としては、例えば、置換基を有していてもよい単環の芳香族複素環式化合物から水素原子を2個取り除いた基、置換基を有していてもよい単環の芳香族複素環式化合物2個以上が互いに縮合した、縮合多環式芳香族複素環式化合物から水素原子を2個取り除いた基、置換基を有していてもよい単環又は多環の2個以上の芳香族複素環式化合物同士を、直接結合、又はメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基を介して結合させた、芳香族複素環が連結した、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物において、該芳香族複素環式化合物中の異なる2個の芳香環が有する水素原子をそれぞれ1個除いた基、置換基を有していてもよい単環又は多環の芳香族複素環式化合物同士を、直接結合、及び、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基を介した結合からなる群から選ばれる2個以上の結合により結合させた、置換基を有していてもよい有橋多環式芳香族複素環式化合物から水素原子を2個取り除いた基が挙げられる。
上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である1価の有機基としては、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、フッ素原子で置換されていてもよいアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基が挙げられる。
In formula (1), Ar 1 represents a heteroarylene group which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group or a monovalent organic group. H represents a hydrogen atom.
The heteroarylene group which may have a substituent is a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic compound which may have a substituent. Examples of the heteroarylene group which may have a substituent include a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocyclic aromatic heterocyclic compound which may have a substituent, and a substituent. A group obtained by removing two hydrogen atoms from a condensed polycyclic aromatic heterocyclic compound in which two or more monocyclic aromatic heterocyclic compounds may be condensed with each other may have a substituent. Two or more monocyclic or polycyclic aromatic heterocyclic compounds are linked directly or via a divalent group such as a methylene group, an ethylene group, or a carbonyl group. In the aromatic heterocyclic compound which may have a substituent, a group obtained by removing one hydrogen atom from each of two different aromatic rings in the aromatic heterocyclic compound and a substituent. The monocyclic or polycyclic aromatic heterocyclic compounds which may be A bridge having a substituent which is bonded by a tangential bond and two or more bonds selected from the group consisting of a bond through a divalent group such as a methylene group, an ethylene group or a carbonyl group; And a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycyclic aromatic heterocyclic compound.
Examples of the monovalent organic group that is a substituent that the heteroarylene group may have include an alkyl group that may be substituted with a fluorine atom, an alkoxy group that may be substituted with a fluorine atom, and a fluorine atom. Alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, substituted amino group, substituted silyl group, Examples thereof include a substituted silyloxy group, a substituted silylthio group, a substituted silylamino group, a monovalent heterocyclic group, a heterocyclic oxy group, a heterocyclic thio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, and a carboxyl group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であって、さらにフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基であってもよい。フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基の炭素原子数は、通常1〜30であり、1〜20が好ましい。フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル墓、n−ペンチル基、イソペンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。   The alkyl group that may be possessed by the heteroarylene group and may be further substituted with a fluorine atom may be linear or branched, or may be a cycloalkyl group. The number of carbon atoms of the alkyl group which may be substituted with a fluorine atom is usually 1-30, preferably 1-20. Specific examples of the alkyl group which may be substituted with a fluorine atom include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl tomb, n -Pentyl, isopentyl, 2-methylbutyl, 1-methylbutyl, n-hexyl, isohexyl, 3-methylpentyl, 2-methylpentyl, 1-methylpentyl, heptyl, octyl, isooctyl Group, 2-ethylhexyl group, 3,7-dimethyloctyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tetradecyl group, hexadecyl tomb, octadecyl group, eicosyl group and other chain alkyl groups, cyclopentyl group, cyclohexyl group And a cycloalkyl group such as an adamantyl group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であって、さらにフッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルコキシ基であってもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、通常1〜30程度であり、1〜20が好ましい。フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。   The alkoxy group that may be possessed by the heteroarylene group and may be further substituted with a fluorine atom may be linear or branched, or may be a cycloalkoxy group. The number of carbon atoms of the alkoxy group is usually about 1 to 30, and preferably 1 to 20. Specific examples of the alkoxy group which may be substituted with a fluorine atom include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, a tert-butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group and a cyclohexyl group. Oxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group Perfluorohexyloxy group, perfluorooctyloxy group, methoxymethyloxy group, and 2-methoxyethyloxy group.

フッ素原子で置換されていてもよいアルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常1〜30程度であり、1〜20が好ましい。フッ素原子で置換されていてもよいアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。   The alkylthio group which may be substituted with a fluorine atom may be linear or branched, and may be a cycloalkylthio group. The number of carbon atoms of the alkylthio group is usually about 1 to 30, and preferably 1 to 20. Specific examples of the alkylthio group which may be substituted with a fluorine atom include a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, an isopropylthio group, a butylthio group, an isobutylthio group, a tert-butylthio group, a pentylthio group, a hexylthio group, and a cyclohexylthio group. Group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoromethylthio group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリール基は、置換基を有していてもよい芳香族炭素環化合物から水素原子を1個取り除いた基である。アリール基としては、例えば、置換基を有していてもよい単環の芳香族炭素環化合物から水素原子を1個取り除いた基、置換基を有していてもよい単環の芳香族炭素環化合物から選ばれる2個以上が互いに縮合した、縮合多環式芳香族炭素環化合物から水素原子を1個取り除いた基、置換基を有していてもよい2個以上の芳香族炭素環化合物同士を、直接結合、又はメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基で橋かけした構造を有する、置換基を有していてもよい有橋多環式芳香族炭素環化合物から水素原子を1個取り除いた基が挙げられる。
芳香族炭素環化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基、フッ素原子で置換されていてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基及びフッ素原子で置換されていてもよいアルキルチオ基の炭素原子数及び具体例は、上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基として例示した、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基及びフッ素原子で置換されていてもよいアルキルチオ基の炭素原子数及び具体例と同じである。
アリール基の炭素原子数は、通常6〜60程度であり、6〜20が好ましい。アリール基の具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルキルオキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられる。
ここで「C」は、炭素原子を表し、付された数字は直後に記載された基中の炭素原子数を表す。即ち、上記「C1〜C12アルキルオキシフェニル基」とは、炭素原子数が1〜12のアルキル(オキシ)基を有する基であることを表し、以下も同様である。C1〜C12アルキル基、C1〜C8アルキル基及びC1〜C6アルキル基の具体例としては、上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であって、さらにフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基で説明し例示したものが挙げられる。
The aryl group which is a substituent that the heteroarylene group may have is a group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic carbocyclic compound which may have a substituent. Examples of the aryl group include a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocyclic aromatic carbocyclic compound which may have a substituent, and a monocyclic aromatic carbocycle which may have a substituent. A group obtained by removing one hydrogen atom from a condensed polycyclic aromatic carbocyclic compound in which two or more selected from the compounds are condensed with each other, or two or more aromatic carbocyclic compounds optionally having a substituent From a bridged polycyclic aromatic carbocyclic compound optionally having a substituent, having a structure in which a direct bond or a divalent group such as a methylene group, an ethylene group or a carbonyl group is bridged And a group in which one is removed.
Examples of the substituent that the aromatic carbocyclic compound may have include a fluorine atom, an alkyl group that may be substituted with a fluorine atom, an alkoxy group that may be substituted with a fluorine atom, and a substituent that is substituted with a fluorine atom. The alkylthio group which may be mentioned is mentioned. The number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group optionally substituted with a fluorine atom, the alkoxy group optionally substituted with a fluorine atom, and the alkylthio group optionally substituted with a fluorine atom include the above heteroarylene group. The number of carbon atoms of the alkyl group which may be substituted with a fluorine atom, the alkoxy group which may be substituted with a fluorine atom, and the alkylthio group which may be substituted with a fluorine atom, which are exemplified as the substituents which may have Same as example.
The number of carbon atoms of the aryl group is usually about 6 to 60, preferably 6 to 20. Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a C1-C12 alkyloxyphenyl group, a C1-C12 alkylphenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, and a pentafluorophenyl group.
Here, “C” represents a carbon atom, and the number attached represents the number of carbon atoms in the group described immediately after. That is, the “C1 to C12 alkyloxyphenyl group” means a group having an alkyl (oxy) group having 1 to 12 carbon atoms, and the same applies to the following. Specific examples of the C1-C12 alkyl group, the C1-C8 alkyl group, and the C1-C6 alkyl group are substituents that the heteroarylene group may have, and further an alkyl group that may be substituted with a fluorine atom. What has been described and illustrated.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールオキシ基は、その炭素原子数が通常6〜60程度であり、6〜20が好ましい。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルキルオキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。   The aryloxy group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has about 6 to 60 carbon atoms, and preferably 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a C1-C12 alkyloxyphenoxy group, a C1-C12 alkylphenoxy group, a 1-naphthyloxy group, a 2-naphthyloxy group, and a pentafluorophenyloxy group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールチオ基は、その炭素原子数が通常6〜60程度であり、6〜20が好ましい。アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、C1〜C12アルキルオキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。   The arylthio group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has about 6 to 60 carbon atoms, and preferably 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of the arylthio group include a phenylthio group, a C1-C12 alkyloxyphenylthio group, a C1-C12 alkylphenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 2-naphthylthio group, and a pentafluorophenylthio group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールアルキル基は、その炭素原子数が通常7〜60程度であり、7〜20が好ましい。アリールアルキル基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキル基が挙げられる。   The arylalkyl group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has about 7 to 60 carbon atoms, and preferably 7 to 20 carbon atoms. Specific examples of the arylalkyl group include a phenyl-C1-C12 alkyl group, a C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkyl group, a C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkyl group, and a 1-naphthyl-C1-C12 alkyl group. Group, 2-naphthyl-C1-C12 alkyl group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールアルキルオキシ基は、その炭素原子数が通常7〜60程度であり、7〜20が好ましい。アリールアルキルオキシ基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルオキシ基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキルオキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルオキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルオキシ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルオキシ基が挙げられる。   The arylalkyloxy group which is a substituent that the heteroarylene group may have usually has about 7 to 60 carbon atoms, and preferably 7 to 20 carbon atoms. Specific examples of the arylalkyloxy group include phenyl-C1-C12 alkyloxy group, C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkyloxy group, C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkyloxy group, 1-naphthyl- A C1-C12 alkyloxy group and a 2-naphthyl-C1-C12 alkyloxy group are mentioned.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールアルキルチオ基は、その炭素原子数が通常7〜60程度であり、7〜20が好ましい。アリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基が挙げられる。   The arylalkylthio group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has about 7 to 60 carbon atoms, and preferably 7 to 20 carbon atoms. Specific examples of the arylalkylthio group include a phenyl-C1-C12 alkylthio group, a C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkylthio group, a C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkylthio group, and a 1-naphthyl-C1-C12 alkylthio group. Group, 2-naphthyl-C1-C12 alkylthio group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアシル基とは、カルボン酸のカルボキシル基(−COOH)中の水酸基を除いた基を意味し、その炭素原子数は通常2〜20である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、トリフルオロアセチル基等の炭素原子数が2〜20である、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、ペンタフルオロベンゾイル基等のハロゲンで置換されていてもよいフェニルカルボニル基が挙げられる。   The acyl group which is a substituent that the heteroarylene group may have means a group excluding the hydroxyl group in the carboxyl group (—COOH) of the carboxylic acid, and the number of carbon atoms is usually 2-20. Specific examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a trifluoroacetyl group, etc., and an alkylcarbonyl optionally substituted with a halogen atom having 2 to 20 carbon atoms. Group, a benzoyl group, a phenylcarbonyl group which may be substituted with a halogen such as a pentafluorobenzoyl group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアシルオキシ基とは、カルボン酸のカルボキシル基(−COOH)中の水素原子を除いた基を意味し、その炭素原子数は通常2〜20である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。   The acyloxy group which is a substituent that the heteroarylene group may have means a group excluding a hydrogen atom in a carboxyl group (—COOH) of a carboxylic acid, and usually has 2 to 20 carbon atoms. Specific examples of the acyloxy group include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, a benzoyloxy group, a trifluoroacetyloxy group, and a pentafluorobenzoyloxy group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアミド基とは、アミドから窒素原子に結合した水素原子1個を除いた基を意味し、その炭素原子数は通常2〜20である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。   The amide group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, means a group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from the amide, and the number of carbon atoms is usually 2-20. Specific examples of the amide group include a formamide group, an acetamide group, a propioamide group, a butyroamide group, a benzamide group, a trifluoroacetamide group, a pentafluorobenzamide group, a diformamide group, a diacetamide group, a dipropioamide group, a dibutyroamide group, and a dibenzamide group. , Ditrifluoroacetamide group and dipentafluorobenzamide group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である酸イミド基とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基をいう。酸イミド基の具体例としては、スクシンイミド基、フタル酸イミド基が挙げられる。   The acid imide group which is a substituent which the heteroarylene group may have refers to a group obtained by removing a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an acid imide. Specific examples of the acid imide group include a succinimide group and a phthalimide group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である置換アミノ基とは、アミノ基の水素原子のうちの1個又は2個が置換基により置換されたものであり、この置換基としては、例えば、アルキル基及びアリール基が挙げられる。アルキル基及びアリール基の具体例は、上述のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の炭素原子数及び具体例と同じである。置換アミノ基の炭素原子数は通常1〜40である。置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、tert−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1〜C12アルキルオキシフェニルアミノ基、ジ(C1〜C12アルキルオキシフェニル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、ジ(C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基及び2−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基が挙げられる。   The substituted amino group which is a substituent that the heteroarylene group may have is one in which one or two of the hydrogen atoms of the amino group are substituted with a substituent. Examples of the substituent include: An alkyl group and an aryl group are mentioned. Specific examples of the alkyl group and aryl group are the same as the number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group and aryl group which may be substituted with the above-described fluorine atom. The number of carbon atoms of the substituted amino group is usually 1-40. Specific examples of the substituted amino group include methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, isopropylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, isobutylamino group, tert -Butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, Cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, C1-C12 alkyl Oxyphenylamino group, di (C1-C12 alkyloxyphenyl) amino group, di (C1-C12 alkylphenyl) amino group, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, Dazinylamino group, pyrimidylamino group, pyrazylamino group, triazylamino group, phenyl-C1-C12 alkylamino group, C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkylamino group, C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkyl Amino group, di (C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkyl) amino group, di (C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkyl) amino group, 1-naphthyl-C1-C12 alkylamino group and 2-naphthyl -C1-C 2 alkylamino group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である置換シリル基とは、シリル基の水素原子のうちの1個、2個又は3個が置換基により置換された基である。置換シリル基は、一般に、シリル基の3個の水素原子全てが置換基により置換されたものであり、この置換基は、例えば、アルキル基及びアリール基である。アルキル基及びアリール基の炭素原子数及び具体例は、上述のアルキル基及びアリール基の炭素原子数及び具体例と同じである。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。   The substituted silyl group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, is a group in which one, two, or three of the hydrogen atoms of the silyl group are substituted with a substituent. The substituted silyl group is generally one in which all three hydrogen atoms of the silyl group are substituted with a substituent, and the substituent is, for example, an alkyl group and an aryl group. The number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group and aryl group are the same as the number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group and aryl group described above. Specific examples of the substituted silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, triisopropylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri-p-xylylsilyl group, tribenzylsilyl group, Examples include a diphenylmethylsilyl group, a tert-butyldiphenylsilyl group, and a dimethylphenylsilyl group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である置換シリルオキシ基とは、上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である置換シリル基に酸素原子が結合した基である。置換シリルオキシ基の具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、tert−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−p−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、tert−ブチルジフェニルシリルオキシ基及びジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。   The substituted silyloxy group that is a substituent that the heteroarylene group may have is a group in which an oxygen atom is bonded to a substituted silyl group that is a substituent that the heteroarylene group may have. Specific examples of the substituted silyloxy group include trimethylsilyloxy group, triethylsilyloxy group, tripropylsilyloxy group, triisopropylsilyloxy group, tert-butyldimethylsilyloxy group, triphenylsilyloxy group, tri-p-xylyl group. Examples thereof include a silyloxy group, a tribenzylsilyloxy group, a diphenylmethylsilyloxy group, a tert-butyldiphenylsilyloxy group, and a dimethylphenylsilyloxy group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である置換シリルチオ基とは、上記置換シリル基に硫黄原子が結合した基である。置換シリルチオ基の具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、tert−ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−p−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、tert−ブチルジフェニルシリルチオ基及びジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。   The substituted silylthio group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, is a group in which a sulfur atom is bonded to the substituted silyl group. Specific examples of the substituted silylthio group include trimethylsilylthio group, triethylsilylthio group, tripropylsilylthio group, triisopropylsilylthio group, tert-butyldimethylsilylthio group, triphenylsilylthio group, and tri-p-xylyl. Examples thereof include a silylthio group, a tribenzylsilylthio group, a diphenylmethylsilylthio group, a tert-butyldiphenylsilylthio group, and a dimethylphenylsilylthio group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である置換シリルアミノ基とは、アミノ基の水素原子うちの1個又は2個が置換シリル基で置換された基であり、置換シリル基は上記置換シリル基と同じである。置換シリルアミノ基の具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリイソプロピルシリルアミノ基、tert−ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−p−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、tert−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ビス(トリメチルシリル)アミノ基、ビス(トリエチルシリル)アミノ基、ビス(トリプロピルシリル)アミノ基、ビス(トリイソプロピルシリル)アミノ基、ビス(tert−ブチルジメチルシリル)アミノ基、ビス(トリフェニルシリル)アミノ基、ビス(トリ−p−キシリルシリル)アミノ基、ビス(トリベンジルシリル)アミノ基、ビス(ジフェニルメチルシリル)アミノ基、ビス(tert−ブチルジフェニルシリル)アミノ基及びビス(ジメチルフェニルシリル)アミノ基が挙げられる。   The substituted silylamino group that is a substituent that the heteroarylene group may have is a group in which one or two of the hydrogen atoms of the amino group are substituted with a substituted silyl group, and the substituted silyl group is the above substituted silyl group. Is the same. Specific examples of the substituted silylamino group include trimethylsilylamino group, triethylsilylamino group, tripropylsilylamino group, triisopropylsilylamino group, tert-butyldimethylsilylamino group, triphenylsilylamino group, tri-p-xylyl. Silylamino group, tribenzylsilylamino group, diphenylmethylsilylamino group, tert-butyldiphenylsilylamino group, dimethylphenylsilylamino group, bis (trimethylsilyl) amino group, bis (triethylsilyl) amino group, bis (tripropylsilyl) ) Amino group, bis (triisopropylsilyl) amino group, bis (tert-butyldimethylsilyl) amino group, bis (triphenylsilyl) amino group, bis (tri-p-xylylsilyl) amino group, bis (tribe Jirushiriru) amino group, bis (diphenylmethylsilyl) amino group, bis (tert- butyldiphenylsilyl) amino group and bis (dimethylphenylsilyl) and amino group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である1価の複素環基としては、置換基を有していてもよいフラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β-カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の複素環式化合物から水素原子を1個除いた基が挙げられる。1価の複素環基としては、1価の芳香族複素環基が好ましい。   As the monovalent heterocyclic group that is a substituent that the heteroarylene group may have, an optionally substituted furan, thiophene, pyrrole, pyrroline, pyrrolidine, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, Imidazole, imidazoline, imidazolidine, pyrazole, pyrazoline, prazolidine, furazane, triazole, thiadiazole, oxadiazole, tetrazole, pyran, pyridine, piperidine, thiopyran, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, piperazine, morpholine, triazine, benzofuran, isobenzofuran, Benzothiophene, indole, isoindole, indolizine, indoline, isoindoline, chromene, chroman, isochroman, benzopyran, quinoline, isoquinoline, quino Gin, benzimidazole, benzothiazole, indazole, naphthyridine, quinoxaline, quinazoline, quinazolidine, cinnoline, phthalazine, purine, pteridine, carbazole, xanthene, phenanthridine, acridine, β-carboline, perimidine, phenanthroline, thianthrene, phenoxathiin, And a group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound such as phenoxazine, phenothiazine, and phenazine. As the monovalent heterocyclic group, a monovalent aromatic heterocyclic group is preferable.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である複素環オキシ基としては、上記1価の複素環基に酸素原子が結合した、下記式(11)で表される基が挙げられる。複素環チオ基としては、上記1価の複素環基に硫黄原子が結合した、下記式(12)で表される基が挙げられる。   Examples of the heterocyclic oxy group that is a substituent that the heteroarylene group may have include a group represented by the following formula (11) in which an oxygen atom is bonded to the monovalent heterocyclic group. Examples of the heterocyclic thio group include a group represented by the following formula (12) in which a sulfur atom is bonded to the monovalent heterocyclic group.

Figure 2012232947
式(11)及び式(12)中、Arは、1価の複素環基を表す。
Figure 2012232947
In formula (11) and formula (12), Ar 7 represents a monovalent heterocyclic group.

複素環オキシ基は、炭素原子数が通常4〜60程度である。複素環オキシ基の具体例としては、チエニルオキシ基、C1〜C12アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、C1〜C12アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基、チアジアゾールオキシ基が挙げられる。
上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基である複素環チオ基は、炭素原子数が通常4〜60程度である。複素環チオ基の具体例としては、チエニルメルカプト基、C1〜C12アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、C1〜C12アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基、チアジアゾールメルカプト基が挙げられる。
The heterocyclic oxy group usually has about 4 to 60 carbon atoms. Specific examples of the heterocyclic oxy group include thienyloxy group, C1-C12 alkylthienyloxy group, pyrrolyloxy group, furyloxy group, pyridyloxy group, C1-C12 alkylpyridyloxy group, imidazolyloxy group, pyrazolyloxy group, triazolyl group. And a ruoxy group, an oxazolyloxy group, a thiazoleoxy group, and a thiadiazoleoxy group.
The heterocyclic thio group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has about 4 to 60 carbon atoms. Specific examples of the heterocyclic thio group include thienyl mercapto group, C1-C12 alkyl thienyl mercapto group, pyrrolyl mercapto group, furyl mercapto group, pyridyl mercapto group, C1-C12 alkyl pyridyl mercapto group, imidazolyl mercapto group, pyrazolyl mercapto group. , Triazolyl mercapto group, oxazolyl mercapto group, thiazole mercapto group and thiadiazole mercapto group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールアルケニル基は、通常、その炭素原子数が8〜20であり、アリールアルケニル基の具体例としては、スチリル基が挙げられる。   The arylalkenyl group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has 8 to 20 carbon atoms, and a specific example of the arylalkenyl group includes a styryl group.

上記ヘテロアリーレン基が有し得る置換基であるアリールアルキニル基は、通常、その炭素原子数が8〜20であり、アリールアルキニル基の具体例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。   The arylalkynyl group, which is a substituent that the heteroarylene group may have, usually has 8 to 20 carbon atoms, and specific examples of the arylalkynyl group include a phenylacetylenyl group.

式(1)中、Arで表される基の例としては、下記式39〜式205で表される基が挙げられる。 In the formula (1), examples of the group represented by Ar 1 include groups represented by the following formula 39 to formula 205.

Figure 2012232947
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式39〜式205中で表される基、Rは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基を表す。   The groups represented by Formula 39 to Formula 205 and R each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group.

Rで表される1価の有機基の定義及び具体例は、前述のヘテロアリーレン基が有していてもよい1価の有機基の定義及び具体例と同じである。   The definition and specific examples of the monovalent organic group represented by R are the same as the definition and specific examples of the monovalent organic group that the above-described heteroarylene group may have.

式39〜式205で表される基中、Arで表される基としては、好ましくは式108〜式127で表される基、式131〜式138で表される基である。Arで表される基としては、より好ましくは式108〜式113で表される基、式116〜式119で表される基、式131〜式136で表される基であり、さらに好ましくは式109、式116、式131で表される基であり、特に好ましくは式116で表される基である。 Of the groups represented by Formula 39 to Formula 205, the group represented by Ar 1 is preferably a group represented by Formula 108 to Formula 127, or a group represented by Formula 131 to Formula 138. The group represented by Ar 1 is more preferably a group represented by formula 108 to formula 113, a group represented by formula 116 to formula 119, or a group represented by formula 131 to formula 136, and more preferably Is a group represented by Formula 109, Formula 116, or Formula 131, and particularly preferably a group represented by Formula 116.

Arは、1個〜3個の電子吸引性の置換基で置換されているヘテロアリーレン基であることが好ましい。電子吸引性の置換基としては、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、カルボキシル基が挙げられ、好ましくはフッ素原子、シアノ基、ニトロ基であり、特に好ましくはフッ素原子である。 Ar 1 is preferably a heteroarylene group substituted with 1 to 3 electron-withdrawing substituents. Examples of the electron-withdrawing substituent include a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, and a carboxyl group, preferably a fluorine atom, a cyano group, and a nitro group, and particularly preferably a fluorine atom.

式(2)中、Arは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基を表す。Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。2個あるXは、同一でも相異なってもよい。
ヘテロアリーレン基及び1価の有機基の定義及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基及び該ヘテロアリーレン基が有していてもよい1価の有機基の定義及び具体例と同じである。
In Formula (2), Ar 2 represents a heteroarylene group which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. X represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. Two Xs may be the same or different.
The definition and specific examples of the heteroarylene group and the monovalent organic group are the definition and specific examples of the heteroarylene group represented by the aforementioned Ar 1 and the monovalent organic group that the heteroarylene group may have. The same.

Arで表される、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基の具体例としては、前述の式39〜式205で表される基が挙げられる。式39〜式205で表される基の中でも、好ましくは式94で表される基、式128〜式139で表される基、式142で表される基、式147で表される基、式152で表される基、式157で表される基、式162で表される基、式167〜式172で表される基であり、さらに好ましくは、式128で表される基、式142で表される基、式162で表される基であり、特に好ましくは式162で表される基である。 Specific examples of the heteroarylene group which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group or a monovalent organic group represented by Ar 2 are represented by the above formulas 39 to 205. Group. Among the groups represented by Formula 39 to Formula 205, preferably a group represented by Formula 94, a group represented by Formula 128 to Formula 139, a group represented by Formula 142, a group represented by Formula 147, A group represented by Formula 152, a group represented by Formula 157, a group represented by Formula 162, a group represented by Formula 167 to Formula 172, and more preferably a group represented by Formula 128 and a formula A group represented by Formula 142, a group represented by Formula 162, and particularly preferably a group represented by Formula 162.

反応性をより高めることができるので、Arは、下記式(5)で表される基であることが好ましい。 Since the reactivity can be further increased, Ar 2 is preferably a group represented by the following formula (5).

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式(5)中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよい芳香族炭素環化合物から水素原子を3個取り除いた基、又はフッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよい芳香族複素環式化合物から水素原子を3個取り除いた基を表す。ただし、Ar13及びAr14のうちの少なくとも一方は、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよい芳香族複素環式化合物から水素原子を3個取り除いた基である。 In formula (5), Ar 13 and Ar 14 each independently represents a hydrogen atom from an aromatic carbocyclic compound optionally substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group or a monovalent organic group. A group obtained by removing three hydrogen atoms from a group obtained by removing three or an aromatic heterocyclic compound which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group or a monovalent organic group. However, at least one of Ar 13 and Ar 14 contains three hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic compound which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. The removed group.

Ar13及びAr14であり得る芳香族炭素環化合物の炭素原子数は、通常、6〜60であり、好ましくは6〜20である。芳香族炭素環化合物は、置換基を有していてもよく、置換基としては、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基が挙げられる。1価の有機基の定義及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基が有していてもよい1価の有機基の定義及び具体例と同じである。 The number of carbon atoms of the aromatic carbocyclic compound that can be Ar 13 and Ar 14 is usually 6 to 60, preferably 6 to 20. The aromatic carbocyclic compound may have a substituent, and examples of the substituent include a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, and a monovalent organic group. The definition and specific examples of the monovalent organic group are the same as the definition and specific examples of the monovalent organic group that the heteroarylene group represented by Ar 1 may have.

この芳香族炭素環化合物から水素原子を3個取り除いた基としては、下記の基が例示される。   Examples of the group obtained by removing three hydrogen atoms from the aromatic carbocyclic compound include the following groups.

Figure 2012232947
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Ar13及びAr14であり得る芳香族複素環式化合物の炭素原子数は、通常、2〜60であり、好ましくは4〜20である。芳香族複素環式化合物は置換基を有していてもよく、置換基の例としては、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基が挙げられる。1価の有機基の定義及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基が有していてもよい1価の有機基の定義及び具体例と同じである。 The number of carbon atoms of the aromatic heterocyclic compound that can be Ar 13 and Ar 14 is usually 2 to 60, preferably 4 to 20. The aromatic heterocyclic compound may have a substituent, and examples of the substituent include a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, and a monovalent organic group. The definition and specific examples of the monovalent organic group are the same as the definition and specific examples of the monovalent organic group that the heteroarylene group represented by Ar 1 may have.

この芳香族複素環式化合物から水素原子を3個取り除いた基としては、例えば、下記式(206)〜式(289)で表される基が挙げられる。   Examples of the group obtained by removing three hydrogen atoms from this aromatic heterocyclic compound include groups represented by the following formulas (206) to (289).

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式(206)〜式(289)で表される基中、R’は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基又はシアノ基を表す。
R’’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基又は1価の複素環基を表す。
In the groups represented by formula (206) to formula (289), R ′ each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl. An alkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, substituted amino group, acyloxy group, amide group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, monovalent heterocyclic group or cyano group is represented.
R ″ each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, a substituted silyl group, an acyl group or a monovalent heterocyclic group.

R’で表される、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基の定義及び具体例は、前述のRで表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基の定義及び具体例と同じである。   An alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, substituted amino group, acyloxy group, amide group, aryl represented by R ′ The definition and specific examples of the alkenyl group, arylalkynyl group, and monovalent heterocyclic group include the halogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, aryl represented by the aforementioned R. The definition and specific examples of the alkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, substituted amino group, acyloxy group, amide group, arylalkenyl group, arylalkynyl group and monovalent heterocyclic group are the same.

R’’で表される、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、1価の複素環基の定義及び具体例は、前述のRで表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、1価の複素環基の定義及び具体例と同じである。   The definition and specific examples of the alkyl group, aryl group, arylalkyl group, substituted silyl group, and monovalent heterocyclic group represented by R ″ are the alkyl group, aryl group, and arylalkyl represented by R described above. The definition and specific examples of the group, substituted silyl group and monovalent heterocyclic group are the same.

式(5)中、Aは、下記式(4−1)〜式(4−12)で表される2価の基を表す。   In formula (5), A represents a divalent group represented by the following formula (4-1) to formula (4-12).

Figure 2012232947
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式(4−1)〜式(4−12)中、R〜R15は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基のいずれか表す。1価の有機基の定義及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基が有していてもよい1価の有機基の定義及び具体例と同じである。 In formulas (4-1) to (4-12), R 1 to R 15 each independently represent any of a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. . The definition and specific examples of the monovalent organic group are the same as the definition and specific examples of the monovalent organic group that the heteroarylene group represented by Ar 1 may have.

本発明は式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを反応させることによって、下記式(3)で表される構造単位を含む化合物を製造する。   In the present invention, a compound containing a structural unit represented by the following formula (3) is produced by reacting a compound represented by the formula (1) with a compound represented by the formula (2).

Figure 2012232947
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式(3)中、Ar及びArは前述と同じ意味を表す。nは、1以上の整数を表す。
nは好ましくは2以上の整数、さらに好ましくは3以上の整数、特に好ましくは5以上の整数を表す。
In formula (3), Ar 1 and Ar 2 represent the same meaning as described above. n represents an integer of 1 or more.
n is preferably an integer of 2 or more, more preferably an integer of 3 or more, and particularly preferably an integer of 5 or more.

式(3)で表される構造単位を含む化合物の分子量は、500以上が好ましく、さらに好ましくは1000以上であり、特に好ましくは3000以上である。式(3)で表される構造単位を含む化合物が分子量分布を有する場合、式(3)で表される構造単位を含む化合物の数平均分子量は500以上が好ましく、さらに好ましくは1000以上であり、特に好ましくは3000以上である。   The molecular weight of the compound containing the structural unit represented by the formula (3) is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, and particularly preferably 3000 or more. When the compound containing the structural unit represented by formula (3) has a molecular weight distribution, the number average molecular weight of the compound containing the structural unit represented by formula (3) is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more. Especially preferably, it is 3000 or more.

本発明の化合物の製造方法において、式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、触媒である遷移金属化合物の存在下で反応させることが好ましい。遷移金属化合物としては、パラジウム化合物、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、ニッケル化合物、鉄化合物、銅化合物などが挙げられ、好ましくはパラジウム化合物、ロジウム化合物であり、特に好ましくはパラジウム化合物である。
パラジウム化合物としては、例えば、Pd(0)化合物、Pd(II)化合物が挙げられる。具体的には、パラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、パラジウムアセテート、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムが挙げられ、反応(重合)操作の容易さ、反応(重合)速度の観点からは、パラジウムアセテートが好ましい。
In the method for producing a compound of the present invention, the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are preferably reacted in the presence of a transition metal compound as a catalyst. Examples of the transition metal compound include a palladium compound, a ruthenium compound, a rhodium compound, a nickel compound, an iron compound, and a copper compound, preferably a palladium compound and a rhodium compound, and particularly preferably a palladium compound.
Examples of the palladium compound include a Pd (0) compound and a Pd (II) compound. Specific examples include palladium [tetrakis (triphenylphosphine)], dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, palladium acetate, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, bis (dibenzylideneacetone) palladium, and reaction (polymerization). From the viewpoint of ease of operation and reaction (polymerization) rate, palladium acetate is preferred.

触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよい。例えばパラジウム化合物の添加量は、式(1)で表される化合物1モルに対して、通常、0.0001モル〜0.5モル、好ましくは0.0003モル〜0.2モルである。   The addition amount of a catalyst is not specifically limited, What is necessary is just an effective amount as a catalyst. For example, the addition amount of the palladium compound is usually 0.0001 mol to 0.5 mol, preferably 0.0003 mol to 0.2 mol, relative to 1 mol of the compound represented by the formula (1).

本発明の化合物の製造方法において、式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、塩基性化合物の存在下で反応させることが好ましい。   In the manufacturing method of the compound of this invention, it is preferable to make the compound represented by Formula (1), and the compound represented by Formula (2) react in presence of a basic compound.

塩基性化合物の例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸セシウム、リン酸水素カリウム、リン酸水素ナトリウム、tert−ブトキシカリウムなどが挙げられる。塩基性化合物の中でも、好ましくは炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸セシウム、リン酸水素カリウム、リン酸水素ナトリウムであり、さらに好ましくは炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸セシウムであり、特に好ましくは炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチウムである。
塩基性化合物の添加量は、式(1)で表される化合物1モルに対して、通常、0.5モル〜100モル、好ましくは0.9モル〜20モル、さらに好ましくは1モル〜10モルである。
Examples of basic compounds include sodium hydroxide, potassium hydroxide, cesium hydroxide, lithium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, lithium carbonate, potassium phosphate, sodium phosphate, cesium phosphate, phosphoric acid Examples include potassium hydrogen, sodium hydrogen phosphate, and tert-butoxy potassium. Among basic compounds, preferably sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, lithium carbonate, potassium phosphate, sodium phosphate, cesium phosphate, potassium hydrogen phosphate, sodium hydrogen phosphate, more preferably sodium carbonate, Potassium carbonate, cesium carbonate, lithium carbonate, potassium phosphate, sodium phosphate, and cesium phosphate are preferable, and sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, and lithium carbonate are particularly preferable.
The addition amount of the basic compound is usually 0.5 mol to 100 mol, preferably 0.9 mol to 20 mol, more preferably 1 mol to 10 mol, relative to 1 mol of the compound represented by the formula (1). Is a mole.

本発明の化合物の製造方法において、式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、配位子の存在下で反応させてもよい。配位子の例としては、ホスフィン化合物、アミン化合物、ピリジン類などが挙げられる。
ホスフィン化合物の例としては、トリアリールホスフィン、トリアルキルホスフィン、ジアリールモノアルキルホスフィン、モノアリールジアルキルホスフィンなどが挙げられる。トリアリールホスフィンの例としては、トリフェニルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィン、トリ(o−メトキシフェニル)ホスフィンが挙げられる。トリアルキルホスフィンの例としては、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ(tert−ブチル)ホスフィン、ビス(tert−ブチル)メチルホスフィンが挙げられる。モノアリールジアルキルホスフィンとしては、ビス(シクロヘキシル)ビフェニルホスフィン、ビス(tert−ブチル)ビフェニルホスフィンが挙げられる。
アミン化合物としては、トリアリールアミン、トリアルキルアミン、ジアリールモノアルキルアミン、モノアリールジアルキルアミンなどが挙げられる。ピリジン類としては、ピリジン、ビピリジンなどが挙げられる。配位子の中でも好ましくはホスフィン化合物であり、より好ましくは、トリアルキルホスフィンであり、さらに好ましくは、トリシクロヘキシルホスフィンである。
In the method for producing a compound of the present invention, the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) may be reacted in the presence of a ligand. Examples of the ligand include phosphine compounds, amine compounds, pyridines and the like.
Examples of the phosphine compound include triarylphosphine, trialkylphosphine, diarylmonoalkylphosphine, monoaryldialkylphosphine, and the like. Examples of triarylphosphine include triphenylphosphine, tri (o-tolyl) phosphine, and tri (o-methoxyphenyl) phosphine. Examples of the trialkylphosphine include tricyclohexylphosphine, tri (tert-butyl) phosphine, and bis (tert-butyl) methylphosphine. Examples of the monoaryldialkylphosphine include bis (cyclohexyl) biphenylphosphine and bis (tert-butyl) biphenylphosphine.
Examples of the amine compound include triarylamine, trialkylamine, diarylmonoalkylamine, monoaryldialkylamine and the like. Examples of pyridines include pyridine and bipyridine. Among the ligands, a phosphine compound is preferable, trialkylphosphine is more preferable, and tricyclohexylphosphine is still more preferable.

式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒の例としては、N,N−ジメチルホルムアミド(以下、DMFという場合がある)、N,N−ジメチルアセトアミド(以下、DMAcという場合がある)、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランが挙げられる。
式(3)で表される構造単位を含む化合物の溶解性の観点から、溶媒は、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。
また、塩基性化合物の水溶液をさらに加え、水相と有機相との2相からなる溶媒中で反応させてもよい。塩基性化合物として無機塩を用いる場合には、無機塩の溶解性の観点から、通常、無機塩の水溶液として加え、反応させる。
なお、塩基性化合物の水溶液として加えて水相と有機相の2相からなる溶媒中で反応させる場合には、必要に応じて、第4級アンモニウム塩などの相間移動触媒を加えてもよい。
The reaction of the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) is usually performed in a solvent. Examples of the solvent include N, N-dimethylformamide (hereinafter sometimes referred to as DMF), N, N-dimethylacetamide (hereinafter sometimes referred to as DMAc), toluene, dimethoxyethane, and tetrahydrofuran.
From the viewpoint of the solubility of the compound containing the structural unit represented by the formula (3), the solvent is preferably toluene or tetrahydrofuran.
Further, an aqueous solution of a basic compound may be further added, and the reaction may be carried out in a solvent composed of two phases of an aqueous phase and an organic phase. When an inorganic salt is used as the basic compound, it is usually added as an aqueous solution of the inorganic salt and reacted from the viewpoint of solubility of the inorganic salt.
In addition, when making it react in the solvent which consists of two phases, an aqueous phase and an organic phase, adding as aqueous solution of a basic compound, you may add phase transfer catalysts, such as a quaternary ammonium salt, as needed.

式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との反応の温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50℃〜160℃程度であり、式(3)で表される構造単位を含む化合物の分子量をより大きくする観点からは、60℃〜120℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間〜200時間程度である。1時間〜30時間程度が効率的で好ましい。   The temperature of the reaction between the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) is usually about 50 ° C. to 160 ° C., depending on the solvent, and is represented by the formula (3). From the viewpoint of increasing the molecular weight of the compound containing the structural unit, 60 ° C. to 120 ° C. is preferable. Alternatively, the temperature may be raised to near the boiling point of the solvent and refluxed. The reaction time may end when the target degree of polymerization is reached, but is usually about 0.1 to 200 hours. About 1 hour to 30 hours is efficient and preferable.

式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との反応を触媒の存在下で行う場合、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下など、触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガス、窒素ガス等で、十分脱気された系で反応を行う。具体的には、重合容器(反応系)内の気体を窒素ガスで十分置換し、この重合容器に、式(1)で表される化合物、式(2)で表される化合物、パラジウム化合物を仕込み、さらに、重合容器内の気体を窒素ガスで十分置換し、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、DMAcを加えた後、得られた溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基性化合物、例えば、炭酸カリウムを添加した後、加熱、昇温し、例えば、100℃で24時間、不活性雰囲気を保持しながら反応させる。   When the reaction between the compound represented by formula (1) and the compound represented by formula (2) is performed in the presence of a catalyst, the reaction in which the catalyst is not deactivated, such as in an inert atmosphere such as argon gas or nitrogen gas Perform in the system. For example, the reaction is performed in a system sufficiently deaerated with argon gas, nitrogen gas, or the like. Specifically, the gas in the polymerization vessel (reaction system) is sufficiently substituted with nitrogen gas, and the compound represented by the formula (1), the compound represented by the formula (2), and the palladium compound are added to the polymerization vessel. In addition, the gas in the polymerization vessel is sufficiently replaced with nitrogen gas and bubbled with nitrogen gas in advance to add a degassed solvent, for example, DMAc, and then bubbled with nitrogen gas in advance to the resulting solution. After adding a basic compound degassed by this, for example, potassium carbonate, the mixture is heated and heated, and reacted, for example, at 100 ° C. for 24 hours while maintaining an inert atmosphere.

本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物を電子素子の機能性材料として用いる場合、電子素子の特性を高める観点からは、該化合物中に含まれる金属元素及びホウ素元素の量が少ないことが好ましい。中でも、式(3)で表される構造単位を含む化合物に含まれる遷移金属元素、典型金属元素及びホウ素元素の量が少ないことが好ましい。遷移金属元素としては、パラジウム、鉄、スズ、ニッケル、銅が挙げられる。中でも、パラジウム、鉄、スズの量が少ないことが好ましく、特に好ましくはスズの量が少ないことが好ましい。本発明の製造方法で製造される式(3)で表される構造単位を含む化合物に含まれる不純物元素の量は、元素分析で測定されるが、スズの含有量とホウ素の含有量の合計量が、好ましくは50ppm以下であり、より好ましくは10ppm以下であり、さらに好ましくは1ppm以下であり、特に好ましくは0.5ppm以下である。
元素分析の方法の例としては、原子吸光分析法、発光分光分析法、プラズマ発光分析法、蛍光X線分析法、プラズマ質量分析法、グロー放電質量分析法、イオンクロマトグラフ分析法などが挙げられる。
When a compound containing the structural unit represented by the formula (3), which is produced by the method for producing a compound of the present invention, is used as a functional material for an electronic device, from the viewpoint of enhancing the properties of the electronic device, It is preferable that the amount of metal element and boron element contained is small. Especially, it is preferable that there are few amounts of the transition metal element, typical metal element, and boron element which are contained in the compound containing the structural unit represented by Formula (3). Examples of the transition metal element include palladium, iron, tin, nickel, and copper. Among them, it is preferable that the amount of palladium, iron, and tin is small, and it is particularly preferable that the amount of tin is small. The amount of the impurity element contained in the compound containing the structural unit represented by the formula (3) produced by the production method of the present invention is measured by elemental analysis, but the total of the tin content and the boron content The amount is preferably 50 ppm or less, more preferably 10 ppm or less, still more preferably 1 ppm or less, and particularly preferably 0.5 ppm or less.
Examples of elemental analysis methods include atomic absorption spectrometry, emission spectroscopy, plasma emission analysis, fluorescent X-ray analysis, plasma mass spectrometry, glow discharge mass spectrometry, ion chromatography analysis, and the like. .

本発明の製造方法で製造される式(3)で表される構造単位を含む化合物は、高い電子及び/又は正孔(ホール)輸送性を発揮し得ることから、該化合物を含む有機薄膜を素子に用いた場合、電極から注入された電子、正孔、或いは、光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。これらの特性を活かして光電変換素子、有機薄膜トランジスタ、有機EL素子等の種々の素子に好適に用いることができる。以下、これらの素子について個々に説明する。   Since the compound containing the structural unit represented by the formula (3) produced by the production method of the present invention can exhibit high electron and / or hole transportability, an organic thin film containing the compound is used. When used in an element, electrons, holes, or charges generated by light absorption injected from the electrode can be transported. Taking advantage of these characteristics, it can be suitably used for various devices such as a photoelectric conversion device, an organic thin film transistor, and an organic EL device. Hereinafter, these elements will be described individually.

<光電変換素子>
本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物を機能性材料として含む光電変換素子は、第1の電極と第2の電極との間に、本発明の化合物の製造方法で製造される式(3)で表される構造単位を含む化合物を含む1層以上の活性層を有する。
光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極(第1の電極、第2の電極)と、電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含む有機組成物から形成される活性層を有する。本発明の製造方法で製造される式(3)で表される構造単位を含む化合物は、電子供与性化合物として用いることが好ましい。
<Photoelectric conversion element>
The photoelectric conversion element containing the compound containing the structural unit represented by the formula (3), which is produced by the method for producing a compound of the present invention, as a functional material is between the first electrode and the second electrode, It has 1 or more active layers containing the compound containing the structural unit represented by Formula (3) manufactured with the manufacturing method of the compound of this invention.
As a preferable form of the photoelectric conversion element, an organic composition containing a pair of electrodes (first electrode and second electrode) at least one of which is transparent or translucent, an electron donating compound, and an electron accepting compound is used. It has an active layer to be formed. The compound containing the structural unit represented by the formula (3) produced by the production method of the present invention is preferably used as an electron donating compound.

光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機組成物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板を用いる場合には、基板とは反対側の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明又は半透明であることが好ましい。   The photoelectric conversion element is usually formed on a substrate. This substrate should just be what does not change chemically, when forming an electrode and forming the layer of an organic composition. Examples of the material for the substrate include glass, plastic, polymer film, and silicon. When an opaque substrate is used, it is preferable that the electrode on the side opposite to the substrate (that is, the electrode far from the substrate) is transparent or translucent.

本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物を有する光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物を含む第1の活性層と、該第1の活性層に隣接して、フラーレン誘導体等の電子受容性化合物を含む第2の活性層を含む光電変換素子である。   The other aspect of the photoelectric conversion element which has a compound containing the structural unit represented by Formula (3) manufactured by the manufacturing method of the compound of the present invention is between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent. A first active layer containing a compound containing the structural unit represented by the formula (3), which is produced by the method for producing a compound of the present invention, and a fullerene derivative or the like adjacent to the first active layer. It is a photoelectric conversion element containing the 2nd active layer containing an electron-accepting compound.

上記の光電変換素子に用いる式(3)で表される化合物は、高分子化合物であることが好ましい。   It is preferable that the compound represented by Formula (3) used for said photoelectric conversion element is a high molecular compound.

前記の透明又は半透明の電極材料の例としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズオキサイド(ITO)、インジウム亜鉛オキサイド(IZO)等からなる導電性材料を用いて形成された膜、NESA、金、白金、銀、銅の膜等が用いられ、ITO、IZO、酸化スズが好ましい。電極の形成方法の例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
Examples of the transparent or translucent electrode material include a conductive metal oxide film and a translucent metal thin film. Specifically, a film formed using a conductive material made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, which is a composite of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, NESA, Gold, platinum, silver, copper films and the like are used, and ITO, IZO, and tin oxide are preferable. Examples of the electrode forming method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method.
Moreover, you may use organic transparent conductive films, such as polyaniline and its derivative (s), polythiophene, and its derivative (s) as an electrode material.

一方の電極が透明又は半透明である場合、他方の電極は透明でなくてもよく、不透明な電極の電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又は、1種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる1種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。   When one electrode is transparent or translucent, the other electrode may not be transparent, and as an electrode material of the opaque electrode, a metal, a conductive polymer, or the like can be used. Specific examples of the electrode material include metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, etc. And one or more alloys selected from the group consisting of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, and tin. Examples include alloys with metals, graphite, graphite intercalation compounds, polyaniline and derivatives thereof, and polythiophene and derivatives thereof. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, and calcium-aluminum alloy.

光電変換効率を向上させるために、活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層の材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、PEDOT(ポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン)などが挙げられる。   In order to improve the photoelectric conversion efficiency, an additional intermediate layer other than the active layer may be used. Examples of the material for the intermediate layer include alkali metals such as lithium fluoride, halides of alkaline earth metals, oxides such as titanium oxide, and PEDOT (poly-3,4-ethylenedioxythiophene).

<活性層>
活性層は、本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物を1種単独で含んでいても2種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、活性層の正孔輸送性を高めるため、活性層中に電子供与性化合物及び/又は電子受容性化合物として、本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物以外の化合物を混合して用いることもできる。なお、電子供与性化合物、電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位から相対的に決定される。
<Active layer>
The active layer may contain one type of compound containing the structural unit represented by formula (3), which is produced by the method for producing a compound of the present invention, or may contain two or more types in combination. Moreover, in order to improve the hole transport property of an active layer, it represents with Formula (3) manufactured with the manufacturing method of the compound of this invention as an electron-donating compound and / or an electron-accepting compound in an active layer. A compound other than the compound containing a structural unit can also be used as a mixture. The electron donating compound and the electron accepting compound are relatively determined from the energy levels of these compounds.

電子供与性化合物としては、本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。   Examples of the electron donating compound include compounds containing the structural unit represented by the formula (3) produced by the method for producing a compound of the present invention, for example, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine. Derivatives, oligothiophene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine residues in the side chain or main chain, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof , Polyphenylene vinylene and derivatives thereof, and polythienylene vinylene and derivatives thereof.

電子受容性化合物としては、本発明の化合物の製造方法で製造される、式(3)で表される構造単位を含む化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バソクプロイン)等のフェナントロリン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
フラーレンとしては、C60フラーレン、C70フラーレン、C76フラーレン、C78フラーレン、C84フラーレン、フラーレン誘導体としてはC60フラーレンの誘導体、C70フラーレンの誘導体、C76フラーレンの誘導体、C78フラーレンの誘導体、C84フラーレンの誘導体が挙げられる。ここで「C」は、炭素原子を表し、下付で付された数字は炭素原子数を表す。
フラーレン誘導体は、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を表す。
Examples of the electron-accepting compound include compounds containing a structural unit represented by the formula (3) produced by the method for producing a compound of the present invention, as well as, for example, carbon materials, metal oxides such as titanium oxide, oxadi Azole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, 8 -Metal complexes of hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, phenanthates such as 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (basocproline) Phosphorus derivatives, fullerenes, include fullerene derivative, preferably, titanium oxide, carbon nanotubes, fullerene, a fullerene derivative, particularly preferably a fullerene, a fullerene derivative.
Fullerenes include C 60 fullerene, C 70 fullerene, C 76 fullerene, C 78 fullerene, C 84 fullerene, C 84 fullerene derivatives, C 60 fullerene derivatives, C 70 fullerene derivatives, C 76 fullerene derivatives, C 78 fullerene derivatives, Derivatives and derivatives of C 84 fullerene. Here, “C” represents a carbon atom, and the number attached to the subscript represents the number of carbon atoms.
The fullerene derivative represents a compound in which at least a part of fullerene is modified.

フラーレン誘導体としては、例えば、下記式(I)で表される化合物、下記式(II)で表される化合物、下記式(III)で表される化合物、式(IV)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the fullerene derivative include a compound represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II), a compound represented by the following formula (III), and a compound represented by the formula (IV). Can be mentioned.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

式(I)〜(IV)中、Rは、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はエステル構造を有する基である。複数個あるRは、同一であっても相異なってもよい。Rはフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基又はアリール基を表す。複数個あるRは、同一であっても相異なってもよい。 In formulas (I) to (IV), R a is an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group or a group having an ester structure which may be substituted with a fluorine atom. A plurality of Ra may be the same or different. R b represents an alkyl group or an aryl group which may be substituted with a fluorine atom. A plurality of R b may be the same or different.

で表されるフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の炭素原子数及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基が有していてもよいフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の炭素原子数及び具体例と同じである。
で表される、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の炭素原子数及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基が有していてもよい、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の炭素原子数及び具体例と同じである。
The number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group, aryl group, and heteroaryl group that may be substituted with a fluorine atom represented by Ra include the heteroarylene group represented by Ar 1 described above. This is the same as the number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group, aryl group and heteroaryl group which may be substituted with a good fluorine atom.
The number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group and aryl group that may be substituted with a fluorine atom represented by R b are the fluorine atoms that the heteroarylene group represented by Ar 1 may have. The number of carbon atoms and the specific examples of the alkyl group and aryl group which may be substituted with atoms are the same.

で表されるエステル構造を有する基は、例えば、下記式(V)で表される基が挙げられる。 Examples of the group having an ester structure represented by Ra include a group represented by the following formula (V).

Figure 2012232947
Figure 2012232947

式(V)中、u1は、1〜6の整数を表す、u2は、0〜6の整数を表す、Rは、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。) In formula (V), u1 represents an integer of 1 to 6, u2 represents an integer of 0 to 6, and R c represents an alkyl group, aryl group or heteroaryl group optionally substituted with a fluorine atom. Represents. )

で表されるフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の炭素原子数及び具体例は、前述のArで表されるヘテロアリーレン基が有していてもよい、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の炭素原子数及び具体例と同じである。 The number of carbon atoms and specific examples of the alkyl group, aryl group, and heteroaryl group that may be substituted with a fluorine atom represented by R c may be the same as the heteroarylene group represented by Ar 1 described above. The number of carbon atoms of the alkyl group, aryl group and heteroaryl group which may be substituted with a fluorine atom and the specific examples are the same.

60フラーレンの誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。 Specific examples of the C 60 fullerene derivative include the following compounds.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

70フラーレンの誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。 Specific examples of the C 70 fullerene derivative include the following compounds.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

また、フラーレン誘導体の例としては、[6,6]フェニル−C61酪酸メチルエステル(C60PCBM、[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル−C71酪酸メチルエステル(C70PCBM、[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル−C85酪酸メチルエステル(C84PCBM、[6,6]-Phenyl C85 butyric acid methyl ester)、[6,6]チエニル−C61酪酸メチルエステル([6,6]-Thienyl C61 butyric acid methyl ester)が挙げられる。 Examples of fullerene derivatives include [6,6] phenyl-C 61 butyric acid methyl ester (C 60 PCBM, [6,6] -Phenyl C 61 butyric acid methyl ester), [6,6] phenyl-C 71. Butyric acid methyl ester (C 70 PCBM, [6,6] -Phenyl C 71 butyric acid methyl ester), [6,6] Phenyl-C 85 butyric acid methyl ester (C 84 PCBM, [6,6] -Phenyl C 85 butyric acid methyl ester), [6,6] thienyl -C 61 butyric acid methyl ester ([6,6] -Thienyl C61 butyric acid methyl ester) and the like.

活性層中に本発明の化合物の製造方法で得られる式(3)で表される構造単位を含む化合物とフラーレン誘導体とを含む場合、フラーレン誘導体の割合が、本発明の化合物の製造方法で得られる式(3)で表される構造単位を含む化合物100重量部に対して、10〜1000重量部であることが好ましく、20重量部〜500重量部であることがより好ましい。   When the active layer contains a compound containing the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method for producing the compound of the present invention and a fullerene derivative, the ratio of the fullerene derivative is obtained by the method for producing the compound of the present invention. It is preferable that it is 10-1000 weight part with respect to 100 weight part of compounds containing the structural unit represented by Formula (3) obtained, and it is more preferable that it is 20 weight part-500 weight part.

活性層の厚さは、通常、1nm〜100μmが好ましく、より好ましくは2nm〜1000nmであり、さらに好ましくは5nm〜500nmであり、特に好ましくは20nm〜200nmである。   The thickness of the active layer is usually preferably 1 nm to 100 μm, more preferably 2 nm to 1000 nm, still more preferably 5 nm to 500 nm, and particularly preferably 20 nm to 200 nm.

活性層の製造方法は、如何なる方法で製造してもよく、例えば、高分子化合物と溶媒とを含む溶液用いる成膜方法、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。   The active layer may be manufactured by any method, and examples thereof include a film forming method using a solution containing a polymer compound and a solvent, and a film forming method using a vacuum deposition method.

<光電変換素子の製造方法>
光電変換素子の好ましい製造方法は、第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有する素子の製造方法であって、該第1の電極上に本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物と溶媒とを含む溶液(インキ)を塗布する塗布法により塗布成膜して活性層を形成する工程、該活性層上に第2の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。
<Method for producing photoelectric conversion element>
A preferred method for producing a photoelectric conversion element is a method for producing an element having a first electrode and a second electrode, and having an active layer between the first electrode and the second electrode, A coating film is formed by a coating method in which a solution (ink) containing a compound containing a structural unit represented by the formula (3) and a solvent obtained by the method for producing a compound of the present invention is applied onto the first electrode. A method of manufacturing an element having a step of forming an active layer and a step of forming a second electrode on the active layer.

溶液を用いる塗布法に用いられる溶媒は、本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物は、通常、前記溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。   The solvent used in the coating method using a solution may be any solvent that dissolves the compound containing the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method for producing a compound of the present invention. Examples of the solvent include unsaturated hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, bicyclohexyl, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, and tert-butylbenzene, carbon tetrachloride, chloroform, and dichloromethane. Halogenated saturated hydrocarbon solvents such as dichloroethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane, bromopentane, chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane and bromocyclohexane, and halogenated unsaturated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene Examples of the solvent include ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran. The compound containing the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method for producing a compound of the present invention can be usually dissolved in the solvent in an amount of 0.1% by weight or more.

溶液を用いて成膜する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェットコート法、スピンコート法が好ましい。
成膜性の観点からは、25℃における溶媒の表面張力が15mN/mより大きいことが好ましく、15mN/mより大きく100mN/mよりも小さいことがより好ましく、25mN/mより大きく60mN/mよりも小さいことがさらに好ましい。
When forming a film using a solution, slit coating method, knife coating method, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, Application methods such as spray coating, screen printing, gravure printing, flexographic printing, offset printing, inkjet coating, dispenser printing, nozzle coating, capillary coating, slit coating, capillary A coating method, a gravure coating method, a micro gravure coating method, a bar coating method, a knife coating method, a nozzle coating method, an ink jet coating method, and a spin coating method are preferable.
From the viewpoint of film formability, the surface tension of the solvent at 25 ° C. is preferably larger than 15 mN / m, more preferably larger than 15 mN / m and smaller than 100 mN / m, larger than 25 mN / m and larger than 60 mN / m. It is more preferable that the value is small.

<有機薄膜トランジスタ>
本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物は、有機薄膜トランジスタにも用いることができる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機薄膜として形成される有機半導体層(活性層)と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられる。このような有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型有機薄膜トランジスタ、静電誘導型等有機薄膜トランジスタが挙げられる。
<Organic thin film transistor>
The compound containing the structural unit represented by Formula (3) obtained by the method for producing a compound of the present invention can also be used for an organic thin film transistor. As an organic thin film transistor, a source electrode and a drain electrode, an organic semiconductor layer (active layer) formed as an organic thin film serving as a current path between these electrodes, and a gate electrode for controlling the amount of current passing through the current path are provided. What has the structure provided is mentioned. Examples of such organic thin film transistors include field effect organic thin film transistors and electrostatic induction type organic thin film transistors.

電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層(活性層)、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。
特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層(活性層)に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている構造を有することが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層が、本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物を含む有機薄膜によって構成される。
A field effect organic thin film transistor includes a source electrode and a drain electrode, an organic semiconductor layer (active layer) serving as a current path between them, a gate electrode for controlling the amount of current passing through the current path, and an organic semiconductor layer and a gate electrode It is preferable to provide an insulating layer disposed between the two.
In particular, the source electrode and the drain electrode are preferably provided in contact with the organic semiconductor layer (active layer) and further have a structure in which a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the organic semiconductor layer interposed therebetween. In the field effect organic thin film transistor, the organic semiconductor layer is constituted by an organic thin film containing a compound containing a structural unit represented by the formula (3), which is obtained by the method for producing a compound of the present invention.

静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機薄膜として形成される有機半導体層(活性層)、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。静電誘導型有機薄膜トランジスタにおいても、有機半導体層が、本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物を含む有機薄膜によって構成される。   An electrostatic induction organic thin film transistor has a source electrode and a drain electrode, an organic semiconductor layer (active layer) formed as an organic thin film serving as a current path between them, and a gate electrode for controlling the amount of current passing through the current path. The gate electrode is preferably provided in the organic semiconductor layer. In particular, the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode provided in the organic semiconductor layer are preferably provided in contact with the organic semiconductor layer. Here, the structure of the gate electrode may be a structure in which a current path flowing from the source electrode to the drain electrode is formed and the amount of current flowing through the current path can be controlled by a voltage applied to the gate electrode. An electrode is mentioned. Also in the static induction organic thin film transistor, the organic semiconductor layer is constituted by an organic thin film containing a compound containing a structural unit represented by the formula (3), which is obtained by the method for producing a compound of the present invention.

上記の有機薄膜トランジスタに用いられる式(3)で表される構造単位を含む化合物は、高分子化合物であることが好ましい。   The compound containing the structural unit represented by the formula (3) used for the organic thin film transistor is preferably a polymer compound.

<素子の用途>
本発明の方法で得られる式(3)で表される構造単位を含む化合物を用いた光電変換素子は、透明又は半透明の電極側から太陽光等の光を入射させることにより、電極間に光起電力を発生させ、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
<Application of device>
The photoelectric conversion element using the compound containing the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method of the present invention makes light such as sunlight enter from the transparent or semi-transparent electrode side, thereby allowing the light to enter between the electrodes. Photovoltaic power can be generated and operated as an organic thin film solar cell. It can also be used as an organic thin film solar cell module by integrating a plurality of organic thin film solar cells.

また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極側から光を入射させ、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
上述の有機薄膜トランジスタは、例えば電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等の画素の制御、画面輝度の均一性、画面書き換え速度の制御のために用いられる画素駆動素子等として用いることができる。
In addition, in a state where a voltage is applied between the electrodes or in a state where no voltage is applied, light is incident from the transparent or translucent electrode side, a photocurrent flows, and the organic light sensor can be operated. It can also be used as an organic image sensor by integrating a plurality of organic photosensors.
The organic thin film transistor described above can be used as a pixel driving element used for controlling pixels of an electrophoretic display, a liquid crystal display, an organic EL display, etc., screen brightness uniformity, and screen rewriting speed.

<太陽電池モジュール>
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとり得る。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂、保護ガラス等で覆い、支持基板側とは反対側から光を入射させる構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を入射させる構造とすることもできる。太陽電池モジュールのモジュール構造としては、具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的、使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
<Solar cell module>
The organic thin film solar cell can have a module structure basically similar to that of a conventional solar cell module. In general, a solar cell module has a structure in which cells are formed on a support substrate such as metal or ceramic, and the cell is covered with a filling resin, protective glass, etc., and light is incident from the side opposite to the support substrate side. However, a transparent material such as tempered glass can be used for the support substrate, and a cell can be formed thereon so that light can enter from the transparent support substrate side. Specific examples of the module structure of the solar cell module include a module structure called a super straight type, a substrate type, and a potting type, a substrate integrated module structure used in an amorphous silicon solar cell, and the like. The organic thin-film solar cell produced using the compound containing the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method for producing a compound of the present invention can also have these module structures appropriately depending on the purpose of use, place of use and environment. You can choose.

代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプの太陽電池モジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護性向上、集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート(EVA)等様々な種類のプラスチック材料をフィルム状又は充填樹脂の形で用いてもよい。また、太陽電池モジュールを外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくしてもよい。   In a typical super straight type or substrate type solar cell module, cells are arranged at regular intervals between support substrates that are transparent on one or both sides and subjected to antireflection treatment, and adjacent cells are metal leads or flexible wiring. The current collecting electrodes are arranged on the outer edge portion, and the generated power is taken out to the outside. Various types of plastic materials such as ethylene vinyl acetate (EVA) may be used between the substrate and the cell in the form of a film or a filled resin depending on the purpose in order to improve the cell protection and current collection efficiency. . In addition, when the solar cell module is used in a place where it is not necessary to cover the surface with a hard material such as a place where there is little impact from the outside, the surface protective layer is made of a transparent plastic film or the above filling resin is cured. A protective function may be imparted and the support substrate on one side may be eliminated.

支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームとの間は封止材料で密封シールする。また、セル自体、支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面上に太陽電池を構成することもできる。   The periphery of the support substrate is fixed in a sandwich shape with a metal frame in order to ensure internal sealing and module rigidity, and the support substrate and the frame are hermetically sealed with a sealing material. In addition, when a flexible material is used for the cell itself, the support substrate, the filling material, and the sealing material, a solar cell can be formed on the curved surface.

ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Solar Energy Materials and Solar Cells, 48,p383-391記載の「SCAF」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた柔軟性を有する太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。   In the case of a solar cell using a flexible support such as a polymer film, cells are sequentially formed while feeding out a roll-shaped support, cut to a desired size, and then the periphery is sealed with a flexible and moisture-proof material. Thus, the battery body can be produced. A module structure called “SCAF” described in Solar Energy Materials and Solar Cells, 48, p383-391 can also be used. Furthermore, a flexible solar cell using a flexible support can be used by being bonded and fixed to curved glass or the like.

<有機EL素子>
本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物は、有機EL素子に用いることもできる。有機EL素子は、第1の電極と第2の電極との間に発光層を有する。有機EL素子は、発光層の他の機能層として、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のうちのいずれの層中に含み得る機能性材料としても本発明の化合物の製造方法で得られる、式(3)で表される構造単位を含む化合物を用いることができる。発光層中には、本発明の方法で得られる式(3)で表される構造単位を含む化合物の他にも、電子輸送材料及び正孔輸送材料(これらを総称して電荷輸送材料と称する場合がある)を含んでいてもよい。有機EL素子の構成例としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する構成、陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する、陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する構成、さらには陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する構成等が挙げられる。第1の電極と第2の電極とのうちの少なくとも一方は、透明又は半透明であることが好ましい。
<Organic EL device>
The compound containing the structural unit represented by Formula (3) obtained by the method for producing a compound of the present invention can also be used for an organic EL device. The organic EL element has a light emitting layer between the first electrode and the second electrode. The organic EL element may include a hole transport layer and an electron transport layer as other functional layers of the light emitting layer. The functional material that can be contained in any of the light emitting layer, the hole transport layer, and the electron transport layer includes the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method for producing the compound of the present invention. Compounds can be used. In the light emitting layer, in addition to the compound containing the structural unit represented by the formula (3) obtained by the method of the present invention, an electron transport material and a hole transport material (these are collectively referred to as a charge transport material). May be included). Examples of the configuration of the organic EL element include an element having an anode, a light emitting layer, and a cathode, and an anode having an electron transport layer containing an electron transport material adjacent to the light emitting layer between the cathode and the light emitting layer. A structure having a light-emitting layer, an electron transport layer, and a cathode, and having a hole transport layer containing a hole transport material adjacent to the light-emitting layer between the anode and the light-emitting layer, and emitting light with the anode, the hole transport layer, and the light-emitting layer Examples include a structure having a layer and a cathode, and a structure having an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode. At least one of the first electrode and the second electrode is preferably transparent or translucent.

上記の有機EL素子に用いられる式(3)で表される構造単位を含む化合物は、高分子化合物であることが好ましい。   It is preferable that the compound containing the structural unit represented by Formula (3) used for said organic EL element is a high molecular compound.

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示す。本発明は下記の実施例に限定されるものではない。   Examples are given below to illustrate the present invention in more detail. The present invention is not limited to the following examples.

(NMR測定)
NMR測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、NMR装置(Varian社製、INOVA300)を用いて行った。
(NMR measurement)
The NMR measurement was performed by dissolving the compound in deuterated chloroform and using an NMR apparatus (Varian, INOVA300).

(数平均分子量及び重量平均分子量の測定)
数平均分子量及び重量平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(島津製作所製、商品名:LC−10Avp)によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定される高分子化合物は、約0.5重量%の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに30μL注入した。GPCの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/分の流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM−H(東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(東ソー製)1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器(島津製作所製、商品名:RID−10A)を用いた。
(Measurement of number average molecular weight and weight average molecular weight)
Regarding the number average molecular weight and the weight average molecular weight, the number average molecular weight and the weight average molecular weight in terms of polystyrene were determined by gel permeation chromatography (GPC) (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-10Avp). The polymer compound to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5% by weight, and 30 μL was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min. As for the column, two TSKgel SuperHM-H (manufactured by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (manufactured by Tosoh) were connected in series. A differential refractive index detector (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: RID-10A) was used as the detector.

参考例1
(化合物1の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物1を合成した。
Reference example 1
(Synthesis of Compound 1)
Compound 1 was synthesized according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

内部の雰囲気をアルゴン置換した容量1000mLの4つ口フラスコに、3−ブロモチオフェンを13.0g(80.0mmol)と、ジエチルエーテルを80mL入れて均一な溶液とした。該溶液を−78℃に保ったまま2.6Mのn−ブチルリチウム(n−BuLi)のヘキサン溶液を31mL(80.6mmol)滴下した。−78℃で2時間反応させた後、反応液に3−チオフェンアルデヒド8.96g(80.0mmol)とジエチルエーテル20mLとに溶解させた溶液を滴下した。滴下後、反応液を−78℃で30分間攪拌し、さらに室温(25℃)で30分間攪拌した。反応溶液を再度−78℃に冷却し、2.6Mのn−BuLiのヘキサン溶液62mL(161mmol)を15分間かけて滴下した。滴下後、反応液を−25℃で2時間攪拌し、さらに室温(25℃)で1時間攪拌した。その後、反応液を−25℃に冷却し、ヨウ素60g(236mmol)をジエチルエーテル1000mLに溶解させた溶液を30分間かけて滴下した。滴下後、室温(25℃)で2時間攪拌し、1規定のチオ硫酸ナトリウム水溶液50mLを加えて反応を停止させた。ジエチルエーテルで反応生成物を抽出した後、硫酸マグネシウムで反応生成物を乾燥させ、ろ過後、ろ液を濃縮して35gの粗生成物を得た。クロロホルムを用いて粗生成物を再結晶することにより精製し、化合物1を28g得た。   Into a 1000 mL four-necked flask whose internal atmosphere was replaced with argon, 13.0 g (80.0 mmol) of 3-bromothiophene and 80 mL of diethyl ether were added to obtain a uniform solution. While maintaining the solution at −78 ° C., 31 mL (80.6 mmol) of a 2.6M n-butyllithium (n-BuLi) hexane solution was added dropwise. After reacting at −78 ° C. for 2 hours, a solution dissolved in 8.96 g (80.0 mmol) of 3-thiophenaldehyde and 20 mL of diethyl ether was added dropwise to the reaction solution. After the dropping, the reaction solution was stirred at −78 ° C. for 30 minutes, and further stirred at room temperature (25 ° C.) for 30 minutes. The reaction solution was again cooled to −78 ° C., and 62 mL (161 mmol) of 2.6 M n-BuLi in hexane was added dropwise over 15 minutes. After dropping, the reaction solution was stirred at −25 ° C. for 2 hours, and further stirred at room temperature (25 ° C.) for 1 hour. Thereafter, the reaction solution was cooled to −25 ° C., and a solution in which 60 g (236 mmol) of iodine was dissolved in 1000 mL of diethyl ether was added dropwise over 30 minutes. After dropping, the mixture was stirred at room temperature (25 ° C.) for 2 hours, and 50 mL of 1N aqueous sodium thiosulfate solution was added to stop the reaction. After extracting the reaction product with diethyl ether, the reaction product was dried with magnesium sulfate, and after filtration, the filtrate was concentrated to obtain 35 g of a crude product. The crude product was purified by recrystallization using chloroform to obtain 28 g of Compound 1.

参考例2
(化合物2の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物1から化合物2を合成した。
Reference example 2
(Synthesis of Compound 2)
Compound 2 was synthesized from compound 1 according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

容量300mLの4つ口フラスコに、上記参考例1で合成された化合物1:ビスヨードチエニルメタノールを10.5g(23.4mmol)と、塩化メチレンを150mLとを加えて均一な溶液とした。該溶液にクロロクロム酸ピリジニウムを7.50g(34.8mmol)加えて室温(25℃)で10時間攪拌した。反応液をろ過して不溶物を除去後、ろ液を濃縮し、化合物2を10.0g(22.4mmol)得た。   10.5 g (23.4 mmol) of the compound 1: bisiodothienylmethanol synthesized in Reference Example 1 and 150 mL of methylene chloride were added to a four-necked flask with a volume of 300 mL to obtain a uniform solution. To the solution, 7.50 g (34.8 mmol) of pyridinium chlorochromate was added and stirred at room temperature (25 ° C.) for 10 hours. The reaction solution was filtered to remove insoluble matters, and then the filtrate was concentrated to obtain 10.0 g (22.4 mmol) of Compound 2.

参考例3
(化合物3の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物2から化合物3を合成した。
Reference example 3
(Synthesis of Compound 3)
Compound 3 was synthesized from compound 2 according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

内部の雰囲気をアルゴン置換した容量300mLのフラスコに、参考例2で合成された化合物2を10.0g(22.4mmol)と、銅粉末を6.0g(94.5mmol)と、脱水DMFを120mLと加えて、120℃で4時間攪拌した。反応後、フラスコを室温(25℃)まで冷却し、反応液をシリカゲルカラムに通して不溶成分を除去した。その後、反応液に水を500mL加え、クロロホルムで反応生成物を抽出した。クロロホルム溶液である油層を硫酸マグネシウムで乾燥し、油層をろ過し、ろ液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム(展開液:クロロホルム)で精製し、化合物3を3.26g得た。化合物2から化合物3を得るまでの操作を複数回繰り返し行った。   In a flask with a capacity of 300 mL whose atmosphere was replaced with argon, 10.0 g (22.4 mmol) of Compound 2 synthesized in Reference Example 2, 6.0 g (94.5 mmol) of copper powder, and 120 mL of dehydrated DMF And stirred at 120 ° C. for 4 hours. After the reaction, the flask was cooled to room temperature (25 ° C.), and the reaction solution was passed through a silica gel column to remove insoluble components. Thereafter, 500 mL of water was added to the reaction solution, and the reaction product was extracted with chloroform. The oil layer, which is a chloroform solution, was dried over magnesium sulfate, the oil layer was filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a crude product. The obtained crude product was purified with a silica gel column (developing solution: chloroform) to obtain 3.26 g of compound 3. The operation until obtaining compound 3 from compound 2 was repeated a plurality of times.

参考例4
(化合物4の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物3から化合物4を合成した。
Reference example 4
(Synthesis of Compound 4)
Compound 4 was synthesized from compound 3 according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

メカニカルスターラーを備え、フラスコ内の気体をアルゴンで置換した300mL4つ口フラスコに、参考例3で合成した化合物3を3.85g(20.0mmol)、クロロホルムを50mL、トリフルオロ酢酸を50mL入れて均一な溶液とした。該溶液に過ホウ酸ナトリウム1水和物を5.99g(60mmol)加え、室温(25℃)で45分間攪拌した。その後、反応液に水200mLを加え、さらにクロロホルムを加え、反応生成物を含む有機層を抽出した。クロロホルム溶液である有機層をシリカゲルカラムに通し、エバポレーターでろ液の溶媒を留去した。メタノールを用いて残渣を再結晶し、化合物4を534mg得た。   A 300 mL four-neck flask equipped with a mechanical stirrer and substituted with argon in the flask was uniformly charged with 3.85 g (20.0 mmol) of Compound 3 synthesized in Reference Example 3, 50 mL of chloroform, and 50 mL of trifluoroacetic acid. Solution. To the solution, 5.99 g (60 mmol) of sodium perborate monohydrate was added and stirred at room temperature (25 ° C.) for 45 minutes. Thereafter, 200 mL of water was added to the reaction solution, chloroform was further added, and the organic layer containing the reaction product was extracted. The organic layer, which is a chloroform solution, was passed through a silica gel column, and the solvent of the filtrate was distilled off with an evaporator. The residue was recrystallized using methanol to obtain 534 mg of compound 4.

H NMR in CDCl(ppm):7.64(d、1H)、7.43(d、1H)、7.27(d、1H)、7.10(d、1H) 1 H NMR in CDCl 3 (ppm): 7.64 (d, 1H), 7.43 (d, 1H), 7.27 (d, 1H), 7.10 (d, 1H)

参考例5
(化合物5の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物4から化合物5を合成した。
Reference Example 5
(Synthesis of Compound 5)
Compound 5 was synthesized from compound 4 according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

フラスコ内の雰囲気をアルゴンで置換した容量100mLの四つ口フラスコに、化合物4を1.00g(4.80mmol)と、脱水THFを30mLとを入れて均一な溶液とした。溶液を−20℃に保ちながら、1Mの3,7−ジメチルオクチルマグネシウムブロミドのエーテル溶液を12.7mL加えた。その後、30分間かけて温度を−5℃まで上げ、そのまま30分間攪拌した。その後、10分間かけて温度を0℃に上げ、そのまま1.5時間攪拌を行った。その後、反応液に水を加えて反応を停止させ、酢酸エチルを加えて反応生成物を含む有機層を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、酢酸エチル溶液をシリカゲルカラムに通し、ろ液の溶媒を留去し、化合物5を1.50g得た。   1.00 g (4.80 mmol) of compound 4 and 30 mL of dehydrated THF were placed in a four-necked flask with a capacity of 100 mL in which the atmosphere in the flask was replaced with argon to obtain a uniform solution. While maintaining the solution at −20 ° C., 12.7 mL of 1M 3,7-dimethyloctylmagnesium bromide ether solution was added. Thereafter, the temperature was raised to −5 ° C. over 30 minutes, and the mixture was stirred for 30 minutes. Thereafter, the temperature was raised to 0 ° C. over 10 minutes, and the mixture was stirred for 1.5 hours. Thereafter, water was added to the reaction solution to stop the reaction, and ethyl acetate was added to extract an organic layer containing the reaction product. The organic layer, which is an ethyl acetate solution, was dried over sodium sulfate and filtered, and then the ethyl acetate solution was passed through a silica gel column. The filtrate was evaporated to obtain 1.50 g of compound 5.

H NMR in CDCl(ppm):8.42(b、1H)、7.25(d、1H)、7.20(d、1H)、6.99(d、1H)、6.76(d、1H)、2.73(b、1H)、1.90(m、4H)、1.58‐1.02(b、20H)、0.92(s、6H)、0.88(s、12H) 1 H NMR in CDCl 3 (ppm): 8.42 (b, 1H), 7.25 (d, 1H), 7.20 (d, 1H), 6.99 (d, 1H), 6.76 ( d, 1H), 2.73 (b, 1H), 1.90 (m, 4H), 1.58-1.02 (b, 20H), 0.92 (s, 6H), 0.88 (s) , 12H)

参考例6
(化合物6の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物5から化合物6を合成した。
Reference Example 6
(Synthesis of Compound 6)
Compound 6 was synthesized from compound 5 according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

フラスコ内の雰囲気をアルゴンで置換した容量200mLのフラスコに、化合物5を1.50gと、トルエンを30mLとを入れ、均一な溶液とした。該溶液にp−トルエンスルホン酸ナトリウム1水和物を100mg入れ、100℃で1.5時間攪拌を行った。反応液を室温(25℃)まで冷却後、水を50mL加え、さらにトルエンを加え、反応生成物を含む有機層を抽出した。トルエン溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた粗生成物を溶媒がヘキサンであるシリカゲルカラムで精製し、化合物6を1.33g得た。化合物5から化合物6を得るまでの操作を複数回繰り返し行った。   1. A 50 mL flask in which the atmosphere in the flask was replaced with argon was charged with 1.50 g of compound 5 and 30 mL of toluene to obtain a uniform solution. 100 mg of sodium p-toluenesulfonate monohydrate was added to the solution, and the mixture was stirred at 100 ° C. for 1.5 hours. After cooling the reaction solution to room temperature (25 ° C.), 50 mL of water was added, toluene was further added, and the organic layer containing the reaction product was extracted. The organic layer, which is a toluene solution, was dried over sodium sulfate and filtered, and then the solvent was distilled off. The obtained crude product was purified with a silica gel column having a solvent of hexane to obtain 1.33 g of Compound 6. The operation until obtaining Compound 6 from Compound 5 was repeated a plurality of times.

H NMR in CDCl(ppm):6.98(d、1H)、6.93(d、1H)、6.68(d、1H)、6.59(d、1H)、1.89(m、4H)、1.58‐1.00(b、20H)、0.87(s、6H)、0.86(s、12H) 1 H NMR in CDCl 3 (ppm): 6.98 (d, 1H), 6.93 (d, 1H), 6.68 (d, 1H), 6.59 (d, 1H), 1.89 ( m, 4H), 1.58-1.00 (b, 20H), 0.87 (s, 6H), 0.86 (s, 12H)

参考例7
(化合物7の合成)
下記のスキームにしたがって、化合物6から化合物7を合成した。
Reference Example 7
(Synthesis of Compound 7)
Compound 7 was synthesized from compound 6 according to the following scheme.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

フラスコ内の雰囲気をアルゴンで置換した容量200mLのフラスコに、化合物6を1.33g(2.80mmol)と、脱水DMFを20mLとを入れて均一な溶液とした。該溶液を−30℃に保ち、コハク酸イミド(NBS)を1040mg(5.84mmol)加え、30分間かけて温度を−30℃から−10℃に上昇させた。液体クロマトグラフィー(LC)で化合物6の消失を確認後、反応液に1Mチオ硫酸ナトリウム水溶液50mlを加えて反応を停止させた。反応液にエーテルを加え、反応生成物を含む有機層を抽出した。エーテル溶液である有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を留去して粗生成物を得た。得られた粗生成物を溶媒がヘキサンであるシリカゲルカラムで精製し、化合物7を1.65g(93%)得た。   A uniform solution was prepared by adding 1.33 g (2.80 mmol) of compound 6 and 20 mL of dehydrated DMF to a 200 mL flask whose atmosphere in the flask was replaced with argon. The solution was kept at −30 ° C., 1040 mg (5.84 mmol) of succinimide (NBS) was added, and the temperature was raised from −30 ° C. to −10 ° C. over 30 minutes. After confirming the disappearance of compound 6 by liquid chromatography (LC), 50 ml of 1M sodium thiosulfate aqueous solution was added to the reaction solution to stop the reaction. Ether was added to the reaction solution, and the organic layer containing the reaction product was extracted. The organic layer, which is an ether solution, was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution. Then, it was made to dry with magnesium sulfate, and after filtration, the solvent was distilled off to obtain a crude product. The obtained crude product was purified by a silica gel column having a solvent of hexane to obtain 1.65 g (93%) of Compound 7.

H NMR in CDCl(ppm):6.66(1H)、6.63(1H)、1.90(m、4H)、1.56‐1.02(b、20H)、0.87(s、6H)、0.85(s、12H) 1 H NMR in CDCl 3 (ppm): 6.66 (1H), 6.63 (1H), 1.90 (m, 4H), 1.56-1.02 (b, 20H), 0.87 ( s, 6H), 0.85 (s, 12H)

実施例1 Example 1

Figure 2012232947
Figure 2012232947

フラスコ内の雰囲気をアルゴン置換した四つ口フラスコに、参考例7で合成した化合物7を434mg(0.686mmol)と、化合物8(CHEMSTEP社製)を105mg(0.673mmol)と、DMFを10mLとを加え、得られたDMF溶液をアルゴンで30分間バブリングした。その後、トルエン溶液にトランス−ビス(アセテート)ビス[o−(ジ−o−トルイルホスフィノ)ベンジル]ジパラジウム(II)(trans-Bis(acetato)bis[o-(di-o-tolylphosphino)benzyl]dipalladium(II))を9.66mgと、トリス(2−メトキシフェニル)ホスフィン(Tris(2−methoxyphenyl)phosphine)を12.5mgと、炭酸セシウムを512mgとを加え、100℃で16時間攪拌を行った。反応後、高速液体クロマトグラフィで反応液を分析したところ、原料がすべて消費されていることを確認した。反応後、反応液を25℃に冷却し、水を50mL加えた。得られた混合液にクロロホルム20mLを加えてクロロホルム層を抽出した。このクロロホルム層の抽出操作は2回繰り返して行った。その後、クロロホルム層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過した。その後、ろ液を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラム(溶出液はヘキサン:クロロホルム=2:1(vol/vol))で精製し、反応生成物を320mg得た。シリカゲルカラムの溶出液には、ヘキサンとクロロホルムとをクロロホルムの容積に対するヘキサンの容積比が2となるように混合した混合溶液を用いた。得られた反応生成物をGPCで測定したところ、ポリスチレン換算の数平均分子量は2240であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は3290であった。   In a four-necked flask whose atmosphere in the flask was replaced with argon, 434 mg (0.686 mmol) of Compound 7 synthesized in Reference Example 7, 105 mg (0.673 mmol) of Compound 8 (manufactured by CHEMSTEP), and 10 mL of DMF And the resulting DMF solution was bubbled with argon for 30 minutes. Thereafter, trans-bis (acetate) bis [o- (di-o-toluylphosphino) benzyl] dipalladium (II) (trans-Bis (acetato) bis [o- (di-o-tolylphosphino) benzyl) was added to the toluene solution. Dipalladium (II)) 9.66 mg, Tris (2-methoxyphenyl) phosphine (Tris (2-methoxyphenyl) phosphine) 12.5 mg, and cesium carbonate 512 mg were added and stirred at 100 ° C. for 16 hours. went. After the reaction, the reaction solution was analyzed by high performance liquid chromatography. As a result, it was confirmed that all raw materials were consumed. After the reaction, the reaction solution was cooled to 25 ° C., and 50 mL of water was added. Chloroform 20mL was added to the obtained liquid mixture, and the chloroform layer was extracted. This extraction operation of the chloroform layer was repeated twice. Thereafter, the chloroform layer was dried over sodium sulfate and filtered. Thereafter, the filtrate was concentrated, and the resulting crude product was purified with a silica gel column (eluent was hexane: chloroform = 2: 1 (vol / vol)) to obtain 320 mg of a reaction product. As the eluent of the silica gel column, a mixed solution in which hexane and chloroform were mixed so that the volume ratio of hexane to the volume of chloroform was 2 was used. When the obtained reaction product was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene was 2240, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 3290.

19F NMR in CDCl(ppm):−117.5
H NMR in CDCl(ppm):7.53(b)、7.02(b)、2.27(b)、1.57(b)、1.23(b)、0.872(b)
19 F NMR in CDCl 3 (ppm): −117.5
1 H NMR in CDCl 3 (ppm): 7.53 (b), 7.02 (b), 2.27 (b), 1.57 (b), 1.23 (b), 0.872 (b )

NMRの測定結果から、得られた反応生成物は下記の構造を分子中に有していることがわかった。   From the NMR measurement results, it was found that the obtained reaction product had the following structure in the molecule.

Figure 2012232947
Figure 2012232947

Claims (10)

下記式(1):
Figure 2012232947
(式(1)中、Arは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基を表す。Hは、水素原子を表す。)
で表される化合物と、
下記式(2):
Figure 2012232947
(式(2)中、Arは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基で置換されていてもよいヘテロアリーレン基を表す。Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。2個あるXは、同一でも相異なってもよい。)
で表される化合物とを反応させる、
下記式(3):
Figure 2012232947
(式(3)中、Ar及びArは、前述と同じ意味を表す。nは、1以上の数を表す。)
で表される構造単位を含む化合物の製造方法。
Following formula (1):
Figure 2012232947
(In Formula (1), Ar 1 represents a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a heteroarylene group optionally substituted with a monovalent organic group. H represents a hydrogen atom.)
A compound represented by
Following formula (2):
Figure 2012232947
(In the formula (2), Ar 2 represents a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group or a heteroarylene group optionally substituted with a monovalent organic group. X represents a chlorine atom, a bromine atom or Represents an iodine atom, and two Xs may be the same or different.)
With a compound represented by
Following formula (3):
Figure 2012232947
(In formula (3), Ar 1 and Ar 2 represent the same meaning as described above. N represents a number of 1 or more.)
The manufacturing method of the compound containing the structural unit represented by these.
式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、遷移金属化合物の存在下で反応させる、請求項1に記載の化合物の製造方法。   The method for producing a compound according to claim 1, wherein the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are reacted in the presence of a transition metal compound. 式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、塩基性化合物の存在下で反応させる、請求項1又は2に記載の化合物の製造方法。   The method for producing a compound according to claim 1 or 2, wherein the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are reacted in the presence of a basic compound. 式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物とを、ホスフィン化合物の存在下で反応させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。   The manufacturing method as described in any one of Claims 1-3 with which the compound represented by Formula (1) and the compound represented by Formula (2) are made to react in presence of a phosphine compound. Arが、1個〜3個の電子吸引性の置換基を有しているヘテロアリーレン基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物の製造方法。 The method for producing a compound according to claim 1, wherein Ar 1 is a heteroarylene group having 1 to 3 electron-withdrawing substituents. 電子吸引性の置換基が、フッ素原子である、請求項5に記載の製造方法。   The production method according to claim 5, wherein the electron-withdrawing substituent is a fluorine atom. Arが、下記式(5)で表される基である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
Figure 2012232947
[式(5)中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、芳香族複素環式化合物又は芳香族炭素環化合物から水素原子を3個取り除いた基を表し、該芳香族複素環式化合物及び芳香族炭素環化合物のうちの少なくとも一方は、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基若しくは1価の有機基で置換されていてもよい。ただし、Ar13及びAr14のうちの少なくとも一方は、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基若しくは1価の有機基で置換されていてもよい芳香族複素環式化合物から水素原子を3個取り除いた基である。Aは、下記式(4−1)〜式(4−12)で表される2価の基を表す。
Figure 2012232947
(式(4−1)〜式(4−12)中、R〜R15は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基又は1価の有機基を表す。)]
The manufacturing method as described in any one of Claims 1-6 whose Ar < 2 > is group represented by following formula (5).
Figure 2012232947
[In the formula (5), Ar 13 and Ar 14 each independently represent a group obtained by removing three hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic compound or an aromatic carbocyclic compound, and the aromatic heterocyclic compound and At least one of the aromatic carbocyclic compounds may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. However, at least one of Ar 13 and Ar 14 contains three hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic compound which may be substituted with a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. The removed group. A represents a divalent group represented by the following formula (4-1) to formula (4-12).
Figure 2012232947
(In Formula (4-1) to Formula (4-12), R 1 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, or a monovalent organic group. ]]
Arが、チオフェン環構造を含むヘテロアリーレン基である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の化合物の製造方法。 The method for producing a compound according to claim 1, wherein Ar 2 is a heteroarylene group containing a thiophene ring structure. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の化合物の製造方法により、得ることができる化合物。   The compound which can be obtained with the manufacturing method of the compound as described in any one of Claims 1-8. 質量分析法で求めた化合物中のスズの含有量と化合物中のホウ素の含有量との和が、1重量ppm未満である、請求項9に記載の化合物。   The compound according to claim 9, wherein the sum of the tin content in the compound and the boron content in the compound determined by mass spectrometry is less than 1 ppm by weight.
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