JP2012227374A - Heat radiation structure of electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子機器の放熱構造、特に、ケースに収納された発熱性の素子を効果的に放熱するための放熱構造に関する。 The present invention relates to a heat dissipation structure for an electronic device, and more particularly, to a heat dissipation structure for effectively radiating heat-generating elements housed in a case.
電子機器は、電子回路等の各種部品をケース(筐体)内に収納した状態で使用される。ケース内に収納される部品としては、例えば半導体素子等、高い発熱量の素子が使用されることがある。発熱性の素子は、発熱するままの状態とすることで、異常なまでの高温となることにより破壊する場合や、周辺部品へ悪影響を起こす場合がある。このため、高い発熱量の素子に対しては、放熱のための方策が必要となる。 An electronic device is used in a state in which various components such as an electronic circuit are stored in a case (housing). As a component housed in the case, an element having a high calorific value such as a semiconductor element may be used. The exothermic element may be destroyed due to an abnormally high temperature by causing the element to generate heat, or may adversely affect peripheral components. For this reason, a measure for heat dissipation is required for an element having a high heat generation amount.
一般的には、ケース内に収納される素子については、ケース内において素子にヒートシンクを取り付ける等により放熱が図られている。しかし、密閉されたケース内の温度は時間の経過とともに上昇することとなるため、ケース内でのヒートシンクによる放熱の効率は徐々に悪化し、結果として素子の温度上昇を招くことになる。 In general, the elements housed in the case are dissipated by attaching a heat sink to the elements in the case. However, since the temperature in the sealed case increases with time, the efficiency of heat dissipation by the heat sink in the case gradually deteriorates, resulting in an increase in the temperature of the element.
これに関して、例えば特許文献1には、ケースを構成する一つの面に開口部を設け、ケースの外部から開口部を塞ぐようにヒートシンクを取り付ける放熱装置が提案されている。ケース内の素子は、開口部においてヒートシンクに固定されることで、ケース外への放熱が可能となる。
In this regard, for example,
しかしながら、ケースに設けられた開口部にヒートシンクを取り付ける構造では、ヒートシンクと開口部との間に生じるわずかな隙間から埃や水が入り込むことが懸念される。電子機器における埃や水の浸入は、内部回路の絶縁不良等を引き起こすおそれがある。そのため、開口部にヒートシンクを取り付ける構造には、埃や水の浸入を防ぐための防塵、防水のための構成が必要となる。 However, in the structure in which the heat sink is attached to the opening provided in the case, there is a concern that dust or water may enter through a slight gap generated between the heat sink and the opening. Intrusion of dust or water in electronic equipment may cause insulation failure of internal circuits. Therefore, a structure for attaching a heat sink to the opening portion requires a structure for dustproofing and waterproofing to prevent intrusion of dust and water.
さらに、開口部にヒートシンクを取り付ける構造では、開口部が設けられたケースを用意する必要がある。このため、標準とされるケースをそのまま使用できず、開口部を形成するための工程の追加が必要となるか、あるいは特殊品を使用することとなる。このように、従来の技術によると、放熱構造を設けることに付随する構成の追加や加工工程の追加による製造作業の負担増大、製造コストの増加が問題となる。 Furthermore, in the structure in which the heat sink is attached to the opening, it is necessary to prepare a case provided with the opening. For this reason, the standard case cannot be used as it is, and an additional process for forming the opening is required, or a special product is used. As described above, according to the conventional technique, there is a problem in that the burden of the manufacturing work and the increase in the manufacturing cost due to the addition of the configuration accompanying the provision of the heat dissipation structure and the addition of the processing steps are problematic.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、放熱構造を設けることによる製造作業の負担の低減、製造コストの削減を可能とする電子機器の放熱構造を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a heat dissipation structure for an electronic device that can reduce the burden of manufacturing work and reduce the manufacturing cost by providing the heat dissipation structure.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、発熱体を収納するケースの外部に固定されたヒートシンクと、前記ケースに前記ヒートシンクを固定する固定手段と、を有し、前記固定手段は、前記ケース内にて前記発熱体に接することで、前記発熱体で発生する熱を前記ヒートシンクへ伝播可能とされたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention includes a heat sink fixed to the outside of a case that houses a heating element, and a fixing unit that fixes the heat sink to the case. The fixing means is configured to be able to propagate heat generated by the heating element to the heat sink by contacting the heating element in the case.
本発明によれば、放熱構造のケースにはヒートシンクを取り付ける開口部が不要となることで、ヒートシンクとケースとの間の防塵、防水処理を施す必要が無くなる。また、ケースに開口部を設ける加工工程が不要となる。放熱構造は、リベット等の固定手段を使用する簡易な構成にできるため、容易に製造が可能である。また、ケースとしては、特殊品を用いず標準のケースを使用することができる。これにより、放熱構造を設けることによる製造作業の負担の低減や、製造コストの削減が可能となる。 According to the present invention, since the opening for attaching the heat sink is not necessary in the case of the heat dissipation structure, it is not necessary to perform dustproof and waterproof treatment between the heat sink and the case. Further, a processing step for providing an opening in the case is not necessary. The heat dissipation structure can be easily manufactured because it can have a simple configuration using a fixing means such as a rivet. As a case, a standard case can be used without using a special product. Thereby, it becomes possible to reduce the burden of the manufacturing work by providing the heat dissipation structure and to reduce the manufacturing cost.
以下に、本発明にかかる電子機器の放熱構造の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a heat dissipation structure for an electronic device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1にかかる電子機器の放熱構造の概略構成を示す断面模式図である。電子機器1は、ヒートシンク4およびリベット5を含む放熱構造と、ケース3と、発熱体である半導体素子2を含む電子回路とを備える。なお、本実施の形態では、電子機器1のうち本発明の説明に必要な要素のみについて図示することとし、本発明の説明に不要な要素の図示を省略するものとする。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a heat dissipation structure for an electronic device according to a first embodiment of the present invention. The
半導体素子2は、ケース3内部の電子回路の中で、駆動時における発熱量が最も高い要素の一つであるものとする。ケース3は電子機器1の筐体であって、半導体素子2を含む電子回路等を収納する。ケース3は、金属材料や樹脂材料等、いずれの材料を使用して構成されたものであっても良い。
The
ヒートシンク4は、ケース3の外部、例えば、ケース3を構成する一つの面をなす板部材6上に、固定手段であるリベット5を使用して固定されている。半導体素子2は、ケース3の内部でリベット5に接するように配置されている。半導体素子2およびヒートシンク4は、板部材6を挟んで、リベット5により接続されている。リベット5は、高い熱伝導性を持つ部材、例えば、アルミニウムや銅を材料として構成されている。
The
リベット5は、半導体素子2で発生した熱を、半導体素子2に接している部分から受け取り、ヒートシンク4へ伝播させる。リベット5を経てヒートシンク4へ伝播した熱は、ヒートシンク4からケース3の外部へ放出される。放熱構造は、このようにして、半導体素子2で発生した熱をケース3の外部へ放出する。なお、放熱構造による放熱の対象とする半導体素子2の数はいくつであっても良いものとする。
The
仮に、半導体素子2の放熱をケース3内部でのみ実施したとすると、ケース3内部全体の温度の上昇によって、半導体素子2の効果的な放熱が困難となる場合がある。本実施の形態にかかる放熱構造は、半導体素子2からの熱をケース3の外部へ放出可能とすることで、ケース3内部全体の温度上昇を抑制可能であるとともに、半導体素子2の効果的な放熱が可能となる。
If heat radiation of the
本実施の形態によれば、放熱構造は、リベット5によりケース3の内部から外部へ熱を伝播させる構成を採用することで、ケース3にヒートシンク4を取り付けるための開口部が不要となる。そのため、放熱構造を設けることによる埃や水の浸入は、ケース3に開口部を設ける場合に対して大幅に抑制することができる。本実施の形態によれば、放熱構造のためにケース3に開口部を設ける加工工程や、放熱構造におけるシーリング等の防塵、防水処理が不要となる。
According to the present embodiment, the heat dissipation structure adopts a configuration in which heat is propagated from the inside of the case 3 to the outside by the
放熱構造は、固定手段であるリベット5を使用する簡易な構成であるため、容易に製造が可能である。また、ケース3としては、特殊品を用いず標準のケースを使用することができる。これにより、放熱構造を設けることによる製造作業の負担の低減や、製造コストの削減が可能となる。
Since the heat dissipation structure has a simple configuration using the
高い熱伝導性を持つ部材で構成されたリベット5を使用することで、放熱構造は、半導体素子2からヒートシンク4への熱伝導を促進させ、半導体素子2の効果的な放熱が可能となる。さらに、放熱構造は、半導体素子2のうちリベット5と接触する部分に、接触熱抵抗を低下させるためのシリコンパウンドを塗布することとしても良い。また、放熱構造は、半導体素子2およびリベット5の間に、熱伝導性を持つ緩衝材を設けることとしても良い。これによって、放熱構造は、半導体素子2からリベット5への熱伝導を促進させ、半導体素子2の効果的な放熱が可能となる。
By using the
図1には二つのリベット5を示しているが、リベット5の数はいくつであっても良いものとする。放熱構造は、リベット5の数を多くするほど、半導体素子2からヒートシンク4への熱伝導を促進させることができる。複数のリベット5を設ける場合、各リベット5は、ケース3の外部ではヒートシンク4を固定するとともに、ケース3の内部にて半導体素子2に接するように配置されている。
Although two
固定手段としてリベット5を使用する場合、ヒートシンク4をケース3に強固に固定することができる。ヒートシンク4はケース3の外部に設けられることで、例えば風雨や、外部からの衝撃等を受け易い場合があり得る。放熱構造は、リベット5によるヒートシンク4の強固な固定を可能とすることで、リベット5を通じた放熱を長期にわたって継続することが可能となる。
When the
なお、固定手段は、ケース3の外部におけるヒートシンク4の固定と、ケース3の内部における半導体素子2との接触により、半導体素子2の熱をヒートシンク4へ伝播可能であれば良く、リベット5である場合に限られない。固定手段は、例えば、ネジであっても良い。ボルトおよびナットを固定手段とする場合は、ボルトやナットは平坦部が多いことから、半導体素子2との接触面積を広く確保することで効果的な放熱が可能となる。
The fixing means may be a
放熱構造は、半導体素子2にリベット5を接触させる構成である他、半導体素子2を含む電子回路にリベット5を接触させる構成としても良い。この場合、放熱構造は、発熱体である電子回路で発生する熱を、リベット5を介してヒートシンク4へ伝播させることで、効果的な放熱が可能となる。
The heat dissipation structure may be configured to contact the
半導体素子2のうちリベット5が接触する面、すなわち板部材6に対向する面を放熱面とすると、リベット5の本数が多いほど、リベット5一つ当たりの放熱面の面積は小さくなり、放熱効果が高くなる。ここで、Siを使用する通常の半導体素子を使用する場合と、SiC等を使用するワイドギャップ半導体素子を使用する場合との比較について述べる。
If the surface of the
図2は、ワイドギャップ半導体素子を使用する場合の放熱構造について説明する断面模式図である。一般に、ワイドギャップ半導体素子7は、絶縁破壊電界が大きく、扱う電流密度も大きくできることから、通常の半導体素子に比べて小型化がなされている。放熱構造は、小型化されたワイドギャップ半導体素子7の適用により放熱面が小さくなったことに応じてリベット5の数を減らしても、リベット5一つ当たりの放熱面の面積を同等とすることで、同等の放熱効果を得ることができる。ワイドギャップ半導体素子7については、通常の半導体素子の場合と比べて放熱構造を簡易な構成としても、同等の放熱効果が得られることとなる。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a heat dissipation structure when a wide gap semiconductor element is used. In general, the wide
図3に示すように、ワイドギャップ半導体素子8に対して、通常の半導体素子の場合とリベット5の数を同じとすれば、リベット5一つ当たりの放熱面の面積が小さくなることで、より高い放熱効果を得ることが可能となる。
As shown in FIG. 3, if the number of
放熱構造は、電子機器1の部品寸法や組み立てのばらつき等により半導体素子2とリベット5との接触圧力が小さくなると、半導体素子2およびリベット5の間の接触熱抵抗が高くなる分、放熱効率の低下が懸念される。半導体素子2について一定の熱量の放熱を可能とするためには、シリコンパウンドの塗布や熱伝導性の緩衝材の介在等の措置を採り得る。
In the heat dissipation structure, when the contact pressure between the
ワイドギャップ半導体素子7、8は、Siを使用する通常の半導体素子に比べて耐高温性を有する。ワイドギャップ半導体素子7、8を採用する場合は、接触圧力のばらつきによる放熱効果の低下があっても、その影響によるジャンクション温度の上昇については通常の半導体素子に比べて許容範囲に余裕があることとなる。したがって、ワイドギャップ半導体素子7、8を使用する場合は、通常の半導体素子を使用する場合に比べて、接触圧力のばらつきによる影響を受けにくくでき、信頼性の高い電子機器1を構成することが可能となる。
The wide
実施の形態2.
図4は、本発明の実施の形態2にかかる電子機器の放熱構造の概略構成を示す断面模式図である。電子機器11は、ヒートシンク4、リベット5および放熱板13を含む放熱構造と、ケース3と、発熱体である複数の半導体素子12を含む電子回路とを備える。実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。なお、放熱構造による放熱の対象とする半導体素子12の数はいくつであっても良いものとする。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the heat dissipation structure of the electronic device according to the second embodiment of the present invention. The
放熱板13は、固定手段であるリベット5によってケース3の内部に固定されている。放熱板13は、高い熱伝導性を持つ部材、例えば、アルミニウムや銅を材料として構成されている。リベット5は、放熱板13を貫いて取り付けられている。半導体素子12は、放熱板13、またはリベット5および放熱板13に接するように配置されている。半導体素子12およびヒートシンク4は、放熱板13および板部材6を挟んで、リベット5により接続されている。
The
半導体素子12で発生した熱は、直接あるいは放熱板13を経てリベット5へ伝播し、さらにリベット5からヒートシンク4へ伝播する。リベット5を経てヒートシンク4へ伝播した熱は、ヒートシンク4からケース3の外部へ放出される。放熱構造は、このようにして、半導体素子12で発生した熱をケース3の外部へ放出する。
The heat generated in the
本実施の形態によると、放熱構造は、放熱板13を設けることで、半導体素子12の熱を効率良くヒートシンク4へ伝播させることが可能となり、さらに効率的な放熱が可能となる。
According to the present embodiment, by providing the
以上のように、本発明にかかる電子機器の放熱構造は、半導体素子を含む電子機器の放熱に適している。 As described above, the heat dissipation structure for an electronic device according to the present invention is suitable for heat dissipation of an electronic device including a semiconductor element.
1 電子機器
2 半導体素子
3 ケース
4 ヒートシンク
5 リベット
6 板部材
7、8 ワイドギャップ半導体素子
11 電子機器
12 半導体素子
13 放熱板
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記ケースに前記ヒートシンクを固定する固定手段と、を有し、
前記固定手段は、前記ケース内にて前記発熱体に接することで、前記発熱体で発生する熱を前記ヒートシンクへ伝播可能とされたことを特徴とする電子機器の放熱構造。 A heat sink fixed outside the case for storing the heating element;
Fixing means for fixing the heat sink to the case,
The heat dissipating structure for an electronic device according to claim 1, wherein the fixing means is capable of propagating heat generated in the heat generating element to the heat sink by contacting the heat generating element in the case.
前記放熱板は、前記発熱体に接することを特徴とする請求項1に記載の電子機器の放熱構造。 A heat sink fixed inside the case by the fixing means;
The heat dissipation structure for an electronic device according to claim 1, wherein the heat dissipation plate is in contact with the heating element.
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Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4529536Y1 (en) * | 1966-11-05 | 1970-11-13 | ||
JPS4529537Y1 (en) * | 1966-11-15 | 1970-11-13 | ||
JPS473658U (en) * | 1971-01-31 | 1972-09-06 | ||
JPS5189148U (en) * | 1975-01-10 | 1976-07-16 | ||
JPS51100854U (en) * | 1975-02-10 | 1976-08-13 | ||
JPS6096842U (en) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 株式会社安川電機 | electronic equipment |
JPS63143006U (en) * | 1987-03-10 | 1988-09-20 | ||
JPH09294372A (en) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Origin Electric Co Ltd | Switching power supply device |
JP2001111271A (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Electronic circuit device |
JP2006135118A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Electromagnetic wave absorbing heat radiation sheet |
JP2007242964A (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | Fastening device |
JP2007281371A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | Heat dissipating structure for electronic equipment |
JP2009246063A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | Cooling structure of power module and semiconductor device using same |
JP2010239047A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | Electric circuit device |
JP2011134769A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Heat-radiating component, and electronic component device |
-
2011
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4529536Y1 (en) * | 1966-11-05 | 1970-11-13 | ||
JPS4529537Y1 (en) * | 1966-11-15 | 1970-11-13 | ||
JPS473658U (en) * | 1971-01-31 | 1972-09-06 | ||
JPS5189148U (en) * | 1975-01-10 | 1976-07-16 | ||
JPS51100854U (en) * | 1975-02-10 | 1976-08-13 | ||
JPS6096842U (en) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 株式会社安川電機 | electronic equipment |
JPS63143006U (en) * | 1987-03-10 | 1988-09-20 | ||
JPH09294372A (en) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Origin Electric Co Ltd | Switching power supply device |
JP2001111271A (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Electronic circuit device |
JP2006135118A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Electromagnetic wave absorbing heat radiation sheet |
JP2007242964A (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | Fastening device |
JP2007281371A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | Heat dissipating structure for electronic equipment |
JP2009246063A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | Cooling structure of power module and semiconductor device using same |
JP2010239047A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | Electric circuit device |
JP2011134769A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Heat-radiating component, and electronic component device |
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